TW201700657A - 混成有機─無機材料的組成物及其製造方法與用途以及所述用途的製造方法 - Google Patents

Abstract

製造具有蓋板的光伏打電池的方法包括以下步驟：提供包括結晶矽基板的光伏打電池；提供透明基板；在所述透明基板上形成抗反射塗層以提供經塗佈的透明基板；以及用所述經塗佈的透明基板覆蓋所述光伏打電池。抗反射塗層為混成有機-無機材料，所述混成有機-無機材料具有包括矽、氧以及碳的無機部分且更包括具有連接至所述無機部分的有機基團的有機部分。本發明揭露製造太陽能板、經塗佈的玻璃基板以及抗反射塗層的方法以及新穎的混成有機-無機材料的組成物。

Description

新穎的碳矽氧烷聚合物組成物及其製造方法與使用方法

本發明是有關於可溶液處理的矽氧烷聚合物，具體而言混成碳矽氧烷聚合物材料。本發明亦有關於所述聚合物材料在例如顯示裝置、觸控螢幕裝置以及光伏打裝置及設備等光電子裝置結構中的用途。本發明更有關於在各種光電子裝置製作過程中應用所述材料的方法，且有關於所述材料組成物的合成及聚合方法。

顯示裝置、觸控螢幕裝置、光伏打裝置、照明設備以及建築玻璃單元通常使用單個或多個基板（玻璃、矽、塑膠以及金屬）及多種薄膜材料來製造及構建。裝置內部與外部的基板及材料特性以及相應界面極大地影響裝置的總體效能。

一直需要提高所述裝置在效率、視覺品質及形狀因數（form factor）以及耐用性方面的效能。可在界面處進行優化以使不需要的反射最小化及/或使透射最大化。兩個實例為最大量光輸入耦合至裝置（太陽能模組）中或使裝置（顯示或照明裝置）的光輸出耦合最大化。顯示裝置中的另一重要態樣為使自裝置朝向觀察者的反射最小化。

可在基板界面處施用抗反射塗層以達成光的輸入及輸出耦合。塗層的折射率及厚度被選擇成使得特定界面處的反射最小化且透射最大化。製作抗反射塗層的典型方式為藉由使用濺鍍或化學氣相沈積的真空製程。該些一般為高成本分批製程且在許多情形中（尤其在較大基板尺寸下）為不可接受的。

亦存在多種液相塗層，其可提供良好的抗反射特性，但在硬度、黏著性、抗刮性以及抗汙性及可清潔性方面不足。

在許多應用（例如太陽能模組、顯示裝置以及建築玻璃）中，需要其中將所需特性組合於塗層特性高度持久的單一層中的高效能塗層。

另一需要是有關於供應形成展現例如高抗刮性、高環境耐用性以及穩定性等多個特性以及良好抗反射特性的塗層的材料。

技術問題 基於以上所述，本發明的目標為提供將向基板表面提供塗層的材料組成物，所述塗層具有良好抗反射特性以及至少兩個以下特性：高硬度、黏著性、抗刮性、抗汙性以及可清洗性。

一個目標亦為提供將提供化學上及機械上以及環境上高度穩定的塗層的材料組成物。

本發明的另一目標為製造適於在光電子裝置中用作抗反射層的矽基聚合物組成物，以及新穎種類的具有碳矽烷聚合物塗層的太陽能模組及電池。

本發明的再一目標為提供一種製作抗反射玻璃的方法。

本發明的又一目標為提高光伏打模組及電池的效率。

本發明的又一目標為提高使用有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、發光二極體（light emitting diode，LED）或傳統照明/發光源構建的照明設備、光源以及顯示器的效率。

又一目標為提供在低溫下（具體而言，在約250至500℃的溫度下）以及在高溫下（具體而言，在約550至800℃的溫度下）達到預定抗反射特性及可清潔性的材料。 問題的解決方案

本發明是基於在透明基板上提供抗反射塗層的概念，所述抗反射塗層為混成有機-無機材料，所述混成有機-無機材料具有包括矽、氧以及碳的無機部分且更包括具有連接至所述無機部分的有機基團的有機部分。

當前種類的適合材料可藉由以下方式來製造：水解矽烷單體；將經水解的矽烷單體縮合聚合以形成碳矽氧烷預聚物；以及使所述碳矽氧烷聚合物與至少一種能夠溶解所述聚合物的溶劑及視情況混合至少一種添加劑，以便調配碳矽氧烷預聚物液體組成物。

用於本發明的單體包括例如 式I、式II以及式III的單體： R¹ _a SiX_4-a I 及 R² _b SiX_4-b II 其中 R¹ 及R² 獨立地選自由以下組成的群組：氫、直鏈及分支鏈烷基與環烷基、烯基、炔基、(烷基)丙烯酸酯、環氧基、烯丙基、乙烯基及烷氧基以及具有1至6個環的芳基； 各X獨立地表示可水解基團或烴殘基；以及 a及b為1至3的整數； R³ _c SiX_4-c III 其中 R³ 代表氫、視情況攜帶一個或數個取代基的烷基或環烷基、或烷氧基； 各X獨立地表示具有與上文相同含義的可水解基團或烴殘基；以及 c為1至3的整數； 及其組合， 連同式VI的單體： (R⁶ )₃ Si-Y-Si(R⁷ )₃ ,         VI 其中 R⁶ 及R⁷ 獨立地選自氫及由以下組成的群組：直鏈或分支鏈烷基、環烷基、烯基、炔基、(烷基)丙烯酸酯、環氧基、烯丙基、乙烯基、烷氧基以及具有1至6個環的芳基，且其中所述基團經取代或未經取代；以及 Y為選自未經取代及經取代的二價脂族及芳族基團的鍵聯基團，例如伸烷基、伸芳基、-O-伸烷基-O-；-O-伸芳基-O-；伸烷基-O-伸烷基、伸芳基-O-伸芳基；伸烷基-Z¹ C(=O)Z² -伸烷基、伸芳基-Z¹ C(=O)Z² -伸芳基以及-O-伸烷基-Z¹ (=O)Z² -伸烷基-O-；-O-伸芳基-Z¹ (=O)Z² -伸芳基-O-，其中Z¹ 及Z² 各自選自直接鍵或-O-。

所述單體經均聚合或共聚合以產生相應矽氧烷聚合物。

視情況，所述單體經均聚合或共聚合以產生相應矽氧烷聚合物或預聚物，其可進一步固化以產生高分子量塗層。

由此獲得的矽氧烷聚合物可藉由液相塗佈沈積於玻璃或其他基板（玻璃、塑膠或聚合物）上，以在基板上形成抗反射層。基板可僅在一側上具有抗反射塗層或其可在基板兩側上皆具有抗反射層。亦可能在基板一側或在基板兩側使用彼此疊加兩個（或大於兩個）個別塗層（或其組合）。經塗佈的基板可隨後用作蓋板基板或裝置總成（例如顯示裝置、觸控螢幕裝置、光伏打裝置、照明設備以及建築玻璃單元）中的一個內部基板。

抗反射層通常由厚度在一般而言5奈米至10微米範圍內（例如20奈米至2微米，例如80奈米至1微米）的膜所形成。

基於以上所述，本發明材料可用於製造具有塗層蓋板的光伏打模組及電池的方法。所述方法通常包括以下步驟： — 提供包括結晶矽基板的光伏打電池； — 提供透明基板； — 在基板上由本發明的碳矽氧烷聚合物組成物形成抗反射塗層；以及 — 使用經塗佈的基板覆蓋光伏打電池。

當前種類的新穎太陽能板不僅包括結晶矽基板，而且包括與結晶矽基板層壓在一起的透明基板，且其具有包括矽、氧以及碳的抗反射塗層。

本發明最後提供一種使用混成碳矽氧烷預聚物組成物形成抗反射、高硬度、黏著性、抗刮以及抗汙且可易於清洗的塗層的方法，包括將所述組成物沈積在基板上以形成膜厚度為5奈米至10微米的層。

更具體而言，製造光伏打電池的方法的特徵在於申請專利範圍第1項的表徵部分中所陳述的內容。

根據本發明的太陽能板的特徵在於申請專利範圍第40項的表徵部分中所陳述的內容，且玻璃基板及光伏打電池分別具有由申請專利範圍第57項及第60項的表徵部分中所陳述的抗反射塗層。

製作抗反射玻璃的方法的特徵在於申請專利範圍第70項的表徵部分中所陳述的內容，且提高光伏打電池的效率的方法的特徵在於申請專利範圍第89項的表徵部分中所陳述的內容。

適於製作本發明塗層的組成物在申請專利範圍第98項中進行定義。 本發明的有利效果

藉由本發明獲得相當多的優點。

膜及其他塗層可由本發明組成物製造。抗反射特性以及高硬度、黏著性、抗刮性以及抗汙性與可清潔性的機械持久性及長期穩定性因塗層的化學及物理均勻性質而得以達成及維持。

新穎塗層可用於光電子裝置中以得到改良的透射及反射特性，從而增強裝置的功能性及效能。

因此，可以舉例方式提及具有本發明抗反射塗層的玻璃基板將相較於厚度相同但無相同塗層的相同玻璃而言透射顯著更多（在一個實施例中，至少1.5%或較佳至少2%）的400奈米至800奈米的光。

本發明技術的實施例提供適於藉由使用傳統及有成本效益的常壓沈積加工由液相製造膜（及結構）的材料組成物。

本發明組成物適於藉由使用傳統及有成本效益的常壓沈積加工由液相製造膜及結構，包括旋塗、浸塗、噴霧、噴墨、卷對卷、凹版印刷、柔版印刷、簾塗、滴塗、輥塗、網版印刷塗佈法、擠壓塗佈以及狹縫塗佈。

在下文中，將參照附圖描述實施例。

如上文所簡潔論述，本發明大體而言達成用於製造具有選自高硬度、黏著性、抗刮性、抗汙性以及可清潔性的組合特性的抗反射塗層的新穎混成碳矽氧烷聚合物組成物。

「光伏打電池」為藉由光伏打效應將光能直接轉換成電力的電性裝置。通常，矽基板，例如矽晶圓（或形成p-n接面的其他功能活性層）為光伏打電池的一部分。光伏打電池又是光伏打面板或模組的一部分。

在本發明中，「烷基」通常代表具有1至10個、較佳1至8個、例如1至6個碳原子、例如1至4個碳原子且視情況顯示通常1至5個取代基的直鏈或分支鏈烷基。所述取代基可選自例如鹵素、羥基、乙烯基、環氧基以及烯丙基的群組。

在「烷氧基」中及在二價「伸烷基」及其他類似脂族基中，烷基殘基（或衍生自烷基部分的殘基）具有與以上相同的含義，即，代表相同數目的碳原子（1至10個、較佳1至8個或1至6個或甚至1至4個）且含有如上文所述的取代基。未經取代的伸烷基的實例包括伸乙基及亞甲基及伸丙基。

「伸芳基」代表通常含有1至3個芳環及6至18個碳原子的芳族二價基團。所述基團藉由伸苯基（例如1,4-伸苯基及1,3-伸苯基）及伸聯苯基以及伸萘基或伸蒽基來舉例說明。

伸烷基及伸芳基可視情況經例如1至5個選自羥基、鹵代基（halo）、乙烯基、環氧基及烯丙基以及烷基、芳基及芳烷基的取代基取代。

較佳烷氧基含有1至4個碳原子。實例為甲氧基及乙氧基。

術語「苯基」包括經取代的苯基，例如苯基三烷氧基，具體而言，苯基三甲氧基或三乙氧基，及全氟苯基。苯基以及其他芳族基或脂環基可直接與矽原子偶合或其可經由亞甲基或伸乙基橋鍵與矽原子偶合。

新穎的聚合物材料將更詳細地描述於下文。然而，一般可注意到適用於抗反射塗層的材料是藉由使多個含有矽的單體聚合而獲得。通常，至少一個單體含有矽及氧且另一單體含有矽及碳。單體中存在至少一些選自低碳烷基（例如甲基）的有機基團。

在一個實施例中，提供新材料組成物，其具有適於用作單層塗層的特性以在玻璃表面上達成所需特性組合。

在另一實施例中，提供可在相對低的加工溫度下（例如在最大350℃的溫度下或甚至在約70℃至100℃的溫度下）固化的材料組成物，其使得材料膜或結構可在低溫下固化，例如化學回火玻璃及塑膠/聚合物。

作為另一選擇，在另一實施例中，提供可在高達350℃或甚至高達800℃的溫度下固化的材料組成物，其使得材料膜或結構可在高溫固化（例如玻璃回火）下固化。

在特別受關注的實施例中，獲得在彎曲的玻璃或塑膠或可彎/可撓表面上製造光學上優質的塗層的材料組成物，而所述塗層具有允許所述彎曲/撓曲的機械特性。

在其他實施例中，另外獲得可固化形成光學上透明的（clear）AR（anti-reflective，抗反射）塗層的材料組成物，所述塗層具有垂直於基板表面的高透射性，而且在相對於基板表面的傾斜角度亦具有極高透射性。

所沈積材料可固化形成光學上極透明且均一的AR塗層，所述塗層具有結晶矽電池系的太陽能模組蓋板玻璃的最佳化透射特性，以藉由適當匹配塗層透射性與矽電池吸收特性而得到最大化的輸出功率提高。

其他實施例的材料組成物可固化形成光學上極透明且均一的AR塗層，所述塗層具有薄膜系的太陽能模組（薄膜意指：碲化鎘、硒化銅銦鎵、非晶矽、微晶矽及其他薄膜矽、染料敏化及有機太陽電池或其類似物）蓋板玻璃的最佳化透射特性，以藉由適當匹配塗層透射性與薄膜電池吸收特性而得到最大化的輸出功率提高。

又一實施例包括可沈積產生塗層的材料組成物，所述塗層在固化後顯示出透射率相對於未經AR塗佈的玻璃增加1.5-4.0%，較佳超過2.5%。其他實施例給出將產生塗層的材料組成物，當在蓋板玻璃後側上使用單層塗層時，所述塗層在固化後使得太陽能模組輸出功率相對於未經AR塗佈的模組增加2.0-6.0%，較佳超過3.0%。

當在蓋板基板的第一表面上使用第一抗反射塗層且在蓋板基板與第一基板表面相對的第二表面上使用第二抗反射塗層時，亦可製造在固化後使得太陽能模組輸出功率相對於未經AR塗佈的模組增加5.0-12%、較佳超過6.0%的塗層。第一抗反射塗層可與第二抗反射塗層相似或相同，或可單獨選擇以具有不同特性。

當在OLED基板的第一表面上使用第一抗反射塗層且在OLED基板與第一基板表面相對的第二表面上使用第二抗反射塗層時，亦可製造在固化後使得有機發光二級體（OLED）照明輸出相對於未經AR塗佈的OLED增加10至30%、較佳超過15%的塗層。第一抗反射塗層可與第二抗反射塗層相似或相同，或可單獨選擇以具有不同特性。

聚合物組成物較佳為可熱固化及/或視情況可輻射固化的材料。膜的圖案化可經由直接微影圖案化、傳統微影遮蔽及蝕刻程序、壓印及壓花、噴墨印刷、3D（3 Dimention，3維）/4D（4 Dimention，4維）印刷來進行，但並非僅限於此。

熱固化可在傳統烘箱、IR（Infrared，紅外線）烘箱、回火爐中或藉由吹乾或類似方式進行。固化可涉及藉由額外熱固化或真空或吹乾步驟至少部分去除載體溶劑（在使用時的情況下）的預固化階段。

本發明實施例未區分不同玻璃類型。所述玻璃類型包括厚玻璃及薄玻璃以及未回火、化學回火及熱回火玻璃。一般而言，玻璃的厚度通常為5毫米或小於5毫米，具體而言4毫米或小於4毫米，通常3.2毫米或小於3.2毫米，在一些實施例中3毫米或小於3毫米及例如2毫米或小於2毫米，或在一些實施例中甚至0.8毫米及0.5毫米或小於0.5毫米。

在化學回火玻璃的情形中，必須具有可在350℃的溫度下或較佳在低於250℃的溫度下固化的塗層組成物。當塗層在玻璃回火後施用時，相同低溫要求適用於熱回火玻璃的情形。

對於一些應用，提供產生塗層的材料組成物，所述塗層在固化後顯示出在632奈米下1.5至1.2且較佳1.45至1.25的折射率。材料組成物的其他實施例產生在固化後顯示出在632奈米下2.2至1.5且較佳1.6至1.8的折射率的塗層。

在另一實施例中，獲得能夠形成平滑且均一的AR塗層表面以防止灰塵積聚的材料組成物。AR塗層的平均表面粗糙度（average surface roughness，Ra）應在0.5奈米至5.0奈米之間且較佳低於2.5奈米。

實施例亦包括產生在固化後水接觸角超過90°、較佳超過100°的平滑且均一的塗層表面的應用，所述塗層表面連同產生組合效應的表面形態的效應進一步防止灰塵積聚。

關於塗層（包括上文所揭示的各種實施例的所有塗層）的硬度，本發明技術一般提供在固化後顯示出3H-9H、更佳超過4H的鉛筆硬度的塗層。

以上參數是藉由如下文結合實例所解釋的標準化方法來測定。因此，舉例而言，油接觸角可藉由將一滴正十六烷置於蓋板的表面上且量測其接觸角來量測。

在一個實施例中，矽氧烷預聚物的分子量為60,000至120,000公克/莫耳。

在一個實施例中，矽氧烷預聚物的分子量為2,000至10,000公克/莫耳。

在一個實施例中，由數種預聚物的摻合物或混合物所形成的矽氧烷預聚物的分子量為20,000至60,000公克/莫耳。

在一個實施例中，沈積於基板上的矽氧烷聚合物在固化後的分子量為30,000公克/莫耳至10,000,000公克/莫耳，具體而言約50,000至5,000,000公克/莫耳、100,000公克/莫耳至1,000,000公克/莫耳。

在可與任何以上實施例組合的一個實施例中，塗層的厚度為約80奈米至1微米，具體而言約90奈米至600奈米。

一般而言，本發明材料組成物提供本質上為非晶形的塗層。

基於上述內容，使用混成碳矽氧烷預聚物組成物形成塗層的方法通常包括以下步驟，所述塗層顯示出選自抗反射、高硬度、黏著性、抗刮性、抗汙性以及易清潔塗層的群組的至少一個、較佳兩個特性 — 視情況調節混成碳矽氧烷預聚物組成物材料的液體組成物的固體含量，以產生所沈積膜的所需膜厚度及選擇適用於特定塗佈方法的溶劑； — 視情況添加光活性或熱活性添加劑或觸媒至所述組成物； — 將所述組成物沈積於基板上以形成膜厚度為5奈米至10微米的層， — 視情況熱處理所沈積的膜， — 視情況使所沈積的材料層經受UV曝露，以及 — 視情況熱處理所沈積及/或曝露的膜

混成材料的厚度可為例如50至1000奈米，在一些情況中較佳300奈米至600奈米，具體而言90至125奈米。

在一個實施例中，在基板上形成抗反射塗層包括藉由液相塗佈將碳矽氧烷聚合物沈積於基板上及在200℃或低於200℃下烘烤。

在另一實施例中，在基板上形成抗反射塗層包括藉由液相塗佈將碳矽氧烷聚合物沈積於基板上及在500至800℃下、較佳在600至700℃下烘烤。

在第三實施例中，在基板上形成抗反射塗層包括藉由液相塗佈將碳矽氧烷聚合物沈積於基板上及在200至550℃下、較佳在250至350℃下烘烤。

在一特定實施例中，塗層可包括氟，任何氟的原子%為高達10，而矽的原子%為20至30，其中碳的原子%為10至70，且氧的原子%為5至60。

在一替代實施例中，塗層包括氟，氟的原子%為4至7，其中矽的原子%為20至30，其中碳的原子%為20至60，且其中氧的原子%為10至30。

在其他實施例中，抗反射塗層符合以下定義中的一者： — 矽的原子%為20至32.5，其中碳的原子%為5至55，且其中氧的原子%為20至62.5， — 矽的原子%為20至30，其中碳的原子%為20至70，且其中氧的原子%為5至40； — 矽的原子%為20至30，其中碳的原子%為20至60，且其中氧的原子%為10至40；或 — 矽的原子%為20至30，其中碳的原子%為45至55，且其中氧的原子%為20至25。

視情況，例如均化劑（levelling agent）、無機、有機添加劑以及碳奈米管、奈米金剛石、奈米晶體以及類似物等添加劑可添加至組成物以進一步改良最終塗層特性或塗層表面特性。

結構及製程的特別實施例描述於附圖中。

首先轉向參照圖1，其示出經塗佈基板的截面，可注意到參考數字示出基板100，在基板100頂部已排列材料塗層110。

圖3示出材料層在基板頂部上的沈積製程的典型順序。步驟1包括基板製備，步驟2包括塗佈製程且步驟3包括塗層固化至其最終形式。

在圖1及圖3中以參考數字100及300標記的基板（以及其他圖中相應的基板）可為各種厚度的鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃或任何其他玻璃基板類型或塑膠類型。基板可為未回火、熱回火玻璃或化學回火玻璃且其可具有不同表面處理，包括藉由各種表面處理劑或在無各種表面處理劑的情況下拋光、研磨、洗滌。基板表面可為平坦的或可在其中具有表面紋理或具有其中具有表面紋理或無表面紋理的基板上的其他層。

在圖1及圖3中以參考數字110、310標記的材料塗層（以及其他圖中對應的塗層）是藉由使用濕式化學塗佈製程施用，較佳使用旋塗、浸塗、噴塗、噴墨、卷對卷、凹版印刷、柔版印刷、簾塗、滴塗、輥塗、網版印刷塗佈法、擠壓塗佈以及狹縫塗佈，但並非僅限於此。在濕式化學塗佈步驟之後，存在視情況選用的過量溶劑移除步驟，接著為使用熱固化或UV固化或亦可為兩者組合的固化步驟。熱固化可視情況與玻璃的熱回火步驟組合進行。

圖2示出在基板200與材料塗層210之間使用視情況選用的塗層或表面處理化學試劑205。

塗層205可為活化基板200表面以達成基板200與材料塗層210之間的良好黏著的底塗劑層（primer layer）。或者，其亦可為提供實例額外的玻璃腐蝕防護的（圖案化或未圖案化）塗層、擴散障壁、導電或半導體塗層或起改良總塗層堆疊的光學特性作用的光學塗層。

與圖1及圖2類似，圖4a及圖4b示出基板400的截面表示，但在此情形中，基板兩側用材料塗層410及420塗佈。與圖3類似，圖5示出基板兩側材料層的沈積製程的典型順序。視情況，另一塗層或表面處理化學試劑505及515可用於基板500與材料塗層510及520之間。

材料塗層510及520可為相同塗佈材料或其可為不同材料。視情況選用的材料塗層或表面處理化學試劑505及515可為相同塗佈材料或其可為不同材料。若塗層彼此不同且亦視所用沈積技術而定，則可能需要在各塗層的沈積之間進行額外的塗層固化（在濕式化學塗佈步驟之後，存在視情況選用的過量溶劑移除步驟，接著為使用熱固化或UV固化或亦可為兩者組合的固化步驟。熱固化可視情況與玻璃的熱回火步驟組合進行）。

下面的圖6a及圖6b示出基板600及材料塗層610（單側）以及視情況在基板600上（兩側）具有材料塗層620的截面影像。除材料層之外，使用額外圖案化製程（使用奈米壓印、壓花、卷對卷、凹版印刷、柔版印刷、輥塗、噴墨、網版印刷、噴塗及或UV微影作為圖案化製程）將表面結構（奈米標度或微米或毫米標度）形成於材料膜以產生材料一個塗層或多個塗層的額外光學、物理或化學特性。

圖7示出基板700頂部上的材料層710的沈積及圖案化製程的典型順序。步驟1包括基板製備，步驟2包括塗佈製程，步驟3包括材料塗層的圖案化製程（此可包括熱固化及UV固化或兩者的組合）且步驟4包括塗層固化以形成其最終形式。視沈積及圖案化技術而定，步驟2及步驟3可組合為一個單一步驟。視情況，層720可在後側經圖案化。亦可能使材料層710在頂部作為未圖案化層且隨後使材料層720在後側經圖案化或反之亦然。

圖1-圖7中所述的基板可為顯示裝置、觸控螢幕裝置、光伏打裝置（電池、模組、面板）、半導體裝置、照明設備（LED、OLED、標準照明設備）以及建築玻璃單元或類似物中的蓋板基板[或內部基板]。基板通常為玻璃，但亦可為塑膠或聚合物。如上所示，材料塗層可在基板的外表面上或在基板的內表面上。 蓋板玻璃基板類型：

在市場上存在許多不同的蓋板玻璃類型可用於上述裝置總成中。可用的玻璃組成物類型為石英玻璃、藍寶石玻璃、鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、矽酸鉛玻璃以及鋁硼矽酸鹽玻璃，此處僅舉幾個實例。存在三種主要的玻璃製造製程類型：浮式玻璃生產製程（float process）、溢流熔融製程以及狹縫下拉製程。用作蓋板玻璃的玻璃可為未回火、熱回火玻璃或化學回火玻璃且其可具有不同表面處理，包括藉由各種表面處理劑或在無各種表面處理劑的情況下拋光、研磨、洗滌。

浮式玻璃生產製程為製造太陽能模組蓋板玻璃的典型方法。視情況，關於浮式玻璃生產製程，應用一組輥（輥製玻璃製程）來提供太陽能玻璃（紋理化玻璃）的特定表面紋理。

表面紋理改良太陽能模組中的蓋板玻璃的光學效能。通常，在模組玻璃的向陽側使用精細波紋（紋理）且在內側（面向層壓側上的電池）使用較深波紋（範圍介於近乎錐形至其他紋理）。

用於結晶矽太陽能模組的大部分蓋板玻璃為紋理化玻璃（使用未紋理化及紋理化兩者）。用於薄膜模組的蓋板玻璃大部分為未紋理化玻璃。對於平板熱太陽能模組，使用紋理化及未紋理化玻璃兩者。當玻璃離開浮式生產爐時，將其切成一定尺寸（例如1.6米×1.1米；典型結晶矽模組尺寸）且進行缺陷檢查以驗證玻璃主體（glass bulk）及表面品質。

此後，在進入回火爐之前通常施用最少磨邊及洗滌。通常，用於結晶矽模組的玻璃為熱回火玻璃或化學回火玻璃。在熱回火玻璃的情形中，在基板進入回火爐之前施用塗佈以獲得玻璃的最終固化及強化。在化學回火玻璃的情形中，玻璃首先經化學回火，此後施用塗佈且玻璃及塗層在最大350℃的溫度下固化。通常，所用玻璃厚度範圍介於8毫米至0.5毫米或可能為甚至更薄的玻璃。對於化學回火，較低厚度為可能的。通常，1.0毫米-2毫米為玻璃熱回火成功的限值。存在許多不同儀器類型用於進行熱回火。亦存在許多不同儀器類型及方法進行玻璃的化學回火。視情況，玻璃已為熱回火玻璃（在塗佈製程之前）則僅可使用較低溫度熱固化以進行塗層的最終固化（否則將失去熱回火的強化效應）。亦在使用未回火玻璃的情形中，若不需要玻璃回火，則塗層可只是藉由使用較低溫度固化來固化。AR塗層通常施用在鈉鈣玻璃的「錫側」上。在太陽能熱管道的情形中，最常用的玻璃為硼矽酸鹽玻璃。

作為一個示例性實施例，在結晶矽模組的情形中對玻璃塗佈製程的描述（使用熱回火製程）說明如下：

圖8示出AR塗層施用於鈉鈣玻璃上的典型順序。

步驟A. 玻璃清潔：玻璃清潔通常使用採用去離子（de-ionized，DI）水+刷洗/超音波的自動工具來進行，且可涉及視情況使用清潔劑或表面處理劑。所用洗滌水亦可經加熱或處於室溫下。

步驟B. 玻璃的預加熱（視情況選用）：玻璃清洗步驟之後為視情況選用的玻璃的預加熱步驟。預加熱應用於自玻璃清潔單元出來的玻璃。溫度可為100℃至200℃且固化時間為25至30秒，但這些並非絕對限值。視情況，洗滌水可處於高溫下且起預加熱玻璃的作用。

步驟C. 塗佈：在視情況預加熱之後，液相AR塗層藉由使用輥塗工具沈積於玻璃上（不同類型的輥塗機存在不多；此處給出的參數是針對單側反向輥塗工具）。典型參數可包括：傳送帶速度7米/分鐘，塗佈輥目標速度6-7米/分鐘，刮刀輥速度與塗佈輥相同且壓輥速度6.5米/分鐘。

輥塗工具沈積於玻璃基板上的典型濕膜厚度為約8-15微米厚（產生通常所需的80-120奈米的最終固化膜厚度；視塗佈材料固體濃度而定）。塗佈製程需要仔細調整以在整個玻璃區域上產生均一、無缺陷的高光學品質塗層。塗層調配物對如何可獲得品質優良的塗層具有大影響。主要因素為玻璃表面的可濕性、塗佈溶劑沸點以及塗佈材料黏度。

塗佈溶液通常為非常稀的調配物，因此溶劑在這些特性中發揮重要作用。塗佈溶液的固體含量範圍介於0.8%至5.0%。溶液的典型較佳黏度範圍介於1-5厘泊，較佳1.5-3.0厘泊。溶劑的沸點選擇範圍介於80℃至200℃。亦可使用溶劑混合物。

除上述輥塗以外，材料塗層可視情況藉由使用其他濕式化學塗佈製程施用，例如旋塗、浸塗、噴塗、噴墨、卷對卷、凹版印刷、柔版印刷、簾塗、滴塗、輥塗、網版印刷塗佈法、擠壓塗佈以及槽縫/狹縫塗佈，但並非僅限於此。

步驟D. 固化：在塗佈步驟之後為視情況選用的固化步驟。若不施用回火步驟，則固化可為塗層的最終固化。溫度可在100℃至400℃的範圍內變化，且時間可為30秒至30或甚至60分鐘。烘烤可為連續移動生產線爐或類似物。亦可視情況使用真空或加壓氣流，以在固化之前推動過量溶劑。若回火作為後續步驟施用，則視情況選用的固化可在較低溫度下進行較短時間以在回火之前預固化塗層。

步驟E. 回火：玻璃的熱回火通常藉由使用範圍介於600℃至800℃的溫度一段時間（通常約1秒直至120秒）來進行。回火固化概況視玻璃厚度、回火爐類型等而定。回火後可為額外DI水清潔步驟，且然後經塗佈的玻璃準備用於模組總成或包裝。

上述整個生產線可為自一個步驟至另一步驟的完全自動化玻璃塊（glass piece）加工，或可在所述步驟之間包括人工玻璃搬運步驟。此外，以上塗佈功能可為玻璃製造生產線或結晶矽模組製造生產線的組成部分。

亦可將塗佈單元（例如噴塗）整合至實際浮式玻璃生產線中。在此選項中，材料將沈積於自浮式玻璃生產爐出來在切割之前或在剛切割以後處於冷卻階段的移動玻璃上。

圖9表示結晶矽模組的典型結構。

作為一個示例性實施例，說明結晶矽太陽能模組的典型構築及製造。 矽晶圓：

製造太陽能電池的原料為矽晶圓，其為多晶矽晶圓或單晶矽晶圓。在單晶矽晶圓中，整塊具有一個單晶體取向。多晶矽晶圓由於其結晶塊（ingot）生長製程而含有多個具有各種矽晶取向的晶粒。粒度一般為約數毫米。多晶晶圓表面上該些晶粒的存在賦予其獨特外觀，且所述晶粒由裸眼可見。每一晶粒由單晶取向組成。

通常，業界所用的矽晶圓為p 型矽晶圓。呈硼原子形式的雜質通常在結晶塊生長期間引入至矽晶中。由於硼原子在其外殼中相較於矽少一個電子而為p 型矽晶圓，此意指其產生正極性。p 型矽中的少數載體壽命量測（帶負電）電子在與（帶正電）電洞再結合之前可獨立殘存多久。理想上，電子必須儘可能長時間的殘存且較佳長到足以具有機會由p-n 接面集中，以有助於由太陽能電池生成電流。

如先前所提及，摻雜的引入增加矽材料的電導率。摻雜至矽中的硼原子愈多，矽晶圓的電導率愈高（因此晶圓的電阻率愈低）。晶圓電阻率為起始晶圓的重要參數，因為其決定晶圓的少數載體壽命。摻雜愈多一般導致少數載體壽命愈短且反之亦然。對於具有完整Al背面場（back surface field，BSF）設計的網版印刷太陽能電池，最佳晶圓電阻率值為約1歐姆-公分。

晶圓厚度為起始晶圓的另一個重要參數。晶圓的厚度為太陽能電池機械強度的主要因素。由晶圓生產觀點來看，生產較薄晶圓會節約成本。然而，較薄晶圓易於在加工期間引起更多斷裂，因此降低生產良率。除機械含義之外，晶圓的厚度亦對太陽能電池的電特徵具有影響。較厚晶圓意味著其具有更多矽來吸收光。然而，此光吸收效應對於極厚的晶圓重要性降低，因為大部分光實際上在矽晶圓的數微米內被吸收。僅弱吸收的低能量光子朝著矽晶圓的後表面吸收。晶圓的厚度亦對後表面鈍化的重要性具有影響。

若少數載體（在p 型矽的情形中，電子）具有足夠長的壽命以使其可傳輸且到達矽晶圓的後表面，則後表面鈍化變得極為重要。然而，若少數載體不具有長到足以到達矽的後表面的壽命（因為晶圓太厚或因為少數載體壽命太短），則後表面鈍化不再重要。此因為若無少數載體（電子）到達後表面，則在後表面無法發生再結合。

一般在業界中，使用156毫米×156毫米或125毫米×125毫米大小的晶圓。對於相同晶圓厚度，較大晶圓尺寸易於降低晶圓的機械強度。此可能在加工期間引起更多晶圓斷裂。然而，由製造成本觀點來看，較佳具有較大晶圓尺寸，因為成本結構為所加工電池的數目的一個更重要因素，而非所加工電池的尺寸。由電學觀點來看，較大尺寸電池需要所產生的電流跨越晶圓傳輸較長距離以自裝置向外提取。此在設計前部金屬柵線（metal finger）及匯流條用於前表面接觸時具有含義。 切割損傷蝕刻（saw damage etch，SDE）及表面紋理化：

SDE製程的目的為當晶圓自其結晶塊切下時，移除所有由鋸切製程所引起的切割損傷。鋸切製程以在極高速下旋轉的薄金屬線形式使用強大的機械力。由於此過度的力，所得晶圓表面非常粗糙且具有深入晶圓深處的裂隙。SDE旨在移除損傷的表面層以及留在晶圓表面上的任何有機/金屬殘餘物。此確保提供清潔且無缺陷的表面用於後續加工。紋理化製程的目的為使晶圓表面粗糙以降低晶圓的總體表面反射。平面矽晶圓為大致具有約30%的反射率。此意指落在表面上的30%的光反射離開。若晶圓表面反射性較小，則該些光有機會被吸收於矽晶圓中且可有助於由太陽能電池生成電流。

多晶晶圓的SDE/紋理化製程使用兩種化學試劑的混合物：氫氟酸（HF）及硝酸（HNO₃ ）。有時可添加去離子水（H₂ O）或乙酸（CH₃ COOH）至所述混合物以進行更穩定蝕刻。此蝕刻劑廣泛用於半導體製作中作為矽的蝕刻劑。此蝕刻為各向同性的，意指在所有方向以相同速率蝕刻矽而不考慮晶體取向。此化學混合物亦稱為HNA蝕刻（hydrofluoric nitric acetic，氫氟酸、硝酸）或酸蝕刻（因為其含有酸性溶液）或等向性蝕刻（因為其為各向同性的）。 發射極擴散：

發射極擴散製程的目的為將不同極性的摻雜物或雜質引入至矽晶圓以產生p-n 接面（或二極體）。對於起始p 型（正極性）晶圓，此意指發射極必須具有n 型（陰性）極性。磷原子常用作n 型摻雜劑以生產此n 型發射極。p-n 接面（符合兩個相對極性的界面）充當少數載體的集電極，其對太陽能電池操作為必不可少的。

太陽能電池本質上為在每一極性側（陰性及陽性）具有電極的p-n 接面或二極體。在太陽能製作中，用於引入n 型雜質（磷）的方法稱為固態擴散製程。其為固態，因為存在兩種彼此緊密接觸的固體（在一側的矽及在另一側的含磷層）。磷必須本質上自固體一側擴散（或移動）至另一側。可以想像，迫使原子自固體移動至固體需要極高能量輸入。能量通常以熱能形式供應，此為固態擴散製程必須在極高溫度（800-1000℃）下進行的原因。

通常，在發射極擴散製程完成之後表徵兩個晶圓參數：（1）少數載體壽命及（2）發射極片電阻。

如先前所提及，擴散製程涉及高溫，若在此製程期間任何污染物被驅入矽晶圓中，則可能縮短少數載體壽命。因此，在所述製程之後監測少數載體壽命對於品質控制而言為重要的。發射極片電阻（emitter sheet resistance，SHR）基本上為發射極（n 型）層電阻率的量度。 邊緣接面隔離（Edge junction isolation）：

邊緣接面隔離製程的目的為自太陽能電池的邊緣及後面移除任何n 型矽層。在磷擴散製程期間，不可避免的是一些磷亦在晶圓的邊緣及在較小程度上晶圓的後側擴散。在晶圓的邊緣及後面上的該些『不需要的』n 型層提供電子自前側n 型發射極層流至後面p 型層的導電路徑。此效應不利於太陽能電池的效能，因為這些電子應已輸送至金屬觸點以便自裝置向外提取。此製程中所用的化學試劑與SDE/紋理化製程相同，其為HF/HNO₃ 混合物，但具有較低濃度。此化學試劑在晶圓後側蝕刻數微米的矽且輕微的（lesser degree）蝕刻晶圓邊緣。不可避免地，在前側邊緣亦發生一些蝕刻。此前側蝕刻應儘可能地最小化。 磷矽酸鹽玻璃（Phosphosilicate glass，PSG）移除：

PSG移除製程的目的為自擴散製程的殘留物的頂面移除殘餘磷矽酸鹽玻璃（PSG）層或五氧化二磷（ P₂ O₅ ）層（參見上文關於擴散製程的描述，以回憶為什麼PSG存在於頂面上）。

雖然PSG層為薄膜介電層（其基本上為富含磷的氧化物層），但晶圓的頂面上為什麼不希望有此PSG層有兩個主要原因：1.在矽晶圓表面頂部上的PSG層不提供優良的抗反射特性。因此，此PSG層需要在沈積具有較佳抗反射特性的介電層（例如SiN）之前完全移除。2.在矽晶圓表面頂部上的PSG層不提供優良的表面鈍化特性。因此，此PSG層需要在沈積具有較佳表面鈍化特性的介電層（例如SiN）之前完全移除。與SiN不同，PSG不含有多晶晶圓晶粒邊界的本體鈍化所需的原子氫。HF蝕刻PSG層，由此自前表面移除磷氧化物薄膜層的所有痕跡或殘餘物。若蝕刻製程成功，則理想地在整個PSG層已完全移除之後，Si表面被暴露以備SiN沈積於矽表面的頂部上。 氮化矽（SiN）作為電池表面抗反射塗層：

在晶圓的頂面上沈積氮化矽（SiN）介電薄膜的目的為例如以下：1.其充當太陽能電池前表面上的抗反射塗層，減少入射光的反射。2.其提供太陽能電池的前表面鈍化，減少太陽能電池前表面上的再結合。3.其含有大濃度的原子氫，原子氫可在經受高溫處理時（例如當燃燒金屬時）被釋放且提供對多晶晶圓（尤其是在晶粒邊界）的本體鈍化。將氮化矽（SiN）介電薄膜沈積於太陽能電池前表面上的最常見方式為藉由稱為電漿增強型化學氣相沈積（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）的方法。如其名稱所提示，用於形成SiN的化學試劑以蒸氣或氣體形式沈積。由於SiN含有矽（Si）及氮（N）兩者，故源氣體必須含有此兩個元素。 鋁及銀金屬化：

網版印刷製程的主要目的為在太陽能電池的前部（n 型觸點）及後部（p 型觸點）兩者上施用金屬電極。該些電極在自太陽能電池向外提取由光生成的電流（電子）時為關鍵的。因此，電極必須具有儘可能小的電阻。存在兩種金屬常用於網版印刷太陽能電池。第一種為銀（Ag）且另一種為鋁（Al）。存在各種不同類型的糊劑（paste）材料，範圍介於傳統較大粒徑糊劑至奈米大小顆粒尺寸金屬糊劑。Ag通常應用於n 型接觸電極且Al通常應用於p 型接觸電極。此乃因Al與p 型矽而非n 型矽接觸極好（低電阻）。另一方面，Ag可與n 型矽及p 型矽兩者接觸良好。此外，Ag為高度導電材料（但昂貴）。Al不如Ag導電，但導電性仍極好。Al經選擇用於後側p 型觸點，因為Al亦為p 型摻雜劑，此有助於在後側產生必要的背面場（back surface field，BSF）用於初步後表面鈍化。

將金屬電極應用於工業太陽能電池的最常見方式為網版印刷。金屬必須呈糊劑形式以便可網版印刷。網版設計在網版印刷製程中為極其重要的。網版通常安裝在鋁框架上以便易於搬運及結構完整性。接著將高張力不鏽鋼網目（mesh）附接在框架上。在網目下方為具有一定厚度的乳化層。乳液通常由根據所需圖案來圖案化的聚合物材料製成。網版印刷製程將金屬糊劑沈積於太陽能電池的頂面及後表面上。

在沈積之後，該些金屬不與下層矽表面進行任何電接觸。僅在燃燒（下一製程步驟）之後，在金屬與矽之間形成低電阻電接觸。網版印刷製程僅將適當金屬置於將進行接觸的地方。所述製程通常藉由目視檢查（藉由裸眼及藉由光學顯微鏡兩者）網版印刷線路（在前表面上）及後表面線路來評估。

需查看的前表面網格線的最重要的參數為：（1）整個前表面的寬度及高度的均一性，（2）順著柵線（finger）檢查是否存在任何破壞以及（3）金屬柵線在前表面區域上的定位。對於後表面印刷，在Ag/Al匯流條帶與Al完整區域之間的對準對於檢查以及印刷金屬與晶圓表面之間的總體對準而言為重要的。 銀及鋁共燃燒：

燃燒製程的主要目的為三方面：（1）在銀（Ag）與n 型矽發射極層之間形成接觸；（2）自SiN釋放原子氫（H）至矽晶圓以進行多晶矽的本體鈍化；以及（3）在鋁（Al）與p 型矽基底之間形成接觸及形成Al BSF層以進行後表面鈍化。

燃燒製程使晶圓經受快速高溫處理（快速熱退火），此活化金屬且使其與矽反應。金屬糊劑通常含有增加金屬糊劑侵襲力的玻璃粉。玻璃粉增強金屬糊劑燃燒穿過可存在於金屬與矽之間的任何介電層的能力。高溫處理亦允許金屬與矽進行良好的歐姆接觸。

彼此接觸的銀與矽在約840℃下開始熔融且形成合金。因此，燃燒溫度必須至少達到此溫度以使銀與n 型發射極層形成歐姆接觸。銀金屬糊劑的燃燒為具有窄製程窗口（narrow process window）的極關鍵的製程。當在燃燒期間經受高溫時，原子氫自SiN膜釋放至矽晶圓。熱量為氫原子提供能量且使其自由移動。熱處理的持續時間強烈影響原子氫自SiN釋放的程度。

對於鋁觸點，p 型矽與鋁通常進行極好的歐姆接觸，即使當僅在低溫下燒結時。矽與鋁的合金化在577℃的「共晶溫度」下開始發生。高於此溫度，矽與鋁將熔融且開始彼此合金化。在冷卻期間，摻雜鋁的p 型矽在後部開始磊晶再生長（epitaxial re-growth），此產生被重度摻雜的p+型矽層或者稱為背面場（BSF）。

亦存在大量其他類型的太陽能電池製造方法，且在材料選擇及結構方面的變化為巨大的。 太陽能模組組裝：

最簡化形式的模組組裝通常包括以下階段：第一階段為用蓋板玻璃、電池以及囊封（encapsulation）材料與背板構築層壓物；且第二階段為用框架、接線盒以及封裝組件構築太陽能模組。

電池可以多種方式連接。電池可以自動化方式、藉由手工或兩者的一些組合而連接。架線（stringing）製程為自動化製程，且僅包括獲取原料及生產串聯電連接的串接（string）（例如10個電池）的製程。架線製程的原料包括電池、助焊劑以及銲帶（ribbon）。在架線之後進行鋪疊（lay-up）。鋪疊將線彼此靠近地置放在太陽能層壓物上且隨後經由十字接頭連接各線以使得線彼此串聯。

在一些實施例中，乙烯乙酸乙烯酯（ethylene vinyl acetate，EVA）層裝配在結晶矽與基板之間。

層壓為模組工廠中最重要的製程之一。光伏打層壓機藉由在真空下在約150℃下固化EVA約20分鐘來囊封太陽能模組。EVA起初為不透明的且直至在真空下熔融且固化才顯示出所需特性。一旦熔融，EVA便開始硬化且固化以增強模組的強度。囊封太陽能模組的目的為提供太陽能電池的透明結構支撐且在電池之間提供電絕緣。其他層壓材料亦可以膜形式或液體形式用於提供太陽能模組的囊封。

在層壓之後，將層壓物進行修整且隨後將接線盒置於其上。自玻璃邊緣修整EVA及背板為影響許多下游製程的製程。修整製程的品質可不利地影響涉及玻璃邊緣的各下游製程。所述製程包括安置模組、施用邊緣膠帶以及安裝框架隨後為模組的最終表徵及包裝。模組玻璃可為厚度範圍介於0.7毫米至8毫米的厚玻璃或薄玻璃。或甚至可考慮更厚或更薄的玻璃。背板可為基於聚合物膜的背板、金屬，且在一些情形中，額外（或代替聚合物背板或金屬）薄玻璃亦可層壓在模組的背面上。

圖10示出AR塗層施用於薄膜模組的鈉鈣玻璃上的典型順序。作為一個示例性實施例，於玻璃上施用塗層說明如下：

待塗佈的薄膜模組的蓋板玻璃可已在上面具有透明導電氧化物（Transparent Conductive Oxide，TCO）塗層或為空的未經TCO塗佈的玻璃。此外，玻璃可為預回火或未回火玻璃。玻璃存在平坦性要求且此在預回火玻璃使用方面設置限制。預回火玻璃亦具有在約350 -400C下的最大熱量限制，其可應用於預回火玻璃的固化。回火製程通常不應用於薄膜加工蓋板玻璃。若使用化學回火玻璃，則平坦性不是問題，但可用於塗層固化的最大固化溫度同樣為約350℃。

步驟A. 玻璃清潔：玻璃清潔通常使用採用DI水+刷洗/超音波的自動工具來進行，且可涉及視情況使用清潔劑或表面處理劑。所用洗滌水亦可經加熱或處於室溫下。

步驟B. 玻璃的預加熱（視情況選用）：玻璃清洗步驟之後為視情況選用的玻璃的預加熱步驟。預加熱應用於自玻璃清潔單元出來的玻璃。溫度可為100℃至200℃且固化時間為25至30秒。視情況，洗滌水可處於高溫下且起預加熱玻璃的作用。

步驟C. 塗佈：在視情況預加熱之後，液相AR塗層藉由使用輥塗工具沈積於玻璃上（存在數種不同類型的輥塗機；此處給出的參數是針對單側反向輥塗工具）。典型參數可包括：傳送帶速度7米/分鐘，塗佈輥目標速度6-7米/分鐘，刮刀輥速度與塗佈輥相同且壓輥速度6.5米/分鐘。輥塗工具沈積於玻璃基板上的典型濕膜厚度為約8-15微米厚（產生通常所需的80-120奈米的最終固化膜厚度；視塗佈材料固體濃度而定）。

塗佈方法需要仔細調整以在整個玻璃區域上產生均一、無缺陷的高光學品質塗層。塗層組成物的調配物對如何可獲得品質優良的塗層具有大影響。主要因素為玻璃表面的可濕性、塗佈溶劑沸點以及塗佈材料黏度。塗佈溶液通常為非常稀的調配物，因此溶劑在這些特性中發揮重要作用。塗佈溶液的固體含量範圍介於0.8%至4.0%。溶液的典型較佳黏度範圍介於1-5厘泊。溶劑的沸點選擇範圍介於80℃至150℃。除上述輥塗以外，材料塗層可視情況藉由使用其他濕式化學塗佈製程施用，例如旋塗、浸塗、噴塗、噴墨、卷對卷、凹版印刷、柔版印刷、簾塗、滴塗、輥塗、網版印刷塗佈法、擠壓塗佈以及槽縫/狹縫塗佈，但並非僅限於此。

D. 固化：在塗佈步驟之後為固化步驟。溫度可介於200℃至400℃之間且時間介於30秒與30分鐘之間。烘烤可為連續移動生產線爐或類似物。亦可視情況使用真空及/或空氣以在固化之前推動過量溶劑。若在玻璃後側上施用視情況選用的材料層，則如圖10中所述及上文所述重複循環。必要時，可為了已沈積的基板尺寸使用保護手段以防止污染或損壞。

在一或多個塗層施用步驟之後，玻璃繼續前進至如圖11中（及稍後正文中）所示的前部電極等沈積步驟。

上述整個生產線可為自一個步驟至另一步驟的完全自動化玻璃塊加工，或可在所述步驟之間包括人工玻璃搬運步驟。此外，以上塗佈功能可為玻璃製造生產線或薄膜模組製造生產線的組成部分。

基於以上所述，在一個實施例中，用於形成太陽能板的方法包括以下步驟： — 提供具有第一側及相對的第二側的第一透明平面基板； — 在基板的第一側上沈積第一抗反射塗層； — 在第一基板的第二側上形成： o 第一透明導電層， o 至少一個用於吸收光及分隔電荷載體的活性層，以及 o 第二透明導電層；以及 — 將第二透明基板黏結至所述第二導電層以形成太陽能板。

通常，在形成第一透明導電層之前，在玻璃或塑膠基板的第二側上形成視情況選用的第二抗反射塗層。

較佳，第一抗反射塗層的鉛筆硬度為至少4H，且第二抗反射塗層的鉛筆硬度小於第一抗反射塗層。

在前述實施例中，第一透明導電層及第二透明導電層可包含氧化銦錫、氧化錫或氧化鋅。其亦可包含所指示種類的摻雜氧化物，例如摻雜有氟或鋁的對應金屬氧化物。

在上述實施例中，第一電極可為包括摻雜F的氧化錫及摻雜Al的氧化鋅的重疊層的多層結構。第二電極可由包括至少一個純金屬（例如銀）層及至少一個視情況摻雜有鋁的金屬氧化物（例如氧化鋅）層的多層結構所形成。

在一個實施例中，第二抗反射塗層具有能夠增加光陷阱（light trapping）的表面構形。

至少一個活性層可包含非晶矽、多晶矽或結晶矽。至少一個活性層亦可包含碲化鎘或硒化銅銦鎵。

較佳，在以上所揭示的技術中，活性層形成有機太陽能電池或量子點太陽能電池。

在一個較佳實施例中，第二抗反射塗層可包含金屬氧化物。因此，舉例而言，在第二抗反射塗層中，金屬依據原子%的含量為1至40、例如20至30，其中矽的原子%為0或至多15，其中碳的原子%為5至30，且其中氧的原子%為5至60。

在較佳實施例中，第二抗反射塗層藉由使用金屬氧化物（鈦、鉭、鍺、鋁、鋯或類似氧化物）聚合物來形成。所述聚合物可純粹由一個金屬氧化物類型製得或可為兩者或多於兩者的混合物。此外，金屬氧化物聚合物可具有有機官能基且亦可含有矽聚合物，合成為基質或作為單獨的聚合物混合以形成預聚物塗層調配物。表2列出用由示例性實施例所示的組成物及預聚物調配物（以下材料合成實例16-29）塗佈且固化的玻璃基板的表徵結果。

可藉由使用純金屬氧化物或混合金屬氧化物或矽與金屬氧化物的組合達到約1.45至2.1的折射率。薄膜太陽能模組的典型組態的一個示例性實施例示出於圖11中。

作為裝置結構的一個示例性實施例，以下給出一個薄膜系的太陽能模組類型的典型構築以及其製造的詳細描述。 非晶矽太陽能電池：

非晶矽（amorphous silicon，a-Si）為非結晶形式的矽。其為已在市場上數年的充分發展的薄膜技術之一。與結晶矽太陽能電池技術相比，a-Si太陽能電池的典型特徵如下：

a-Si的技術相對簡單且便宜。對於給定層厚度，a-Si比c-Si吸收更多能量（約2.5倍）。a-Si膜需要少得多的材料，重量較輕且較便宜。其可構築在各種各樣的基板上，包括可撓性、彎曲以及可滾移（roll-away）類型的基板。基板由於囊封而通常為玻璃。其總效率為約10-15%，仍低於結晶矽但在不斷提高。存在可用的所謂的單個接面及串聯接面式（tandem junction version）。與單個接面相比，串聯接面可吸收更多光，傳遞更高效率。非晶Si吸收藍/綠光，微晶Si吸收紅光/紅外線（infrared，IR），串聯接面將其組合在一起，吸收可見光及IR光譜兩者。

與晶圓系的太陽能模組不同，薄膜太陽能電池可直接在玻璃基板上製造為大規模太陽能模組。製程流程可描述如下（僅給出製程的一般表述）： 1.   藉由使用材料塗層1，如上所述塗佈裸露的玻璃基板前表面（錫側）表面，隨後塗層固化。視情況，亦使用材料塗層2塗佈後表面，隨後塗層固化。視情況，基板已在玻璃後表面上具有TCO塗層。在此情況下，僅將材料塗層1沈積至玻璃前側。 2.   將TCO層沈積為模組的前觸點（在已經TCO塗佈而無需TCO沈積步驟的玻璃的情形中）。 3． 基板清潔，清潔經TCO塗佈的玻璃（在以下步驟之後亦可應用額外清潔步驟）。 4.   用雷射切割，雷射劃線（第1次）。在清潔之後，根據所需輸出電流及輸出電壓，藉由使用雷射劃線器來形成個別電池的單獨前電極的TCO圖案。 5． 在雷射切割之後，藉由使用玻璃洗滌器清潔基板（經TCO塗佈的玻璃）。 6.   預加熱。 7.   沈積薄膜Si，用於a-Si/μc-Si沈積的PECVD系統。在單獨前電極的情況下，藉由使用PECVD來沈積光伏打材料的活性層。在串聯Si薄膜太陽能電池的情形中，活性層包括非晶矽（「a-Si」）p-i-n層及微晶矽（「c-Si」）p-i-n層。 8.   冷卻玻璃基板。 9.   切割薄膜Si，雷射劃線（第2次，綠光），個別電池的單獨活性層的第二次雷射圖案化。 10.  濺鍍背電極。在第二次雷射圖案化之後，藉由使用濺鍍塗佈背接觸電極。 11.  切割背電極，雷射劃線（第3次，綠光）。將基板劃線成各單個電池。 12.  去除邊緣沈積且清潔以便後續模組囊封。 13.  藉由太陽能模擬器測試。 14.  模組囊封。模組囊封存在三個重要製程，包括鋪疊接觸以便接線盒導電整合、用一塊背板或背襯玻璃（back glass）層壓以及安裝接線盒。 15.  藉由最終密封或定框完成太陽能電池模組的加工。藉由使用太陽能模擬器作為模組總成的最終站而確保完整模組的特性。

應注意，以上僅為薄膜系太陽能模組構築的一個實例，且替代性構築及方法全部由本發明技術所涵蓋。

替代類型的太陽能模組包括具有碲化鎘、硒化銅銦鎵層的薄膜太陽能模組類型；其他薄膜矽系的類型；染料敏化及有機太陽能電池；以及與前述類似的其他太陽能模組。

以上兩個實例描述產物在結晶矽及薄膜矽太陽能模組中的使用。達成效率改良的相同原理應用於管式（tube version）及平板式（flat plate version）的聚光太陽能模組及熱太陽能模組，且亦應用於熱太陽能模組/單元的聚光管式。在後一種情形中，在基板的兩側使用抗反射塗層且在兩側採用本發明材料的低折射率抗反射塗層版本為有益的。

圖12中給出顯示裝置、照明設備蓋板或構築玻璃的一個示例性實施例。

圖12示出蓋板基板（基板1200）在一側或兩側經塗佈的顯示裝置的截面。

同樣，若在蓋板基板（基板1200）與顯示單元的其餘部分之間存在空氣間隙，在裝置的後側上具有低折射率塗層為有益的。若裝置蓋板基板（基板1200）將觸控感測器組合在蓋板基板的後側上，在兩者之間的後側或在ITO導體圖案的頂部使用較高折射率層同樣有利於反射匹配最佳功能。亦可使用先前描述的薄膜太陽能模組（以蓋板基板大小）作為顯示裝置中的蓋板基板。完整薄膜太陽能模組堆疊必須在透射方面最佳化，且使反射損失最小化。同樣，對於此顯示器整合的薄膜太陽能模組且亦對於後部基板，可使用額外反射匹配或AR層。視情況，薄膜活性區域可按使其覆蓋顯示器蓋板基板的邊緣區域的方式加以設計（例如使用典型黑色基質或白色基質區域）。

照明設備為在照明設備單元的蓋板基板（基板1200）上使用雙側AR層為有益的其他實例。光的最大輸出耦合有益於使自蓋板基板的反射損失最小化，可藉由在蓋板玻璃（基板1200）的兩側使用抗反射塗層來達成。照明設備可為LED照明設備、OLED照明設備或具有蓋板基板的普通照明設備。若裝置蓋板基板（基板1200）同時為在後側上構築OLED的基板，則在基板與第一OLED電極之間的後側使用較高折射率層有益於反射光輸出偶合最佳化功能。

類似地，塗層可施用於構築物或普通玻璃以使反射最小化且增加透射並提供易於清潔、耐用的表面。在此種情形中，基板1200（無1230）將用作窗框（window frame）及元件中的單個上釉（glazing）（或雙重或三重上釉部分）單元。

太陽能模組的典型條件測試要求包括： — 具有經塗佈的玻璃的模組的濕熱（damp heat）穩態測試（恆定+85℃及85%相對濕度持續1000小時） — 具有經塗佈的玻璃的模組的溫度循環測試（循環：-40℃至+85℃，持續200個循環） — 具有經塗佈的玻璃的模組的濕冷凍測試（在85%相對濕度下，-40℃至+85℃，持續10個循環）

測試的通過準則為塗層的光學、機械以及其他物理特性在測試之後不應變化。表1列出經由示例性實施例所示的組成物及預聚物調配物（以下材料合成實例1-15）塗佈且固化的玻璃基板，在濕熱穩態測試（在恆定+85℃及85%相對濕度下1000小時）前後所量測的表徵結果，且表示抗反射穩定性（在平均透射增益方面的變化最小）及水接觸角穩定性。

進行混成有機-無機矽氧烷聚合物的合成及聚合，以便獲得具有以下特性的組成物，所述特性為使其適用作裝置基板表面上具有組合的高抗反射性、高硬度、黏著性、抗刮性以及抗汙性及可清潔性的單層塗層。此外，所述組成物在典型條件測試之後提供所述特性的持久性。

在一個實施例中，使用矽烷單體（且具體而言使用矽烷單體的組合）作為起始材料來合成矽氧烷聚合物。

矽氧烷聚合物的前驅體分子可為四官能、三官能、二官能或單官能分子。四官能分子具有四個可水解基團；三官能分子具有三個可水解基團；二官能分子具有兩個；且單官能分子具有一個。前驅體分子（即，矽烷單體）可具有有機官能基。前驅體分子亦可為雙矽烷。

必要時，使用聚合物、溶劑或溶劑混合物、視情況選用的添加劑或觸媒以及額外加工助劑調配液相塗佈溶液。

濕式化學塗層由此塗佈溶液藉由任何典型液體施用（塗佈）方法製備，較佳使用旋塗、浸塗、噴塗、噴墨、卷對卷、凹版印刷、柔版印刷、簾塗、滴塗、輥塗、網版印刷塗佈法、擠壓塗佈以及狹縫塗佈，但並非僅限於此。在最終固化製程步驟之後，塗層展示優良的機械塗層特性，包括黏著性及硬度（即，抗刮性及耐磨性）以及抵抗各種基本環境條件的優良抗性，兩者能夠使其在高要求應用中用作薄玻璃上非常薄的層。

由化學觀點來看，此塗層經最佳化以展示處於平衡狀態（均勻地遍及塗層基質）的中等疏水性及疏油性特徵，考量了符合長期效應的該些特徵之間的平衡。此外，所述塗層為單層系統，其經組合以使其除易於清潔的特性以外展示光學最佳化抗反射特徵。由於塗層的經微調化學組成及抗反射性以及化學均質性及薄物理特徵，維持了玻璃的透明性質（clear nature）及顏色再現性（color repeatability），故在應用領域為高度優選的。由於塗層的化學及物理均質性質，故達成了機械持久性且維持了長期時間範圍的效應。

根據一個實施例，根據本發明的製程包括水解且聚合根據式I及式II中任一者或兩者的單體： R¹ _a SiX_4-a I 及 R² _b SiX_4-b II 其中 R¹ 及R² 獨立地選自由以下組成的群組：氫、直鏈及分支鏈烷基與環烷基、烯基、炔基、(烷基)丙烯酸酯、環氧基、烯丙基、乙烯基及烷氧基以及具有1至6個環的芳基； 各X獨立地表示可水解基團或烴殘基；以及 a及b為1至3的整數。

另外，可使用與式I或式II的單體或至少一種對應於式III的單體的組合： R³ _c SiX_4-c III 其中 R³ 代表氫、視情況攜帶一個或數個取代基的烷基或環烷基、或烷氧基； 各X獨立地表示具有與上文相同含義的可水解基團或烴殘基；以及 c為1至3的整數。

在以上各式中的任一者中，可水解基團具體而言為烷氧基（參見式IV）。

如以上所討論，本發明提供使用三或四烷氧基矽烷製造有機矽氧烷聚合物。矽烷的烷氧基可為相同或不同，且較佳選自具有下式的自由基的群組 -O-R⁴ IV 其中R⁴ 代表具有1至10個、較佳1至6個碳原子的直鏈或分支鏈烷基，且視情況顯示出一或兩個選自鹵素、羥基、乙烯基、環氧基以及烯丙基的群組的取代基。

在一個實施例中，本發明方法包括使用至少一種雙矽烷單體製造均聚物、或與其他單體（例如根據式I至式III的單體中的一或多者）一起製造共聚物、或製造與不含所述雙矽烷單體的聚合物摻合或混合的均聚物或共聚物。

根據一個較佳實施例，雙矽烷較佳選自對應於式VI的分子： (R⁶ )₃ Si-Y-Si(R⁷ )₃ ,         VI 其中 R⁶ 及R⁷ 獨立地選自氫及由以下組成的群組：直鏈或分支鏈烷基、環烷基、烯基、炔基、(烷基)丙烯酸酯、環氧基、烯丙基、乙烯基、烷氧基以及具有1至6個環的芳基，且其中所述基團經取代或未經取代；以及 Y為選自未經取代及經取代的二價脂族及芳族基團的鍵聯基團，例如伸烷基、伸芳基、-O-伸烷基-O-；-O-伸芳基-O-；伸烷基-O-伸烷基、伸芳基-O-伸芳基；伸烷基-Z¹ C(=O)Z² -伸烷基、伸芳基-Z¹ C(=O)Z² -伸芳基以及-O-伸烷基-Z¹ (=O)Z² -伸烷基-O-；-O-伸芳基-Z¹ (=O)Z² -伸芳基-O-，其中Z¹ 及Z² 各自選自直接鍵或-O-。

示例性雙矽烷包括1,2-雙(三甲氧基矽烷基)甲烷、1,2-雙(三乙氧基矽烷基)甲烷、1,2-雙(三甲氧基矽烷基)乙烷、1,2-雙(三乙氧基矽烷基)乙烷、1-(二甲氧基甲基矽烷基)-1-(三甲氧基矽烷基)甲烷、1-(二乙氧基甲基矽烷基)-1-(三乙氧基矽烷基)甲烷、1-(三甲氧基甲基矽烷基)-2-(二甲氧基矽烷基)乙烷、1-(二甲氧基甲基矽烷基)-2-(三甲氧基矽烷基)乙烷、1-(二乙氧基甲基矽烷基)-2-(三乙氧基矽烷基)乙烷、雙(二甲氧基甲基矽烷基)甲烷、雙(二乙氧基甲基矽烷基)甲烷、1,2-雙(二氯甲基矽烷基)乙烷、1,2-雙(三氯矽烷基)乙烷、1,2-雙(二甲氧基甲基矽烷基)乙烷、1,2-雙(二乙氧基甲基矽烷基)乙烷、1,2-雙(三甲氧基矽烷基)苯、1,2-雙(三乙氧基矽烷基)苯、1,3-雙(三甲氧基矽烷基)苯、1,3-雙(三乙氧基矽烷基)苯、1,4-雙(三甲氧基矽烷基)苯、1,4-雙(三乙氧基矽烷基)苯。

其他實例包括：4,4′-雙(三乙氧基矽烷基)-1,1′-聯苯；1,4-雙(三乙氧基矽烷基)苯；1,3-雙(三乙氧基矽烷基)苯。

以上前驅體分子縮合聚合以獲得最終矽氧烷聚合物組成物。一般而言，在三官能、二官能以及單官能分子的情形中，前驅體分子的其他官能基（視可水解基團數目而定）可為有機官能基，例如直鏈、芳基、環狀、脂族基團。此等有機基團亦可含有反應性官能基，例如胺基、環氧基、丙烯醯氧基、烯丙基或乙烯基。此等反應性有機基團可視情況在熱或輻射起始的固化步驟期間反應。熱敏感及輻射敏感起始劑可用於由材料組成物達成特定固化特性。

特別合適的單體選自以下群組：三乙氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、甲基二乙氧基乙烯基矽烷、正十八烷基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、菲-9-三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、丙烯醯氧基丙基-三甲氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、乙氧基環己基乙基三甲氧基矽烷、二苯基矽烷二醇、1,2-雙(三甲氧基矽烷基)甲烷、1,2-雙(三甲氧基矽烷基)乙烷、甲基丙烯酸縮水甘油酯、二甲基二甲氧基矽烷、1-(2-(三甲氧基矽烷基)乙基)環己烷-3,4-環氧化物、1,2-雙(三乙氧基矽烷基)乙烷、(十七氟-1,1,2,2-四-氫癸基)三甲氧基矽烷、1H, 1H, 2H, 2H-全氟癸基三甲氧基矽烷、三甲氧基(3,3,3-三氟丙基)矽烷及其混合物。

在一個實施例中，提供聚合組成物，其以下述莫耳比含有式I及式II及式III（一者、兩者或三者）以及式VI的單體的殘基，（式I及/或式II及/或式III的單體合計）:（式VI的單體）的莫耳比為100:1至1:100、具體而言50:1至1:50、例如20:1至1:20、例如10:1至1:10。

在一個實施例中，式VI的單體對根據式I至式IIII的單體中的一者、兩者或三者的單體的莫耳比為50:100-1:100。

根據一個較佳實施例，當使用以上單體時，用於水解及縮合的單體中的至少一者選自具有式I或式II的單體，其中至少一個取代基為能夠提供經塗佈膜的疏水性及疏油性特徵的基團。為了製備預聚物，源自所述單體的單元的莫耳部分（或由單體總量計算的含有活性基團的單體的莫耳部分）為約0.1至70%、較佳約0.5至50%、具體而言約1至40%。在一些情形中，基團將以按單體的莫耳部分計約1至15%的濃度存在。

根據一個較佳實施例，當使用以上單體時，用於水解及縮合的單體中的至少一者選自具有式I至式III及式VI的單體，其中至少一個單體為根據式VI的單體（雙矽烷）。為了製備預聚物，源自所述單體的單元的莫耳部分（或由單體總量計算的含有活性基團的單體的莫耳部分）為約0.1至100%、較佳約0.5至50%、具體而言約1至30%。在一些情形中，活性基團將以按單體的莫耳部分計約50至100%的濃度存在。

根據一個實施例，至少50莫耳%的單體選自四乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正丁基-三乙氧基矽烷、甲基二乙氧基乙烯基矽烷以及二甲基二乙氧基矽烷及其混合物的群組。

在一個實施例中，式I至式IV中的任一者的單體均聚合以產生聚合物。

在另一實施例中，兩種或大於兩種相同式的單體（即，式I、式II、式III-包括式IV中的一種或數種）共聚合以產生聚合物。在另一實施例中，一個式（例如式I）的至少一種單體與至少一個其他式（例如式II或式III）的至少一種單體共聚合以產生聚合物。

在本發明的上下文中，術語「聚合物」將用於均聚物及共聚物。

基於以上所述，且如以下實例中將出現，本發明技術包括一個實施例，其中 — 將至少一種或數種式I至式III的單體均聚合或共聚合，較佳藉由首先水解所述單體且隨後使其縮合聚合，以形成含有具有式I至式III的單體的殘基的第一均聚物或共聚物；以及 — 至少一種式VI的單體均聚合或共聚合，較佳藉由首先水解所述單體且隨後使其縮合聚合，以形成含有具有式VI的單體的殘基的均聚物或共聚物；以及 — 混合所述獲得的第一聚合物及第二聚合物以形成聚合物摻合物。

亦如以下實例中將出現，本發明技術包括另一實施例，其中 至少一種式I至式III的單體及至少一種式VI的單體共聚合，較佳藉由首先水解所述單體且隨後使其縮合聚合，以形成含有具有式I至式III及式VI的單體的殘基的共聚物。

在另一適用於以上方法的實施例中，式I至式III及式VI的至少一種單體（較佳2種或大於2種單體）及其組合進行水解及縮合聚合或共聚合以使得 — 水解在小於2的pH下進行， — 含有所述單體的有機相用水或水溶液洗滌，接著 — 經洗滌的有機相用pH超過11的鹼性試劑（例如胺）處理，以及最後 — 由此獲得的有機相用水洗滌，以將pH調節至7至9範圍內的值。

已發現，具有高分子量的聚合物可藉由前述實施例獲得。

在一個實施例中，由此獲得的聚合物的分子量為約300至120,000公克/莫耳，通常3000至100,000公克/莫耳。因此，其適用作預聚物，在沈積之後能夠固化以產生分子量為約30,000至10,000,000公克/莫耳、通常約40,000至5,000,000公克/莫耳或70,000至1,000,000公克/莫耳的最終聚合物。

在一個實施例中，矽氧烷組成物在溶劑相中包括矽氧烷聚合物，其中 — 部分交聯的預聚物具有藉由重複-Si-O-單元所形成的矽氧烷主鏈，且分子量在約4,000至約30,000公克/莫耳的範圍內，所述矽氧烷主鏈顯示出約5至70%的-Si-O-單元的量的羥基，且另外顯示出由重複單元的量計算的1至30莫耳%的量的環氧基；以及 — 所述組成物更包括以固體物質的重量計0.1-3%的至少一種陽離子性光反應化合物。

矽氧烷聚合物的合成分兩步驟進行。在第一合成步驟（在下文中亦稱為水解步驟）中，前驅體分子通常在水及觸媒（例如鹽酸或硝酸或另一無機或有機酸或鹼）存在下水解，且在第二步驟（聚合步驟）中，材料的分子量藉由縮合聚合或其他交聯（視選擇什麼前驅體進行合成而定）而增加。用於水解步驟的水的pH通常小於7、較佳小於4、具體而言小於2。

可較佳在一些情形中，在合適觸媒存在下進行縮合聚合。在此步驟中，增加預聚物的分子量以有助於材料的合適特性以及膜沈積及加工。

包括水解、縮合以及交聯反應的矽氧烷聚合物合成可使用惰性溶劑或惰性溶劑混合物（例如丙酮或丙二醇單甲醚乙酸酯（propylene glycol monomethylether acetate，PGMEA））、「非惰性溶劑」（例如醇）或在無溶劑的情況下進行。所用溶劑影響最終矽氧烷聚合物組成。反應可在鹼性、中性或酸性條件中在觸媒存在下進行。前驅體的水解可在水（過量水、化學計量之量的水或低於化學計量之量的水）存在下進行。可在反應期間施加熱量且可在反應期間使用回流。

本發明預聚物的存放期（shelf life）穩定性通常為在室溫下至少3個月、較佳在室溫下超過6個月。

必要時，在預聚合步驟結束時，聚合物通常藉由例如用封端基團（例如羥基）將聚合物鏈封端而穩定（例如達到以上存放期穩定性要求）。合適的試劑為矽烷基化合物。這些矽烷基化合物包括氯三甲基矽烷、氯二甲基乙烯基矽烷、乙氧基三甲基矽烷、乙氧基二甲基乙烯基矽烷以及甲氧基三甲基矽烷。

通常，在進一步縮合之前，自材料移除過量水，且若需要，在此階段下可將溶劑更換成另一合成溶劑。此其他合成溶劑可充當矽氧烷聚合物的最終加工溶劑或最終加工溶劑中的一者。殘餘的水及醇以及其他副產物可在進一步縮合步驟結束之後移除。可在調配步驟期間添加額外加工溶劑以形成最終加工溶劑組合。可在最終過濾矽氧烷聚合物之前添加例如熱起始劑、輻射敏感起始劑、界面活性劑等添加劑以及其他添加劑。在組成物調配之後，聚合物準備用於加工。

適用於合成的溶劑為例如丙酮、四氫呋喃（tetrahydrofuran，THF）、甲苯、1-丙醇、2-丙醇、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、丙二醇丙基醚、甲基第三丁基醚（methyl-tert-butyl ether，MTBE）、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、丙二醇單甲醚（propylene glycol monomethylether，PGME）以及丙二醇丙基醚（propylene glycol propyl ether，PnP）、丙二醇-單丁醚(propandiol-monobutyl ether，PNB）、2-丙醇（2-propanol，IPA）、甲基異丁基酮（methyl isobutyl ketone，MIBK）、二醇醚（乙二醇醚、丙二醇醚）、乙酸丁酯、甲基乙基酮（methyl ethyl ketone，MEK）乙酸酯或該些溶劑或其他合適溶劑的混合物。

在合成之後，材料使用適當溶劑或溶劑組合稀釋以得到固體含量及塗佈溶液特性，此與所選膜沈積方法一起將產生預選擇的膜厚度。適用於調配的溶劑為例如1-丙醇、2-丙醇、乙醇、丙二醇單甲醚、丙二醇丙基醚（PNP）、甲基第三丁基醚（MTBE）、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、丙二醇單甲醚（PGME）以及PNB、IPA、MIBK、二醇醚（乙二醇醚、丙二醇醚）、乙酸丁酯、MEK乙酸酯或該些溶劑或其他合適溶劑的混合物。最終塗佈膜厚度必須根據各裝置及結構製造製程而經最佳化。

視情況，在合成之後將起始劑或觸媒化合物添加至矽氧烷組成物。可與在聚合期間添加的起始劑類似的起始劑用於產生可在UV固化步驟中起始「活性」官能基的聚合的物質。因此，就環氧基而言，可使用陽離子或陰離子起始劑。在具有雙鍵的基團作為合成材料中的「活性」官能基的情形中，可使用自由基起始劑。熱起始劑（根據自由基、陽離子或陰離子機制起作用）亦可用於促進「活性」官能基的交聯。光起始劑的適當組合的選擇亦視所用曝光源（波長）而定。

由矽氧烷聚合物的質量計算，光反應性或熱反應性化合物在組成物中的濃度一般為約0.1至10%、較佳約0.5至5%。

熱敏感及/或輻射敏感材料組成物的圖案化可經由直接微影圖案化、傳統微影遮蔽及蝕刻程序、壓印及壓花來進行，但並非僅限於此。

所述組成物可用於製造在相對低的加工溫度下（例如在最大350℃的溫度下或甚至在100℃的溫度下以及在該些限值之間的範圍內）固化的層。

然而，由所述材料組成物形成的塗層亦可在較高溫度（即，超過375℃且直至400℃或甚至直至800℃的溫度）下固化，使得材料膜或結構可在高溫固化（例如玻璃回火）下固化，且此外可與後續高溫沈積步驟（例如濺鍍、燃燒、熱蒸發及/或CVD製程）組合。

在膜沈積（視情況圖案化）及固化之後，材料膜及/或結構能夠承受侵襲性環境條件且具有高機械耐用性及化學穩定性，由此實現且維持抗汙性及易於清潔特性以及抗反射特性的長期穩定性。

在下文中，本發明將借助於許多可行實例加以說明，所述實例給出更多上述矽氧烷聚合物塗佈組成物製備的細節。

不同施用製程所需的溶劑變數包括：丙二醇丙基醚（PNP）、PGMEA、PGME、丙二醇單丁基醚（PNB）、2-丙醇（IPA）、甲基第三丁基醚（MTBE）、甲基異丁基酮（MIBK）、二醇醚（乙二醇醚、丙二醇醚）、乙酸丁酯、MEK乙酸酯或該些溶劑或其他合適溶劑的混合物。

以下非限制性實例說明本發明技術的實施例。材料合成實例： 實例1：

將四乙氧基矽烷（50公克）、甲基三甲氧基矽烷（30公克）、異丙醇（370公克）以及硝酸（80公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液3小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（700公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（800公克）。將三乙胺（2.0公克）添加至溶液中。使溶液回流2小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（650公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（600公克）。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例2：

將四乙氧基矽烷（50公克）、甲基三甲氧基矽烷（30公克）、異丙醇（370公克）以及硝酸（80公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液3小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（700公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（800公克）。將三乙胺（2.0公克）添加至溶液中。使溶液回流2小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（650公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（600公克）。添加氯三甲基矽烷（0.15公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得準備用於加工的溶液。 實例3：

將四乙氧基矽烷（40公克）、甲基三甲氧基矽烷（25公克）、異丙醇（320公克）以及硝酸（50公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（600公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（600公克）。將三乙胺（1.5公克）添加至溶液中。使溶液回流1.5小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（550公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇甲基醚乙酸酯（500公克）。添加氯三甲基矽烷（0.15公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇甲基醚乙酸酯。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例4：

將四乙氧基矽烷（40公克）、甲基三甲氧基矽烷（25公克）、異丙醇（320公克）以及硝酸（50公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（600公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（600公克）。將三乙胺（1.5公克）添加至溶液中。使溶液回流1小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（550公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成1-甲氧基-2-丙醇（500公克）。添加氯三甲基矽烷（0.15公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至1-甲氧基-2-丙醇。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例5：

將四乙氧基矽烷（30公克）、甲基三甲氧基矽烷（20公克）、異丙醇（200公克）以及硝酸（40公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（500公克）。將三乙胺（0.15公克）添加至溶液中。使溶液回流1.5小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（250公克）。添加氯三甲基矽烷（0.1公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至異丙醇。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例6：

將四乙氧基矽烷（200公克）、甲基三甲氧基矽烷（70公克）、異丙醇（500公克）以及硝酸（100公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（2000公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（500公克）。將三乙胺（2.1公克）添加至溶液中。使溶液回流30分鐘。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（2000公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（250公克）。添加氯三甲基矽烷（0.05公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得方法備用溶液。 實例7：

將四乙氧基矽烷（200公克）、異丙醇（800公克）以及鹽酸（80公克）混合在一起且使溶液回流2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（2500公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（500公克）。將三乙胺（0.2公克）添加至溶液中。溶液在室溫下攪拌2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（2000公克）洗滌溶液。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（500公克）。添加氯三甲基矽烷（0.1公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例8： 合成1

將異丙醇（3771公克）、硝酸（804公克）、四乙氧基矽烷（570公克）以及甲基三甲氧基矽烷（373公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液3小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（7000公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（4000公克）。將三乙胺（25.4公克）添加至溶液中。使溶液回流40分鐘。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（7500公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇單甲醚乙酸酯（8000公克）。添加氯三甲基矽烷（3.25公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。聚合物的所得分子量為約75 000- 80 000公克/莫耳。 合成2

將丙酮（2560公克）、1,2-雙(三乙氧基矽烷基)乙烷（600公克）以及硝酸（200公克）混合且使溶液回流45分鐘。在回流之後，將溶劑更換成丙二醇甲基醚（2400公克）。將材料固體含量調節成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得方法備用溶液。聚合物的分子量為約2000-2500公克/莫耳。 合成3

將丙酮（1200公克）、2-丙醇（400公克）、1,2-雙(三乙氧基矽烷基)乙烷（390,5公克）、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（2.05公克）、(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)三甲氧基矽烷（6.02公克）以及硝酸（125公克）混合且使溶液在65C下回流60分鐘。在回流之後，將溶劑更換成丙二醇甲基醚（1200公克）。自固體含量添加乙氧基三甲基矽烷（1.60公克）且在105C下回流30分鐘。在回流之後，將溶劑更換成丙二醇甲基醚（50公克）。將材料固體含量調節成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。聚合物的分子量為約5000-7000公克/莫耳。 合成4

將丙酮（1900公克）、2-丙醇（630公克）、1,2-雙(三乙氧基矽烷基)乙烷（580公克）、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（4.5公克）、(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)三甲氧基矽烷（28公克）以及硝酸（340公克）混合且使溶液在65C下回流120分鐘。在回流之後，將溶劑更換成丙二醇甲基醚（1800公克）。將材料固體含量調節成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。聚合物的分子量為約2500-7000公克/莫耳。

實例8A：合成1的聚合物材料溶液用丙二醇甲基醚調配至固體含量2.6%。在調配之後，材料可直接供使用。

實例8B：合成1的聚合物材料溶液與合成2的聚合物材料溶液組合，使得固體聚合物的比率分別為85:15。聚合物溶液的混合物用丙二醇甲基醚調配至固體含量2.7%。在調配之後，材料可直接供使用。

實例8C：合成1的聚合物材料溶液與合成2的聚合物材料溶液組合，使得固體聚合物的比率分別為70:30。聚合物溶液的混合物用丙二醇甲基醚調配至固體含量2.7%。在調配之後，材料可直接供使用。

實例8D：合成1的聚合物材料溶液與合成3的聚合物材料溶液組合，使得固體聚合物的比率分別為85:15。聚合物溶液的混合物用丙二醇甲基醚調配至固體含量2.7%。在調配之後，材料可直接供使用。

實例8E：合成1的聚合物材料溶液與合成4的聚合物材料溶液組合，使得固體聚合物的比率分別為85:15。聚合物溶液的混合物用丙二醇甲基醚調配至固體含量2.7%。在調配之後，材料可直接供使用。 實例9：

將四乙氧基矽烷（45公克）、甲基三甲氧基矽烷（30公克）、三氟丙基-三甲氧基矽烷（5公克）、異丙醇（200公克）以及硝酸（35公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（500公克）。將三乙胺（0.15公克）添加至溶液中。使溶液回流2小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（250公克）。添加乙氧基三甲基矽烷（0.1公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得方法備用溶液。 實例10：

將四乙氧基矽烷（15公克）、甲基三甲氧基矽烷（9公克）、異丙醇（100公克）以及硝酸（20公克）混合在一起且使溶液回流1小時。在回流之後，將溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（300公克）。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例11：

將四乙氧基矽烷（45公克）、甲基三甲氧基矽烷（30公克）、(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)三甲氧基矽烷（6.5公克）、異丙醇（200公克）以及硝酸（38公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（500公克）。將三乙胺（0.15公克）添加至溶液中。使溶液回流2小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（250公克）。添加氯三甲基矽烷（0.1公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例12：

將四乙氧基矽烷（45公克）、甲基三甲氧基矽烷（30公克）、3-(三甲氧基矽烷基)丙基甲基丙烯酸酯（20公克）、異丙醇（200公克）以及硝酸（30公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（500公克）。將三乙胺（0.15公克）添加至溶液中。使溶液回流2小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（250公克）。添加氯三甲基矽烷（0.1公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例13：

將四乙氧基矽烷（45公克）、甲基三甲氧基矽烷（30公克）、3-縮水甘油氧基丙基-三甲氧基矽烷（22公克）、異丙醇（200公克）以及硝酸（30公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（500公克）。將三乙胺（0.15公克）添加至溶液中。使溶液回流2小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（250公克）。添加氯三甲基矽烷（0.1公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例14：

將四乙氧基矽烷（45公克）、甲基三甲氧基矽烷（30公克）、1,2-雙(三乙氧基矽烷基)乙烷（12公克）、異丙醇（200公克）以及硝酸（30公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（500公克）。將三乙胺（0.15公克）添加至溶液中。使溶液回流2小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（900公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成丙二醇丙基醚（250公克）。添加乙氧基三甲基矽烷（0.1公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至丙二醇丙基醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例15：

將四乙氧基矽烷（40公克）、甲基三甲氧基矽烷（25公克）、異丙醇（320公克）以及3M硝酸（50公克）混合在一起且在室溫下攪拌溶液2小時。在攪拌之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（600公克）洗滌混合物。將洗滌溶液的溶劑更換成異丙醇（600公克）。將三乙胺（1.5公克）添加至溶液中。使溶液回流1小時。在回流之後，藉由使用蒸餾水及甲基第三丁基醚（550公克）洗滌材料。將洗滌溶液的溶劑更換成2-甲氧基乙醇（500公克）。添加氯三甲基矽烷（0.15公克）作為封端劑，且使材料回流1小時。在回流之後，將材料進一步蒸餾至2-甲氧基乙醇。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。

在以上實例1、2、3、4、5、6、7、8（合成1、8A）、9、11、12、13、14、15中，水解步驟中的pH為1-2。在第一「稀釋水/甲基第三丁基醚」洗滌步驟之後，溶液的pH為5-7。在鹼（三乙胺）存在下在pH 10-12下進行進一步縮合聚合。在第二「稀釋水/甲基第三丁基醚」洗滌步驟之後，洗滌溶液的pH基本上中和至6-8。

在以上均聚物實例2、3、4、5、6、7、8（合成1、8A）、9、11、12、13、14、15中，藉由氯三甲基矽烷或乙氧基三甲基矽烷進行封端（termination/end-capping）。

相比之下，實例1中的材料在合成期間未封端。

藉由封端，可實現預聚物調配物穩定性的進一步改良。 表1 表2 實例16：

將異丙醇鈦（20.00公克）及1-乙氧基-2-丙醇（100毫升）秤量至500毫升燒瓶中且攪拌30分鐘。添加乙醯乙酸乙酯（18公克）且攪拌30分鐘。將DI水（5公克）添加至製備溶液且混合並攪拌隔夜。將溶劑更換成丙二醇乙醚（propylene glycol ethyl ether，PGEE）。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例17：

將異丙醇鈦（20.00公克）及異丙醇200毫升秤量至500毫升燒瓶中且攪拌30分鐘。添加乙醯乙酸乙酯且攪拌30分鐘。將甲基三甲氧基矽烷（1.0公克）及異丙醇（20毫升）秤量至250毫升燒瓶中且攪拌20分鐘。混合所製備的兩種溶液且在HNO3（2.5公克）存在下攪拌隔夜。將溶劑更換成丙二醇乙醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例18：

將異丙醇鈦（20.00公克）及異丙醇200毫升秤量至500毫升燒瓶中且攪拌30分鐘。添加乙醯乙酸乙酯且攪拌30分鐘。將甲基三甲氧基矽烷（3.0公克）及異丙醇（20毫升）秤量至250毫升燒瓶中且攪拌20分鐘。混合所製備的兩種溶液且在HNO3（2.5公克）存在下攪拌隔夜。將溶劑更換成丙二醇乙醚。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例19：

將異丙醇鈦（20.00公克）及異丙醇350毫升秤量至500毫升燒瓶中且攪拌1小時。添加乙醯乙酸乙酯且攪拌1小時。將甲基三甲氧基矽烷（10公克）及異丙醇100毫升秤量至250毫升燒瓶中且攪拌45分鐘。混合所製備的兩種溶液且在HNO3（9.0公克）存在下攪拌隔夜。將溶劑更換成丙二醇乙醚（PGEE）。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例20：

將異丙醇鈦（40.00公克）、乙醯乙酸乙酯（36公克）以及異丙醇（200公克）秤量至500毫升燒瓶中且攪拌1小時。將苯基三甲氧基矽烷（2公克）、甲基三甲氧基矽烷（5公克）以及異丙醇（50公克）秤量至250毫升燒瓶中且攪拌45分鐘。混合所製備的兩種溶液且在HNO₃ （9公克）存在下攪拌隔夜。將溶劑更換成丙二醇乙醚（PGEE）。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例21：

將異丙醇鈦（350公克）添加至反應器燒瓶。將四氯化鈦（235公克）添加至反應器且混合溶液。將甲醇（2500公克）添加至反應器且攪拌溶液2小時。將溶劑更換成2-異丙氧基乙醇，添加至材料燒瓶。將溶液冷卻至-6℃。將四乙胺（1000公克）添加至材料溶液。溶液在反應器中攪拌隔夜。使用濾紙過濾溶液。將溶液調配至最終加工溶劑IPA中，且稀釋成製程調配物，並用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例22：

溶液1按以下方式製備：將異丙醇鈦（20.00公克）、乙醯乙酸乙酯（36公克）以及異丙醇（200公克）秤量至500毫升燒瓶中且攪拌1小時。將甲基三甲氧基矽烷（10公克）及異丙醇（40公克）秤量至250毫升燒瓶中。添加水及HNO₃ （8公克）且攪拌溶液2小時。混合所製備的兩種溶液且攪拌隔夜。將溶劑更換成丙二醇乙醚（PGEE）。

溶液2按以下方式製備：將異丙醇鈦（20.00公克）、乙醯乙酸乙酯（36公克）以及異丙醇（200公克）秤量至500毫升燒瓶中且攪拌1小時。將甲基三甲氧基矽烷（4公克）及異丙醇（20公克）秤量至250毫升燒瓶中。添加水及HNO₃ （8公克）且攪拌溶液2小時。混合所製備的兩種溶液且攪拌隔夜。將溶劑更換成丙二醇乙醚（PGEE）。

溶液1及溶液2以30:70的比率混合，其中存在30份溶液1及70份溶液2。所形成的溶液混合2小時。將材料稀釋成製程調配物，且用0.1微米過濾器過濾，以獲得製程備用溶液。 實例23：

含四乙氧基矽烷（7公克）的1-丙醇（14公克）及HNO₃ （0.6當量）在室溫下攪拌20分鐘。將第二丁醇鋁（21公克）添加至混合物。將異丙醇鈦（25公克）添加至混合物。使混合物回流45分鐘。將溶劑更換成1-丙醇。溶液用0.04微米過濾器過濾以獲得製程備用溶液。 實例24：

在40分鐘期間在劇烈攪拌下，向含有182.7 ANN‐DI水的圓底燒瓶中添加42.27公克異丙醇鋁（Aluminum isopropoxide，AIP）粉末。在AIP添加之後，在30分鐘期間逐滴添加19.18公克TEOS。澄清溶液在室溫下攪拌隔夜。使用油浴及冷凝器加熱溶液至60℃且在60℃下攪拌4小時。在4小時之後，澄清溶液在室溫下進一步攪拌隔夜。使用旋轉蒸發器及三個1-丙醇添加步驟（水浴溫度60℃）將溶劑自DI水更換成1-丙醇。所添加的1-丙醇的總量為136公克。移除溶液的總量為195公克。在溶劑更換之後，溶液的固體含量為16.85重量%。 實例25：

硝酸鋁-九水合物（180公克）水溶液與異丙醇鈦(IV)（38公克）混合。然後添加三乙氧基矽烷（15公克）。使溶液回流4小時。將溶劑更換成1-丙醇。溶液用0.04微米過濾器過濾以獲得製程備用溶液。 實例26：

硝酸鋁-九水合物（180公克）水溶液與異丙醇鋁（20公克）及乙醇鉭（22公克）混合。然後添加四乙氧基矽烷（15公克）。使溶液回流4小時。將溶劑更換成1-丙醇。溶液用0.1微米過濾器過濾以獲得製程備用溶液。 實例27：

硝酸鋁-九水合物（180公克）水溶液與異丙醇鋁（35公克）混合。然後添加正矽酸四乙酯（5公克）及三乙氧基矽烷（14公克）。使溶液回流4小時。將溶劑更換成1-丙醇。溶液用0.04微米過濾器過濾以獲得5製程備用溶液。 實例28：

將20公克AlCl₃ 溶解於EtOH（乙醇）（200公克）且將TiCl₄ （10公克）+ Ti(iOPr)₄ （異丙醇鈦）（14公克）溶解於15至200公克EtOH。合併所溶解溶液。在室溫下攪拌溶液60分鐘。添加三乙氧基矽烷（15公克）且在室溫下攪拌溶液60分鐘。使用膜泵蒸餾EtOH。將220公克2-異丙氧基乙醇添加至材料燒瓶。冷卻溶液且過濾。將溶液調配至最終加工溶劑1-丁醇且用0.1微米過濾器過濾以獲得製程備用溶液。 實例29：

將20公克第二丁醇鋁及200公克PGEE 5秤量至圓底燒瓶且在室溫下攪拌30分鐘。將15.58公克乙醯乙酸乙酯逐滴添加至溶液且再在室溫下繼續攪拌1小時。H₂ O/PGEE（8公克/40公克）的混合物藉由巴斯德（Pasteur）移液管逐滴添加至澄清溶液且在室溫下攪拌溶液隔夜。材料的固體含量為4.49重量%。 工業適用性

本發明可用於獲得聚合物組成物、具體而言顯示裝置、觸控螢幕裝置、光伏打裝置（電池、面板以及模組）、照明設備、建築玻璃單元以及設備中的聚合物塗層材料。

100、200、300、400、500、600、700、1200‧‧‧基板
110、210、310、410、420、510、520、610、620、710、720‧‧‧塗層
205、405、415、505、515‧‧‧塗層或表面處理化學層
900、1100‧‧‧蓋板玻璃
910、1110‧‧‧塗層1
920‧‧‧層壓結晶矽電池
930‧‧‧背板
940‧‧‧層壓材料
1120‧‧‧薄膜電池
1130‧‧‧塗層2
1140‧‧‧透明導電氧化物
1150‧‧‧光伏打層
1160‧‧‧後觸點
1170‧‧‧反射背板
1180‧‧‧層壓層
1190‧‧‧後部基板

圖1示出基板100及材料膜110的截面； 圖2示出基板100以及材料膜105及110的截面； 圖3示出塗佈沈積及固化以獲得單側塗層的典型順序的截面； 圖4a示出基板100以及材料膜110及120的截面； 圖4b示出基板100以及材料膜105、110、115及120的截面； 圖5示出塗佈沈積及固化以獲得雙側塗層的典型順序的截面； 圖6a示出基板100及圖案化/結構化材料膜110的截面； 圖6b示出基板100及圖案化/結構化材料膜110及120的截面； 圖7示出塗佈沈積、圖案化以及固化以獲得單側塗層的典型順序的截面； 圖8示出AR塗層施用於玻璃上的典型順序； 圖9示出結晶矽模組的典型結構； 圖10示出AR塗層施用於薄膜太陽能模組的玻璃上的典型順序； 圖11示出薄膜太陽能模組的典型結構；以及 圖12示出蓋板基板在一側或兩側經塗佈的顯示裝置的截面。

100‧‧‧基板

110‧‧‧塗層

Claims (32)

1. 一種製造具有蓋板的光伏打電池的方法，包括以下步驟： 提供包括結晶矽基板的光伏打電池； 提供透明基板； 在所述透明基板上形成抗反射塗層以提供經塗佈的透明基板；以及 用所述經塗佈的透明基板覆蓋所述光伏打電池； 其中所述抗反射塗層為混成有機-無機材料，所述混成有機-無機材料具有包括矽、氧以及碳的無機部分且更包括具有連接至所述無機部分的有機基團的有機部分。
2. 如申請專利範圍第1項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述混成有機-無機材料為碳矽氧烷聚合物。
3. 如申請專利範圍第1項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述抗反射塗層的鉛筆硬度為4H或高於4H且折射率低於1.3。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述混成材料的折射率為1.23至1.35。
5. 如申請專利範圍第4項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述混成材料的鉛筆硬度為2H至9H，具體而言至少4H，較佳至少5H，例如至少6。
6. 如申請專利範圍第4項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述混成材料的水接觸角為至少90℃，具體而言至少100℃，或水接觸角為40或小於40，較佳30或小於30。
7. 如申請專利範圍第1項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述混成材料的表面粗糙度為0.5奈米至5.0奈米，較佳小於2.5奈米，且鉛筆硬度視情況為至少4H。
8. 如前述申請專利範圍中任一項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述在所述基板上形成所述抗反射塗層的步驟包括藉由液相塗佈在所述基板上沈積碳矽氧烷聚合物且在200℃或低於200℃下烘烤。
9. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述在所述基板上形成所述抗反射塗層的步驟包括藉由液相塗佈在所述基板上沈積碳矽氧烷聚合物且在500至750℃下、較佳在600至700℃下烘烤。
10. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述在所述基板上形成所述抗反射塗層的步驟包括藉由液相塗佈在所述基板上沈積碳矽氧烷聚合物且在200至550℃下、較佳在250至350℃下烘烤。
11. 如前述申請專利範圍中任一項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法，其中所述透明基板具有第一表面及第二表面，所述第一表面具備具有第一折射率的抗反射塗層，所述第二表面與所述第一表面相對且具備具有大於所述第一折射率的第二折射率的塗層。
12. 一種太陽能板，包括： 結晶矽基板； 與所述結晶矽基板層壓的透明基板； 其中所述基板具有抗反射塗層且所述抗反射塗層包括矽、氧以及碳。
13. 如申請專利範圍第12項所述的太陽能板，其中所述抗反射塗層為在聚合物主鏈中具有矽、氧以及碳且具有連接至所述聚合物主鏈的有機基團的混成有機-無機聚合物材料。
14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的太陽能板，包括含有氟的聚合物材料。
15. 如申請專利範圍第12項至第14項中任一項所述的太陽能板，其中 氟的原子%為1至10； 矽的原子%為20至30； 碳的原子%為10至50；以及 氧的原子%為5至50。
16. 一種具有抗反射塗層的玻璃基板，包括： 玻璃基板； 在所述玻璃基板上的抗反射塗層； 其中 所述抗反射塗層為有機無機混成碳矽氧烷聚合物，所述有機無機混成碳矽氧烷聚合物具有包括碳、矽以及氧的無機主鏈且視情況具有連接至所述無機主鏈的鹵素及烷基；以及 所述抗反射層的鉛筆硬度為5H或大於5H，折射率為1.35或小於1.35且水接觸角大於95。
17. 如申請專利範圍第16項所述的具有抗反射塗層的玻璃基板，其中所述抗反射塗層的鉛筆硬度為至少6H且折射率小於1.3。
18. 如申請專利範圍第16項或第17項所述的具有抗反射塗層的玻璃基板，其中所述碳矽氧烷聚合物具有在所述聚合物主鏈中的矽、氧以及碳以及連接至所述主鏈的甲基及氟基。
19. 一種光伏打電池，包括： 第一玻璃或塑膠基板； 第二基板；以及 用於吸收光及分隔電荷載體的活性層，所述活性層安置在所述第一基板與所述第二基板之間以接收通過所述第一基板的日光； 其中所述第一基板包括抗反射塗層，所述抗反射塗層為折射率在1.23與1.35之間且硬度為4H或大於4H的有機無機混成碳矽氧烷。
20. 如申請專利範圍第19項所述的光伏打電池，其中所述矽層為微晶Si基板層及/或非晶Si層。
21. 一種製作抗反射玻璃的方法，包括： 提供具有化學式R¹ _x R² _y Si的第一單體，其中R¹ 為烷基，x為1或2，R² 為烷氧基且y為2或3； 提供具有化學式R³ ₄ Si的第二單體，其中R³ 為烷氧基； 使所述第一單體與所述第二單體聚合且縮合以產生矽氧烷聚合物；以及 藉由液相塗佈在玻璃基板上沈積所述矽氧烷聚合物，以在所述玻璃基板上形成抗反射層； 其中所述玻璃相較於厚度相同但無所述矽氧烷層的相同玻璃而言透射多至少2%的400奈米至800奈米的光。
22. 如申請專利範圍第21項所述的製作抗反射玻璃的方法，更包括提供第三單體與所述第一單體及所述第二單體，其中所述第三單體為具有3至17個氟原子的氟矽烷，且其中所形成的矽氧烷聚合物在氧化矽主鏈上包括Me及F。
23. 如申請專利範圍第21項至第22項中任一項所述的製作抗反射玻璃的方法，其中在所述玻璃上的聚合物層的折射率小於1.35且鉛筆硬度為4H或大於4H。
24. 如申請專利範圍第21項至第23項中任一項所述的製作抗反射玻璃的方法，其中所述第一單體以45%至50%的濃度提供，所述第二單體以40%至50%的濃度提供，且任何第三單體以5%至15%的濃度提供，所述濃度是由所述聚合物層的聚合物以莫耳為單位來計算。
25. 一種提高光伏打電池的效率的方法，包括： a）使多個單體聚合，其中所述單體包括矽及氧以形成矽氧烷聚合物； b）藉由液相塗佈在玻璃基板上沈積所述矽氧烷聚合物； c）使所述矽氧烷聚合物進一步聚合，以在所述玻璃基板上形成固體矽氧烷聚合物層；以及 d）將所述玻璃基板黏結至光伏打電池，以使得所述固體層減少自所述玻璃基板反射的日光，以增加所述光伏打電池的效率。
26. 如申請專利範圍第24項中任一項所述的用於增加光伏打電池的效率的方法，包括： 使包括矽、氧以及碳的多個單體聚合，以形成分子量為60,000公克/莫耳至120,000公克/莫耳的碳矽氧烷聚合物；以及 在大氣壓下將所述碳矽氧烷聚合物沈積在玻璃基板上； 其中所述碳矽氧烷聚合物的硬度為至少4H，折射率為1.23至1.35，且水接觸角小於40°或大於100°； 進一步提供包括用於吸收光及分隔電荷載體的活性層的光伏打層以生成電流；以及 其中由於所述碳矽氧烷聚合物層，在所述活性層接收的日光的量相較於無所述碳矽氧烷聚合物層的相同光伏打電池大至少2%。
27. 一種混成有機-無機材料的組成物，所述混成有機-無機材料具有包括矽、氧以及碳的無機部分且更包括具有連接至所述無機部分的有機基團的有機部分，所述材料包括由以下各單體聚合獲得的聚合物： 根據式I的單體 R¹ _a SiX_4-a I 根據式II的單體 R² _b SiX_4-b II 其中 R¹ 及R² 獨立地選自由以下組成的群組：氫、直鏈及分支鏈烷基與環烷基、烯基、炔基、(烷基)丙烯酸酯、環氧基、烯丙基、乙烯基及烷氧基以及具有1至6個環的芳基； 各X獨立地表示可水解基團或烴殘基；以及 a及b為1至3的整數； 根據式III的單體 R³ _c SiX_4-c III 其中 R³ 代表氫、視情況攜帶一個或數個取代基的烷基或環烷基、或烷氧基； 各X獨立地表示具有與上文相同含義的可水解基團或烴殘基；以及 c為1至3的整數， 或其組合 連同式VI的單體： (R⁶ )₃ Si-Y-Si(R⁷ )₃ ,           VI 其中 R⁶ 及R⁷ 獨立地選自氫及由以下組成的群組：直鏈或分支鏈烷基、環烷基、烯基、炔基、(烷基)丙烯酸酯、環氧基、烯丙基、乙烯基、烷氧基以及具有1至6個環的芳基，且其中所述基團經取代或未經取代；以及 Y為選自未經取代及經取代的二價脂族及芳族基團的鍵聯基團，例如伸烷基、伸芳基、-O-伸烷基-O-；-O-伸芳基-O-；伸烷基-O-伸烷基、伸芳基-O-伸芳基；伸烷基-Z¹ C(=O)Z² -伸烷基、伸芳基-Z¹ C(=O)Z² -伸芳基以及-O-伸烷基-Z¹ (=O)Z² -伸烷基-O-；-O-伸芳基-Z¹ (=O)Z² -伸芳基-O-，其中Z¹ 及Z² 各自選自直接鍵或-O-。
28. 如申請專利範圍第26項所述的混成有機-無機材料的組成物，包括含有以下單體的殘基的聚合物：莫耳比為（式I及/或式II及/或式III的單體合計）:（式VI的單體）為100:1至1:100（具體而言50:1至1:50，例如20:1至1:20，例如10:1至1:10）的式I及式II及式III以及式VI的單體。
29. 如申請專利範圍第26項或第27項所述的混成有機-無機材料的組成物，包括含有式I及式II及式III以及式VI的單體的殘基的聚合物，式VI的單體對根據式I至式IIII的單體中的一者、兩者或三者的單體的莫耳比為50:100-1:100。
30. 一種如申請專利範圍第26項至第28項中任一項所述的混成有機-無機材料的組成物的用途，用於如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的製造具有蓋板的光伏打電池的方法中、用於如申請專利範圍第12項至第15項中任一項所述的太陽能板中、用於如申請專利範圍第16項至第18項中任一項所述的具有抗反射塗層的玻璃基板上、用於如申請專利範圍第19項至第20項中任一項所述的光伏打電池中或用於如申請專利範圍第19項至第25項中任一項所述的用於製造抗反射塗層的方法中。
31. 一種製造如申請專利範圍第26項至第28項中任一項所述的混成有機-無機材料的組成物的方法，其中 使至少一種或數種式I至式III的單體較佳藉由首先水解所述單體且隨後使其縮聚而均聚合或共聚合，以形成含有具有式I至式III的單體的殘基的第一均聚物或共聚物；以及 使至少一種式VI的單體較佳藉由首先水解所述單體且隨後使其縮聚而均聚合或共聚合，以形成含有具有式VI的單體的殘基的均聚物或共聚物；以及 混合所述獲得的第一聚合物及第二聚合物，以形成聚合物摻合物。
32. 如申請專利範圍第30項所述的製造如申請專利範圍第26項至第28項中任一項所述的混成有機-無機材料的組成物的方法，包括在預聚合步驟結束時，例如藉由例如羥基等封端基而將所述聚合物鏈封端。