CN110931418B - 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法 - Google Patents

柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110931418B
CN110931418B CN201911110494.8A CN201911110494A CN110931418B CN 110931418 B CN110931418 B CN 110931418B CN 201911110494 A CN201911110494 A CN 201911110494A CN 110931418 B CN110931418 B CN 110931418B
Authority
CN
China
Prior art keywords
core
organic solvent
group
shell
sacrificial layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911110494.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110931418A (zh
Inventor
陈兴武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN201911110494.8A priority Critical patent/CN110931418B/zh
Priority to PCT/CN2019/127899 priority patent/WO2021093104A1/zh
Publication of CN110931418A publication Critical patent/CN110931418A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110931418B publication Critical patent/CN110931418B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

在本申请提供了一种牺牲层材料及其制备方法和柔性显示面板的制备方法，所述牺牲层材料包括主体材料和微粒，所述微粒分散于所述主体材料中，所述微粒包括核壳材料和有机溶剂，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料和所述有机溶剂，所述有机溶剂吸附于所述核材料。采用所述牺牲层材料制备柔性显示面板时，通过在真空环境下加热处理使得牺牲层材料中的有机溶剂汽化，从而分离柔性显示面板和玻璃基板，从而避免使用激光剥离的方法，进而提高了柔性显示面板的的良率，并降低生产成本。

Description

柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示面板领域，具体涉及一种柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法。
背景技术
目前，在柔性显示面板的制作中，通常增加一层牺牲层将柔性基板贴附于玻璃基板上，柔性显示面板制程结束后，使用激光将柔性基板和玻璃基板剥离，但，使用激光照射柔性基板和玻璃基板时，柔性基板被烧蚀，造成了柔性基板翘曲，进而导致柔性显示面板的良率降低，且使用激光将柔性基板和玻璃基板剥离时，激光耗能大，使得柔性显示面板的制备成本升高。
发明内容
本申请提供一种柔性显示面板的制备方法和牲层材料及其制备方法，以提高柔性显示面板的良率，并降低生产成本。
本申请提供一种牺牲层材料，所述牺牲层材料包括主体材料和微粒，所述微粒分散于所述主体材料中，所述微粒包括核壳材料和有机溶剂，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料和所述有机溶剂，所述有机溶剂吸附于所述核材料，所述主体材料结构式选自
Figure GDA0003757238680000011
Figure GDA0003757238680000012
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000013
Figure GDA0003757238680000021
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000022
Figure GDA0003757238680000023
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20，所述壳材料的结构式为
Figure GDA0003757238680000024
其中，m1＝1-2000，所述核材料选自
Figure GDA0003757238680000025
Figure GDA0003757238680000026
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure GDA0003757238680000027
其中，m2＝2-2000，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合。
本申请所提供的牺牲层材料中，所述主体材料还包括硅烷偶联剂。
本申请所提供的牺牲层材料中，所述主体材料还包括光引发剂。
本申请所提供的牺牲层材料中，所述微粒还包括多孔材料，所述多孔材料包覆核材料和有机溶剂，所述壳材料包覆所述多孔材料。
本申请提供一种牺牲层材料的制备方法，包括：
提供第一化合物和第一反应物，所述第一化合物和所述第一反应物形成核壳材料，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料，所述第一化合物形成壳材料，所述第一化合物的结构式为
Figure GDA0003757238680000031
m1＝1-2000，所述第一反应物进行聚合反应形成核材料，所述第一反应物选自
Figure GDA0003757238680000032
Figure GDA0003757238680000033
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000034
Figure GDA0003757238680000035
Figure GDA0003757238680000036
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000037
Figure GDA0003757238680000038
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20，所述核材料选自
Figure GDA0003757238680000041
Figure GDA0003757238680000042
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure GDA0003757238680000043
其中，m2＝2-2000；
提供有机溶剂，将所述核壳材料加入所述有机溶剂中，所述有机溶剂吸附于所述核材料中，所述壳材料包覆所述有机溶剂和所述核材料形成微粒，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合；
提供第二化合物，将所述微粒与所述第二化合物混合形成牺牲层材料，所述第二化合物的结构式选自
Figure GDA0003757238680000044
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000045
Figure GDA0003757238680000046
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000047
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，其中，n＝1-20。
本申请所提供的牺牲层材料的制备方法中，所述微粒还包括多孔材料，所述多孔材料包覆核材料和有机溶剂，所述壳材料包覆所述多孔材料。
本申请所提供的牺牲层材料的制备方法中，在所述第一化合物和第一反应物形成核壳材料中具有第一添加剂，所述第一添加剂包括叔丁基氢过氧化物和2，2-二甲氧基-1，2-二苯乙烷-1-酮中的一种。
本申请所提供的牺牲层材料的制备方法中，所述主体材料还包括硅烷偶联剂。
本申请所提供的牺牲层材料的制备方法中，所述主体材料还包括光引发剂。
本申请提供一种柔性显示面板的制备方法，包括：
提供一玻璃基板；
在所述玻璃基板上涂覆牺牲层材料形成牺牲层，所述牺牲层材料包括主体材料和微粒，所述微粒分散于所述主体材料中，所述微粒包括核壳材料和有机溶剂，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料和所述有机溶剂，所述有机溶剂吸附于所述核材料，所述主体材料结构式选自
Figure GDA0003757238680000051
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000052
Figure GDA0003757238680000053
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000054
Figure GDA0003757238680000055
所述B1基团和B2基团选自-F、CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20，所述壳材料的结构式为
Figure GDA0003757238680000061
其中，m1＝1-2000，所述核材料选自
Figure GDA0003757238680000062
Figure GDA0003757238680000063
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure GDA0003757238680000064
其中，m2＝2-2000，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合；
在所述牺牲层上设置柔性基板；
在所述柔性基板上依次设置阵列层和发光层形成一中间产品；
对所述中间产品在真空环境下进行加热处理以汽化所述微粒中的有机溶剂，将所述柔性基板与所述玻璃基板剥离。
在本申请提供了一种牺牲层材料及其制备方法和柔性显示面板的制备方法，通过第一化合物和第一反应物形成核壳材料，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料，提供有机溶剂，将得到的所述核壳材料加入所述有机溶剂中形成所述壳材料包覆所述有机溶剂和核材料的微粒，提供第二化合物，将得到的所述微粒与所述第二化合物混合形成牺牲层材料，采用所述牺牲层材料制备柔性显示面板时，通过在真空环境下加热处理使得牺牲层材料中的有机溶剂汽化，从而分离柔性显示面板和玻璃基板，从而避免使用激光剥离的方法，进而提高了柔性显示面板的良率，并降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的制备柔性显示面板的流程剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种牺牲层材料。所述牺牲层材料包括主体材料和微粒。所述微粒分散于所述主体材料中。所述微粒包括核壳材料和有机溶剂。所述核壳材料包括壳材料和核材料。所述壳材料包覆所述核材料和所述有机溶剂。所述有机溶剂吸附于所述核材料中。所述主体材料结构式选自
Figure GDA0003757238680000071
Figure GDA0003757238680000072
中的一种，其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000073
Figure GDA0003757238680000081
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000082
Figure GDA0003757238680000083
所述B1基团和所述B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20，所述壳材料的结构式为
Figure GDA0003757238680000084
其中，m1＝1-2000，所述核材料选自
Figure GDA0003757238680000085
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure GDA0003757238680000086
Figure GDA0003757238680000087
其中，m2＝2-2000，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合。
所述牺牲层材料应用在柔性显示面板的制作过程中。通过第一反应物进行聚合反应形成的所述核材料，所述核材料结构式选自
Figure GDA0003757238680000088
Figure GDA0003757238680000091
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure GDA0003757238680000092
其中，m2＝2-2000，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000093
Figure GDA0003757238680000094
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000095
Figure GDA0003757238680000096
所述B1基团和所述B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20。在一些实施例中，所述核材料的结构式为
Figure GDA0003757238680000097
Figure GDA0003757238680000098
等，m2＝2-2000。
在另一实施例中，所述主体材料还包括硅烷偶联剂。
在另一实施例中，所述主体材料还包括光引发剂。
在另一实施例中，所述微粒还包括多孔材料。所述多孔材料包覆所述核材料和所有机溶剂。所述壳材料包覆所述多孔材料。所述多孔材料可以为二氧化硅。
本申请提供一种牺牲层材料的制备方法，包括：
A、提供第一化合物和第一反应物，所述第一化合物和所述第一反应物形成核壳材料，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料，所述第一化合物形成壳材料，所述第一化合物的结构式为
Figure GDA0003757238680000101
m1＝1-2000，所述第一反应物进行聚合反应形成核材料，所述第一反应物选自
Figure GDA0003757238680000102
Figure GDA0003757238680000103
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000104
Figure GDA0003757238680000105
Figure GDA0003757238680000106
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000107
Figure GDA0003757238680000108
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20，所述核材料选自
Figure GDA0003757238680000111
Figure GDA0003757238680000112
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure GDA0003757238680000113
其中，m2＝2-2000。
所述核壳材料由核材料和壳材料组成，所述壳材料包覆所述核材料，所述壳材料为第一化合物，所述第一化合物的结构式为
Figure GDA0003757238680000114
m1＝1-2000，所述核材料由第一反应物进行聚合反应制备得到，所述第一反应物的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000115
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000116
Figure GDA0003757238680000117
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000118
Figure GDA0003757238680000121
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20。
所述第一反应物的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000122
所述第一反应物进行聚合反应形成核材料的反应通式可以为：
Figure GDA0003757238680000123
其中，所述X1’和所述X2’选自
Figure GDA0003757238680000124
Figure GDA0003757238680000125
m2＝2-2000。
在一种实施方式中，将所述壳材料加入到去离子水中，然后向所述加有去离子水的壳材料中加入所述核材料形成核壳材料。
在一种实施方式中，所述壳材料与所述核材料在所述第一添加剂中形成核壳材料，所述第一添加剂包括叔丁基氢过氧化物和2，2-二甲氧基-1，2-二苯乙烷-1-酮中的一种。
在一种实施方式中，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合。
在一种实施例中，所述第一反应物的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000126
所述第一反应物进行反应形成所述核材料的反应式可以为：
Figure GDA0003757238680000131
在一种实施方式中，向加有去离子水的烧杯中，加入所述第一化合物
Figure GDA0003757238680000132
m1＝1-2000，加入所述第一反应物
Figure GDA0003757238680000133
在60摄氏度-120摄氏度下搅拌均匀，然后加入叔丁基氢过氧化物为催化剂，反应2小时后，通过离心除去澄清液中未反应的所述第一反应物
Figure GDA0003757238680000134
冷冻干燥形成由所述壳材料
Figure GDA0003757238680000135
包覆所述核材料
Figure GDA0003757238680000136
组成的核壳材料，其中，m1＝1-2000，m2＝2-2000。
在一种实施例中，所述第一反应物的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000141
所述第一反应物进行聚合反应形成所述核材料的反应式可以为：
Figure GDA0003757238680000142
在一种实施例中，向加有去离子水的烧杯中，加入所述第一化合物
Figure GDA0003757238680000143
m1＝1-2000，加入所述第一反应物
Figure GDA0003757238680000144
在60摄氏度-120摄氏度下搅拌均匀，然后加入叔丁基氢过氧化物为催化剂，反应2小时后，然后通过离心除去澄清液中未反应所述第一反应物
Figure GDA0003757238680000145
冷冻干燥形成由所述壳材料
Figure GDA0003757238680000146
包覆所述核材料
Figure GDA0003757238680000151
组成的核壳材料，其中，m1＝1-2000，m2＝2-2000。
在一种实施方式中，向烧杯中加入多孔二氧化硅，将入乙醇溶液进行机械搅拌24小时，使多孔二氧化硅的表面羟基活化，加入所述第一化合物
Figure GDA0003757238680000152
m1＝1-2000，加入所述第一反应物
Figure GDA0003757238680000153
在60摄氏度-120摄氏度下搅拌均匀，然后加入叔丁基氢过氧化物为催化剂，反应2小时后，然后通过离心除去澄清液中未反应的所述第一反应物
Figure GDA0003757238680000154
冷冻干燥形成核壳材料，所述核壳材料由所述壳材料
Figure GDA0003757238680000155
包覆所述核材料
Figure GDA0003757238680000161
和所述多孔二氧化硅组成，其中，m1＝1-2000，m2＝2-2000。
B、提供有机溶剂，将所述核壳材料加入所述有机溶剂中，所述有机溶剂吸附于所述核材料中，所述壳材料包覆所述有机溶剂和所述核材料形成微粒，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合。
在一种实施方式中，将有机溶剂加入由核材料和壳材料组成的核壳材料，以形成所述壳材料包覆所述有机溶剂和所述核材料的微粒，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合。
在一种实施例中，所述核材料的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000162
m2＝2-2000，所述壳材料的结构式为
Figure GDA0003757238680000163
m1＝1-2000，所述有机溶剂可以为甲基环己烷。
在一种实施方式中，向所述核材料
Figure GDA0003757238680000164
所述壳材料
Figure GDA0003757238680000171
中加入甲基环己烷，在60摄氏度-120摄氏度下不断搅拌反应1小时-10小时，干燥获得由所述壳材料
Figure GDA0003757238680000172
包覆所述核材料
Figure GDA0003757238680000173
和所述甲基环己烷的微粒。
在一种实施例中，所述核材料的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000174
m2＝2-2000，所述壳材料的结构式为
Figure GDA0003757238680000175
m1＝1-2000，所述有机溶剂可以为甲苯。
在一种实施方式中，向所述核材料
Figure GDA0003757238680000181
和所述壳材料
Figure GDA0003757238680000182
中加入甲苯，在60摄氏度-120摄氏度下不断搅拌反应1小时-10小时，干燥获得由所述壳材料
Figure GDA0003757238680000183
包覆所述核材料
Figure GDA0003757238680000184
和所述甲苯的微粒。
在一种实施例中。所述核壳材料还包括多孔二氧化硅，所述核材料的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000185
m2＝2-2000，所述壳材料的结构式为
Figure GDA0003757238680000186
m1＝1-2000，所述有机溶剂可以为甲基环己烷。
在一种实施方式中，向所述核材料
Figure GDA0003757238680000191
所述壳材料
Figure GDA0003757238680000192
和多孔二氧化硅中加入甲基环己烷，在60摄氏度-120摄氏度下不断搅拌反应1小时-10小时，干燥获得微粒。所述微粒由所述壳材料
Figure GDA0003757238680000193
包覆所述多孔二氧化硅，所述多孔二氧化硅包覆所述核材料
Figure GDA0003757238680000194
和甲基环己烷。
C、提供第二化合物，将所述微粒与所述第二化合物混合形成牺牲层材料，所述第二化合物的结构式选自
Figure GDA0003757238680000195
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000196
Figure GDA0003757238680000201
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000202
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，其中，n＝1-20。
在一种实施例中，所述第二化合物的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000203
所述微粒可以由
Figure GDA0003757238680000204
Figure GDA0003757238680000205
和甲苯组成，其中，m2＝2-2000，m1＝1-2000。
将所述第二化合物
Figure GDA0003757238680000206
与所述微粒
Figure GDA0003757238680000207
Figure GDA0003757238680000211
和甲苯混合形成牺牲层材料。
在一种实施例中，所述第二化合物的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000212
所述微粒可以由
Figure GDA0003757238680000213
Figure GDA0003757238680000214
和甲苯组成，其中，m2＝2-2000，m1＝1-2000。
将所述第二化合物
Figure GDA0003757238680000215
与所述微粒
Figure GDA0003757238680000216
Figure GDA0003757238680000217
和甲苯混合形成牺牲层材料。
在一种实施例中，所述第二化合物的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000221
所述微粒可以由
Figure GDA0003757238680000222
Figure GDA0003757238680000223
甲苯和所述多孔二氧化硅组成，其中，m2＝2-2000，m1＝1-2000。
将所述第二化合物
Figure GDA0003757238680000224
与所述微粒
Figure GDA0003757238680000225
Figure GDA0003757238680000226
甲苯和多孔二氧化硅混合形成牺牲层材料。
在一种实施例中，所述牺牲层材料还包括硅烷偶联剂。
在一种实施例中，所述牺牲层材料还包括光引发剂。
请参阅图1，图1为本申请提供的一种制备柔性显示面板的流程剖视图。本申请提供一种柔性显示面板的制备方法。所述柔性显示面板的制备方法包括：
提供一玻璃基板100。所述玻璃基板100用于承载组成柔性显示面板的结构。
在所述玻璃基板100上涂覆牺牲层材料形成牺牲层200。通过紫外光或加热方式将所述牺牲层200贴附于所述玻璃基板100上。所述牺牲层材料包括主体材料220和微粒210，所述微粒210分散于所述主体材料220中，所述微粒210包括核壳材料和有机溶剂，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料和所述有机溶剂，所述有机溶剂吸附于所述核材料中，所述主体材料结构式选自
Figure GDA0003757238680000231
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure GDA0003757238680000232
Figure GDA0003757238680000233
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure GDA0003757238680000234
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和OCnH2n+1，n＝1-20，所述壳材料的结构式为
Figure GDA0003757238680000235
其中，m1＝1-2000，所述核材料选自
Figure GDA0003757238680000241
Figure GDA0003757238680000242
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure GDA0003757238680000243
其中，m2＝2-2000，所述有机溶剂选自甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯。所述主体材料还包括光引发剂和硅烷偶联剂。
在所述牺牲层200上设置柔性基板300。在本实施例中，所述主体材料的结构式可以为
Figure GDA0003757238680000244
所述主体材料
Figure GDA0003757238680000245
在加热或紫外光的照射下，所述主体材料
Figure GDA0003757238680000246
发生聚合反应，使得所述柔性基板300贴附于所述玻璃基板100上。所述聚合反应的反应式可以为：
Figure GDA0003757238680000247
因所述主体材料
Figure GDA0003757238680000248
发生聚合反应后，所述主体材料
Figure GDA0003757238680000251
的粘合性增强，使得所述柔性基板300贴附于所述玻璃基板100上，且因为所述主体材料
Figure GDA0003757238680000252
发生聚合反应后抗湿性提高，同时可防止柔性显示面板制作过程中清洗时产生边缘吸水导致的翘曲的情况。
在所述柔性基板300上依次设置阵列层400和发光层500形成一中间产品20。
对所述中间产品20在真空环境下加热到80摄氏度-150摄氏度，使得所述微粒210内的有机气体汽化，降低了牺牲层200的吸附力，从而使得所述柔性基板300与所述玻璃基板100玻璃，获得柔性显示面板。
在本申请提供了一种牺牲层材料及其制备方法和柔性显示面板的制备方法，通过第一化合物和第一反应物形成核壳材料，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料，提供有机溶剂，将得到的所述核壳材料加入所述有机溶剂中形成所述壳材料包覆所述有机溶剂和核材料的微粒，提供第二化合物，将得到的所述微粒与所述第二化合物混合形成牺牲层材料，采用所述牺牲层材料制备柔性显示面板时，通过在真空环境下加热处理使得牺牲层材料中的有机溶剂汽化，从而分离柔性显示面板和玻璃基板，从而避免使用激光剥离的方法，进而提高了柔性显示面板的良率，并降低生产成本。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种牺牲层材料，其特征在于，所述牺牲层材料包括主体材料和微粒，所述微粒分散于所述主体材料中，所述微粒包括核壳材料、多孔材料和有机溶剂，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料和所述有机溶剂，所述有机溶剂吸附于所述核材料，所述多孔材料包覆所述核材料和所有机溶剂，所述壳材料包覆所述多孔材料；所述主体材料结构式选自
Figure FDA0003757238670000011
Figure FDA0003757238670000012
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure FDA0003757238670000013
Figure FDA0003757238670000014
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure FDA0003757238670000015
Figure FDA0003757238670000016
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20，所述壳材料的结构式为
Figure FDA0003757238670000017
其中，m1＝1-2000，所述核材料的结构式选自
Figure FDA0003757238670000018
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure FDA0003757238670000021
Figure FDA0003757238670000022
所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合。
2.如权利要求1所述的牺牲层材料，其特征在于，所述主体材料还包括硅烷偶联剂。
3.如权利要求1所述的牺牲层材料，其特征在于，所述主体材料还包括光引发剂。
4.一种牺牲层材料的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一化合物和第一反应物，所述第一化合物和所述第一反应物形成核壳材料，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料，所述第一化合物形成壳材料，所述第一化合物的结构式为
Figure FDA0003757238670000023
m1＝1-2000，所述第一反应物进行聚合反应形成核材料，所述第一反应物的结构式选自
Figure FDA0003757238670000024
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure FDA0003757238670000025
Figure FDA0003757238670000031
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure FDA0003757238670000032
Figure FDA0003757238670000033
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和OCnH2n+1，n＝1-20，所述核材料的结构式选自
Figure FDA0003757238670000035
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure FDA0003757238670000036
Figure FDA0003757238670000037
其中，m2＝2-2000；
提供有机溶剂，将所述核壳材料加入所述有机溶剂中，所述有机溶剂吸附于所述核材料中，所述壳材料包覆所述有机溶剂和所述核材料形成微粒，所述微粒还包括多孔材料，所述多孔材料包覆核材料和有机溶剂，所述壳材料包覆所述多孔材料，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合；
提供第二化合物，将所述微粒与所述第二化合物混合形成牺牲层材料，所述第二化合物的结构式选自
Figure FDA0003757238670000038
其中，所述A1、所述A2基团选自
Figure FDA0003757238670000039
Figure FDA0003757238670000041
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure FDA0003757238670000042
所述B1基团和所述B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，其中，n＝1-20。
5.如权利要求4所述的牺牲层材料的制备方法，其特征在于，在所述第一化合物和第一反应物形成核壳材料中具有第一添加剂，所述第一添加剂包括叔丁基氢过氧化物和2，2-二甲氧基-1，2-二苯乙烷-1-酮中的一种。
6.一种柔性显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一玻璃基板；
在所述玻璃基板上涂覆牺牲层材料形成牺牲层，所述牺牲层材料包括主体材料和微粒，所述微粒分散于所述主体材料中，所述微粒包括核壳材料和有机溶剂，所述核壳材料包括壳材料和核材料，所述壳材料包覆所述核材料和所述有机溶剂，所述有机溶剂吸附于所述核材料，所述微粒还包括多孔材料，所述多孔材料包覆核材料和有机溶剂，所述壳材料包覆所述多孔材料，所述主体材料结构式选自
Figure FDA0003757238670000043
其中，所述A1基团、所述A2基团选自
Figure FDA0003757238670000044
Figure FDA0003757238670000051
所述X1基团和所述X2基团选自
Figure FDA0003757238670000052
所述B1基团和B2基团选自-F、-CH3、-CnH2n+1和-OCnH2n+1，n＝1-20，所述壳材料的结构式为
Figure FDA0003757238670000053
其中，m1＝1-2000，所述核材料的结构式选自
Figure FDA0003757238670000054
Figure FDA0003757238670000055
中的一种，其中，m2＝2-2000，所述X1’和所述X2’选自
Figure FDA0003757238670000056
其中，m2＝2-2000，所述有机溶剂包括甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、甲苯和乙基苯中的一种或几种组合；
在所述牺牲层上设置柔性基板；
在所述柔性基板上依次设置阵列层和发光层形成一中间产品；
对所述中间产品在真空环境下进行加热处理以汽化所述微粒中的有机溶剂，将所述柔性基板与所述玻璃基板剥离。
7.如权利要求6所述的柔性显示面板的制备方法，其特征在于，所述主体材料还包括硅烷偶联剂。
8.如权利要求6所述的柔性显示面板的制备方法，其特征在于，所述主体材料还包括光引发剂。
CN201911110494.8A 2019-11-14 2019-11-14 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法 Active CN110931418B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911110494.8A CN110931418B (zh) 2019-11-14 2019-11-14 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法
PCT/CN2019/127899 WO2021093104A1 (zh) 2019-11-14 2019-12-24 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911110494.8A CN110931418B (zh) 2019-11-14 2019-11-14 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110931418A CN110931418A (zh) 2020-03-27
CN110931418B true CN110931418B (zh) 2022-09-09

Family

ID=69853864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911110494.8A Active CN110931418B (zh) 2019-11-14 2019-11-14 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110931418B (zh)
WO (1) WO2021093104A1 (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107431189A (zh) * 2016-02-17 2017-12-01 瓦克化学股份公司 复合核壳型颗粒

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4088052B2 (ja) * 2001-07-17 2008-05-21 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
GB0620955D0 (en) * 2006-10-20 2006-11-29 Speakman Stuart P Methods and apparatus for the manufacture of microstructures
US20090298211A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Tae-Woong Kim Method for manufacturing flexible display
CN102074482A (zh) * 2010-11-22 2011-05-25 深圳丹邦投资集团有限公司 一种柔性薄膜晶体管的制造方法
EP2655316A2 (en) * 2010-12-20 2013-10-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
KR102180089B1 (ko) * 2013-12-30 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법
CN104201283A (zh) * 2014-09-04 2014-12-10 广州新视界光电科技有限公司 衬底与基板分离工艺、牺牲层、柔性显示器件及其制备工艺
KR102301501B1 (ko) * 2015-01-21 2021-09-13 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
CN107428913B (zh) * 2015-04-09 2019-10-18 株式会社钟化 改善了耐冲击剥离粘接性的含聚合物微粒固化性树脂组合物
CN106920813A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示器的制备方法
KR20180063959A (ko) * 2016-12-02 2018-06-14 삼성디스플레이 주식회사 열박리형 접착 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107565064B (zh) * 2017-07-28 2019-08-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107431189A (zh) * 2016-02-17 2017-12-01 瓦克化学股份公司 复合核壳型颗粒

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021093104A1 (zh) 2021-05-20
CN110931418A (zh) 2020-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5576532B2 (ja) 薄片化黒鉛・樹脂複合材料及びその製造方法
EP2732966B1 (en) Gas barrier film and method for producing same
CN1313623C (zh) 具有亲水和疏水区域的生物分子芯片平板制备方法
KR101856214B1 (ko) 전도성 필름 및 그 제조방법
CN107312471A (zh) 一种防静电保护膜及其制造方法
JP2009507986A5 (zh)
CN103456900A (zh) 柔性显示装置的制造方法
JP5691947B2 (ja) ガスバリア性フィルム及びガスバリア性フィルムの製造方法
JP5087764B2 (ja) シリコン微粒子とその製造方法およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法
JP2015506816A (ja) シリカマイクロカプセル、その製造プロセスおよびその使用
US10741776B2 (en) Flexible light-emitting device, lighting apparatus, and image display
CN109554151A (zh) 一种适用于电子器件的胶黏剂及其制备方法
CN109486207B (zh) 一种高粘结性柔性导电电极及其制备方法
CN108892760A (zh) 一种环氧基笼型倍半硅氧烷改性酚醛树脂及其制备方法
CN110931418B (zh) 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法
CN106145098A (zh) 一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法
KR101930989B1 (ko) 복합 재료 및 그의 제조 방법
CN105671951A (zh) 一种基底表面浸润性调控的方法
CN108424525B (zh) 基于乙烯基砜的硅纳米材料表面功能化方法
CN109628050A (zh) 一种耐阻燃的胶黏剂及其制备方法
CN114409905A (zh) 一种丙烯酸酯改性有机硅树脂及其在uv/湿气双重固化有机硅三防漆中的应用
CN108622885B (zh) 一种石墨烯膜的制备方法
JP2013022799A (ja) ガスバリア性フィルム及びガスバリア性フィルムの製造方法
JP5407008B1 (ja) 薄片化黒鉛の製造方法及び薄片化黒鉛
JP5352028B1 (ja) 薄片化黒鉛・樹脂複合材料及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant