JP7408378B2 - ウエーハ生成方法、及びウエーハ生成装置 - Google Patents
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Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Description
H1=(a12+Pz2)1/2
H2=(a22+Pz2)1/2
H3=(a32+Pz2)1/2
H4=(a42+Pz2)1/2
(H1-H2)/V=t1
(H2-H3)/V=t2
(H3-H4)/V=t3
波長 :355nm~1064nm
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 :10W~100W
パルス幅 :100ps以下
波長 :355nm~1064nm
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平均出力 :10W~100W
パルス幅 :100ps以下
3:基台
4:保持手段
18:X軸方向可動板
20:Y軸方向可動板
22:チャックテーブル
5:移動手段
24:X軸方向移動手段
26:Y軸方向移動手段
6:第一のレーザー光線照射手段
61:発振器
62:波長別遅延手段
64:リング生成手段
641、642:アキシコンレンズ
643:回折格子
67:割出スキャナー
68:走査スキャナー
69:第一の集光器
691:fθレンズ
7:研削手段
7c:研削ホイール
7d:研削砥石
8A:第二のレーザー光線照射手段
81:発振器
84a:第二の集光器
841a:集光レンズ
842a:ガラス板
843a:レーザー光線導入部
844a:液体導入口
845a:開口部
85a:楕円ドーム
851a:液体の層
P2:第一の焦点
P3:第二の焦点
87:開放部
8B:第三のレーザー光線照射手段
84b:第三の集光器
841b:集光レンズ
842b:ガラス板
85b:ドーム部材
851b:液体の層
852:下部空間
844b:液体導入口
8C:レーザー光線照射手段
84c:第四の集光器
844c:液体導入口
85c:半球体
85d:球面
85e:平坦面
851c:液体の層
12:撮像手段
14:表示手段
16:剥離手段
16a:ケーシング
16b:アーム
16c:モータ
16d:吸着片
36:枠体
36a:垂直壁部
36b:水平壁部
50:インゴット
52:第一の面(上面)
54:第二の面
67:割出スキャナー
68:走査スキャナー
90:液体供給手段
92:配管
Claims (3)
- インゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、保持手段にインゴットを保持する保持工程と、該保持手段に保持されたインゴットの内部であって生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに衝撃波の集束点を位置付けて破壊層を形成する破壊層形成工程と、
該破壊層を起点として生成すべきウエーハをインゴットから剥離する剥離工程と、を含み構成され、
該破壊層形成工程は、該破壊層を形成する際に、1パルス当たりのレーザー光線を波長毎に時間差を持ったリング状に形成し、該リング状に形成されたパルスレーザー光線がインゴットに照射されてインゴットの上面で衝撃波が生成される際の該時間差を調整することにより衝撃波の集束点の位置を設定するウエーハ生成方法。 - 該剥離工程の後、インゴットの剥離面を平坦化する平坦化工程が含まれる、請求項1に記載のウエーハ生成方法。
- インゴットからウエーハを生成するウエーハ生成装置であって、
インゴットを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたインゴットの内部に生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに衝撃波の集束点を位置付けて破壊層を形成する破壊層形成手段と、を含み構成され、
該破壊層形成手段は、
パルスレーザー光線を照射する第一のレーザー光線照射手段であり、1パルス当たりのレーザー光線が波長毎に時間差を持ったリング状に形成され、該リング状に形成されたパルスレーザー光線がインゴットに照射されてインゴットの上面で衝撃波が生成される際の該時間差が該第一のレーザー光線照射手段によって調整されることにより衝撃波の集束点の位置が設定されるウエーハ生成装置。
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Citations (5)
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JP2000061414A (ja) | 1998-08-20 | 2000-02-29 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP2002038222A (ja) | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | 残留応力改善方法 |
JP2007313549A (ja) | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 衝撃波発生装置、表面処理方法、非破壊検査方法および治療方法 |
JP2010158686A (ja) | 2009-01-06 | 2010-07-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工用光学装置、レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
JP2010247284A (ja) | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Covalent Materials Corp | 平坦化加工方法、平坦化加工量算出方法およびその算出プログラム |
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2019
- 2019-12-25 JP JP2019234193A patent/JP7408378B2/ja active Active
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JP2002038222A (ja) | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | 残留応力改善方法 |
JP2007313549A (ja) | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 衝撃波発生装置、表面処理方法、非破壊検査方法および治療方法 |
JP2010158686A (ja) | 2009-01-06 | 2010-07-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工用光学装置、レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
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