TW201640129A - 晶片電子零件檢查篩選裝置 - Google Patents
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Abstract
提供取代在以往的晶片電子零件檢查篩選裝置所使用的檢查用電極端子與檢查器的連接切換系統之新穎的連接切換系統。
作為利用晶片電子零件檢查篩選裝置的固定電極端子及可動電極端子所構成的檢查用電極端子組、與檢查器的連接切換系統的繼電器切換手段,使用收容在框體的MOSFET,把收容了該MOSFET的框體,分別鄰接配置到各個檢查用的固定電極端子與可動電極端子,透過連接器連接MOSFET到固定電極端子與可動電極端子。
Description
本發明有關為了高速且連續地檢查大量的晶片電子零件之電性特性而使用的晶片電子零件檢查篩選裝置的改良。
隨著攜帶式電話、智慧型電話、液晶電視、電子遊戲機等的小型電氣製品的生產量的增加,裝入到這類的電氣製品之微小的晶片電子零件的生產量也顯著增加中。大部分的晶片電子零件,係利用由絕緣材料所形成的主體部、以及在與主體部對向的兩端面分別具備的電極所形成。作為這類的構成的晶片電子零件之例,可以舉例有晶片電容器(也稱為晶片電容)、晶片電阻器(包含晶片可變電阻器)、及晶片電感。
最近幾年,因應裝入有晶片電子零件的電氣製品更小型化,以及,裝入到電氣製品的晶片電子零件的數目的增加,晶片電子零件變得極端的小。例如,有關晶片電容,最近幾年一般多有使用極小的尺寸(例如稱為0402晶片之0.2mm×0.2mm×0.4mm的尺寸)的電容。這類
的微小的晶片電子零件,因為大量生產,一批是以數萬個~數十萬個的單位進行生產。
在裝入有晶片電子零件的電氣製品中,為了降低起因於晶片電子零件的缺陷之電氣製品的不合格品率,一般是對大量製造的晶片電子零件進行全數檢查。例如,就晶片電容,對其全數,進行電容或洩漏電流等之電性特性的檢查。
從而,大量的晶片電子零件的電性特性的檢查是有必要高速進行,作為用於自動地進行其高速檢查的裝置,在最近幾年,一般多是使用具備形成有多數個透孔的搬送圓盤(晶片電子零件暫時保持板)之用於晶片電子零件的電性特性的檢查與篩選的自動化裝置(亦即,晶片電子零件檢查篩選裝置),通常於該搬送圓盤,把檢查對象的晶片電子零件予以暫時收容保持之多數個透孔形成沿著圓周排列成三列以上的複數列之狀態。接著,在使用該晶片電子零件檢查篩選裝置之際,在旋轉狀態下的搬送圓盤的透孔暫時收容保持晶片電子零件後,對被保持在該搬送圓盤的晶片電子零件,使沿該搬送圓盤的旋轉路徑所組裝設置有複數個利用固定電極端子與可動電極端子所構成之一對的電極端子組(檢查用接觸件)接觸到晶片電子零件之各電極,測定該晶片電子零件的指定的電性特性,接著,根據該測定結果,實施篩選(或者是分類)晶片電子零件使其從搬送圓盤的透孔排出並收容到指定的容器(分類容器)之作業。
亦即,已被自動化之最近的晶片電子零件的檢查篩選裝置,可以說是一種晶片電子零件檢查篩選裝置,包含:基台;晶片電子零件搬送圓盤,係被軸支承在基台成可旋轉(但是,在該晶片電子零件搬送圓盤,可以把在對向的端面分別具有電極的晶片電子零件予以暫時收容的透孔沿圓周形成三列以上);接著,晶片電子零件供給收容部(供給收容區域),係沿該搬送圓盤的旋轉路徑依順設置,使晶片電子零件供給收容到該搬送圓盤的透孔;晶片電子零件電性特性檢查部(檢查區域),係進行晶片電子零件的電性特性的檢查;接著,晶片電子零件分類部(分類區域),係對檢查完畢的晶片電子零件根據檢查結果進行分類。
例如,在進行晶片電容的電容的檢查的情況下,以電性特性檢查部,從被具備在晶片電子零件檢查篩選裝置的檢查器(電性特性測定裝置)介隔著檢查用電極端子,對晶片電容施加具有指定的頻率的檢查用電壓。接著,經由該檢查用電壓的施加,用檢查器檢測在晶片電容所發生的電流的電流值,根據該檢測電流值與檢查用電壓的電壓值,進行檢查對象的晶片電容的電容的檢查。
作為晶片電子零件檢查篩選裝置之例,可以舉例有在專利文獻1記載的裝置。亦即,在專利文獻1,記載有一種晶片電子零件檢查篩選裝置,係用於連續檢查晶片電子零件的電性特性,包含以下製程:使用上述的構成的晶片電子零件檢查篩選裝置,使各個根據相同的規格
而表現指定的相同的電性特性所製造出的檢查對象的晶片電子零件,暫時收容保持到相互地接近搬送圓盤且複數列配置之透孔的各個,接著,把檢查器電性連接到各個晶片電子零件後,從該檢查器對各個晶片電子零件施加檢查用電壓,利用檢查器檢測經由該檢查用電壓的施加在各晶片電子零件所發生的電流值。
在以往使用的晶片電子零件檢查篩選裝置中,在對沿被收容到沿搬送圓盤的圓周所設置的複數列的透孔之晶片電子零件之內的搬送圓盤的半徑方向而排列的晶片電子零件的兩端部的電極,分別使利用固定電極端子與可動電極端子所構成的檢查用電極端子組同時接觸的狀態下,經由對各晶片電子零件依序賦予電流(或者是電壓)的方式,檢查(測定)各晶片電子零件的電性特性。對該複數個晶片電子零件之依序電流的施加與檢查值的取得係使用檢查器(例如,電容測定器)來進行,但檢查篩選裝置的構造的簡樸化是有必要的緣故,用於對各晶片電子零件之電流的施加與檢查值的取得之檢查器並不會在檢查用電極端子組之各個做全數準備,通常,是對2~4組之複數組的檢查用電極端子組準備一組檢查器。接著,這些複數組的檢查用電極端子組與檢查器是介隔著連接切換器(繼電器切換手段)而被連接,各晶片電子零件與檢查器的連接,係利用該繼電器切換手段做高速依序切換。
[專利文獻1]WO2014/010623A1
在專利文獻1具體方面是沒有記載,但在以往使用的晶片電子零件檢查篩選裝置,作為切換器(繼電器切換手段),一般是使用可以安定的切換之水銀繼電切換器。但是,如前述般作為最近幾年測定對象的晶片電子零件非常微小的緣故,相對檢查用電極端子組的尺寸也非常小型化,水銀繼電切換器係其體積相對來講為大的緣故,是無法把水銀繼電切換器配置到接近檢查用電極端子組的位置。為此,一般來說,水銀繼電切換器被配置到與檢查用電極端子組的固定電極端子及可動電極端子之各個相遠離的位置,分別藉由利用檢查用電流施加用的纜線與檢查值取得用的纜線所構成的同軸纜線做連接。
在以往的晶片電子零件檢查篩選裝置中,作為電性特性測定用檢查器與檢查用電極端子組之連接切換手段而被利用的水銀繼電切換器係因為可以有可靠性高的連接切換(切換)之處,所以可以說是優秀的連接切換手段,但因為是機械的連接切換手段,是有使用壽命不充分、連接切換的高速化有其界限、接著使用水銀而引起對環境的風險等的問題。
為此,本發明的發明者,探索取代水銀繼電
切換器的連接切換手段。接著,作為其結果,看到了經由使用半導體切換元件之一種的MOSFET,不需使用水銀,可以高速的連接切換,且使用壽命的延長也可以實現。
但是,更進一步研究的結果,使用作為連接切換手段取代水銀繼電切換器的MOSFET(及其驅動電路)的話,也確認了電性特性的測定結果的精度會下降。例如,使用以往的晶片電子零件檢查篩選裝置(作為'連接切換手段使用水銀繼電切換器,把該水銀繼電切換器利用檢查用電極端子組與約1公尺的同軸纜線做連接),測定電容為1pF的電容器(電容)的電容(Cp)與損失係數(Df),求出這些的標準偏差的話,Cp的標準偏差約0.000250pF,接著Df的標準偏差約0.000043。相對於此,利用相同長度的同軸纜線連接檢查用電極端子組與包含MOSFET的切換手段,同樣,測定電容為1pF的電容器的電容與損失係數,求出這些標準偏差後,Cp的標準偏差約0.000455pF,接著Df的標準偏差約0.000082,電容的標準偏差與損失係數的標準偏差全都增大約2倍,了解到測定資料的精度下降。
本發明的發明者,考慮到上述的測定結果,為了探索在作為連接切換手段使用MOSFET的情況下所發生的電容的標準偏差與損失係數的標準偏差分別增加的原因,進行了研究。接著,在其研究過程中,在調查了連結檢查用電極端子組與連接切換手段之同軸纜線的長度的影響後,如圖15作為圖表所表示般,在作為連接切換手
段使用MOSFET的情況下所見之電容與損失係數之各個的標準偏差,係與同軸纜線的長度有較強的相關,在同軸纜線的長度為0公尺的情況(亦即,不使用同軸纜線的情況)下,作為連接切換手段即便使用MOSFET取代水銀繼電切換器,看到了就電容與損失係數的任一之標準偏差幾乎沒有出現差別。
本案發明者,係根據上述新的真知灼見,更進一步檢討對一方面作為連接切換手段使用MOSFET,另一方面在使用水銀繼電切換器的情況下得到沒有劣化之高精度的測定資料之連接切換手段的晶片電子零件檢查篩選裝置之設置方法。接著,其檢討的結果,在把MOSFET收容在框體,把收容了該MOSFET的框體,分別鄰接配置到檢查用電極端子組的固定電極端子與可動電極端子之下,使被收容在框體的MOSFET(及其驅動電路)介隔著連接器直接連接固定電極端子與可動電極端子,可以迴避連結MOSFET與檢查用電極端子組之同軸纜線的使用,接著,其結果,在晶片電子零件檢查篩選裝置中作為電性特性測定用檢查器與檢查用電極端子組的連接切換手段,看到了MOSFET不會伴隨實用上的問題而可以使用,達成了本發明。
從而,本發明為一種晶片電子零件檢查篩選裝置,包含:基台;晶片電子零件搬送圓盤,係被軸支承
在基台成可旋轉,但是,在該晶片電子零件搬送圓盤,可以把在對向的端面分別具有電極的晶片電子零件予以暫時收容之複數個透孔沿其圓周形成複數列;接著,晶片電子零件供給收容部,係沿該搬送圓盤的旋轉路徑依順設置,使晶片電子零件供給收容到該搬送圓盤的透孔;電性特性檢查部,係具備複數組進行晶片電子零件的電性特性的檢查之利用固定電極端子與可動電極端子所構成之檢查用電極端子組;以及,接著,分類部,係把檢查完畢的晶片電子零件根據檢查結果進行分類;介隔著繼電器切換手段把電性特性檢查器分別連接到上述的固定電極端子與可動電極端子;其特徵為:作為上述繼電器切換手段使用收容到框體之MOSFET,把收容了該MOSFET(及其之驅動電路)的框體,分別鄰接配置到上述檢查用電極端子組的固定電極端子與可動電極端子,介隔著連接器連接上述MOSFET到該固定電極端子與該可動電極端子。
在本發明的晶片電子零件檢查篩選裝置中,上述連接器具備在框體的端面者為佳,而且,上述MOSFET乃是ON電阻為500mΩ以下,OFF電容為20pF以下的MOSFET為佳。
在本發明的晶片電子零件檢查篩選裝置中,作為檢查用電極端子組與電性特性檢查器的連接手段,取代水銀繼電切換器而是使用半導體切換元件也就是
MOSFET及其之驅動電路的緣故,可以迴避因為水銀繼電切換器的使用所發生的問題,亦即,不充分的使用壽命、連接切換的高速化的界限、以及使用水銀所致之對環境的風險。
更進一步,在本發明的晶片電子零件檢查篩選裝置中,用於晶片電子零件的電性特性測定之電性特性檢查工具與檢查用電極端子組的連接作業變得極為容易,而且,也有檢查用電極端子組的設置甚至修理等的作業也簡樸化之優點。亦即,在以往的晶片電子零件檢查篩選裝置中,例如在用同軸纜線連接三組的電極端子組與三組的水銀繼電切換器之情況下,把各組之各個固定電極端子及可動電極端子、與三組的水銀繼電切換器予以連接的同軸纜線總計為6條。接著,在電極端子組發生不適切的情況下,進行把同軸纜線從電極組暫時取下、修理或者是交換是有必要,繁雜的作業變得必要。而且,如前述,電極端子組係其尺寸小的緣故,在從一組的電極端子組取下同軸纜線之際,變成常常有必要也從與其鄰接的電極端子組取下同軸纜線,為此,電極端子組的交換或修理的作業係更進一步傾向繁雜。尚且,這樣繁雜的作業當然在對篩選機的檢查用電極端子組的裝入與同軸纜線的連接之際也有必要。在本發明的晶片電子零件檢查篩選裝置中,對檢查用電極端子組與連接切換手段(把電極端子組與檢查器的電性連接予以切換的手段)的連接沒有必要使用同軸纜線的緣故,上述的繁雜的作業變得不必要,所以也有晶片電子
零件檢查篩選裝置的組裝作業或修理作業變得極為簡單之優點。
10‧‧‧晶片電子零件檢查篩選裝置
11‧‧‧晶片電子零件搬送圓盤
11a‧‧‧透孔
12a、12b、12c、12d、12e、12f‧‧‧固定電極端子
13a、13b、13c、13d、13e、13f‧‧‧可動電極端子
14a、14b‧‧‧檢查器
15‧‧‧控制器
19‧‧‧晶片電子零件(晶片電容)
19a、19b、19c‧‧‧晶片電子零件(晶片電容)
19d、19e、19f‧‧‧晶片電子零件(晶片電容)
20‧‧‧水銀繼電切換器
21‧‧‧電容本體
22a、22b‧‧‧電極
23‧‧‧框體(電極端子連接用)
24‧‧‧MOSFET
25‧‧‧連接器
26‧‧‧電極端子單元(可動電極端子單元)
31‧‧‧晶片電子零件供給口
32‧‧‧扇斗
33‧‧‧分隔壁
41‧‧‧基台
42‧‧‧中心軸
43‧‧‧旋轉驅動裝置
45‧‧‧基底板(基準台)
101‧‧‧晶片電子零件供給收容部(供給收容區域)
102‧‧‧晶片電子零件電性特性檢查部(檢查區域)
103‧‧‧晶片電子零件電子零件分類部(分類區域)
[圖1]為表示檢查對象的晶片電子零件的構成,把晶片電容作為例子之立體圖。
[圖2]為表示晶片電子零件檢查篩選裝置的全體構成之例的前視圖。
[圖3]表示晶片電子零件檢查篩選裝置的晶片電子零件搬送圓盤,以及在該搬送圓盤的旋轉路徑沿其旋轉方向依順配置的晶片電子零件供給收容部(供給收容區域)、晶片電子零件電性特性檢查部(檢查區域)還有晶片電子零件分類部(分類區域)。
[圖4]為晶片電子零件搬送圓盤的前視圖、還有搬送圓盤與其背後的支撐構造之剖視圖。
[圖5]表示晶片電子零件供給收容部的前視圖與側視圖。尚且,虛線係為了表示而描繪加上的晶片電子零件供給收容部的內部構造。
[圖6]為表示在晶片電子零件供給收容部所具備的扇斗的內部構造之圖,(a)為表示扇斗的內部構造之前視圖,(b)為扇斗的側面剖視圖。尚且,在後者的扇斗的側面剖視圖中,也表示搬送圓盤與在搬送圓盤的背後所具備的基底板(基準台)的側面的剖面。
[圖7]為表示在晶片電子零件供給收容部之對搬送圓盤的透孔的晶片電子零件的供與收容的狀態之剖視圖,乃是表示收容晶片電子零件到在搬送圓盤上沿圓周排列成圓弧狀做配置的透孔並進行搬送的狀態之圖。箭頭係表示搬送圓盤的旋轉方向(透孔的移動方向)。
[圖8]為表示用檢查部檢查被收容到搬送圓盤的透孔之晶片電子零件的電性特性之狀態的剖視圖。
[圖9]為表示把被收容到搬送圓盤的透孔並在檢查部的檢查結束後的晶片電子零件用分類部排出的狀態之圖。
[圖10]為表示在公知的晶片電子零件包含作為切換手段所利用的水銀繼電器之配線系統的電路圖。
[圖11]為表示在本發明的晶片電子零件包含作為切換手段所用且收容在框體的MOSFET之配線系統之例的電路圖。
[圖12]為表示收容了在本發明的晶片電子零件所用的MOSFET之框體(附連接器)與檢查用電極組之組合的概略圖。
[圖13]為表示在圖12所示之框體(收容有MOSFET)組裝到檢查用電極組的狀態之概略圖。
[圖14]為表示使用組裝有在圖13所示之框體(收容有MOSFET)之檢查用電極組進行晶片電子零件的檢查之狀態的概略圖。
[圖15]為表示把晶片電子零件檢查篩選裝置中的MOSFET與檢查用電極端子組予以連結的同軸纜線的長
度、與電性特性測定值的精度(用標準偏差表示)之關係的圖表。
以下,就本發明的晶片電子零件檢查篩選裝置之代表性的構成,一邊參閱附圖的圖1~圖14一邊說明。尚且,為了能從這裡記載的說明能夠明瞭,本發明係從有關把公知的晶片電子零件檢查篩選裝置的連接切換手段(繼電器切換)予以包含的連接切換構造之改良處,首先就公知的晶片電子零件檢查篩選裝置之代表性的構成進行說明。
圖1為表示檢查對象的晶片電子零件,就是把晶片電容作為例子及其構成之立體圖;晶片電子零件(晶片電容)19,係利用由介電質所構成的電容本體21及與其兩端對向而設置之一對的電極22a、22b所構成。通常的晶片電容19,乃是作為介電質使用陶瓷之晶片陶瓷電容。尚且,在通常的晶片電子零件的電極的表面,附設有晶片電子零件之用於對各種基板的安裝的焊料層。
圖2為表示晶片電子零件檢查篩選裝置的構成例之前視圖;圖3係表示晶片電子零件檢查篩選裝置的晶片電子零件搬送圓盤,以及在該搬送圓盤的旋轉路徑沿其旋轉方向依順配置的晶片電子零件供給收容部(供給收容區域)、晶片電子零件電性特性檢查部(檢查區域)還有晶片電子零件分類部(分類區域)。圖2的晶片電子零
件檢查篩選裝置,乃是在搬送圓盤沿其圓周多數個透孔排列成6列的配置之裝置。尚且,圖3的搬送圓盤,係為了圖示的簡略化,把搬送圓盤,表示成沿其圓周多數個透孔排列成3列之構成。圖4的(a)為在圖3所示之晶片電子零件搬送圓盤的前視圖,接著,圖4的(b)為表示搬送圓盤與其背後的支撐構造之剖視圖。
在圖2表示的晶片電子零件檢查篩選裝置10中,在圓盤狀材料的表面上沿圓周排列配置可以暫時收容晶片電子零件(例如晶片電容)之多數個透孔11a而形成之晶片電子零件搬送圓盤(以下,簡單稱為搬送圓盤)11,被軸支承在基台41,使得可以沿圓盤的平面旋轉。在搬送圓盤11的旋轉路徑,如圖3所示,設定晶片電子零件的供給收容部(供給收容區域)101、晶片電子零件的電性特性的檢查部(檢查區域)102、還有晶片電子零件的分類部(分類區域)103。在檢查部102,在接近到搬送圓盤11之各列的各透孔11a的兩開口部之位置具備電性特性測定用的電極端子。具備電性連接到檢查器之控制器15,使得在電極端子,電性連接檢查器14a、14b,接著,對檢查器供給有關檢查處理的訊號。尚且,檢查對象的晶片電子零件進入到進料斗(hopper)47,從晶片電子零件供給口31透過扇斗(參閱圖5、6),被供給到搬送圓盤11的透孔。
晶片電子零件搬送圓盤11的透孔11a通常被配置在搬送圓盤的表面之在複數個同心圓上等分割該同心
圓的位置。
在圖2所示的裝置10中,設有在搬送圓盤11的中心與周緣之間排列在半徑方向之總計為6個的透孔,對被收容到各個的透孔之總計6個的晶片電子零件之毎一個,進行晶片電子零件的電性特性的檢查。在搬送圓盤11的中心與周緣之間排列在直徑方向的透孔的數目為在3~20個的範圍內者為佳,在3~12個的範圍內者為更佳。
搬送圓盤11被設置(固定)在基台41,例如基底板(基準台)45,也就是介隔著中心軸42被設置成可旋轉,經由使配設在其背面側的旋轉驅動裝置43作動的方式,在中心軸42的周圍進行間歇的旋轉。
在搬送圓盤11的透孔11a,在晶片電子零件供給收容部101,暫時收容檢查對象的晶片電子零件,是為了檢查其電性特性。
晶片電子零件供給收容部101之詳細的構成,表示於圖5與圖6。晶片電子零件供給收容部101也叫做扇斗部,乃是用於把從外部由晶片電子零件供給口31所供給的晶片電子零件透過扇斗32收容到搬送圓盤11的透孔11a之領域。圖5與圖6中,扇斗32,係形成:作為用於把晶片電子零件供給到設在搬送圓盤11之3列(與圖3同樣,為了簡略化,作為3列表示)的透孔群之構成,利用分隔壁33分離出用於使晶片電子零件以3列做圓弧狀地下降之3列的溝。由晶片電子零件供給口31
所供給,在扇斗32的內部沿分隔壁33下降之晶片電子零件,係在扇斗32的底部附近,透過在基底板(基準台)45所形成的氣體吸引通路45a,經由對搬送圓盤11的透孔11a所帶來之較強的吸引力,被吸引收容在透孔11a。尚且,對該晶片電子零件的搬送圓盤11的透孔11之吸引收容,係通常在暫時靜止搬送圓盤的狀態下進行。
圖7表示晶片電子零件被吸引收容到搬送圓盤11的透孔11a之狀態。亦即,聚集在扇斗32的底部附近之晶片電子零件19,係透過在基底板(基準台)45所形成的氣體吸引通路45a,經由對搬送圓盤11的透孔11a所帶來之較強的吸引力,被吸引收容在透孔11a。尚且,在被聚集在該扇斗32的底部附近之晶片電子零件19之吸引收容到透孔11a之際,在扇斗32的底部附近從外部吹入空氣使氣流產生,在攪拌狀態下使晶片電子零件19浮游,並平穩地進行晶片電子零件的吸引收容者為佳。朝這樣的扇斗32的底部附近之來自外部的空氣的吹入,係例如,可以利用圖6所圖示之空氣吹出部37來進行。
如上述,在晶片電子零件搬送圓盤11的背側或者是裝置的後方側(在圖7右側),配設基底板45。在基底板45,形成分別在搬送圓盤11側的表面開口之複數個氣體吸引通路45a。各個氣體吸引通路被連接到對透孔供給較強的吸引力之氣體吸引裝置46。使氣體吸引裝置46作動的話,氣體吸引通路45a內的氣體因較強的吸引力被吸引,形成在搬送圓盤11與基底板45之間的間隙
成為減壓狀態。
一邊使搬送圓盤11,在圖7所記入的箭頭表示的方向上做間歇的旋轉,透過晶片電子零件供給口31與扇斗32把晶片電子零件供給到搬送圓盤的表面,使氣體吸引裝置46作動,把搬送圓盤11與基底板45之間的間隙做成減壓狀態的話,在搬送圓盤11的透孔11a之各個吸引收容有晶片電子零件19。
經由上述的搬送圓盤11之間歇的旋轉移動,被收容在搬送圓盤11的透孔11a之晶片電子零件19,係接著被送到圖2及圖3所示之檢查部102。尚且,搬送圓盤11與基底板45之間的間隙,係在晶片電子零件19之朝透孔11a內的收容完畢後,旋轉搬送圓盤11,被收容在透孔11a的晶片電子零件19移動到檢查部102,更進一步一直到到達分類部103為止,為弱的減壓狀態。為此,在晶片電子零件供給收容部101被收容在搬送圓盤11的透孔11a之晶片電子零件19,係利用搬送圓盤11之後的旋轉,經由檢查部102一直到到達分類部103為止,是不會從透孔11a脫落。
在檢查部,如圖8所表示,為了把晶片電子零件,電性連接到其電性特性的檢查器,在接近到搬送圓盤11的透孔11a的兩開口部之位置,配置分別成對構成之12a與13a的組合(前者為固定電極端子,後者為可動電極端子,以下皆同)、12b與13b的組合、12c與13c的組合、12d與13d的組合、12e與13e的組合、還有12f
與13f的組合。
如上述,其中一方的電極端子(12a、及其他),係介隔著被配設在其周圍之電絕緣性的筒體,被固定在基底板45。電極端子及基底板45的搬送圓盤側的表面通常利用研磨加工等成為平滑的平面。另一方的電極端子(13a、及其他)為可動電極,被支撐在電極端子支撐板53而可以前進後退。
經由使電極端子支撐板53移動到搬送圓盤11側,被支撐在電極端子支撐板53之可動電極端子(13a、他)也移動到搬送圓盤11側。經由該可動電極端子(13a、及其他)的移動,晶片電子零件被包夾在成對的電極端子(12a、13a、及其他)之間,成為接觸狀態。為此,晶片電子零件的電極22a被電性連接到電極端子(12a、及其他),接著電極22b被電性連接到電極端子(13a、及其他)。經此,晶片電子零件,係介隔著成對的電極端子(12a、13a、及其他),被電性連接到檢查器。
尚且,所謂對配置有成對的電極端子之搬送圓盤的各透孔的兩開口部「接近之位置」,係意味著在各透孔收容了晶片電子零件時,各電極端子被電性連接到各晶片電子零件的電極之位置、或者是電極端子在可移動態構成的情況下,利用使電極端子移動的方式可以電性連接到晶片電子零件的電極之位置。
接著,就在檢查部102,在搬送圓盤11的直
徑方向排成一列被收容配置之6個晶片電子零件19a、19b、19c、19d、19e、19f之各個,對指定的電性特性做檢查。
檢查過電性特性的晶片電子零件係連續利用搬送圓盤11之間歇的旋轉移動,送到圖2及圖3表示的晶片電子零件的分類部103。
如圖9表示,在分類部103,在搬送圓盤11的表側或者是裝置的前部面側(在圖9為左側),配設形成有複數個透孔61a之管支撐蓋61。在管支撐蓋61之各個透孔61a,連接構成晶片電子零件19a的排出通路之管62。尚且,在圖2,僅表示連接到管支撐蓋61之各個透孔61a的管62中的一部分的管。
而且,在被配置在搬送圓盤11的背側或者是裝置的後方側(在圖9為右側)之基底板45,在分類部103的領域,分別形成在搬送圓盤11側的表面開口之複數個氣體供給通路45b。各個氣體供給通路45b被連接到加壓氣體供給裝置63。
使加壓氣體供給裝置63作動的話,加壓氣體被供給到氣體供給通路45b,對被收容在搬送圓盤11的透孔11a之晶片電子零件19a噴射加壓氣體。經此,晶片電子零件被排出到管62。
晶片電子零件19a,係例如,通過圖2表示之被形成在管支撐蓋61之複數個透孔61a之中,位在最外周圍側之總計為10個的透孔61a。該10個的透孔61a,
係分別介隔著管62連接到晶片電子零件收容容器64。
從而,在分類部103從透孔所排出的晶片電子零件,係透過被連接到管支撐蓋61之10個透孔61a之總計10條的管62之任一個,根據已判別明白檢查的結果之電性特性,被收容到預先決定的晶片電子零件收容容器64。
接著,就在本發明的晶片電子零件檢查篩選裝置使用的繼電器手段(切換器)進行說明,但在之前就公知的晶片電子零件檢查篩選裝置中的水銀繼電器的配置進行說明。
有關晶片電子零件檢查篩選裝置中的水銀繼電器的配置,係從專利文獻1的記載與圖7可以概略理解,但本案說明書的附圖的圖10更進一步表示詳細的構成。圖10為表示四端子法所致之固定電極端子12a、12b、12c與可動電極端子13a、13b、13c之總計三組的組合分別介隔著水銀繼電切換器20可以電性連接到檢查器14a之系統的電路圖。在檢查器14a,具備在接觸到各個晶片電子零件19a、19b、19c之各電極端子介隔著水銀繼電切換器20電性連接之四個端子(Hcur、Hpot、Lcur、Lpot)。
各個水銀繼電切換器20,係依照從檢查器14a及控制器15所發送的指示,從而,進行檢查器14a與各電極端子之電性的連接的切換。從圖10,是無法得到有關水銀繼電切換器20的晶片電子零件檢查篩選裝置內
中的配置,但如前述,水銀繼電切換器係一般因為其尺寸大,其位置不是在電極端子的附近,是配置在從電極端子組遠離之檢查器14a的附近,用同軸纜線連接各電極端子與水銀繼電切換器。
接著,就在以本發明所利用的框體所收容的MOSFET及其配置,參閱圖11~圖14進行說明。
從圖11可以理解,被收容在框體23的MOSFET24,為在其中一方的端部被連接到檢查器14a,在另一方的端部與突出到框體23的外部之連接器(與電極端子之連接用連接器)25相連接。尚且,連接器也可以附設到設在框體的端面的凹部。
MOSFET為被分類在半導體切換元件之繼電切換器,其構造或特性已經廣為人知。作為本發明的晶片電子零件檢查篩選裝置的切換器(繼電器切換)所用的MOSFET,ON電阻為500mΩ以下,OFF電容為20pF以下的MOSFET者為佳。
從圖12明白到,收容MOSFET的框體23,係在圖的左側的端面,具備連接到檢查器之同軸纜線,在右側端面具備連接器25。各個連接器25,係構成可以與電極端子單元(為被一體化的電極端子組,在該圖表示可動電極端子單元)26之各電極端子的電性連接。
於圖13,表示收容在圖12所示之MOSFET的框體23與電極端子單元(可動電極端子單元)26係介隔著連接器被連接之狀態。該可動電極端子單元26,係
具備6個電極端子,從而,與同樣具備6個固定電極端子之對應的固定電極端子單元組合,經由利用MOSFET24的連接切換機構,對6個晶片電子零件的電性特性可以用高速依序進行測定。
圖14為表示透過連接器連接收容圖13所示的MOSFET之框體23與可動電極端子單元之單元(可動電極端子側單元)、以及同樣透過連接器連接收容MOSFET之框體23與固定電極端子單元之單元(固定電極端子側單元),係為了測定被收容在搬送圓盤11的晶片電子零件19的電性特性,而接觸到晶片電子零件19的電極端子之狀態的概略圖。
尚且,在本說明書,對於晶片電子零件檢查篩選裝置的構成的說明,是把專利文獻1記載的晶片電子零件搬送圓盤配設在垂直方向而作動之裝置作為例子進行了說明,但本發明的晶片電子零件檢查篩選裝置,當然也可以是晶片電子零件搬送圓盤在對基台為傾斜的狀態下被軸支承的裝置。
14a‧‧‧檢查器
23‧‧‧框體(電極端子連接用)
24‧‧‧MOSFET
25‧‧‧連接器
Claims (3)
- 一種晶片電子零件檢查篩選裝置,包含:基台;晶片電子零件搬送圓盤,係被軸支承在基台成可旋轉,但是,在該晶片電子零件搬送圓盤,可以把在對向的端面分別具有電極的晶片電子零件予以暫時收容之複數個透孔沿其圓周形成複數列;接著,晶片電子零件供給收容部,係沿該搬送圓盤的旋轉路徑依順設置,使晶片電子零件供給收容到該搬送圓盤的透孔;電性特性檢查部,係具備複數組進行晶片電子零件的電性特性的檢查之利用固定電極端子與可動電極端子所構成之檢查用電極端子組;以及,接著,分類部,係把檢查完畢的晶片電子零件根據檢查結果進行分類;介隔著繼電器切換手段把電性特性檢查器分別連接到上述的固定電極端子與可動電極端子;其特徵為:作為上述繼電器切換手段使用收容到框體之MOSFET,把收容了該MOSFET及其之驅動電路的框體,分別鄰接配置到上述檢查用電極端子組的固定電極端子與可動電極端子,介隔著連接器連接上述MOSFET到該固定電極端子與該可動電極端子。
- 如請求項1之晶片電子零件檢查篩選裝置,其中,上述連接器被具備在框體的端面。
- 如請求項1之晶片電子零件檢查篩選裝置,其中,上述MOSFET,乃是ON電阻為500mΩ以下,OFF電容為20pF以下的MOSFET。
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