TW201629631A - 正型感光性矽氧烷組成物、有源矩陣基板、顯示裝置、以及有源矩陣基板之製造方法。 - Google Patents

正型感光性矽氧烷組成物、有源矩陣基板、顯示裝置、以及有源矩陣基板之製造方法。 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種正型感光性矽氧烷組成物，其所形成之膜具有高耐熱性、高強度、及高裂痕耐性，不產省副產物，能抑制不良之發生，容易且低價地形成層間絕緣膜，及透過率良好之正源矩陣基板、具有該正源矩陣基板之顯示裝置，以及該正源矩陣基板之製造方法。 正源矩陣基板30，係絕緣基板10上，具有互相平行延伸設置之複數的柵極線11與，各柵極線11交叉方向互相平行延伸設置之複數的源極線12。源極線12之下側，含有柵極線11與源極線12之交叉部分，介在層間絕緣膜14及柵極絕緣膜15。層間絕緣膜14係使用正型感光性矽氧烷組成物，不使用光阻而形成。

Description

正型感光性矽氧烷組成物、有源矩陣基板、顯示裝置、以及有源矩陣基板之製造方法。
本發明係關於半導體裝置等之膜上使用之正型感光性矽氧烷組成物；具有該正型感光性矽氧烷組成物之硬化膜，且裝置在電視收信機、個人電腦等之有源矩陣基板；具有該有源矩陣基板之顯示裝置，以及該有源矩陣基板之製造方法。
在顯示裝置中，液晶顯示裝置係薄型，且具有消費電力低之特徵。特別是，每個畫素上具有薄膜電晶體(TFT)等切換元件之有源矩陣基板之液晶顯示裝置，因具有高對比度、及優良的反應特性，且因高性能，適合用在電視收信機，個人電腦等。
在正源矩陣基板上，形成複數的柵極線(掃描配線)，及在各柵極線透過層間絕緣膜交叉之複數的源極線(訊號配線)，在柵極線及源極線所交叉部分附近設有切換畫素之薄膜電晶體(例如專利文獻1等)。柵極線與源極線之交叉部分所形成之容量(寄生容量)，因顯示等級會降低之緣故，係以較小為佳，在該交叉部分，則形成含有SOG(旋塗式玻璃)材料之層間絕緣膜。專利文獻1之有源矩陣基板中，層間絕緣層，係以含有 Si-O-C鏈結為骨架之矽氧烷組成物之SOG材料所形成。
專利文獻1中，矽氧烷組成物具體而言，可列舉有矽氧烷低聚物及空隙形成材於有機溶劑均一溶解而成之組成物(專利文獻2)，及一般式：(HR2SiO1/2)x(SiO4/2)1.0
(式中，R為氫原子、烷基及芳基所成群中選擇之基，X為0．1≦X≦2．0。)所示矽樹脂為主劑之組成物(專利文獻3)。
圖15，表示習知的有源矩陣基板60之TFT61所形成部分之構造之一例的標準斷面圖。
如圖15所示，在有源矩陣基板60之玻璃製之絕緣基板10上，形成柵電極11a(形成柵極線11之一部份)、及容量配線13。
層間絕緣膜14為覆蓋絕緣基板10而形成。層間絕緣膜14，係由含有前述之矽氧烷組成物等的SOG材料所構成。在柵電極11a上、及容量配線13上，各別之端緣部除去部分不覆蓋層間絕緣膜14，形成開口部Ca、Ca。在層間絕緣膜14上形成柵極絕緣膜15，柵極絕緣膜15上之柵電極11a側之開口部Ca對應部分形成半導體膜16。接著，覆蓋在半導體膜16上形成n+膜17，形成源極區域及汲極區域，在源極區域上及汲極區域上形成源極電極18及汲極電極19。藉由柵電極11a、柵極絕緣膜15、半導體膜16、n+膜17、源極電極18、及汲極電極19構成TFT61。
接著，覆蓋源極電極18及汲極電極19形成鈍化膜21，覆蓋鈍化膜21形成含有機材料之層間絕緣膜22。
又，在容量配線13側之開口部Ca，柵極絕緣膜15上，形成容量電極20。容量電極20上之開口部Cb形成畫素電極23。
圖16，表示層間絕緣膜14之形成處理順序之流程圖。
絕緣基板10、柵極線11、及容量配線13上塗佈SOG材料，形成塗膜(S11)。
形成塗膜後，烘焙、並調整膜厚(S12)。
烘焙後，在塗膜上塗布光阻材料，並形成光阻(S13)。
藉由使用光罩曝光(S14)、顯影(S15)，形成抗蝕圖案。
接著，未被光阻覆蓋之塗膜部分，例如使用四氟化碳與氧混合之氣體以進行乾蝕刻等蝕刻，形成開口部Ca。
最後，剝離光阻(S17)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】特開2008-153688號公報
【專利文獻2】特開2001-98224號公報
【專利文獻3】特開平6-240455號公報
以上如專利文獻1等的有源矩陣基板中，柵極線11與源極 線之間，如形成含有矽氧烷組成物所成之SOG材料之層間絕緣膜14時，為了形成開口部Ca，需要光阻塗佈步驟、蝕刻步驟、及光阻剝離步驟，而有製造步驟煩雜、製造成本高之問題。
接著，上述矽氧烷組成物所成之層間絕緣膜之膜強度弱，低溫時因熱膨脹率之差而產生膜應力時，會使基板產生彎曲，發生在製造裝置內基板之流動障礙之問題。此外，由於膜應力，膜產生裂痕、膜剝離及產生歪曲等問題之發生，而有在曝光步驟，產生焦點的偏差，產量降低之問題。
裂痕產生之情形，其原因係來自矽氧烷組成物之異物，以發生不良之問題。
此外，因蝕刻所生成之副產物導致不良發生率上升、產量下降、更提高成本。因此副產物使配線間產生漏隙，必要位置以外也殘存層間絕緣膜14，亦即層間絕緣膜14之開口部分，限於TFT61所形成之部分、及容量配線13上之開口部Ca所形成之部分等之一部份，因為層間絕緣膜14之開口面積小，故成為面板透過率降低之主要原因，為了彌補必須使用亮度高之背光。
本發明以此等情形為鑑，其目的在於提供一種正型感光性矽氧烷組成物，其特徵係形成之膜具有高耐熱性、低溫硬化性、高強度、及高耐裂痕性、不產生基板彎曲及雜質所導致之不良、圖型形成性良好；與一種正源矩陣基板，其因不使用光阻而不生成副產物，能抑制不良之發生，且在產量良好的狀態下，可低價形成該矽氧烷組成物所成之層間絕緣膜，光透過率良好；與具備該正源矩陣基板之顯示裝置；與該正源矩陣基板之 製造方法。
本發明之正型感光性矽氧烷組成物，其特徵係含有(I)對四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液之溶解速度有所差異之至少兩種以上之聚矽氧烷、(II)重氮萘醌之衍生物、(III)光酸發生劑，及(IV)溶劑；前述聚矽氧烷(I)係(A)與(B)之混合物，且：(A)下記一般式(1)，係以：R1 nSi(OR2)4-n
(式中，R1係表示任意的伸甲基可以氧取代之碳數1~20的直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基，或者碳數6~20可以任意的氫取代為氟之芳基；R2係代表碳數1~5之烷基；n代表0或1)
所示之矽烷化合物在鹼性觸媒的存在下加水分解及縮合而得到預烘後之膜，其可溶於5質量%TMAH水溶液，且其溶解速度為1000Å/秒以下之聚矽氧烷(Ia)；(B)係將前述一般式(1)所示之矽烷化合物在鹼性觸媒或酸性觸媒的存在下加水分解及縮合而得到預烘後之膜，該膜對於2．38質量%TMAH水溶液之溶解速度為100Å/秒以上之聚矽氧烷(Ib)。
本發明之有源矩陣基板，其特徵為其係在基板上使複數的源極線及複數的柵極線立體地交叉形成，在前述源極線及前述柵極線所交叉部分的附近形成薄膜電晶體，藉由該薄膜電晶體於對應之源極線形成電氣接續之畫素電極，且至少在前述源極線及前述柵極線之間，介在有上述任 一之正型感光性矽氧烷組成物之硬化物所構成之層間絕緣膜。
本發明之顯示裝置，其特徵係具有上述任一者之有源矩陣基板，及於該有源矩陣基板上配置之顯示媒體層，及於前述有源矩陣基板通過前述顯示媒體層而對向之對向基板。
本發明之有源矩陣基板之製造方法，其特徵為其係具有：在基板上，使複數的源極線及複數的柵極線立體地交叉形成，在前述源極線及前述柵極線所交叉部分的附近形成薄膜電晶體，藉由該薄膜電晶體於對應之源極線形成電氣接續之畫素電極之步驟；以及，至少在前述源極線及前述柵極線之間，形成由上述任一者之正型感光性矽氧烷組成物之硬化物所構成層間絕緣膜之層間絕緣膜形成步驟：前述層間絕緣膜之形成步驟係具有：使用前述正型感光性矽氧烷組成物使膜形成之膜形成步驟、將所形成之膜進行預烘之步驟、將經過預烘之膜之進行曝光之步驟、將經過曝光之膜之進行顯影之步驟、及將經過顯影之膜之進行燒成之步驟。
本發明之正型感光性矽氧烷組成物，係形成之膜係具有高耐熱性、低溫硬化性、高強度、高列痕耐性。接著，對於鹼性顯影液之溶解性良好，且圖案之熱硬化在充分進行之前，也不會有因為高溫且使膜成為低黏度化而溶融，從而在顯影後會產生孔及線等之圖案的流動，即所謂的「圖案鬆弛」現象並不會產生，圖案形成性良好。
本發明之正源矩陣基板，係不使用光阻，不生成副產物，能抑制不良之發生，產量良好的狀態下，可低價形成層間絕緣膜，且透過率 良好。
本發明之顯示裝置，其透過率良好。
本發明之正源矩陣基板之製造方法，其含有矽氧烷組成物之膜在形成後，圖案化時，因不需要光阻塗佈步驟、蝕刻步驟、及光阻剝離步驟，因此製造成本可以下降。又由於不需蝕刻步驟，亦不會生成副產物，因此不良發生率下降，且產量良好。
1‧‧‧電視收信機
2‧‧‧顯示模組(顯示裝置)
3‧‧‧顯示面板(顯示裝置)
30、34、36、38、40‧‧‧正源矩陣基板
10‧‧‧絕緣基板
11‧‧‧柵極線
11a‧‧‧柵極電極
12‧‧‧源極線
13‧‧‧容量配線
14‧‧‧層間絕緣膜
15‧‧‧柵極絕緣體
16‧‧‧半導體膜
17‧‧‧n+膜
18‧‧‧源極電極
19‧‧‧汲極電極
20‧‧‧容量電極
21‧‧‧鈍化膜
22‧‧‧層間絕緣膜
23‧‧‧畫素電極
25、35、37、39、41‧‧‧TFT
Ca、Cb‧‧‧開口部
31‧‧‧對向基板
32‧‧‧液晶層
【圖1】表示本發明之實施型態1中，電視收信機之標準斜視圖。
【圖2】表示本發明之實施型態1中，顯示面板之標準斷面圖。
【圖3】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板畫素之標準平面圖。
【圖4】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之T FT設置部分之標準斷面圖。
【圖5】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之柵極線與源極線交叉部分之標準斷面圖。
【圖6A】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之製造方法之製造步驟之標準斷面圖。
【圖6B】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之製造方法之製造步驟之標準斷面圖。
【圖6C】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之製造方法之 製造步驟之標準斷面圖。
【圖6D】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之製造方法之製造步驟之標準斷面圖。
【圖6E】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之製造方法之製造步驟之標準斷面圖。
【圖7F】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之製造方法之製造步驟之標準斷面圖。
【圖7G】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之製造方法之製造步驟之標準斷面圖。
【圖7H】表示本發明之實施型態1中，正源矩陣基板之製造方法之製造步驟之標準斷面圖。
【圖8】表示本發明之實施型態1中，層間絕緣膜形成之處理順序之流程圖。
【圖9】表示本發明實施型態2中，正源矩陣基板之TFT設置部分之標準斷面圖。
【圖10】表示本發明實施型態2中，正源矩陣基板之柵極線與源極線交叉部分之標準斷面圖。
【圖11】表示本發明實施型態3中，正源矩陣基板之TFT設置部分之標準斷面圖。
【圖12】表示本發明實施型態4中，正源矩陣基板之TFT設置部分之標準斷面圖。
【圖13】表示本發明實施型態5中，正源矩陣基板之TFT設置部 分之標準斷面圖。
【圖14】表示本發明實施型態5中，正源矩陣基板之柵極線與源極線交叉部分之標準斷面圖。
【圖15】習知的正源矩陣基板之TFT所形成部分之構造之一例之標準斷面圖。
【圖16】習知的層間絕緣膜之形成處理順序之流程圖。
以下，具體地說明本發明之實施型態。
1．正型感光性矽氧烷組成物
本發明之正型感光性矽氧烷組成物(以下稱矽氧烷組成物)，係含有對TMAH水溶液之溶解度有所差異之至少兩種以上之(I)聚矽氧烷、(II)重氮萘醌之衍生物、(III)光酸發生劑，以及(IV)溶劑。
(I)聚矽氧烷
具有高耐熱性之聚矽氧烷，作為交聯點係具有矽氧醇基之倍半矽氧烷為佳。矽氧醇基藉由加熱形成矽氧烷鍵結，可賦予高耐熱性。倍半矽氧烷，係低溫硬化及圖案安定性優良者為佳。被稱做籠型及階梯型之倍半矽氧烷，係因高裂痕耐性為更佳。矽氧樹脂，雖具有高裂痕耐性，因太過柔軟，不適合作為層間絕緣膜材料。此外，圖案形狀的安定性也差。一般而言，籠型倍半矽氧烷及階梯型倍半矽氧烷，因自由的矽氧醇基少，對鹼性顯影液之溶解性低。因此，作為感光性組成物，組合使用對鹼性顯影液溶解性 低之矽氧烷與對鹼性顯影液溶解性高之矽氧烷。2種聚矽氧烷，可列舉以下之聚矽氧烷(Ia)及聚矽氧烷(Ib)。
聚矽氧烷(Ia)，係下式(1)所示矽烷化合物在鹼性觸媒的存在下加水分解及縮合而得到預烘後之膜，其可溶於5質量%TMAH水溶液，其溶解速度為1000Å/秒以下。
R1 nSi(OR2)4-n
(式中，R1係代表任意的伸甲基可以氧取代之碳數1~20的直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基，或者碳數6~20可以任意的氫取代為氟之芳基；R2係代表碳數1~5之烷基；n代表0或1)。
一般式(1)中n=1之矽烷化合物之具體例，可列舉例如，甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等。此等，分別有優良的藥品耐性、熱安定性、溶劑溶解性、及裂痕耐性，因此較佳。
一般式(1)中n=0矽烷化合物之具體例，可列舉例如，四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷等。藉由使一般式(1)中n=0矽烷化合物反應，n=1之倍半矽氧烷(SiO1.5)中導入二氧化矽結構(SiO2)而能提高加熱硬化時之「圖案」防止鬆弛效果。
聚矽氧烷(Ib)，係至少一般式(1)中n=1之矽烷化合物在鹼性觸媒或酸性觸媒的存在下加水分解及縮合而得到預烘後之膜，其對於2．38質量%TMAH水溶液之溶解速度為100Å/秒以上。
聚矽氧烷(Ia)與(Ib)之二氧化矽結構(n=0之矽氧化合物)之含有量，較佳係相對於聚矽氧烷(I)個別在20莫耳%以下， 更佳係5莫耳%以上20莫耳%以下。特佳係10莫耳%以上15莫耳%以下。超過20莫耳%之情形，聚合物之安定性會明顯地下降。20莫耳%以下之情形，「圖案」防止鬆弛之效果更良好，且聚合物之安定性良好。
(鹼溶解速度(ADR)之測定、計算法)
聚矽氧烷(Ia)與(Ib)之對TMAH水溶液之溶解速度，如下測定及計算。
首先，將聚矽氧烷以丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)稀釋成35質量%左右，並溶解。此溶液在矽晶圓上旋轉塗佈乾燥膜厚約2μm之厚度，接著在100℃的加熱板上60秒間加熱除去溶劑。以橢圓偏光儀(Woollam公司製)進行塗布膜之膜厚測定。接著，具有此膜之矽晶圓於室溫(25℃)下，浸漬於聚矽氧烷(Ia)之5%TMAH水溶液、聚矽氧烷(Ib)之2．38%TMAH水溶液，測定覆蓋的膜消失之時間。溶解速度係以初期膜厚除以覆蓋的膜消失之時間而求得。溶解速度非常緩慢之情形，以一定時間浸漬後進行膜厚測定，浸漬前後之膜厚變化量除以浸漬時間來計算溶解速度。
聚矽氧烷(Ia)與(Ib)任一之聚合物中，較佳係聚苯乙烯換算之質量平均分子量為700~10000，更佳係1000~4000。分子量過大之情形，有因顯影殘渣等而得不到足夠的解析度，感度降低等問題，因此在分子量不過大之情形下調整鹼溶解速度為佳。
聚矽氧烷(Ia)與(Ib)之混合比例，雖可藉由層間絕緣膜之膜厚、感光性組成物之感度、及解析度等調整任意的比例，而較佳係含有聚矽氧烷(Ia)20質量%以上之情形，其加熱硬化中之「圖案」防止 鬆弛效果良好故理想。
(II)重氮萘醌衍生物
本發明之矽氧烷組成物藉由含有重氮萘醌衍生物，曝光部可溶於鹼性顯影液，藉由顯影構成被除去之正型。本發明之重氮萘醌衍生物，係具有苯酚性羥基化合物與重氮萘醌磺酸進行酯鍵結而成之化合物，其構造無特別限定，但以具有苯酚性羥基1個以上之化合物之其酯化合物為佳。重氮萘醌磺酸，可使用4-重氮萘醌磺酸、或5-重氮萘醌磺酸。因4-重氮萘醌磺酸酯化合物能吸收i線(波長365nm)區域，而適合i線曝光。此外，5-重氮萘醌磺酸酯化合物能吸收廣範圍之波長區域，適合廣範圍之波長下之曝光。以曝光之波長來選擇4-重氮萘醌磺酸酯化合物、5-重氮萘醌磺酸酯化合物為佳。4-重氮萘醌磺酸酯化合物與5-重氮萘醌磺酸酯化合物亦可混合使用。
具有苯酚性羥基化合物無特別限定，可列舉例如以下化合物(本州化学工業(株)製、商品名追記)。
【化1】
重氮萘醌衍生物之較佳的添加量，係藉由重氮萘醌磺酸之酯化率，或所使用之聚矽氧烷之物性、所要求之感度、曝光部與未曝光部之溶解對比等來決定，而作為本發明之層間絕緣膜用途，較佳係對於聚矽氧烷(I)100質量份在3質量份以上10質量份以下，更佳係5質量份 以上7質量份以下。重氮萘醌衍生物之添加量比3質量份少之情形，曝光部與未曝光部之溶解對比過低，不具有現實的感光性。為得到更加良好的溶解對比以5質量份以上為佳。另一方面，光酸誘導體之添加量比10質量份多之情形，熱硬化時或因加熱過程引發重氮醌化合物分解之著色變得顯著、硬化膜之無色透明性降低已藉由實驗確認。進一步，因熱分解產生硬化物之電氣絕緣性之劣化及氣體之放出，在後處理會造成問題。
(III)光酸發生劑
本發明之矽氧烷組成物，含有光酸發生劑。光酸發生劑，照射放射線時，會分解並放出促進矽氧醇基之縮合之酸。在此，放射線可列舉，可見光、紫外線、紅外線、X射線、電子束、α線、或γ線等。尤其，係用於薄膜電晶體之製造，藉由紫外線產生酸為佳。
光酸發生劑之較佳添加量，係藉由分解並產生之活性物質之種類、產生量、所要求之感度、及曝光部與未曝光部之溶解對比等來決定，而對於聚矽氧烷(I)100質量份，較佳係0．01質量份以上10質量份以下，更佳係0．1質量份以上5質量份以下。添加量比0．01少之情形，不具有添加效果。另一方面，添加量比10質量份多之情形，所形成之覆蓋膜會產生裂痕，分解物之著色變顯著，覆蓋膜之無色透明性降低。此外，添加量多之情形，因熱分解產生硬化物之電氣絕緣性之劣化及氣體之放出，會導致不適合作為保護膜之作用。含有光酸發生劑對於聚矽氧烷(I)100質量份在0．01質量份以上10質量份以下之情形，可達到藉由光照射後產生之酸促進聚矽氧烷中之矽氧醇之縮合反應、在低 溫下進行硬化、無圖案鬆弛、高解析度之目的。
光酸發生劑之具體例，可列舉重氮甲烷化合物、二苯基碘鹽、三苯基鋶鹽、鋶鹽、銨鹽、磷鹽、磺醯胺化合物等。此等光酸發生劑之構造，可用一般式(2)表示。
R+X-‧‧‧(2)
在此，R+係氫、碳原子或被其他雜原子修飾之烷基、芳基，烯基，醯基和烷氧基所成群中選擇之有機離子，例如二苯基碘離子、三苯基鋶離子。
X-，係下記一般式所示，任一之反離子為佳。
SbY6 -
AsY6 -
Ra pPY6-p -
Ra qBY4-q -
Ra qGa Y4-q -
RaSO3 -
(RaSO2)3C-
(RaSO2)2N-
RbCOO-
SCN-
(式中，Y為鹵素原子、Ra為選自氟、硝基、及氰基中之取代基來取代、碳數1~20之烷基或碳數之6~20芳基、Rb為氫或碳數1~8之烷基、p為0~6之數字、q為0~4之數字。)
具體的反離子係可列舉BF4 -、(C6F5)4B-、((CF3) 2C6H3)4B-、PF6 -、(CF3CF2)3PF3 -、SbF6 -、(C6F5)4Ga-、((CF3)2C6H3)4Ga-、SCN-、(CF3SO2)3C-、(CF3SO2)2N-、蟻酸離子、醋酸離子、三氟甲磺酸離子，九氟丁磺酸離子，甲磺酸離子，丁磺酸離子，苯磺酸根離子，p-甲苯磺酸根離子，和磺酸離子所成群中選擇者。
本發明所使用之光酸發生劑中，尤其係產生磺酸類或硼酸者為佳，可列舉例如，甲苯基異丙苯基碘四(五氟苯基)硼酸(Rhodia公司製、「PHOTOINITIATOR2074」(商品名))、二苯碘四(全氟苯基)硼酸、陽離子部為鋶離子、陰離子部為五氟鵬酸離子所構成者。其他，可列舉三苯基鋶三氟甲烷磺酸、三苯基鋶樟腦磺酸、三苯基鋶四(全氟苯基)硼酸、4-乙酸苯二甲基鋶六氟砷酸、1-(4-n-丁氧基萘-1-)四氫噻吩三氟甲磺酸、1-(4，7-二丁氧基-1-萘)四氫噻吩三氟甲磺酸、二苯基碘三氟甲磺酸、二苯基碘六氟砷酸。更進一步，可使用下式所示之光酸發生劑。
式中，A為各自獨立地，碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧、碳數6~20之芳基、碳數1~20之烷羰基、碳數6~20之芳羰基、羥基、及氨基之中選擇之取代基；p為各自獨立之0~5之整數；B-可列舉，氟化之烷基磺酸酯基、氟化之芳基磺酸酯基、氟化之烷基硼酸酯基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基等。可使用此等之式所示之陽離子和陰離子相互交換之化合物，及此等之式所示之陽離子或陰離子與上述 各種之陽離子或陰離子組合之光酸發生劑。例如，由式中所示之鋶離子之任一個與四(全氟苯基)硼酸離子組合之物、由式中所示之碘離子之任一個與四(全氟苯基)硼酸離子組合之物亦可作為光酸發生劑使用。
(IV)溶劑
溶劑，可列舉例如乙二醇單甲醚，乙二醇單乙醚，乙二醇單丙醚，乙二醇單丁醚等之乙二醇單烷基醚類，二甘醇二甲醚，二甘醇二乙醚，二甘醇二丙醚，二甘醇二丁基醚等之二甘醇二烷基醚類，甲基溶纖劑乙酸酯，乙基溶纖劑乙酸酯等之乙二醇烷基醚乙酸酯類，丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)，丙二醇單乙醚乙酸酯，丙二醇單丙醚乙酸酯等之丙二醇烷基醚乙酸酯類，苯、甲苯，二甲苯等之芳香族碳化氫類，甲基乙基酮，丙酮，甲基戊基酮，甲基異丁基酮，環己酮等之酮類，乙醇，丙醇，丁醇，己醇，環己醇，乙二醇，丙三醇等之醇類，3-乙氧基丙酸乙酯，3-甲氧基丙酸甲酯等酯類，γ-丁內酯等之環狀酯類。此等之溶劑，可個別單獨或2種以上組合使用，其使用量由塗佈方法及塗佈後之膜厚之要求量決定。
本發明之正型感光性矽氧烷組成物，所形成之膜具有高耐熱性、低溫硬化性、高強度、及高裂痕耐性。接著，對鹼性顯影液之溶解性良好，且不產生圖案鬆弛，圖案形成性良好。
2．顯示裝置
以下，說明本發明之正源矩陣基板、具備該正源矩陣基板之顯示裝置、及正源矩陣基板之製造方法。
(實施型態1)
圖1係表示本發明之實施型態1之電視收信機(以下，稱作TV收信機)1之標準斜視圖，圖2係表示實施型態1中顯示面板3之標準斷面圖，圖3係表示實施型態1中正源矩陣基板30之畫素之標準平面圖，圖4係表示正源矩陣基板30之TFT25設置部分之標準斷面圖，圖5係表示實施型態1中正源矩陣基板30之柵極線11與源極線12交叉部分之標準斷面圖。
TV收信機1，具有顯示影像之橫長之顯示模組2、接收從天線(未標示)之放送波之調諧器6與解碼暗號化之放送波之解碼器7。TV收信機1，藉由解碼器7解碼調諧器6接收之放送波，基於解碼之情報由顯示模組2顯示影像。TV收信機1之下方，設置支撐TV收信機1之台座。
顯示模組2係例如側光式之情形，具有顯示面板3、例如3枚之光學片材(以下、未標示)、導光板、反射片材，及框架。
顯示模組2，係於前後以縱姿勢被配置之前機殼4及後機殼5以縱姿勢被收容。前機殼4係覆蓋顯示模組2之周緣部之矩形狀框架，在中央具有矩形之開口2a。前機殼4例如塑膠材質所構成。後機殼5，係為前側開放之矩形之托盤狀，例如塑膠材質所構成。又，前機殼4及後機殼5亦可為其他材質所構成。
前機殼4及後機殼5之上下及左右長度略為相同，互相的周緣部分為對向。顯示面板3之上下及左右長度，較前機殼4之開口2a稍微大，顯示面板3之周緣部分與前機殼4之內緣部分對向。
顯示面板3，具備互相對向之正源矩陣基板30、及對向基板(色濾基板)31、正源矩陣基板30及對向基板31間所設置作為顯示媒體層之液晶層32、為了互相接著正源矩陣基板30及對向基板31且封入正源矩陣基板30及對向基板31間之液晶層32所設置之框架狀片材33。
正源矩陣基板30，如圖3所示，具備例如玻璃基板等之絕緣基板10上互相平行延伸設置之複數的柵極線11、各柵極線11之間各自設置互相平行延伸支複數的容量配線13、與各柵極線11交叉方向互相平行延伸設置之複數的源極線12、各柵極線11及各源極線12之每個交叉部分，亦即，在每個畫素個別設置之複數的TFT25、設置成矩陣狀於各TFT25個別接續之複數的畫素電極23、覆蓋各畫素電極23所設置之配向膜(未標示)。
如圖5所示，正源矩陣基板30之源極線12下側之，含有柵極線11、容量配線13、柵極線11及源極線12之交叉部分上，介在著層間絕緣膜14及柵絕緣膜15。
層間絕緣膜14，係使用本發明矽氧烷組成物之硬化物。
該矽氧烷組成物係具有對後處理之加熱過程之耐熱性材料，例如柵絕緣膜15之成膜步驟中不會發生受到加熱過程而有裝置特性上問題之物性變化。為了承受柵絕緣膜15之成膜步驟之加熱過程，具有300℃以上之耐熱性為佳。本發明中，耐熱性係定義為在矽氧烷組成物之硬化過程及硬化過程以後被暴露之加熱過程後，能保持電氣絕緣性、誘電率、透明膜之著色、白化、膜厚等安定性之溫度。亦即，受到加熱過程後能保持前述 物性。
接著，即使受到前述加熱過程，層間絕緣膜14之光透過率(透過率)能確保在90%以上為佳。在此之光透過率係定義為在玻璃基板上300℃以下之溫度對硬化後之膜，施加300℃、1小時之加熱過程，對400nm波長之光、2μm膜厚之透過率。
更進一步，層間絕緣膜14之比誘電率在4以下為佳。
此外，為防止因硬化後之加熱過程之昇華物等汙染加熱真空爐產生元件之動作缺陷而良率下降，硬化膜係期望因加熱過程之膜厚減少量(膜薄化)為少。亦即，300℃下之膜薄化在5%以下為佳。在此，從膜薄化230℃下30分以上之條件下硬化之室溫中之膜厚(i)，該硬化膜進一步施加300℃下1小時(常壓、大氣中或氮氣環境下)之加熱過程後之室溫中之膜厚(ii)，如以下求得。
膜薄化=((i)-(ii))/(i)(%)
接著，形成覆蓋源極線12之鈍化膜21，覆蓋鈍化膜21且平坦化地形成含有機材料之層間絕緣膜22。層間絕緣膜22上，畫素電極23形成圖案。
如圖4所示，正源矩陣基板30之絕緣基板10上，形成柵電極11a(為柵電極11之一部份)、及容量配線13。
層間絕緣膜14係覆蓋絕緣基板10而形成。柵電極11a及容量配線13上，個別之除去端源部之部分不覆蓋層間絕緣膜14，形成開口部Ca、Ca。層間絶縁膜14上、柵電極11a上、及容量配線13上形成柵絕緣膜15，柵絕緣膜15上之，對應柵電極11a側之開口部Ca 之部分形成半導體膜16。接著，覆蓋半導體膜16而形成n+膜17，形成源極區域及汲極區域上形成源極電極18及汲極電極19。藉由柵電極11a、柵絕緣膜15、半導體膜16、n+膜17、源極電極18、及汲極電極19形成TFT25。
接著，覆蓋源極電極18及汲極電極19而形成鈍化膜21，覆蓋鈍化膜21而形成層間絕緣膜22。
如圖3及圖4所示，於對應柵絕緣膜15上之容量配線13之位置，形成容量電極20。容量電極20上形成畫素電極23。
畫素電極23，係接續於開口部Ca之上側之開口部Cb之容量電極20，藉由容量電極20透過柵絕緣膜15重疊於容量配線13，構成補助容量。容量電極20，係藉由汲極線27接續於汲極電極19。
顯示面板3，係各畫素中，從柵極驅動器(未標示)柵極信號透過柵極線11傳送到柵電極11a，TFT25變為啟動狀態時，從源極驅動器(未標示)源極信號透過源極線12傳送到源極電極18。源極信號於TFT25之柵極啟動之時機寫入汲極電極19、汲極接續配線27、畫素電極23，根據所施加之電壓於對向基板31之共通電極之間產生電位差，使液晶層32之透過率變化來顯示影像。
圖6A~E及圖7F~H，係表示本實施型態中正源矩陣基板30之製造方法之製造步驟之標準斷面圖。
首先，在玻璃基板等之絕緣基板10之基板整體，藉由濺射法，例如，成膜以順序為鈦膜(厚度50nm左右)、鋁膜(厚度200nm左右)及鈦膜(厚度100nm左右)等之積層之金屬膜，接著，藉由使用光罩之 光刻、金屬膜之乾蝕刻、光阻之剝離、及進行洗淨，形成柵極線(亦形成柵極電極11a之部分)11、容量配線13(圖6A)。又，金屬膜不限定上述之三層構造，亦可為Cu膜等。
接著，形成層間絕緣膜14(圖6B~D)。圖8，係表示此層間絕緣膜形成之處理順序之流程圖。
首先，藉由旋轉塗佈本發明之矽氧烷組成物，含有柵極線11、及容量配線13之基板10上塗佈，形成膜14a(S1、圖6B)。
形成膜14a後，例如100℃下90秒間預烘，調整膜厚(S2)。
預烘後，使用光罩26，曝光膜14a(S3、圖6C)。
曝光後，藉由2．38%TMAH水溶液顯影(S4)。藉此，開口部Ca、Ca等，形成去除殘渣等之圖案。
最後，例如250℃下後烘焙，使膜14a硬化得到層間絕緣膜14(S5、圖6D)。
層間絕緣膜14上，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法，例如形成使用氧化矽或氮化矽等之膜，藉由圖案化，形成柵絕緣膜15。
層間絕緣膜14，如上述，具有300℃以上之耐熱性，不會發生受到柵極絕緣膜15之成膜步驟之加熱過程之物性變化。
接著，例如藉由CVD法形成非晶矽等所構成之膜、n+非晶矽等所構成之膜，藉由圖案化，形成源極區域，及汲極區域所對應之半導體膜16、及n+膜17(圖6E)。
接著，例如藉由濺射法堆積Mo等，藉由圖案化，形成源極電極18、及汲極電極19(圖7F)。此時，柵絕緣膜15上，容量配線13側之開口部Ca所對應之部分形成容量電極20(未標示)。
源極電極18、及汲極電極19上，例如藉由CVD法形成氮化矽等之膜，藉由圖形化形成鈍化膜21，鈍化膜21上形成例如丙烯酸樹脂等之合成樹脂所構成之膜，藉由圖案化形成層間絕緣膜22(圖7G)。
層間絕緣膜22上，例如藉由濺射法形成ITO膜，藉由圖案化形成畫素電極23(圖7H)。
本實施型態中，形成含有本發明之矽氧烷組成物之膜14a後，形成含有開口部Ca、Ca之圖案時，因不需要光阻塗佈作業、蝕刻步驟、及光阻剝離步驟，可簡化製造步驟。藉由膜應力抑制基板彎曲，製造時亦可抑制基板之流動障礙之發生。此外，藉由除去蝕刻步驟因而不產生副產物(異物)，裂痕耐性良好，因不產生來自矽氧烷組成物之異物，故不良發生率降低，且產量良好。因此，可減低製造成本。
接著，層間絕緣膜14之透過率為90%以上，具備有該層間絕緣膜14之正源矩陣基板30之顯示面板3之透過率良好。
(實施型態2)
本發明之實施型態2之顯示模組，除正源矩陣基板34層間絕緣膜14與柵絕緣膜15之成膜順序不同之外，與實施型態1之顯示模組2具有相同之構成。圖9係表示正源矩陣基板34之TFT35設置部分之標準斷面圖，圖10係表示正源矩陣基板34之柵極線11與源極線12交叉 部分之標準斷面圖。圖9及圖10中，與圖4及圖5相同部分為註記相同符號故省略詳細的說明。
如圖10所示，在正源矩陣基板34之柵極線11與源極線12交叉部分，絕緣基板10上所形成之柵極線11與源極線12之間，係從絕緣基板10依序介在有柵極絕緣膜15及層間絕緣膜14。
層間絕緣膜14，係使用與上述同樣之本發明之具有矽氧烷組成物之SOG材料
如圖9所示，正源矩陣基板34之絕緣基板10上，形成柵極電極11a、及容量配線13。
柵絕緣膜15，係含有絕緣基板10、柵極電極11a之柵極線11，及覆蓋容量配線13而形成。層間絕緣膜14係覆蓋柵絕緣膜15而形成。接著，層間絕緣膜14之柵極電極11a上，及容量配線13上所對應之部分，形成開口部Ca、Ca。在層間絕緣膜14之柵電極11a側之開口部Ca依序形成半導體膜16及n+膜17。
本實施型態中，形成含有本發明之矽氧烷組成物之膜14a後，圖案化時，因不需要光阻塗佈步驟、蝕刻步驟、及光阻剝離步驟，可降低製造成本。製造時亦可抑制基板之流動障礙之發生。此外，藉由除去蝕刻步驟因而不產生副產物(異物)，因裂痕耐性良好，不產生來自矽氧烷組成物之異物，故不良發生率降低，且產量良好。
層間絕緣膜14之透過率係90%以上，顯示面板3之透過率良好。
(實施型態3)
本發明之實施型態3之顯示裝置，係正源矩陣基板36中，形成半導體 膜16及n+膜17後，形成層間絕緣膜14以外，具有與實施型態2之顯示裝置之同樣構成。圖11係表示正源矩陣基板36之TFT設置部分37之標準斷面圖。正源矩陣基板36中，柵極線11與源極線12交叉部分之構成，與實施型態2之柵極線11與源極線12交叉部分之構成相同。圖11中，與圖9相同部分為註記相同符號故省略詳細的說明。
如圖11所示，正源矩陣基板36之絕緣基板10上，形成柵極電極11a、及容量配線13。
柵極絕緣膜15，係絕緣基板10，含有柵極電極11a之柵極線11，及覆蓋容量配線13而形成。柵極絕緣膜15之柵極電極11a上所對應部分依序形成半導體膜16及n+膜17。層間絕緣膜14係覆蓋柵極絕緣膜15而形成。層間絕緣膜14之柵極電極11a上，及容量配線13上所對應之部分，形成開口部Ca、Ca。
本實施型態中，形成含有本發明之矽氧烷組成物之膜14a後，圖案化時，因不需要光阻塗佈作業、蝕刻步驟、及光阻剝離步驟，可降低製造成本。製造時亦可抑制基板之流動障礙之發生。此外，藉由除去蝕刻步驟因而不產生副產物(異物)，因裂痕耐性良好，不產生來自矽氧烷組成物之異物，故不良發生率降低，且產量良好。
層間絕緣膜14之透過率係90%以上，顯示面板3之透過率良好。
(實施型態4)
本發明之實施型態4之顯示裝置，係除正源矩陣基板38之層間絕緣膜22之材料含有與層間絕緣膜14相同之本發明之矽氧烷組成物以外，具有與實施型態1之顯示模組2之相同構成。圖12係表示正源矩陣基板 38之TFT39設置部分之標準斷面圖。正源矩陣基板38中，柵極線11與源極線12交叉部分之構成，係與實施型態1之柵極線11與源極線12交叉部分之構成相同。圖12中，與圖4相同部分為註記相同符號故省略詳細的說明。
如上述，層間絕緣膜22，並非丙烯酸系樹脂，而是使用與層間絕緣膜14相同之矽氧烷組成物。
因此，本實施型態中，構成正源矩陣基板38之膜之材料，及成膜之設備可為共通化，可降低製造成本，可更容易做材料之管理。
(實施型態5)
本發明之實施型態5之顯示裝置，除正源矩陣基板40中，層間絕緣膜14之形成圖案不同以外，與實施型態2之顯示裝置具有相同之構成。圖13係表示正源矩陣基板40之TFT41設置部分之標準斷面圖，圖14係正源矩陣基板40之柵極線11與源極線12交叉部分之標準斷面圖。圖13及圖14中，與圖9及圖10相同部分為註記相同符號故省略詳細的說明。
如圖14所示，正源矩陣基板40之柵極線11與源極線12交叉部分中，絕緣基板10上所形成之柵極線11與源極線12之間，依序從絕緣基板10側介在有柵極絕緣膜15及層間絕緣膜14。
層間絕緣膜14，係使用與上述相同之本發明之矽氧烷組成物。
正源矩陣基板40中，與實施型態2之正源矩陣基板34不同，柵極線11，11間所對應之柵極絕緣膜15上，未形成層間絕緣膜14。此外，如後述，柵極線11之柵極電極11a所形成之部分之上側 未形成層間絕緣膜14。
如圖13所示，正源矩陣基板40之絕緣基板10上，形成柵電極11a、及容量配線13。
如上述，柵極線11之柵極電極11a所形成之部分之上側未形成層間絕緣膜14。此外，容量配線13之上側、及柵極線11與容量配線13之間亦未形成層間絕緣膜14。
使用本發明之正型感光性矽氧烷組成物，藉由本發明之正源矩陣基板之製造方法，不進行蝕刻形成層間絕緣膜14，不產生基於矽氧烷組成物之副產物，因此能抑制配線間漏隙之發生，柵極線11與源極線12之交叉部分等，僅於被要求降低配線間容量之必要最低限之部分，設置層間絕緣膜14。因此，想確保透過率之畫素部分、想擴大容量之容量配線13之部分、開口部Ca、Ca之部分藉由設計成不配置層間絕緣膜14，具備正源矩陣基板40之顯示基板3具有良好之透過率。
【實施例】
以下實施例，列舉比較例進一步具體地說明本發明，但本發明不被限定於此等實施例、比較例。
<合成例>
首先，本發明之聚矽氧烷之合成例以下所示。又，在測定上，使用以下裝置。
GPC：HLC-8220GPC(TOSOH股份有限公司製)
旋轉塗佈機：MS-A100(MIKASA股份有限公司製)
<合成例1(聚矽氧烷(Ia)之合成：鹼性觸媒合成)>
具備攪拌機、溫度計、冷卻管2L之燒瓶，加入25質量%四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液36．5g、異丙醇(IPA)800ml、水2．0g，接著在滴液漏斗調整苯基三甲氧基矽烷39．7g、甲基三甲氧基矽烷34．1g、四甲氧基矽烷7．6g之混合溶液。其混合溶液於10℃滴下前述燒瓶內，在相同溫度攪拌3小時後，加入10%HCl水溶液中和。在中和液添加甲苯400ml、水100ml，使分離為2層，所得到之有機層藉由減壓下濃縮除去溶媒，在濃縮物添加調整丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)為固含量濃度40質量%。
所得到之聚矽氧烷之分子量(聚苯乙烯換算)以GPC測定，質量平均分子量(以下略記為「Mw」)=2，200。此外，所得到之樹脂溶液藉由旋轉塗佈機在矽晶圓塗佈成預烘後之膜厚為2μm，測定預烘後對5%TMAH水溶液之溶解速度(以下略記為「ADR」)，為490Å/秒。
<合成例2(聚矽氧烷(Ib)之合成：鹼性觸媒合成)>
與合成例1相同，加入25質量%TMAH水溶液54．7g、IPA800ml，接著在滴液漏斗調整苯基三甲氧基矽烷39．7g、甲基三甲氧基矽烷34．1g、四甲氧基矽烷7．6g之混合溶液。其混合溶液於10℃滴下前述燒瓶內，在相同溫度攪拌3小時後，加入10%HCl水溶液中和。在中和液添加甲苯400ml、水100ml，使分離為2層，所得到之有機層藉由減壓下濃縮除去溶媒，在濃縮物添加調整PGMEA為固含量濃度40質量%。所得到之聚矽氧烷之分子量(聚苯乙烯換算)、對2．38%TMAH水溶液之ADR與合成例1相同之方式測 定，Mw=1，810、對2．38%TMAH水溶液之ADR為1，470Å/秒。
<實施例1(正型感光性矽氧烷組成物1)>
以(Ia)：(Ib)=(12質量%)：(88質量%)之比例混合之聚矽氧烷，4-4’-(1-(4-(1-(4-羥基苯酚)-1-甲基乙基)苯基)亞乙基)雙酚之重氮萘醌2．8莫耳之改性物(以下略稱「PAC」)相對於聚矽氧烷6質量%，硼酸系之光酸發生劑「CPI-310B」(San-apro公司製)(以下略稱「PAG」)相對於聚矽氧烷3質量%，及界面活性劑「KF-53」(信越化學工業股份有限公司製)相對於聚矽氧烷0．3質量%之混合物為固含量，藉由溶劑PGMEA94%與γ-丁內酯6%之混合溶媒調整為固含量濃度35%，得到感光性矽氧烷組成物1。
此感光性矽氧烷組成物1，以旋轉塗佈在矽晶圓上塗佈，塗佈後在加熱板上以100℃預烘，調整成2．3μm之膜厚。預烘後，使用光刻機之「FX-604」(NA=0．1：尼康股份有限公司製)之g、h線曝光機，以450mJ/cm2曝光，在室溫下以2．38%TMAH水溶液100秒之顯影後，用純水進行沖洗。接著，藉由使用曝光機「PLA-501F」(佳能股份有限公司製)以2000mJ/cm2全面曝光，進行膜中殘存PAC之脫色。使用加熱板於空氣中230℃、30分鐘加工製作硬化膜。硬化後之最終膜厚為2．1μm。接著，藉由進行SEM觀察，「FX-604」之裝置之解析界限，確認到3μm之接觸孔(前述開口部)圖案之去除。藉此，接觸孔形成之可否，以光罩之接觸孔 設計之80%以上之底部接觸之形成來判斷。
透過率測定用之試驗體，係由以下之順序製作。同矽氧烷組成物1在玻璃(「EAGLE XG」、厚度0．7mm：康寧公司製)上以旋轉塗佈方式塗佈，塗佈後在加熱板上以100℃預烘，調整成2．3μm之膜厚。在室溫下以2．38%TMAH水溶液100秒之顯影後，用純水進行沖洗。接著，藉由使用曝光機「PLA-501F」以2000mJ/cm2全面曝光，進行膜中殘存PAC之脫色。使用加熱板於空氣中230℃、30分鐘加工製作硬化膜。接著，使用加熱板在空氣中以300℃施加1小時之加熱過程。藉由SEM觀察個別求得加工後與加熱過程後之平均膜厚，於2．10μm(無膜薄化)無變化。
光透過率之測定，係使用分光光度計「U-4000」(股份有限公司日立high technologies製)，只測定玻璃作為基準。接著測定透過率測定用之試驗體，膜厚2μm左右以波長400nm求得光透過率為97%。
<實施例2(正型感光性矽氧烷組成物2)>
PAC對於聚矽氧烷從6質量%變更為9質量%以外，得到與實施例1相同之感光性矽氧烷組成物2。
與實施例1相同塗佈於基板、形成圖案、確認圖案之解析度，確認到5μm之接觸孔圖案無殘渣且去除。此外，與實施例1相同方式測定光透過率，膜厚2μm左右以波長400nm求得光透過率為92%。此外，與實施例1相同方式求得平均膜厚，從2．17μm減少至2．10μm，膜薄化為3．2%。
【實施例】
<比較例1(正型感光性矽氧烷組成物3)>
除不添加PAG以外，與實施例1相同方式得到感光性矽氧烷組成物3。
與實施例1相同方式塗佈於基板形成圖案，確認圖案之解析度，未能形成20μm之接觸孔。顯影後，能確認與實施例1相同之3μm之接觸孔之圖案，可認為230℃之加熱硬化時圖案為熱流，而接觸孔被阻塞。 此外，與實施例1相同方式測定光透過率，膜厚2μm左右以波長400nm求得光透過率為97%。此外，與實施例1相同方式求得平均膜厚，從2．16μm減少至2．09μm，膜薄化為3．2%。
<比較例2(正型感光性矽氧烷組成物4)>
除不添加PAG，PAG相對於聚矽氧烷從6質量%變更為12質量%以外，與實施例1相同方式得到感光性矽氧烷組成物4。
與實施例1相同方式塗佈於基板形成圖案，確認圖案之解析度，確認到5μm之接觸孔圖案去除。此外，與實施例1相同方式測定光透過率，2μm左右以波長400nm求得光透過率為87%。此外，與實施例1相同方式求得平均膜厚，從2．17μm減少至2．09μm，膜薄化為3．7%。
由以上之實施例1、實施例2、比較例1及比較例2，已確認實施例1、實施例2之正型感光性矽氧烷組成物具有良好之耐熱性、高感度、能高精細地形成圖案。
又，本發明不被上述之實施型態1~5之內容所限定，可基 於請求項所示之範圍做各種的變更。亦即，在請求項所示之範圍內組合適當變更之技術手段所得之實施型態亦含在本發明之技術範圍。
10‧‧‧絕緣基板
11‧‧‧柵極線
12‧‧‧源極線
13‧‧‧容量配線
14‧‧‧層間絕緣膜
15‧‧‧柵極絕緣體
21‧‧‧鈍化膜
22‧‧‧層間絕緣膜
30‧‧‧正源矩陣基板

Claims (10)

  1. 一種正型感光性矽氧烷組成物，其特徵係含有：(I)對四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液之溶解速度有所差異之至少兩種以上之聚矽氧烷、(II)重氮萘醌之衍生物、(III)光酸發生劑，及(IV)溶劑；前述聚矽氧烷(I)係(A)與(B)之混合物，且：(A)下記一般式(1)，係以：R1 nSi(OR2)4-n(式中，R1係表示任意的伸甲基可以氧取代之碳數1~20的直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基，或者碳數6~20可以任意的氫取代為氟之芳基；R2係代表碳數1~5之烷基；n代表0或1)所示之矽烷化合物在鹼性觸媒的存在下加水分解及縮合而得到預烘後之膜，其可溶於5質量%TMAH水溶液，且其溶解速度為1000Å/秒以下之聚矽氧烷(Ia)；(B)係將前述一般式(1)所示之矽烷化合物在鹼性觸媒或酸性觸媒的存在下加水分解及縮合而得到預烘後之膜，該膜對於2．38質量%TMAH水溶液之溶解速度為100Å/秒以上之聚矽氧烷(Ib)。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之正型感光性矽氧烷組成物，其中，前述矽氧烷係一般式(1)中n=0之矽烷化合物在20莫耳%以下反應所得者。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之正型感光性矽氧烷組成物，其中，前述重氮萘醌之衍生物及前述光酸發生劑之份量，相對於前述聚矽氧烷(I) 100質量份，係分別3質量份以上10質量份以下，及0．01質量份以上10質量份以下。
  4. 一種有源矩陣基板，其特徵為其係在基板上使複數的源極線及複數的柵極線立體地交叉形成，在前述源極線及前述柵極線所交叉部分的附近形成薄膜電晶體，藉由該薄膜電晶體於對應之源極線形成電氣接續之畫素電極，且至少前述源極線及前述柵極線之間，介在有如申請專利範圍第1至3項中任一項所記載之正型感光性矽氧烷組成物之硬化物所構成之層間絕緣膜。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之有源矩陣基板，其中，前述層間絕緣膜係具有300℃以上之耐熱性、光透過率為90%以上、300℃下之膜厚減少量為5%以下，且電容率為4以下。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所記載之有源矩陣基板，其中，前述層間絕緣膜係形成於前述源極線及前述柵極線所交叉之部分。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項所記載之有源矩陣基板，其中，於前述薄膜電晶體之上側，進一步具有前述硬化物所構成之層間絕緣膜。
  8. 一種顯示裝置，其特徵係具有如申請專利範圍第4至7項中任一項所記載之有源矩陣基板，及於該有源矩陣基板上配置之顯示媒體層，及於前述有源矩陣基板通過前述顯示媒體層而對向之對向基板。
  9. 一種有源矩陣基板之製造方法，其特徵為其具有：在基板上，使複數的源極線及複數的柵極線立體地交叉形成，在前述源極線及前述柵極線所交 叉部分的附近形成薄膜電晶體，藉由該薄膜電晶體於對應之源極線形成電氣接續之畫素電極之步驟；以及，至少在前述源極線及前述柵極線之間，形成由申請專利範圍第1至3項中任一項之正型感光性矽氧烷組成物之硬化物所構成層間絕緣膜之層間絕緣膜形成步驟：前述層間絕緣膜之形成步驟係具有：使用前述正型感光性矽氧烷組成物使膜形成之膜形成步驟、將所形成之膜進行預烘之步驟、將經過預烘之膜之進行曝光之步驟、將經過曝光之膜之進行顯影之步驟、及將經過顯影之膜之進行燒成之步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之有源矩陣基板之製造方法，其中，前述膜形成步驟，係於前述源極線及柵極線所交叉部分上形成膜。
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