JP2019111542A - レーザ加工装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】レーザ光の一部を遮蔽するマスク部材による該レーザ光の遮蔽に起因する損傷の発生を抑制する。【解決手段】レーザ光を発振するレーザ発振器と、該レーザ発振器から発振されたレーザ光を集光する集光レンズと、該レーザ発振器及び該集光レンズの間に配設され該レーザ発振器から発振されたレーザ光の一部を遮蔽するマスク部材と、を備えるレーザ加工装置であって、該マスク部材は、光を透過する透過部と、該透過部を囲繞し該レーザ光の該一部を反射する反射膜と、を備える。該マスク部材は、該レーザ光の該一部が該反射膜により反射された後に該レーザ発振器に戻るのを防止する戻り防止構造を備えてもよい。【選択図】図4

Description

本発明は、レーザ加工装置に関する。
半導体デバイスを搭載したICチップ等のデバイスチップには、近年、デバイスに使用される配線層間の層間絶縁膜等として、誘電率の低いいわゆるLow−k膜が使用される。層間絶縁膜にLow−k膜を使用すると、配線層間に形成される寄生容量を低減でき、デバイスチップの処理能力等を向上できる。Low−k膜としては、SiOF、SiOB(ボロシリケートガラス)等の無機系の膜やポリイミド系、パラキシリレン系等のポリマー膜である有機系の膜が知られている。
デバイスチップは、半導体でなる円板状のウェーハの表面に各デバイスを区画するように設定された複数の加工予定ラインに沿ってウェーハを分割することにより形成される。ウェーハの分割は、例えば、円環状の切削ブレードで該加工予定ラインに沿ってウェーハを切削することで実施される。しかし、Low−k膜は非常に脆い膜であることから、Low−k膜が形成されたウェーハを切削ブレードにより切削すると、Low−k膜がウェーハから剥離し、剥離がデバイスに達して該デバイスに損傷が生じてしまう。
そこで、パルス発振されたレーザ光を照射して機能層を除去し、該加工予定ラインの両側に該機能層の厚さよりも深い2条の加工溝を形成し、2条の該加工溝に挟まれた領域を切削ブレードにより切削するウェーハの分割方法が提案されている(特許文献1参照)。
しかし、レーザ光により機能層を除去して予め加工溝を形成する場合でも、レーザ光の照射により該機能層がウェーハから剥離してデバイスの品質を低下させる場合があった。これは、加工予定ラインに沿って照射されるレーザ光のエネルギー密度がガウシアン分布となることに起因する。特に、ガウシアン分布となるエネルギー密度の分布の裾野部分が機能層の剥離の原因となる。
そこで、この裾野部分を削ぎ落すようにエネルギー分布を修正するエネルギー分布修正手段と、エネルギー分布が修正されたレーザ光のエネルギー密度を調整するエネルギー密度調整手段と、を備えるレーザ加工装置が提案されている(特許文献2参照)。
特開2006−190779号公報 特開2010−158710号公報
エネルギー分布修正手段は、例えば、マスク部材である。マスク部材は、この裾野部分を遮蔽してレーザ光のエネルギー分布を修正する。そのため、高出力なレーザ発振器を使用した場合に、マスク部材がレーザ光を吸収して焼けてしまい、マスク部材に損傷が生じてしまう。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レーザ光の一部を遮蔽するマスク部材による該レーザ光の遮蔽に起因する損傷の発生を抑制できるレーザ加工装置を提供することである。
本発明の一態様によれば、レーザ光を発振するレーザ発振器と、該レーザ発振器から発振されたレーザ光を集光する集光レンズと、該レーザ発振器及び該集光レンズの間に配設され該レーザ発振器から発振されたレーザ光の一部を遮蔽するマスク部材と、を備え、該マスク部材は、光を透過する透過部と、該透過部を囲繞し該レーザ光の該一部を反射する反射膜と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
なお、本発明の一態様において、該マスク部材は、該レーザ光の該一部が該反射膜により反射された後に該レーザ発振器に戻るのを防止する戻り防止構造を備えてもよい。該戻り防止構造は、該反射膜の該レーザ光を反射する面に形成された凹凸形状であってもよい。また、該戻り防止構造は、該透過部を透過するレーザ光の進行方向に直交する面に対する該反射膜の傾斜であってもよい。
本発明の一態様に係るレーザ加工装置は、レーザ発振器から発振されたレーザ光の一部を遮蔽するマスク部材を備え、該マスク部材は、光を透過する透過部と、該透過部を囲繞し該レーザ光の該一部を反射する反射膜と、を備える。該マスク部材はレーザ光の一部を該反射膜で反射することで該レーザ光の該一部を遮蔽する。マスク部材は、遮蔽されるレーザ光の該一部を吸収しないため、マスク部材に損傷が生じない。
したがって、本発明により、レーザ光の一部を遮蔽するマスク部材による該レーザ光の遮蔽に起因する損傷の発生を抑制できるレーザ加工装置が提供される。
レーザ加工装置を模式的に示す斜視図である。 レーザ加工ユニットの構成を模式的に示す側面図である。 レーザ加工ユニットによる被加工物のレーザ加工を模式的に示す斜視図である。 図4(A)は、マスク部材の一例を模式的に示す斜視図であり、図4(B)は、マスク部材の他の一例を模式的に示す斜視図である。 図5(A)は、戻り防止構造を備えたマスク部材の一例を模式的に示す断面図であり、図5(B)は、戻り防止構造を備えたマスク部材の他の一例を模式的に示す断面図である。 図6(A)は、戻り防止構造を備えたマスク部材の一例を模式的に示す断面図であり、図6(B)は、戻り防止構造を備えたマスク部材の他の一例を模式的に示す断面図である。
まず、本実施形態に係るレーザ加工装置の被加工物について説明する。図3は、被加工物1のレーザ加工を模式的に示す斜視図である。被加工物1は、例えば、シリコン、SiC(シリコンカーバイド)、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる基板である。被加工物1は、例えば、デバイスが形成された基板が樹脂により封止されたモールド樹脂基板でもよく、半導体ウェーハ及び樹脂の積層基板でもよい。
被加工物1の表面は交差する複数の加工予定ライン(ストリート)3で複数の領域に区画されており、区画された各領域にはIC(Integrated Circuit)等のデバイス5が形成されている。最終的に、被加工物1が加工予定ライン3に沿って分割されることで、個々のデバイスチップが形成される。
デバイス5は、複数層の配線層と、各配線層間を絶縁する層間絶縁膜と、を含む機能層を有する。近年、配線層間に形成される寄生容量を低減するために、層間絶縁膜等に誘電率の低いいわゆるLow−k膜が使用される。層間絶縁膜にLow−k膜を使用すると、寄生容量を低減でき、デバイスチップの処理能力等を向上できる。Low−k膜としては、SiOF、SiOB(ボロシリケートガラス)等の無機系の膜やポリイミド系、パラキシリレン系等のポリマー膜である有機系の膜が知られている。
被加工物1の裏面には、金属製のフレーム9に張られたテープ7が貼着される。被加工物1は、テープ7及びフレーム9と一体となったフレームユニットの状態で該レーザ加工装置に搬入され加工される。
テープ7は、可撓性を有するフィルム状の基材と、該基材の一方の面に形成された糊層(接着剤層)と、を有する。例えば、基材にはPO(ポリオレフィン)が用いられる。POよりも剛性の高いPET(ポリエチレンテレフタラート)、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン等が用いられても良い。また、糊層(接着剤層)には、例えば、シリコーンゴム、アクリル系材料、エポキシ系材料等が用いられる。
次に、本実施形態に係るレーザ加工装置2について、図1を用いて説明する。レーザ加工装置2は、被加工物1を吸引保持するチャックテーブル6と、該チャックテーブル6の上方に配設されたレーザ加工ユニット8と、を備える。レーザ加工装置2は、被加工物1の分割に先立ち、被加工物1の加工予定ライン3に沿ってパルス発振されたレーザ光を被加工物1に照射して、Low−k膜が使用された層間絶縁膜を含む機能層を加工予定ライン3に沿って除去する。
レーザ加工装置2の基台4の上面の前部には、X軸方向に平行な一対のX軸ガイドレール10が設けられており、X軸ガイドレール10にはX軸移動プレート12がスライド可能に取り付けられている。X軸移動プレート12の下面側には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレール10に平行なX軸ボールねじ14が螺合されている。X軸ボールねじ14の一端には、X軸パルスモータ16が連結されている。
X軸移動プレート12の上には、チャックテーブル6を支持する支持台18が配設され、該支持台18上には該チャックテーブル6が配設される。チャックテーブル6は上面側に多孔質部材(不図示)を有する。多孔質部材の上面は、被加工物1を保持する保持面6aとなる。チャックテーブル6は、保持面6aに垂直な軸の周りに回転可能である。
チャックテーブル6は、多孔質部材に接続された吸引源(不図示)を有する。保持面6a上に被加工物1が載せられ、多孔質部材の孔を通して該被加工物1に対して吸引源により生じた負圧を作用させると、被加工物1はチャックテーブル6に吸引保持される。また、チャックテーブル6の周囲には、フレーム9を固定するクランプ6bが備えられている。
X軸パルスモータ16でX軸ボールねじ14を回転させると、X軸移動プレート12はX軸ガイドレール10に沿ってX軸方向に移動する。一対のX軸ガイドレール10と、X軸移動プレート12と、X軸ボールねじ14と、X軸パルスモータ16と、は、チャックテーブル6に保持される被加工物1をX軸方向に加工送りする加工送りユニットとして機能する。すなわち、X軸方向が加工送り方向となる。
レーザ加工装置2の基台4の上面の後部には、X軸方向に垂直なY軸方向に沿った一対のY軸ガイドレール20が設けられている。Y軸ガイドレール20には、支持体22がスライド可能に取り付けられている。支持体22は、Y軸ガイドレール20に取り付けられた基部22aと、該基部22aに立設する壁部22bと、を備える。
支持体22の基部22aの下面側には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Y軸ガイドレール20に平行なY軸ボールねじ24が螺合されている。Y軸ボールねじ24の一端には、Y軸パルスモータ26が連結されている。
Y軸パルスモータ26でY軸ボールねじ24を回転させると、支持体22はY軸ガイドレール20に沿ってY軸方向に移動する。一対のY軸ガイドレール20と、Y軸ボールねじ24と、Y軸パルスモータ26と、は、後述のレーザ加工ユニット8をY軸方向に割り出し送りする割り出し送りユニットとして機能する。すなわち、Y軸方向が割り出し送り方向となる。
支持体22の壁部22bの後面側には、X軸方向及びY軸方向に対して垂直なZ軸方向に沿った一対のZ軸ガイドレール28が配設されている。Z軸ガイドレール28には、ユニットホルダ30がスライド可能に取り付けられている。ユニットホルダ30の壁部22bに相対する面にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Z軸ガイドレール28に平行なZ軸ボールねじ(不図示)が螺合されている。Z軸ボールねじの一端には、Z軸パルスモータ32が連結されている。
Z軸パルスモータ32でZ軸ボールねじを回転させると、ユニットホルダ30はZ軸ガイドレール28に沿ってZ軸方向に移動する。一対のZ軸ガイドレール28と、Z軸ボールねじと、Z軸パルスモータ32と、は、レーザ加工ユニット8をZ軸方向に昇降させる昇降ユニットとして機能する。
ユニットホルダ30には、レーザ加工ユニット8が固定されている。レーザ加工ユニット8は、チャックテーブル6の保持面6a上に保持された被加工物1に対してパルス発振されたレーザ光を照射し、被加工物1を加工する機能を有する。
レーザ加工ユニット8は、チャックテーブル6の上方に位置する加工ヘッド34と、該加工ヘッド34に隣接する撮像ユニット36と、を備える。撮像ユニット36は、チャックテーブル6に保持された被加工物1の表面を撮像でき、加工予定ライン3に沿って被加工物1にレーザ光を照射できるようにアライメントを実施する際に用いられる。
レーザ加工ユニット8の構成について、図2を用いて詳述する。図2は、レーザ加工ユニット8の構成を模式的に示す側面図である。図2に示す通り、レーザ加工ユニット8は、レーザ光40を発振するレーザ発振器38と、ミラー42と、リレーレンズ46と、シリンドリカルレンズ48と、集光レンズ50と、を備える。レーザ加工ユニット8は、レーザ発振器38と、集光レンズ50と、の間のレーザ光40の光路にマスク部材44を備える。
レーザ発振器38は、被加工物1に対して吸収性を有する波長のレーザ光40を発振する機能を有する。例えば、Nd:YAG等を媒体とし発振される波長355nmのレーザ光が用いられる。被加工物1のレーザ加工時には、例えば、パルス幅40ns以下、周波数100kHz、出力20W以下との条件でレーザ光40が発振される。加工時には、被加工物1の加工送り速度700mm/s〜1000mm/s、各加工ラインにおける照射回数3回〜4回との条件で被加工物1に該レーザ光40が照射される。
レーザ発振器38で発振されたレーザ光40は、ミラー42により所定の方向に反射され、リレーレンズ46と、集光レンズ50と、を経て、チャックテーブル6に保持された被加工物1に照射される。リレーレンズ46と、集光レンズ50と、の間に配されたシリンドリカルレンズ48は、例えば、レーザ光40を被加工物1の加工送り方向に直交する方向に長軸を有する楕円形状のレーザ光に変形する機能を有する。
レーザ光40を被加工物1に照射して加工溝を形成し、Low−k膜を含む機能層を除去すると機能層が被加工物1から剥離する場合があり、被加工物1から形成されるデバイスチップの品質を低下させる場合があった。これは、加工予定ライン3に沿って照射されるレーザ光40のエネルギー密度がガウシアン分布となることに起因する。特に、ガウシアン分布となるエネルギー密度の分布の裾野部分が機能層の剥離の原因となる。
マスク部材44は、この裾野部分を削ぎ落すようにエネルギー分布を修正するエネルギー分布修正手段として機能する。図4(A)は、マスク部材44の一例を示す斜視図である。図4(A)に示すマスク部材44aは、ステンレス鋼、セラミックス、石英等の材料で形成された基材52aと、該基材52aを上下に貫く透過部54a(貫通孔)と、を含む。
該透過部54aの形状は、例えば、該シリンドリカルレンズ48により楕円形状に変形されるレーザ光40の長軸に沿った方向に長辺を有する矩形状とされる。マスク部材44aの透過部54aにレーザ光40を透過させると、レーザ光40のエネルギー密度の分布の裾野部分にあたる一部が遮蔽されて、エネルギー密度の分布が修正される。
マスク部材44aの上面には、透過部54aを囲繞する反射膜56aが形成されている。該反射膜56aが形成されていない場合、レーザ光40の出力が高くなると、マスク部材44aの基材52aがレーザ光40の該一部を吸収して基材52aに損傷が生じる場合がある。
これに対して、本発明の一態様に係るレーザ加工装置2は、マスク部材44aの上面に反射膜56aを備え、レーザ光40の該一部を反射膜56aで反射するため、レーザ光40の該一部は基材52aに到達せず、基材52aに損傷が生じない。ただし、反射膜56aにより反射されたレーザ光40の該一部が逆進してレーザ発振器38に到達すると、レーザ発振器38に損傷を生じさせたりレーザ発振器38の動作を不安定化させたりすることがある。
そこで、本実施形態に係るレーザ加工装置2において、マスク部材44aは、レーザ光40の該一部が反射膜56aにより反射された後にレーザ発振器38に戻るのを防止する戻り防止構造を備えるのが好ましい。以下、戻り防止構造について説明する。
図5(A)は、戻り防止構造を備えたマスク部材44cの一例を示す断面図である。マスク部材44cでは、反射膜56cのレーザ光40の一部を反射する面に凹凸形状が形成されている。反射膜56cは、例えば、上面に凹凸形状を有する基材52cの上面に金属等を蒸着することで形成される。レーザ発振器38により発振されマスク部材44cに到達するレーザ光40aの一部は反射膜56cにより反射されるが、反射膜56cの上面が凹凸形状であるため、反射されたレーザ光40bは散乱する。
したがって、反射されたレーザ光40bがレーザ発振器38に戻りレーザ発振器38に損傷を生じさせることもなく、レーザ発振器38の動作を不安定化させることもない。すなわち、反射膜46cの上面の凹凸形状は、戻り防止構造として機能する。そして、透過部54cを透過しエネルギー分布が修正されたレーザ光40aが被加工物1に照射される。
マスク部材の他の例について、図5(B)を用いて説明する。図5(B)は、戻り防止構造を備えたマスク部材の他の一例を模式的に示す断面図である。図5(B)に示されたマスク部材44dでは、透過部54dを透過するレーザ光40aの進行方向に直交する面に対して反射膜56dが傾斜する。例えば、反射膜56dは、透過部54dの一方側と、該透過部54dの他方側と、が互いに逆方向に傾斜する。
そのため、レーザ発振器38により発振されマスク部材44dに到達するレーザ光40aの一部は、該レーザ光40aの進行方向以外の方向に反射される。したがって、反射膜56dにより反射されたレーザ光40bがレーザ発振器38に戻り、該レーザ発振器38に悪影響を与える恐れはない。すなわち、マスク部材44dでは、反射膜56dの傾斜が戻り防止構造として機能する。
なお、マスク部材44dを使用すると、反射されたレーザ光40bは特定の方向に進行するため、該レーザ光40bの進行方向のレーザ加工ユニット8の内部に該レーザ光40bを吸収又は散乱する部材を設けても良い。
さらに、マスク部材の他の例について、図6(A)を用いて説明する。図6(A)は、戻り防止構造を備えたマスク部材の一例を模式的に示す断面図である。図6(A)に示されたマスク部材44eには、透過部54eとして基材52eの厚さ方向から傾いた方向に沿った貫通孔が設けられている。マスク部材44eは、レーザ光40aの進行方向に該貫通孔の貫通方向が合うように向きが調整されてレーザ加工ユニット8の内部に配設される。
したがって、マスク部材44eにおいても透過部54eを透過するレーザ光40aの進行方向に直交する面に対して反射膜56eが傾斜する。この傾斜が戻り防止構造として機能する。この場合、反射膜56eにより反射されたレーザ光40bは一方向に進行するため、反射されたレーザ光40bの進行方向に該レーザ光40bを吸収又は散乱するために設けられる部材は一つで良い。
また、マスク部材のさらに他の例について、図6(B)を用いて説明する。図6(B)は、戻り防止構造を備えたマスク部材の他の一例を模式的に示す断面図である。図6(B)に示されたマスク部材44fの基材52fは、レーザ光40aの波長の光を透過する部材で形成される。
該基材52fの上に形成される反射膜56fには開口が形成されており、マスク部材44fにレーザ光40aを進行させると、レーザ光40aの一部が反射膜56fにより反射され、レーザ光40aの該一部以外が該開口を進み基材52fを透過する。したがって、該開口がマスク部材44fの透過部54fを規定する。
マスク部材44fでは、レーザ光40aの進行方向に直交する面に対する反射膜56fの傾斜の角度を任意の角度にできる。そのため、該角度を変更することで、レーザ光40aの進行方向に直交する方向における透過部54fの幅を変更でき、レーザ光40aのエネルギー密度の分布に応じて該幅を設定できる。
以上に説明した通り、本実施形態に係るレーザ加工装置2では、レーザ発振器38から発振されたレーザ光40の一部がマスク部材44の反射膜により反射される。マスク部材44は、遮蔽されるレーザ光40の該一部を吸収しないため、マスク部材44に損傷が生じない。したがって、レーザ光40の一部を遮蔽するマスク部材44によるレーザ光40の遮蔽に起因する損傷の発生を抑制できるレーザ加工装置2が提供される。
また、マスク部材44が戻り防止構造を備える場合、マスク部材44の反射膜により反射されたレーザ光はレーザ発振器38に戻らない。そのため、レーザ発振器38の損傷の発生や動作の不安定化が抑制される。
反射膜が配設されたマスク部材44を備えるレーザ加工ユニット8による被加工物1のレーザ加工について説明する。まず、テープ7を介して被加工物1をチャックテーブル6の保持面6a上に搬入し、クランプ6bにフレーム9を把持させ、被加工物1に負圧を作用させ、チャックテーブル6に被加工物1を保持させる。
次に、撮像ユニット36ユニットにより被加工物1の表面を撮像し、加工予定ライン3に沿って被加工物1をレーザ加工できるように、加工送りユニットと、割り出し送りユニットと、を制御して被加工物1及び加工ヘッド34を所定の位置に位置付ける。図3は、被加工物1をレーザ加工する様子を模式的に示す斜視図である。
次に、レーザ発振器38にパルス発振によりレーザ光40を発振させ、被加工物1にレーザ光40を照射して被加工物1を加工予定ライン3に沿ってレーザ加工し、機能層を除去する。照射されるレーザ光40はマスク部材44を透過するため、エネルギー密度の分布がマスク部材44により修正され、該分布の裾野部分が削られる。そのため、被加工物1をレーザ加工しても機能層は剥離せず、その後、被加工物1が分割されて形成されるデバイスチップの品質が低下しない。
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記の実施形態では、矩形の平面形状を有する透過部54aを備えるマスク部材44aについて説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。例えば、本発明の一態様に係るレーザ加工装置2では、マスク部材44が円形の平面形状を有する透過部を備えていても良い。
図4(B)は、マスク部材の他の一例を模式的に示す斜視図である。図4(B)に示す通り、レーザ加工装置2は、円形の平面形状を有する透過部54bを備えるマスク部材44bを備えてもよい。マスク部材44bでは、基材52b及び該基材52b上の反射膜56bに円形の貫通孔が形成されており、該貫通孔が透過部54bとして機能する。さらに、マスク部材44bは、反射膜56bにより反射されたレーザ光40がレーザ発振器38に戻るのを防止する戻り防止構造を備えても良い。
また、マスク部材44は、例えば、シリンドリカルレンズ48と、集光レンズ50と、の間の光路に配設されてもよい。この場合、シリンドリカルレンズ48により楕円形状に変形されたレーザ光がマスク部材44に進行され、エネルギー密度の分布が修正される。そのため、透過部の形状及び反射膜の開口の形状は、シリンドリカルレンズ48により変形されたレーザ光のエネルギー密度の分布を修正できる形状とされる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
1 被加工物
3 加工予定ライン
5 デバイス
7 テープ
9 フレーム
2 レーザ加工装置
4 基台
6 チャックテーブル
6a 保持面
6b クランプ
8 レーザ加工ユニット
10,20,28 ガイドレール
12 X軸移動プレート
14,24 ボールねじ
16,26,32 パルスモータ
18 支持台
22 支持体
22a 基部
22b 壁部
30 ユニットホルダ
34 加工ヘッド
36 撮像ユニット
38 レーザ発振器
40,40a,40b レーザ光
42 ミラー
44,44a,44b,44c,44d,44e,44f マスク部材
46 リレーレンズ
48 シリンドリカルレンズ
50 集光レンズ
52a,52b,52c,52d,52e,52f 基材
54a,54b,54c,54d,54e,54f 透過部
56a,56b,56c,56d,56e,56f 反射膜

Claims (4)

  1. レーザ光を発振するレーザ発振器と、
    該レーザ発振器から発振されたレーザ光を集光する集光レンズと、
    該レーザ発振器及び該集光レンズの間に配設され該レーザ発振器から発振されたレーザ光の一部を遮蔽するマスク部材と、を備え、
    該マスク部材は、光を透過する透過部と、該透過部を囲繞し該レーザ光の該一部を反射する反射膜と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
  2. 該マスク部材は、該レーザ光の該一部が該反射膜により反射された後に該レーザ発振器に戻るのを防止する戻り防止構造を備えることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
  3. 該戻り防止構造は、該反射膜の該レーザ光を反射する面に形成された凹凸形状であることを特徴とする請求項2記載のレーザ加工装置。
  4. 該戻り防止構造は、該透過部を透過するレーザ光の進行方向に直交する面に対する該反射膜の傾斜であることを特徴とする請求項2記載のレーザ加工装置。
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