TWI797565B - 晶片載台 - Google Patents

Abstract

本發明揭露了一種晶片載台、晶片測試模組以及晶片搬運模組。所述晶片載台用以承載多個晶片且包含本體部，本體部定義有上表面與下表面。本體部具有多個導氣孔，每一個導氣孔兩端分別露出於上表面與下表面。其中部分的導氣孔定義為第一群組，被定義為第一群組的導氣孔相連通，且本體部由導電材料製成。

Description

晶片載台

本發明係關於一種晶片載台、晶片測試模組以及晶片搬運模組，特別是關於一種可以承載多個晶片的晶片載台，可以測試多個晶片的晶片測試模組，以及可以運送多個晶片的晶片搬運模組。

當晶片製作完成後，往往還需要進行一連串的測試，以確保製作的品質。由於不同的測試項目需要在不同的測試站中進行，從而需要在多個測試站之間搬運晶片。舉例來說，一般會以吸嘴吸起晶片，接著移動被吸起的晶片到下一個測試站，吸嘴移動到正確的位置後再釋放晶片。然而，於所屬技術領域具有通常知識者可以理解，當晶片需要進行的測試項目越多，逐一移動晶片將會使整個測試流程非常耗時。特別是，當晶片的尺寸越來越小，反覆地吸起、釋放晶片會提高損壞晶片的機會。

據此，業界需要一種新的晶片載台，要能夠同時承載多個晶片，從而提高搬運晶片的效率並且減少晶片被直接接觸的機會。此外，業界也需要一種新的晶片測試模組以及晶片搬運模組，可以對晶片載台中的多個晶片進行測試以及搬運所述晶片載台。

本發明提供一種晶片載台，除了可以同時放置多個晶片之外，還可以被晶片搬運模組直接搬運，從而實現了批次搬運晶片的目的，故能減少個 別的晶片被反覆吸起、釋放而導致損壞的機會。此外於測試時，由於晶片載台具有導電性，可以直接控制是否供電給多個晶片，也可以減少晶片再被移動或接觸的情況。

本發明提出一種晶片載台，用以承載多個晶片。所述晶片載台包含本體部，本體部定義有上表面與下表面。本體部具有多個導氣孔，每一個導氣孔兩端分別露出於上表面與下表面。其中部分的導氣孔定義為第一群組，被定義為第一群組的導氣孔相連通，且本體部由導電材料製成。

於一些實施例中，本體部可以設有第一溝槽，第一溝槽用以連通第一群組的導氣孔。在此，第一溝槽可以露出於下表面，本體部可以設有第一定位孔與第二定位孔，第一定位孔與第二定位孔露出於下表面，且第一溝槽在第一定位孔與第二定位孔之間。此外，上表面可以定義有多個容置位置，每一個容置位置內具有所述多個導氣孔其中之一，且每一個容置位置用以對應所述多個晶片其中之一。當晶片設置於對應的容置位置時，晶片覆蓋容置位置內的導氣孔。另外，本體部可以設有第一上導槽與第二上導槽，第一上導槽與第二上導槽露出於上表面，且所述多個容置位置在第一上導槽與第二上導槽之間。

本發明提供一種晶片測試模組，可以吸附固定晶片載台，並且可以控制是否吸附晶片載台上特定容置位置內的晶片。此外，晶片測試模組還可以電性連接晶片載台上的晶片，並利用導熱塊導出晶片載台的熱能。

本發明提出一種晶片測試模組，包含導熱塊以及散熱座體。導熱塊設置有多個抽氣管路。散熱座體設置於導熱塊且鄰近於導熱塊的邊緣，散熱座體的上表面設有第一定位柱、第二定位柱、第一抽氣孔與第二抽氣孔，第一抽氣孔與第二抽氣孔位於第一定位柱與第二定位柱之間。其中第二抽氣孔位於 真空導槽中，且真空導槽露出於上表面。第一抽氣孔與第二抽氣孔分別連通所述多個抽氣管路其中之一，且第一抽氣孔與第二抽氣孔不共平面。

於一些實施例中，當晶片載台設置於散熱座體時，第一定位柱與第二定位柱分別對應晶片載台的第一定位孔與第二定位孔。當晶片載台設置於散熱座體時，第一抽氣孔用以連通晶片載台的至少一導氣孔，第二抽氣孔用以吸附晶片載台。

本發明提供一種晶片搬運模組，可以吸附並搬運晶片載台，減少個別晶片被移動的次數。此外，於搬運晶片載台時，晶片搬運模組可以利用頂針固定晶片載台上的多個晶片，從而可以避免晶片滑動或掉落。

本發明提出一種晶片搬運模組，包含吸嘴座體。吸嘴座體於底面上設有第一凸起部、第二凸起部與多個頂針。所述多個頂針位於第一凸起部與第二凸起部之間，第一凸起部設有第三抽氣孔，第二凸起部設有第四抽氣孔，第一凸起部與第二凸起部的頂面形成共平面。其中當吸嘴座體於吸附晶片載台時，第一凸起部與第二凸起部分別覆蓋晶片載台的第一上導槽與第二上導槽，且每一個頂針對應晶片載台的多個容置位置其中之一。

於一些實施例中，第三抽氣孔與第四抽氣孔用於吸附晶片載台，且當吸嘴座體於吸附晶片載台時，每一個頂針用以抵頂晶片，以固定晶片於對應的容置位置。

綜上所述，本發明提供的晶片載台，可以同時承載多個晶片，晶片可以利用晶片載台移動於各個測試站之間，從而能夠提高搬運晶片的效率並且減少晶片被直接接觸的機會。此外，晶片測試模組除了可以固定所述晶片載台之外，也可以獨立控制是否吸附晶片載台上的特定晶片。並且，晶片測試模 組還可以電性連接晶片載台上的晶片，並利用導熱塊導出晶片載台的熱能。另外，晶片搬運模組可以吸附並搬運晶片載台，減少個別晶片被移動的次數，並於搬運晶片載台時，晶片搬運模組可以利用頂針固定晶片載台上的多個晶片，從而可以避免晶片滑動或掉落。

1:晶片載台

10:本體部

10a:本體部的上表面

10b:本體部的下表面

10c:本體部的斜面

100a、100b:導氣孔

102a、102b:容置位置

104a:第一上導槽

104b:第二上導槽

106a~106d:溝槽

108a:第一定位孔

108b:第二定位孔

2:晶片測試模組

20:導熱塊

200:導熱塊的邊緣

22:散熱座體

22a:散熱座體的上表面

220a:第一定位柱

220b:第二定位柱

222a~222d:抽氣孔

224a~224b:抽氣孔

226a~226b:真空導槽

24:氣嘴

3:晶片搬運模組

30:吸嘴座體

30a:吸嘴座體的底面

300a:第一凸起部

300b:第二凸起部

302a、302b:抽氣孔

304:頂針

32:移動設備

34:氣嘴

4:晶片載台

40:本體部

40a:本體部的上表面

40b:本體部的斜面

400a:導氣孔

402a:容置位置

402:平台

404a、404b:平面

5:晶片搬運模組

50:吸嘴座體

50a:吸嘴座體的底面

500a:第一凸起部

500b:第二凸起部

502a:抽氣孔

502b:抽氣孔

504a:第一吸附凹槽

504b:第二吸附凹槽

圖1係繪示依據本發明一實施例之晶片載台的立體示意圖。

圖2係繪示依據本發明一實施例之晶片載台的另一立體示意圖。

圖3係繪示依據本發明一實施例之晶片載台的下視示意圖。

圖4係繪示依據本發明一實施例之晶片載台和晶片測試模組的立體示意圖。

圖5係繪示依據本發明一實施例之晶片載台和晶片搬運模組的立體示意圖。

圖6係繪示依據本發明一實施例之晶片搬運模組的立體示意圖。

圖7係繪示依據本發明另一實施例之晶片載台的立體示意圖。

圖8係繪示依據本發明另一實施例之晶片搬運模組的立體示意圖。

下文將進一步揭露本發明之特徵、目的及功能。然而，以下所述者，僅為本發明之實施例，當不能以之限制本發明之範圍，即但凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化及修飾，仍將不失為本發明之要意所在，亦不脫離本發明之精神和範圍，故應將視為本發明的進一步實施態樣。

請一併參閱圖1、圖2與圖3，圖1係繪示依據本發明一實施例之晶片載台的立體示意圖，圖2係繪示依據本發明一實施例之晶片載台的另一立體示 意圖，圖3係繪示依據本發明一實施例之晶片載台的下視示意圖。如圖所示，晶片載台1包含一個本體部10，且本體部10可以定義有上表面10a與下表面10b。上表面10a可以用來承載多個晶片(圖未示)，圖中可以看出上表面10a設有多個導氣孔的開口，例如相鄰的導氣孔100a與導氣孔100b。實務上，每一個導氣孔周圍的一定面積可以被定義為一個容置位置，例如導氣孔100a的周圍可以被定義為容置位置102a，導氣孔100b的周圍可以被定義為容置位置102b。於一個例子中，容置位置的尺寸恰好對應晶片的尺寸，也就是晶片被規劃要放置於容置位置內。如圖1所示的例子，上表面10a繪示有10個導氣孔，即表示可以有10個容置位置，可以對應放置10個晶片。當然，本實施例不用以限制導氣孔、容置位置或可放置晶片的數量，於所屬技術領域具有通常知識者可以自由設計。此外，所述晶片可以是一種用於產生雷射光的晶片，本實施例也不限制晶片的種類。

結構上，本體部10的上表面10a面積會略小於下表面10b的面積，原因是本體部10設有斜面10c，斜面10c使得本體部10於中央區域呈現上(上表面10a)窄下(下表面10b)寬的外觀。於一個例子中，斜面10c僅在本體部10的中間區域，形成本體部10的中間區域的上表面10a僅留下多個容置位置以容置晶片。其中一個理由是，斜面10c的設計可以減少本體部10的體積與質量，從而可以增加本體部10的導熱效率(或減少本體部10的蓄熱)，而上窄下寬的外觀也可以用於分段打孔(例如打通導氣孔100a)，顧及本體部10的結構強度。所述分段打孔指的是導氣孔100a可以由較窄(結構強度較差)的上表面10a一端打入較淺的一節孔洞，而由較寬(結構強度較佳)的下表面10b一端打入較深的一節孔洞，兩節孔洞貫通後即為導氣孔100a。此外，當多個晶片分別放置於對應的容置位置後，以容置位置102a為例，因為晶片的尺寸較導氣孔100a於上表面10a的開口大，從而晶片應可 以完整覆蓋住導氣孔100a於上表面10a的開口。只要晶片和上表面10a足夠平整，晶片和上表面10a之間應當可以緊密貼合而形成氣密。

另外，本體部10的上表面10a除了導氣孔之外，還可以設有第一上導槽104a與第二上導槽104b。於一個例子中，第一上導槽104a與第二上導槽104b都不會貫穿本體部10，而是開口露出於上表面10a的凹陷結構。就圖1的例子來看，本體部10於上表面10a的多個容置位置與多個導氣孔的開口，均會位在第一上導槽104a與第二上導槽104b之間。另一方面，多個導氣孔會貫穿本體部10，從而每一個導氣孔於下表面10b也會有開口。以上述導氣孔100a與導氣孔100b為例，圖2也可以看出下表面10b有相鄰的導氣孔100a與導氣孔100b的開口。在此，下表面10b還可以設有多個溝槽(第一溝槽)，而溝槽的功能在於連通導氣孔。

於一個例子中，本體部10中的多個導氣孔可以被分成兩個以上的群組，例如圖1繪示的10個導氣孔，由左至右來說，最左邊四個導氣孔可以為一個群組，接下來的三個導氣孔可以為一個群組，再接下來的兩個導氣孔(即導氣孔100a與導氣孔100b)可以為一個群組，最右的一個導氣孔可以自己為一個群組。上述每一個群組中的導氣孔都可以由溝槽相連通，例如由左至右可以有溝槽106a到溝槽106d，分別對應上述的不同導氣孔群組。以本實施例圖中繪示的來說，可見到導氣孔100a與導氣孔100b是被溝槽106c連通在一起的。於一個例子中，溝槽不一定要露出於下表面10b，也有可能設計在本體部10內，例如溝槽106c可以在本體部10內連通導氣孔100a與導氣孔100b，本實施例不加以限制。

為了說明溝槽的功能，假設兩個待測的晶片分別放置在容置位置102a與容置位置102b。此時，所述兩個晶片應當覆蓋住導氣孔100a與導氣孔100b於上表面10a的開口，而導氣孔100a與導氣孔100b於下表面10b的開口可以連通到 外部的抽氣孔(未示於圖1~3)。當外部的抽氣孔開始抽氣時，因為溝槽106c連通導氣孔100a與導氣孔100b的關係，導氣孔100a與導氣孔100b便會同時被抽負壓(或抽真空)，使所述兩個晶片被吸緊於容置位置102a與容置位置102b。以圖2繪示的例子來說，溝槽可以是由下表面10b凹陷的結構，且溝槽除了連通個別群組中的導氣孔之外，其中一個功能可以是用於對準外部的抽氣孔。如圖3所示，溝槽106c除了連通導氣孔100a與導氣孔100b的直線凹陷之外，還可以有從直線凹陷延伸出去、不固定形狀的凹陷，從而可以對應外部的抽氣孔的位置。上述的例子也可以說明縱使群組內只有一個導氣孔也可以配置溝槽的理由，例如圖3最右的一個導氣孔可以連通到溝槽106d，而溝槽106d可以用來對準外部的抽氣孔，使得外部的抽氣孔可以經由溝槽106d對最右的一個導氣孔抽氣。

本體部10於下表面10b還可以設有第一定位孔108a與第二定位孔108b，第一定位孔108a與第二定位孔108b可以是由下表面10b凹陷的結構，且分別位於下表面10b的兩端。於一個例子中，下表面10b露出的導氣孔的開口以及溝槽都可以位於第一定位孔108a與第二定位孔108b之間。為了說明下表面10b的結構與其功能，請一併參閱圖3與圖4，圖4係繪示依據本發明一實施例之晶片載台和晶片測試模組的立體示意圖。如圖所示，晶片載台1可以被吸緊固定於晶片測試模組2，晶片測試模組2可以包含導熱塊20以及散熱座體22，其中散熱座體22係安裝於導熱塊20的邊緣200。散熱座體22的上表面22a可以設有第一定位柱220a以及第二定位柱220b，第一定位柱220a以及第二定位柱220b可以用來對準第一定位孔108a與第二定位孔108b。

舉例來說，第一定位柱220a以及第二定位柱220b可以分別是一個圓柱體，而第一定位孔108a與第二定位孔108b可以分別是一個對應形狀的圓形或 橢圓形凹陷。本實施例在此不限制第一定位柱220a、第二定位柱220b、第一定位孔108a與第二定位孔108b的形狀，其功能在於引導晶片載台1對準散熱座體22。換句話說，只要晶片測試模組2的第一定位柱220a(或第二定位柱220b)可以插入晶片載台1的第一定位孔108a(或第二定位孔108b)，即應屬本實施例所揭露定位柱和定位孔的範疇。此外，第一定位孔108a與第二定位孔108b的形狀可以不相同，第一定位柱220a與第二定位柱220b的形狀也可以不相同，本實施例不加以限制。

第一定位柱220a以及第二定位柱220b之間可以設有第一抽氣孔(例如抽氣孔222a~222d)與第二抽氣孔(例如抽氣孔224a~224b)。抽氣孔222a~222d可以是前述實施例示範的外部抽氣孔，且位置上會分別對應溝槽106a~106d，例如抽氣孔222c即是對應溝槽106c，並且可以連通至導氣孔100a與導氣孔100b。於一個例子中，導熱塊20內部可以設置有多個抽氣管路(圖未示)並且連接到多個氣嘴24，每一個抽氣孔222a~222d可以對應其中一個抽氣管路。以實際的例子來說，對應抽氣孔222c的氣嘴24抽氣時，溝槽106c連通的導氣孔100a與導氣孔100b可以同時呈現負壓，讓放置在容置位置102a與容置位置102b中的晶片可以被吸緊。換句話說，當晶片載台1的本體部10被放置於晶片測試模組2的散熱座體22時，抽氣孔222a~222d的功能是吸附多個容置位置中的晶片。

當然，每一個氣嘴24是否抽氣是可以被控制的，也就是說使用者可以藉由控制各別的氣嘴24，便可以決定對晶片載台1中哪一個群組的導氣孔抽氣，使對應位置的晶片被吸緊。由於所述導氣孔的群組中可以對應有不同數量的導氣孔，控制不同的氣嘴24也可以意味著控制吸緊或釋放不同群組與不同數量的晶片。以實際的例子來說，使用者可以預先設計晶片的擺放位置，例如已知測試途中要移走三個晶片，則可以將三個晶片安排在溝槽106b對應到的容置位 置。接著，只要控制對應溝槽106b的氣嘴24停止抽氣，則可以同時停止對溝槽106b連通的三個導氣孔抽氣，使對應的三個容置位置中的三個晶片可以被釋放。

另外，部分的氣嘴24還可以對應到第二抽氣孔(例如抽氣孔224a~224b)，抽氣孔224a和抽氣孔224b的開口可以分別位於真空導槽226a和真空導槽226b之中。在此，真空導槽226a和真空導槽226b可以是由上表面22a凹陷的結構，從而第一抽氣孔(例如抽氣孔222a~222d)與第二抽氣孔(例如抽氣孔224a~224b)的開口可以不在同一個平面上。實務上，抽氣孔222a~222d的開口位於上表面22a，而抽氣孔224a~224b的開口位於自上表面22a凹陷的真空導槽226a和真空導槽226b中，故會略低於抽氣孔222a~222d的開口高度。於實際的例子中，晶片載台1放置於晶片測試模組2上時，本體部10的下表面10b會接觸散熱座體22的上表面22a，並且下表面10b會覆蓋真空導槽226a和真空導槽226b。此時，當抽氣孔224a~224b對應的氣嘴24開始抽氣時，只要下表面10b和上表面22a足夠平整，真空導槽226a和真空導槽226b應當可以形成氣密。藉此，下表面10b分別與真空導槽226a與真空導槽226b之間會有負壓而密合，從而使得本體部10被吸緊於散熱座體22。由上述可知，當晶片載台1的本體部10被放置於晶片測試模組2的散熱座體22時，抽氣孔224a~224b的功能是固定晶片載台1與晶片測試模組2，而有別於抽氣孔222a~222d固定晶片的功能。

於一個例子中，晶片載台1的本體部10與散熱座體22可以由導電材料製成，例如可以利用鋁擠產生一體成型的結構。因此，當本體部10與散熱座體22固定(晶片載台1固定於晶片測試模組2)之後，本體部10承載的多個晶片已經經由散熱座體22電性連接到晶片測試模組2，故能直接在不移動晶片的情況下開始進行測試。此外，導熱塊20可以是一種溫控平台，可以自由調節溫度並傳遞 給上方散熱座體22，於所屬技術領域具有通常技術者可以理解，導熱塊20以及散熱座體22應具有良好的導熱效率。實務上，本體部10也會有良好的導熱效率，從而可以藉由導熱塊20控制本體部10承載的晶片要操作於甚麼工作溫度。值得一提的是，以所述多個晶片是可以產生雷射光的晶片為例，散熱座體22安裝於導熱塊20的邊緣200係有助於光型的量測。例如本體部10承載的多個晶片可以均朝向邊緣200的一側(例如沿著上表面22a的平面方向)發光，由於邊緣200之外沒有導熱塊20的結構阻擋，故可以在導熱塊20外側量測到晶片發光的光型。

在晶片測試完成後，晶片載台1可以藉由晶片搬運模組移開晶片測試模組2。請一併參閱圖1、圖5與圖6，圖5係繪示依據本發明一實施例之晶片載台和晶片搬運模組的立體示意圖，圖6係繪示依據本發明一實施例之晶片搬運模組的立體示意圖。如圖所示，晶片搬運模組3包含吸嘴座體30，且吸嘴座體30可以定義有底面30a。於底面30a上設有第一凸起部300a與第二凸起部300b，第一凸起部300a內設有抽氣孔302a(第三抽氣孔)，第二凸起部300b設有抽氣孔302b(第四抽氣孔)。於一個例子中，吸嘴座體30內部也可以設有抽氣管路(圖未示)，所述抽氣管路可以連通氣嘴34以及抽氣孔302a~302b。實務上，氣嘴34是否抽氣是可以被控制的，使用者可以藉由控制氣嘴34，讓抽氣孔302a~302b開始抽氣。此外，吸嘴座體30可以被鎖固於移動設備32上，移動設備32可以用於連接機械臂或者是機械臂的一部分，所述機械臂可用以移動於數個晶片測試模組2之間。

以實際的例子來說，吸嘴座體30可以用於吸附晶片載台1的本體部10，而第一凸起部300a與第二凸起部300b的功能在於，能覆蓋住本體部10於上表面10a的第一上導槽104a與第二上導槽104b。由於上表面10a大致上平整，故第一凸起部300a與第二凸起部300b的頂面會貼齊上表面10a而形成共平面。實務上， 第一上導槽104a與第一凸起部300a之間可以形成氣室(第一氣室)，第二上導槽104b與第二凸起部300b之間可以形成氣室(第二氣室)。當抽氣孔302a對第一凸起部300a和第一上導槽104a之間抽氣，抽氣孔302b對第二凸起部300b和第二上導槽104b之間抽氣時，第一氣室和第二氣室會是負壓而有內外壓力差。藉此，讓吸嘴座體30可以吸緊本體部10的兩端，也讓吸嘴座體30對本體部10的吸力較為平均一些。此外，於底面30a上還可以設有多個頂針304，多個頂針304位第一凸起部300a與第二凸起部300b之間。由圖中可見，多個頂針304排列較為分散，實務上多個頂針304的數量和排列方式會關聯於上表面10a的容置位置的數量和排列方式。

於一個例子中，當多個晶片測試完成後，抽氣孔224a~224b會停止抽氣，從而鬆開晶片載台1與晶片測試模組2，接著再由吸嘴座體30對準晶片載台1的本體部10，並由抽氣孔302a~302b抽氣而吸附本體部10。藉此，本實施例便可以使得晶片載台1和晶片搬運模組3相互固定。此時，由於本體部10中的多個容置位置可能還放置有晶片，也因為晶片載台1離開晶片測試模組2後，抽氣孔222a~222d不再有能力吸附多個晶片，故需要藉由多個頂針304抵住晶片。例如，使每一個晶片被壓緊於頂針304和本體部10的上表面10a之間，從而可以固定於預設的容置位置。實務上，為了避免晶片被頂針304過度擠壓而產生損壞，多個頂針304凸出於底面30a的高度可以略小於第一凸起部300a與第二凸起部300b的高度，或者多個頂針304可以由彈性材料製成，本實施例不加以限制。不過，雖然本實施例示範了具有多個頂針的晶片搬運模組，但實際上多個頂針並不是必要元件，晶片搬運模組還是可以在沒有頂針的的情況下搬運晶片載台，容後實施例說明。

值得一提的是，於抽氣孔(222a~222d、224a~224b與302a~302b)抽氣時，在抽氣孔的開口周圍有預留一定的空間，應有助於吸緊物件。於一個例子中，相比於真空導槽226a與真空導槽226b，圖中繪示的第一上導槽104a與第二上導槽104b的尺寸顯然比較大。其中一個原因是，為了減少本體部10的體積與質量，並增加導熱效率，所以第一上導槽104a與第二上導槽104b的尺寸較大，這也和設計斜面10c的理由相類似。

於另一個實施例中，請一併參閱圖1與圖7，圖7係繪示依據本發明另一實施例之晶片載台的立體示意圖。如圖所示，本實施例示範了一個結構相異於圖1的晶片載台4。與圖1相同的是，晶片載台4同樣包含一個本體部40，且本體部40可以定義有上表面40a與下表面(未示於圖7)。本體部40的下表面結構與圖1的實施例相同，本實施例在此不予贅述本體部40的下表面結構。而上表面40a結構上與圖1相同的是，上表面40a同樣可以看到多個導氣孔(例如其中一個導氣孔400a)的開口，且導氣孔400a周圍的一定面積可以被定義為一個容置位置402a。不過，圖1的容置位置102a是直接開口於上表面10a，容置位置402a則是一個凹槽，導氣孔400a設置在所述凹槽中。於一個例子中，導氣孔400a設置位置大致在所述凹槽的中心點，本實施例不以此為限。

晶片可以放置在容置位置402a內，但容置位置402a僅是用於大致區分出晶片可以放置的位置，可以看成一種非常淺的壓印痕跡。實務上，為了避免容置位置402a的凹槽遮蔽晶片側向發出的光，故晶片不會全部陷於容置位置402a中，至少有一部分的晶片會露出容置位置402a。換句話說，容置位置402a從上表面40a下陷的深度應小於晶片的厚度，例如容置位置402a從上表面40a下陷的深度可以低於晶片厚度的1/2。此外，本實施例不限制容置位置402a的形狀，由 俯視上表面40a的角度來看，容置位置402a可以是X形、矩形或其他可以容置晶片的形狀即可。

另外，與圖1不相同的是，晶片載台4的斜面40b的傾斜度也大於圖1繪示的斜面10c，並且斜面40b連接一個平台402。實務上，平台402的一個功能是提供晶片測試模組2控制晶片載台4溫度的效率。於所屬技術領域具有通常知識者可以理解，平台402增加了晶片載台4接觸晶片測試模組2的面積，接觸面積會正相關於熱傳導的速度。也就是說，當晶片測試模組2設定了測試的溫度，放置在晶片測試模組2上的晶片載台4可以更快速地透過平台402升溫(或降溫)到指定溫度。另一方面，為了加晶片載台4快達到指定溫度的速度，本實施例更進一步減少了晶片載台4的體積(質量)，原本圖1設置第一上導槽104a與第二上導槽104b的本體部10被削薄，且第一上導槽104a與第二上導槽104b被移除了。由圖7可見，本體部40的兩端較圖1的本體部10更薄，即本體部40的兩端可以沒有上導槽的結構而對應的位置僅有平面404a和平面404b。

於一個例子中，平面404a和平面404b可以是共平面，且平面404a和平面404b會低於上表面40a，即平面404a(或平面404b)和上表面40a不共平面。當然，為了要吸附晶片載台4，晶片搬運模組也需要做有別於圖6的設計。請一併參閱圖6、圖7與圖8，圖8係繪示依據本發明另一實施例之晶片搬運模組的立體示意圖。如圖所示，與圖6相同的是，晶片搬運模組5同樣包含吸嘴座體50，且吸嘴座體50可以定義有底面50a。於底面50a上設有第一凸起部500a與第二凸起部500b，第一凸起部500a內設有抽氣孔502a(第三抽氣孔)，第二凸起部500b設有抽氣孔502b(第四抽氣孔)。此外，晶片搬運模組5也同樣可以有移動設備和氣嘴，但因移動設備和氣嘴非本實施例的重點，故不再贅述。

因為要搬運的晶片載台4結構與晶片載台1結構不同，故晶片搬運模組5與圖6也存在些許不同，例如晶片搬運模組5可以不具備頂針。實務上，因為容置位置402a略為從上表面40a下陷，故對放置在容置位置402a中的晶片來說有些許固定的效果，加上晶片本身可能會帶有殘膠，足以讓晶片在搬運時可以大致固定在容置位置402a內而不會位移。換句話說，晶片搬運模組5不用對應位置的頂針抵住晶片，也不影響搬運晶片載台4以及晶片載台4承載的多個晶片。此外，晶片搬運模組5與圖6還有不同之處是，因為晶片載台4的本體部40兩端(平面404a和平面404b)較上表面40a低，相比於圖6來說，第一凸起部500a與第二凸起部500b應當更凸出於底面50a，才能夠分別貼附在平面404a和平面404b的位置。另外，由於平面404a和平面404b已經不具備上導槽，為了使真空吸附的效果更好，第一凸起部500a與第二凸起部500b可以分別有第一吸附凹槽504a與第二吸附凹槽504b。

於圖8繪示的例子中，抽氣孔502a和抽氣孔502b會分別在第一吸附凹槽504a與第二吸附凹槽504b內。當第一凸起部500a與第二凸起部500b分別貼附在平面404a和平面404b時，第一吸附凹槽504a和平面404a可以形成氣室(第一氣室)，第二吸附凹槽504b和平面404b可以形成氣室(第二氣室)，從而同樣可以有預留一定的空間，應有助於吸緊物件。

綜上所述，本發明提供的晶片載台，可以同時承載多個晶片，晶片可以利用晶片載台移動於各個測試站之間，從而能夠提高搬運晶片的效率並且減少晶片被直接接觸的機會。此外，晶片測試模組除了可以固定所述晶片載台之外，也可以獨立控制是否吸附晶片載台上的特定晶片。並且，晶片測試模組還可以電性連接晶片載台上的晶片，並利用導熱塊導出晶片載台的熱能。另 外，晶片搬運模組可以吸附並搬運晶片載台，減少個別晶片被移動的次數，並於搬運晶片載台時，晶片搬運模組可以利用頂針固定晶片載台上的多個晶片，從而可以避免晶片滑動或掉落。

1:晶片載台

10:本體部

10a:本體部的上表面

10c:本體部的斜面

100a、100b:導氣孔

102a、102b:容置位置

104a:第一上導槽

104b:第二上導槽

Claims (8)

1. 一種晶片載台，用以承載多個晶片，所述晶片載台包含：一本體部，定義有一上表面與一下表面，且該本體部具有多個導氣孔，每一該導氣孔兩端分別露出於該上表面與該下表面；其中部分的該些導氣孔定義為一第一群組，被定義為該第一群組的該些導氣孔相連通；其中該本體部由導電材料製成。
2. 如請求項1所述之晶片載台，其中該本體部設有一第一溝槽，該第一溝槽用以連通該第一群組的該些導氣孔。
3. 如請求項2所述之晶片載台，其中該第一溝槽露出於該下表面。
4. 如請求項3所述之晶片載台，其中該本體部設有一第一定位孔與一第二定位孔，該第一定位孔與該第二定位孔露出於該下表面，且該第一溝槽在該第一定位孔與該第二定位孔之間。
5. 如請求項1所述之晶片載台，其中該上表面定義有多個容置位置，每一該容置位置內具有該些導氣孔其中之一，且每一該容置位置用以對應該些晶片其中之一。
6. 如請求項5所述之晶片載台，其中當該晶片設置於對應的該容置位置時，該晶片覆蓋該容置位置內的該導氣孔。
7. 如請求項5所述之晶片載台，其中該本體部設有一第一上導槽與一第二上導槽，該第一上導槽與該第二上導槽露出於該上表面，且該些容置位置在該第一上導槽與該第二上導槽之間。
8. 如請求項5所述之晶片載台，其中每一該容置位置為一凹槽，該凹槽內具有該些導氣孔其中之一。

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