JPH0964000A - ドライ洗浄装置 - Google Patents
ドライ洗浄装置Info
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- JPH0964000A JPH0964000A JP21070095A JP21070095A JPH0964000A JP H0964000 A JPH0964000 A JP H0964000A JP 21070095 A JP21070095 A JP 21070095A JP 21070095 A JP21070095 A JP 21070095A JP H0964000 A JPH0964000 A JP H0964000A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 板状被洗浄体表面の数μｍ以下のダストを除
去することができるドライ洗浄装置の提供。 【構成】 板状被洗浄体６を保持し、かつ超音波振動す
るステージ１と、板状被洗浄体６の表面にクリーン気体
を吹きつけ、かつ板状被洗浄体６に対して相対的に可動
であるノズル４とを備える。
去することができるドライ洗浄装置の提供。 【構成】 板状被洗浄体６を保持し、かつ超音波振動す
るステージ１と、板状被洗浄体６の表面にクリーン気体
を吹きつけ、かつ板状被洗浄体６に対して相対的に可動
であるノズル４とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は製造工程において微細な
ダストをきらう液晶パネル、光ディスク、半導体基板な
どの洗浄装置に関するものである。
ダストをきらう液晶パネル、光ディスク、半導体基板な
どの洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の洗浄装置の概略図である。
図５の装置によって、基板４１が洗浄されるが、先ず基
板４１の表面をブラシ４２で水洗を加えたブラシ洗浄を
行った後、水ノズル４３の水流を利用してさらに水洗
し、水シャワー４４で水リンスを行った後、エアーノズ
ル４５からのクリーンエアを吹出し基板４１を乾燥し
て、洗浄を完了している。
図５の装置によって、基板４１が洗浄されるが、先ず基
板４１の表面をブラシ４２で水洗を加えたブラシ洗浄を
行った後、水ノズル４３の水流を利用してさらに水洗
し、水シャワー４４で水リンスを行った後、エアーノズ
ル４５からのクリーンエアを吹出し基板４１を乾燥し
て、洗浄を完了している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の洗
浄装置は水を使うため、装置の構造が複雑となり、設備
コストも高くなると共に、乾燥のための時間と設備コス
トが大となる、という問題がある。
浄装置は水を使うため、装置の構造が複雑となり、設備
コストも高くなると共に、乾燥のための時間と設備コス
トが大となる、という問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のドライ洗浄装置
は、上記課題を解決するため、板状被洗浄体を保持し、
かつ超音波振動するステージと、板状被洗浄体の表面に
クリーン気体を吹きつけ、かつ板状被洗浄体に対して相
対的に可動であるノズルとを備えたことを特徴とする。
は、上記課題を解決するため、板状被洗浄体を保持し、
かつ超音波振動するステージと、板状被洗浄体の表面に
クリーン気体を吹きつけ、かつ板状被洗浄体に対して相
対的に可動であるノズルとを備えたことを特徴とする。
【０００５】本発明において、板状被洗浄体を保持する
手段が真空吸着手段であることが好適である。
手段が真空吸着手段であることが好適である。
【０００６】又本発明において、ノズルの先端面と板状
被洗浄体の表面との間のギャップに形成されるクリーン
気体の流路の断面積がノズル中のクリーン気体の流路の
断面積より小さくなるように、前記ギャップを設定した
構成とすることが好適である。
被洗浄体の表面との間のギャップに形成されるクリーン
気体の流路の断面積がノズル中のクリーン気体の流路の
断面積より小さくなるように、前記ギャップを設定した
構成とすることが好適である。
【０００７】更に本発明において、板状被洗浄体の全面
にノズルのクリーン気体に比較し低圧のクリーン気体を
供給すると共に、板状被洗浄体の全面を覆うようにカッ
プ状に形成されたクリーン気体供給手段を備えた構成と
することが好適である。
にノズルのクリーン気体に比較し低圧のクリーン気体を
供給すると共に、板状被洗浄体の全面を覆うようにカッ
プ状に形成されたクリーン気体供給手段を備えた構成と
することが好適である。
【０００８】
【作用】本発明によれば、ステージを超音波振動させる
ことによって、ステージに真空吸着手段等で保持された
板状被洗浄体のごく表面の空気の層を板状被洗浄体から
離脱させやすくでき、従ってクリーン気体の板状被洗浄
体表面への到達を容易にすることができる。クリーン気
体が板状被洗浄体の表面に達することで、数μｍ以下の
寸法のダストをクリーン気体の風圧で吹き飛ばすことが
できる。そしてノズルが板状被洗浄体上を相対移動する
ことによって、板状被洗浄体の全面を洗浄でき、薄膜工
程における基板などのように比較的汚れが軽微なものを
被洗浄体とするものに対しては、完全ドライ方式で、必
要十分な洗浄を行うことができる。
ことによって、ステージに真空吸着手段等で保持された
板状被洗浄体のごく表面の空気の層を板状被洗浄体から
離脱させやすくでき、従ってクリーン気体の板状被洗浄
体表面への到達を容易にすることができる。クリーン気
体が板状被洗浄体の表面に達することで、数μｍ以下の
寸法のダストをクリーン気体の風圧で吹き飛ばすことが
できる。そしてノズルが板状被洗浄体上を相対移動する
ことによって、板状被洗浄体の全面を洗浄でき、薄膜工
程における基板などのように比較的汚れが軽微なものを
被洗浄体とするものに対しては、完全ドライ方式で、必
要十分な洗浄を行うことができる。
【０００９】又上記発明に加えて、請求項３に記載する
ように、ノズルの先端面と板状被洗浄体との間のギャッ
プを小さくすることで、板状被洗浄体の表面上でのクリ
ーン気体の流れを前記表面に対して平行に近づけること
ができ、ダストを吹き飛ばす効率を高めることができ
る。
ように、ノズルの先端面と板状被洗浄体との間のギャッ
プを小さくすることで、板状被洗浄体の表面上でのクリ
ーン気体の流れを前記表面に対して平行に近づけること
ができ、ダストを吹き飛ばす効率を高めることができ
る。
【００１０】更に上記発明に加えて、請求項４に記載す
るカップ状のクリーン気体供給手段によって、板状被洗
浄体を含む空間全体に低圧のクリーン気体を供給するこ
とにより、ノズルによって吹き飛ばされたダストの再付
着を防止して、より一層の洗浄効果を高めることができ
る。
るカップ状のクリーン気体供給手段によって、板状被洗
浄体を含む空間全体に低圧のクリーン気体を供給するこ
とにより、ノズルによって吹き飛ばされたダストの再付
着を防止して、より一層の洗浄効果を高めることができ
る。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【００１２】図１及び図２は本発明の第１実施例を示し
ている。図１及び図２において、１は基板（板状被洗浄
体）６を真空吸着し、かつ超音波振動するステージであ
る。
ている。図１及び図２において、１は基板（板状被洗浄
体）６を真空吸着し、かつ超音波振動するステージであ
る。
【００１３】２はステージ１を超音波振動させる超音波
振動子である。３は基板６をステージ１に真空吸着させ
る基板吸着用真空ホースであり、真空ポンプ（図示省
略）に接続されている。４は基板６上にクリーン気体を
吹きかける高圧ノズルで、配管３１を介してコンプレッ
サ３２に接続されている。このノズル４は基板６上を一
定間隔を保ってＸＹ方向に移動し、基板６の全面にクリ
ーン気体を吹き付けるように構成されている。５は高圧
ノズル４に供給されるクリーン気体のダストを除去する
ためのフィルターであって、前記配管３１上に配設され
ている。７はステージ１の上に凹設された基板６を真空
吸着するための吸着用真空溝であって、図２に示すよう
に田字状に形成され、かつ前記真空ホース３に接続され
ている。
振動子である。３は基板６をステージ１に真空吸着させ
る基板吸着用真空ホースであり、真空ポンプ（図示省
略）に接続されている。４は基板６上にクリーン気体を
吹きかける高圧ノズルで、配管３１を介してコンプレッ
サ３２に接続されている。このノズル４は基板６上を一
定間隔を保ってＸＹ方向に移動し、基板６の全面にクリ
ーン気体を吹き付けるように構成されている。５は高圧
ノズル４に供給されるクリーン気体のダストを除去する
ためのフィルターであって、前記配管３１上に配設され
ている。７はステージ１の上に凹設された基板６を真空
吸着するための吸着用真空溝であって、図２に示すよう
に田字状に形成され、かつ前記真空ホース３に接続され
ている。
【００１４】図１に示すように、基板６をステージ１上
に配置したのち基板吸着用真空ホース３より真空排気し
て、吸着用真空溝７を真空にすることで基板６をステー
ジ１に密着保持することができる。次に超音波振動子２
を駆動させて、ステージ１を超音波振動させるとステー
ジ１に密着している基板６も同様に超音波振動する。
に配置したのち基板吸着用真空ホース３より真空排気し
て、吸着用真空溝７を真空にすることで基板６をステー
ジ１に密着保持することができる。次に超音波振動子２
を駆動させて、ステージ１を超音波振動させるとステー
ジ１に密着している基板６も同様に超音波振動する。
【００１５】すると基板６の表面付近の空気も超音波振
動の影響を受けて基板６の表面から剥離しやすい状態と
なる。超音波振動子２の駆動と同時に高圧ノズル４より
約５ｋｇ／cm2 （ゲージ圧）の圧力の窒素をフィルター
５を介して供給すると、窒素は基板６表面に達して基板
６表面に付着している数μｍ以下のダストを吹き飛ばす
ものである。
動の影響を受けて基板６の表面から剥離しやすい状態と
なる。超音波振動子２の駆動と同時に高圧ノズル４より
約５ｋｇ／cm2 （ゲージ圧）の圧力の窒素をフィルター
５を介して供給すると、窒素は基板６表面に達して基板
６表面に付着している数μｍ以下のダストを吹き飛ばす
ものである。
【００１６】なお、本実施例ではクリーン気体として圧
力５ｋｇ／cm2 の窒素を用いたが、高圧であればあるほ
どダスト除去能力は高くなる。またダストが混入してい
なければ窒素でなくとも良く、ろ過した空気を用いても
同様の効果がある。
力５ｋｇ／cm2 の窒素を用いたが、高圧であればあるほ
どダスト除去能力は高くなる。またダストが混入してい
なければ窒素でなくとも良く、ろ過した空気を用いても
同様の効果がある。
【００１７】この状態で基板６上を高圧ノズル４が移動
していくことで基板６上の全てのダストが除去できる。
していくことで基板６上の全てのダストが除去できる。
【００１８】次に本発明の第２実施例を図３を参照して
説明する。この第２実施例は、ノズル４の先端面４ａを
基板６に平行に広い面積となるように形成すると共に、
ノズル４の先端面４ａと基板６の表面との間のギャップ
Ｇに形成されるクリーン気体の流路断面積がノズル４中
のクリーン気体の流路３１ａの断面積より小さくなるよ
うに、ノズル４の先端面４ａを基板６に近付けて配設し
た点に特徴があり、その他の構成は第１実施例と同様で
ある。従って第１実施例と共通する構成は、図３に共通
符号を付して、その説明を省略する。
説明する。この第２実施例は、ノズル４の先端面４ａを
基板６に平行に広い面積となるように形成すると共に、
ノズル４の先端面４ａと基板６の表面との間のギャップ
Ｇに形成されるクリーン気体の流路断面積がノズル４中
のクリーン気体の流路３１ａの断面積より小さくなるよ
うに、ノズル４の先端面４ａを基板６に近付けて配設し
た点に特徴があり、その他の構成は第１実施例と同様で
ある。従って第１実施例と共通する構成は、図３に共通
符号を付して、その説明を省略する。
【００１９】第２実施例によれば、クリーン気体が基板
６の表面に対して平行に流れることになりダストを外側
方に吹き飛ばすことになり、ダスト除去能力が一層向上
する。
６の表面に対して平行に流れることになりダストを外側
方に吹き飛ばすことになり、ダスト除去能力が一層向上
する。
【００２０】本実施例の場合、ノズル４の中のクリーン
気体の流路３１ａの断面積はおよそ２７ｍｍ2 であり、
ノズル４と基板６との間に形成されるギャップＧは、
１．２ｍｍであり、ギャップＧに形成されるクリーン気
体の流路の断面積はおよそ２２ｍｍ2 である。ギャップ
Ｇは１．５ｍｍ以下であると好適である。
気体の流路３１ａの断面積はおよそ２７ｍｍ2 であり、
ノズル４と基板６との間に形成されるギャップＧは、
１．２ｍｍであり、ギャップＧに形成されるクリーン気
体の流路の断面積はおよそ２２ｍｍ2 である。ギャップ
Ｇは１．５ｍｍ以下であると好適である。
【００２１】次に本発明の第３実施例を図４を参照して
説明する。この第３実施例は基板６の全面にノズル４の
クリーン気体に比較し低圧のクリーン気体を供給すると
共に、基板６の全面を覆うようにカップ状に形成された
クリーン気体供給手段８を備えた点に特徴があり、その
他の構成は第２実施例と同様である。従って第２実施例
と共通する構成は、図４に共通符号を付して、その説明
を省略する。
説明する。この第３実施例は基板６の全面にノズル４の
クリーン気体に比較し低圧のクリーン気体を供給すると
共に、基板６の全面を覆うようにカップ状に形成された
クリーン気体供給手段８を備えた点に特徴があり、その
他の構成は第２実施例と同様である。従って第２実施例
と共通する構成は、図４に共通符号を付して、その説明
を省略する。
【００２２】図４において、９は低圧クリーン気体をク
リーン気体供給手段８に送るホース、１０は整流板であ
る。
リーン気体供給手段８に送るホース、１０は整流板であ
る。
【００２３】第３実施例によれば、クリーン気体供給手
段８にクリーン気体を供給して、内部の整流板１０を介
して基板６を含む空間全体に約０．３ｍ／ｓ〜０．５ｍ
／ｓの流速のクリーン気体（窒素や空気）の流れを作り
出すことができる。
段８にクリーン気体を供給して、内部の整流板１０を介
して基板６を含む空間全体に約０．３ｍ／ｓ〜０．５ｍ
／ｓの流速のクリーン気体（窒素や空気）の流れを作り
出すことができる。
【００２４】前記ノズル４には５ｋｇ／cm2 程度のクリ
ーン気体が供給されているので、クリーン気体によって
除去されたダストが周辺の乱気流の中を浮遊している
が、これらダストをクリーン気体供給手段８からのクリ
ーン気体の流れによって外側方に導くことができる。又
ノズル４からのクリーン気体の吹き出しを停止したと
き、ダストが空間に浮遊しているが、クリーン気体供給
手段８の作動を続行することにより、クリーン気体供給
手段８からのクリーン気体の流れによって前記ダストを
外側方に持ち去ることができ、基板６上へのダストの再
付着を防止できる。
ーン気体が供給されているので、クリーン気体によって
除去されたダストが周辺の乱気流の中を浮遊している
が、これらダストをクリーン気体供給手段８からのクリ
ーン気体の流れによって外側方に導くことができる。又
ノズル４からのクリーン気体の吹き出しを停止したと
き、ダストが空間に浮遊しているが、クリーン気体供給
手段８の作動を続行することにより、クリーン気体供給
手段８からのクリーン気体の流れによって前記ダストを
外側方に持ち去ることができ、基板６上へのダストの再
付着を防止できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、板状被洗浄体を超音波
振動させておいてクリーン気体を吹きつけることで、板
状被洗浄体表面の数μｍ以下のダストを除去することが
でき、低コストの設備で乾燥工程が不要な完全ドライ方
式の洗浄を効果的に行うことができる。
振動させておいてクリーン気体を吹きつけることで、板
状被洗浄体表面の数μｍ以下のダストを除去することが
でき、低コストの設備で乾燥工程が不要な完全ドライ方
式の洗浄を効果的に行うことができる。
【００２６】又本発明において請求項３に記載するよう
に構成すれば、ダスト除去性を一層向上させることがで
きる。
に構成すれば、ダスト除去性を一層向上させることがで
きる。
【００２７】更に本発明において請求項４に記載するよ
うに構成すれば、上記効果に加えて、除去したダストの
板状被洗浄体への再付着を一層確実に防止できる。
うに構成すれば、上記効果に加えて、除去したダストの
板状被洗浄体への再付着を一層確実に防止できる。
【図１】本発明の第１実施例を示す概略一部切断正面
図。
図。
【図２】そのステージを示す概略平面図。
【図３】本発明の第２実施例を示す概略一部切断正面
図。
図。
【図４】本発明の第３実施例を示す概略一部切断正面
図。
図。
【図５】従来例の概略図。
１ ステージ ２ 超音波振動子 ４ ノズル ４ａ ノズルの先端面 ６ 基板（板状被洗浄体） ８ クリーン気体供給手段 Ｇ ギャップ
Claims (4)
- 【請求項１】 板状被洗浄体を保持し、かつ超音波振動
するステージと、板状被洗浄体の表面にクリーン気体を
吹きつけ、かつ板状被洗浄体に対して相対的に可動であ
るノズルとを備えたことを特徴とするドライ洗浄装置。 - 【請求項２】 板状被洗浄体を保持する手段が真空吸着
手段である請求項１記載のドライ洗浄装置。 - 【請求項３】 ノズルの先端面と板状被洗浄体の表面と
の間のギャップに形成されるクリーン気体の流路の断面
積がノズル中のクリーン気体の流路の断面積より小さく
なるように、前記ギャップを設定したことを特徴とする
請求項１又は２記載のドライ洗浄装置。 - 【請求項４】 板状被洗浄体の全面にノズルのクリーン
気体に比較し低圧のクリーン気体を供給すると共に、板
状被洗浄体の全面を覆うようにカップ状に形成されたク
リーン気体供給手段を備えたことを特徴とする請求項
１、２又は３記載のドライ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21070095A JPH0964000A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | ドライ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21070095A JPH0964000A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | ドライ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964000A true JPH0964000A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16593654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21070095A Pending JPH0964000A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | ドライ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964000A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6565669B1 (en) * | 2000-10-31 | 2003-05-20 | Intel Corporation | Vibrating wafer particle cleaner |
| KR100440380B1 (ko) * | 2001-01-16 | 2004-07-14 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 드라이 세정장치 |
| KR100669865B1 (ko) * | 2000-07-25 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 이물질 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치 |
| US20100037820A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor Deposition Reactor |
| US8691669B2 (en) | 2008-08-13 | 2014-04-08 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
| US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US8895108B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-11-25 | Veeco Ald Inc. | Method for forming thin film using radicals generated by plasma |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
| CN105170575A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-23 | 桂林市鑫隆机电工程有限责任公司 | 一种设备干燥洁净装置 |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP21070095A patent/JPH0964000A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
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