CN110690172A - 芯片的制造方法 - Google Patents

芯片的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110690172A
CN110690172A CN201910513486.1A CN201910513486A CN110690172A CN 110690172 A CN110690172 A CN 110690172A CN 201910513486 A CN201910513486 A CN 201910513486A CN 110690172 A CN110690172 A CN 110690172A
Authority
CN
China
Prior art keywords
workpiece
chip
holding
region
modified layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910513486.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110690172B (zh
Inventor
淀良彰
赵金艳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN110690172A publication Critical patent/CN110690172A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110690172B publication Critical patent/CN110690172B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：第1激光加工步骤，沿着分割预定线仅对芯片区域照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，形成沿着芯片区域的分割预定线的第1改质层；第2激光加工步骤，沿着芯片区域与外周剩余区域的边界照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，形成沿着该边界的第2改质层；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成各个芯片。

Description

芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及芯片的制造方法，对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
背景技术
为了将以晶片为代表的板状的被加工物(工件)分割成多个芯片，公知有如下的方法：使具有透过性的激光束会聚在被加工物的内部，形成因多光子吸收而被改质的改质层(改质区域)(例如参照专利文献1)。改质层比其他区域脆，因此通过在沿着分割预定线(间隔道)形成改质层之后对被加工物施加力，从而能够以该改质层为起点将被加工物分割成多个芯片。
在对形成有改质层的被加工物施加力时，例如采用将具有伸展性的扩展片(扩展带)粘贴在被加工物上并进行扩展的方法(例如参照专利文献2)。在该方法中，通常在照射激光束而在被加工物中形成改质层之前，将扩展片粘贴在被加工物上，然后在形成改质层之后对扩展片进行扩展而将被加工物分割成多个芯片。
专利文献1：日本特开2002-192370号公报
专利文献2：日本特开2010-206136号公报
但是，在上述那样的对扩展片进行扩展的方法中，使用后的扩展片无法再次使用，因此制造芯片所需的费用也容易增高。特别是作为粘接材料不容易残留在芯片上的高性能的扩展片，其价格也高，因此当使用这样的扩展片时，制造芯片所需的费用也增高。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
根据本发明的一个方式，提供芯片的制造方法，从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域，其中，该芯片的制造方法具有如下的步骤：保持步骤，利用保持工作台直接对被加工物进行保持；第1激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割预定线形成第1改质层，并且将该外周剩余区域作为未形成该第1改质层的加强部；第2激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该芯片区域与该外周剩余区域的边界照射该激光束，沿着该边界形成第2改质层；搬出步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后，将被加工物从该保持工作台搬出；以及分割步骤，在实施了该搬出步骤之后，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片，在该分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成各个该芯片。
在本发明的一个方式中，可以还具有加强部去除步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后并且在实施该分割步骤之前，将该加强部去除。另外，在本发明的一个方式中，也可以是，该保持工作台的上表面由柔软的材料构成，在该保持步骤中，利用该柔软的材料对被加工物的正面侧进行保持。
在本发明的一个方式的芯片的制造方法中，在利用保持工作台直接对被加工物进行保持的状态下，仅对被加工物的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的第1改质层，对芯片区域与外周剩余区域的边界照射激光束而形成沿着边界的第2改质层，然后赋予超声波振动而将被加工物分割成各个芯片，因此无需使用扩展片来对被加工物施加力而将其分割成各个芯片。这样，根据本发明的一个方式的芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对作为板状被加工物的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
另外，在本发明的一个方式的芯片的制造方法中，仅对被加工物的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的第1改质层，并且将外周剩余区域作为未形成第1改质层的加强部，因此通过该加强部对芯片区域进行加强。由此，被加工物不会由于在搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片，能够适当地搬送被加工物。
附图说明
图1是示意性示出被加工物的结构例的立体图。
图2是示意性示出激光加工装置的结构例的立体图。
图3的(A)是用于对保持步骤进行说明的剖视图，图3的(B)是用于对激光加工步骤进行说明的剖视图。
图4是用于对第2激光加工步骤进行说明的剖视图。
图5的(A)是示意性示出形成改质层后的被加工物的状态的俯视图，图5的(B)是示意性示出改质层的状态的剖视图。
图6是用于对加强部去除步骤进行说明的剖视图。
图7的(A)和图7的(B)是用于对分割步骤进行说明的剖视图。
图8是用于对变形例的保持步骤进行说明的剖视图。
图9的(A)是用于对变形例的分割步骤进行说明的剖视图，图9的(B)是示意性示出通过变形例的分割步骤对芯片区域进行分割之前的被加工物的状态的俯视图。
标号说明
11：被加工物(工件)；11a：正面；11b：背面；11c：芯片区域；11d：外周剩余区域；13：分割预定线(间隔道)；15：区域；17：激光束；19、19a、19b、19c、19d：改质层；21：液体；23：裂纹；25：芯片；2：激光加工装置；4：基台；6：卡盘工作台(保持工作台)；6a：保持面；6b：吸引路；8：水平移动机构；10：X轴导轨；12：X轴移动工作台；14：X轴滚珠丝杠；16：X轴脉冲电动机；18：X轴标尺；20：Y轴导轨；22：Y轴移动工作台；24：Y轴滚珠丝杠；26：Y轴脉冲电动机；28：Y轴标尺；30：支承台；32：阀；34：吸引源；36：支承构造；38：支承臂；40：激光照射单元；42：相机；44：片材(多孔片材)；44a：上表面；52：被加工物保持装置；54：卡盘工作台(保持工作台)；54a：保持面；54b：吸引路；56：阀；58：吸引源；62：切削单元；64：切削刀具；72：分割装置；74：槽；76：超声波振子；78：交流电源；80：保持单元；80a：保持面；80b：突起；80c：吸引路；82：阀；84：吸引源。
具体实施方式
参照附图，对本发明的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的芯片的制造方法包含：保持步骤(参照图3的(A))、第1激光加工步骤(参照图3的(B)等)、第2激光加工步骤(参照图4等)、搬出步骤、加强部去除步骤(参照图6)以及分割步骤(参照图7的(A)和图7的(B))。
在保持步骤中，利用卡盘工作台(保持工作台)直接对具有由分割预定线划分成多个区域的芯片区域和围绕芯片区域的外周剩余区域的被加工物(工件)进行保持。在第1激光加工步骤中，照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成改质层(第1改质层)，并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部。
在第2激光加工步骤中，照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，沿着芯片区域与外周剩余区域的边界形成改质层(第2改质层)。在搬出步骤中，将被加工物从卡盘工作台搬出。在加强部去除步骤中，将加强部从被加工物去除。在分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成多个芯片。以下，对本实施方式的芯片的制造方法进行详细说明。
图1是示意性示出在本实施方式中使用的被加工物(工件)11的结构例的立体图。如图1所示，被加工物11例如是由硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等半导体；蓝宝石(Al2O3)、钠钙玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等电介质(绝缘体)；或者钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等强电介质(强电介质结晶)形成的圆盘状的晶片(基板)。
被加工物11的正面11a侧由交叉的多条分割预定线(间隔道)13划分成将要成为芯片的多个区域15。另外，以下将包含所有将要成为芯片的多个区域15在内的大致圆形的区域称作芯片区域11c，将围绕芯片区域11c的环状的区域称作外周剩余区域11d。
在芯片区域11c内的各区域15，根据需要形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)、LED(Light EmittingDiode：发光二极管)、LD(Laser Diode：激光二极管)、光电二极管(Photodiode)、SAW(Surface Acoustic Wave：表面弹性波)滤波器、BAW(Bulk Acoustic Wave：体弹性波)滤波器等器件。
沿着分割预定线13对该被加工物11进行分割，从而得到多个芯片。具体而言，在被加工物11为硅晶片的情况下，得到例如作为存储器或传感器等发挥功能的芯片。在被加工物11为砷化镓基板、磷化铟基板、氮化镓基板的情况下，得到例如作为发光元件或受光元件等发挥功能的芯片。
在被加工物11为碳化硅基板的情况下，得到例如作为功率器件等发挥功能的芯片。在被加工物11为蓝宝石基板的情况下，得到例如作为发光元件等发挥功能的芯片。在被加工物11为由钠钙玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等形成的玻璃基板的情况下，得到例如作为光学部件或罩部件(玻璃罩)发挥功能的芯片。
在被加工物11为由钽酸锂、铌酸锂等强电介质形成的强电介质基板(强电介质结晶基板)的情况下，得到例如作为滤波器或致动器等发挥功能的芯片。另外，对于被加工物11的材质、形状、构造、大小、厚度等没有限制。同样地，对于形成在将要成为芯片的区域15的器件的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。也可以不在将要成为芯片的区域15形成器件。
在本实施方式的芯片的制造方法中，使用圆盘状的硅晶片作为被加工物11，制造出多个芯片。具体而言，首先进行保持步骤，利用卡盘工作台直接对该被加工物11进行保持。图2是示意性示出在本实施方式中使用的激光加工装置的结构例的立体图。
如图2所示，激光加工装置2具有搭载各构成要素的基台4。在基台4的上表面上设置有水平移动机构8，该水平移动机构8使用于吸引、保持被加工物11的卡盘工作台(保持工作台)6在X轴方向(加工进给方向)和Y轴方向(分度进给方向)上移动。水平移动机构8具有一对X轴导轨10，它们固定于基台4的上表面，与X轴方向大致平行。
在X轴导轨10上以能够滑动的方式安装有X轴移动工作台12。在X轴移动工作台12的背面侧(下表面侧)设置有螺母部(未图示)，在该螺母部中螺合有与X轴导轨10大致平行的X轴滚珠丝杠14。
在X轴滚珠丝杠14的一个端部连结有X轴脉冲电动机16。利用X轴脉冲电动机16使X轴滚珠丝杠14旋转，从而X轴移动工作台12沿着X轴导轨10在X轴方向上移动。在与X轴导轨10相邻的位置设置有X轴标尺18，该X轴标尺18用于对X轴移动工作台12在X轴方向上的位置进行检测。
在X轴移动工作台12的正面(上表面)上固定有与Y轴方向大致平行的一对Y轴导轨20。在Y轴导轨20上以能够滑动的方式安装有Y轴移动工作台22。在Y轴移动工作台22的背面侧(下表面侧)设置有螺母部(未图示)，在该螺母部中螺合有与Y轴导轨20大致平行的Y轴滚珠丝杠24。
在Y轴滚珠丝杠24的一个端部连结有Y轴脉冲电动机26。利用Y轴脉冲电动机26使Y轴滚珠丝杠24旋转，从而Y轴移动工作台22沿着Y轴导轨20在Y轴方向上移动。在与Y轴导轨20相邻的位置设置有Y轴标尺28，该Y轴标尺28用于对Y轴移动工作台22在Y轴方向上的位置进行检测。
在Y轴移动工作台22的正面侧(上表面侧)设置有支承台30，在该支承台30的上部配置有卡盘工作台6。卡盘工作台6的正面(上表面)作为对上述被加工物11的背面11b侧(或正面11a侧)进行吸引、保持的保持面6a。保持面6a例如由氧化铝等硬度高的多孔质材料构成。但是，保持面6a也可以由以聚乙烯或环氧等树脂为代表的柔软的材料构成。
该保持面6a经由形成在卡盘工作台6的内部的吸引路6b(参照图3的(A)等)及阀32(参照图3的(A)等)等而与吸引源34(参照图3的(A)等)连接。在卡盘工作台6的下方设置有旋转驱动源(未图示)，卡盘工作台6通过该旋转驱动源而绕与Z轴方向大致平行的旋转轴旋转。
在水平移动机构8的后方设置有柱状的支承构造36。在支承构造36的上部固定有在Y轴方向上延伸的支承臂38，在该支承臂38的前端部设置有激光照射单元40，该激光照射单元40脉冲振荡出具有对于被加工物11来说为透过性的波长(不容易被吸收的波长)的激光束17(参照图3的(B))而照射至卡盘工作台6上的被加工物11。
在与激光照射单元40相邻的位置设置有相机42，该相机42对被加工物11的正面11a侧或背面11b侧进行拍摄。例如在调整被加工物11与激光照射单元40的位置等时，使用利用相机42对被加工物11等进行拍摄而形成的图像。
卡盘工作台6、水平移动机构8、激光照射单元40、相机42等构成要素与控制单元(未图示)连接。控制单元对各构成要素进行控制，以便适当地对被加工物11进行加工。
图3的(A)是用于对保持步骤进行说明的剖视图。另外，在图3的(A)中，将一部分的构成要素用功能块表示。在保持步骤中，如图3的(A)所示，例如使被加工物11的背面11b与卡盘工作台6的保持面6a接触。然后，将阀32打开，使吸引源34的负压作用于保持面6a。
由此，被加工物11在正面11a侧向上方露出的状态下被吸引、保持于卡盘工作台6上。另外，在本实施方式中，如图3的(A)所示，利用卡盘工作台6直接对被加工物11的背面11b侧进行保持。即，在本实施方式中，无需对被加工物11粘贴扩展片。
在保持步骤之后，进行沿着分割预定线13照射激光束17而形成改质层(第1改质层)的第1激光加工步骤以及沿着芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界照射激光束17而形成改质层(第2改质层)的第2激光加工步骤。另外，在本实施方式中，对在第1激光加工步骤之后进行第2激光加工步骤的情况进行说明。
图3的(B)是用于对第1激光加工步骤进行说明的剖视图，图4是用于对第2激光加工步骤进行说明的剖视图，图5的(A)是示意性示出形成改质层19之后的被加工物11的状态的俯视图，图5的(B)是示意性示出改质层19的状态的剖视图。另外，在图3的(B)和图4中，将一部分的构成要素用功能块表示。
在第1激光加工步骤中，首先使卡盘工作台6旋转，例如使作为对象的分割预定线13的延伸方向与X轴方向平行。接着，使卡盘工作台6移动而使激光照射单元40的位置对齐在作为对象的分割预定线13的延长线上。然后，如图3的(B)所示，使卡盘工作台6在X轴方向(即，作为对象的分割预定线13延伸的方向)上移动。
然后，按照激光照射单元40到达了存在于作为对象的分割预定线13上的两个部位的芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界中的一方的正上方的时机，从该激光照射单元40开始照射具有对于被加工物11来说为透过性的波长的激光束17。在本实施方式中，如图3的(B)所示，从配置在被加工物11的上方的激光照射单元40朝向被加工物11的正面11a照射激光束17。
该激光束17的照射持续至激光照射单元40到达了存在于作为对象的分割预定线13上的两个部位的芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界中的另一方的正上方为止。即，这里，沿着作为对象的分割预定线13仅对芯片区域11c内照射激光束17。
另外，该激光束17按照将聚光点定位于被加工物11的内部的距离正面11a(或背面11b)规定深度的位置的方式进行照射。这样，使具有对于被加工物11来说为透过性的波长的激光束17会聚在被加工物11的内部，从而能够在聚光点及其附近通过多光子吸收对被加工物11的一部分进行改质，形成作为分割的起点的改质层19(改质层19a等)。
在本实施方式的第1激光加工步骤中，沿着作为对象的分割预定线13仅对芯片区域11c内照射激光束17，因此沿着作为对象的分割预定线13仅在芯片区域11c内形成改质层19。即，如图5的(B)所示，在第1激光加工步骤中，不在外周剩余区域形成改质层19。
在沿着作为对象的分割预定线13在规定深度的位置形成了改质层19之后，按照同样的步骤，沿着作为对象的分割预定线13在其他深度的位置形成改质层19。在本实施方式中，如图5的(B)所示，例如在距离被加工物11的正面11a(或背面11b)的深度不同的三个位置形成改质层19(改质层19a、改质层19b、改质层19c)。
不过，对于沿着一条分割预定线13形成的改质层19的数量、位置没有特别限制。例如沿着一条分割预定线13形成的改质层19的数量可以为一个。另外，期望按照裂纹到达正面11a(或背面11b)的条件形成该改质层19。当然，也可以按照裂纹到达正面11a和背面11b这双方的条件形成改质层19。由此，能够更适当地对被加工物11进行分割。
在沿着作为对象的分割预定线13形成了所需数量的改质层19之后，重复上述的步骤，沿着其他所有分割预定线13形成改质层19。当如图5的(A)所示沿着所有的分割预定线13形成所需数量的改质层19时，第1激光加工步骤结束。
另外，在该第1激光加工步骤中，在沿着一条分割预定线13形成了所需数量的改质层19之后，沿着其他分割预定线13形成同样的改质层19，但对于形成改质层19的顺序等没有特别限制。例如也可以在所有的分割预定线13的相同深度的位置形成改质层19，然后在其他深度的位置形成改质层19。
在被加工物11为硅晶片的情况下，例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物：硅晶片
激光束的波长：1340nm
激光束的重复频率：90kHz
激光束的输出：0.1W～2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度)：180mm/s～1000mm/s、典型地为500mm/s
在被加工物11为砷化镓基板或磷化铟基板的情况下，例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物：砷化镓基板、磷化铟基板
激光束的波长：1064nm
激光束的重复频率：20kHz
激光束的输出：0.1W～2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度)：100mm/s～400mm/s、典型地为200mm/s
在被加工物11为蓝宝石基板的情况下，例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物：蓝宝石基板
激光束的波长：1045nm
激光束的重复频率：100kHz
激光束的输出：0.1W～2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度)：400mm/s～800mm/s、典型地为500mm/s
在被加工物11为由钽酸锂或铌酸锂等强电介质形成的强电介质基板的情况下，例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物：钽酸锂基板、铌酸锂基板
激光束的波长：532nm
激光束的重复频率：15kHz
激光束的输出：0.02W～0.2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度)：270mm/s～420mm/s、典型地为300mm/s
在被加工物11为由钠钙玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等形成的玻璃基板的情况下，例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物：钠钙玻璃基板、硼硅酸玻璃基板、石英玻璃基板
激光束的波长：532nm
激光束的重复频率：50kHz
激光束的输出：0.1W～2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度)：300mm/s～600mm/s、典型地为400mm/s
在被加工物11为氮化镓基板的情况下，例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物：氮化镓基板
激光束的波长：532nm
激光束的重复频率：25kHz
激光束的输出：0.02W～0.2W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度)：90mm/s～600mm/s、典型地为150mm/s
在被加工物11为碳化硅基板的情况下，例如在下述那样的条件下形成改质层19。
被加工物：碳化硅基板
激光束的波长：532nm
激光束的重复频率：25kHz
激光束的输出：0.02W～0.2W、典型地为0.1W
卡盘工作台的移动速度(加工进给速度)：90mm/s～600mm/s、典型地为：在碳化硅基板的解理方向上为90mm/s、在非解理方向上为400mm/s
在本实施方式的第1激光加工步骤中，沿着分割预定线13仅在芯片区域11c内形成改质层19(改质层19a、19b、19c)，不在外周剩余区域11d形成改质层19，因此通过该外周剩余区域11d确保被加工物11的强度。由此，被加工物11不会由于在搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片。这样，第1激光加工步骤后的外周剩余区域11d作为用于对芯片区域11c进行加强的加强部发挥功能。
另外，在本实施方式的第1激光加工步骤中，不在外周剩余区域11d形成改质层19，因此例如即使在从改质层19延伸的裂纹到达正面11a和背面11b这双方而将被加工物11完全分割的状况下，各芯片也不会脱落、离散。通常，当在被加工物11中形成改质层19时，在该改质层19的附近被加工物11会发生膨胀。在本实施方式中，利用作为加强部发挥功能的环状的外周剩余区域11d使由于形成改质层19而产生的膨胀的力向内作用，从而挤住各芯片而防止其脱落、离散。
在上述的第1激光加工步骤之后，进行第2激光加工步骤。在该第2激光加工步骤中，首先使卡盘工作台6移动而使激光照射单元40的位置对齐在芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界线上。然后，如图4所示，一边从激光照射单元40照射具有对于被加工物11来说为透过性的波长的激光束17，一边使卡盘工作台6旋转。即，在本实施方式中，从配置于被加工物11的上方的激光照射单元40朝向被加工物11的正面11a照射激光束17。
该激光束17按照将聚光点定位于被加工物11的内部的距离正面11a(或背面11b)规定深度的位置的方式进行照射。这样，使具有对于被加工物11来说为透过性的波长的激光束17会聚在被加工物11的内部，从而能够在聚光点及其附近通过多光子吸收对被加工物11的一部分进行改质，形成作为分割的起点的改质层19(改质层19d)。
在本实施方式的第2激光加工步骤中，沿着芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界照射激光束17，因此沿着该边界形成改质层19。另外，对于沿着芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界所形成的改质层19的数量、位置没有特别限制。例如可以使沿着边界形成的改质层19的数量为两个以上。
另外，期望按照裂纹到达正面11a(或背面11b)的条件形成沿着该边界的改质层19。当然，也可以按照裂纹到达正面11a和背面11b这双方的条件形成沿着边界的改质层19。由此，能够更适当地对被加工物11进行分割，能够使外周剩余区域11d从芯片区域11c分离。
对于在第2激光加工步骤中用于形成改质层19的具体条件等没有特别限制。例如，可以按照与在第1激光加工步骤中用于形成改质层19的条件相同的条件形成沿着边界的改质层19。当然，也可以按照与在第1激光加工步骤中用于形成改质层19的条件不同的条件形成沿着边界的改质层19。
如图5的(A)和图5的(B)所示，当沿着芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界形成环状的改质层19(改质层19d)时，第2激光加工步骤结束。另外，在本实施方式中，在与第1激光加工步骤中所形成的改质层19(改质层19b)相同程度的深度的位置形成了改质层19(改质层19d)，使裂纹从该改质层19(改质层19d)到达正面11a和背面11b。
在第1激光加工步骤和第2激光加工步骤之后，进行搬出步骤，将被加工物11从卡盘工作台6搬出。具体而言，例如利用能够对被加工物11的整个正面11a(或背面11b)进行吸附、保持的搬送单元(未图示)对被加工物11的整个正面11a进行吸附之后，将阀32关闭，切断吸引源34的负压，将被加工物11搬出。另外，在本实施方式中，如上所述，外周剩余区域11d作为加强部发挥功能，因此被加工物11不会由于在搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片，能够适当地搬送被加工物11。
在搬出步骤之后，进行加强部去除步骤，将加强部从被加工物11去除。图6是用于对加强部去除步骤进行说明的剖视图。另外，在图6中，将一部分的构成要素用功能块表示。加强部去除步骤例如使用图6所示的被加工物保持装置52来进行。
被加工物保持装置52具有用于对被加工物11进行吸引、保持的卡盘工作台(保持工作台)54。该卡盘工作台54的上表面的一部分作为对被加工物11的芯片区域11c进行吸引、保持的保持面54a。保持面54a经由形成在卡盘工作台54的内部的吸引路54b及阀56等而与吸引源58连接。
该卡盘工作台54例如与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。另外，卡盘工作台54例如通过移动机构(未图示)进行支承，在相对于上述保持面54a大致平行的方向上移动。
在加强部去除步骤中，首先使被加工物11的背面11b与卡盘工作台54的保持面54a接触。然后，将阀56打开，使吸引源58的负压作用于保持面54a。由此，被加工物11在正面11a侧向上方露出的状态下被吸引、保持于卡盘工作台54上。另外，在本实施方式中，如图6所示，利用卡盘工作台54直接对被加工物11的背面11b侧进行保持。即，这里也无需对被加工物11粘贴扩展片。
接着，对外周剩余区域11d作用向上的力(远离保持面54a的朝向的力)。如上述那样在芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界形成有作为分割的起点的改质层19(改质层19d)。因此通过对外周剩余区域11d作用向上的力，如图6所示，能够将外周剩余区域11d从卡盘工作台54提起而去除。由此，在卡盘工作台54上仅残留被加工物11的芯片区域11c。
在加强部去除步骤之后，进行分割步骤，将被加工物11分割成各个芯片。具体而言，赋予超声波振动而对被加工物11进行分割。图7的(A)和图7的(B)是用于对分割步骤进行说明的剖视图。另外，在图7的(A)和图7的(B)中，将一部分的构成要素用功能块表示。
分割步骤例如使用图7的(A)和图7的(B)所示的分割装置72来进行。分割装置72具有贮存纯水等液体21的槽74。该槽74形成为能够收纳被加工物11(芯片区域11c)整体的程度的大小，在其底部安装有用于产生超声波振动的超声波振子76。
超声波振子76例如包含由钛酸钡、锆钛酸铅、钽酸锂、铌酸锂等压电材料制成的压电材料层和夹着压电材料层的一对电极层。电极层与用于提供规定的频率的交流电力的交流电源78连接，超声波振子76按照与从交流电源78提供的交流电力的频率对应的振动频率进行振动。
在槽74的上方配置有用于保持被加工物11的保持单元80。保持单元80的下表面侧的一部分成为与被加工物11的正面11a侧(或背面11b侧)接触的接触面80a。期望接触面80a例如由以聚乙烯、环氧等树脂为代表的柔软的材料构成。
由此，容易防止形成在被加工物11的正面11a侧的器件等破损。不过，对于接触面80a的材质等没有特别限制。另外，在围绕接触面80a的位置设置有向下突出的环状的突起80b。如后述那样，通过该突起80b能够防止分割成各个芯片后的被加工物11的飞散。
在保持单元80的内部设置有用于对与接触面80a接触的被加工物11传递负压的吸引路80c。吸引路80c的一端侧经由阀82等而与吸引源84连接。吸引路80c的另一端侧向接触面80a开口，以便能够吸引与接触面80a接触的被加工物11的各区域15。即，在接触面80a设置有与各区域15对应的多个开口部。
由此，在使被加工物11与接触面80a接触之后，通过阀82、吸引路80c等使吸引源84的负压作用于多个开口部，从而能够对被加工物11进行适当地吸引、保持。如上所述，在本实施方式中，由于在与各区域15对应的位置设置有多个开口部，因此即使是分割成各个芯片后的被加工物11，也能够适当地进行吸引、保持。
在本实施方式的分割步骤中，首先，使保持单元80的接触面80a与被加工物11的正面11a侧接触。接着，打开阀82而使吸引源84的负压作用于多个开口部。由此，被加工物11被保持单元80吸引、保持。然后，如图7的(A)所示，将保持单元80定位于槽74的上方。
然后，如图7的(B)所示，使保持单元80下降而使被加工物11浸渍在槽74所贮存的液体21中。在使保持单元80充分下降之后，将阀82关闭而切断吸引源84的负压。其结果是，如图7的(B)所示，将被加工物11从保持单元80取下。
另外，期望保持单元80的下降量在槽74的底部与突起80b的下端之间的间隙比被加工物11的厚度小的范围内进行调整。由此，被加工物11的位置被突起80b限制，能够防止分割成各个芯片后的被加工物11的飞散。
接着，从交流电源78向超声波振子76提供交流电力而使超声波振子76振动。由此，经由槽74和液体21向被加工物11赋予从超声波振子76产生的超声波振动。然后，通过该超声波振动的力使裂纹23从被加工物11的改质层19延伸，被加工物11沿着分割预定线13被分割成多个芯片25。
赋予给被加工物11的超声波振动的条件例如如下。
输出：200W
频率：20kHz，28kHz
赋予时间：30秒～90秒
不过，超声波振动的条件能够在可适当分割被加工物11的范围内任意设定。在被加工物11被分割成多个芯片25之后，使被加工物11的正面11a侧与接触面80a再次接触，将阀82打开而使吸引源84的负压进行作用。由此，能够利用保持单元80对分割成多个芯片25后的被加工物11进行吸引、保持而向槽74的外部搬出。
如上所述，在本实施方式的芯片的制造方法中，在利用卡盘工作台(保持工作台)6直接对被加工物(工件)11进行保持的状态下，仅对被加工物11的芯片区域11c照射激光束17而形成沿着分割预定线13的改质层19(改质层19a、19b、19c)，对芯片区域11c与外周剩余区域11d的边界照射激光束17而形成沿着边界的改质层19(改质层19d)，然后赋予超声波振动而将被加工物11分割成各个芯片25，因此无需为了对被加工物11施加力而分割成各个芯片25而使用扩展片。这样，根据本实施方式的芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对作为板状的被加工物11的硅晶片进行分割而制造出多个芯片25。
另外，在本实施方式的芯片的制造方法中，仅对被加工物11的芯片区域11c照射激光束17而形成沿着分割预定线13的改质层19(改质层19a、19b、19c)，并且将外周剩余区域11d作为未形成改质层19(改质层19a、19b、19c)的加强部，因此通过该加强部对芯片区域11c进行加强。由此，被加工物11不会由于在搬送等时所施加的力而被分割成各个芯片25，能够适当地搬送被加工物11。
另外，本发明不限于上述实施方式等的记载，可以进行各种变更并实施。例如在上述实施方式中，在第1激光加工步骤之后进行第2激光加工步骤，但也可以在第2激光加工步骤之后进行第1激光加工步骤。另外，也可以在第1激光加工步骤的中途进行第2激光加工步骤。
另外，在上述实施方式中，利用卡盘工作台6直接对被加工物11的背面11b侧进行保持，从正面11a侧照射激光束17，但也可以利用卡盘工作台6直接对被加工物11的正面11a侧进行保持，从背面11b侧照射激光束17。
图8是用于对变形例的保持步骤进行说明的剖视图。在该变形例的保持步骤中，如图8所示，例如可以使用由多孔质状的片材(多孔片材)44构成上表面的卡盘工作台(保持工作台)6，该多孔质状的片材由以聚乙烯或环氧等树脂为代表的柔软的材料形成。
在该卡盘工作台6中，利用片材44的上表面44a对被加工物11的正面11a侧进行吸引、保持。由此，能够防止形成在正面11a侧的器件等发生破损。该片材44是卡盘工作台6的一部分，与卡盘工作台6的主体等一起进行重复使用。
但是，卡盘工作台6的上表面无需由上述的多孔质状的片材44构成，只要至少按照不损伤被加工物11的正面11a侧所形成的器件等的程度由柔软的材料构成即可。另外，期望片材44构成为能够相对于卡盘工作台6的主体进行装卸，在发生破损的情况等能够进行更换。
另外，在上述实施方式中，在搬出步骤之后且在分割步骤之前进行加强部去除步骤，但例如也可以在第1激光加工步骤和第2激光加工步骤之后在搬出步骤之前进行加强部去除步骤。
同样地，也可以与分割步骤同时或在分割步骤之后进行加强部去除步骤。在该情况下，通过在分割步骤中所赋予的超声波振动，更可靠地对芯片区域11c与外周剩余区域11d进行分割，因此在加强部去除步骤中能够更容易地将加强部去除。
另外，也可以省略加强部去除步骤。在该情况下，例如可以调整通过第1激光加工步骤和第2激光加工步骤形成改质层19的范围，以便使加强部的宽度成为距离被加工物11的外周缘2mm～3mm的程度。另外，例如也可以在通过分割步骤对芯片区域11c进行分割之前，对加强部形成作为分割的起点的槽。
图9的(A)是用于对变形例的分割步骤进行说明的剖视图，图9的(B)是示意性示出通过变形例的分割步骤对芯片区域11c进行分割之前的被加工物11的状态的俯视图。在变形例的分割步骤中，在利用分割装置72对被加工物11赋予超声波振动之前，例如使用设置于被加工物保持装置52的切削单元62对加强部形成作为分割的起点的槽。
切削单元62具有主轴(未图示)，该主轴作为与保持面54a大致平行的旋转轴。在主轴的一端侧安装有在结合材料中分散有磨粒而成的环状的切削刀具64。在主轴的另一端侧连结有电动机等旋转驱动源(未图示)，安装于主轴的一端侧的切削刀具64通过从该旋转驱动源传递的力进行旋转。切削单元62例如支承于升降机构(未图示)，切削刀具64通过该升降机构在铅垂方向上移动。
如图9的(A)和图9的(B)所示，在形成作为分割的起点的槽时，例如使上述的切削刀具64旋转而切入至外周剩余区域11d(即，加强部)。由此，能够对加强部形成作为分割的起点的槽11e。另外，期望该槽11e例如沿着分割预定线13形成。通过形成这样的槽11e，能够将被加工物11的芯片区域11c连同外周剩余区域11d一起进行分割。
除此之外，上述实施方式和变形例的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (3)

1.一种芯片的制造方法，从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域，
该芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步骤：
保持步骤，利用保持工作台直接对被加工物进行保持；
第1激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割预定线形成第1改质层，并且将该外周剩余区域作为未形成该第1改质层的加强部；
第2激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该芯片区域与该外周剩余区域的边界照射该激光束，沿着该边界形成第2改质层；
搬出步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后，将被加工物从该保持工作台搬出；以及
分割步骤，在实施了该搬出步骤之后，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片，
在该分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成各个该芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，
该芯片的制造方法还具有加强部去除步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后并且在实施该分割步骤之前，将该加强部去除。
3.根据权利要求1或2所述的芯片的制造方法，其特征在于，
该保持工作台的上表面由柔软的材料构成，
在该保持步骤中，利用该柔软的材料对被加工物的正面侧进行保持。
CN201910513486.1A 2018-06-20 2019-06-14 芯片的制造方法 Active CN110690172B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018117127A JP7102065B2 (ja) 2018-06-20 2018-06-20 チップの製造方法
JP2018-117127 2018-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110690172A true CN110690172A (zh) 2020-01-14
CN110690172B CN110690172B (zh) 2024-05-14

Family

ID=69096967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910513486.1A Active CN110690172B (zh) 2018-06-20 2019-06-14 芯片的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7102065B2 (zh)
KR (1) KR20190143364A (zh)
CN (1) CN110690172B (zh)
TW (1) TWI800658B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022096455A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 株式会社ディスコ ウエーハの生成装置
JP2022117116A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 株式会社ディスコ 剥離装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005135964A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2007141998A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp 半導体チップの製造装置及び半導体チップの製造方法
TWI283023B (en) * 2005-12-23 2007-06-21 Advanced Semiconductor Eng Wafer level packaging process
JP2014199834A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 株式会社ディスコ 保持手段及び加工方法
JP2014236034A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN105081559A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 株式会社迪思科 激光加工装置
JP2018063985A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS523775B2 (zh) * 1972-07-08 1977-01-29
JP2005342760A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2008153420A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Seiko Epson Corp 基材の分割方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、半導体装置の製造方法、基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法
JP6154121B2 (ja) * 2012-12-06 2017-06-28 リンテック株式会社 割断装置及び割断方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005135964A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2007141998A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp 半導体チップの製造装置及び半導体チップの製造方法
TWI283023B (en) * 2005-12-23 2007-06-21 Advanced Semiconductor Eng Wafer level packaging process
JP2014199834A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 株式会社ディスコ 保持手段及び加工方法
JP2014236034A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN105081559A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 株式会社迪思科 激光加工装置
JP2018063985A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202002057A (zh) 2020-01-01
TWI800658B (zh) 2023-05-01
CN110690172B (zh) 2024-05-14
JP7102065B2 (ja) 2022-07-19
KR20190143364A (ko) 2019-12-30
JP2019220581A (ja) 2019-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109698118B (zh) 芯片的制造方法
CN110690172B (zh) 芯片的制造方法
JP6858455B2 (ja) チップの製造方法
JP2019218235A (ja) チップの製造方法
CN109300827B (zh) 芯片的制造方法
JP6932452B2 (ja) チップの製造方法
JP6961301B2 (ja) チップの製造方法
JP6961300B2 (ja) チップの製造方法
JP6961299B2 (ja) チップの製造方法
JP6932451B2 (ja) チップの製造方法
JP6991657B2 (ja) チップの製造方法
JP6961298B2 (ja) チップの製造方法
JP7051198B2 (ja) チップの製造方法
JP6973927B2 (ja) チップの製造方法
JP6976654B2 (ja) チップの製造方法
JP2019220586A (ja) チップの製造方法
JP2019220584A (ja) チップの製造方法
JP2019220585A (ja) チップの製造方法
JP2019220582A (ja) チップの製造方法
JP2019220583A (ja) チップの製造方法
JP2019022901A (ja) チップの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant