JPH08141529A

JPH08141529A - パーティクル除去方法及びその装置

Info

Publication number: JPH08141529A
Application number: JP30809094A
Authority: JP
Inventors: Takenobu Matsuo; 剛伸松尾; Takeshi Wakabayashi; 剛若林; Eiji Yamaguchi; 永司山口
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1994-11-17
Filing date: 1994-11-17
Publication date: 1996-06-04

Abstract

(57)【要約】【目的】被処理体表面上のパーティクルを吸引除去す
ることができるパーティクル処理装置を提供することに
ある。【構成】保持台４上に被処理体Ｗを保持させて、この
表面に吸引ノズル３２を接近させる。そして、吸引手段
６を駆動させることにより吸引ノズルから被処理体表面
近傍の気体を吸い込み、この時、表面に付着しているパ
ーティクルＰも巻き込んでこれを除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ表面等か
らパーティクルを除去するパーティクル除去方法及びそ
の装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスやＬＣＤの製造
工程においては、エッチング工程や成膜工程等にて微細
加工を施すことから、ウエハ基板表面やＬＣＤ基板表面
にミクロンオーダの微細な粒子が付着していると、これ
が製品チップや製品ＬＣＤ基板の不良の原因となる。そ
のため、次の製造工程に移行する前に、前段の製造工程
や搬送工程にて基板の表面或いは裏面に付着したパーテ
ィクルを除去するために洗浄処理が施されるのが一般的
である。

【０００３】この洗浄工程においては、例えば半導体ウ
エハを例にとると一定の枚数、例えば２５枚を単位とし
てこれらを一度に、例えばＨＣｌ、フッ酸或いはアンモ
ニア水等よりなる洗浄液中に浸漬し、金属或いはその他
の成分よりなるパーティクルを洗い流したり或いは科学
的に分解除去するようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の洗浄方法によれば一応ある程度以上のパーティクル
は除去できたが、それでも基板表面に付着したパーティ
クルを完全に除去することはできず、歩留まり低下の原
因となっていた。特に、高微細化及び高集積化の要求が
更に高まった今日において線幅は一層小さくなってサプ
ミクロンオーダになり、このような微細な線幅で切られ
たパターン内にパーティクルが入り込むと、このパター
ン内部まで十分に洗浄液が入り込まない場合もあり、パ
ターン内のパーティクルを十分に除去できずに断線や短
絡の原因となるばかりか、特に金属パーティクルの場合
には製品寿命の低下を招来する原因にもなっていた。

【０００５】また、最近にあっては特にＬＣＤ基板は大
面積化の傾向にあるが、半導体ウエハの場合には不良品
が生ずるとその不良品チップのみを除去すればよいが、
ＬＣＤ基板の場合には僅かでもパーティクルが存在する
とその基板全体が不良品となってしまうので歩留まりは
一層低下してしまう。従って、パーティクルを略完全に
除去できる何らかの手段が強く望まれていた。

【０００６】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、被処理体表面上のパーティクルを吸引除去す
ることができるパーティクル除去方法及びその装置を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、被処理体の表面に付着したパーティク
ルを除去するパーティクル除去装置において、前記被処
理体を保持する保持台と、この保持台の上方に位置する
吸引ノズルを有する吸引手段とを備え、前記保持台と前
記吸引ノズルを相対移動させつつ前記被処理体の表面に
付着したパーティクルを除去するように構成したもので
ある。

【０００８】

【作用】本発明は、以上のように構成したので、吸引ノ
ズルを保持台に固定した被処理体の表面に接近させて吸
引手段を作動させることにより、ノズル先端からは勢い
良く気体が吸い込まれ、この気体の流れによって被処理
体表面のパーティクルが吸引除去されることになる。こ
の場合、例えば保持台を３軸ステージに設けてノズルと
被処理体とを相対移動させることによって表面全体のパ
ーティクルを吸引除去することができる。

【０００９】この吸引手段は例えばアスピレータを用い
ることができ、また、保持台と吸引ノズルを吸排気可能
なチャンバ内またはミニクリーンブース内に設けて、こ
の中を清浄気体で満たした状態で吸引除去することによ
り、処理後に被処理体表面に再度パーティクルが付着す
ることも防止することができる。

【００１０】更には、被処理体の表面のパーティクルの
位置を、表面検査手段を用いてその位置を座標データと
して求めておき、この座標データに基づいて３軸ステー
ジの移動を制御すれば、パーティクルが位置する座標部
分のみをノズルが選択的に吸引すればそのパーティクル
を除去でき、操作効率を大幅に向上させることが可能と
なる。また更には、吸引ノズルをニードル状の構造とせ
ずに、細長いスリット状の吸引口を有するように形成
し、これを被処理体の表面に沿って相対的にスキャンさ
せることにより一度に広範囲の被処理体表面からパーテ
ィクルを吸引除去でき、パーティクル除去効率を向上さ
せることができる。

【００１１】

【実施例】以下に、本発明に係るパーティクル除去方法
及びその装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。図１は本発明に係るパーティクル除去装置を示す部
分破断斜視図、図２は表面検査手段と接続された図１に
示す装置を示す断面図、図３はパーティクルの吸引状態
を示す図である。

【００１２】図示するようにこのパーティクル除去装置
２は、被処理体としての例えば半導体ウエハＷを保持す
るための保持台４と、この保持台４の上方に位置される
吸引手段、例えばアスピレータ６とにより主に構成され
る。具体的には、上記保持台４とアスピレータ４６は、
例えばステンレス等により成形された箱状のチャンバ８
内に収容されており、その底部には真空ポンプ１０が介
設された排気管１２が接続されて、チャンバ８内を真空
引き可能にしている。尚、真空チャンバ８に替えて、清
浄度が保たれたミニクリーンブースを用いてもよい。

【００１３】上記保持台４の載置面には、ウエハ固定手
段として例えば静電チャック１４が設けられており（図
３参照）、ここにクーロン力によりウエハＷを吸着保持
し得るようになっている。また、この保持台４は、水平
面内において直交するＸ方向及びＹ方向と、この水平面
に直交するＺ方向（高さ方向）へ移動可能になされた３
軸ステージ１６上に設けられており、例えばコンピュー
タ等よりなる制御部１８からの指令によりその動作が制
御される。更にこのステージ１６は、Ｚ軸の回りである
θ回転可能になされている。

【００１４】一方、上記アスピレータ６は、例えば直方
体状に成形されたアルミニウムブロックに直線状通路２
０とこの通路２０に略直角に交わって連通されるノズル
用通路２２を切削して貫くことにより形成したアスピレ
ータ本体２５を有しており、各通路２０、２２の内径
は、それぞれ数ｍｍ程度に設定している。また、アスピ
レータ本体全体には例えば電界研磨処理が施されて通路
２０、２２の内壁が鏡面仕上げされており、動作時にパ
ーティクルを発生しないようになっている。本実施例に
おいては、吸引ノズル３２の下端にて音速以上の吸引速
度を得るために例えば主気体導入通路２４の内径Ｌ１は
２ｍｍ程度に設定されて３００ＣＣ／分程度の気体を流
し、また、気体排出通路２６の内径は２．０ｍｍ程度或
いはそれ以下の大きさに設定される。

【００１５】上記アスピレータ本体２５の直線状通路２
０の一端入口には、チャンバ８の側壁を貫通して設けた
主気体導入通路２４が例えば溶接等により接続されてい
る。また、上記直線状通路２０の他端出口には、チャン
バ８の反対側の側壁を貫通して設けられた気体排出通路
２６が例えば溶接等により接続される。そして、各通路
２４、２６には、それぞれ第１及び第２流量制御弁とし
て第１マスフローコントローラ２８及び第２マスフロー
コントローラ３０が介設されている。

【００１６】また、上記アスピレータ本体２５のノズル
用通路２２の下端入口には例えば内径１ｍｍ程度或いは
それ以下に設定された例えばステンレス製の吸引ノズル
３２が溶接等により接続されており、従って上記直線状
通路２０に流速の速い気体を流すことによりその吸引作
用により吸引ノズル３２の先端から、例えば前述のよう
に音速程度の速さで勢い良く気体を吸い込むことができ
る。上記主気体導入通路２４の一端には、清浄気体、例
えば清浄空気（ドライエアー）、Ｎ₂ ガス等、不活性ガ
スの充填されたガス源３４が接続されており、例えば２
ｋｇ／ｃｍ² 程度、或いはそれ以上の圧力で気体を流す
ようになっている。

【００１７】また、上記主気体導入通路２４の途中には
これより分岐させた分岐通路３６が形成されており、こ
の分岐通路３６は途中に第３マスフローコントローラ３
８を介してその先端が上記チャンバ８内へ導入されてお
り、必要に応じてチャンバ８内に気体を導入し得るよう
になっている。図中４０は、半導体ウエハＷの搬入・搬
出時に開閉されるゲートバルブである。

【００１８】本実施例においては、３軸ステージ１６の
動作制御は、制御部１８からの指令により行われるが、
例えば効率的な除去操作を行うためにパーティクルの付
着している部分のみの吸引を行う。このためにこの装置
には、ウエハ上のパーティクルを検出してその座標デー
タを得るための表面検査手段４２が並設されている。

【００１９】この表面検査手段４２は、ウエハ表面にレ
ーザ光を照射した時の散乱光によりパーティクルの位置
を特定するようになっており、具体的には、レーザ発振
器４４からのレーザ光ＬＡをスキャンミラー４６にて反
射させて、反射レーザ光を内側が楕円形に成形された楕
円ミラー４８のスリット５０に通過させてウエハＷ表面
にスキャン照射するようになっている。スキャンさせた
時のウエハ表面からの散乱光はスキャン方向に沿って配
置された光ファイバ受光面アレー５２によって検出し得
るようになっており、これを束ねた光ファイバ束５４は
表面検査用制御部５６へ接続されて、検出光に応じてパ
ーティクルの存否及びその座標を特定できるようになっ
ている。尚、図中５８はウエハのエッジを検出するエッ
ジ検出器である。

【００２０】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、パーティクルの吸引除去
に先立ってウエハＷの表面に付着しているパーティクル
の位置を表面検査手段４２において座標データとして求
める。すなわち表面検査手段４２内に処理対象となる半
導体ウエハＷをセットし、これにレーザ発振器４４から
放射されたレーザ光ＬＡをスキャン照射し、この時の散
乱光を光ファイバ受光面アレー５２によって検知する。

【００２１】この時の受光信号は光ファイバ束５４を介
して表面検査用制御部５６へ導入され、ここで電気信号
に変換された後、所定の処理が行われてウエハ表面上に
付着するパーティクルが座標データとして求められる。
ここで得られた座標データは、通信回線を介して或いは
プロッピ等に吸い上げられて、パーティクル除去装置２
の制御部１８内にデータとして入力される。

【００２２】次に、パーティクル除去操作へ移行する
が、まず、チャンバ８内の浮遊しているパーティクルを
除去するために真空ポンプ１０によりチャンバ８内を所
定の真空度まで真空引きしてパーティクルリッチの内部
雰囲気を排除する。

【００２３】次に、分岐通路３６に介設した第３マスフ
ローコントローラ３８を開いてチャンバ８内を不活性ガ
ス、例えば窒素ガスで常圧程度になるように満たす。
尚、チャンバ８に替えてミニクリーンブースを用いた場
合には、このブース内を所定の清浄度に保持しておく。

【００２４】次に、先にパーティクルの座標データを求
めたウエハＷをゲートバルブ４０を介して保持台４上に
載置保持し、３軸ステージ１６を駆動することによりウ
エハＷを移動させて、図３に示すようにこのウエハ表面
と吸引ノズル３２の先端吸入口との間の距離Ｌが１．０
ｍｍ程度になるように設定する。この状態で、主気体導
入通路２４に介設した第１マスフローコントローラ２８
及び気体排気通路２６に介設した第２マスフローコント
ローラ３０を開にしてアスピレータ本体２４の直線状通
路２０に高速で気体を流通させる。するとアスピレータ
６の吸引作用により吸引ノズル３２の先端吸入口からは
例えば音速に近い速度で周囲の気体が吸い込まれ、この
ノズル直下に位置するウエハ表面上のパーティクルＰが
吸い込み気体に巻き上げられて排除されることになる。
尚、吸引操作中にはチャンバ８内の圧力が低下しないよ
うに第３マスフローコントローラ３８により僅かな気体
をチャンバ８内に導入することが好ましい。

【００２５】吸引操作中においては、例えばノズル先端
のウエハ表面間の距離Ｌが約１．０ｍｍ程度でパーティ
クルを吸い上げるに十分な音速程度の気体吸い込み速度
が出ており、その時の第１マスフローコントローラ２８
の流量が約３００ＣＣ／分、第２マスフローコントロー
ラ３０の流量が約４００ＣＣ／分であったとすると、制
御部１８はこの流量を維持するようにノズル先端とウエ
ハ表面間の距離Ｌを制御する。例えば第２マスフローコ
ントローラ３０の流量が約３５０ＣＣ／分程度に少なく
なった場合には、これは距離Ｌが小さくなり過ぎている
ことを意味しているのでウエハＷを僅かに下げるように
し、また逆に流量が約５００ＣＣ／分程度に多くなった
場合には、距離Ｌが大きくなり過ぎたことを意味してい
るので、ウエハＷを僅かに上げるようにする。尚、この
場合、距離センサをアスピレータ本体６と保持台４のい
ずれかに設けておき、上記距離Ｌが所定の値となるよう
に制御するようにしてもよい。

【００２６】距離Ｌが約１ｍｍの時には、ノズル直下の
ウエハ上において直径Ｌ２が約２ｍｍ程の円形エリア内
のパーティクルＰを略吸引排除することができる。従っ
て、表面検査手段４２にて予め求められたパーティクル
の座標データに基づいて３軸ステージ１６を制御するこ
とによってウエハを水平移動させれば、ウエハを全面ス
キャンさせることなくパーティクルが位置するエリアの
みを選択的に吸引することにより、略全てのパーティク
ルを除去することができる。従って、パーティクル除去
操作を効率的に行うことができる。

【００２７】この場合、座標データはμｍオーダの精度
でパーティクルの位置を特定できるが、上述のようにノ
ズルは直径２ｍｍ程度の円内のパーティクルを除去でき
ることから、ノズル位置設定時の位置ズレがある程度生
じても十分にそのズレをカバーでき、パーティクルを略
完全に除去することができる。

【００２８】上記吸引方法は、ウエハ表面を選択的に吸
引することによりパーティクルを除去する場合について
説明したが、これに限定されず、ウエハ表面を全面に亘
って吸引ノズル３２によって相対的にスキャンしてパー
ティクルを除去するようにしてもよい。この場合、上述
のように１回の吸引で例えばウエハ表面上にて直径２ｍ
ｍ程度の円形エリアのパーティクルを除去できることか
ら、吸引ノズル４２を１ｍｍずつ間欠的に相対的にシフ
トさせて表面全体をスキャンさせるようにしてもよい
し、また間欠的ではなく非常に遅い速度でウエハ表面全
面をスキャンさせるようにしてもよい。このようなスキ
ャン操作は、ウエハ上にパターンが形成されていない場
合或いは形成されていてもパターンの凹凸があまり大き
くない場合に有効である。

【００２９】ウエハ上のパターンの凹凸が大きい場合に
は、このパターンの凹凸と吸引ノズル先端との干渉を避
けるために、例えばウエハとノズルとを相対的に１ｍｍ
程スキャンする毎にＺ方向（高さ方向）の位置調整を行
うようにしてもよい。このように、微小量スキャンする
毎に高さ調整を行えば、ノズル先端とウエハとの干渉が
生ずることを略確実に防止することができる。いずれに
しても、ウエハ表面上のパーティクルを十分に吸引排除
できるならば、ウエハ表面とノズル下端との間の距離
Ｌ、スキャンのインターバル等は上記した数値に限定さ
れるものではない。

【００３０】また、吸引手段としては高速流体の巻き込
み作用を利用したアスピレータ６を用いた場合について
説明したが、これに限定されず、例えば吸引ノズル３２
に真空ポンプ等を直接接続してパーティクルを吸引する
ようにしてもよい。尚、上記実施例ではノズル３２と保
持台４を高い清浄度を維持するためにチャンバ８内に収
容した装置を例にとって説明したが、これに限定され
ず、清浄度の高いクリーンルーム内ならば、上記保持台
４やノズルを大気中に剥き出し状態に設置するようにし
てもよい。

【００３１】更に、被処理体としては半導体ウエハに限
定されず、微細加工を必要とするものならばどのような
ものにも適用でき、例えばＬＣＤ基板等にも適用するこ
とができる。また、上記実施例ではノズルを固定し、ウ
エハを３軸ステージにより移動させる構造としたが、こ
れに限定されず、ウエハ側を固定し、ノズル側を３軸方
向に移動させるようにしてもよい。

【００３２】また、上記実施例においては、ニードル状
の吸引ノズルを一個のみ設けた場合について説明した
が、これに限定されず、例えば図４に示す第１の変形例
のようにこの吸引ノズルを複数個、例えば３個設けるよ
うにしてもよい。図示例においては、被処理体として半
導体ウエハに替えて正方形或いは長方形状のＬＣＤ基板
Ｗ１を用いた場合を示しており、このＬＣＤ基板Ｗ１を
３軸ステージ１６上に保持している。

【００３３】上述のようにこの変形例においては、図２
において示されたと同様な構造の吸引ノズル３２を３
つ、ＬＣＤ基板Ｗ１の幅方向に所定の間隔ずつ離間させ
て並設して構成されている。各吸引ノズル３２の上部を
保持するアスピレータ本体２５は、全体として一体的に
形成されており、各吸引ノズル３２が独立して動かない
ようになされている。図示例においては、各主気体導入
通路２４及び気体排出通路２６に連通される各吸引ノズ
ル３２はそれぞれ連通しないように分離されているが、
直方体状のアスピレータ本体２５内を中空構造として各
吸引ノズル３２の上端部を連通させるようにしてもよ
い。

【００３４】このように複数の吸引ノズル３２を並設し
て設けた場合には、これらの吸引ノズル３２をＬＣＤ基
板Ｗ１の幅方向へ僅かずつ移動させつつこれを基板Ｗ１
の長さ方向へ相対的にスキャン移動させることにより基
板全面上のパーティクルを吸引除去できる。特に、複数
個の吸引ノズル３２を設けることにより、効率的にパー
ティクルの吸引除去を行うことができる。

【００３５】また、表面検査手段４２（図２参照）によ
りパーティクルの座標データを求めて必要箇所を選択的
に吸引する場合には、その座標データに最も近い所に位
置する吸引ノズル３２によりパーティクルを吸引除去す
るように３軸ステージ１６を移動させれば、その相対移
動距離は最小で済み、パーティクルの吸引除去効率を一
層向上させることができる。

【００３６】また、上記各実施例においては吸引ノズル
３２はニードル状の構造となっているが、これに限定さ
れず、図５乃至図７に示す第２の変形例のように吸引ノ
ズルに細長いスリット状の吸引口を形成するようにして
もよい。図５は本発明の第２の変形例を示す斜視図、図
６は図５に示す装置のアスピレータ本体を示す斜視図、
図７は図６に示すアスピレータ本体の断面図である。

【００３７】すなわちこの実施例においてはアスピレー
タ６のアスピレータ本体２５は、ＬＣＤ基板Ｗ１の幅方
向に沿った比較的長い略直方体状の吸引ヘッダ６０とし
て構成されており、内部が一部中空に形成されている。
この吸引ヘッダ６０の下部である吸引ノズル３２は、下
方に向けてテーパ状に成形されており、この下端には、
幅Ｌ１が例えば１ｍｍ程度の細長い吸引口６２がアスピ
レータ本体２５の長さ方向に沿って形成されている。上
記吸引ヘッダ６０は、図７にも示すように内部がアスピ
レータ構造になされており、その下端部が上記細長い吸
引口６２として構成されている。

【００３８】そして、この細長い吸引口６２がＬＣＤ基
板Ｗ１の表面と僅かな間隙を隔てて対向するようにアス
ピレータ本体２５を設置する。このアスピレータ本体２
５には、例えばステンレス管よりなる１本の主気体導入
通路２４及び気体排出通路２６が連結されており、前述
と同様にこれらの通路２４、２６を介してアスピレータ
本体２５内に例えば空気や窒素等の不活性ガスの高速気
体を流すことによりアスピレータ効果を発生させて、上
記細長い吸引口６２より例えば音速の速さでＬＣＤ基板
Ｗの表面上の雰囲気を吸引し得るようになっている。

【００３９】このように吸引ノズル３２の吸引口６２を
細長いスリット状に成形した場合には、このアスピレー
タ６をＬＣＤ基板Ｗ１の長さ方向へ数回スキャンさせて
相対移動させるだけでＬＣＤ基板全面のパーティクルを
吸引除去することができ、パーティクルの吸引排除効率
を大幅に向上させることができる。

【００４０】特に、本実施例のように吸引ノズル３２の
吸引口６２を細長いスリット状に成形して効率的にＬＣ
Ｄ基板表面のパーティクルを吸引除去できるようにした
場合には、パーティクルの付着する座標を特定しなくて
も短時間で全面スキャンを行うことができ、従って、先
の実施例にて必要とされた、パーティクルの付着座標を
特定する表面検査手段４２を不要にすることが可能とな
る。

【００４１】上記実施例では、３軸ステージ１６の保持
台４上には、ウエハＷを固定的に設けるようにしたが、
これに対して、このウエハを上下方向に僅かに振動させ
てパーティクルの離脱を容易化するようにしてもよい。

【００４２】図８はこのような３軸ステージの概略構成
図を示しており、３軸ステージ１６上の保持台４の載置
面の下部には、振動付与手段として例えば超音波発振子
７０が載置面の全域或いは一部に埋め込むように設けら
れている。そして、この上に静電チャックを設けて、或
いは設けることなしでウエハＷを載置する。図示例にお
いては静電チャックは省略されている。

【００４３】このような超音波発振子７０は市販のもの
を使用でき、パーティクル除去効率を考慮すると、例え
ば４０ＫＨｚ以上の超音波発振子を用いるのがよい。こ
のように超音波発振子７０によりウエハを上下方向へ超
音波で振動させると、ウエハ表面に付着していたパーテ
ィクルが例えば慣性力により強制的に離脱させられて浮
き上がってしまうことになり、パーティクル除去効率を
大幅に向上させることができる。

【００４４】このような振動付与手段としては、ウエハ
に微小振動を付与できる手段であるならば、超音波振動
子７０の他に例えば圧電現象を利用したピエゾ素子等を
用いることができ、また、このような電気的振動素子の
みならず機械的振動機構を用いることもできる。

【００４５】尚、上記各変形例におけるパーティクル除
去装置は、吸排気が可能なチャンバ内やミニクリーンブ
ース内或いはクリーンルーム内等に設置することができ
る。更には、ＬＣＤ基板を３軸ステージにより移動させ
る構造としたが、ＬＣＤ基板側を固定し、ノズル側を３
軸方向に移動できる構造としてもよい。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のパーティ
クル除去方法及びその装置によれば次のように優れた作
用効果を発揮することができる。吸引手段により被処理
体表面から気体を吸引するようにしたので、被処理体表
面に付着しているパーティクルを吸引除去することがで
きる。従って、パターン溝内等に付着しているパーティ
クルも吸引排除できるので、従来の薬液等による洗浄と
比較して排除効率が高く、配線の短絡、断線等を減少さ
せることができ、歩留まりを大幅に向上させることがで
きる。また、金属汚染物も確実に除去することができる
ことから、製品の寿命も向上させることができる。ま
た、保持台等を吸排気可能なチャンバ内に設けることに
より、周囲に浮遊するパーティクルを排除した状態で除
去操作を行うことができるので、被処理体表面にパーテ
ィクルが再付着することを防止することができる。ま
た、保持台を３軸ステージ上に設けることにより、被処
理体表面に形成されたパターンの凹凸に対応させて高さ
調整を行いつつ吸引操作を行うことができる。更には、
被処理体の表面に付着するパーティクルの座標データに
基づいて被処理体表面上の選択的なエリアのみ吸引する
ことによりパーティクルの除去操作を効率的に行うこと
ができる。また更には、吸引ノズルに細長い吸引口を持
たせてこれを被処理体に対して相対的に走査させつつパ
ーティクルの吸引除去を行うことにより、線ではなく面
で被処理面をカバーすることができ、従って、ニードル
状の吸引ノズルと比較してパーティクル除去操作を効率
的に行うことができる。この場合には特に、パーティク
ルの存在する座標データを必要としないので、表面検査
手段等を併用する必要もない。また、被処理体を保持す
る保持台に振動付与手段を設けて被処理体を微小振動さ
せることにより、パーティクル離脱を容易化でき、パー
ティクル除去効率を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るパーティクル除去装置を示す部分
破断斜視図である。

【図２】表面検査手段と接続された図１に示す装置を示
す断面図である。

【図３】パーティクルの吸引状態を示す図である。

【図４】本発明の第１の変形例を示す斜視図である。

【図５】本発明の第２の変形例を示す斜視図である。

【図６】図５に示す装置のアスピレータ本体を示す斜視
図である。

【図７】図６に示すアスピレータ本体の断面図である。

【図８】保持台に振動付与手段を設けた時の状態を示す
概略構成図である。

【符号の説明】

２パーティクル除去装置４保持台６アスピレータ（吸引手段）８チャンバ１０真空ポンプ１６３軸ステージ１８制御部２０直線状通路２２ノズル用通路２４主気体導入通路２６気体排出通路３２吸引ノズル３６分岐通路４２表面検査手段５６表面検査用制御部６０吸引ヘッダ６２細長い吸引口ＰパーティクルＷ半導体ウエハ（被処理体）Ｗ１ＬＣＤ基板（被処理体）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体の表面に付着したパーティクル
を除去するパーティクル除去装置において、前記被処理
体を保持する保持台と、この保持台の上方に位置する吸
引ノズルを有する吸引手段とを備え、前記保持台と前記
吸引ノズルを相対移動させつつ前記被処理体の表面に付
着したパーティクルを除去するように構成したことを特
徴とするパーティクル除去装置。
【請求項２】前記吸引手段はアスピレータよりなるこ
とを特徴とする請求項１記載のパーティクル除去装置。
【請求項３】前記保持台と前記吸引ノズルは、吸排気
が可能なチャンバ内またはミニクリーンブースに設けら
れることを特徴とする請求項１または２記載のパーティ
クル除去装置。
【請求項４】前記保持台は、水平方向及び垂直方向に
移動可能な３軸ステージ上に設けられることを特徴とす
る請求項１乃至３記載のパーティクル除去装置。
【請求項５】前記３軸ステージの制御部は、前記被処
理体の表面に付着するパーティクルを検出してその位置
を特定する表面検査手段の座標データに基づいて前記３
軸ステージの移動を制御することを特徴とする請求項４
記載のパーティクル除去装置。
【請求項６】前記吸引手段は、複数個並設されている
ことを特徴とする請求項１乃至５記載のパーティクル除
去装置。
【請求項７】前記吸引ノズルは、前記被処理体の幅方
向に沿って形成された細長い吸引口を有することを特徴
とする請求項１乃至５記載のパーティクル除去装置。
【請求項８】前記保持台は、これに保持される前記被
処理体を振動させて被処理体表面に付着した前記パーテ
ィクルを浮き上がらせるための振動付与手段を有するこ
とを特徴とする請求項１乃至７記載のパーティクル除去
装置。
【請求項９】被処理体の表面に付着したパーティクル
を除去するパーティクル除去方法において、前記被処理
体の表面に吸引ノズルの先端を接近させて、前記被処理
体と前記吸引ノズルとを相対移動させつつ前記被処理体
の表面のパーティクルを吸引除去するように構成したこ
とを特徴とするパーティクル除去方法。
【請求項１０】被処理体の表面に付着したパーティク
ルを除去するパーティクル除去方法において、前記被処
理体の表面に付着するパーティクルの位置を予め検出
し、その後、被処理体の表面に吸引ノズルの先端を接近
させ、前記検出結果に基づいて前記被処理体と前記吸引
ノズルとを相対移動させつつ前記被処理体の表面のパー
ティクルを吸引除去するように構成したことを特徴とす
るパーティクル除去方法。
【請求項１１】前記パーティクルの吸引除去を行なう
に際して、前記被処理体に振動を加えて被処理体表面に
付着した前記パーティクルを浮き上がらせるようにした
ことを特徴とする請求項９または１０記載のパーティク
ル除去方法。