TW201708443A - 具有光交聯基之段差基板被覆組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題為提供一種對圖型的填充性高，且將具有不會發生脫氣或熱收縮之可形成塗膜之平坦化性的被膜用以形成於基板上之段差基板被覆組成物。 本發明的解決手段為一種段差基板被覆組成物，其係包含於分子內至少具有2個式(1)之部分構造的化合物(C)及溶劑： □(式(1)中，R1及R2係分別表示氫原子、碳原子數1~10之烷基、或碳原子數6~40之芳基，R3係表示氫原子、羥基、碳原子數1~10之烷氧基、碳原子數1~10之烷基、硝基、或鹵素原子，※係表示與化合物的鍵結點)。化合物(C)係藉由含環氧基之化合物(A)與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)的反應者。上述化合物(C)係將上述化合物(A)之環氧基與桂皮酸(B)以莫耳比為1：1~4：1的比例進行反應者。

Description

具有光交聯基之段差基板被覆組成物
本發明係關於用以在具有段差之基板藉由光交聯形成平坦化膜之段差基板被覆組成物、與使用該段差基板被覆組成物之平坦化的層合基板之製造方法。
近年來，半導體集積電路裝置已加工成微細之設計規則。為了藉由光微影技術形成更為微細之光阻圖型，必須將曝光之光的波長短波長化。
然而，伴隨曝光之光的波長之短波長化，由於降低焦點深度，故必須使基板上所形成之被膜的平坦化性提昇。亦即為了製造具有微細之設計規則的半導體裝置，基板上之平坦化技術逐漸成為重要。
目前為止，平坦化膜，例如揭示有將光阻之下所形成之光阻下層膜藉由光硬化形成之方法。
揭示有包含於側鏈具有環氧基、環氧丙烷基之聚合物與光陽離子聚合起始劑之光阻下層膜形成組成 物、或包含具有可自由基聚合之乙烯性不飽和鍵之聚合物與光自由基聚合起始劑之光阻下層膜形成組成物(參照專利文獻1)。
且，揭示有包含具有環氧基、乙烯基等之可陽離子聚合之反應性基之矽系化合物、與光陽離子聚合起始劑、光自由基聚合起始劑之光阻下層膜形成組成物(參照專利文獻2)。
且，揭示有使用含有於側鏈具有交聯性官能基(例如羥基)之聚合物與交聯劑與光酸產生劑之光阻下層膜的半導體裝置之製造方法(參照專利文獻3)。
且，揭示有雖並非光交聯系之光阻下層膜，但於主鏈或側鏈具有不飽和鍵之光阻下層膜(參照專利文獻4、5)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開小冊WO2006/115044
[專利文獻2]國際公開小冊WO2007/066597
[專利文獻3]國際公開小冊WO2008/047638
[專利文獻4]國際公開小冊WO2009/008446
[專利文獻5]日本特表2004-533637
以往之光交聯材料，例如於包含具有羥基等之熱交聯形成官能基之聚合物與交聯劑與酸觸媒(酸產生劑)之光阻下層膜形成組成物，為了填充基板上所形成之圖型(例如孔或溝槽構造)而加熱時，由於進行交聯反應而產生黏度上昇，對圖型之不充分之填充性成為問題。進而由於產生因脫氣導致之熱收縮，並不良好之平坦化性成為問題。
且，於包含具有環氧基、乙烯基等之可陽離子聚合之反應性基之聚合物與酸產生劑之光阻下層膜形成組成物，進行光照射與加熱。此時由於依然有產生因脫氣導致之熱收縮，並不良好之平坦化性成為問題。
本發明係提供一種對圖型的填充性高，且將具有不會發生脫氣或熱收縮之可形成塗膜之平坦化性的被膜用以形成於基板上之段差基板被覆組成物。
本發明作為第1觀點，其係一種段差基板被覆組成物，其係包含於分子內具有式(1)表示之部分構造的化合物(C)及溶劑：
(式(1)中，R1及R2係分別獨立表示氫原子、碳原子數1~10之烷基、或碳原子數6~40之芳基，5個R3係分別獨立表示氫原子、羥基、碳原子數1~10之烷氧基、碳原子數1~10之烷基、硝基、或鹵素原子，※係表示與化合物的鍵結點)、作為第2觀點，其係如第1觀點之段差基板被覆組成物，其中，上述化合物(C)係含環氧基之化合物(A)與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)的反應生成物、作為第3觀點，其係如第2觀點之段差基板被覆組成物，其中，上述化合物(C)係由上述含環氧基之化合物(A)之環氧基與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)的莫耳比1：1~4：1所構成之反應生成物、作為第4觀點，其係如第2觀點或第3觀點之段差基板被覆組成物，其中，含環氧基之化合物(A)係含環氧基之苯或含環氧基之苯縮合環式化合物、含環氧基之脂肪族聚醚、含環氧基之酚醛清漆聚合物、含環氧基之脂環式烴 的聚醚、或含環氧基之聚酯、作為第5觀點，其係如第1觀點~第4觀點中任一項之段差基板被覆組成物，其中，段差基板被覆組成物係在半導體裝置製造之微影步驟中作為光阻下層膜形成組成物使用之組成物、作為第6觀點，其係一種被覆基板之製造方法，其係包含：塗佈如第1觀點~第5觀點中任一項之段差基板被覆組成物於具有段差之基板上之步驟(i)、及將塗佈之該基板進行曝光之步驟(ii)、作為第7觀點，其係如第6觀點之製造方法，其中，步驟(i)係進一步具有(ia)步驟，該(ia)步驟係塗佈段差基板被覆組成物於前述基板上後，將塗佈之該基板以70~400℃的溫度加熱10秒~5分鐘、作為第8觀點，其係如第6觀點或第7觀點之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光之光的波長為250nm~350nm、作為第9觀點，其係如第6觀點~第8觀點中任一項之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光量為500mJ/cm2~1500mJ/cm2、作為第10觀點，其係如第6觀點~第9觀點中任一項之製造方法，其中，具有段差之基板係具有開放區域(非圖型區域)、與DENSE(密)及ISO(粗)之圖型區域，圖型的長寬比為0.1~10、作為第11觀點，其係如第6觀點~第10觀點中任一 項之製造方法，其係製造開放區域與圖型區域的Bias(塗佈段差)為1~50nm之被覆基板、作為第12觀點，其係一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於具有段差之基板上由如第1觀點~第5觀點中任一項之段差基板被覆組成物形成下層膜之步驟、於其上形成光阻膜之步驟、藉由光或電子束之照射與顯影形成光阻圖型之步驟、藉由形成之光阻圖型蝕刻該下層膜之步驟、及藉由圖型化之下層膜加工半導體基板之步驟、作為第13觀點，其係如第12觀點之製造方法，其中，具有段差之基板係具有開放區域(非圖型區域)、與DENSE(密)及ISO(粗)之圖型區域，圖型的長寬比為0.1~10、作為第14觀點，其係如第12觀點或第13觀點之製造方法，其中，由段差基板被覆組成物形成下層膜之步驟係包含：塗佈如第1觀點~第5觀點中任一項之段差基板被覆組成物於具有段差之基板上之步驟(i)、及將塗佈之該基板進行曝光之步驟(ii)、作為第15觀點，其係如第14觀點之製造方法，其中，步驟(i)係進一步具有(ia)步驟，該(ia)步驟係塗佈段差基板被覆組成物於前述基板上後，將塗佈之該基板以70~400℃的溫度加熱10秒~5分鐘、作為第16觀點，其係如第14觀點或第15觀點之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光之光的波長為250nm~350nm、 作為第17觀點，其係如第14觀點~第16觀點中任一項之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光量為500mJ/cm2~1500mJ/cm2、作為第18觀點，其係如第12觀點~17觀點中任一項之製造方法，其中，由段差基板被覆組成物形成之下層膜係具有開放區域與圖型區域的Bias為1~50nm之塗佈段差、作為第19觀點，其係一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於具有段差之基板上由如第1觀點~第5觀點中任一項之段差基板被覆組成物形成下層膜之步驟、於其上形成硬遮罩之步驟、進而於其上形成光阻膜之步驟、藉由光或電子束之照射與顯影形成光阻圖型之步驟、藉由形成之光阻圖型蝕刻硬遮罩之步驟、藉由圖型化之硬遮罩蝕刻該下層膜之步驟、及藉由圖型化之下層膜加工半導體基板之步驟、作為第20觀點，其係如第19觀點之製造方法，其中，具有段差之基板係具有開放區域(非圖型區域)、與包含DENSE(密)及ISO(粗)之圖型區域，圖型的長寬比為0.1~10、作為第21觀點，其係如第19觀點或第20觀點之製造方法，其中，由段差基板被覆組成物形成下層膜之步驟係包含：塗佈如第1觀點~第5觀點中任一項之段差基板被覆組成物於具有段差之基板上之步驟(i)、及將塗佈之該基板進行曝光之步驟(ii)、 作為第22觀點，其係如第21觀點之製造方法，其中，步驟(i)係進一步具有(ia)步驟，該(ia)步驟係塗佈段差基板被覆組成物於前述基板上後，將塗佈之該基板以70~400℃的溫度加熱10秒~5分鐘、作為第23觀點，其係如第21觀點或第22觀點之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光之光的波長為250nm~350nm、作為第24觀點，其係如第21觀點~第23觀點中任一項之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光量為500mJ/cm2~1500mJ/cm2、作為第25觀點，其係如第19觀點~24觀點中任一項之製造方法，其中，由段差基板被覆組成物形成之下層膜係具有開放區域與圖型區域的Bias為1~50nm之塗佈段差。
本發明之段差基板組成物雖藉由塗佈於基板上，視情況進一步藉由以加熱導致之回流而填充於圖型，但此時，該段差基板組成物由於不具有熱交聯部位或酸觸媒，在步驟中，無該組成物的黏度上昇，無論基板上之開放區域(非圖型區域)、或DENSE(密)及ISO(粗)之圖型區域，可形成平坦之膜。於本發明之段差基板組成物，起因源自作為成分包含之桂皮酸之不飽和鍵彼此的光反應導致環丁烷環形成，而於膜形成交聯構造。亦即，本發明之段 差基板被覆組成物雖未包含交聯劑或酸觸媒，但塗佈該段差基板被覆組成物所形成之段差基板被覆膜(平坦化膜)係藉由由源自桂皮酸之雙鍵彼此的光二量化反應所形成之環丁烷環進行交聯而得到。
因此，在來自本發明之段差基板被覆組成物之段差基板被覆膜(平坦化膜)形成，於熱回流時未產生以交聯劑與酸觸媒造成之交聯反應，之後的光交聯由於是未伴隨脫氣之光二量化反應故不產生熱收縮。據此，可藉由本發明之段差基板被覆組成物，同時滿足對圖型之填充性、與填充後之平坦化性，可形成優異之平坦化膜。
本發明係包含於分子內具有式(1)表示之部分構造的化合物(C)及溶劑之段差基板被覆組成物。
式(1)中，R1及R2係分別獨立表示氫原子、碳原子數1~10之烷基、或碳原子數6~40之芳基，R3係分別獨立表示氫原子、羥基、碳原子數1~10之烷氧基、碳原子數1~10之烷基、硝基、或鹵素原子，※係表示與化合物的鍵結點。
上述段差基板被覆組成物如有必要可包含界面活性劑等之添加劑。
此組成物之固形分為0.1~70質量%、或0.1~60質量%、或0.2~30質量%、或0.3~15質量%。固形分係從段差基板被覆組成物去除溶劑之全成分的含有比 例。固形分中可以1~100質量%、或1~99.9質量%、或50~99.9質量%、或50~95質量%、或50~90質量%的比例含有上述化合物(C)。
本發明所使用之化合物(C)係平均分子量為600~1000000、或600~200000、或1500~15000。
化合物(C)由於於分子內具有式(1)表示之部分構造，在分子間或分子內引起不飽和雙鍵之光二量化反應而生成環丁烷環，其結果可形成交聯構造。於此，亦可於分子內至少具有2個式(1)表示之部分構造，又亦可於分子內具有複數個(例如1~數十個)。
作為上述碳原子數1~10之烷基，例如可列舉甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、環丙基、n-丁基、i-丁基、s-丁基、t-丁基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、n-戊基、1-甲基-n-丁基、2-甲基-n-丁基、3-甲基-n-丁基、1,1-二甲基-n-丙基、1,2-二甲基-n-丙基、2,2-二甲基-n-丙基、1-乙基-n-丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、n-己基、1-甲基-n-戊基、2-甲基-n-戊基、3-甲基-n-戊基、4-甲基-n-戊基、1,1-二甲基-n-丁基、1,2-二甲基-n-丁基、1,3-二甲基-n-丁基、2,2-二甲基-n-丁基、2,3-二甲基-n-丁基、3,3-二甲基-n-丁基、1-乙基-n-丁基、2-乙基-n-丁基、1,1,2-三甲基-n-丙基、1,2,2-三甲基-n-丙基、1-乙基-1-甲基-n-丙基、1-乙基-2-甲基-n-丙基、環己基、1-甲基-環戊 基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-n-丙基-環丙基、2-n-丙基-環丙基、1-i-丙基-環丙基、2-i-丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基及2-乙基-3-甲基-環丙基等。
作為上述碳原子數6~40之芳基，可列舉苯基、聯苯基、伸三聯苯基、茀基、萘基、蒽基、芘基、咔唑基等。
作為上述碳原子數1~10之烷氧基，可列舉甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、i-丙氧基、n-丁氧基、i-丁氧基、s-丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、1-甲基-n-丁氧基、2-甲基-n-丁氧基、3-甲基-n-丁氧基、1,1-二甲基-n-丙氧基、1,2-二甲基-n-丙氧基、2,2-二甲基-n-丙氧基、1-乙基-n-丙氧基、n-己基氧基、1-甲基-n-戊基氧基、2-甲基-n-戊基氧基、3-甲基-n-戊基氧基、4-甲基-n-戊基氧基、1,1-二甲基-n-丁氧基、1,2-二甲基-n-丁氧基、1,3-二甲基-n-丁氧基、2,2-二甲基-n-丁氧基、2,3-二甲基-n-丁氧基、3,3-二甲基-n-丁氧基、1-乙基-n-丁氧基、2-乙基-n-丁氧基、1,1,2-三甲基-n-丙氧基、1,2,2,-三甲基-n-丙氧基、1-乙基-1-甲基-n-丙氧基、及1-乙基-2-甲基-n-丙氧基等。
作為上述鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
上述化合物(C)可藉由含環氧基之化合物(A)與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)的反應合成。化合物(C)可藉由含環氧基之化合物(A)的形態作為低分子~聚合物使用。
上述反應可將含環氧基之化合物(A)與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)於觸媒(例如乙基三苯基溴化鏻、苄基三乙基氯化銨等)及溶劑(例如丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等)的存在下，於氮環境中使其迴流1~30小時，而得到化合物(C)。且，為了抑制反應中所產生之不飽和雙鍵的聚合，進而可使用阻聚劑(例如對苯二酚等)。
於上述方法，可將上述含環氧基之化合物(A)之環氧基與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)作為莫耳比以1：1~4：1、或1：1~2：1、或1：1~1.5：1的比例使其反應。較佳為將上述含環氧基之化合物(A)之環氧基與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)作為莫耳比以1：1使其反應，而得到環氧基全部變換為包含式(1)表示之單位構造之桂皮酸衍生物的化合物(C)。
本發明所用之含環氧基之化合物(A)，可列舉含環氧基之苯或含環氧基之苯縮合環式化合物、含環氧基之脂肪族聚醚、含環氧基之酚醛清漆聚合物、含環氧基之脂環式烴之聚醚、含環氧基之聚酯等。此等可作為市售品 取得，例如可例示於以下。
上述式(A-1)可作為(股)Daicel製、商品名GT401取得，a、b、c、d係分別表示0或1，為a+b+c+d=1。
上述式(A-2)可作為DIC(股)製、商品名HP-4700取得。
上述式(A-3)可作為Nagase Chemtex(股)製、商品名 EX-411取得。
上述式(A-4)可作為Nagase Chemtex(股)製、商品名EX-611取得。
上述式(A-5)可作為Nagase Chemtex(股)製、商品名EX-521取得。
上述式(A-6)可作為旭有機材工業(股)製、商品名TEP-G取得。
上述式(A-7)可作為旭化成環氧(股)製、商品名ECN-1229取得。
上述式(A-8)可作為日本化藥(股)製、商品名EPPN-201取得。
上述式(A-9)可作為日本化藥(股)製、商品名NC-2000L取得。
上述式(A-10)可作為日本化藥(股)製、商品名EPPN-501H取得。
上述式(A-11)可作為日本化藥(股)製、商品名NC-3000L取得。
上述式(A-12)可作為日本化藥(股)製、商品名NC-7000L取得。
上述式(A-13)可作為日本化藥(股)製、商品名NC-7300L取得。
上述式(A-14)可作為(股)Daicel製、商品名EHPE-3150取得。
作為其他環氧樹脂，例如可作為DIC(股)製之 商品名EPICLONHP-5000、DIC(股)製之商品名EPICLON HP-6000、DIC(股)製之商品名EPICLON HP-7200H等取得。
本發明所用之具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)例如可例示於以下。此等可作為試藥取得。
本發明所用之於分子內至少具有2個式(1)表示之部分構造的化合物(C)可例示於以下。
本發明之段差基板被覆組成物可含有界面活性劑。作為前述界面活性劑，例如可列舉聚氧伸乙基月桂醚、聚氧伸乙基硬脂醚、聚氧伸乙基十六烷醚、聚氧伸乙基油醚等之聚氧伸乙基烷醚類、聚氧伸乙基辛基苯醚、聚氧伸乙基壬基苯醚等之聚氧伸乙基烷基芳醚類、聚氧伸乙基暨聚氧伸丙基烯嵌段共聚物類、去水山梨糖醇單月桂酸酯、去水山梨糖醇單棕櫚酸酯、去水山梨糖醇單硬脂酸酯、去水山梨糖醇單油酸酯、去水山梨糖醇三油酸酯、去水山梨糖醇三硬脂酸酯等之去水山梨糖醇脂肪酸酯類、聚氧伸乙基去水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧伸乙基去水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧伸乙基去水山梨糖醇單硬脂酸酯、 聚氧伸乙基去水山梨糖醇三油酸酯、聚氧伸乙基去水山梨糖醇三硬脂酸酯等之聚氧伸乙基去水山梨糖醇脂肪酸酯類等之非離子系界面活性劑、Eftop〔註冊商標〕EF301、同EF303、同EF352(三菱材料電子化成(股)製)、Megafac〔註冊商標〕F171、同F173、同R30、同R-30N、同R-40LM(DIC(股)製)、Fluorad FC430、同FC431(住友3M(股)製)、旭guard〔註冊商標〕AG710、Surflon〔註冊商標〕S-382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106(旭硝子(股)製)等之氟系界面活性劑、有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業(股)製)。可添加從此等之界面活性劑所選擇出之1種，亦可組合2種以上添加。前述界面活性劑的含有比例，相對於從本發明之段差基板被覆組成物去除後述之溶劑的固形分，例如為0.01質量%~5質量%。
作為於本發明溶解化合物(C)之溶劑，可使用乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單異丙醚、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚乙酸酯、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、三乙二醇二甲醚、甲苯、二甲苯、苯乙烯、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、2-羥基丙酸乙酯、2- 羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁烷酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、1-辛醇、乙二醇、己二醇、三亞甲基二醇、1-甲氧基-2-丁醇、環己醇、二丙酮醇、糠醇、四四氫化糠醇、苄醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、γ-丁基內酯、丙酮、甲基異丙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、甲基正丁基酮、乙酸異丙基酮、乙酸正丙酯、乙酸異丁酯、甲醇、乙醇、異丙醇、tert-丁醇、烯丙基醇、正丙醇、2-甲基-2-丁醇、異丁醇、正丁醇、2-甲基-1-丁醇、1-戊醇、2-甲基-1-戊醇、2-乙基己醇、異丙醚、1,4-二噁烷、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甲基亞碸、N-環己基-2-吡咯烷酮等。此等之有機溶劑係以單獨、或2種以上之組合來使用。
其次，對於使用本發明之段差基板被覆組成物之平坦化膜形成法進行說明時，於精密集積電路元件的製造所使用之基板(例如矽/二氧化矽被覆、玻璃基板、ITO基板等之透明基板)上藉由旋轉器、塗佈機等之適當之塗佈方法來塗佈段差基板被覆組成物後，較佳為烘烤(加熱)，進行曝光而作成被膜。即，藉由包含塗佈本發明之段差基板被覆組成物於具有段差之基板上之步驟(i)、及將塗佈之基板進行曝光之步驟(ii)之方法來製造被覆基 板。
使用旋轉器進行塗佈的情況下，例如可以回轉數100~5000、10~180秒的條件進行塗佈。
上述基板可使用具有開放區域(非圖型區域)、與DENSE(密)及ISO(粗)之圖型區域，且圖型的長寬比為0.1~10者。
上述所謂非圖型區域係表示於基板上無圖型(例如孔或溝槽構造)之部分，DENSE(密)係表示基板上圖型密集之部分，ISO(粗)係表示於基板上圖型與圖型的間隔廣且圖型散佈的部分。所謂圖型之長寬比，係相對於圖型的寬之圖型深度之比率。圖型深度通常為數百nm(例如100~300nm左右)，DENSE(密)係數十nm(例如30~80nm)左右之圖型以100nm左右之間隔密集之地點。ISO(粗)係散佈數百mm(例如200~1000nm左右)之圖型的地點。
於此，作為段差基板被覆膜(平坦化膜)之膜厚，較佳為0.01~3.0μm。又，上述步驟(i)後，作為步驟(ia)，可具有塗佈後加熱塗佈之基板之步驟，其加熱條件為於70~400℃、或100~250℃ 10秒~5分鐘、或30秒~2分鐘。藉由此加熱，回流段差基板被覆組成物，而形成平坦之段差基板被覆膜(平坦化膜)。
在步驟(ii)曝光之光為近紫外線、遠紫外線、或極端紫外線(例如EUV、波長13.5nm)等之化學線，例如使用248nm(KrF雷射光)、193nm(ArF雷射光)、157nm(F2 雷射光)等之波長之光。且，曝光之光的波長可使用250nm~350nm之紫外光，而且較佳可使用313nm、320nm之波長。
藉由此曝光進行段差基板被覆膜(平坦化膜)之交聯。在步驟(ii)之曝光量可成為500mJ/cm2~1500mJ/cm2。藉由此範圍的曝光量，在化合物(C)產生光二量化反應，形成交聯，而產生溶劑耐性。
在如此所形成之段差基板被覆膜(平坦化膜)，雖期望開放區域與圖型區域的Bias(塗佈段差)為零，但可以成為1~50nm、或1~25nm的範圍的方式進行平坦化。開放區域與DENSE區域的Bias為15~20nm左右，開放區域與ISO區域的Bias為1~10nm左右。
藉由本發明所得之段差基板被覆膜(平坦化膜)係於其上被覆光阻膜，藉由微影曝光光阻膜及進行顯影而形成光阻圖型，可依照該光阻圖型進行基板加工。該情況下，上述段差基板被覆膜(平坦化膜)成為光阻下層膜，亦即段差基板被覆組成物亦為微影用光阻下層膜形成組成物。本發明之光阻下層膜形成組成物係依照上述之步驟(i)及(ii)以及步驟(ia)，例如以上述之塗佈後加熱、曝光之光、曝光量的條件可形成光阻下層膜，可形成具有同樣之Bias(塗佈段差)之光阻下層膜。
其次，於形成之光阻下層膜上塗佈光阻，通過預定之遮罩進行光或電子束之照射，藉由顯影、清洗、乾燥而可得到良好之光阻圖型。如有必要亦可進行光或電 子束之照射後加熱(PEB：Post Exposure Bake)。然後光阻係將由前述步驟顯影去除之部分之光阻下層膜藉由乾蝕去除，可將所期望之圖型形成於基板上。
上述光阻之曝光之光為近紫外線、遠紫外線、或極端紫外線(例如EUV、波長13.5nm)等之化學線，例如使用248nm(KrF雷射光)、193nm(ArF雷射光)、157nm(F2雷射光)等之波長之光。光照射之方法若為可從光阻中之光酸產生劑產生酸之方法，並未特別限制而可使用，曝光量可成為1~2000mJ/cm2、或10~1500mJ/cm2、或50~1000mJ/cm2。
又電子束光阻之電子束照射例如可使用電子束照射裝置進行照射。
作為使用本發明之微影用光阻下層膜組成物而形成之光阻下層膜上之光阻的顯影液，可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水等之無機鹼類、乙基胺、n-丙基胺等之第一胺類、二乙基胺、二-n-丁基胺等之第二胺類、三乙基胺、甲基二乙基胺等之第三胺類、二甲基乙醇胺、三乙醇胺等之醇胺類、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、膽鹼等之第4級銨鹽、吡咯、哌啶等之環狀胺類、等之鹼類之水溶液。進而，亦可於上述鹼類之水溶液適當量添加異丙基醇等之醇類、非離子系等之界面活性劑來使用。此等當中較佳顯影液為第四級銨鹽，更佳為四甲基氫氧化銨及膽鹼。
且，作為顯影液可使用有機溶劑。例如可將 乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、蟻酸甲酯、蟻酸乙酯、蟻酸丁酯、蟻酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等作為例列舉。進而，亦可於此等之顯影液加入界面活性劑等。作為顯影的條件，從溫度5~50℃、時間10~600秒適當選擇。
於本發明，可經由於半導體基板上藉由本發明之光阻下層膜形成組成物(段差基板被覆組成物)形成光阻下層膜之步驟、於其上形成光阻膜之步驟、藉由光或電子束之照射與顯影形成光阻圖型之步驟、藉由形成之光阻圖型蝕刻該光阻下層膜之步驟、及藉由圖型化之光阻下層膜加工半導體基板之步驟，來製造半導體裝置。
今後，進行光阻圖型之微細化時，產生解像度的問題或光阻圖型於顯影後傾倒的問題，期待光阻之薄膜化。因此，於基板加工難以得到充分之光阻圖型膜厚，不只是光阻圖型，而且於光阻與加工之半導體基板之間所作成之光阻下層膜亦必須具有作為基板加工時之遮罩的功能之製程。作為如此製程用之光阻下層膜，與以往之高蝕刻速率性光阻下層膜不同，逐漸成為要求具有接近光阻之乾蝕速度的選擇比之微影用光阻下層膜、具有與光阻相比較較小之乾蝕速度的選擇比之微影用光阻下層膜或具有與半導體基板相比較較小之乾蝕速度的選擇比之微影用光阻下層膜。且，對於如此之光阻下層膜亦可賦予抗反射能，可一併具有以往之抗反射膜的功能。
另一方面，為了得到微細之光阻圖型，於光阻下層膜乾蝕時將光阻圖型與光阻下層膜成為較光阻顯影時之圖型寬更細之製程亦開始使用。作為如此之製程用之光阻下層膜，係與以往之高蝕刻速率性抗反射膜不同，逐漸成為要求具有接近光阻之乾蝕速度的選擇比之光阻下層膜。且，對於如此之光阻下層膜亦可賦予抗反射能，可一 併具有以往之抗反射膜的功能。
於本發明，於基板上成膜為本發明之光阻下層膜後，可直接於光阻下層膜上、或如有必要將1層~數層之塗膜材料成膜於光阻下層膜上後，塗佈光阻。藉此，光阻之圖型寬變狹小，為了防止圖型傾倒，即使較薄地被覆光阻的情況下，藉由選擇適當之蝕刻氣體，使基板之加工變可能。
即，可經由於半導體基板上藉由本發明之光阻下層膜形成組成物(段差基板被覆組成物)形成光阻下層膜之步驟、於其上形成以含有矽成分等之塗膜材料造成之硬遮罩或以蒸著造成之硬遮罩(例如氮化氧化矽)之步驟、進而於其上形成光阻膜之步驟、藉由光或電子束之照射與顯影形成光阻圖型之步驟、藉由形成之光阻圖型將硬遮罩以鹵素系氣體蝕刻之步驟、藉由圖型化之硬遮罩將該光阻下層膜以氧系氣體或氫系氣體蝕刻之步驟、及藉由圖型化之光阻下層膜以鹵素系氣體加工半導體基板之步驟，來製造半導體裝置。
本發明之微影用光阻下層膜形成組成物考慮作為抗反射膜的效果時，由於光吸收部位被納入骨架，加熱乾燥時沒有對光阻中的擴散物，且由於光吸收部位具有大之吸光性能故反射光防止效果高。
本發明之微影用光阻下層膜形成組成物為熱安定性高，且防止因燒成時之分解物導致對上層膜的污染，且，可充分具有燒成步驟之溫度幅度。
進而，本發明之微影用光阻下層膜形成組成物透過製程條件，可作為具有下述功能之膜使用：防止光之反射之功能、與進而基板與光阻的相互作用之防止或者防止光阻所用之材料或光阻之曝光時所生成之物質對基板的不良作用之功能。
[實施例]
<合成例1>
於含環氧基之苯縮合環式化合物EPICLON HP-4700(商品名、環氧價：165g/eq.、DIC(股)製、式(A-2))7.50g、4-甲氧基桂皮酸8.10g、乙基三苯基溴化鏻0.42g、對苯二酚0.03g加入丙二醇單甲醚37.44g，氮環境下加熱迴流17小時。於所得之聚合物溶液加入陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))16g、陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))16g，於室溫離子交換處理4小時。分離離子交換樹脂後，得到化合物(C)溶液。所得之化合物(C)相當於式(C-1)，由GPC以聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為1700。
<合成例2>
於含環氧基之酚醛清漆聚合物ECN1229(商品名、環氧價：218g/eq.、旭化成環氧(股)製、式(A-7))7.50g、4-甲 氧基桂皮酸6.14g、乙基三苯基溴化鏻0.32g、對苯二酚0.02g加入丙二醇單甲醚32.61g，氮環境下加熱迴流13小時。於所得之聚合物溶液加入陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))14g、陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))14g，於室溫離子交換處理4小時。分離離子交換樹脂後，得到化合物(C)溶液。所得之化合物(C)相當於式(C-2)，由GPC以聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為6000。
<合成例3>
於含環氧基之脂環式烴之聚醚EHPE-3150(商品名、環氧價：173g/eq.、(股)Daicel製、式(A-14))5.00g、4-甲氧基桂皮酸5.15g、乙基三苯基溴化鏻0.64g、對苯二酚0.02g加入丙二醇單甲醚7.56g、丙二醇單甲醚乙酸酯17.65g，氮環境下加熱迴流13小時。於所得之聚合物溶液加入陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))19g、陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))19g，於室溫離子交換處理4小時。分離離子交換樹脂後，得到化合物(C)溶液。所得之化合物(C)相當於式(C-3)，由GPC以聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為4200。
<比較合成例1>
於含環氧基之脂環式烴之聚醚(商品名：EHPE-3150、環氧價：179g/eq.、(股)Daicel製、式(A-14))5.00g、9-蔥羧酸3.11g、苯甲酸2.09g、乙基三苯基溴化鏻0.62g加入丙二醇單甲醚7.57g、丙二醇單甲醚乙酸酯17.67g，氮環境下加熱迴流13小時。於所得之聚合物溶液加入陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))16g、陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))16g，於室溫離子交換處理4小時。分離離子交換樹脂後，得到化合物溶液。所得之化合物相當於式(D-1)，由GPC以聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為4700。
<製造例1>
於合成例1所得之樹脂溶液(固形分為26.80質量%)2.61g加入界面活性劑(DIC(股)製、品名：Megafac〔商品名〕R-40、氟系界面活性劑)0.001g、丙二醇單甲醚 4.60g、丙二醇單甲醚乙酸酯2.79g來調製段差基板被覆組成物之溶液。
<製造例2>
於合成例2所得之樹脂溶液(固形分為26.09質量%)2.68g加入界面活性劑(DIC(股)製、品名：Megafac〔商品名〕R-40、氟系界面活性劑)0.001g、丙二醇單甲醚4.53g、丙二醇單甲醚乙酸酯2.79g來調製段差基板被覆組成物之溶液。
<製造例3>
於合成例3所得之樹脂溶液(固形分為23.11質量%)3.03g加入界面活性劑(DIC(股)製、品名：Megafac〔商品名〕R-40、氟系界面活性劑)0.001g、丙二醇單甲醚4.18g、丙二醇單甲醚乙酸酯2.79g來調製段差基板被覆組成物之溶液。
<比較製造例1>
於比較合成例1所得之樹脂溶液(固形分為23.17質量%)5.15g加入四甲氧基甲基甘脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、日本氰特工業(股)製)0.30g、吡啶鎓p-甲苯磺酸鹽0.01g、界面活性劑(DIC(股)製、品名：Megafac〔商品名〕R-40、氟系界面活性劑)0.001g、丙二醇單甲醚11.76g、丙二醇單甲醚乙酸酯2.78g來調製段差 基板被覆組成物之溶液。
〔光硬化性試驗〕
作為實施例1~實施例3，將於製造例1~製造例3調製之段差基板被覆組成物分別使用旋轉器塗佈(旋塗)於矽晶圓上。於熱板上以215℃加熱1分鐘，形成膜厚0.20μm之被膜(光阻下層膜)。將此段差基板被覆膜使用Eye Graphics(股)製、紫外線照射裝置(超高壓水銀燈1kW、313nm之照度20.5mW/cm2)，進行500mJ/cm2之紫外線照射，確認於紫外線照射有無之溶劑剝離性。溶劑剝離性係於紫外線照射後之塗佈膜將丙二醇單甲醚與丙二醇單甲醚乙酸酯之7對3的混合溶劑浸漬1分鐘，甩乾(Spin dry)後以100℃烘烤1分鐘，來測定膜厚。
作為比較例1~比較例3，將於製造例1~製造例3所得之段差基板被覆組成物分別與上述相同地旋塗於矽晶圓上並加熱，且未進行之後的光照射，將實施上述之溶劑剝離性試驗之結果示於表1。在表1，所謂初期膜厚係表示溶劑剝離試驗前之膜厚。
由上述結果，確認實施例1~實施例3並非以紫外線照射前之215℃加熱進行硬化，而是藉由紫外線照射進行硬化。
作為實施例4~實施例6，將於製造例1~製造例3調製之段差基板被覆組成物塗佈於矽晶圓上，於熱板上以215℃加熱1分鐘，測定形成之段差基板被覆膜在193nm之折射率與衰減係數。折射率與衰減係數的測定係使用Woollam日本(股)製橢偏儀(M2000D)。
且，作為實施例4~實施例6，將於製造例1~製造例3調製之段差基板被覆組成物塗佈於矽晶圓上，於熱板上以215℃加熱1分鐘，分別進行形成之段差基板被覆膜與從住友化學(股)製光阻溶液(製品名：Sumi resist PAR855)所得之光阻膜的乾蝕速度的比較。
將對於光阻膜之乾蝕速度之段差基板被覆膜(平坦化膜)之乾蝕速度的比(乾蝕速度的選擇比)示於表2。
乾蝕速度的測定係使用Samco(股)製乾蝕裝置(RIE- 10NR)，測定相對於CF4氣體之乾蝕速度。
將段差基板被覆膜(平坦化膜)之折射率(n值)、衰減係數(k值)、乾蝕速度的比(乾蝕速度的選擇比)示於表2。
由表2之結果，藉由本發明之段差基板被覆組成物之段差基板被覆膜(平坦化膜)係具有適當之抗反射效果。而且，於藉由本發明之段差基板被覆組成物之段差基板被覆膜(平坦化膜)的上層塗佈光阻膜進行曝光與顯影，形成光阻圖型後，依照其光阻圖型以蝕刻氣體等進行乾蝕來進行基板之加工時，由於對於光阻膜具有較大之乾蝕速度，故基板之加工為可能。
據此，本發明之段差基板被覆組成物由於塗佈並硬化所形成之段差基板被覆膜(平坦化膜)可作為光阻膜之下層的光阻下層膜使用，故可作為光阻下層膜形成組成物使用。
〔對段差基板之被覆試驗〕
作為段差被覆性之評估，於200nm膜厚之SiO2基板進行於溝槽寬度50nm、間距100nm之密實圖型區域(D-1)、無圖型之開放區域(OPEN)、溝槽寬度230nm(T-1)、溝槽寬度800nm(T-2)之大溝槽區域之被覆膜厚的比較。作為實施例7~實施例9，將於製造例1~製造例3調製之段差基板被覆組成物於上述基板上以150nm膜厚塗佈，將於215℃烘烤60秒後再於313nm以500mJ/cm2曝光後之段差被覆性使用日立高新技術(股)製掃描型電子顯微鏡(S-4800)進行觀察，藉由測定於密實區域、大溝槽區域之膜厚與開放區域的膜厚差(Bias/塗佈段差)，來評估平坦化性。
作為比較例4，將由比較製造例1所得之段差基板被覆組成物的被覆性評估以相同條件進行。
比較對段差基板之被覆性時，實施例7~9之結果可 說是圖型區域與開放區域的塗佈段差較與比較例4的結果更小且平坦化性良好。
[產業上之可利用性]
本發明之段差基板被覆組成物係塗佈於基板後，藉由以加熱造成之回流即使於具有段差之基板上亦可平坦塗佈。該加熱之時並未進行熱交聯，而是具有流動性可形成平坦之膜，藉由之後的光照射可以光二量化造成硬化。經由硬化發現溶劑耐性等，所以可於其上層外塗光阻等之被膜，故可利用在光阻下層膜等。

Claims (25)

  1. 一種段差基板被覆組成物，其係包含於分子內具有式(1)表示之部分構造的化合物(C)及溶劑： (式(1)中，R1及R2係分別獨立表示氫原子、碳原子數1~10之烷基、或碳原子數6~40之芳基，5個R3係分別獨立表示氫原子、羥基、碳原子數1~10之烷氧基、碳原子數1~10之烷基、硝基、或鹵素原子，※係表示與化合物的鍵結點)。
  2. 如請求項1之段差基板被覆組成物，其中，上述化合物(C)係含環氧基之化合物(A)與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)的反應生成物。
  3. 如請求項2之段差基板被覆組成物，其中，上述化合物(C)係由上述含環氧基之化合物(A)之環氧基與具有式(1)表示之部分構造的桂皮酸(B)的莫耳比1：1~4：1所構 成之反應生成物。
  4. 如請求項2或請求項3之段差基板被覆組成物，其中，含環氧基之化合物(A)係含環氧基之苯或含環氧基之苯縮合環式化合物、含環氧基之脂肪族聚醚、含環氧基之酚醛清漆聚合物、含環氧基之脂環式烴的聚醚、或含環氧基之聚酯。
  5. 如請求項1~請求項4中任一項之段差基板被覆組成物，其中，段差基板被覆組成物係在半導體裝置製造之微影步驟中作為光阻下層膜形成組成物使用之組成物。
  6. 一種被覆基板之製造方法，其係包含：塗佈如請求項1~請求項5中任一項之段差基板被覆組成物於具有段差之基板上之步驟(i)、及將塗佈之該基板進行曝光之步驟(ii)。
  7. 如請求項6之製造方法，其中，步驟(i)係進一步具有(ia)步驟，該(ia)步驟係塗佈段差基板被覆組成物於前述基板上後，將塗佈之該基板以70~400℃的溫度加熱10秒~5分鐘。
  8. 如請求項6或請求項7之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光之光的波長為250nm~350nm。
  9. 如請求項6~請求項8中任一項之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光量為500mJ/cm2~1500mJ/cm2。
  10. 如請求項6~請求項9中任一項之製造方法，其中，具有段差之基板係具有開放區域(非圖型區域)、與DENSE(密)及ISO(粗)之圖型區域，圖型的長寬比為0.1~ 10。
  11. 如請求項6~請求項10中任一項之製造方法，其係製造開放區域與圖型區域的Bias(塗佈段差)為1~50nm之被覆基板。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於具有段差之基板上由如請求項1~請求項5中任一項之段差基板被覆組成物形成下層膜之步驟、於其上形成光阻膜之步驟、藉由光或電子束之照射與顯影形成光阻圖型之步驟、藉由形成之光阻圖型蝕刻該下層膜之步驟、及藉由圖型化之下層膜加工半導體基板之步驟。
  13. 如請求項12之製造方法，其中，具有段差之基板係具有開放區域(非圖型區域)、與DENSE(密)及ISO(粗)之圖型區域，圖型的長寬比為0.1~10。
  14. 如請求項12或請求項13之製造方法，其中，由段差基板被覆組成物形成下層膜之步驟係包含：塗佈如請求項1~請求項5中任一項之段差基板被覆組成物於具有段差之基板上之步驟(i)、及將塗佈之該基板進行曝光之步驟(ii)。
  15. 如請求項14之製造方法，其中，步驟(i)係進一步具有(ia)步驟，該(ia)步驟係塗佈段差基板被覆組成物於前述基板上後，將塗佈之該基板以70~400℃的溫度加熱10秒~5分鐘。
  16. 如請求項14或請求項15之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光之光的波長為250nm~350nm。
  17. 如請求項14~請求項16中任一項之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光量為500mJ/cm2~1500mJ/cm2。
  18. 如請求項12~請求項17中任一項之製造方法，其中，由段差基板被覆組成物形成之下層膜係具有開放區域與圖型區域的Bias為1~50nm之塗佈段差。
  19. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於具有段差之基板上由如請求項1~請求項5中任一項之段差基板被覆組成物形成下層膜之步驟、於其上形成硬遮罩之步驟、進而於其上形成光阻膜之步驟、藉由光或電子束之照射與顯影形成光阻圖型之步驟、藉由形成之光阻圖型蝕刻硬遮罩之步驟、藉由圖型化之硬遮罩蝕刻該下層膜之步驟、及藉由圖型化之下層膜加工半導體基板之步驟。
  20. 如請求項19之製造方法，其中，具有段差之基板係具有開放區域(非圖型區域)、與包含DENSE(密)及ISO(粗)之圖型區域，圖型的長寬比為0.1~10。
  21. 如請求項19或請求項20之製造方法，其中，由段差基板被覆組成物形成下層膜之步驟係包含：塗佈如請求項1~請求項5中任一項之段差基板被覆組成物於具有段差之基板上之步驟(i)、及將塗佈之該基板進行曝光之步驟(ii)。
  22. 如請求項21之製造方法，其中，步驟(i)係進一步具有(ia)步驟，該(ia)步驟係塗佈段差基板被覆組成物於前述基板上後，將塗佈之該基板以70~400℃的溫度加熱10秒~5分鐘。
  23. 如請求項21或請求項22之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光之光的波長為250nm~350nm。
  24. 如請求項21~請求項23中任一項之製造方法，其中，在步驟(ii)中，曝光量為500mJ/cm2~1500mJ/cm2。
  25. 如請求項19~請求項24中任一項之製造方法，其中，由段差基板被覆組成物形成之下層膜係具有開放區域與圖型區域的Bias為1~50nm之塗佈段差。
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