TW201643986A - 透明靜電載具 - Google Patents

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Abstract

於此描述之實施例提供用於傳輸基板的靜電載具。靜電載具可具有透明主體。透明主體可具有第一表面，調整第一表面的大小以運輸基板進入及離開處理腔室。該靜電載具也可具有一個或更多個靜電吸附電極，該一個或更多個靜電吸附電極耦合至該透明主體。該一個或更多個靜電吸附電極可包含透明傳導氧化物材料。在某些實施例中，透明傳導氧化物材料為氧化銦錫材料。

Description

透明靜電載具
本揭示案之實施例一般相關於具有靜電載具的基板載具，該靜電載具經配置以運輸及固定基板。更特定地，於此描述之實施例相關於特徵在於氧化銦錫電極的靜電載具。
針對行動式、可穿戴式電子的需求，需要基板(在基板上處理電子裝置)更薄及更輕以便符合針對一 致性及輕重量的需求。在基板處理中，例如半導體基板及顯示器，在處理期間基板被維持在載具上或在處理腔室中受支撐。基板載具可包含具有電極的靜電載具，該電極能夠電性偏壓以維持基板於載具上。因此，靜電載具使用靜電力以固定基板至靜電載具。可藉由應用不同電壓剖面至該靜電載具，以電性控制吸附(chucking)及解吸附(dechucking)處理。
相較於其他基板處置技術(例如，機械夾緊及/或黏合)，靜電載具的使用有利在處理期間維持較低的良率損失。在處理期間機械夾緊可導入不想要的顆粒，且黏合可為資源消耗、環境危害、及在自載具分離時造成對基板的剩餘及/或機械應力。此外，處理期間機械夾緊及黏合皆可助於良率損失。
進一步地，現存的靜電載具可在處理完成後不會立刻釋放基板，而導致較低的生產量。此外，現存的靜電載具並非設計以使用於高溫半導體處理中(大於約450攝氏度之溫度)且非成本實效的。因此，具有針對改良靜電載具的需求。
於此描述之實施例一般相關於用於傳輸一基板的靜電載具。該靜電載具可具有一透明主體。該透明主體可具有一第一表面，調整該第一表面的大小以運輸該基板進入及離開一處理腔室。該靜電載具也可具有一個或更多個靜電吸附電極，該一個或更多個靜電吸附電極耦合至該透明主體。該靜電載具可進一步包含一透明蓋，該透明蓋設置於該透明主體上。該透明主體、該一個或更多個靜電吸附電極、及該透明蓋可形成一單一結構，調整該單一結構的大小以傳輸該基板穿過一半導體狹縫閥門。
在另一實施例中，揭露用於傳輸一基板的靜電載具。該靜電載具可具有一透明主體。該透明主體可具有一第一表面，調整該第一表面的大小以運輸該基板進入及離開一處理腔室。該靜電載具也可具有一個或更多個靜電吸附電極，該一個或更多個靜電吸附電極耦合至該透明主體。該一個或更多個靜電吸附電極可包含一透明傳導氧化物材料。
而在另一實施例中，揭露用於解吸附基板的方法。該方法可包含以下步驟：靜電吸附一基板至一靜電載具，且在靜電吸附至該靜電載具時處理該基板。該方法可進一步包含以下步驟：藉由曝露該靜電載具的一靜電吸附電極於電磁輻射來解吸附該基板，該電磁輻射足以中和由該靜電吸附電極所產生的一靜電電荷。該方法也可包含以下步驟：自該靜電載具移除該基板。
於此描述之實施例提供用於傳輸基板的靜電載具。靜電載具可具有透明主體。透明主體可具有第一表面，調整第一表面的大小以運輸基板進入及離開處理腔室。該靜電載具也可具有一個或更多個靜電吸附電極，該一個或更多個靜電吸附電極耦合至該透明主體。該一個或更多個靜電吸附電極可為透明的。例如，靜電吸附電極可由透明傳導材料製成，例如透明傳導氧化物材料。在某些實施例中，透明傳導氧化物材料可為氧化銦錫材料。靜電載具的一個或更多個部件之透明度致能輻射援助釋放技術，例如光增強傳導性、熱增強傳導性、及熱離子發射，以便於基板自靜電載具解吸附。
第1圖圖示靜電載具100的分解視圖。可在許多電漿處理及/或薄膜沉積處理中使用靜電載具100以維持及傳輸基板，包含電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理、物理氣相沉積(PVD)處理、化學氣相沉積(CVD)處理、蝕刻處理、或任何合適的電漿或真空處理。靜電載具100也可適用以使用於非電漿及非真空環境中。進一步地，靜電載具100可針對高溫應用具可相容性，例如處於超過約450攝氏度之溫度，例如處於高至及超過約500攝氏度之溫度。雖然於此描述靜電載具100之多種實施例，思量可適用來自任何製造商的靜電載具以自於此描述之實施例得利。
靜電載具100包含主體104、電極組件106及蓋102。電極組件106可設置於主體104的第一表面107上。蓋102可設置於主體104的第一表面107及電極組件106上且覆蓋主體104的第一表面107及電極組件106。可形成主體104為任何合適形狀，以處置及支撐具有多種形狀及尺寸的基板。在第1圖中所描繪的範例中，主體104具有帶有周邊132的四邊形形狀，周邊132實質匹配電極組件106的形狀及大小，電極組件106具有與基板的大小及形狀相稱的大小及形狀。蓋102設置覆蓋於電極組件106以允許具有相似形狀及大小的基板設置於蓋102的頂部表面101上。注意主體104可隨需要為任何形狀或配置。此外，電極組件106可包括一個或更多個電極組件106，且電極組件106可為任何形狀或配置以容納多種形狀及大小的基板。主體104、電極組件106、及蓋102可形成單一結構，調整該單一結構的大小以傳輸基板穿過半導體狹縫閥門。
主體104可由對輻射透明的材料製成。主體104可由介電材料製成，例如(僅以舉例方式)玻璃材料。在一個範例中，主體104可為玻璃平板。主體104的介電材料可為矽酸鋁玻璃材料、硼矽酸玻璃材料、或其他合適的玻璃材料。在一個範例中，主體104可由清晰低熱膨脹硼矽酸玻璃、矽酸鋁玻璃、或清晰弱鹼石灰玻璃製成。在某些實施例中，主體可為透明的或半透明的。可選地，在一些實施例中，主體104可為具有介電層的金屬或半導體主體，該介電層設置於第一表面107上，面對電極組件106。
電極組件106可設置於主體104上、嵌入及/或耦合至主體104。電極組件106包含至少兩組的分佈電極108、110。當應用電壓功率至分佈電極108、110時，可隨需要使用不同極性對分佈電極108、110之每一者充電，因而產生靜電力。分佈電極108、110可經配置以分佈跨過蓋102的表面之靜電力。分佈電極108、110之每一者可具有複數個交錯電極指部120、122。相信交錯電極指部120、122提供跨過靜電載具100的大面積而分佈的局部靜電吸引，其中聚合提供高吸附力，同時使用較低吸附電壓。
可形成電極指部120、122以具有不同長度及幾何形狀。如需要，電極指部120、122可經配置以不同大小相互介入。電極指部120、122可交替及重覆地形成，直到形成所需數量的電極指部120、122。
在第一分佈電極108的電極指部120之每一者之間，界定間隔133以接收第二分佈電極110的電極指部122。間隔133可為空氣空隙、以介電間隔材料填滿、或以主體104或蓋102之至少一者填滿。
思量在第1圖中所展示的分佈電極108、110的配置僅針對圖示的目的。可以任何需要的配置來安置分佈電極108、110，使得分佈電極108以交替極性分佈遍及主體104的第一表面107。具有以不同極性充電的兩組不同電極的概念可同樣適用於安置為任何所需配置的電極。
靜電載具100可為雙極靜電載具，如第1圖中所展示。然而，思量也可使用其他類型的靜電載具及/或其他類型的充電方案。在一個實施例中，功率來源(未展示)可經配置以提供RF功率，RF功率電容性地耦合至分佈電極108、110，以應用RF偏壓至基板。在另一實施例中，功率來源可經配置以提供DC或AC功率至第一及第二分佈電極108、110。功率來源可經由功率開關(未展示)耦合至第一及第二分佈電極108、110。功率來源可經配置以提供電壓功率至第一及第二分佈電極108、110，以產生具有不同極性的電荷(正電荷或負電荷)。產生自第一及第二分佈電極108、110的正或負電荷提供靜電力以吸引設置於靜電載具100中的基板於固定位置中。
在一個實施例中，電極組件106可選地可為透明的。在另一實施例中，至少兩組分佈電極108、110可選地可為透明的。在一個實施例中，可將透明傳導氧化物材料142使用為電極材料，以形成電極組件106的分佈電極108、110。在一些實施例中，透明傳導氧化物材料142可包括以下至少一者：氧化銦錫材料、摻鋁氧化鋅材料、摻銦氧化鎘材料、或其他合適的透明傳導材料。使用透明傳導氧化物材料142可允許製造靜電載具100為實質透明。透明傳導氧化物材料142適於使用於高溫操作中的靜電載具100。透明傳導氧化物材料142(例如氧化銦錫材料)及其他介電材料(可為如其他金屬氧化物)之間的熱膨脹係數不匹配可為相對小的。因此，可減輕分佈電極108、110及金屬氧化物之間的介面118處的熱應力，導因於小的熱膨脹係數不匹配。氧化銦錫材料的一個優點為：對氧化物及陶瓷材料具有接近匹配的熱膨脹係數。使用氧化銦錫材料以形成電極組件106的其他優點可包含在玻璃上(特別是大面積玻璃基板上)圖案化氧化銦錫的低成本。
在另一實施例中，可將線網材料使用為形成電極組件106之分佈電極108、110的材料。線網材料可為透明線網材料。在另一實施例中，線網材料可為半透明線網材料。線網材料可包括金屬奈米線材料，例如，銀奈米線材料。可將其他合適的金屬材料使用為金屬奈米線材料。在一個實施例中，可藉由噴灑塗覆液體膠金屬奈米線來沉積線網材料。線網材料可為傳導性且可提供熱應力阻抗。
如第2圖中所展示，蓋102可設置於主體104上以將靜電載具100形成為單一結構。在一個實施例中，蓋102及主體104將電極組件106夾在蓋102及主體104之間。放置蓋102於電極組件106上，以提供吸附基板於上的表面。蓋102可由對輻射透明的材料製成。蓋102也可由具有熱屬性的材料製成，例如，實質匹配電極組件106及/或主體104之熱膨脹係數。在某些實施例中，蓋102可為透明或半透明。
鄰近蓋102，以預定順序堆疊電極組件106及主體104。接著，可執行結合處理(例如退火處理)以一起熔融蓋102、電極組件106、及主體104，將靜電載具100的層壓結構形成為整體結構。如同蓋102，可在高溫環境中使用電極組件106及主體104，例如，大於約450攝氏度，例如約500攝氏度至約600攝氏度，可自抗熱材料(例如，玻璃材料或陶瓷材料)選擇使用以製造這些部件的材料。抗熱材料可適於高溫熱處理。
在一個實施例中，蓋102及主體104皆可對輻射為透明的。在另一實施例中，蓋102及主體104可由介電材料製成。進一步地，在一個實施例中，蓋102及主體104可由相同材料製成。介電材料可提供改良的強度及持久性以及熱傳輸屬性。因此，蓋102可由介電材料製成，例如(僅以舉例方式)玻璃材料。在一個範例中，蓋102可為玻璃平板。蓋102的介電材料可為矽酸鋁玻璃材料、硼矽酸玻璃材料、或其他合適的玻璃材料。在一個範例中，蓋102可由清晰低熱膨脹硼矽酸玻璃、矽酸鋁玻璃、或清晰弱鹼石灰玻璃製成。在另一實施例中，蓋102及主體104可由陶瓷材料或陶瓷及金屬材料的合成物製成。選擇以製造蓋102及主體104的材料(例如上方描述的介電材料及玻璃材料)可具有實質與電極組件106匹配或相似的熱膨脹係數，以減低熱膨脹不匹配。此外，介電材料可具有大於電極組件106的交錯分佈電極108、110的熱膨脹係數之熱膨脹係數。
第3圖根據一個實施例圖示第2圖之靜電載具100的側面橫截面視圖。在第3圖的實施例中，蓋102設置於主體104的第一表面107上。靜電載具100可具有在主體104的第一表面107中形成的一個或更多個通道140。一個或更多個通道140可設置於主體104及蓋102之間。電極組件106可設置於在主體104中形成的通道140中，例如在通道140內形成的兩組分佈電極108、110。通道140可支撐及/或引導電極組件106的交錯分佈電極108、110。進一步地，通道140可為微通道。通道140可相互以約5微米及約400微米之間的距離A分隔開，例如，約10微米及約200微米之間。蓋102可具有約0.2微米及約600微米之間的高度B，例如，約20微米及約500微米之間。
在另一實施例中，透明傳導氧化物材料142可被動地濺散於主體104的第一表面107上，以形成電極組件106的分佈電極108、110。第一表面107可為主體104的外部表面。接著，可於主體104的第一表面107上圖案化分佈電極108、110。在一個實施例中，可熔融蓋102至主體104，因此將電極組件106夾在蓋102及主體104之間。可使用螢幕印刷的介電層來熔融蓋102至主體104。熔融蓋102至主體104可封閉介電層及電極組件106。在另一實施例中，蓋102可為澆鑄覆於圖案化電極組件106及於主體104上的熔塊。壓力處理可在熔塊澆鑄處理後進行。熔塊澆鑄蓋102於主體104上可封閉介電層及電極組件106。在一些實施例中，可藉由PECVD處理來沉積蓋102，在PECVD處理中，蓋102可為沉積覆於電極組件106的PECVD介電層。
如第3圖中所進一步展示，區域C的功能可視同電容器，儲存剩餘電荷而防止基板解吸附。為了解吸附基板，可將區域C中呈現的剩餘電荷放電。
現在同時參考第1至3圖，在操作期間，可應用負電荷至第一分佈電極108，且可應用正電荷至第二分佈電極110(反之亦然)，以產生靜電力。在吸附期間，自分佈電極108、110產生的靜電力將基板固定至蓋102的頂部表面101。當關閉自功率來源供應的功率時，可維持分佈電極108、110之間的介面118中所呈現的電荷持續一延伸週期時間。通常，可維持分佈電極108、110之間的介面118中所呈現的電荷持續七個小時，例如約六至約八個小時。因此，為了起始釋放處理以解吸附維持於基板載具100上的基板，可提供相反極性的功率短脈衝至分佈電極108、110，以移除呈現在介面118中的電荷。
如上方討論，透明傳導氧化物材料(例如，氧化銦錫材料)的使用以及透明主體104及透明蓋102的使用允許靜電載具100以保持實質透明。靜電載具100的透明度致能輻射援助釋放技術，例如光增強傳導性、熱增強傳導性、及熱離子發射，以便於基板的解吸附。因此，實質透明的靜電載具100可允許光輻射到達電極組件106的分佈電極108、110且初始光增強電荷密度，因而中和儲存於介面118處的電荷(見第3圖)且快速地允許自靜電載具100解吸附基板。
如上方描述，當自靜電載具100解吸附基板時，可應用電壓翻轉方案至分佈電極108、110，然而，在應用電壓翻轉之後，電荷可在介電質內之分佈電極108、110之間的介面118內保持建立。如第3圖中所展示，面積C可包含分佈電極108、110之間的剩餘電荷，因而持續吸附基板至靜電載具100(儘管已應用電壓翻轉方案)。然而，輻射援助釋放技術的使用可減低或消除面積C的剩餘電荷。根據地，可以有效方式自靜電載具100解吸附基板。例如，可在低於約15秒的時間量解吸附基板，例如低於約10秒，例如低於約5秒。因此，電極組件106可經配置以接收電磁輻射的一個或更多個波長。提供電磁輻射(例如以下一者：可見光、紫外光、紅外光、或熱輻射)至實質透明的靜電載具100之分佈電極108、110可初始光增強電荷流動性，或在某些實施例中，初始熱增強傳導性。光增強傳導性可中和在介面118處的面積C的剩餘電荷。在一個實施例中，電磁輻射可維持約300 nm及約800 nm之間的波長，例如約360 nm及約700 nm之間。電磁輻射來源的範例可包含氙燈具、雷射、發光二極體(LED)，例如高功率藍光LED，及紫外光燈具。此外，輻射可為光輻射或熱輻射。
在不同波長下引導輻射來源及/或電磁輻射朝向靜電載具100可遠端地及/或光學地加熱包含剩餘電荷的面積C，以產生一超過量的自由載子，亦即，電洞及電子。電洞及電子為各類型的電荷載子，為半導體材料中電流的成因。一般可界定電洞為缺乏電子。電子可中和面積C內的帶正電的剩餘電荷，而電洞可中和面積C內的帶負電的剩餘電荷。自由載子可自由移動至剩餘電荷的面積C以中和剩餘電荷，因而解吸附基板。
光輻射的優勢可包含特定電磁輻射裝置的精確及/或局部控制，使得靜電載具100內的剩餘電荷之面積C可被精確地中和。因此，可得到曝露靜電載具100的特定面積之能力，或，另一方面，可使用電磁輻射掃描整體靜電載具100。在靜電載具100的面積C接收電磁輻射之後，可於低於約15秒內中和靜電載具100的面積C內的剩餘電荷，例如於10秒內，因而快速解吸附接合至靜電載具100的基板。
第4圖圖示第1圖之靜電載具的另一實施例。如所展示，可在透明傳導氧化物材料142及蓋102之間的介面146處形成金屬氧化物層144。在一個實施例中，金屬氧化物層144的功能可如同透明傳導氧化物材料142及蓋102之間的結合介面或黏著層。在另一實施例中，金屬氧化物層144的功能可如同透明傳導氧化物材料142及蓋102之間的墊層。進一步地，金屬氧化物層144可允許透明傳導氧化物材料142及蓋102更緊固地接觸。在一個實施例中，傳導金屬氧化物層144可為透明的。在另一實施例中，傳導金屬氧化物層可為半透明的。可形成金屬氧化物層144以具有一厚度，選擇該厚度以使金屬氧化物層144對輻射為透明或半透明的。可形成金屬氧化物層144以具有幾十奈米的厚度，例如約5 nm及約100 nm之間，例如約10 nm及約80 nm之間。此外，可藉由氧化物沉積形成金屬氧化物層144。
第5圖根據一個實施例圖示用於解吸附基板的方法之流程圖500。流程圖500起始於操作510，在操作510中，基板被靜電地吸附至靜電載具。在一個實施例中，基板被靜電地吸附至靜電載具，該吸附係藉由應用具有第一極性的第一電壓至一個或更多個第一交錯靜電吸附電極及應用具有與第一極性相反的第二極性的第二電壓至一個或更多個第二交錯靜電吸附電極，因而產生靜電力。
在操作520處，處理基板同時靜電吸附基板至靜電載具。在操作530處，可藉由曝露靜電載具的靜電吸附電極至足以中和由靜電吸附電極所產生的靜電電荷之電磁輻射，來解吸附基板。在一個實施例中，自靜電載具解吸附基板可包含曝露靜電載具至靜電輻射的一個或更多個波長，以中和電極組件上的靜電電荷。在一些實施例中，曝露電極組件至靜電輻射的一個或更多個波長可包含曝露電極組件至具有約300 nm及約800 nm之間的波長之輻射，例如，約360 nm及約700 nm之間。進一步地，電磁輻射可為以下一者：可見光輻射、紫外光輻射、紅外光輻射、或熱輻射。在操作540處，可自靜電載具移除基板。
因此，於此揭露的靜電載具之特徵在一透明傳導氧化物材料電極，能夠在高溫操作，例如超過約450攝氏度的溫度。透明傳導氧化物材料電極可發揮氧化銦錫材料的功效，以解決大的熱應力之不利效應(導因於常見金屬導體及其相關聯之絕緣體/封裝間的熱膨脹係數之間的差異)。所提出的實施例適於該透明傳導氧化物材料電極結構的大量生產。所揭露實施例具有在高溫操作靜電載具以及在包裝及封裝科技(針對可需要對大的熱應力的彈性之裝置)的應用。進一步地，所揭露實施例可使用靜電輻射而提供基板自實質透明靜電載具解吸附。靜電載具的電極組件可接收電磁輻射，電磁輻射可中和靜電載具內的剩餘電荷。隨著剩餘電荷被中和，可快速自靜電載具解吸附基板，因而增加生產量及減低成本及時間。
所揭露實施例提供用於傳輸基板的靜電載具。靜電載具可具有透明主體。可調整透明主體的大小以運輸基板進入及離開處理腔室。該靜電載具也可具有一個或更多個靜電吸附電極，該一個或更多個靜電吸附電極耦合至該透明主體。在一個實施例中，該一個或更多個靜電吸附電極可包含透明傳導氧化物材料。在某些實施例中，透明傳導氧化物材料可為氧化銦錫材料。
發明所屬領域具有通常知識者應察知：前述範例為示範性的且不限定。意圖將以下包含於本揭示案之真實精神及範圍內：在閱讀說明書及研讀圖式之後，對發明所屬領域具有通常知識者為明顯的所有對前述範例的排列、增強、等效物、及改良。因此，意圖將以下所附專利申請範圍包含所有該等修改、排列、及等效物，如同落於該等教示之真實精神及範圍內。
100‧‧‧靜電載具
101‧‧‧頂部表面
102‧‧‧蓋
104‧‧‧主體
106‧‧‧電極組件
107‧‧‧第一表面
108‧‧‧分佈電極
110‧‧‧分佈電極
118‧‧‧介面
120‧‧‧電極指部
122‧‧‧電極指部
132‧‧‧周邊
133‧‧‧間隔
140‧‧‧通道
144‧‧‧金屬氧化物層
146‧‧‧介面
500‧‧‧流程圖
510、520、530、540‧‧‧操作
於是可以詳細理解本揭示案上述特徵中的方式，可藉由參考實施例而具有本揭示案的更特定描述(簡短總結如上)，其中一些圖示於所附圖式中。然而，注意所附圖式僅圖示本揭示案典型的實施例，因此不考慮限制其範圍，因為本揭示案可允許其他等效實施例。
第1圖根據一個實施例圖示靜電載具的分解視圖。
第2圖根據一個實施例圖示靜電載具的透視視圖。
第3圖根據一個實施例圖示靜電載具的側面橫截面視圖。
第4圖根據一個實施例圖示金屬氧化物層的側面平面視圖，該金屬氧化物層在透明傳導氧化物材料及蓋之間形成。
第5圖根據一個實施例圖示用於解吸附基板的方法之流程圖。
為了便於理解，盡可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。思量一個實施例中的元件及特徵可有利地併入於其他實施例中，而無須進一步敘述。
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100‧‧‧靜電載具
101‧‧‧頂部表面
102‧‧‧蓋
104‧‧‧主體
106‧‧‧電極組件
107‧‧‧第一表面
108‧‧‧分佈電極
110‧‧‧分佈電極
118‧‧‧介面
120‧‧‧電極指部
122‧‧‧電極指部
132‧‧‧周邊
133‧‧‧間隔

Claims (20)

  1. 一種用於傳輸一基板的靜電載具，該靜電載具包括： 一透明主體，該透明主體具有一第一表面，調整該第一表面的大小以運輸該基板進入及離開一處理腔室；一個或更多個靜電吸附電極，該一個或更多個靜電吸附電極耦合至該透明主體；及一透明蓋，該透明蓋設置於該透明主體上，其中該透明主體、該一個或更多個靜電吸附電極、及該透明蓋形成一單一結構，調整該單一結構的大小以傳輸該基板穿過一半導體狹縫閥門。
  2. 如請求項1所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極包括一透明傳導氧化物材料或一透明線網材料。
  3. 如請求項2所述之靜電載具，其中該透明傳導氧化物材料包括以下至少一者：一氧化銦錫材料、一摻鋁氧化鋅材料、或一摻銦氧化鎘材料。
  4. 如請求項1所述之靜電載具，其中該透明主體及該透明蓋皆由一介電材料形成。
  5. 如請求項4所述之靜電載具，其中該介電材料為一矽酸鋁玻璃材料、一硼矽酸玻璃材料、或一弱鹼石灰玻璃材料。
  6. 如請求項1所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極為交錯的。
  7. 如請求項1所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極為透明的。
  8. 如請求項1所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極設置於該透明主體中。
  9. 如請求項1所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極設置於該透明主體的一外部表面上。
  10. 如請求項1所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極設置於在該透明主體中形成的一通道中。
  11. 如請求項1所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極設置於該透明蓋及該透明主體之間。
  12. 一種用於傳輸一基板的靜電載具，該靜電載具包括： 一透明主體，該透明主體具有一第一表面，調整該第一表面的大小以運輸該基板進入及離開一處理腔室；及一個或更多個靜電吸附電極，該一個或更多個靜電吸附電極耦合至該透明主體，該一個或更多個靜電吸附電極包括一透明傳導氧化物材料。
  13. 如請求項12所述之靜電載具，其中該透明傳導氧化物材料包括以下至少一者：一氧化銦錫材料、一摻鋁氧化鋅材料、或一摻銦氧化鎘材料。
  14. 如請求項12所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極為交錯的。
  15. 如請求項12所述之靜電載具，進一步包括：    一透明蓋，該透明蓋設置於該透明主體上，其中該透明主體及該透明蓋由一介電材料形成，且其中該一個或更多個靜電吸附電極設置於該透明蓋及該透明主體之間。
  16. 如請求項15所述之靜電載具，其中該透明主體、該一個或更多個靜電吸附電極、及該透明蓋形成一單一結構，調整該單一結構的大小以傳輸該基板穿過一半導體狹縫閥門。
  17. 如請求項12所述之靜電載具，其中該一個或更多個靜電吸附電極設置於該透明主體的一外部表面上。
  18. 一種用於解吸附(dechucking)一基板的方法，該方法包括以下步驟： 靜電吸附一基板至一靜電載具；在靜電吸附至該靜電載具時處理該基板；藉由曝露該靜電載具的一靜電吸附電極於電磁輻射來解吸附該基板，該電磁輻射足以中和由該靜電吸附電極所產生的一靜電電荷；及自該靜電載具移除該基板。
  19. 如請求項18所述之方法，其中該曝露在約360 nm及約700 nm之間的一波長處發生。
  20. 如請求項18所述之方法，其中該電磁輻射為以下之一者：可見光輻射、紫外光輻射、紅外光輻射、或熱輻射。
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