KR20200101841A - 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법 - Google Patents
칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200101841A KR20200101841A KR1020200011282A KR20200011282A KR20200101841A KR 20200101841 A KR20200101841 A KR 20200101841A KR 1020200011282 A KR1020200011282 A KR 1020200011282A KR 20200011282 A KR20200011282 A KR 20200011282A KR 20200101841 A KR20200101841 A KR 20200101841A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- workpiece
- chip
- divided
- frame body
- line
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/346—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in combination with welding or cutting covered by groups B23K5/00 - B23K25/00, e.g. in combination with resistance welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/359—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
Abstract
(과제) 소정의 형상의 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조할 때에, 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것에 대응하는 영역에 균열이 발생하는 것을 억제한다.
(해결 수단) 판상의 피가공물을 가공하여, 소정의 형상의 칩과, 피가공물로부터 칩이 분할된 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법으로서, 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스상의 레이저 빔의 집광 영역을 피가공물의 내부에 위치시키도록, 레이저 빔을 피가공물의 표면측으로부터 피가공물의 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써, 각각 세공과 세공을 둘러싸는 변질 영역을 갖는 복수의 실드 터널을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 실드 터널 형성 스텝과, 실드 터널 형성 스텝 후, 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가함으로써, 분할 예정 라인을 따라 형성된 복수의 실드 터널을 파괴하여 피가공물로부터 칩을 분할하는 분할 스텝을 구비하는 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법을 제공한다.
(해결 수단) 판상의 피가공물을 가공하여, 소정의 형상의 칩과, 피가공물로부터 칩이 분할된 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법으로서, 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스상의 레이저 빔의 집광 영역을 피가공물의 내부에 위치시키도록, 레이저 빔을 피가공물의 표면측으로부터 피가공물의 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써, 각각 세공과 세공을 둘러싸는 변질 영역을 갖는 복수의 실드 터널을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 실드 터널 형성 스텝과, 실드 터널 형성 스텝 후, 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가함으로써, 분할 예정 라인을 따라 형성된 복수의 실드 터널을 파괴하여 피가공물로부터 칩을 분할하는 분할 스텝을 구비하는 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법을 제공한다.
Description
본 발명은, 판상의 피가공물을 가공하여, 소정의 형상의 칩과, 피가공물로부터 칩이 분할된 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법에 관한 것이다.
스마트 폰, 태블릿형 PC 등의 모바일 기기에는 카메라가 탑재되어 있고, 카메라의 대물렌즈보다 외측 (즉, 피사체측) 에는 대물렌즈를 보호하기 위해 석영 유리, 사파이어 등으로 형성된 원반상의 커버 유리가 장착되어 있다.
커버 유리는, 예를 들어, 석영 유리제의 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 소정의 패턴을 형성하고, 그 후, 불산 등의 에칭액을 사용하여, 레지스트 재료로 덮여 있지 않은 영역을 에칭에 의해 제거함으로써 제조된다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 그러나, 에칭 처리에는 시간이 걸려, 생산성이 나쁘다는 문제가 있다.
그래서, 석영 유리, 사파이어 등으로 형성된 기판에 레이저 빔을 조사함으로써, 세공과 세공을 둘러싸는 변질 영역을 갖는 실드 터널이라고 불리는 개질 영역을 형성하는 방법이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조). 이 방법에서는, 기판의 분할 예정 라인을 따라 복수의 실드 터널을 형성한 후, 초음파 부여 패드나 초음파 진동자를 사용하여 기판에 초음파를 인가함으로써, 분할 예정 라인을 따라 기판을 분할한다.
특허문헌 2 에 기재된 수법에서는, 초음파의 인가에 의해 실드 터널을 파괴하므로, 화학 반응 프로세스인 에칭 처리에 비해 단시간에 기판을 가공할 수 있다. 그러나, 초음파를 인가할 때에, 초음파 부여 패드를 피가공물의 일면에 접촉시키거나, 또는, 보호 테이프를 개재하여 피가공물 타면에 초음파 진동자를 접촉시키므로, 실드 터널 이외의 영역 (예를 들어, 커버 유리와 같은 소정의 형상의 소편 (즉, 칩) 에 대응하는 영역) 에 균열이 발생하는 경우가 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 피가공물을 가공하여, 소정의 형상의 칩과, 피가공물로부터 그 칩이 분할된 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조할 때에, 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것에 대응하는 영역에 균열이 발생하는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 판상의 피가공물을 가공하여, 소정의 형상의 칩과, 그 피가공물로부터 그 칩이 분할된 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법으로서, 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스상의 레이저 빔의 집광 영역을 피가공물의 내부에 위치시키도록, 레이저 빔을 피가공물의 표면측으로부터 피가공물의 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써, 각각 세공과 세공을 둘러싸는 변질 영역을 갖는 복수의 실드 터널을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 실드 터널 형성 스텝과, 실드 터널 형성 스텝 후, 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가함으로써, 분할 예정 라인을 따라 형성된 복수의 실드 터널을 파괴하여 피가공물로부터 칩을 분할하는 분할 스텝을 구비하는 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법이 제공된다.
바람직하게는, 그 분할 예정 라인은, 그 피가공물의 외주단부에는 도달하지 않도록 그 외주단부보다 내측의 영역에 설정되어 있고, 그 실드 터널 형성 스텝에서는, 그 외주단부보다 내측에 위치하는 그 분할 예정 라인을 따라 그 복수의 실드 터널을 형성한다. 또, 바람직하게는, 그 액체는 물이다.
본 발명의 일 양태에 관련된 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법에서는, 실드 터널 형성 스텝에서 피가공물의 분할 예정 라인을 따라 복수의 실드 터널을 형성한 후, 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가함으로써, 복수의 실드 터널을 파괴하여 피가공물로부터 칩을 분할한다.
이와 같이, 본 발명의 분할 스텝에서는, 초음파 부여 패드 등을 피가공물에 접촉시키지 않으므로, 소정의 형상의 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것에 대응하는 영역에 균열이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 피가공물에 초음파를 부여함으로써 실드 터널을 파괴하므로, 에칭 처리에 비해 단시간에 피가공물을 가공할 수 있다.
도 1(A) 는, 피가공물의 사시도이고, 도 1(B) 는, 피가공물 유닛의 사시도이다.
도 2 는, 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 3 은, 실드 터널 형성 스텝을 나타내는 사시도이다.
도 4(A) 는, 1 개의 실드 터널의 구조를 나타내는 사시도이고, 도 4(B) 는, 분할 예정 라인을 따라 형성된 복수의 실드 터널을 나타내는 피가공물의 일부의 단면도이다.
도 5(A) 는, 초음파 인가 장치의 일부 단면 측면도이고, 도 5(B) 는, 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가하는 모습을 나타내는 도면이고, 도 5(C) 는, 칩을 픽업하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 6(A) 는, 1 개의 칩의 사시도이고, 도 6(B) 는, 1 개의 프레임체의 사시도이다.
도 7 은, 제 1 실시형태에 관련된 칩 및 프레임체의 제조 방법을 나타내는 플로도이다.
도 8(A) 는, 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가하는 모습을 나타내는 도면이고, 도 8(B) 는, 칩을 픽업하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 2 는, 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 3 은, 실드 터널 형성 스텝을 나타내는 사시도이다.
도 4(A) 는, 1 개의 실드 터널의 구조를 나타내는 사시도이고, 도 4(B) 는, 분할 예정 라인을 따라 형성된 복수의 실드 터널을 나타내는 피가공물의 일부의 단면도이다.
도 5(A) 는, 초음파 인가 장치의 일부 단면 측면도이고, 도 5(B) 는, 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가하는 모습을 나타내는 도면이고, 도 5(C) 는, 칩을 픽업하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 6(A) 는, 1 개의 칩의 사시도이고, 도 6(B) 는, 1 개의 프레임체의 사시도이다.
도 7 은, 제 1 실시형태에 관련된 칩 및 프레임체의 제조 방법을 나타내는 플로도이다.
도 8(A) 는, 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가하는 모습을 나타내는 도면이고, 도 8(B) 는, 칩을 픽업하는 모습을 나타내는 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대해 설명한다. 도 1(A) 는, 피가공물 (11) 의 사시도이다. 피가공물 (11) 은, 표면 (11a) 및 이면 (11b) 이 원형이고, 200 ㎛ 내지 700 ㎛ 정도의 소정의 두께를 갖는 판상 (즉, 원반상) 의 기판이다.
피가공물 (11) 은, 예를 들어, 사파이어, 각종 유리 등으로 형성되어 있다. 또한, 각종 유리는, 예를 들어, 석영 유리, 붕규산 유리, 알루미노실리케이트 유리, 소다 석회 유리, 무알칼리 유리를 포함한다.
도 1(A) 에 파선으로 나타내는 바와 같이, 피가공물 (11) 에는 복수의 분할 예정 라인 (13) 이 설정된다. 분할 예정 라인 (13) 의 각각은, 피가공물 (11) 의 외주단부 (11c) 에는 도달하지 않도록 외주단부 (11c) 보다 내측의 영역에 설정되어 있다.
분할 예정 라인 (13) 의 각각은, 환상이고, 서로 접하지 않도록 떨어져 배치되어 있지만, 서로 접해 있어도 된다. 또한, 분할 예정 라인 (13) 의 형상은, 환상에 한정되지 않는다. 분할 예정 라인 (13) 의 형상은, 삼각형 등의 다각형이나 그 밖의 원하는 형상이어도 된다.
피가공물 (11) 은, 예를 들어, 다이싱 테이프 (15) 를 개재하여 금속제의 환상 프레임 (17) 의 개구부에 고정된 상태 (즉, 피가공물 유닛 (19) 의 상태) 에서 가공된다. 도 1(B) 는, 피가공물 유닛 (19) 의 사시도이다.
다이싱 테이프 (15) 는, 수지제의 필름이다. 다이싱 테이프 (15) 는, 점착성을 갖는 점착층 (도시 생략) 과, 점착성을 갖지 않는 기재층 (도시 생략) 의 적층 구조를 갖는다. 점착층은, 예를 들어, 자외선 경화형의 수지층이며, 수지제의 기재층의 일면 전체에 형성되어 있다. 점착층에 자외선이 조사되면, 점착층의 점착력이 저하되어, 보호 테이프가 피가공물 (11) 로부터 박리되기 쉬워진다.
환상 프레임 (17) 은, 피가공물 (11) 의 직경보다 큰 직경의 개구를 갖는다. 이 개구에 피가공물 (11) 을 배치한 상태에서, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측과, 환상 프레임 (17) 의 일면에 다이싱 테이프 (15) 의 점착층측을 첩부함으로써, 피가공물 유닛 (19) 이 형성된다.
또한, 피가공물 (11) 을 가공하는 경우에, 반드시 피가공물 유닛 (19) 을 형성할 필요는 없다. 요컨대, 다이싱 테이프 (15) 및 환상 프레임 (17) 을 사용하지 않고, 피가공물 (11) 을 가공해도 된다.
본 실시형태에서는, 레이저 가공 장치 (2) 를 사용하여 피가공물 (11) 을 가공한다. 도 2 는, 레이저 가공 장치 (2) 의 사시도이다. 레이저 가공 장치 (2) 는, 각 구조를 지지하는 기대 (4) 를 구비한다. 기대 (4) 는, 직방체상의 기부 (6) 와, 기부 (6) 의 Y 축 방향의 일방 (예를 들어, －Y 방향) 의 단부에서, 상방 (예를 들어, ＋Z 방향) 으로 돌출되어 있는 벽부 (8) 를 포함한다.
기부 (6) 의 상방에는, 척 테이블 (10) 이 배치되어 있다. 척 테이블 (10) 의 외주측면에는, 복수의 클램프 유닛이 고정되어 있다. 예를 들어, 척 테이블 (10) 을 상면에서 본 경우에, 시계의 0 시, 3 시, 6 시 및 9 시의 각 위치에 1 개의 클램프 유닛이 형성된다.
척 테이블 (10) 의 하방 (예를 들어, －Z 방향) 에는, 척 테이블 (10) 을 Y 축 방향으로 이동시키는 Y 축 이동 유닛 (16) 이 형성되어 있다. Y 축 이동 유닛 (16) 은, 기부 (6) 의 상면에 고정되고 Y 축 방향에 평행한 1 쌍의 Y 축 가이드 레일 (18) 을 구비한다.
Y 축 가이드 레일 (18) 에는, Y 축 이동 테이블 (20) 이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Y 축 이동 테이블 (20) 의 이면측 (하면측) 에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는, Y 축 가이드 레일 (18) 과 평행하게 배치된 Y 축 볼 나사 (22) 가 회전 가능한 양태로 결합되어 있다.
Y 축 볼 나사 (22) 의 일단에는, Y 축 펄스 모터 (24) 가 연결되어 있다. Y 축 펄스 모터 (24) 로 Y 축 볼 나사 (22) 를 회전시키면, Y 축 이동 테이블 (20) 은, Y 축 가이드 레일 (18) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다.
Y 축 이동 테이블 (20) 의 표면측 (상면측) 에는, 척 테이블 (10) 을 Y 축 방향과 직교하는 X 축 방향으로 이동시키는 X 축 이동 유닛 (26) 이 형성되어 있다. X 축 이동 유닛 (26) 은, Y 축 이동 테이블 (20) 의 상면에 고정되고 X 축 방향에 평행한 1 쌍의 X 축 가이드 레일 (28) 을 구비한다.
X 축 가이드 레일 (28) 에는, X 축 이동 테이블 (30) 이 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. X 축 이동 테이블 (30) 의 이면측 (하면측) 에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는, X 축 가이드 레일 (28) 과 평행하게 배치된 X 축 볼 나사 (32) 가 회전 가능한 양태로 결합되어 있다.
X 축 볼 나사 (32) 의 일단에는, X 축 펄스 모터 (34) 가 연결되어 있다. X 축 펄스 모터 (34) 로 X 축 볼 나사 (32) 를 회전시키면, X 축 이동 테이블 (30) 은, X 축 가이드 레일 (28) 을 따라 X 축 방향으로 이동한다.
X 축 이동 테이블 (30) 의 표면측 (상면측) 에는, 지지대 (36) 가 형성되어 있다. 지지대 (36) 의 상부에는, 대략 원반상의 척 테이블 (10) 이 배치되어 있다. 척 테이블 (10) 은, 하방에 형성된 회전 구동원 (도시 생략) 과 연결되어 있고, 이 회전 구동원에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다.
척 테이블 (10) 의 표면측에는, 포러스 세라믹스 등으로 형성된 원반상의 포러스판이 형성되어 있다. 포러스판은 척 테이블 (10) 의 내부에 형성된 유로 (도시 생략) 를 통하여 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 흡인원이 발생시키는 부압에 의해, 포러스판의 표면 (즉, 유지면 (10a)) 에는 흡인력이 발생한다.
척 테이블 (10) 의 상방에는, 레이저 빔 조사 유닛 (12) 이 형성되어 있다. 레이저 빔 조사 유닛 (12) 의 일단은, 벽부 (8) 의 상부의 Y 축 방향의 타방 (예를 들어, ＋Y 방향) 의 면에 고정되어 있다.
레이저 빔 조사 유닛 (12) 의 타단에는, 가공 헤드 (12a) 가 형성되어 있다. 가공 헤드 (12a) 로부터는, 펄스상의 레이저 빔이 유지면 (10a) 을 향하여 대략 수직으로 조사된다.
레이저 빔 조사 유닛 (12) 의 X 축 방향의 일방 (－X 방향) 측에는, 촬상 유닛 (12b) 이 형성되어 있다. 촬상 유닛 (12b) 은, 피사체로부터의 반사광이 입사되는 대물렌즈 (도시 생략) 를 갖는다. 피사체로부터의 반사광은, 대물렌즈 등을 통하여 촬상 유닛 (12b) 의 촬상 소자 (도시 생략) 에 유도된다.
다음으로, 도 3, 도 4(A), 도 4(B), 도 5(A), 도 5(B), 도 5(C), 도 6(A), 도 6(B) 및 도 7 을 사용하여, 피가공물 (11) 을 가공하여 소정의 형상의 칩 및 프레임체를 형성하는 칩 및 프레임체의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 7 은, 제 1 실시형태에 관련된 칩 및 프레임체의 제조 방법을 나타내는 플로도이다.
제 1 실시형태에 관련된 칩 및 프레임체의 제조 방법에서는, 먼저, 레이저 가공 장치 (2) 를 사용하여, 피가공물 (11) 에 실드 터널을 형성한다 (실드 터널 형성 스텝 (S10)). 도 3 은, 실드 터널 형성 스텝 (S10) 을 나타내는 사시도이다.
실드 터널 형성 스텝 (S10) 에서는, 먼저, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 이 위를 향하는 양태로, 유지면 (10a) 상에 피가공물 유닛 (19) 을 재치한다. 이 상태에서, 흡인원을 동작시켜 유지면 (10a) 에 부압을 작용시킨다. 또한, 클램프 유닛으로 환상 프레임 (17) 을 고정시킨다. 이로써, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측은 다이싱 테이프 (15) 를 개재하여 척 테이블 (10) 에 의해 유지된다.
다음으로, 피가공물 (11) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스상의 레이저 빔 (L) 을 가공 헤드 (12a) 로부터 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 에 대해 조사한다. 이 때, 레이저 빔 (L) 의 집광 영역은, 피가공물 (11) 의 내부에 위치된다.
피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측으로부터 조사된 레이저 빔 (L) 의 집광 영역이 피가공물 (11) 의 내부에 위치된 상태에서, Y 축 이동 유닛 (16) 및 X 축 이동 유닛 (26) 을 동작시켜, 척 테이블 (10) 을 Y 축 방향 및 X 축 방향으로 이동시킨다.
이로써, 가공 헤드 (12a) 를 척 테이블 (10) 에 대해 상대적으로 이동시키면서, 레이저 빔 (L) 을 분할 예정 라인 (13) 을 따라 조사한다. 또한, 본 명세서에서는, X-Y 평면 방향에 있어서의 가공 헤드 (12a) 와 척 테이블 (10) 의 상대적인 이동 속도를 가공 속도라고 칭한다.
예를 들어, 가공 조건을 다음과 같이 설정하여, 피가공물 (11) 을 가공한다.
레이저 빔 (L) 의 파장
: 1064 ㎚
펄스 에너지
: 50 μJ
펄스의 반복 주파수
: 1 ㎑
X-Y 평면 방향의 가공 속도
: 20 ㎜/s
패스수
: 3
또한, 펄스 에너지란, 1 펄스당의 에너지를 의미한다. 또, 패스수란, 집광 영역을 피가공물 (11) 의 내부에 위치시킨 상태에서 1 개의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 레이저 빔 (L) 을 조사하는 횟수를 의미한다.
예를 들어, 피가공물 (11) 의 두께가 300 ㎛ 인 경우, 먼저, 이면 (11b) 으로부터의 거리가 100 ㎛ 까지인 제 1 깊이 위치에 집광 영역을 위치시켜, 모든 분할 예정 라인 (13) 을 따라 피가공물 (11) 을 가공한다 (제 1 패스).
이어서, 이면 (11b) 으로부터의 거리가 100 ㎛ 내지 200 ㎛ 까지인 제 2 깊이 위치에 집광 영역을 위치시켜, 모든 분할 예정 라인 (13) 을 따라 피가공물 (11) 을 가공한다 (제 2 패스).
그 후, 이면 (11b) 으로부터의 거리가 200 ㎛ 내지 300 ㎛ (즉, 표면 (11a)) 까지인 제 3 깊이 위치에 집광 영역을 위치시켜, 모든 분할 예정 라인 (13) 을 따라 피가공물 (11) 을 가공한다 (제 3 패스). 이로써, 모든 분할 예정 라인 (13) 을 따르는 복수의 실드 터널이, 이면 (11b) 으로부터 표면 (11a) 에 걸쳐 형성된다. 또한, 패스수는 3 에 한정되지 않는다. 펄스 에너지 등을 적절히 조절한 후, 패스수를 1 또는 2 로 해도 된다.
그런데, X-Y 평면 방향의 가공 속도가 50 ㎜/s 를 초과하면, 분할 예정 라인 (13) 을 따라 실드 터널이 형성되기 어려워진다. 여러 가지 원인을 생각할 수 있는데, 예를 들어, 실드 터널이 분할 예정 라인 (13) 에 대해 사행하는 것처럼 형성되는 경우가 있다. 그러므로, X-Y 평면 방향의 가공 속도는, 50 ㎜/s 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
도 4(A) 는, 1 개의 실드 터널 (11d) 의 구조를 나타내는 사시도이다. 또한, 도 4(A) 에서는, 피가공물 (11) 의 두께 방향 (예를 들어, 표면 (11a) 으로부터 이면 (11b) 을 향하는 방향) 의 일부를 생략하고 있다. 각 실드 터널 (11d) 은, 피가공물 (11) 의 두께 방향을 따라 형성된 세공 (11e) 을 갖는다. 세공 (11e) 은, 직경이 대략 1 ㎛ 인 대략 원기둥상의 가늘고 긴 공간이다.
실드 터널 (11d) 은, 세공 (11e) 의 측면을 둘러싸도록 형성된 변질 영역 (11f) 을 추가로 갖는다. 변질 영역 (11f) 은, 예를 들어, 대략 5 ㎛ 내지 대략 20 ㎛ 의 직경을 갖는 대략 원기둥상의 영역이고, 이 원기둥의 높이 방향에 걸쳐 원기둥의 바닥면인 원의 중심을 통과하도록 상기 서술한 세공 (11e) 이 형성되어 있다.
변질 영역 (11f) 은, 피가공물 (11) 의 일부가 레이저 빔 (L) 으로부터 에너지를 받음으로써, 레이저 빔 (L) 이 조사되어 있지 않은 부분에 비해, 구조, 밀도 등이 변화된 영역이다. 예를 들어, 피가공물 (11) 이 사파이어 등의 단결정 재료로 형성되어 있는 경우, 변질 영역 (11f) 은, 비정질 영역이나 다결정 영역이 된다.
복수의 실드 터널 (11d) 은, 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성된다. 도 4(B) 는, 분할 예정 라인 (13) 을 따라 형성된 복수의 실드 터널 (11d) 을 나타내는 피가공물 (11) 의 일부의 단면도이다.
도 4(B) 에서는, 분할 예정 라인 (13) 을 따라 인접하는 2 개의 실드 터널 (11d) 의 변질 영역 (11f) 의 측부는 접속되어 있지만, 2 개의 변질 영역 (11f) 의 측부는 분할 예정 라인 (13) 을 따라 서로 떨어져 있어도 된다. 또한, 도 4(B) 에서는, 피가공물 (11) 의 두께 방향의 일부를 생략하고 있다.
실드 터널 형성 스텝 (S10) 후, 초음파 인가 장치 (38) 를 사용하여 피가공물 (11) 에 물 (예를 들어, 순수) 등의 액체 (40) 를 통하여 초음파를 인가하여, 실드 터널 (11d) 을 파괴한다 (분할 스텝 (S20)). 도 5(A) 는, 초음파 인가 장치 (38) 의 일부 단면 측면도이다.
초음파 인가 장치 (38) 는, 용기 (42) 를 갖는다. 용기 (42) 에는, 액체 (40) 가 소정의 높이 위치까지 채워져 있다. 용기 (42) 의 내측에는, 용기 (42) 의 높이 방향으로 신축 가능한 복수의 다리부 (44) 가 배치되어 있고, 이 다리부 (44) 의 바닥부는, 용기 (42) 의 내측의 바닥부에 고정되어 있다. 또한, 도 5(A) 에서는, 최대한 신장된 상태의 각 다리부 (44) 가 나타나 있다.
각 다리부 (44) 의 상단에는 링상의 지지부 (46) 가 고정되어 있다. 이 지지부 (46) 의 상면에는, 상기 서술한 피가공물 유닛 (19) 의 환상 프레임 (17) 이 재치된다. 지지부 (46) 의 외주측면에는, 복수의 클램프 유닛 (48) 이 형성되어 있다.
각 클램프 유닛 (48) 은, 지지부 (46) 의 둘레 방향의 상이한 위치에 이산적으로 배치되어 있다. 예를 들어, 지지부 (46) 를 상면에서 본 경우에, 2 개의 클램프 유닛 (48) 이 시계의 0 시 및 6 시의 위치에 형성된다. 또, 예를 들어, 지지부 (46) 를 상면에서 본 경우에, 4 개의 클램프 유닛 (48) 이 시계의 0 시, 3 시, 6 시 및 9 시의 위치에 형성된다.
용기 (42) 의 내측의 바닥부에는, 초음파 발생 유닛 (50) 이 고정되어 있다. 초음파 발생 유닛 (50) 은, 예를 들어, 티탄산지르콘산납 (PZT) 등의 압전 재료를 사용하여 형성된 압전 소자 (도시 생략) 를 갖는다.
압전 소자에 대해 소정의 교류 전압을 인가함으로써, 압전 소자는 진동한다. 이로써, 초음파 발생 유닛 (50) 은, 20 ㎑ 를 초과하는 소정의 주파수 (예를 들어, 20 ㎑ 내지 100 ㎑ 의 주파수) 의 초음파를 발생시킨다.
분할 스텝 (S20) 에서는, 먼저, 도 5(A) 에 나타내는 바와 같이 지지부 (46) 상에 피가공물 유닛 (19) 을 재치한다. 그리고, 환상 프레임 (17) 의 상방을 각 클램프 유닛 (48) 으로 누른다. 이로써, 피가공물 유닛 (19) 은, 클램프 유닛 (48) 과 지지부 (46) 에 의해 고정된다.
그 후, 액체 (40) 의 수위보다 낮고 또한 초음파 발생 유닛 (50) 보다 높은 위치에 피가공물 (11) 을 위치시키도록, 다리부 (44) 를 줄어들게 하여 소정의 길이로 한다. 이로써, 피가공물 유닛 (19) 전체가 액체 (40) 에 침지된다. 다리부 (44) 를 소정의 길이로 유지함으로써, 표면 (11a) (또는 이면 (11b)) 과 초음파 발생 유닛 (50) 의 거리를 일정하게 할 수 있다.
또한, 피가공물 (11) 의 높이 위치를, 초음파가 전해지기 쉬운 소정의 위치로 조정해도 된다. 예를 들어, 액체 (40) 중에 발생하고 있는 초음파의 정상파의 파장을 λ 로 하는 경우에, 초음파 발생 유닛 (50) 의 상단으로부터 {(2n － 1)λ}/4 의 위치 (단, n 은 1 이상의 자연수) 에 피가공물 (11) 을 위치시켜도 된다.
피가공물 (11) 을 적절한 높이 위치에 위치시킨 후, 초음파 발생 유닛 (50) 에 소정의 교류 전압을 인가하여 초음파를 발생시킨다. 초음파는, 액체 (40) 속을 소밀파 (즉, 종파) 의 형태로 전파된다. 도 5(B) 는, 피가공물 (11) 에 액체 (40) 를 통하여 초음파를 인가하는 모습을 나타내는 도면이다.
실드 터널 (11d) 의 변질 영역 (11f) 은, 피가공물 (11) 의 다른 영역에 비해 부서지기 쉽게 되어 있으므로, 초음파의 진동에 의해 파괴된다. 이로써, 초음파 부여 패드를 피가공물 (11) 에 접촉시키는 경우에 비해 분할 예정 라인 (13) 이외의 영역에 균열이 발생하는 것을 억제하면서, 에칭 처리에 비해 단시간에 피가공물 (11) 을 가공할 수 있다.
또한, 피가공물 (11) 과 초음파 발생 유닛 (50) 사이에 액체 (40) 를 형성함으로써, 피가공물 (11) 과 초음파 발생 유닛 (50) 사이에 공기 등의 기체만이 존재하는 경우에 비해, 초음파가 피가공물 (11) 에 전파될 때의 음향 임피던스를 저감시킬 수 있다. 요컨대, 액체 (40) 는, 공기에 비해 초음파의 전파 효율을 향상시키는 음향 정합층으로서 기능한다.
또, 액체 (40) 는, 세공 (11e) 에 들어가므로, 세공 (11e) 내에도 초음파가 전파될 수 있다. 그러므로, 세공 (11e) 에 액체 (40) 가 존재하지 않는 상태 (예를 들어, 피가공물 (11) 이 대기압 환경에 노출된 상태) 에서 피가공물 (11) 에 대해 초음파를 인가하는 경우에 비해, 보다 효율적으로 변질 영역 (11f) 을 파괴할 수 있다.
또, 약품, 약액 등을 사용하지 않고, 물을 액체 (40) 로서 사용함으로써, 에칭 처리에 비해 배수 처리가 용이해진다. 또한, 다리부 (44), 지지부 (46) 및 용기 (42) 에 대해, 내산성 등의 내약품성을 부여하는 처리가 불필요해지는 점도 유리하다.
그런데, 본 실시형태에서는, 각 분할 예정 라인 (13) 이 피가공물 (11) 의 외주단부 (11c) 보다 내측의 영역에 설정되어 있다. 그러므로, 분할 예정 라인 (13) 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 을 종횡으로 횡단하여 외주단부 (11c) 에 도달하는 경우와 같이, 다이싱 테이프 (15) 를 확장 (익스팬드) 시켜도, 피가공물 (11) 을 분할할 수는 없다.
따라서, 각 분할 예정 라인 (13) 이 피가공물 (11) 의 외주단부 (11c) 보다 내측의 영역에 설정되어 있는 경우에, 액체 (40) 를 통하여 피가공물 (11) 에 초음파를 인가하는 것은, 피가공물 (11) 을 분할하는 데에 유용하다.
또한, 본 실시형태에서는, 피가공물 (11) 을 피가공물 유닛 (19) 의 상태에서 가공하였지만, 다이싱 테이프 (15) 및 환상 프레임 (17) 을 사용하지 않고, 피가공물 (11) 을 가공해도 된다. 이 경우에는, 예를 들어, 링상의 지지부 (46) 의 상면에 메시 부재 또는 판상 부재를 형성하고, 이 위에 피가공물 (11) 을 거치한다. 이 상태에서, 피가공물 (11) 에 액체 (40) 를 통하여 초음파를 인가하여, 피가공물 (11) 을 분할한다.
분할 스텝 (S20) 후, 피가공물 (11) 로부터 분할된 복수의 칩 (21) 등을 픽업한다 (픽업 스텝 (S30)). 도 5(C) 는, 칩 (21) 을 픽업하는 모습을 나타내는 도면이다.
픽업 스텝 (S30) 에서는, 다이싱 테이프 (15) 의 점착층의 점착력을 저하시키기 위해, 다이싱 테이프 (15) 에 자외선을 조사하는 자외선 조사 장치 (도시 생략) 를 사용한다. 또, 칩 (21) 을 반송하기 위해, 초음파 인가 장치 (38) 의 상방에 배치되어 있는 반송 장치 (54) 를 사용한다.
반송 장치 (54) 는, 아암부 (54a) 를 갖는다. 이 아암부 (54a) 는, 예를 들어, X 축 (또는 Y 축) 방향 및 Z 축 방향으로 이동 가능하다. 아암부 (54a) 의 하단에는, 원반상의 헤드부 (54b) 의 상면이 고정되어 있다. 헤드부 (54b) 의 하면에는, 복수의 흡착 패드 (54c) 가 형성되어 있다. 각 흡착 패드 (54c) 는, 칩 (21) 의 위치에 대응하는 위치에 배치되어 있다.
각 흡착 패드 (54c) 는, 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속된 유로 (도시 생략) 를 갖고 있다. 이 유로의 일단 (즉, 개구) 은, 흡착 패드 (54c) 의 하방에 노출되어 있다. 흡인원이 발생시키는 부압에 의해, 흡착 패드 (54c) 의 개구에는 흡인력이 발생한다.
픽업 스텝 (S30) 에서는, 먼저, 다리부 (44) 를 신장시켜, 피가공물 유닛 (19) 을 액체 (40) 의 수위보다 상방에 위치시킨다. 그리고, 피가공물 유닛 (19) 의 바닥부와 액체 (40) 의 수위 사이에 자외선 조사 장치를 배치하여, 다이싱 테이프 (15) 에 자외선을 조사한다. 이로써, 점착층의 점착력이 저하된다.
다음으로, 아암부 (54a) 를, X 축 방향으로 이동시켜 피가공물 (11) 의 바로 위에 위치시킨다. 그 후, 아암부 (54a) 를 Z 축 방향으로 이동시켜, 흡착 패드 (54c) 를 칩 (21) 에 접촉시킨 후, 흡인원을 동작시켜, 흡착 패드 (54c) 로 칩 (21) 을 흡착한다.
이어서, 아암부 (54a) 를 Z 축 방향으로 이동시켜 칩 (21) 을 다이싱 테이프 (15) 로부터 벗기고, 그 후, X 축 방향으로 이동시켜, 칩 (21) 을 수용하는 수용 트레이 (도시 생략) 에 각 칩 (21) 을 반송한다. 또한, 각 칩 (21) 이 꺼내어진 후의 피가공물 (11) 의 나머지 부분 (즉, 프레임체 (23)) 을, 다른 반송 장치 (도시 생략) 또는 반송 장치 (54) 에 의해, 다른 수용 트레이 (도시 생략) 에 반송한다.
이와 같이, 피가공물 (11) 은, 각각 원반상의 복수의 칩 (21) 과, 모든 칩 (21) 이 피가공물 (11) 로부터 분할된 프레임체 (23) 로 분리된다. 도 6(A) 는, 1 개의 칩 (21) 의 사시도이다. 칩 (21) 은, 예를 들어, 카메라의 대물렌즈를 보호하는 커버 유리로서 이용된다.
도 6(B) 는, 1 개의 프레임체 (23) 의 사시도이다. 프레임체 (23) 는, 예를 들어, 칩 (21) 에 대응하는 크기의 개구를 갖는 체로서 이용된다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, 1 개의 피가공물 (11) 로부터, 복수의 칩 (21) 과 1 개의 프레임체 (23) 를 제조할 수 있다.
그런데, 본 실시형태에서는 복수의 칩 (21) 과 프레임체 (23) 의 양방이 제조되지만, 본 실시형태의 제조 방법은, 복수의 칩 (21) 과 프레임체 (23) 중 어느 것을 제조하는 방법으로 간주할 수도 있다. 예를 들어, 피가공물 (11) 로부터 칩 (21) 을 제조할 목적으로 피가공물 (11) 을 가공한다면, 본 실시형태의 제조 방법은, 칩 (21) 의 제조 방법으로 간주할 수 있다.
또, 예를 들어, 피가공물 (11) 로부터 프레임체 (23) 를 제조할 목적으로 피가공물 (11) 을 가공한다면, 본 실시형태의 제조 방법은, 프레임체 (23) 의 제조 방법으로 간주할 수 있다. 그러므로, 본 실시형태의 제조 방법은, 칩 (21) 및 프레임체 (23) 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법이기도 하다.
또한, 자외선을 조사하기 위해, 피가공물 유닛 (19) 의 바닥부와 액체 (40) 의 수위 사이에 자외선 조사 장치를 배치하지 않아도 되다. 예를 들어, 다리부 (44) 를 신장시켜, 피가공물 유닛 (19) 을 액체 (40) 의 수위보다 상방에 위치시킨 후, 클램프 유닛 (48) 을 해제하여, 피가공물 유닛 (19) 을 다른 자외선 조사 장치 (도시 생략) 에 반송한다.
그리고, 다른 자외선 조사 장치를 사용하여 다이싱 테이프 (15) 에 자외선을 조사한다. 그 후, 반송 장치 (54) 를 사용하여 각 칩 (21) 을 수용 트레이에 반송하고, 다른 반송 장치 (도시 생략) 또는 반송 장치 (54) 를 사용하여 프레임체 (23) 를 다른 수용 트레이 (도시 생략) 에 반송한다.
다음으로, 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 제 2 실시형태에서는, 다이싱 테이프 (15) 및 환상 프레임 (17) 을 사용하지 않고, 피가공물 (11) 을 가공한다. 먼저, 제 2 실시형태에서 사용하는 초음파 인가 장치 (58) 를 설명한다.
도 8(A) 는, 피가공물 (11) 에 액체 (40) 를 통하여 초음파를 인가하는 모습을 나타내는 도면이다. 초음파 인가 장치 (58) 는, 용기 (62) 를 갖는다. 용기 (62) 의 측부에는, 배액구 (62a) 가 형성되어 있다. 용기 (62) 의 내측의 바닥부에는, 지지 테이블 (64) 이 고정되어 있다.
지지 테이블 (64) 의 상부는, 배액구 (62a) 의 위치보다 높고, 용기 (62) 의 상단 가장자리의 위치보다 낮은 높이 위치에 배치된다. 지지 테이블 (64) 의 상면은 평탄하고, 피가공물 (11) 이 재치되는 지지면 (64a) 으로서 기능한다. 지지면 (64a) 에는 피가공물 (11) 을 지지면 (64a) 에 고정시키는 고정 기구 (도시 생략) 가 형성되어도 된다.
지지 테이블 (64) 상에는, 초음파혼 (60) 이 형성되어 있다. 초음파혼 (60) 은, 예를 들어, X 축 (또는 Y 축) 방향 및 Z 축 방향으로 이동 가능하다. 초음파혼 (60) 의 일단에는 초음파 진동을 발생시키는 발진기 (도시 생략) 가 형성되어 있다. 발진기에서 발생한 초음파는, 초음파혼 (60) 에서 공진하여, 일단과는 반대측에 위치하는 초음파혼 (60) 의 선단부 (60a) 에 전달된다.
초음파혼 (60) 의 근방에는, 물 등의 액체 (40) 를 토출하는 노즐 (70) 이 형성되어 있다. 노즐 (70) 은, 유로 (도시 생략) 를 통하여 액체 공급원 (도시 생략) 에 접속되어 있고, 지지면 (64a) 에 재치된 피가공물 (11) 에 액체 (40) 를 공급한다.
다음으로, 제 2 실시형태에 관련된 칩 (21) 및 프레임체 (23) 의 제조 방법을 설명한다. 먼저, 제 1 실시형태의 실드 터널 형성 스텝 (S10) 과 동일하게 하여, 피가공물 (11) 의 분할 예정 라인 (13) 을 따라 복수의 실드 터널 (11d) 을 형성한다. 실드 터널 형성 스텝 (S10) 후, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 이 위를 향하는 양태로, 지지면 (64a) 상에 피가공물 (11) 을 재치한다.
그 후, 노즐 (70) 로부터 표면 (11a) 을 향하여 액체 (40) 를 공급한다. 액체 (40) 는, 예를 들어, 표면 (11a) 전체를 덮도록 충분한 유량으로 공급된다. 노즐 (70) 로부터 표면 (11a) 에 액체 (40) 를 공급하면서, 초음파혼 (60) 의 선단부 (60a) 를 표면 (11a) 에 근접시킨다. 예를 들어, 선단부 (60a) 와 표면 (11a) 사이가 액체 (40) 로 충전될 정도로, 선단부 (60a) 를 표면 (11a) 에 가깝게 한다. 단, 선단부 (60a) 는 표면 (11a) 에 접촉시키지 않는다. 또한, 선단부 (60a) 를 표면 (11a) 에 가깝게 한 상태에서 액체 (40) 를 공급해도 된다.
그리고, 선단부 (60a) 와 표면 (11a) 사이가 액체 (40) 로 충전된 상태에서, 피가공물 (11) 에 초음파를 인가하면서, 초음파혼 (60) 을 표면 (11a) 전체에 걸쳐 이동시킨다. 이로써, 모든 분할 예정 라인 (13) 에 초음파를 인가하여, 실드 터널 (11d) 을 파괴한다 (분할 스텝 (S20)).
제 2 실시형태에서는, 사용 완료된 액체 (40) 를 배액구 (62a) 로부터 배출하면서 초음파를 인가한다. 그러므로, 노즐 (70) 로부터 용기 (62) 에 공급된 액체 (40) 의 수위는, 피가공물 (11) 및 선단부 (60a) 의 바닥부의 높이 위치를 초과하지 않는다. 따라서, 피가공물 (11) 에는 부력 등이 작용하지 않는다. 따라서, 피가공물 (11) 과 선단부 (60a) 의 거리를 일정하게 할 수 있다.
분할 스텝 (S20) 후, 피가공물 (11) 로부터 분할된 복수의 칩 (21) 및 프레임체 (23) 를 픽업한다 (픽업 스텝 (S30)). 도 8(B) 는, 칩 (21) 을 픽업하는 모습을 나타내는 도면이다. 픽업 스텝 (S30) 에서는, 초음파 인가 장치 (58) 의 상방에 배치되어 있는 반송 장치 (74) 등을 사용한다.
반송 장치 (74) 는, 반송 장치 (54) 와 동일한 구조이다. 아암부 (54a) 는, 아암부 (74a) 에 대응하고, 헤드부 (54b) 는, 헤드부 (74b) 에 대응하고, 흡착 패드 (54c) 는, 흡착 패드 (74c) 에 대응하므로, 중복되는 설명은 생략한다.
픽업 스텝 (S30) 에서는, 아암부 (74a) 를 X 축 방향으로 이동시켜, 피가공물 (11) 의 바로 위에 위치시킨다. 그 후, 아암부 (74a) 를 Z 축 방향으로 이동시켜, 흡착 패드 (74c) 를 칩 (21) 에 접촉시킨 후, 흡인원을 동작시켜, 흡착 패드 (74c) 로 칩 (21) 을 흡착한다.
이어서, 아암부 (74a) 를 Z 축 방향으로 이동시켜 칩 (21) 을 다이싱 테이프 (15) 로부터 벗기고, 그 후, X 축 방향으로 이동시켜, 칩 (21) 을 수용하는 수용 트레이 (도시 생략) 에 각 칩 (21) 을 반송한다. 또한, 프레임체 (23) 를, 다른 반송 장치 (도시 생략) 또는 반송 장치 (74) 에 의해, 다른 수용 트레이 (도시 생략) 에 반송한다. 또한, 본 실시형태의 제조 방법도, 상기 서술한 바와 같이, 칩 (21) 및 프레임체 (23) 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법으로 간주할 수 있다.
그 밖에, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 상기 실시형태에서는, 피가공물 (11) 로부터 20 개의 칩 (21) 과 1 개의 프레임체 (23) 가 제조되지만, 칩 (21) 의 수는 20 개에 한정되지 않는다. 피가공물 (11) 로부터 제조되는 칩 (21) 의 수는, 1 개여도 되고, 2 이상의 임의의 수여도 된다.
2 : 레이저 가공 장치
4 : 기대
6 : 기부
8 : 벽부
10 : 척 테이블
10a : 유지면
11 : 피가공물
11a : 표면
11b : 이면
11c : 외주단부
11d : 실드 터널
11e : 세공
11f : 변질 영역
12 : 레이저 빔 조사 유닛
12a : 가공 헤드
12b : 촬상 유닛
13 : 분할 예정 라인
15 : 다이싱 테이프
16 : Y 축 이동 유닛
17 : 환상 프레임
18 : Y 축 가이드 레일
19 : 피가공물 유닛
20 : Y 축 이동 테이블
21 : 칩
22 : Y 축 볼 나사
23 : 프레임체
24 : Y 축 펄스 모터
26 : X 축 이동 유닛
28 : X 축 가이드 레일
30 : X 축 이동 테이블
32 : X 축 볼 나사
34 : X 축 펄스 모터
36 : 지지대
38 : 초음파 인가 장치
40 : 액체
42 : 용기
44 : 다리부
46 : 지지부
48 : 클램프 유닛
50 : 초음파 발생 유닛
54 : 반송 장치
54a : 아암부
54b : 헤드부
54c : 흡착 패드
58 : 초음파 인가 장치
60 : 초음파혼
60a : 선단부
62 : 용기
62a : 배액구
64 : 지지 테이블
64a : 지지면
70 : 노즐
74 : 반송 장치
74a : 아암부
74b : 헤드부
74c : 흡착 패드
L : 레이저 빔
4 : 기대
6 : 기부
8 : 벽부
10 : 척 테이블
10a : 유지면
11 : 피가공물
11a : 표면
11b : 이면
11c : 외주단부
11d : 실드 터널
11e : 세공
11f : 변질 영역
12 : 레이저 빔 조사 유닛
12a : 가공 헤드
12b : 촬상 유닛
13 : 분할 예정 라인
15 : 다이싱 테이프
16 : Y 축 이동 유닛
17 : 환상 프레임
18 : Y 축 가이드 레일
19 : 피가공물 유닛
20 : Y 축 이동 테이블
21 : 칩
22 : Y 축 볼 나사
23 : 프레임체
24 : Y 축 펄스 모터
26 : X 축 이동 유닛
28 : X 축 가이드 레일
30 : X 축 이동 테이블
32 : X 축 볼 나사
34 : X 축 펄스 모터
36 : 지지대
38 : 초음파 인가 장치
40 : 액체
42 : 용기
44 : 다리부
46 : 지지부
48 : 클램프 유닛
50 : 초음파 발생 유닛
54 : 반송 장치
54a : 아암부
54b : 헤드부
54c : 흡착 패드
58 : 초음파 인가 장치
60 : 초음파혼
60a : 선단부
62 : 용기
62a : 배액구
64 : 지지 테이블
64a : 지지면
70 : 노즐
74 : 반송 장치
74a : 아암부
74b : 헤드부
74c : 흡착 패드
L : 레이저 빔
Claims (3)
- 판상의 피가공물을 가공하여, 소정의 형상의 칩과, 그 피가공물로부터 그 칩이 분할된 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법으로서,
그 피가공물에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스상의 레이저 빔의 집광 영역을 그 피가공물의 내부에 위치시키도록, 그 레이저 빔을 그 피가공물의 표면측으로부터 그 피가공물의 분할 예정 라인을 따라 조사함으로써, 각각 세공과 그 세공을 둘러싸는 변질 영역을 갖는 복수의 실드 터널을 그 분할 예정 라인을 따라 형성하는 실드 터널 형성 스텝과,
그 실드 터널 형성 스텝 후, 그 피가공물에 액체를 통하여 초음파를 인가함으로써, 그 분할 예정 라인을 따라 형성된 그 복수의 실드 터널을 파괴하여 그 피가공물로부터 그 칩을 분할하는 분할 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
그 분할 예정 라인은, 그 피가공물의 외주단부에는 도달하지 않도록 그 외주단부보다 내측의 영역에 설정되어 있고,
그 실드 터널 형성 스텝에서는, 그 외주단부보다 내측에 위치하는 그 분할 예정 라인을 따라 그 복수의 실드 터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
그 액체는 물인 것을 특징으로 하는 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2019-028595 | 2019-02-20 | ||
| JP2019028595A JP7218056B2 (ja) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | チップ及び枠体の少なくともいずれかを製造する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200101841A true KR20200101841A (ko) | 2020-08-28 |
Family
ID=72183491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200011282A KR20200101841A (ko) | 2019-02-20 | 2020-01-30 | 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7218056B2 (ko) |
| KR (1) | KR20200101841A (ko) |
| CN (1) | CN111590222A (ko) |
| TW (1) | TW202031606A (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114571540B (zh) * | 2022-03-08 | 2024-03-19 | 海目星激光科技集团股份有限公司 | 超声波裂片方法 |
| JP2023179101A (ja) * | 2022-06-07 | 2023-12-19 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス板及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012148955A (ja) | 2010-09-30 | 2012-08-09 | Avanstrate Inc | カバーガラスの製造方法及びカバーガラス |
| JP2015226924A (ja) | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5265508A (en) * | 1990-10-31 | 1993-11-30 | General Tire, Inc. | Ultrasonic cutting system for stock material |
| JP2007242787A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| CN101571611B (zh) * | 2009-06-05 | 2011-05-18 | 阮双琛 | 光子晶体光纤的全光纤耦合实现装置及方法 |
| CN108138542B (zh) * | 2016-08-03 | 2020-01-17 | 通用电气(Ge)贝克休斯有限责任公司 | 形成和修复钻地工具的方法 |
| JP6906845B2 (ja) | 2017-06-22 | 2021-07-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| JP6858455B2 (ja) | 2017-07-24 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
-
2019
- 2019-02-20 JP JP2019028595A patent/JP7218056B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-30 KR KR1020200011282A patent/KR20200101841A/ko unknown
- 2020-02-17 TW TW109105012A patent/TW202031606A/zh unknown
- 2020-02-18 CN CN202010098917.5A patent/CN111590222A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012148955A (ja) | 2010-09-30 | 2012-08-09 | Avanstrate Inc | カバーガラスの製造方法及びカバーガラス |
| JP2015226924A (ja) | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111590222A (zh) | 2020-08-28 |
| TW202031606A (zh) | 2020-09-01 |
| JP7218056B2 (ja) | 2023-02-06 |
| JP2020132476A (ja) | 2020-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20200101841A (ko) | 칩 및 프레임체 중 적어도 어느 것을 제조하는 방법 | |
| JP2022079812A (ja) | チャックテーブル及びレーザー加工装置 | |
| KR102588040B1 (ko) | 칩의 제조 방법 | |
| CN110690172A (zh) | 芯片的制造方法 | |
| JP2019218235A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019023151A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP7286238B2 (ja) | 複数のチップを製造する方法 | |
| JP6961297B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019111542A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP6991657B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP6932452B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP7051198B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP6932451B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP6973927B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP6976654B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP6961301B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP6961300B2 (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019022901A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019220583A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019220585A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019220584A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019220582A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019220586A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019024049A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP2019024050A (ja) | チップの製造方法 |