JP2020132476A - チップ及び枠体の少なくともいずれかを製造する方法 - Google Patents
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
Abstract
Description
レーザービームLの波長 :1064nm
パルスエネルギー :50μJ
パルスの繰り返し周波数 :1kHz
X−Y平面方向の加工速度:20mm/s
パス数 :3
4 基台
6 基部
8 壁部
10 チャックテーブル
10a 保持面
11 被加工物
11a 表面
11b 裏面
11c 外周端部
11d シールドトンネル
11e 細孔
11f 変質領域
12 レーザービーム照射ユニット
12a 加工ヘッド
12b 撮像ユニット
13 分割予定ライン
15 ダイシングテープ
16 Y軸移動ユニット
17 環状フレーム
18 Y軸ガイドレール
19 被加工物ユニット
20 Y軸移動テーブル
21 チップ
22 Y軸ボールネジ
23 枠体
24 Y軸パルスモータ
26 X軸移動ユニット
28 X軸ガイドレール
30 X軸移動テーブル
32 X軸ボールネジ
34 X軸パルスモータ
36 支持台
38 超音波印加装置
40 液体
42 容器
44 脚部
46 支持部
48 クランプユニット
50 超音波発生ユニット
54 搬送装置
54a 腕部
54b ヘッド部
54c 吸着パッド
58 超音波印加装置
60 超音波ホーン
60a 先端部
62 容器
62a 排液口
64 支持テーブル
64a 支持面
70 ノズル
74 搬送装置
74a 腕部
74b ヘッド部
74c 吸着パッド
L レーザービーム
Claims (3)
- 板状の被加工物を加工して、所定の形状のチップと、該被加工物から該チップが分割された枠体との少なくともいずれかを製造する方法であって、
該被加工物に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザービームの集光領域を該被加工物の内部に位置付ける様に、該レーザービームを該被加工物の表面側から該被加工物の分割予定ラインに沿って照射することにより、各々細孔と該細孔を囲む変質領域とを有する複数のシールドトンネルを該分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成ステップと、
該シールドトンネル形成ステップの後、該被加工物に液体を介して超音波を印加することにより、該分割予定ラインに沿って形成された該複数のシールドトンネルを破壊して該被加工物から該チップを分割する分割ステップと、
を備えることを特徴とするチップ及び枠体の少なくともいずれかを製造する方法。 - 該分割予定ラインは、該被加工物の外周端部には達しない様に該外周端部よりも内側の領域に設定されており、
該シールドトンネル形成ステップでは、該外周端部よりも内側に位置する該分割予定ラインに沿って該複数のシールドトンネルを形成することを特徴とする請求項1に記載のチップ及び枠体の少なくともいずれかを製造する方法。 - 該液体は水であることを特徴とする請求項1又は2に記載のチップ及び枠体の少なくともいずれかを製造する方法。
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