JP4088052B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4088052B2 JP4088052B2 JP2001217226A JP2001217226A JP4088052B2 JP 4088052 B2 JP4088052 B2 JP 4088052B2 JP 2001217226 A JP2001217226 A JP 2001217226A JP 2001217226 A JP2001217226 A JP 2001217226A JP 4088052 B2 JP4088052 B2 JP 4088052B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- cavity
- forming
- layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
- H10B12/318—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor the storage electrode having multiple segments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
- H01L28/91—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に係わり、特に電解めっき法で電極を形成する技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子デバイスのサイズが小さくなっていくことに伴い、電子デバイスの機能を単に回路構成のみで達成するばかりではなく、機能性薄膜等の材料自体の特性を利用してデバイスの機能を実現することが有利になりつつある。例えばトランジスタの組み合わせで情報の記憶動作を行うSRAM(Static Random Access read write Memory)、EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)、あるいはトランジスタとキャパシタの組み合わせで情報の記憶動作を行うDRAM(Dynamic Random Access Memory)、などの集積回路を従来のMOSトランジスタとMOSキャパシタで実現することはこれらの素子のセル面積が縮小されていくなかで非常に困難なものになっている。特にキャパシタ素子は集積回路の最小加工寸法が小さくなってもS/N比を低下させないためには一定のキャパシタ容量を確保し続けていく必要があり、キャパシタ素子のキャパシタ誘電体膜としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜/シリコン酸化膜積層膜(NO膜)よりも高い誘電率を発現するTa2O5、SrTiO3 、BaxSr1-xTiO3 (BST)やPbZrxTi1-xO3 (PZT)などの機能性材料薄膜の採用が検討されるようになってきており、Ferroelectric Random Access read write Memory等の全く新しい機能をもったデバイスが提案されはじめている。
【0003】
上記Ta2O5、BaxSr1-xTiO3 (BST)やPbZrxTi1-xO3 (PZT)などはキャパシタ誘電体膜として有望であるが、いずれも金属酸化物であるために、従来キャパシタ電極として用いられてきたドープト多結晶シリコン膜を電極として用いることができない。なぜなら、多結晶シリコンを電極として用いた場合、金属酸化物であるキャパシタ誘電体膜成膜時に多結晶シリコン表面が酸化されてシリコン酸化物膜が形成され、シリコン酸化物膜が低誘電率層としてはたらくためである。そこで高(強)誘電体膜を用いて集積度の高い半導体集積回路のキャパシタ素子を形成するためには、電極材料として酸化されにくい、又は酸化されても導電体である白金、ルテニウム等の貴金属が用いられる。貴金属を微細に加工するには、PVD法あるいはCVD法で貴金属膜を形成した後に、RIE等の異方性エッチングで微細加工を行う方法や、鋳型となる微細なキャビティ等へ貴金属膜を埋め込んだあとにCMP法で加工する方法があったが、貴金属は化学反応性が低く、また下地との密着性も低いので、いずれの方法でも加工しにくいという問題があった。特に非晶質状態で30〜40程度の誘電率を発現するTa2O5、Al2O3などをキャパシタ誘電体膜として用いる場合、キャパシタの実効的な面積を最大にしつつ、キャパシタセルの高さを抑えるために円筒状の電極の両面を利用するシリンダー(円筒)構造の採用が必須であり、またBSTやPZTを用いる場合にも平面キャパシタで所望の蓄積電荷密度や残留分極を確保することは困難になるために、少なくとも柱状に貴金属電極を加工する必要があった。しかし、概して貴金属は化学的に不活性であるために、シリンダー形状や柱状形状を形成するのには多くの問題があった。
【0004】
PVD法やCVD法と異なる貴金属膜の形成方法として、めっき法がある。めっき法はプロセス温度が低く(通常室温と同程度)、電解めっきによって選択成長を行う場合、貴金属の加工を殆ど要さない、真空プロセスでないため基板裏面汚染の抑制が装置的に容易である、プロセスコストが低く、装置をコンパクトにすることが可能である等の利点がある。
【0005】
めっき法によってシリンダー形状の電極を形成する従来技術として以下の技術が提案されている。
【0006】
基板上に鋳型層を形成し、キャパシタ電極となる穴を前記鋳型層に形成し、基板全面にスパッタ法によりシード層を形成し、基板全面で貴金属膜を成長させる(例えば、特開平11−251550号公報)方法であり、銅配線形成工程などに広く実用化されている方法の応用である。以下にその一例を図9を参照して説明する。なお、以下の従来の製造方法では、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内に埋め込み形成されたコンタクトプラグ上に下部電極を形成する工程のみを説明する。
【0007】
図9(a)に示すように、層間絶縁膜107及びコンタクトプラグ108上にシリコン窒化膜909、シリコン酸化膜910を順次形成して鋳型層を形成し、公知のリソグラフィ技術によりシリコン窒化膜909、シリコン酸化膜910を加工して下部電極が形成されるキャビティ911を形成し、基板全面にシード層となるルテニウム膜912をスパッタ法により形成する。
【0008】
次いで、図9(b)に示すように、ルテニウム膜912をシードとして、電解めっき法によりルテニウム膜913を成長させる。ここで、ルテニウム膜913によって完全にキャビティ911内が埋め込められる前に成膜をとめ、キャビティ911内にフォトレジストを埋め込み、CMPを行うことでシリンダー状電極が形成できる。
【0009】
次いで、図9(c)に示すように、キャビティ911内にフォトレジスト膜914を埋め込み、CMPを行い、層間絶縁膜上の不要なルテニウム膜912,913を除去することでシリンダー状電極が形成できる。
【0010】
次いで、図9(d)に示すように、フォトレジスト膜914及びシリコン酸化膜910を除去することにより、シリンダー状のキャパシタ下部電極を形成する。
【0011】
また、本方法では、ルテニウム膜913によって完全にキャビティ911内が埋め込めこんだ後、CMPを行ってシリコン酸化膜910上のルテニウム膜913を除去してシリコン酸化膜を除去することによって、円柱状の下部電極を形成することができる。
【0012】
しかし、この製造方法には、以下のような問題があった。立体構造の下部電極を用いる動機は立体下部電極の側壁を利用することにあるので、0.1ミクロン世代でアスペクト比が5以上になることが想定される。キャビティ内にめっき貴金属膜の埋め込みを行う必要があり、かつ均一にめっき膜を成長させるにはキャビティの底までシード層を形成する必要があるが、スパッタ法によるキャビティ側壁への均一なシード形成は困難であり、そのためには厚くスパッタ膜を形成する必要があるのでシリンダーの壁の厚さを薄くすることが困難になると共に、アスペクト比の大きい立体構造の形式は困難であるという問題があった。アスペクト比が大きいキャビティに対して、スパッタ法でシード層を形成すると、底付近の側壁にはほとんどシード層が形成されない。
【0013】
また、電解めっきのシード層は基板全面に形成されてしまうために、電解めっきによって形成される貴金属膜も基板全面に形成され、この厚い貴金属膜をCMPにより加工する必要が生じるという問題があった。
【0014】
また、鋳型層のシリコン酸化膜等をウエットエッチングで除去する際に(キャビティ形成の際通常いくらかテーパーのついた形状になるためRIEによる完全な犠牲膜の除去は難しい)、密着性の悪い貴金属膜界面をエッチング液が浸透して下層の層間絶縁膜のシリコン酸化膜等をエッチングしてしまい空隙を発生させてしまう可能性が残るという問題があった。
【0015】
このように、高誘電体キャパシタの下部電極、特にシリンダー形状電極を形成する従来技術にはいずれも実用上の問題があり、特にめっき法を用いるシリンダー電極の形成は不可能であると考えられた。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、キャビティ内に薄いシード層を均一に形成することが困難であり、円筒状の電極の側壁の厚さが厚くなり、表面積が小さくなると言う問題があった。
シリコン酸化膜等の絶縁体からなる鋳型層を除去する際に、下層の絶縁膜をエッチングしてしまい空隙を発生させる可能性があるという問題があった。
特に円柱状の電極を形成する際、鋳型層上の厚いめっき膜を除去することが困難であるという問題があった。
【0017】
本発明の目的は、円筒状電極の側壁の厚膜化を防止すると共に、下層の絶縁膜をエッチングするおそれがない半導体装置の製造方法を提供することになる。
【0018】
【課題を解決するための手段】
[構成]
本発明は、上記目的を達成するために以下のように構成されている。
【0019】
(1)本発明(請求項1)に係わる半導体装置の製造方法は、半導体基板上への導電体膜を含む犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層に電解めっき法の鋳型となる空洞を形成する工程と、前記導電体膜をシード層として利用する電解めっき法により、前記空洞の表面に、金属膜を成長させ、円筒状の電極を形成する工程と、前記犠牲層を剥離して前記円筒状の電極を露出させる工程とを含むことを特徴とする。
【0020】
本発明の好ましい実施態様を以下に記す。前記円筒状の電極を露出させた後、該電極の表面に絶縁膜及び電極を順次成膜してキャパシタ素子を形成すること。前記犠牲層として絶縁体からなる支持層と、前記導電体膜とを順次形成し、電解めっき法による前記金属膜の成長に先だって、前記空洞及び犠牲層上に、スパッタ法を用いて導電性スパッタ膜を成膜し、電解めっき法により前記金属膜を成長させる工程では、前記導電性スパッタ膜と前記導電体膜とを電解めっき法におけるシード層として利用し、前記犠牲層の除去工程では、前記支持層を残しつつ前記導電体膜を除去すること。
【0021】
(2)本発明(請求項4)に係わる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に電気伝導度が順次低くなるように複数層の導電体膜を形成することにより犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層に電解めっき法の鋳型となる空洞を形成する工程と、前記導電体膜をシード層として利用する電解めっき法を用いて金属膜を成長させ前記空洞内に円柱状の電極を形成する工程と、前記犠牲層を剥離して、円柱状の電極を露出させる工程とを含むことを特徴とする。
【0022】
本発明の好ましい実施態様を以下に記す。前記円柱状の電極を露出させた後、順次BSTからなる絶縁膜及び上部電極を形成してキャパシタ素子を形成すること。
【0023】
前記円柱状の電極を露出させた後、前記電極の表面を覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面を後退させて前記電極の上面を露出させる工程とを含むこと。
【0024】
上記二つの発明に好ましい実施態様を以下に記す。前記犠牲層として、電気伝導度が順次低くなるように、複数層の導電体膜を形成すること。
前記犠牲層として基板上に、第1の導電体膜,絶縁体膜,第2の導電体膜,及び絶縁体膜を順次積層し、電解めっき法により、前記空洞内に金属膜を成長させる工程は、第1の導電体膜のみをシード層に利用して、前記空洞内の下部に前記金属膜を成長させる工程と、第1及び第2の導電体膜をシード層に利用した電解めっき法により前記金属膜を更に成長させる工程とを含むこと。
前記犠牲層を形成する工程では、最上層に絶縁体からなるめっき膜成長禁止層を形成し、電解めっき法による金属膜の成長工程では、金属膜を前記導電体膜の空洞内に露出した表面のみから選択成長させること。
【0025】
前記めっき膜成長禁止層として、フォトレジスト膜を形成し、前記空洞は前記フォトレジスト膜をマスクに用いて前記導体膜をエッチングすることにより形成されること。
前記めっき膜成長禁止層は、前記導電体膜の表面の酸化により形成されること。
【0026】
前記導電体膜として炭素膜を形成すること。
前記金属膜として、Pt、Pd、Ru、Rh、Re、Os、及びIrの中から何れか一つ以上の元素を含む膜を成長させること。
【0028】
[作用]
本発明は、上記構成によって以下の作用・効果を有する。
【0029】
犠牲層の導電体膜を電解めっき法におけるシード層として利用することで、新たにシード層を形成する必要が無く、円筒状の電極の側壁の厚膜化を防止することができる。
【0030】
めっき法を用いることでプロセス温度を室温にすることができる。したがって、犠牲層の耐熱性が不要になり、また犠牲層から汚染元素が電極金属膜形成時に熱拡散することがなくなるので、犠牲層として多様な膜種の選定が可能になる。これにより犠牲層の下層に影響を与えない(犠牲層の剥離液が下層に浸透して意図せざるエッチングをひきおこすなど)犠牲層の剥離が容易になる。
【0031】
犠牲層と導電性スパッタ膜とをシード層として併用することで、導電性スパッタ膜の空洞側壁での段差被覆性が悪くても、シリンダー形状に影響を与えない。また、支持層を設けることでシリンダー形状電極の下部が支持層内部に埋め込まれた形状になるので、外的要因(衝撃など)によって電極乃至完成した立体キャパシタが倒れにくくなる。コンタクトプラグ表面が支持層または電極によって完全に被覆されるので、誘電体膜成膜時の酸化が抑止される。
【0032】
導電性犠牲層と組み合わせた電解めっき法を用いることで、CVDやRIEの困難な金属膜の微細な空洞への埋め込み、あるいは柱状加工が容易になる。
【0033】
電気伝導度が順次低くなるように、複数層の導電体膜を形成することで空洞の底部に流れる電解めっき時の電流量を増やし、空洞底部でのめっき膜の成長速度を速くすることができる。これによりシリンダー電極の場合、底部の被覆率が高くなるので、電極の実効面積を拡大することができる。柱状電極やプラグ形成などめっき膜で空洞を埋め込む場合、空洞の底部でのめっき膜の成長速度を速くすることができるので、す(void)やシーム(seam)の形成が抑制できる。
【0034】
犠牲層として第1の導電体膜/絶縁体膜/第2の導電体膜の積層膜を用いることで、空洞の底部でのめっき膜の成長とそれ以外でのめっき膜の成長を独立に制御することができる。これによりシリンダー電極の場合、底部の被覆率が高くなるので、電極の実効面積を拡大することができる。柱状電極やプラグ形成などめっき膜で空洞を埋め込む場合、空洞の底部でのめっき膜の成長速度を速くすることができるので、す(void)やシーム(seam)の形成が抑制できる。
【0035】
犠牲層の最上層に絶縁体からなるめっき膜成長禁止層を形成して、電解めっき法で金属膜の成長を行うことで、空洞内に選択的に金属膜を成長させることが出来、後に犠牲層上の金属膜を除去する工程が不要となる。さらに、絶縁膜として、空洞の形成(導電体膜の加工)に利用されるフォトレジスト膜を用いることによって、新たな絶縁膜を形成する必要がない。電解めっき法は選択成長なのでレジスト側面形状の影響は殆どうけない。また、導電体膜の表面を酸化して絶縁体を形成することで、CVD装置やスパッタ装置等の成膜装置が不要となる。電解めっきは選択成長なので絶縁膜形状の影響は殆どうけない。
【0036】
犠牲層として炭素膜を使用することで、アッシング、あるいは熱酸化による犠牲層の剥離が容易になる。これらの剥離法は下層への影響も殆どない。犠牲層と導電性スパッタ膜をシード層として併用する場合のように、犠牲層上のめっき膜のCMPによる剥離が必要となる場合にオーバーエッチングがおこりにくい。
【0037】
本形状によるシリンダー電極を採用することでめっき法による電極形成が可能になり、CVD法による下部電極形成が不要になる。シリンダー形状でのキャパシタ面積への底面の寄与は小さい(例えばアスペクト比10の8F2セルでのシリンダー電極の側壁と底部の面積の比は50:1程度になる)ので、従来技術との差は小さく、しかも形成は容易であり、大幅な工程削減が可能になる。
【0038】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【0039】
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態を図1を参照して説明する。本実施形態では炭素膜をシリンダー電極の鋳型層及び電解めっきのシード層として用いる。
【0040】
先ず、図1(a)に示すように、例えば不純物濃度5×1015cm-3程度の(100)面のp型又はn型のシリコン基板101の表面に、nチャネルトランジスタ形成領域にはpウェル、またpチャネルトランジスタ形成領域にはnウェルを形成する(不図示)。次いで、例えば反応性イオンエッチング(RIE)を用いて、素子領域以外の領域のシリコン基板101に深さ0.2μm程度の溝を掘りこんだ後に、溝に絶縁膜を埋め込み、いわゆるSTI(Shallow Trench Isolation)技術を用いた素子分離層102を形成する。
【0041】
次に、トランジスタのゲート絶縁膜として厚さ60nm程度のゲート酸化膜103aを形成する。メモリセル部ではワード線となるゲート電極材103bを堆積する。なお、本実施形態では説明を省いたが、抵抗を小さくするためにいわゆるポリサイド構造(例えばポリSi膜とWSi2 膜の多層膜。それぞれ50mm程度の膜厚)を用いても良いし、他の構造、例えば、単純なポリSi層のみやポリSi層とW膜を用いた積層膜構造でもよい。
【0042】
次いで、ゲート電極材103b上に、シリコン窒化膜(Si3N4)からなるゲートキャップ層103cを形成する。その後、ゲートキャップ層103c上のゲート電極の形成領域に、図示されないレジスト膜を形成し、続いてこのレジスト膜をマスクに用いてゲートキャップ層103cを加工してレジスト膜を除去する。そして、ゲートキャップ層103cをマスクとして、ゲート電極材103bをパターニングすることによって、メモリセル部ではワード線となるゲート電極103bを形成する。
【0043】
図示されないレジスト膜を形成した後、このレジスト膜、ゲートキャップ層103c,ゲート電極103bをマスクとして、ソース/ドレイン拡散層となるn- 型又はp- 型の不純物拡散層をシリコン基板101の所望の領域の表面に、例えばイオン注入法により形成する。
【0044】
全面に例えば膜厚20nm程度のシリコン窒化膜(Si3N4)をLP−CVD法により堆積した後、シリコン窒化膜に対してRIE法によるエッチングを行い、ゲート電極の側壁部に側壁絶縁膜103dを形成した後、レジスト膜と側壁絶縁膜103d及びゲートキャップ層103Cとをマスクにして所望の領域にイオン法入法でn+ (又はp+ )型の不純物拡散層を形成することによって、LDD構造のソース/ドレイン拡散層103eを形成する。
【0045】
次に、例えばCVD法でBPSGからなる第1の層間絶縁膜104を堆積した後、第1の層間絶縁膜104の表面を例えば、CMP(Chemical Mechanical Polish)法を用いて全面を研磨して平坦化する。このCMP法による第1の層間絶縁膜104の平坦化により、ウェハ全面がほぼ全面に渡って平坦化される。
【0046】
次に、第1の層間絶縁膜104上に開口パターンを有するレジスト膜を形成した後、第1の層間絶縁膜104をエッチングし、第1の層間絶縁膜104にそれぞれのソース/ドレイン拡散層103eに接続するコンタクトホールを形成する。
【0047】
レジスト膜を除去した後、全面にリン(P+ )や砒素(As+ )等を不純物としてドーピングしたn+ 型のポリシリコン層をLP−CVD法により堆積した後、CMP法やRIEを用いたエッチバック法を用いてコンタクトホールにn+ 型のポリシリコンからなるコンタクト105を完全に埋め込み形成する。この埋め込まれたn+ 型のポリシリコンからなるコンタクト105は、ソース/ドレイン拡散層103eと電気的に接続されている。
【0048】
次に、第1の層間絶縁膜104上にソース/ドレイン拡散層103eに接続するビット線106を形成する。次いで、ビット線106を覆う第2の層間絶縁膜107を堆積する。第2の層間絶縁膜107にビット線106に接続されていないコンタクト105が露出するコンタクトホールを形成する。コンタクトホール内に、バリアメタル108a及びタングステン膜108bを埋め込む。CMPにより第2の層間絶縁膜107上の金属膜を取り除く。次にRIEにより前記コンタクトホール内の金属膜108a,bを後退させる。次にスパッタによりルテニウム膜108cを全面に形成し、CMPによりコンタクトホール内以外のルテニウム膜を取り除き、コンタクトホール内にコンタクト105を介してソース/ドレイン拡散層103eに接続するコンタクトプラグ108を形成する。
【0049】
なお、以降の製造工程の説明において、図1(b)〜図1(e)では、シリコン基板101,素子分離層102,トランジスタ103,第1の層間絶縁膜104,及びコンタクト105の図示を省略している。
【0050】
次いで、図1(b)に示すように、犠牲層として膜厚1μmの炭素膜109をPVD法により成膜する。次いで、図1(c)に示すように、炭素膜109上にフォトレジスト膜110を塗布し、周知のリソグラフィ技術により、キャパシタの鋳型となるキャビティ111を形成する。
【0051】
次いで、図1(d)に示すように、炭素膜109をシード電極として電解めっき法によりルテニウム膜112(112a,112b)をキャビティ111内に成長させる。電解めっき法の条件は以下のようなものである。めっき浴をRuNOCl3(1〜10g/L)、H2SO4(50〜100g/L)で構成し、0.5<PH<3、溶液温度を55℃から77℃に加熱し、電流密度0.001〜0.03〜cm2 とした。
【0052】
炭素膜109の上面はフォトレジスト膜110で被覆されているために、ルテニウム膜112は、キャビティ111内に露出した炭素膜109の表面及びコンタクトプラグ108の上面のうちキャビティ内に露出している部分にのみ選択的に成長する。めっき時間を調整することにより、所望の膜厚のルテニウム膜112を形成する。この時、コンタクトプラグ108上に成長したルテニウム膜112と炭素膜109の表面に成長したルテニウム膜112bとが接続するまで電解めっきを行う。なお、キャビティ111の側壁がコンタクトホール上に接続するように設計することによって、直ちにルテニウム膜112aとルテニウム膜112bとを接続させることができる。
【0053】
次いで、図1(e)に示すように、O2 とCF4 を用いたダウンフローアッシングによってフォトレジスト膜110、及び炭素膜109を除去する。本実施形態ではダウンフローアッシングを用いたが、フォトレジストの剥離法としては、有機溶剤による洗浄、あるいは硫酸過酸化水素水混合液による除去等も可能であり、これらのウエットエッチングではルテニウムの溶解はおこらない。また、炭素膜の除去法としては酸化性雰囲気での低温アニール(<400℃>も有効であり、ルテニウム膜に対して選択的に炭素膜を除去することが可能である。勿論このような炭素膜の除去工程中にシリコン酸化膜105のエッチングはおこらず、下地の損傷の可能性は皆無である。以上の工程によりシリンダー形状を有するキャパシタ下部電極が形成された。
【0054】
続いて、Ta2O5膜113をCVD法で形成し、キャパシタ上部電極の窒化チタン膜114をCVD法で形成することで、キャパシタ素子が形成される。
【0055】
続いて絶縁膜及び配線を形成することにより半導体装置が形成されるが以下の工程は省略する。なお、本実施形態では誘電体膜としてTa2O5を用いたが、ZrO2 、HfO2 、Al2O3などの金属酸化物誘電体膜を用いることも可能である。本実施形態では誘電体膜の成膜方法としてはCVD法を用いているが、ALD法(Atomic Layer Deposition)のような段差被覆性に優れた方法を用いることも可能である。
【0056】
本実施形態では、上部電極として窒化チタン膜を用いているが、ルテニウムや白金をCVDにより形成することで、より耐圧と誘電率の大きいキャパシタを形成することが可能になる。ただし、CVD法を用いることで従来技術で指摘したように、基板の裏面や周辺部での貴金属汚染が生じる可能性があるので、本実施形態では窒化チタンを上部電極として採用している。
【0057】
なお、本実施形態によって形成される下部電極112の形状は図2のようになる。通常のシリンダー電極に比べて底部の一部に電極材料がないことになるが、シリンダー形状電極の場合全表面積に占める底部の割合は数%以下なので実用上は問題ないといえる。図2において、Aは図1において左側の下部電極の断面、Bは右側の下部電極の断面を示している。
【0058】
本実施形態によれば、犠牲層の炭素膜(導電体膜)109を電解めっき法におけるシード層として利用することで、新たにシード層を形成する必要が無く、円筒状のルテニウム膜(下部電極)112の側壁の厚膜化を防止することができる。
【0059】
また、炭素膜109の上部にレジスト膜113を残置した状態で、ルテニウム膜112を形成することで、鋳型層上のルテニウム膜112を除去する工程が不要となる。
【0060】
なお、ここではコンタクトプラグを形成するために、コンタクトホール内にルテニウム膜を埋め込んだが、ルテニウムに変えてWN,TiAlN,TaSiN等の耐酸化性を有する導電体膜を埋め込むことも可能である。本実施形態の方法ではフォトリソグラフィ工程での合わせずれにより、シリンダー電極の外側でコンタクトプラグ上面の一部が露出する可能性があるので、誘電体膜と接しても問題のない導電体膜をコンタクトプラグ上面に埋め込むか、コンタクトプラグ自体をそのような導電体膜で形成することが重要である。
【0061】
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態を図3を参照して説明する。
第1の実施形態において図1(a)を用いて説明した工程を用いて、図3(a)に示すような構造を形成する。なお、本図(図3(a))、並びに図3(b)〜図3(e)では、シリコン基板101,素子分離層102,トランジスタ103,第1の層間絶縁膜104,及びコンタクト105の図示を省略している。
【0062】
次に、次に犠牲層として第1の硼素ドープ非晶質シリコン膜209を50nm、第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜210を1000nm、熱CVD法により形成する。CVDガスはSi2H6及びB2H6であり、成膜温度は300℃である。
第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜210の電気伝導度は第1の硼素ドープ非晶質シリコン膜209の約1/2になるように、硼素濃度は調整されている。
【0063】
次いで、図3(b)に示すように、第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜210の上にフォトレジスト膜211を塗布し、周知のリソグラフィ技術とRIE技術により、キャパシタの鋳型となるキャビティ212を形成する。
【0064】
次いで、図3(c)に示すように、前記二層の硼素ドープ非晶質シリコン膜209,210を電極として電解めっき法によりルテニウム膜213を前記キャビティ212内に成長させる。めっき法の条件は第1の実施形態と同様である。第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜210の上面はフォトレジスト膜211で被覆されているために、ルテニウム膜213はキャビティ212内に露出した第1の硼素ドープ非晶質シリコン膜209及び第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜210の表面及びコンタクトプラグ108の上面のうちキャビティ212内に露出している部分にのみ選択的に成長する。また、第1及び第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜209,210は電気伝導度が異なるのでルテニウム膜213は第1の硼素ドープ非晶質シリコン膜209及びコンタクトプラグ108上面で速く成長し、その結果、キャビティ212の底部が優先的に被覆される。
【0065】
次にO2 とCF4 を用いるダウンフローアッシングによってフォトレジスト膜211、CDEにより硼素ドープ非晶質シリコン膜209、210を除去する。本実施形態では、フォトレジスト膜211の除去にダウンフローアッシングを用いたが、フォトレジスト膜211の剥離法としては、有機溶剤による洗浄、あるいは硫酸過酸化水素水混合液による除去等も可能であり、これらのウエットエッチングではルテニウムの溶解はおこらない。また、硼素ドープ非晶質シリコン膜の除去工程中に、ルテニウム膜またはシリコン酸化膜系の層間絶縁膜107のエッチングはおこらず、下地の損傷の可能性は皆無である。以上の工程によりシリンダー形状を有するキャパシタ下部電極が形成された。
【0066】
続いてTa2O5膜214をCVD法で形成し、キャパシタ上部電極の窒化タングステン膜215をCVD法で形成することで、キャパシタ素子が形成される。続いて絶縁膜及び配線を形成することにより半導体装置が形成されるが以下の工程は省略する。
【0067】
本実施形態ではめっき成長の鋳型となる犠牲膜を電気伝導度の異なる2種類の導電体膜の積層構造とする。これにより電解めっきを行う際の電流密度をキャビティ内部で分布させることができるために、より底部の被覆率の高いシリンダー形状を実現することができる。
【0068】
以上の例では二層構造を有する犠牲膜としてCVDにより形成される硼素ドープ非晶質シリコン膜を用いたが、電界集中を緩和するために硼素の濃度を段階的に制御することも可能である。また、電気伝導度の異なる金属膜をスパッタ法により形成する、例えばチタン、窒化チタン積層膜のような膜を用いることも可能である。また、積層導電体膜の形成方法としては塗布膜を用いることも可能である。
【0069】
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態を図4を参照して説明する。
第1の実施形態において図1(a)を用いて説明した工程を用いて、図4(a)に示すような構造を形成する。なお、本図(図4(a))、並びに図4(b)〜図4(e)では、シリコン基板101,素子分離層102,トランジスタ103,第1の層間絶縁膜104,及びコンタクト105の図示を省略している。
【0070】
次に、めっき成長の鋳型となる犠牲層として第1の硼素ドープ非晶質シリコン膜309を70nm、硼素ドープシリコン酸化膜310を10nm、第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜311を1000nm、熱CVD法により形成する。CVDガスはSi2H6、B2H6、及び酸素であり、成膜温度は300℃である。硼素ドープシリコン酸化膜310は硼素ドープ非晶質シリコン膜成膜雰囲気に酸素を導入することで連続的に形成することができる。
【0071】
次いで、図4(b)に示すように、犠牲層309,310,311上にフォトレジスト膜312を塗布し、周知のリソグラフィ技術とRIE技術により、キャパシタの鋳型となるキャビティ313を形成する。更に周辺部の第2の砒素ドープ非晶質シリコン膜309及び硼素ドープシリコン酸化膜310のエッジをエッチング、第1の硼素ドープ非晶質シリコン膜309単層のみに通電できるように加工する。
【0072】
次いで、図4(c)に示すように、まず、第1の硼素ドープ非晶質シリコン膜309にのみ通電し、キャビティ313底部にのみルテニウム膜314を成長させ、キャビティ313底部を完全にルテニウム膜314で被覆する。なお、めっき法の条件は第1の実施形態と同様である。
【0073】
次に、図4(d)に示すように、第1及び第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜309,311に通電し、キャビティ313側壁全面でルテニウム膜314を成長させ、シリンダー形状の電極を形成する。第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜311の上面はフォトレジスト膜312で被覆されているために、ルテニウム膜314はキャビティ313内に露出した第1及び第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜309,311の表面及びコンタクトプラグ108の上面のうちキャビティ内に露出している部分にのみ選択的に成長することになる。
【0074】
次いで、図4(d)に示すように、O2 とCF4 を用いたダウンフローアッシングによってフォトレジスト膜312、CDEにより第1及び第2の硼素ドープ非晶質シリコン膜309、311と硼素ドープシリコン酸化膜310を除去する。本実施形態ではフォトレジスト膜312の除去にダウンフローアッシングを用いたが、フォトレジスト膜の剥離法としては、有機溶剤による洗浄、あるいは硫酸過酸化水素水混合液による除去等も可能であり、これらのウエットエッチングではルテニウムの溶解はおこらない。硼素ドープシリコン酸化膜310の膜厚は薄いので、CDEによる除去が可能である。また、硼素ドープ非晶質シリコン膜309,311の除去工程中にルテニウム膜のエッチングはおこらず、下地の損傷の可能性は皆無である。以上の工程によりシリンダー形状を有するキャパシタ下部電極が形成された。
【0075】
続いてTa2O5膜315をALD法で形成し、キャパシタ上部電極の窒化チタン膜316をCVD法で形成することで、キャパシタ素子が形成される。
続いて絶縁膜及び配線を形成することにより半導体装置が形成されるが以下の工程は省略する。
【0076】
本実施形態では犠牲膜を金属−絶縁体−金属の積層構造(MIM構造)とする。これによりルテニウム膜をキャビティの下部で最初に電解めっきにより成長させ、次にキャビティ上部で成長させることができるので、第2の実施形態と同様に底部の被覆率の高いシリンダー形状を実現することができ、かつ第2の実施形態よりも高い制御性を実現することができる。
【0077】
以上の例ではMIM構造を有する犠牲膜をCVDにより成膜したが、スパッタ法による成膜、または塗布膜を用いることも可能である。
【0078】
(第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態を図5を参照して説明する。
【0079】
第1の実施形態において図1(a)を用いて説明した工程を用いて、図5(a)に示すような構造を形成する。なお、本図(図5(a))、並びに図5(b)〜図5(d)では、シリコン基板101,素子分離層102,トランジスタ103,第1の層間絶縁膜104,及びコンタクト105の図示を省略している。 次に、めっき成長の鋳型となる犠牲層として膜厚1μmのアルミニウム膜409をンスパッタ法により成膜する。
【0080】
次いで、図5(b)に示すように、アルミニウム膜409表面をRTAにより酸化してアルミナ膜410をアルミニウム膜409の表面に形成する。次にアルミナ膜410上にフォトレジストを塗布し、周知のリソグラフィ技術により、キャパシタの鋳型となるキャビティ411を形成し、ダウンフローアッシングによりフォトレジスト膜を除去する。
【0081】
次いで、図5(c)に示すように、アルミニウム膜409を電極として電解めっき法によりルテニウム膜412を前記キャビティ411内に成長させる。めっき法の条件は第1の実施形態と同様である。
【0082】
アルミニウム膜409の上面はアルミナ膜410で被覆されているために、ルテニウム膜412はキャビティ411内に露出したアルミニウム膜409の表面及びコンタクトプラグ108の上面のうちキャビティ411内に露出している部分にのみ選択的に成長する。めっき時間を調整することにより、所望の膜厚のルテニウム膜を形成する。
【0083】
次いで、図4(d)に示すように、塩酸過酸化水素水混合液によるウエットエッチングによってアルミナ膜410、及びアルミニウム膜409を除去する。このウエットエッチングではルテニウム膜412及びシリコン酸化膜系の層間絶縁膜107のエッチングはおこらず、下地の損傷の可能性は皆無である。以上の工程によりシリンダー形状を有するキャパシタ下部電極が形成された。続いてAl2O3膜413をALD法で形成し、キャパシタ上部電極のルテニウム膜414をCVD法で形成することで、キャパシタ素子が形成された(図4c)。
【0084】
続いて絶縁膜及び配線を形成することにより半導体装置が形成されるが以下の工程は省略する。
【0085】
以上の例ではアルミニウム膜を用いたがチタン、タングステン、あるいは窒化チタン等の金属膜を用いることも可能である。アルミナの形成はアルミニウム膜の酸化により行ったが、スパッタにより行うことも可能である。
【0086】
本実施形態では犠牲膜としてアルミニウム膜とアルミナの積層膜を用いる。アルミニウム膜は既にLSIの配線工程で広く使われており、成膜技術が確立されている。特にシリンダー電極等の犠牲膜ではミクロンオーダーの厚膜の形成が必要だが、LSIの配線工程ではミクロンオーダーのアルミニウム膜の成膜技術が確立されているという利点がある。また、選択的に電解めっきを行うための絶縁膜としてアルミナを用いることで、絶縁膜の形成をアルミニウムの酸化によって形成することが可能になる。
【0087】
(第5の実施形態)
本発明の第5の実施形態を図6を参照して説明する。
第1の実施形態において図1(a)を用いて説明した工程を用いて、図6(a)に示すような構造を形成する。なお、図6(a)、並びに図6(b)〜図6(d)では、シリコン基板101,素子分離層102,トランジスタ103,第1の層間絶縁膜104,及びコンタクト105の図示を省略している。
次にシリコン窒化膜509をLPCVDにより50nm形成する。次に前記シリコン窒化膜509上に膜厚1μmのアルミニウム膜510をスパッタ法により成膜する。
【0088】
次いで、図6(b)に示すように、アルミニウム膜510上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によってキャパシタ形成領域に開口を有するレジスト膜を形成する。レジスト膜の開口から、RIE技術によりアルミニウム膜及びシリコン窒化膜を加工した後、レジスト膜をアッシングにより除去してキャパシタ下部電極が形成されるキャビティ511を形成する。キャビティ511加工形状はアルミニウム膜の側壁が89゜以上、シリコン窒化膜はテーパーをつけて80゜〜85゜に加工する。
【0089】
次いで、図6(c)に示すように、LTS(LongThroguhSputter)法でルテニウム膜512を基板全面に20nm形成する。キャビティ511側壁部ではアルミニウム膜510はほぼ垂直に加工されているために、ルテニウム膜厚は極めて薄く不均一になるが、シリコン窒化膜509及びキャビティ511の底部はルテニウム膜512で被覆される。
【0090】
次いで、図6(d)に示すように、ルテニウム膜512及びアルミニウム膜510をシード層として電解めっき法によりルテニウム膜513を前記キャビティ511内に選択的に成長させる。めっき法の条件は第1の実施形態と同様である。
【0091】
電解めっきで形成されるルテニウム膜513はアルミニウム膜510、またはルテニウム膜512からほぼ等方的に成長する。
【0092】
次いで、図6(e)に示すように、基板全面にレジストを塗布し、キャビティ511内部にフォトレジスト膜514を埋め込む。次にCMP技術により、フォトレジスト膜514及びキャビティ外にはみ出したルテニウム膜513を除去し、キャビティ511へのルテニウム膜513の埋め込みが完了する。
【0093】
次いで、図6(f)に示すように、ダウンフローアツシャーによりフォトレジスト膜514を除去し、塩酸過酸化水素水混合液でアルミニウム膜510をウエットエッチング除去することでキャパシタ下部電極が形成される。
【0094】
次にCVD法によりTa2O5膜515、更に上部電極となるルテニウム膜516をCVD法により形成する(図6d)。続いてフォトリソグラフィ技術及びRIE技術によりルテニウム膜を加工することにより、メモリーセル領域が形成された。続いて絶縁膜及び配線を形成することにより半導体装置が形成されるが以下の工程は省略する。
【0095】
本実施形態では電解めっきのシード層として導電性犠牲膜とロングスロースパッタ(LTS)法で形成したルテニウム膜とを併用することで、キャパシタ下部電極を深く支持膜内に埋め込んだ構造を形成するものである。これにより、アスペクト比の大きい下部電極を形成しても、電極が倒れる等の問題を抑止することができる。穴の内部に電解めっき膜を形成する方法としてスパッタでシード層を形成する技術はLSIの配線工程で用いられているが、穴の側壁を被覆するようにシードとなるスパッタ膜を形成する場合既に述べたように、シード膜を厚くスパッタしなければならず、シリンダー構造を作成する場合にはシリンダー側壁の膜厚が厚くなりすぎるという問題があった。本実施形態では、スパッタ膜は支持層の側壁を覆い、導電体犠牲層との電気的接続を保つことができればよいので、仮にキャビティの側壁に殆どスパッタ膜が形成されなくても問題ないという利点がある。また、本方法では電極とコンタクトプラグとの合わせずれが生じても、コンタクトプラグの上面が誘電体成膜時の酸化性雰囲気に露呈されないという利点もある。
【0096】
本実施形態では犠牲層としてアルミニウム膜を用いたが、炭素膜を用いることも可能である。炭素膜を用いる場合、犠牲層上面に形成されたルテニウム膜のCMPによる除去がより容易になるという利点がある。またアッシャー等によるキャビティ内に埋め込まれたレジスト膜と犠牲層の炭素膜の同時剥離が可能になるので工程数削減に有効である。
【0097】
(第6の実施形態)
本発明の第6の実施形態を図7を参照して説明する。本実施形態では犠牲層としてタンタル膜とSOG膜の積層膜を用い、BSTの下部電極となる柱状電極を形成する。タンタル膜は弗酸でウエットエッチングされないのでSOGの弗酸による選択剥離が可能である。
【0098】
第1の実施形態において図1(a)を用いて説明した工程を用いて、図7(a)に示すような構造を形成する。なお、図7(a)、並びに図7(b)〜図7(d)では、シリコン基板101,素子分離層102,トランジスタ103,第1の層間絶縁膜104,及びコンタクト105の図示を省略している。
次に、犠牲層として膜厚1μmのタンタル膜609をスパッタ法により成膜する。
【0099】
次いで、図7(b)に示すように、タンタル膜609上にSOG膜610を60nm塗布する。次に周知のリソグラフィ技術により、前記SOG膜610をパターニングし、SOG膜610をハードマスクとしてタンタル膜609をRIEにより加工してキャパシタの鋳型となるキャビティ711を形成する。
【0100】
次いで、次いで、図7(c)に示すように、タンタル膜609をシード層として電解めっき法によりルテニウム膜612を前記キャビティ611内に成長させる。めっき法の条件は第1の実施形態と同様であるが、本実施形態ではBSTキャパシタ用の柱状電極形成が目的であるので、キャビティ611内はルテニウム膜612で完全に埋め込んでしまうことが特徴である。ここでタンタル膜609の上面はSOG膜610で被覆されているために、ルテニウム膜612はキャビティ611内にのみ選択的に成長する。
【0101】
次いで、図7(d)に示すように、弗酸によるウエットエッチングでSOG膜610を除去する。既述したようにタンタル膜は弗酸には溶解せず、キャビティ611内部はルテニウム膜612で埋め込まれているので、下地への影響は皆無である。次にCF4プラズマ中でタンタル膜609を選択的にドライエッチングすることで柱状形状を有するキャパシタ下部電極が形成された。続いてBST膜613をCVD法により形成し、キャパシタ上部電極となるルテニウム膜614をCVD法で形成することで、キャパシタ素子が形成される。続いて絶縁膜及び配線を形成することにより半導体装置が形成されるが以下の工程は省略する。
【0102】
(第7の実施形態)
本発明の第7の実施形態を図8を参照して説明する。本実施形態ではPZT(Pb(Zr,Ti)O3 )膜の電極となる白金電極を白金コンタクトプラグ上に形成する。Pt膜のCVDやRIElによる加工は極めて困難であったが、本発明ではめつき法のみによる形成が可能であり、選択成長を行うためにRIE加工も下部電極形成には不要である。
【0103】
第1の実施形態において図1(a)を用いて説明した工程を用いて、図6(a)に示すような構造を形成する。なお、図6(a)、並びに図6(b)〜図6(d)では、シリコン基板101,素子分離層102,トランジスタ103,第1の層間絶縁膜104,及びコンタクト105の図示を省略している。
次に、アルミニウム膜709をスパッタ法により500nm形成し、全面にフォトレジスト膜710を塗布し、通常のフォトリソグラフィ技術とRIE技術により加工してプラグ電極に連通するキャビティ711を形成する。この時、フォトレジスト膜710は除去しないで残存させておく。次に、電解めっき法によりキャビティ711内に白金膜712を埋め込み形成する。白金膜を形成するめっき法の条件は以下のようなものである。
【0104】
めっき浴をPtCl45H2O(5〜100g/L)、HCl(5〜100g/L)、NH4Cl(10〜100g/L)およびNH3 (28%水溶液)で構成し、0.5<PH<2.5、溶液温度を室温、電流密度0.005〜0.1〜cm2 とした。アルミニウム膜807の上面はフォトレジスト膜808で被覆されているので、白金膜712はキャビティ711内にのみ選択的に成長する。
【0105】
次いで、図8(b)に示すように、アッシングによりフォトレジスト膜710を剥離し、塩酸過酸化水素水混合液によりアルミニウム膜709を除去する。続いて基板全面にプラズマシリコン酸化膜713を形成し、CMP法により平坦化して、白金膜712の表面を露出させる。以上で白金膜712がコンタクトプラグとして加工される。
【0106】
次いで、図8(c)に示すように、基板全面に膜厚1μmのアルミニウム膜714をスパッタ法により成膜した後、全面にフォトレジスト膜715を塗布し、通常のフォトリソグラフィ技術とRIE技術により加工して白金膜712に連通するキャビティ716を形成する。この時、フォトレジスト膜715は除去しないで残存させる。次に電解めっき法により前記キャビティ内に白金膜717を埋め込む。白金膜を形成するめっき法の条件はプラグ形成時と同様である。
【0107】
次いで、図8(d)に示すように、加熱した硫酸過酸化水素水混合液によるウエットエッチングでフォトレジスト膜715及びアルミニウム膜714を除去する。以上によりキャパシタ下部電極が形成される。
【0108】
次いで、図8(e)に示すように、CVD法によりPb(Zr,Ti)O3 膜718を30nm、更に上部電極となる白金膜719を5nm、及び窒化チタン膜720を100nmスパッタにより順次成膜する。続いてフォトリソグラフィ技術及びRIE技術により白金膜719及び窒化チタン膜720を加工することにより、メモリセル領域が形成される。続いて絶縁膜及び配線を形成することにより半導体装置が形成されるが以下の工程は省略する。
【0109】
なお、本実施形態には、白金の代わりにSrBi2Ta2O9膜の電極となるイリジウム電極及びコンタクトの形成に適用することもできる。上述したように、めっき法のみによる形成が可能であり、イリジウムのRIEも下部電極形成には不要である。
【0110】
なお、イリジウム膜を形成するめっき法の条件は以下のようなものである。
めっき浴を(NH4)2IrCl6(5〜15g/L)、(NH4)2SO4(1〜50g/L)およびH2SO4(0.2〜2g/L)で構成し、0.5<PH<3.5、溶液温度を30℃から50℃に加熱し、電流密度0.005〜0.05A/cm2 とした。
【0111】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、 なお、以上の実施形態では電極膜としてルテニウム膜、白金膜、イリジウム膜の例をあげたが本発明はとれらの金属にとどまるものではなく、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)等への応用が可能である。また、本発明は貴金属膜の形成のみに限定されるものではなく、ニッケルなどのようにCVDやRIEが困難な金属膜の埋め込みや加工を行う際にも有効である。その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【0112】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、円筒状電極の側壁の厚膜化を防止すると共に、下層の絶縁膜をエッチングするおそれがないので、結果として良質な高誘電体膜や強誘電体膜を用いたキャパシタを形成することができ、集積度の高い記憶素子を再現性よく製造することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係わる半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図2】図1に示す、ルテニウム膜の構成を示す図。
【図3】第2の実施形態に係わる半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図4】第3の実施形態に係わる半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図5】第4の実施形態に係わる半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図6】第5の実施形態に係わる半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図7】第6の実施形態に係わる半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図8】第7の実施形態に係わる半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図9】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【符号の説明】
101…シリコン基板
102…素子分離層
103…トランジスタ
104…第1の層間絶縁膜
105…コンタクト
106…ビット線
107…第2の層間絶縁膜
108…コンタクトプラグ
109…炭素膜
110…フォトレジスト膜
111…キャビティ
112…ルテニウム膜(下部電極)
Claims (5)
- 半導体基板上に、導電体膜を1層以上含むと共に、最上層に絶縁膜が形成された犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に電解めっき法の鋳型となる空洞を形成する工程と、
前記導電体膜をシード層として利用する電解めっき法により、前記空洞の表面に、金属膜を成長させ、円筒状の電極を形成する工程と、
前記犠牲層を剥離して前記円筒状の電極を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記円筒状の電極を露出させた後、該電極の表面に金属酸化物誘電体膜及び上部電極を順次成膜してキャパシタ素子を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に、絶縁体からなる支持層と導電体膜とを順次積層した犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に電解めっき法の鋳型となる空洞を形成する工程と、
前記空洞の底部及び犠牲層上に、スパッタ法を用いて導電性スパッタ膜を成膜する工程と、
前記導電体膜及び導電性スパッタ膜をシード層として利用する電解めっき法により、前記空洞の表面に、金属膜を成長させ、有底円筒状の電極を形成する工程と、
前記犠牲層の支持層を残しつつ前記導電体膜を剥離して前記有底円筒状の電極を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に電気伝導度が順次低くなるように複数層の導電体膜を形成し、且つ最上層に絶縁膜を形成することにより犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層に電解めっき法の鋳型となる空洞を形成する工程と、
前記導電体膜をシード層として利用する電解めっき法を用いて金属膜を成長させ、前記空洞内に円筒状の電極を形成する工程と、
前記犠牲層を剥離して、円筒状の電極を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記犠牲層として半導体基板上に、第1の導電体膜,絶縁体膜,第2の導電体膜,及び前記最上層の絶縁膜を順次積層し、電解めっき法により、前記空洞内に金属膜を成長させる工程は、第1の導電体膜のみをシード層に利用して、前記空洞内の下部に前記金属膜を成長させる工程と、第1及び第2の導電体膜をシード層に利用した電解めっき法により前記金属膜を更に成長させる工程とを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001217226A JP4088052B2 (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
US10/195,484 US6599794B2 (en) | 2001-07-17 | 2002-07-16 | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001217226A JP4088052B2 (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003031689A JP2003031689A (ja) | 2003-01-31 |
JP4088052B2 true JP4088052B2 (ja) | 2008-05-21 |
Family
ID=19051596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001217226A Expired - Fee Related JP4088052B2 (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6599794B2 (ja) |
JP (1) | JP4088052B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100450681B1 (ko) * | 2002-08-16 | 2004-10-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자의 커패시터 및 그 제조 방법 |
US6897106B2 (en) * | 2002-08-16 | 2005-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Capacitor of semiconductor memory device that has composite Al2O3/HfO2 dielectric layer and method of manufacturing the same |
US6861355B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Metal plating using seed film |
US20040171274A1 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-02 | Haoren Zhuang | Method for formation of hardmask elements during a semiconductor device fabrication process |
US7842581B2 (en) * | 2003-03-27 | 2010-11-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming metal layers using oxygen gas as a reaction source and methods of fabricating capacitors using such metal layers |
KR100505680B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 루테늄층을 갖는 반도체 메모리 소자의 제조방법 및루테늄층제조장치 |
US7101785B2 (en) * | 2003-07-22 | 2006-09-05 | Infineon Technologies Ag | Formation of a contact in a device, and the device including the contact |
DE102004044678B4 (de) * | 2004-09-09 | 2006-08-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Kondensators |
JP2006135261A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Elpida Memory Inc | キャパシタの製造方法 |
US7271700B2 (en) * | 2005-02-16 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Thin film resistor with current density enhancing layer (CDEL) |
US7217660B1 (en) * | 2005-04-19 | 2007-05-15 | Spansion Llc | Method for manufacturing a semiconductor component that inhibits formation of wormholes |
JP2007018563A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体、情報記録方法及び装置、情報再生方法及び装置 |
US8106438B2 (en) * | 2005-08-22 | 2012-01-31 | Micron Technology, Inc. | Stud capacitor device and fabrication method |
US8541876B2 (en) * | 2005-09-30 | 2013-09-24 | Intel Corporation | Microelectronic package having direct contact heat spreader and method of manufacturing same |
TWI306306B (en) * | 2006-08-25 | 2009-02-11 | Promos Technologies Inc | Capacitor structure and method for preparing the same |
JP4400626B2 (ja) | 2007-01-31 | 2010-01-20 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR100843715B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2008-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자의 콘택 구조체 및 그 형성방법 |
US8274777B2 (en) | 2008-04-08 | 2012-09-25 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio openings |
US8268695B2 (en) * | 2008-08-13 | 2012-09-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of making capacitors |
JP2010287853A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011029552A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
EP2584588B1 (en) * | 2011-10-21 | 2017-10-04 | Imec | Method of forming MIM capacitor with Ru-comprising oxygen diffusion barrier |
JP2013153074A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Fujifilm Corp | キャパシタ形成方法 |
KR20130106151A (ko) | 2012-03-19 | 2013-09-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 고종횡비 캐패시터 제조 방법 |
KR20200093110A (ko) * | 2019-01-25 | 2020-08-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN110931418B (zh) * | 2019-11-14 | 2022-09-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 柔性显示面板的制备方法、牺牲层材料及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100190111B1 (ko) | 1996-11-13 | 1999-06-01 | 윤종용 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
KR100289739B1 (ko) | 1999-04-21 | 2001-05-15 | 윤종용 | 전기 도금 방법을 이용한 샐프얼라인 스택 커패시터의 제조방법 |
US6168991B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-01-02 | Lucent Technologies Inc. | DRAM capacitor including Cu plug and Ta barrier and method of forming |
US6294425B1 (en) | 1999-10-14 | 2001-09-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming integrated circuit capacitors by electroplating electrodes from seed layers |
US6413788B1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Keepers for MRAM electrodes |
-
2001
- 2001-07-17 JP JP2001217226A patent/JP4088052B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-16 US US10/195,484 patent/US6599794B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003031689A (ja) | 2003-01-31 |
US6599794B2 (en) | 2003-07-29 |
US20030017669A1 (en) | 2003-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4088052B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4809961B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4743371B2 (ja) | キャパシタ電極と接するプラグを有する半導体素子及びその製造方法 | |
US20060040444A1 (en) | Method for fabricating a three-dimensional capacitor | |
KR20040005564A (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4061618B2 (ja) | 強誘電体メモリ素子およびその製造方法 | |
US6734061B2 (en) | Semiconductor memory device having a plug contacted to a capacitor electrode and method for fabricating the capacitor | |
KR100549951B1 (ko) | 반도체 메모리에서의 식각정지막을 이용한 커패시터형성방법 | |
KR100428658B1 (ko) | 습식식각법과 전기화학증착법을 이용한 캐패시터제조방법 | |
US6426255B1 (en) | Process for making a semiconductor integrated circuit device having a dynamic random access memory | |
US20020153552A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the smae | |
US20030040162A1 (en) | Method for fabricating a capacitor | |
KR100281906B1 (ko) | 반도체소자의 커패시터 제조방법 및 그에 의해 제조된 커패시터 | |
JP2008072131A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US6723612B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same | |
JP2001210806A (ja) | 電気メッキ法を利用して下部電極を形成する方法 | |
US6689623B2 (en) | Method for forming a capacitor | |
US6500708B2 (en) | Method for forming capacitor of semiconductor device | |
JP2003031688A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100448243B1 (ko) | 캐패시터의 제조 방법 | |
JP2004179497A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20030060602A (ko) | 캐패시터의 제조 방법 | |
JP2003264245A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR20020010308A (ko) | 반도체 소자의 금속전극 형성 방법 | |
JP2008022035A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4088052 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |