TW201705336A - 用於減少在晶粒級雷射掀離製程期間所受機械損傷之藍寶石收集器 - Google Patents

用於減少在晶粒級雷射掀離製程期間所受機械損傷之藍寶石收集器 Download PDF

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Abstract

在一種藍寶石收集器(SC)中，包含用於擷取在晶粒級雷射掀離製程(LLO)期間自一半導體結構移除之晶粒大小之藍寶石晶片之結構及參數兩者上之一或多個特徵。此等特徵經設計以增加在各藍寶石晶片自該半導體結構釋放不久之後由該藍寶石收集器牢固地擷取各藍寶石晶片之可能。

Description

用於減少在晶粒級雷射掀離製程期間所受機械損傷之藍寶石收集器
本發明係關於發光裝置領域，且特定言之，係關於一種減少在發光元件生長於其之上之藍寶石基板之雷射掀離製程期間發光裝置所受之損傷之系統。
包含半導體發光元件之半導體裝置形成/生長於一基板(常見的係藍寶石晶圓基板)上。在一發光元件之實例中，一GaN成核層可形成於一藍寶石基板上，其後接著一或多個n型層、一或多個作用層及一或多個p型層。金屬導體可透過該等層而形成且形成於該等層之上以提供n型層及p型層至一外部電源之耦合，以經由最上(p型)層上方之接觸墊啟動發光元件之作用層。
因為金屬接觸墊通常係不透明或反射的，故發光元件經設計以自與該接觸墊對置之表面且透過基板發射光。為改良光提取效率，可移除該基板從而暴露半導體表面。該半導體表面可經處理以進一步增強光提取效率。在一些案例中，一或多個接觸墊可放置於裝置之發光側上。
雷射掀離製程係通常用於自發光元件移除藍寶石基板之一程序。一雷射脈衝透過藍寶石基板投射且由藍寶石半導體界面處之半導 體層吸收，從而產生一局域化爆炸衝擊波，此歸因於界面處之半導體層之瞬時熱分解。
若在晶圓級下執行雷射掀離製程(LLO)，則在處理整個晶圓之後移除晶圓大小之藍寶石基板。另一方面，若對於各個別晶粒執行雷射掀離製程，則該等晶粒經覆晶安裝於一子基台發光塊上，其中藍寶石面向上。雷射施加至各晶粒，且晶粒大小之藍寶石晶片在雷射入射於各晶粒上不久之後彈出至一「藍寶石收集器」中，從而使半導體結構留於子基台發光塊上。隨後，子基台發光塊經處理以於各晶粒之上形成(例如)透鏡元件，接著，該等透鏡元件經切片/切塊以提供個別發光裝置。
在藍寶石移除與晶粒覆蓋之時間之間，相對易碎半導體表面經暴露，且易受機械損傷。在一組實例性生產運行期間，此機械損傷所受之良率損失已經量測為約0.236%。
減小雷射掀離製程之後一發光元件所受之機械損傷之可能將係有利的。
為更佳地解決此問題，在本發明之一實施例中，在一藍寶石收集器(SC)中包含用於擷取在晶粒級雷射掀離製程(LLO)期間自一半導體結構移除之晶粒大小之藍寶石晶片之結構及參數兩者上之一或多個特徵。此等特徵經設計以增加在各藍寶石晶片自該半導體結構釋放不久之後由該藍寶石收集器牢固地擷取各藍寶石晶片之可能。
該藍寶石收集器包含：一空腔，其接收經由雷射掀離製程自一子基台釋放之晶片；一隧道，其將一真空提供至該空腔且自該空腔移除該等晶片；及複數個空氣推送裝置，其將壓力下空氣提供至該空腔以朝向該隧道推送該等晶片。在本發明之一實施例中，該空腔包含一下部表面，該下部表面與該子基台基本上相齊且具有介於該空腔之一 前壁與該隧道之間之一長度，該長度比接收該等晶片之該開口之一長度大至少五倍。
在一些實施例中，該空腔包含以下特徵之一或多者：一上部表面，其包含在該開口正上方之一傾斜段，其使該等晶片朝向該隧道跳彈；一或多個網眼壁，空氣透過其流入至該隧道中；及一傾斜前壁，其使該等空氣推送裝置偏移。
該子基台表面上方之該空腔中之該開口之高度可經調整，使得大多數晶片經定向以使一主表面在垂直於來自最接近該開口之該空氣推送裝置之壓力下空氣之30度內。在一些實施例中，該高度介於5.0mm與7.0mm之間。
隧道真空可係相對低的，在一些實施例中，其不大於-3.0kPa，較佳地不大於-1.5kPa。來自該等空氣推送裝置之壓力可係相對高的，在一些實施例中，其至少係+0.3MPa，較佳地至少+0.4MPa，其具有基本上垂直於該等晶片之初始路徑之一空氣流。可提供三個或三個以上空氣推送裝置，其各具有至少0.2mm高及7.0mm寬之一空氣葉片開口。
在本發明之一實例性實施例中，將歸因於雷射掀離製程之後所受之機械損傷之良率損失減少超過三個數量級，自0.236%減少至低於0.0001%。
110‧‧‧雷射元件
115‧‧‧雷射束/脈衝雷射束
120‧‧‧藍寶石收集器/增強型藍寶石收集器
122‧‧‧開口
125‧‧‧空腔/收集空腔
126‧‧‧下部外表面
128‧‧‧網眼/頂網眼/閘/偏轉螢幕
130‧‧‧隧道/真空隧道
133‧‧‧擴口部分/表面
135‧‧‧真空/真空流/真空
140‧‧‧輸入管道/管道
145‧‧‧空氣流/壓力下空氣/加壓空氣流/加壓空氣
150‧‧‧空氣葉片/空氣推送裝置/經加寬空氣葉片
150A‧‧‧空氣葉片/第一空氣葉片
150B‧‧‧空氣葉片
150C‧‧‧空氣葉片
160‧‧‧子基台/基板
165‧‧‧發光元件/元件/未受保護晶片
170‧‧‧晶片/藍寶石晶片/經附接藍寶石基板晶片/經附接藍寶石晶片/經釋放晶片
210‧‧‧中值路徑
215‧‧‧中值路徑
216‧‧‧跳彈路徑/中值路徑
218‧‧‧跳彈路徑/中值路徑
225‧‧‧空腔
228‧‧‧上部表面
233‧‧‧法線
235‧‧‧入射角
250‧‧‧分佈
260‧‧‧分佈
310‧‧‧中值路徑/路徑
315‧‧‧中值跳彈路徑/路徑
316‧‧‧中值路徑
318‧‧‧中值路徑
322‧‧‧開口
325‧‧‧空腔
328‧‧‧頂表面/上部表面
330‧‧‧經延伸下部表面/下部表面/表面/經延伸部分/經延伸 表面
331‧‧‧障壁
333‧‧‧法線
335‧‧‧入射角
340‧‧‧上部表面/經延伸部分
370‧‧‧主表面
380‧‧‧前壁/前表面
390‧‧‧雷射束/雷射
410‧‧‧側壁
415‧‧‧網眼結構/網眼狀壁設計
435‧‧‧網眼結構/網眼狀壁設計
445‧‧‧網眼結構/網眼狀壁設計
485‧‧‧網眼結構/網眼狀壁設計
Hb‧‧‧空氣葉片孔口之高度
Hc‧‧‧空腔之高度
Ht‧‧‧開口322在基板上方之高度/開口在子基台之上之高度/高度
Le‧‧‧經延伸表面之長度
Lm‧‧‧網眼之長度
Lo‧‧‧開口之長度
Vh‧‧‧水平速度
Vv‧‧‧垂直速度
We‧‧‧經延伸表面之寬度
Wm‧‧‧網眼之寬度
Wo‧‧‧開口之寬度
參考附圖進一步詳細地並以實例方式解釋本發明，其中：圖1A繪示基本上減少在雷射掀離製程之後發光元件所受之機械損傷之可能之一實例性藍寶石收集器。
圖1B及圖1C繪示圖1A之藍寶石收集器中之一藍寶石晶片之相反行進之實例。
圖2繪示圖1A之藍寶石收集器內之晶片之軌跡之一實例性分佈。
圖3A至圖3D繪示進一步基本上減少在雷射掀離製程之後發光元件所受之機械損傷之可能之一藍寶石收集器之實例性實施例。
圖4繪示圖3D之藍寶石收集器之實例性特徵及尺寸。
貫穿圖式，相同元件符號指示類似或對應特徵或功能。出於繪示性目的而包含圖式且該等圖式不意欲限制本發明之範疇。
在以下描述中，出於解釋而非限制目的，陳述特定細節(諸如特定架構、界面、技術等等)以提供對本發明之概念之一透徹理解。然而，熟習此項技術者將明白，可在背離此等特定細節之其他實施例中實踐本發明。以相似方式，此描述之文字係關於如圖示中所繪示之實例性實施例，且不意欲限制超出申請專利範圍中明顯包含之限制之所主張之本發明。出於簡化及清晰目的，省略熟知裝置及方法之詳細描述以免使不必要細節模糊本發明之描述。亦為簡化及清晰起見，並非按比例呈現圖式，某些特徵經繪製為過大的以達成闡明此等特徵之注釋及其他元件。以相似方式，儘管使用直線性輪廓呈現圖式，然熟習此項技術者將認識到，所呈現之形狀不限於矩形結構。
圖1A繪示如2014年8月19日申請之美國臨時申請案62/038,988號及＿＿＿申請之現美國專利申請案＿＿＿(其以引用方式併入本文)中所揭示之一藍寶石收集器(SC)120。SC 120包含對一隧道130開放之一收集空腔125。隧道130處於負壓下，從而引起真空流135進入至該隧道中。SC 120亦包含至空腔125之輸入管道140，其將壓力下空氣145分別提供於管道140中。亦可提供額外隧道及管道。
一雷射元件110提供經由一閘128進入SC 120之一脈衝雷射束115。閘128僅設計以便不阻擋雷射束115，但在藍寶石晶片170進入空腔125之後防止任何藍寶石晶片170逃脫。閘128可係(例如)一透鏡元件或僅係一格柵。
在SC 120下方，具有經附接藍寶石基板晶片170之複數個發光元件165經安裝於一子基台160上。在雷射掀離製程期間，藉由相對於子基台160移動SC 120或相對於通向SC 120之空腔125之開口122移動子基台160，使SC 120位於具有一經附接藍寶石晶片170之一發光元件165之上。
在發光元件165及晶片170位於開口122之下之情況下，施加脈衝雷射束115，從而引起晶片170自發光元件165爆炸性地釋放。向上力引起經釋放晶片170進入開口122，且真空流135引起經釋放晶片170朝向隧道130行進。離開管道140之加壓空氣流145亦用於朝向隧道130推送行進之晶片170。
取決於初始掀離軌跡方向及晶片170相對於真空流135及加壓空氣145之速度，晶片170可直接進入真空隧道130或在幾次跳彈之後進入真空隧道130。理想地，即使晶片170在空腔125內到處跳彈，晶片170亦將最終進入隧道130，此係因為晶片170之速度將不斷減小，且因此逐漸更受真空流135及加壓空氣流145影響。
本發明者已使用一高速攝影機記錄關於子基台160及開口122之雷射掀離操作，且已發現一些晶片170離開開口122並引起損傷。
在一些案例中，晶片170在開口122下方懸浮且最終經吸回至空腔125中，從而不會引起負面效應。然而，在其他案例中，晶片170以一充足向下速度行進，使得在其離開開口122且撞擊子基台160之前真空流135及加壓空氣流145不足以反轉或改變其方向，如圖1B中所繪示。此向下行進之可能原因係晶片170自空腔125之壁或頂表面之一跳彈。多數跳彈之晶片170可能歸因於真空流135及加壓空氣流145而最終經吸回至隧道130中，但一些晶片170透過開口122逃脫並撞擊具有安裝之發光元件165之子基台160。
若離開之晶片170在其中定位有不具有一經附接藍寶石晶片170 之發光元件165(即，其中晶片170經雷射移除之元件165)之一位置處撞擊子基台160(即使以一低速)，則半導體表面之易碎性質將可能導致元件165之破壞。
圖1C繪示一發現之故障機構，其中離開之晶片170反復跳彈於SC 120之下部外表面126與子基台160之間，從而引起子基台160上之多個元件165通常所受之實質損傷。
如上文所提及，已於一組生產運行中發現，先前技術中歸因於雷射掀離製程之後所受之機械損傷之良率損失總計為0.236%，此主要歸因於離開之晶片170所造成之損傷。圖1A之增強型藍寶石收集器120已將歸因於雷射掀離製程之後所受之機械損傷之良率損失減少一數量級，自0.236%減少至0.023%。然而，在給定發光裝置之不斷增加之競爭性市場之情況下，即使此低良率損失可對此等裝置之利潤率有顯著影響。
透過使用計算流體動力學(CFD)及使用一高速(750fps)攝影機及用透明壁形成之一藍寶石收集器，本發明者已發現相當多之晶片170撞擊空腔125之上部表面，其中很少(若有)晶片170直接進入隧道130。
本發明者隨後判定晶片170以一高速率垂直速度(28m/s或更多)進入空腔125，且空腔125內之紊流減少空氣推送裝置150及真空135之有效性。
圖2繪示一實例性藍寶石收集器內之晶片之軌跡之一實例性分佈，如藉由透過一透明空腔225之模擬及觀察所判定。在此實例性SC中，提供三個空氣流145。
歸因於一高掀離速度(~28m/s)，幾乎全部晶片170皆撞擊空腔225之上部表面228上之網眼128，如由中值路徑210及該網眼上之撞擊位置之實例性分佈250所繪示。在撞擊網眼128之後，晶片跳彈且經由中 值路徑215行進至隧道130之擴口部分133。如由實例性分佈260所繪示，晶片跨比初始撞擊位置之分佈250更廣泛之一範圍撞擊擴口部分133。
跳彈路徑216、218意欲繪示如下事實：大多數晶片170經由中值路徑216朝向隧道130行進，此歸因於相對於至擴口部分133之表面之一法線233的晶片撞擊表面133之入射角235。然而，諸多晶片170經由中值路徑218朝向開口122往回跳彈，且存在此等晶片170之一些將離開開口122之一可能性，從而很可能引起子基台160上之未受保護晶片165受損，如圖1B、圖1C中所繪示。
圖3A至3D繪示進一步基本上減少雷射掀離製程之後發光元件所受之機械損傷之可能之一藍寶石收集器之實例性實施例。如上文所提及，此等實施例並非按比例繪製。
如圖3A中所繪示，空腔之頂表面328可經傾斜以增加朝向隧道130之跳彈角。如相比於圖2之SC，進入開口122之晶片170之中值路徑310基本上相同於圖2之中值路徑210。然而，如由中值跳彈路徑315所繪示，傾斜上部表面328引起晶片170更接近隧道130撞擊擴口部分133，且以相對於法線233之一更大入射角335撞擊擴口部分133。經增加之入射角335導致更大數目個晶片經由中值路徑316朝向隧道130跳彈，且更少晶片170經由中值路徑318朝向開口122跳彈。
如圖3B中所繪示，若一經延伸下部表面330設置於空腔325中，則相對於一法線333之沿著路徑315之晶片之入射角335進一步增加，此係因為晶片撞擊平行於子基台160之一表面330(而非朝向開口122傾斜之隧道130之擴口部分133)。歸因於此更大入射角335，更多晶片170經由中值路徑316朝向隧道130跳彈，且更少晶片170經由中值路徑318朝向開口122跳彈。
如上文所提及，圖解並非係按比例的，且某些特徵經繪製為過 大的以達成闡明此等特徵之注釋及其他元件。在一實例性實施例中，前壁380與隧道130之擴口部分133之間之經延伸下部表面330之長度係開口122之長度之至少五倍。
為進一步減少離開開口122之晶片170之數目，空氣流145之壓力及隧道130之真空135可經調整以增加空腔325內晶片170之水平速度Vh及/或減少其等之垂直速度Vv。如所預期，增加空氣流145之壓力及體積增加晶片170沿著路徑310、315之水平速度Vh。應尤其注意，據發現，提供一更大空氣葉片開口來增加空氣體積比使用一薄空氣葉片開口來影響晶片170之水平速度Vh具有一更有利效應。在一實例性實施例中，在具有約0.2mm +/- .05mm之一空氣葉片開口之情況下，空氣流145之壓力可係至少0.3MPa，且較佳地超過0.4MPa。
然而，非預期地，減少隧道130之真空135用於增加晶片沿著路徑310、315之水平軌跡。本發明者已判定真空135之量值影響晶片之速度V之垂直分量Vv基本上多於其影響水平分量Vh。垂直速度Vv之此增加減少在晶片朝向上部表面328行進時來自空氣葉片150之空氣流偏移晶片170之路徑310之能力。較佳地，真空135維持處於用以確保到達隧道130處之晶片170繼續穿過隧道130行進至隧道130之另一端處之一收集儲存庫(圖中未繪示)所必要之一最小位準。取決於儲存庫之接近度，此最小真空可低至-0.2kPa。在一實例性實施例中，真空135之量值維持於小於-3.0kPa，且較佳地小於-1.5kPa。(關於壓力，極性係指方向(「-」=「朝向真空源」，「+」=「來自壓力源」)。-1.5kPa之一真空「小於」-3.0kPa之一真空。)在具有一減少真空135之情況下，在晶片170進入開口122時之其垂直速度Vv可自上述28m/s減少至約19m/s。在具有此減少速度Vv之情況下，自開口122至上部表面340之行程持續時間更長，從而容許在晶片170沿著路徑310、315行進時來自空氣葉片150之空氣流具有更多 時間來影響晶片170之水平軌跡。在一實例性實施例中，晶片沿著路徑310之水平行進之此增加導致晶片170朝向隧道130距空腔325之前壁380更遠地且以與頂網眼128成一更大入射角撞擊頂網眼128之邊緣，如圖3C中所繪示。此對應地引起晶片170亦以一更大入射角更接近隧道130撞擊之下部表面330，藉此進一步減少經由中值路徑318朝向開口122跳彈之晶片170之數目。
發明者亦已發現，空腔325內之紊流減少空氣流145使晶片170之路徑310、315朝向隧道130偏移之能力之有效性。為減少此紊流，空氣葉片150可經定向以平行於空腔325之下部表面(亦如圖3C中所繪示)，而非經定向以指向至隧道130(如圖2之實例性SC或如其他圖式(諸如圖3B)中所展示)。
在晶片進入至開口122時可藉由最小化由透過開口122向上吸入空氣之真空135所引起之晶片170上之向上氣流來進一步減少空腔325內之紊流以及該等晶片之垂直速度Vv。在一實例性實施例中，空腔325之壁之一或多者容許空氣經吸入至空腔325中，從而減少經由開口122吸入至空腔325中之空氣。在一些實施例中，如圖4中所繪示，前壁380及各側壁410之至少一部分及空腔(圖3D之325)之上部表面340及下部表面330分別包含一網眼結構485、415、445、435，該等網眼結構容許空氣自由地進入空腔325。該網眼可係任何圖案(諸如正方形、矩形、菱形、圓形、蜂巢狀等等)，其經充足設定大小以防止晶片170逃脫空腔325(除經由隧道130之外)。
隨著充足自由空氣流進入至空腔325中，在晶片170進入開口122時之其垂直速度Vv近似等於由爆炸性雷射掀離程序所誘發之速度，其可係約12m/s，大大低於與圖2之SC相關聯之上述28m/s。歸因於網眼狀壁設計485、415、445及435之垂直速度Vv之此顯著減少連同歸因於來自經加寬空氣葉片150之增加之空氣流145之水平速度Vh之 顯著增加，導致晶片170遠離頂網眼128且朝向隧道130轉向。因此，晶片170以與上部表面340成一更大入射角撞擊空腔325之上部表面340，如圖3D中所繪示。
可藉由提供由空氣葉片150所提供之空氣之一更大出口來進一步減少空腔325中之紊流。在一實例性實施例中，隧道130(圖3D)之擴口部分133亦可包括一網眼結構，其容許來自空氣葉片150之空氣之很大一部分自由逃脫。以相似方式，SC之整個經延伸部分330、340可包括一網眼結構。
如圖3D及圖4中所繪示，亦可藉由使空腔325之前壁380傾斜使得最接近開口322之空氣葉片150A比距開口322更遠之空氣葉片150B、150C更接近晶片170之垂直路徑來達成晶片170之水平速度Vh之一增加。
誘發雷射掀離製程之雷射束390聚焦於子基台160之上之晶片170上，且因此網眼128處之雷射束390寬於開口322處之雷射束。藉由使前壁380傾斜，空氣葉片150A、150B、150C可如接近晶片170之路徑310而定位而不干擾雷射390之(錐形)路徑。
以相似方式，如圖4中所繪示，空腔325之前壁380可成錐形以隨著距開口122之距離增加而容許更寬之空氣葉片150C、150B、150A。
圖4中亦繪示可具有如以下表格中所繪示之標稱值之尺寸。可基於此等標稱值或其等之實際值選擇其他尺寸。例如，空氣葉片150之寬度可基於經延伸表面330之寬度We及前表面380之錐度盡而可能的大。
返回至圖3D，在減少晶片170再進入開口322附近之可能之情況下，假若開口322在基板160上方之高度Ht使晶片170能行進超過第一空氣葉片150A，則不再需要圖2之SC之錐形開口122。障壁331之高度可介於晶片170之大小之1倍至3倍之間，以防止可累積於下部表面330上之晶片170落至開口322中。
在晶片170在空腔325中遇到來自第一空氣葉片150A之空氣流時，尤其係沿著路徑310之晶片170之水平速度Vh極強地受晶片170之定向影響。若當晶片170遇到空氣流時，晶片170之一主表面(即，頂表面或底表面(而非邊緣))370經定向在垂直於(如所繪示)第一空氣葉片150A之空氣流之30度內，則其水平速度Vh將受極強影響。若晶片170之主表面370經定向平行於(圖中未繪示)空氣葉片150A之空氣流，則空氣流對晶片之影響大大減少。
儘管可期望當晶片170遇到第一空氣流時其定向係隨機的，然申請者已發現開口322在子基台160之上之高度Ht展現與當晶片遇到第一空氣葉片150A之空氣流時其之定向之一強相關性。在一些實施例中，高度Ht係可調整的，且進行一試誤調整，直至達成一適合水平速度Vh為止，如(例如)藉由觀察大多數晶片170撞擊空腔325之上部表面340及下部表面330之位置(較佳地更接近隧道130)所判定。在一實例性實施例中，在具有由雷射掀離製程所引起之約12m/s之一初始垂直速度之情況下，約6mm +/- 0.5mm之一高度Ht提供一最佳水平速度Vh。
雖然已在圖式及前述描述中詳細繪示及描述本發明，然此等圖解及描述將被認為係繪示性或例示性的且非限制性的，本發明不限於所揭示之實施例。
例如，儘管本文將空腔325繪示為一直線性結構，然熟習此項技術者將認識到可使用其他形狀。例如，位於開口322與隧道130之擴口部分133之間之空腔325之部分可自一矩形形狀轉變至一更圓柱形狀以耦合至一圓柱隧道130。以類似方式，儘管將隧道130繪示為具有小於空腔325之一剖面面積，然其可具有一類似剖面面積或甚至大於空腔325之一剖面面積。類似地，偏轉螢幕128可如圖3B、圖3C中所繪示般經傾斜。
在實踐所主張之本發明時，熟習此項技術者可自圖式、揭示內容及所附申請專利範圍之一研究理解對並實現所揭示之實施例之其他變動。在申請專利範圍中，用語「包括」不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一」不排除複數。某些量測陳述於相互不同之獨立請求項中之不爭事實並不指示不能有利地使用此等量測之一組合。申請專利範圍中之任何元件符號不應被解釋為限制該範疇。
128‧‧‧網眼/頂網眼/閘/偏轉螢幕
150A‧‧‧空氣葉片/第一空氣葉片
150B‧‧‧空氣葉片
150C‧‧‧空氣葉片
322‧‧‧開口
330‧‧‧經延伸下部表面/下部表面/表面/經延伸部分/經延伸表面
340‧‧‧上部表面/經延伸部分
380‧‧‧前壁/前表面
410‧‧‧/側壁
415‧‧‧網眼結構/網眼狀壁設計
435‧‧‧網眼結構/網眼狀壁設計
445‧‧‧網眼結構/網眼狀壁設計
485‧‧‧網眼結構/網眼狀壁設計
Hb‧‧‧空氣葉片孔口之高度
Hc‧‧‧空腔之高度
Le‧‧‧經延伸表面之長度
Lm‧‧‧網眼之長度
Lo‧‧‧開口之長度
We‧‧‧經延伸表面之寬度
Wm‧‧‧網眼之寬度
Wo‧‧‧開口之寬度

Claims (15)

  1. 一種收集器系統，其包括：一空腔，其接收經由雷射掀離製程自一子基台釋放之晶片；一隧道，其將一真空提供至該空腔且自該空腔移除該等晶片；及複數個空氣推送裝置，其將壓力下空氣提供至該空腔以朝向該隧道推送該等晶片；其中該空腔包含與該子基台基本上相齊之一下部表面，且包含透過其接收該等晶片之一開口；且該下部表面具有介於該空腔之一前壁與該隧道之間之一長度，該長度比該開口之一長度大至少五倍。
  2. 如請求項1之收集器系統，其中該空腔包含：一上部表面，其包含在該開口正上方之一傾斜段。
  3. 如請求項1之收集器系統，其中該空腔包含空氣透過其流入至該隧道中之至少一個壁。
  4. 如請求項3之收集器系統，其中空氣自該空腔之各壁流入至該隧道中。
  5. 如請求項1之收集器系統，其中該真空之一量值小於-3.0kPa。
  6. 如請求項5之收集器系統，其中該真空之該量值小於-1.5kPa。
  7. 如請求項1之收集器系統，其中自該子基台至該空腔中之該開口之一高度經選擇，使得該等晶片之大多數經定向以使一主表面在垂直於來自最接近該開口之該空氣推送裝置之壓力下空氣之30度內。
  8. 如請求項7之收集器系統，其中該高度介於5.5mm與6.5mm之間。
  9. 如請求項1之收集器系統，其中各空氣推送裝置與垂直於該子基台延伸之一線之間之一距離隨著該子基台上方之一高度之增加而增加。
  10. 如請求項1之收集器系統，其中該空腔之該前壁係傾斜的，使得該前壁與垂直於該子基台延伸之一線之間之一距離隨著該子基台上方之一高度之增加而增加。
  11. 如請求項1之收集器系統，其中來自該複數個空氣推送裝置之壓力下空氣係至少0.3MPa。
  12. 如請求項1之收集器系統，其中來自該複數個空氣推送裝置之該壓力下空氣係至少0.4MPa。
  13. 如請求項1之收集器系統，其中該複數個空氣推送裝置在基本上平行於該子基台之一方向上提供該壓力下空氣。
  14. 如請求項1之收集器系統，其中該隧道經由一擴口部分耦合至該空腔，且該擴口部分之至少一段允許來自該等空氣推送裝置之空氣離開該收集器系統。
  15. 如請求項1之收集器系統，其中該真空經維持處於用以確保到達該隧道處之晶片繼續穿過該隧道行進至一收集儲存庫所必要之一最小位準。
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