TW201638908A - 可撓性顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種製造可撓性顯示裝置的方法。該方法包括在載體基板上形成犧牲層，使該犧牲層包含氫陷阱材料及非晶矽；在犧牲層上形成支撐層及薄膜電晶體；以及藉由向該犧牲層照射雷射使支撐層從該載體基板分離。

Description

可撓性顯示裝置之製造方法
實施例係關於一種可撓性顯示裝置的製造方法。
平板顯示器可包括液晶顯示器及有機發光裝置，且可逐漸變薄。近來，已積極地研究及發展可彎曲或可折疊的可撓性顯示裝置。
先前技術所揭露的上述資訊僅供增強對所述技術之背景的了解，且因此其可能包含不構成本國所屬技術領域中具有通常知識者所習知的先前技術的資訊。
此實施例係針對一種可撓性顯示裝置的製造方法。
此實施例可由提供一種可撓性顯示裝置的製造方法來實現，該方法包括在一載體基板上形成一犧牲層，使該犧牲層包含氫陷阱材料及非晶矽；在該犧牲層上形成支撐層及薄膜電晶體；及藉由向犧牲層照射雷射使支撐層從該載體基板分離。
氫陷阱材料可包含一金屬，其吸收氫以形成金屬氫複合物或金屬氫化合物。
氫陷阱材料可包含鉑(Pt)、鈦(Ti)或鈀(Pd)之至少之一。
氫陷阱材料可吸收在薄膜電晶體形成期間從非晶矽分離出來的氫，同時被氫陷阱材料吸收的氫可在雷射照射在犧牲層期間從氫陷阱材料分離出來。
犧牲層的形成可包括在載體基板上沉積非晶矽，及利用高溫加熱處理使氫陷阱材料擴散入非晶矽。
該方法可進一步包括形成氮化矽(SiNx)層在犧牲層的至少一個表面上。
犧牲層的形成可包括使由氫陷阱材料製成的奈米粒子分散在一非晶矽溶液中，並把包含分散奈米粒子的非晶矽溶液印刷在載體基板上。
該方法可進一步包括形成氮化矽(SiNx)層在犧牲層的至少一個表面上。
犧牲層可包括第一層及第二層，並且氫陷阱材料可被包含在該第一層。
第一層可用印刷非晶矽溶液的方式形成，其中由氫陷阱材料製成的奈米粒子被散佈到載體基板上，而第二層可用沉積非晶矽的方式形成。
犧牲層的形成可包括在載體基板上鍍上由氫陷阱材料製成的奈米粒子，並沉積非晶矽到奈米粒子上。
犧牲層的形成可包括形成包含非晶矽的第一層，並在第一層上形成第二層，以讓第二層包含氫陷阱材料及絕緣材料。
第一層的非晶矽可由沉積形成，且第二層可藉由印刷氫陷阱材料製成的奈米粒子然後把絕緣材料塗於奈米粒子之上的過程形成。
該絕緣材料可包含氧化矽(SiOx)層或氮化矽(SiNx)層之至少之一。
支撐層可為可撓性基板。
支撐層可為阻絕層，且該方法可進一步包括在支撐層從載體基板分離後接合可撓性基板於支撐層。
例示性實施例現將以參照附圖的方式於下文中更充分的討論，然而，其可以不同形式體現並且不該被詮釋為侷限於在此闡明的實施例。相反地，此實施例之所以被提供是為了讓此揭露書將更加地透徹及完整，並將充分地向所屬技術領域中具有通常知識者傳達例示性實施方式。
在圖式中，各層及區域的尺寸可為了說明明確而被放大。全文中相同的參考符號指稱相同的元素。
在此說明書中，將理解的是，當例如層、薄膜、區域、或基板等元件被指為在另一元件「上」時，其可直接在另一元件「上」，或中介元件也可存在。再來，詞彙「上」意指位於該物體部位上或下， 但基本上不指基於地心引力方向而位在該物體部位上方。
此說明書中，除非另外明文描述，否則「包含」一詞及其變體例如「包括」、「包含」或「具有」，將理解為意指包括所述元件，但並不排除任何其他元件。
第1圖係根據一第一實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的階段之剖面示意圖。
參照第1圖，根據第一例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法可包括準備載體基板110的第一步驟，在載體基板110上形成犧牲層120的第二步驟，在犧牲層120上形成支撐層130及薄膜電晶體140的第三步驟，以及藉由照射雷射在該犧牲層120上使支撐層130從載體基板110分離的第四步驟。
在第一步驟，載體基板110可由讓雷射光透射的材料形成，其為硬的並有高抗熱性，例如石英玻璃或抗熱玻璃。載體基板110的抗熱溫度可高於製造薄膜電晶體140期間所經歷的最高溫度。該載體基板110的雷射穿透率可能為，例如50%或以上，以藉此使第四步驟的雷射能量耗損最小化。
在第二步驟，犧牲層120可形成為包含非晶矽121及氫陷阱材料122。氫陷阱材料122可在形成該薄膜電晶體140的高溫過程(例如450°C或更高)期間捕抓、吸附或另外結合從非晶矽121分離出來的氫。
氫陷阱材料122可吸附氫以產生例如金屬氫複合物(金屬-H複合物)、金屬氫化合物、或類似產物。氫陷阱材料122可由，例如在450°C或更高之高溫下有優異熱穩定性的金屬材料組成，或可包含例如在450°C或更高之高溫下有優異熱穩定性的金屬材料。在一實施方式中，氫陷阱材料122可包含，例如鉑(Pt)，鈦(Ti)及/或鈀(Pd)。
非晶矽121可藉由例如化學氣相沉積(CVD)形成在載體基板110上。氫陷阱材料122在高溫時，例如約1,220°C或更高時，可被擴散入非晶矽121，以均勻地分佈在非晶矽121內。
舉例，第二步驟可包含在載體基板110上沉積非晶矽121之過程；在非晶矽121之表面上形成由鉑、鈦、或鈀製成的一層之過程；及利用高溫加熱處理使鉑、鈦或鈀在非晶矽121的表面上或從非晶矽121之表面擴散入非晶矽121。
在第三步驟時，支撐層130可為或包括可撓性基板，且薄膜電晶體140的製造可包括，例如，去氫化反應及在450°C或更高的高溫過程(例如主動層的加熱處理)。在一實施例中，包括，例如，氮化矽(SiNx)層及/或氧化矽(SiOx)層之阻絕層可在可撓性基板及薄膜電晶體140間形成。
可撓性基板可由具高抗熱性的材料，例如金屬、石英玻璃、或抗熱玻璃形成，並且可具有微小厚度，例如500微米或更少，以便能藉由外力輕易彎曲。
在一實施方式中，支撐層130可為或可包括阻絕層，其包括，例如，氮化矽(SiNx)層及/或氧化矽(SiOx)層。第2圖係第1圖所示的可撓性顯示裝置之改良實施例之剖面示意圖。
參照第2圖，可撓性顯示裝置的製造方法可進一步包括第五步驟，其為在執行第四步驟後把可撓性基板150附接在支撐層130。在此例下，可撓性基板150可能是，例如一塑膠膜，並可藉由一黏著層155附接至支撐層130。
由塑膠膜形成的可撓性基板150可能會比由金屬、石英玻璃、抗熱玻璃、或類似材料形成的可撓性基板更有可撓性，因此可輕易的彎曲或折疊，但是可能具有稍微較低的抗熱性。當在支撐層130上形成薄膜電晶體140之後，使可撓性基板150附接於支撐層130，薄膜電晶體140的製程溫度可不受限制，例如，不需針對之後提供的可撓性基板150的材料之抗熱性作出選擇或調整。
例如，如果薄膜電晶體140直接在由塑膠膜形成的可撓性基板150上形成，則因塑膠膜之低抗熱溫度的緣故，薄膜電晶體140的製程溫度可能會受限。然而，當可撓性基板150附接在有薄膜電晶體140在其上形成的支撐層130下時，薄膜電晶體140形成時不需考慮塑膠膜的抗熱溫度。
參考回第1圖，在第四步驟時，該雷射LB可穿透過載體基板110以照射到犧牲層120。犧牲層120的含氫非晶矽121可能會因應來自雷射LB的能量而相變為多晶矽，同時大量的氫氣可從非晶矽121中釋放出來。
例如，雷射LB可分解非晶矽121及氫之間的鍵結，造成氫爆(hydrogen explosion)，且非晶矽121可藉由雷射刻蝕去除，從而使支撐層130從載體基板110分離。
第四步驟所用的雷射LB之光源可包括，例如，具波長為308nm的準分子雷射，具有波長為343nm的鐿：釔鋁石榴石(Yb:YAG)雷射，具有波長為355nm的釹：釔鋁石榴石(Nd:YAG)雷射；及/或具有波長為532nm的綠光雷射。準分子雷射可在不損壞載體基板110、支撐層130及薄膜電晶體140的情況下輸出短波長的高能量，由此在短時間內去除犧牲層120。
在第四步驟時，為了確保支撐層130從載體基板110的分離，在進行第四步驟前應避免減少犧牲層120的氫濃度。如果犧牲層120的氫濃度在進行第四步驟前被減少，犧牲層120的氫爆可能不會在第四步驟時發生，且因此支撐層130可能不會適當地從載體基板110分離.
如果犧牲層只含有非晶矽121(例如沒有氫陷阱材料122)，當薄膜電晶體140經受去氫化反應及在450°C或更高的高溫過程(例如主動層加熱處理)時，氫可能過早從非晶矽121分離，從而減少犧牲層的氫濃度。在非晶矽121內，去氫化反應可在350°C或更高的溫度開始，且98%或以上的總氫含量可在溫度達到450°C或更高時被去除。
根據第一實施例的製造方式，當氫從犧牲層120的非晶矽121分離時(在形成薄膜電晶體140的高溫過程期間)，該氫陷阱材料122可捕抓或吸附氫。氫陷阱材料122可與氫結合以形成例如，金屬氫複合物(例如鉑氫複合物)或金屬氫化合物。
吸附於氫陷阱材料122的氫可藉由第四步驟向犧牲層120照射雷射LB的雷射 LB之高能量從氫陷阱材料122分離或釋放，從而造成氫爆或犧牲層120的分解。例如，犧牲層120(包括氫陷阱材料122)可保持固定的氫濃度，甚至在第三步驟的高溫加熱處理過程期間也是如此，且可有助於保證第四步驟時進行之支撐層130從載體基板110的分離，從而防止程序缺陷。
第3圖係根據第二例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
參考第3圖，在根據第二例示性實施例的可撓性顯示裝置的製造方法內，第二步驟可包括在溶液類非晶矽121內均勻地散佈奈米粒子123(由氫陷阱材料製成)並把溶液類非晶矽121印刷在載體基板110上的過程，藉此形成犧牲層120。例如，非晶矽可被溶解以形成非晶矽溶液，奈米粒子123可被散佈在非晶矽溶液內，且該溶液(包含散佈的奈米粒子123)可被印刷在載體基板110上以形成犧牲層120.
奈米粒子123可包含鉑、鈦、或鈀之至少之一，並可吸附在形成薄膜電晶體140的高溫過程期間從非晶矽121分離出來的氫。當連結於奈米粒子123的氫藉由照射雷射至犧牲層120時的雷射的高能量使其從奈米粒子123分離時，氫爆可能會發生。
(非晶矽溶液之)印刷過程在製程及設備方面可能比(非晶矽的)化學氣相沉積更簡單，且印刷過程的條件可較不嚴謹，使得在第二例示性實施例的製造方法中，與第一例示性實施例之製造相比下，犧牲層120的製造過程可被簡化並減少製造成本。其他步驟(除了第二例示性實施例的製造方法的第二步驟)可與第一例示性實施例或第一例示性實施例的改良實施例的步驟一樣。
第4圖係根據第三例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
參照第4圖，在根據第三例示性實施例的可撓性顯示裝置的製造方法內，第二步驟可進一步包括形成氮化矽(SiNx)層125的過程，氮化矽(SiNx)層125可在犧牲層120的上或下、或上及下。第4圖舉例說明氮化矽層125在犧牲層120的上及下形成之情況。在犧牲層120下形成的氮化矽層125可與載體基板110接觸，並且/或者在犧牲層120上形成的氮化矽層125可與支撐層130接觸。
犧牲層120的非晶矽121可藉由化學氣相沉積法形成，並且氫陷阱材料可用擴散的方式均勻地散佈在非晶矽121內。在一實施方式中，犧牲層120可藉由均勻地散佈奈米粒子123(由氫陷阱材料形成)在非晶矽121溶液內，並把非晶矽121溶液印刷在載體基板110上之方法來形成。第4圖舉例說明第二例子。
氮化矽層125可藉由化學氣相沉積法形成並富含氫。該氮化矽層125透過在形成薄膜電晶體140的高溫過程期間向犧牲層120供應氫，可允許犧牲層120穩定的維持理想的氫濃度。其他步驟(除了第三例示性實施例的製造方法的第二步驟)可與第一例示性實施例或第一例示性實施例的改良實施例的步驟一樣。
第5圖係根據第四例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
參考第5圖，在根據第四例示性實施例的可撓性顯示裝置製造方法內，第二步驟可包括形成第一層120a(包含氫陷阱材料及非晶矽121)並在第一層120a上形成第二層120b(包含非晶矽121)之過程。犧牲層120可具有其中第一層120a及第二層120b重疊的結構。
第一層120a可藉由在非晶矽121溶液內均勻散佈奈米粒子123(由氫陷阱材料製成或包含氫陷阱材料)並把該溶液印刷在載體基板110上的方法來形成。在一實施方式中，第二層120b的非晶矽121可由化學氣相沉積法形成。
第二層120b可富含氫，且因此在形成薄膜電晶體140的高溫過程期間可向第一層120a供應氫，從而允許第一層120a穩定地維持理想氫濃度。其他步驟(除了第四例示性實施例的製造方法的第二步驟)可與第一例示性實施例或第一例示性實施例的改良實施方式的步驟一樣。
第6圖係根據第五例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
參照第6圖，於根據第五例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法內，第二步驟可包括在載體基板110上鍍上奈米粒子123(由氫陷阱材料製成或包含氫陷阱材料)，並在鍍了奈米粒子123的載體基板110上沉積非晶矽121。在一實施方式中，奈米粒子123可用印刷方式鍍在載體基板110上。
犧牲層120可被分成或包括，例如，鍍在載體基板110上的奈米粒子層及覆蓋奈米粒子層的非晶矽層。其他步驟(除了第五例示性實施例的製造方法的第二步驟)可與第一例示性實施例或第一例示性實施例的改良實施方式的步驟一樣。
第7圖係根據第六例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
參照第7圖，根據第六例示性實施例的可撓性顯示裝置製造方法內，第二步驟可包括形成第一層120c(其包含非晶矽121)並在第一層120c上形成第二層120d(其包含氫陷阱材料及絕緣材料124)之過程。
第一層120c的非晶矽121可由例如，化學氣相沉積法形成。第二層120d可藉由依印刷方法使奈米粒子123(由氫陷阱材料製成或包含氫陷阱材料)塗佈在第一層120c上，然後在奈米粒子123上塗佈絕緣材料124之過程來形成。
絕緣材料124可包含例如，氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)之至少之一，或是氧化矽層及/或氮化矽層可被堆疊在奈米粒子123上。絕緣材料124(包含氮化矽)可在形成薄膜電晶體140的高溫過程中向第一層120c提供氫，從而允許第一層120c穩定的維持理想氫濃度。
犧牲層120內的奈米粒子123可能形成與非晶矽121不同的層，並且可能與非晶矽121接觸，例如，與非晶矽121直接接觸，從而直接吸附在形成薄膜電晶體140的高溫過程期間從非晶矽121分離的氫。
其他步驟(除了第六例示性實施例的製造方法的第二步驟)可與第一例示性實施例或第一例示性實施例的改良實施方式的步驟一樣。
第8圖係根據第三例示性實施例的可撓性顯示裝置的製造方法的犧牲層之氫陷阱功效之圖表。該圖表的橫軸係代表紅外線頻率，且縱軸代表吸收率。
實驗中使用的犧牲層可包含非晶矽及由鉑製成的一氫陷阱材料，且氮化矽層可被置於犧牲層之上。犧牲層及氮化矽層可經受溫度條件為400°C，500°C，600°C及700°C的加熱處理十分鐘。圖中右邊的吸收峰代表氮化矽層的氫濃度，圖中左邊的吸收峰代表被吸附到鉑上的氫濃度。
參考第8圖，從圖中左邊的吸收峰可見氮化矽層的氫可轉移到犧牲層並且可被吸附到犧牲層的鉑上。鉑可與氫結合產生鉑氫複合物。因此， 犧牲層就算是在形成薄膜電晶體的高溫過程期間也能維持理想氫濃度，並可有助於確保支撐層在第四步驟時可從載體基板分離。
第9圖係用以上敘述的方法製成的可撓性顯示裝置之實例的局部放大圖。第10圖係第9圖中所示的可撓性顯示裝置的像素之等效電路圖。第9圖及第10圖繪示可撓性顯示裝置是有機發光裝置之情況作為示例。在一實施方式中，可撓性顯示裝置可被設置為液晶顯示器。
參考第9圖及第10圖，有機發光裝置可包含可撓性基板210、以及在可撓性基板210上形成之複數個訊號線及複數個像素PX。可撓性基板210可配置成第1圖中的任一支撐層130或第2圖中所示的可撓性基板150。
在可撓性基板210的顯示區域中，可形成複數個訊號線及連接至複數個訊號線並實質上以矩陣形式排列的複數個像素PX。複數個訊號線可包括用以傳輸掃描訊號之掃描線路201、用以傳輸資料訊號之資料線路202、及用以傳輸驅動電壓之驅動電壓線203。
掃描線路201可與列方向實質上平行，且資料線路202及驅動電壓線203可與行方向實質上平行。每個像素PX可包括開關薄膜電晶體T1、驅動薄膜電晶體T2、儲存電容Cst、及有機發光二極體OLED。
開關薄膜電晶體T1可包含控制端、輸入端、及輸出端。控制端可連接至掃描線路201，輸入端可連接至資料線路202，且輸出端可連接至驅動薄膜電晶體T2。開關薄膜電晶體T1可傳輸施加於資料線路202的資料訊號至驅動薄膜電晶體，以回應於施加至掃描線路201的掃描訊號。
驅動薄膜電晶體T2可包含控制端、輸入端、及輸出端。控制端可連接至開關薄膜電晶體T1，輸入端可連接至供應驅動電壓ELVDD的驅動電壓線203，而輸出端可被連接至有機發光二極體OLED。驅動薄膜電晶體T2可傳送一輸出電流Id，其量值隨控制端及輸入端之間施加的電壓而改變。
儲存電容Cst可連接至驅動薄膜電晶體T2的控制端及輸入端並位於兩者之間。儲存電容Cst可以施加於驅動薄膜電晶體T2的控制端的資料訊號來充電，並且可在開關薄膜電晶體T1被關掉後維持充入之資料訊號。
有機發光二極體OLED可包括連接至驅動薄膜電晶體T2的輸出端的像素電極211、連接至供給有共用電壓ELVSS的電源之共用電極213、以及位於像素電極211及共用電極213之間的發光層212。有機發光二極體OLED可發射其強度隨驅動薄膜電晶體T2的輸出電流Id改變之光。
在一實施例中，另外的薄膜電晶體及另外的電容可依期望加入。於下文中，像素的截面結構將在以下被詳細討論。
阻絕層221可在可撓性基板210上形成。可撓性基板210可由例如，具有厚度為500μm或以下的任一金屬、抗熱玻璃、石英玻璃製成。在一實施例中，可撓性基板210可由塑膠膜形成，且黏著層可被置於可撓性基板210及阻絕層221之間。
阻絕層221可由，例如，單層氮化矽(SiNx)或多層氮化矽(SiNx)及氧化矽(SiOx)形成。阻絕層221可幫助防止雜質穿過可撓性基板210及使一表面平坦。
半導體層231可在阻絕層221上形成。該半導體層231可由例如，多晶矽或氧化半導體形成，且由氧化半導體形成的半導體層231可被另外的保護層覆蓋。半導體層231可包括沒有摻雜雜質的通道區、以及摻有雜質的源極區及汲極區。
閘極絕緣層222可在半導體層231上形成。閘極絕緣層222可由例如，由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)製成的單一層或堆疊層形成。閘極電極232及第一儲存電容板241可在閘極絕緣層222上形成。閘極電極232可與半導體層231的通道區重疊，並可包含例如，Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo或類似物。
層間絕緣層223可在閘極電極232及第一儲存電容板241上形成。層間絕緣層223可由例如，包含氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)的單一層或堆疊層形成。
源極電極233、汲極電極234、及第二儲存電容板242可在層間絕緣層223上形成。源極電極233及汲極電極234可各自透過在層間絕緣層223及閘極絕緣層222內形成的通孔連接到半導體層231的源極區及汲極區。源極電極233及汲極電極234可由例如，像是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti之金屬多層所形成。
第二儲存電容板242可與第一儲存電容板241重疊。因此，第一及第二儲存電容板241及242可使用層間絕緣層223作為介電材料來組成儲存電容Cst。
第9圖舉例說明一頂部閘極型驅動薄膜電晶體T2。在一實施方式中，驅動薄膜電晶體T2可被平坦化層224覆蓋，並可被連接至有機發光二極體OLED以驅動該有機發光二極體OLED。
平坦化層224可由例如，由無機絕緣體或有機絕緣體製成的單一層或堆疊層形成。該無機絕緣體可包括例如，氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鋁(Al2 O3 )、二氧化鈦(TiO2 )、二氧化鋯(ZrO2 )或其他類似的化合物，且有機絕緣體可包括例如，丙烯酸系聚合物、醯亞胺系聚合物、聚苯乙烯、或其他類似的聚合物。
像素電極211可在平坦化層224上形成。每個像素上可形成一像素電極211，且可透過平坦化層224中形成的一通孔連接至驅動薄膜電晶體T2的汲極電極234。像素定義層225可在平坦化層224及像素電極211的邊緣上形成。像素定義層225可由例如，聚丙烯酸系樹脂或聚醯亞胺系樹脂及二氧化矽基無機材料、或其他類似的材料來形成。
發光層212可在像素電極211上形成，且共用電極213可在發光層212及像素定義層225上形成。共用電極213可在整個顯示區域上不分個別像素形成。像素電極211及共用電極213中的任何之一可向發光層212注入電洞，且另一個可向發光層212注入電子。
發光層212可包含有機發光層，且可包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層之至少之一。當像素電極211係注入電洞的陽極時，電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層、及電子注入層可依序堆疊在像素電極211上。其他層(除了有機發光層)可在整個顯示區域上形成。
有機發光裝置可為頂部發光型，像素電極211可由一反射層形成，而共用電極213可為透明層或半透明層。從發光層212發出的光可從像素電極211被反射，可穿透共用電極213，然後可被釋放到外面。相對的，當有機發光裝置是底部發光型時，像素電極211可由透明層或半透明層形成，且共用電極213可由反射層形成。
該反射層可包括例如，Au、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Ni、Nd、Ir、Cr或其他類似的元素。透明層可包括例如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、ZnO、In2 O3 、或其他類似的材料。半透明層可由例如，金屬薄膜包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其他類似的材料來形成，且由ITO、IZO、ZnO、In2 O3 或其他類似材料製成的透明層可在半透明層上被形成。
有機發光二極體OLED可被薄膜封裝層226密封，薄膜封裝層226包含無機層及有機層堆疊成的堆疊層。觸控面板、抑制外部光反射的偏光膜或濾光層、保護顯示表面免於例如刮傷及按壓的外界衝擊的遮蓋窗，及其他相關組件可在薄膜封裝層226上形成。
藉由總結及回顧，可撓性顯示裝置可包括可彎曲的可撓性基板，例如，塑膠膜、紙狀玻璃、或金屬板，來取代硬玻璃基板。
可撓性基板可具有容易彎曲的性質，因此薄膜電晶體的形成過程可在可撓性基板被一硬載體基板支撐的情況下進行，然後載體基板可與可撓性基板分離。
協助可撓性基板與硬載體基板的分離的犧牲層可在其間形成。然而，在薄膜電晶體形成的高溫加熱處理期間，犧牲層的性質可能會改變。在這情況下，可撓性基板可能不能適當地從載體基板分離。
此實施例可提供使用載體基板及犧牲層來製造可撓性顯示裝置的方法。
此實施例可提供使用載體基板及犧牲層製造可撓性顯示裝置的方法，該方法能夠藉由抑制由薄膜電晶體的高溫加熱處理過程所導致之犧牲層的性質改變，而輕易地分離可撓性基板與載體基板。
根據例示性實施例，犧牲層可包括氫陷阱材料。氫陷阱材料可吸附在形成薄膜電晶體的高溫過程期間從非晶矽分離出來的氫，然後被氫陷阱材料吸附的氫可稍後藉由向犧牲層照射雷射的方法而從氫陷阱材料中分離或釋放出來。
因此，犧牲層可維持穩定氫濃度，即便形成薄膜電晶體的高溫加熱處理過程期間也是如此，並且確保支撐層從載體基板的分離，從而減少及/或防止程序缺陷。
例示性實施例已於本文中揭露，且雖然使用特定術語，但是其僅用於並詮釋為一般性的及敘述性的，而非用於限制之目的。在部分情況下，將對所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，搭配特定實施例敘述的特徵、性質、及/或元件可以單獨使用，或結合搭配另一實施例所述之特徵、性質、及/或元件來使用，除非另外特別表明。同樣的，所屬技術領域中具有通常知識者將了解的是，在不背離此發明如以下申請專利範圍的主旨及範圍的情況下，可對其進行形式及細節之各種變化。
110‧‧‧載體基板
120‧‧‧犧牲層
120a、120c‧‧‧第一層
120b、120d‧‧‧第二層
121‧‧‧非晶矽
122‧‧‧氫陷阱材料
123‧‧‧奈米粒子
124‧‧‧絕緣材料
125‧‧‧氮化矽層
130‧‧‧支撐層
140‧‧‧薄膜電晶體
150‧‧‧可撓性基板
155‧‧‧黏著層
201‧‧‧掃描線路
202‧‧‧資料線路
203‧‧‧驅動電壓線
210‧‧‧可撓性基板
211‧‧‧像素電極
212‧‧‧發光層
213‧‧‧共用電極
T1‧‧‧開關薄膜電晶體
T2‧‧‧驅動薄膜電晶體 
Cst‧‧‧儲存電容
Px‧‧‧像素
Id‧‧‧輸出電流
OLED‧‧‧有機發光二極體
ELVDD‧‧‧驅動電壓
ELVSS‧‧‧共用電壓
LB‧‧‧雷射
221‧‧‧阻絕層
222‧‧‧閘極絕緣層
223‧‧‧層間絕緣層
224‧‧‧平坦化層
225‧‧‧像素定義層
226‧‧‧薄膜封裝層
231‧‧‧半導體層
232‧‧‧閘極電極
233‧‧‧源極電極
234‧‧‧汲極電極
241‧‧‧第一儲存電容板
242‧‧‧第二儲存電容板
透過參照附圖來詳細解釋例示性實施例，此技術特徵對於所屬技術領域中具有通常知識者而言將是顯而易見的，其中：
第1圖係根據第一例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的階段之剖面示意圖。
第2圖係第1圖的可撓性顯示裝置之改良實施例之剖面示意圖。
第3圖係根據第二實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
第4圖係根據第三實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
第5圖係根據第四實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
第6圖係根據第五實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
第7圖係根據第六實施例的可撓性顯示裝置之製造方法的一階段之剖面示意圖。
第8圖係根據第三實施例的可撓性顯示裝置的製造方法的犧牲層之氫陷阱功效之圖表。
第9圖係根據例示性實施例的製造方法所製造的可撓性顯示裝置之示例之局部放大圖。
第10圖係第9圖中的可撓性顯示裝置的像素之等效電路圖。
130‧‧‧支撐層
140‧‧‧薄膜電晶體
150‧‧‧可撓性基板
155‧‧‧黏著層

Claims (10)

  1. 一種製造可撓性顯示裝置之方法，該方法包含： 在一載體基板上形成一犧牲層，使該犧牲層包含一氫陷阱材料及一非晶矽； 在該犧牲層上形成一支撐層及一薄膜電晶體；以及 藉由向該犧牲層照射一雷射使該支撐層從該載體基板分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該氫陷阱材料包含一金屬，該金屬吸附氫以形成一金屬氫複合物或一金屬氫化合物。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該氫陷阱材料包含鉑(Pt)、鈦(Ti)或鈀(Pd)之至少之一。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中： 該氫陷阱材料吸附在該薄膜電晶體之形成期間從該非晶矽分離的氫，以及 吸附於該氫陷阱材料的氫在該雷射照射向該犧牲層時從該氫陷阱材料分離。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該犧牲層的形成包含： 在該載體基板上沉積該非晶矽，以及 藉由一高溫加熱處理使該氫陷阱材料擴散入該非晶矽。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其進一步包含在該犧牲層的至少一表面形成一氮化矽(SiNx)層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該犧牲層的形成包含： 使由該氫陷阱材料製成的奈米粒子散佈在一非晶矽溶液內，以及 將包含散佈之該奈米粒子的該非晶矽溶液印刷在該載體基板上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其進一步包含在該犧牲層的至少一表面形成一氮化矽(SiNx)層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中： 該犧牲層包含一第一層及一第二層，以及 該氫陷阱材料被包含在該第一層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中： 該第一層係藉由將一非晶矽溶液印刷在該載體基板上的方法來形成，其中該非晶矽溶液散佈了由該氫陷阱材料所製成的奈米粒子，以及 該第二層係藉由沉積該非晶矽的方法來形成。
TW104135002A 2015-01-21 2015-10-23 可撓性顯示裝置之製造方法 TWI706388B (zh)

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