WO2016125836A1 - ポジ型感光性シロキサン組成物、アクティブマトリクス基板、表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents

ポジ型感光性シロキサン組成物、アクティブマトリクス基板、表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 Download PDF

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film
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insulating film
interlayer insulating
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伸武 野寺
章宏 篠塚
真司 小岩
真裕 加藤
隆夫 松本
崇司 福家
大志 横山
克人 谷口
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堺ディスプレイプロダクト株式会社
アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ
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Definitions

  • the present invention relates to a positive photosensitive siloxane composition used for a film of a semiconductor device or the like, an active matrix substrate having a cured film of the positive photosensitive siloxane composition, and provided in a television receiver, a personal computer, etc.
  • the present invention relates to a display device including the active matrix substrate and a method for manufacturing the active matrix substrate.
  • the liquid crystal display device is thin and has low power consumption.
  • a liquid crystal display device including an active matrix substrate including a switching element such as a thin film transistor (TFT) for each pixel has a high contrast ratio, excellent response characteristics, and high performance. It is suitably used for computers and the like.
  • TFT thin film transistor
  • a plurality of gate wirings (scanning wirings) and a plurality of source wirings (signal wirings) crossing each gate wiring through an interlayer insulating film are formed.
  • a thin film transistor for switching pixels is provided in the vicinity of the crossing portion (for example, Patent Document 1).
  • the capacitance (parasitic capacitance) formed at the intersection between the gate wiring and the source wiring causes a reduction in display quality. Therefore, it is preferable to reduce the capacitance.
  • An interlayer including an SOG (spin-on-glass) material at the intersection is used.
  • An insulating film is formed.
  • the interlayer insulating film is formed of an SOG material containing a siloxane composition having a Si—O—C bond as a skeleton.
  • a siloxane composition a composition obtained by uniformly dissolving a siloxane oligomer and a void forming material in an organic solvent (Patent Document 2), And the general formula: (HR 2 SiO 1/2 ) x (SiO 4/2 ) 1.0 Wherein R is a group selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group and an aryl group, and X is 0.1 ⁇ X ⁇ 2.0. The thing (patent document 3) is mentioned.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing an example of the structure of the portion of the conventional active matrix substrate 60 where the TFT 61 is formed.
  • a gate electrode 11 a (which forms a part of the gate wiring 11) and a capacitor wiring 13 are formed on the glass insulating substrate 10 of the active matrix substrate 60.
  • the interlayer insulating film 14 is formed so as to cover the insulating substrate 10.
  • the interlayer insulating film 14 is made of an SOG material containing the above-described siloxane composition or the like.
  • the portions except for the respective edge portions are not covered with the interlayer insulating film 14, and openings Ca and Ca are formed.
  • a gate insulating film 15 is formed on the interlayer insulating film 14, and a semiconductor film 16 is formed on a portion of the gate insulating film 15 corresponding to the opening Ca on the gate electrode 11a side.
  • An n + film 17 is formed so as to cover the semiconductor film 16, a source region and a drain region are formed, and a source electrode 18 and a drain electrode 19 are formed on the source region and the drain region.
  • the TFT 61 is configured by the gate electrode 11 a, the gate insulating film 15, the semiconductor film 16, the n + film 17, the source electrode 18, and the drain electrode 19.
  • a passivation film 21 is formed so as to cover the source electrode 18 and the drain electrode 19, and an interlayer insulating film 22 containing an organic material is formed so as to cover the passivation film 21.
  • a capacitor electrode 20 is formed on the gate insulating film 15 in the opening Ca on the capacitor wiring 13 side.
  • a pixel electrode 23 is formed in the opening Cb on the capacitor electrode 20.
  • FIG. 16 is a flowchart showing a processing procedure for forming the interlayer insulating film 14.
  • An SOG material is applied on the insulating substrate 10, the gate wiring 11, and the capacitor wiring 13 to form a coating film (S11). After forming the coating film, it is baked to adjust the film thickness (S12). After baking, a photoresist material is applied on the coating film to form a resist (S13).
  • a resist pattern is formed by exposing using a photomask (S14) and developing (S15).
  • etching such as dry etching is performed using a mixed gas of carbon tetrafluoride and oxygen (S16) to form the opening Ca.
  • the resist is peeled off (S17).
  • the film strength of the interlayer insulating film made of the above siloxane composition is weak, and when the film stress is generated due to the difference in thermal expansion coefficient at low temperature, the substrate warps and the substrate flow trouble occurs in the manufacturing apparatus. There was a problem.
  • the film stress causes problems such as cracks in the film, peeling and distortion in the film, and there is a problem in that the focus shifts in the exposure process and the yield decreases.
  • a crack occurs, there is a problem that a defect occurs due to a foreign substance derived from the siloxane composition resulting from the crack.
  • the defect occurrence rate is increased due to the by-products generated by etching, the yield is lowered, and the cost is further increased. Since this by-product causes leakage between the wirings, the interlayer insulating film 14 is left in addition to the necessary portions. That is, the opening of the interlayer insulating film 14 includes the portion where the TFT 61 is formed and the capacitor wiring 13. This is limited to a part such as a part where the upper opening Ca is formed, and since the opening area of the interlayer insulating film 14 is small, it causes a decrease in panel transmittance, and a backlight having high luminance to compensate for this. Had to be used.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and the formed film has high heat resistance, low temperature curability, high strength, and high crack resistance, and does not cause defects due to substrate warpage and impurities.
  • a positive photosensitive siloxane composition having good pattern formability and a resist, so that no by-product is generated, the occurrence of defects is suppressed, the yield is good, and the siloxane is inexpensive.
  • An object of the present invention is to provide an active matrix substrate in which an interlayer insulating film made of a composition is formed and has good light transmittance, a display device including the active matrix substrate, and a method for manufacturing the active matrix substrate. .
  • the positive photosensitive siloxane composition according to the present invention comprises (I) at least two kinds of polysiloxanes having different dissolution rates in an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), (II) a diazonaphthoquinone derivative, and (III) a photoacid.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • II a diazonaphthoquinone derivative
  • III a photoacid
  • R 1 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms in which any methylene may be replaced by oxygen, or any hydrogen having 6 to 20 carbon atoms is fluorine.
  • R 2 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • n represents 0 or 1.
  • a polysiloxane obtained by hydrolyzing and condensing a silane compound represented by formula (1) in a presence of a basic catalyst is soluble in a 5% by mass TMAH aqueous solution and has a dissolution rate of 1000 kg / sec or less.
  • (Ia) (B) The dissolution rate of the pre-baked membrane obtained by hydrolysis and condensation of the silane compound represented by the general formula (1) in the presence of a basic catalyst or an acidic catalyst with respect to an aqueous 2.38 mass% TMAH solution It is characterized by being a mixture with polysiloxane (Ib) which is 100 liters / second or more.
  • An active matrix substrate according to the present invention is formed on a substrate so that a plurality of source lines and a plurality of gate lines cross three-dimensionally, and in the vicinity of a portion where the source lines and the gate lines cross each other, a thin film transistor A pixel electrode electrically connected to a corresponding source wiring through the thin film transistor, and at least between the source wiring and the gate wiring, An interlayer insulating film made of a cured product of the siloxane composition is interposed.
  • a display device includes any one of the active matrix substrates described above, a display medium layer disposed on the active matrix substrate, and a counter substrate facing the active matrix substrate via the display medium layer. It is characterized by providing.
  • a plurality of source wirings and a plurality of gate wirings are three-dimensionally crossed on a substrate, and the source wiring and the gate wiring cross each other.
  • Forming a thin film transistor in the vicinity and forming a pixel electrode electrically connected to a corresponding source wiring through the thin film transistor, and at least one of the above-mentioned between the source wiring and the gate wiring A method of manufacturing an active matrix substrate having an interlayer insulating film forming step of forming an interlayer insulating film made of a cured product of the positive photosensitive siloxane composition, wherein the interlayer insulating film forming step includes the positive photosensitive siloxane
  • the formed film has high heat resistance, low temperature curability, high strength, and high crack resistance. And, the solubility in an alkali developer is good, and the film is melted at a low viscosity due to high temperature before the pattern is fully cured, so that patterns such as holes and lines obtained after development flow, so-called “Pattern dripping” does not occur, and the pattern formability is good.
  • the active matrix substrate of the present invention without using a resist, no by-product is generated, occurrence of defects is suppressed, an interlayer insulating film is formed at a low cost with a good yield, The transmittance is good.
  • the transmittance is good.
  • the resist coating process, the etching process, and the resist stripping process are unnecessary when patterning after forming the film containing the siloxane composition, thereby reducing the manufacturing cost. be able to. Further, by eliminating the etching process, generation of by-products is eliminated, the defect occurrence rate is reduced, and the yield is good.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a portion where a gate wiring and a source wiring of the active matrix substrate according to Embodiment 1 of the present invention intersect. It is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of the manufacturing method of the active matrix substrate which concerns on Embodiment 1 of this invention.
  • the positive type photosensitive siloxane composition according to the present invention comprises at least two types of (I) polysiloxanes having different solubility in an aqueous TMAH solution, and (II) diazonaphthoquinone. A derivative, (III) a photoacid generator, and (IV) a solvent.
  • silsesquioxane having a silanol group as a crosslinking point is preferable.
  • a silanol group forms a siloxane bond by heating, and can impart high heat resistance.
  • Silsesquioxane is preferable because it is excellent in low-temperature curing and pattern stability.
  • Silsesquioxanes called saddle type and ladder type are more preferable because of high crack resistance.
  • Silicone resin has high crack resistance, but is too flexible, and thus is not preferable as a material for an interlayer insulating film. Also, the thermal stability of the pattern shape is inferior.
  • saddle-type silsesquioxane and ladder-type silsesquioxane have a low solubility in an alkali developer because they have few free silanol groups. Accordingly, as the photosensitive composition, a siloxane having a low solubility in an alkali developer and a siloxane having a high solubility in an alkali developer are used in combination.
  • Examples of the two types of polysiloxane include the following polysiloxane (Ia) and polysiloxane (Ib).
  • TMAH aqueous solution a pre-baked film obtained by hydrolysis and condensation of a silane compound represented by the following formula (1) in the presence of a basic catalyst is soluble in a 5% by mass TMAH aqueous solution, Its solubility is 1000 kg / sec or less.
  • R 1 n Si (OR 2 ) 4-n (In the formula, R 1 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms in which any methylene may be replaced by oxygen, or any hydrogen having 6 to 20 carbon atoms is fluorine. Represents an aryl group which may be substituted, R 2 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and n represents 0 or 1.
  • the solubility in an aqueous solution is 100 kg / second or more.
  • the dissolution rate of the polysiloxanes (Ia) and (Ib) in the TMAH aqueous solution is measured and calculated as follows. First, polysiloxane is diluted with propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) so as to be about 35% by mass and dissolved. This solution is spin-coated on a silicon wafer to a dry film thickness of about 2 ⁇ m, and then heated on a hot plate at 100 ° C. for 60 seconds to remove the solvent. The film thickness of the coating film is measured with a spectroscopic ellipsometer (manufactured by Woollam).
  • PGMEA propylene glycol monomethyl ether acetate
  • the silicon wafer having this film was immersed in a 5% TMAH aqueous solution for polysiloxane (Ia) and a 2.38% TMAH aqueous solution for polysiloxane (Ib) at room temperature (25 ° C.), and the coating disappeared. The time to do was measured. The dissolution rate is determined by dividing the initial film thickness by the time until the film disappears. When the dissolution rate is extremely slow, the film thickness is measured after being immersed for a certain time, and the dissolution rate is calculated by dividing the change in film thickness before and after the immersion by the immersion time.
  • the polystyrene-reduced mass average molecular weight is preferably 700 to 10,000, more preferably 1,000 to 4,000.
  • the molecular weight is too large, there is a problem that sufficient resolution cannot be obtained with a development residue or the like and the sensitivity is lowered. Therefore, it is preferable to adjust the alkali dissolution rate so that the molecular weight does not increase.
  • the mixing ratio of polysiloxane (Ia) and (Ib) can be adjusted at any ratio depending on the film thickness of the interlayer insulating film, the sensitivity of the photosensitive composition, the resolution, etc., but the polysiloxane (Ia ) In an amount of 20% by mass or more is preferable because the “pattern” dripping prevention effect during heat curing is good.
  • the siloxane composition according to the present invention contains a diazonaphthoquinone derivative, so that the exposed portion becomes soluble in an alkali developer and constitutes a positive type that is removed by development.
  • the diazonaphthoquinone derivative according to the present invention is a compound in which naphthoquinone diazide sulfonic acid is ester-bonded to a compound having a phenolic hydroxyl group, and the structure is not particularly limited, but is an ester with a compound having one or more phenolic hydroxyl groups Preferably it is a compound.
  • 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid or 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid can be used. Since 4-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester compound has absorption in the i-line (wavelength 365 nm) region, it is suitable for i-line exposure. Further, the 5-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester compound has absorption in a wide wavelength range and is therefore suitable for exposure in a wide wavelength range.
  • a 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound or a 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound depending on the wavelength to be exposed. It is also possible to use a mixture of a 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound and a 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound. Although it does not specifically limit as a compound which has a phenolic hydroxyl group, For example, the following compounds are mentioned (Honshu Chemical Industry Co., Ltd. product name addition).
  • the preferred addition amount of the diazonaphthoquinone derivative is determined by the esterification rate of naphthoquinone diazide sulfonic acid, the physical properties of the polysiloxane used, the required sensitivity, the dissolution contrast between the exposed and unexposed areas, etc.
  • the use of the interlayer insulating film of the present invention is preferably 3 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or more and 7 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of polysiloxane (I).
  • the addition amount of the diazonaphthoquinone derivative is less than 3 parts by mass, the dissolution contrast between the exposed part and the unexposed part is too low, and there is no realistic photosensitivity.
  • the amount is preferably 5 parts by mass or more.
  • the addition amount of the diazonaphthoquinone derivative is more than 10 parts by mass, it is confirmed by experiments that coloring due to decomposition of the quinonediazide compound caused by thermal curing or thermal history becomes remarkable and the colorless transparency of the cured film is lowered. Yes. Furthermore, the thermal decomposition may cause deterioration of the electrical insulation of the cured product and release of gas, which may cause a problem in the subsequent process.
  • the siloxane composition according to the present invention contains a photoacid generator.
  • the photoacid generator When exposed to radiation, the photoacid generator decomposes and releases an acid that promotes condensation of silanol groups.
  • the radiation include visible light, ultraviolet rays, infrared rays, X-rays, electron beams, ⁇ rays, or ⁇ rays.
  • those that generate acid by ultraviolet rays used in the production of thin film transistors are preferred.
  • a preferable addition amount of the photoacid generator is determined by the kind of the active substance generated by decomposition, the generation amount, the required sensitivity, the dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion, and the like. ) Preferably it is 0.01 mass part or more and 10 mass parts or less with respect to 100 mass parts, More preferably, it is 0.1 mass part or more and 5 mass parts or less. When the addition amount is less than 0.01 parts by mass, there may be no addition effect. On the other hand, when the addition amount is more than 10 parts by mass, cracks may occur in the formed film, or coloring due to decomposition products may become remarkable, and the colorless transparency of the film may decrease.
  • the thermal insulation will deteriorate the electrical insulation of a hardened
  • the photoacid generator is contained in an amount of 0.01 parts by weight or more and 10 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the polysiloxane (I), the acid generated after the light irradiation promotes the condensation reaction of silanol in the polysiloxane at a low temperature. It is possible to achieve high resolution with no pattern sagging.
  • photoacid generator examples include diazomethane compounds, diphenyliodonium salts, triphenylsulfonium salts, sulfonium salts, ammonium salts, phosphonium salts, sulfonimide compounds and the like.
  • the structure of these photoacid generators can be represented by the general formula (2).
  • R + is an organic ion selected from the group consisting of an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an acyl group, and an alkoxyl group modified with hydrogen, a carbon atom, or other hetero atom, such as diphenyliodonium ion, triphenyl Represents a sulfonium ion.
  • X ⁇ is preferably any counter ion represented by the following general formula.
  • Y is a halogen atom
  • R a is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl having 6 to 20 carbon atoms substituted with a substituent selected from fluorine, nitro group, and cyano group
  • R b is hydrogen or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
  • p is a number from 0 to 6
  • q is a number from 0 to 4.
  • Specific counter ions include BF 4 ⁇ , (C 6 F 5 ) 4 B ⁇ , ((CF 3 ) 2 C 6 H 3 ) 4 B ⁇ , PF 6 ⁇ , (CF 3 CF 2 ) 3 PF 3 ⁇ .
  • those that generate sulfonic acids or boric acids are particularly preferable.
  • tricumyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) boric acid Rhodia Co., Ltd., “PHOTOINITIATOR 2074” (trade name)
  • Diphenyliodonium tetra (perfluorophenyl) boric acid Diphenyliodonium tetra (perfluorophenyl) boric acid
  • a cation portion composed of a sulfonium ion
  • anion portion composed of a pentafluoroborate ion.
  • triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonic acid triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetra (perfluorophenyl) boric acid, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenic acid, 1- (4-n-butoxynaphthalene- 1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonic acid, 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonic acid, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonic acid, diphenyliodonium hexafluoroarsenic acid, etc.
  • a photoacid generator represented by the following formula can also be used.
  • each A independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkylcarbonyl group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms.
  • B- is a fluorinated alkylsulfonate group, a fluorinated aryl Examples thereof include a sulfonate group, a fluorinated alkyl borate group, an alkyl sulfonate group, and an aryl sulfonate group.
  • a compound obtained by exchanging the cation and anion shown in these formulas with each other, and a photoacid generator combining the cation or anion shown in these formulas with the above-mentioned various cations or anions can also be used. .
  • a combination of any of the sulfonium ions represented by the formula and a tetra (perfluorophenyl) borate ion a combination of any of the iodonium ions represented by the formula and a tetra (perfluorophenyl) borate ion Those can also be used as photoacid generators.
  • solvent examples include ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol dipropyl ether.
  • ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol dipropyl ether.
  • Diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol alkyl ether acetates such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol Propylene glycol alkyl ether acetates such as nopropyl ether acetate, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, ketones such as methyl ethyl ketone, acetone, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, ethanol, propanol, butanol, Examples thereof include alcohols such as hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol, and glycerin, esters such as ethyl 3-e
  • the formed film has high heat resistance, low temperature curability, high strength, and high crack resistance. And the solubility with respect to an alkali developing solution is good, pattern dripping does not occur, and the pattern formability is good.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing a television receiver (hereinafter referred to as a TV receiver) 1 according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic sectional view showing a display panel 3 according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing a pixel of the active matrix substrate 30 according to Embodiment 1
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a portion of the active matrix substrate 30 where the TFT 25 is provided
  • FIG. 5 is an active matrix.
  • 3 is a schematic cross-sectional view showing a portion where a gate wiring 11 and a source wiring 12 cross a substrate 30.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing a television receiver (hereinafter referred to as a TV receiver) 1 according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic sectional view showing a display panel 3 according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing a pixel of the active matrix
  • the TV receiver 1 includes a horizontally long display module 2 that displays video, a tuner 6 that receives broadcast waves from an antenna (not shown), and a decoder 7 that decodes encoded broadcast waves.
  • the TV receiver 1 decodes the broadcast wave received by the tuner 6 by the decoder 7 and displays an image on the display module 2 based on the decoded information.
  • a stand 8 that supports the TV receiver 1 is provided below the TV receiver 1.
  • the display module 2 when the display module 2 is an edge light type, the display module 2 includes a display panel 3, for example, three optical sheets (hereinafter, not shown), a light guide plate, a reflection sheet, and a chassis.
  • the display module 2 is accommodated in a vertical posture in a front cabinet 4 and a rear cabinet 5 that are arranged in a vertical posture in the front-rear direction.
  • the front cabinet 4 is a rectangular frame that covers the peripheral edge of the display module 2, and has a rectangular opening 2a in the center.
  • the front cabinet 4 is made of, for example, a plastic material.
  • the rear cabinet 5 has a rectangular tray shape with the front side open, and is made of, for example, a plastic material. In addition, you may comprise the front cabinet 4 and the back cabinet 5 from another material.
  • the vertical and horizontal dimensions of the front cabinet 4 and the rear cabinet 5 are substantially the same, and the peripheral portions of each other face each other.
  • the vertical and horizontal dimensions of the display panel 3 are slightly larger than the opening 2 a of the front cabinet 4, and the peripheral portion of the display panel 3 faces the inner edge portion of the front cabinet 4.
  • the display panel 3 includes an active matrix substrate 30 and a counter substrate (color filter substrate) 31 facing each other, a liquid crystal layer 32 provided as a display medium layer between the active matrix substrate 30 and the counter substrate 31, and an active matrix substrate 30. And a sealing material 33 provided in a frame shape for adhering the counter substrate 31 to each other and enclosing the liquid crystal layer 32 between the active matrix substrate 30 and the counter substrate 31.
  • the active matrix substrate 30 is provided between a plurality of gate wirings 11 provided on the insulating substrate 10 such as a glass substrate so as to extend in parallel with each other, and the gate wirings 11 respectively.
  • a plurality of capacitance lines 13 extending in parallel with each other; a plurality of source lines 12 provided so as to extend in parallel with each other in a direction crossing each gate line 11; and each crossing portion of each gate line 11 and each source line 12; That is, a plurality of TFTs 25 provided for each pixel, a plurality of pixel electrodes 23 provided in a matrix and connected to each TFT 25, and an alignment film (not shown) provided so as to cover each pixel electrode 23 ).
  • an interlayer insulating film 14 and a gate are formed in a portion including a gate wiring 11, a capacitor wiring 13, and a crossing portion of the gate wiring 11 and the source wiring 12 below the source wiring 12 of the active matrix substrate 30.
  • An insulating film 15 is interposed.
  • the interlayer insulating film 14 is formed using a cured product of the siloxane composition of the present invention.
  • the siloxane composition is a material having heat resistance against the thermal history of the subsequent process. For example, even if it receives the thermal history in the film forming process of the gate insulating film 15, it does not cause a change in physical properties that causes a problem in device characteristics. In order to withstand the thermal history of the film formation process of the gate insulating film 15, it is preferable to have heat resistance of 300 ° C. or higher.
  • the heat resistance is a temperature at which stability of the electrical insulation, dielectric constant, coloring of the transparent film, whitening, film thickness, etc. can be maintained after the curing process of the siloxane composition and the heat history exposed after the curing process. Defined by That is, the physical properties are retained after receiving a thermal history.
  • the light transmittance (transmittance) of the interlayer insulation film 14 can ensure 90% or more.
  • the light transmittance is a film of 2 ⁇ m in wavelength of 400 nm after applying a heat history at 300 ° C. for 1 hour to a film after being cured at a temperature of 300 ° C. or less on a glass substrate. It is defined as the transmittance with respect to the thickness.
  • the relative dielectric constant of the interlayer insulating film 14 is preferably 4 or less.
  • the cured film is reduced in film thickness due to the heat history (film thickness ) Is desirable. That is, the film slip at 300 ° C. is preferably 5% or less.
  • a passivation film 21 is formed so as to cover the source wiring 12, and an interlayer insulating film 22 containing an organic material is formed so as to cover the passivation film 21 and be flattened.
  • a pixel electrode 23 is patterned on the interlayer insulating film 22.
  • a gate electrode 11 a (which forms part of the gate wiring 11) and a capacitor wiring 13 are formed on the insulating substrate 10 of the active matrix substrate 30.
  • the interlayer insulating film 14 is formed so as to cover the insulating substrate 10.
  • portions other than the respective edge portions are not covered with the interlayer insulating film 14, and openings Ca and Ca are formed.
  • a gate insulating film 15 is formed on the interlayer insulating film 14, the gate electrode 11a, and the capacitor wiring 13, and the semiconductor film 16 is formed on the gate insulating film 15 at a portion corresponding to the opening Ca on the gate electrode 11a side. Is formed.
  • n + film 17 is formed so as to cover the semiconductor film 16, a source region and a drain region are formed, and a source electrode 18 and a drain electrode 19 are formed on the source region and the drain region.
  • the gate electrode 11 a, the gate insulating film 15, the semiconductor film 16, the n + film 17, the source electrode 18, and the drain electrode 19 constitute a TFT 25.
  • a passivation film 21 is formed so as to cover the source electrode 18 and the drain electrode 19, and an interlayer insulating film 22 is formed so as to cover the passivation film 21.
  • a capacitor electrode 20 is formed at a position corresponding to the capacitor wiring 13 on the gate insulating film 15.
  • a pixel electrode 23 is formed on the capacitor electrode 20.
  • the pixel electrode 23 is connected to the capacitor electrode 20 in the opening Cb above the opening Ca, and the capacitor electrode 20 overlaps the capacitor wiring 13 through the gate insulating film 15 to form an auxiliary capacitor.
  • the capacitor electrode 20 is connected to the drain electrode 19 by a drain wiring 27.
  • FIGS. 7F to 7H are schematic cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the method for manufacturing the active matrix substrate 30 according to the present embodiment.
  • a titanium film thickness of about 50 nm
  • an aluminum film thickness of about 200 nm
  • a titanium film thickness of about 100 nm
  • the gate wiring the portion to be the gate electrode 11a is also formed
  • the capacitor wiring 13 is formed (FIG. 6A).
  • the metal film is not limited to the above three-layer structure, and may be a Cu film or the like.
  • FIG. 8 is a flowchart showing a processing procedure for forming the interlayer insulating film.
  • the siloxane composition according to the present invention is applied onto the substrate 10 including the gate wiring 11 and the capacitor wiring 13 by spin coating to form a film 14a (S1, FIG. 6B).
  • the film thickness is adjusted by pre-baking, for example, at 100 ° C. for 90 seconds (S2).
  • pre-baking the film 14a is exposed using the photomask 26 (S3, FIG. 6C).
  • development is performed with a 2.38% TMAH aqueous solution (S4).
  • S4 TMAH aqueous solution
  • post-baking is performed at 250 ° C., for example, and the film 14a is cured to obtain the interlayer insulating film 14 (S5, FIG. 6D).
  • a gate insulating film 15 is formed by forming and patterning a film using, for example, silicon oxide or silicon nitride by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the interlayer insulating film 14 has a heat resistance of 300 ° C. or higher, and does not change its physical properties even when it receives a thermal history of the film forming process of the gate insulating film 15.
  • a film made of amorphous silicon or the like or a film made of n + amorphous silicon or the like is formed by, for example, CVD, and patterned to form a semiconductor film 16 and an n + film 17 corresponding to the source region and the drain region.
  • a film made of amorphous silicon or the like or a film made of n + amorphous silicon or the like is formed by, for example, CVD, and patterned to form a semiconductor film 16 and an n + film 17 corresponding to the source region and the drain region.
  • Mo or the like is deposited by sputtering and patterned to form the source electrode 18 and the drain electrode 19 (FIG. 7F).
  • the capacitor electrode 20 is formed on a portion of the gate insulating film 15 corresponding to the opening Ca on the capacitor wiring 13 side (not shown).
  • a film such as silicon nitride is formed on the source electrode 18 and the drain electrode 19 by, for example, a CVD method, and a passivation film 21 is formed by patterning, and a film made of a synthetic resin such as an acrylic resin is formed on the passivation film 21.
  • the interlayer insulating film 22 is formed by patterning (FIG. 7G).
  • An ITO film is formed on the interlayer insulating film 22 by, for example, sputtering, and patterned to form the pixel electrode 23 (FIG. 7H).
  • the manufacturing process can be simplified. Substrate warpage due to film stress is also suppressed, and occurrence of substrate flow troubles during manufacturing is also suppressed. In addition, by-product (foreign matter) is not generated due to the elimination of the etching step, crack resistance is good, and foreign matter derived from the siloxane composition is not generated, so that the defect occurrence rate is reduced and the yield is improved. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.
  • the transmittance of the interlayer insulating film 14 is 90% or more, and the transmittance of the display panel 3 including the active matrix substrate 30 having the interlayer insulating film 14 is good.
  • FIG. The display module according to Embodiment 2 of the present invention is the same as the display module 2 according to Embodiment 1 except that the order of film formation of the interlayer insulating film 14 and the gate insulating film 15 of the active matrix substrate 34 is different. It has the composition of. 9 is a schematic cross-sectional view showing a portion of the active matrix substrate 34 where the TFT 35 is provided, and FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a portion where the gate wiring 11 and the source wiring 12 of the active matrix substrate 34 intersect. . 9 and 10, the same parts as those in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • a gate insulating film is formed between the gate wiring 11 formed on the insulating substrate 10 and the source wiring 12 at the intersection of the gate wiring 11 and the source wiring 12 of the active matrix substrate 34.
  • 15 and the interlayer insulating film edge film 14 are interposed in this order from the insulating substrate 10 side.
  • the interlayer insulating film 14 is made of an SOG material having a siloxane composition according to the present invention similar to the above.
  • the gate electrode 11 a and the capacitor wiring 13 are formed on the insulating substrate 10 of the active matrix substrate 34.
  • the gate insulating film 15 is formed so as to cover the insulating substrate 10, the gate wiring 11 including the gate electrode 11 a, and the capacitor wiring 13.
  • the interlayer insulating film 14 is formed so as to cover the gate insulating film 15. Openings Ca and Ca are formed in portions of the interlayer insulating film 14 corresponding to the gate electrode 11 a and the capacitor wiring 13.
  • a semiconductor film 16 and an n + film 17 are formed in this order in the opening Ca on the gate electrode 11 a side of the interlayer insulating film 14.
  • the resist coating process, the etching process, and the resist stripping process are unnecessary when patterning after forming the film 14a containing the siloxane composition according to the present invention, thereby reducing the manufacturing cost.
  • by eliminating the etching process generation of by-products is eliminated and crack resistance is good, so that no foreign matter derived from the siloxane composition is produced, the defect rate is reduced, and the yield is improved.
  • the transmittance of the interlayer insulating film 14 is 90% or more, and the transmittance of the display panel 3 is good.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a portion of the active matrix substrate 36 where the TFT 37 is provided.
  • the configuration of the portion where the gate wiring 11 and the source wiring 12 intersect is the same as the configuration of the portion where the gate wiring 11 and the source wiring 12 according to the second embodiment intersect.
  • the same parts as those in FIG. 11 are the same parts as those in FIG.
  • the gate electrode 11 a and the capacitor wiring 13 are formed on the insulating substrate 10 of the active matrix substrate 36.
  • the gate insulating film 15 is formed so as to cover the insulating substrate 10, the gate wiring 11 including the gate electrode 11 a, and the capacitor wiring 13.
  • a semiconductor film 16 and an n + film 17 are formed in this order on a portion of the gate insulating film 15 corresponding to the gate electrode 11a.
  • the interlayer insulating film 14 is formed so as to cover the gate insulating film 15. Openings Ca and Ca are formed in portions of the interlayer insulating film 14 corresponding to the gate electrode 11 a and the capacitor wiring 13.
  • the resist coating process, the etching process, and the resist stripping process are unnecessary when patterning after forming the film 14a containing the siloxane composition according to the present invention, thereby reducing the manufacturing cost.
  • by eliminating the etching process generation of by-products is eliminated and crack resistance is good, so that no foreign matter derived from the siloxane composition is produced, the defect rate is reduced, and the yield is improved.
  • the transmittance of the interlayer insulating film 14 is 90% or more, and the transmittance of the display panel 3 is good.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a portion of the active matrix substrate 38 where the TFT 39 is provided.
  • the configuration of the portion where the gate wiring 11 and the source wiring 12 intersect is the same as the configuration of the portion where the gate wiring 11 and the source wiring 12 according to the first embodiment intersect.
  • the interlayer insulating film 22 is formed using a siloxane composition similar to that of the interlayer insulating film 14, not an acrylic resin. Therefore, in the present embodiment, the material of the film constituting the active matrix substrate 38 and the film forming equipment can be shared, the manufacturing cost can be reduced, and the management of the material is facilitated. be able to.
  • FIG. 5 The display device according to the fifth embodiment of the present invention has the same configuration as the display device according to the second embodiment, except that the formation pattern of the interlayer insulating film 14 is different in the active matrix substrate 40.
  • 13 is a schematic cross-sectional view showing a portion of the active matrix substrate 40 where the TFT 41 is provided
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a portion where the gate wiring 11 and the source wiring 12 of the active matrix substrate 40 intersect.
  • 13 and 14 the same parts as those in FIGS. 9 and 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • a gate insulating film is formed between the gate wiring 11 formed on the insulating substrate 10 and the source wiring 12 at the intersection of the gate wiring 11 and the source wiring 12 of the active matrix substrate 40.
  • 15 and the interlayer insulating film edge film 14 are interposed in this order from the insulating substrate 10 side.
  • the interlayer insulating film 14 is made of the same siloxane composition according to the present invention as described above.
  • the interlayer insulating film 14 is not formed on the gate insulating film 15 corresponding to between the gate wirings 11 and 11. Further, as will be described later, the interlayer insulating film 14 is not formed above the portion of the gate wiring 11 where the gate electrode 11a is formed.
  • the gate electrode 11 a and the capacitor wiring 13 are formed on the insulating substrate 10 of the active matrix substrate 40.
  • the interlayer insulating film 14 is not formed above the portion of the gate wiring 11 where the gate electrode 11a is formed. Further, the interlayer insulating film 14 is not formed on the upper side of the capacitor wiring 13 and between the gate wiring 11 and the capacitor wiring 13.
  • the interlayer insulating film 14 can be formed without performing an etching step, and a by-product based on the siloxane composition is formed. Since no generation occurs and the occurrence of leakage between wirings is suppressed, the interlayer between only the minimum necessary parts where the inter-wiring capacitance is required to be reduced, such as the crossing part of the gate wiring 11 and the source wiring 12 An insulating film 14 can be provided.
  • the display having the active matrix substrate 40 is designed by not designing the interlayer insulating film 14 in the pixel portion where the transmittance is to be ensured, the capacitance wiring portion 13 where the capacitance is to be increased, and the openings Ca and Ca portions.
  • the panel 3 can have good transmittance.
  • the mixed solution was dropped into the flask at 10 ° C., stirred at the same temperature for 3 hours, and neutralized by adding a 10% HCl aqueous solution.
  • a 10% HCl aqueous solution 400 ml of toluene and 100 ml of water were added, and the mixture was separated into two layers. The resulting organic layer was concentrated under reduced pressure to remove the solvent, and propylene was added to the concentrate so that the solid concentration was 40% by mass.
  • Glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was added and adjusted.
  • Mw mass average molecular weight
  • the obtained resin solution is applied to a silicon wafer by a spin coater so that the film thickness after pre-baking is 2 ⁇ m, and the dissolution rate in a 5% TMAH aqueous solution after pre-baking (hereinafter sometimes abbreviated as “ADR”).
  • ADR dissolution rate in a 5% TMAH aqueous solution after pre-baking
  • the photosensitive siloxane composition 1 was obtained by adjusting the solid content to 35% with a mixed solvent
  • This photosensitive siloxane composition 1 was applied onto a silicon wafer by spin coating, and after application, pre-baked at 100 ° C. on a hot plate to adjust the film thickness to 2.3 ⁇ m.
  • NA 0.1: manufactured by Nikon Co., Ltd.
  • TMAH TMAH aqueous solution at room temperature.
  • rinsing with pure water was performed.
  • PPA-501F manufactured by Canon Inc.
  • a cured film was prepared by curing for 30 minutes at 230 ° C. in air using a hot plate.
  • the final film thickness after curing was 2.1 ⁇ m.
  • SEM observation confirmed that the 3 ⁇ m contact hole (opening) pattern, which is the resolution limit of the “FX-604” device, was missing.
  • whether or not a contact hole can be formed was determined by forming a bottom contact of 80% or more of the mask contact hole design.
  • a test specimen for measuring transmittance was prepared by the following procedure.
  • the siloxane composition 1 was applied onto glass (“Eagle XG”, thickness 0.7 mm: manufactured by Corning) by spin coating, and after application, pre-baked at 100 ° C. on a hot plate to a film thickness of 2.3 ⁇ m. It was adjusted to become.
  • a cured film was prepared by curing for 30 minutes at 230 ° C. in air using a hot plate. Then, the heat history for 1 hour was added at 300 degreeC in the air using the hotplate. When the average film thickness after curing and after the thermal history were determined by SEM observation, there was no change at 2.10 ⁇ m (no film slippage).
  • the light transmittance was measured by using “U-4000” (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) as a spectrophotometer and measuring only the glass as a reference. Next, a specimen for measuring transmittance was measured, and the light transmittance at a wavelength of 400 nm per 2 ⁇ m thickness was determined to be 97%.
  • Example 2 (positive photosensitive siloxane composition 2)> A photosensitive siloxane composition 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that PAC was changed from 6% by mass to 9% by mass with respect to polysiloxane. When applied to the substrate in the same manner as in Example 1 to form a pattern and the resolution of the pattern was confirmed, it was confirmed that the 5 ⁇ m contact hole pattern was removed without residue. Further, the light transmittance was measured in the same manner as in Example 1, and the light transmittance at a wavelength of 400 nm per 2 ⁇ m thickness was determined to be 92%. Further, when the average film thickness was determined in the same manner as in Example 1, it decreased from 2.17 ⁇ m to 2.10 ⁇ m, and the film slip was 3.2%.
  • ⁇ Comparative Example 2 (Positive Photosensitive Siloxane Composition 4)> A photosensitive siloxane composition 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that PAG was not added and PAC was changed from 6% by mass to 12% by mass with respect to the polysiloxane. In the same manner as in Example 1, it was applied to a substrate to form a pattern, and when the resolution of the pattern was confirmed, it was confirmed that a 5 ⁇ m contact hole pattern was missing. The light transmittance was measured in the same manner as in Example 1, and the light transmittance at a wavelength of 400 nm per 2 ⁇ m thickness was determined to be 87%. Further, when the average film thickness was determined in the same manner as in Example 1, it decreased from 2.17 ⁇ m to 2.09 ⁇ m, and the film slip was 3.7%.
  • Example 1 Comparative Example 1 and Comparative Example 2
  • the positive photosensitive siloxane compositions of Examples 1 and 2 have good heat resistance, and have high sensitivity and high definition. It was confirmed that can be formed.
  • Embodiments 1 to 5 described above, and various modifications can be made within the scope indicated in the claims.
  • embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.
  • Display module (display device) 3.
  • Display panel (display device) 30, 34, 36, 38, 40 Active matrix substrate 10
  • Insulating substrate 11
  • Gate wiring 11a
  • Source wiring 13
  • Capacitance wiring 14
  • Interlayer insulating film 15
  • Gate insulating film 16
  • Semiconductor film 17
  • n + film 18
  • Drain electrode 20
  • Capacity Electrode 21
  • Passivation film 22
  • Interlayer insulation film 23
  • Pixel electrode 25 35, 37, 39, 41 TFT Ca, Cb opening 31 counter substrate 32 liquid crystal layer

Landscapes

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

　形成される膜が高耐熱性、高強度、及び高クラック耐性を有するポジ型感光性シロキサン組成物、副生成物が生じず、不良の発生が抑制され、容易に安価に層間絶縁膜が形成され、透過率が良好であるアクティブマトリクス基板、該アクティブマトリクス基板を備える表示装置、並びに該アクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。　アクティブマトリクス基板３０は、絶縁基板１０上に、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート配線１１と、各ゲート配線１１と交叉する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース配線１２とを有する。ソース配線１２の下側の、ゲート配線１１とソース配線１２との交叉部分を含む部分に、層間絶縁膜１４及びゲート絶縁膜１５が介在している。層間絶縁膜１４はポジ型感光性シロキサン組成物を用い、レジストを使用せずに形成される。

Description

ポジ型感光性シロキサン組成物、アクティブマトリクス基板、表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
　本発明は、半導体装置等の膜に用いられるポジ型感光性シロキサン組成物、該ポジ型感光性シロキサン組成物の硬化膜を有し、テレビジョン受信機，パーソナルコンピュータ等に備えられるアクティブマトリクス基板、該アクティブマトリクス基板を備える表示装置、及び該アクティブマトリクス基板の製造方法に関する。
　表示装置の中で、液晶表示装置は薄型であり、消費電力が低いという特徴を有する。特に、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を備えるアクティブマトリクス基板を備える液晶表示装置は、高いコントラスト比、及び優れた応答特性を有し、高性能であるため、テレビジョン受信機、パーソナルコンピュータ等に好適に用いられている。
　アクティブマトリクス基板上には、複数のゲート配線（走査配線）と、各ゲート配線に層間絶縁膜を介して交叉する複数のソース配線（信号配線）とが形成されており、ゲート配線とソース配線との交叉部分の近傍に、画素をスイッチングする薄膜トランジスタが設けられている（例えば特許文献１等）。ゲート配線とソース配線との交叉部分に形成される容量（寄生容量）は、表示品位の低下の原因となるため、小さくするのが好ましく、該交叉部分に、ＳＯＧ（スピンオンガラス）材料を含む層間絶縁膜が形成されている。特許文献１のアクティブマトリクス基板においては、層間絶縁膜は、Ｓｉ－Ｏ－Ｃ結合を骨格とするシロキサン組成物を含むＳＯＧ材料から形成されている。
　特許文献１においては、シロキサン組成物として具体的には、シロキサンオリゴマー及び空隙形成材を有機溶剤に均一に溶解してなる組成物（特許文献２）、
及び一般式： 
（ＨＲ2 ＳｉＯ1/2 ）x （ＳｉＯ4/2 ）1.0 
（式中、Ｒは水素原子、アルキル基およびアリール基からなる群から選択される基であり、Ｘは０．１≦Ｘ≦２．０である。）で示されるケイ素樹脂を主剤としてなる組成物（特許文献３）が挙げられている。
　図１５は、従来のアクティブマトリクス基板６０のＴＦＴ６１が形成されている部分の構造の一例を示す模式的断面図である。
　図１５に示すように、アクティブマトリクス基板６０のガラス製の絶縁基板１０上に、ゲート電極１１ａ（ゲート配線１１の一部をなす）、及び容量配線１３が形成されている。
　層間絶縁膜１４は絶縁基板１０を覆うように形成されている。層間絶縁膜１４は、上述のシロキサン組成物等を含むＳＯＧ材料からなる。ゲート電極１１ａ上、及び容量配線１３上で、夫々の端縁部を除く部分は層間絶縁膜１４により覆われず、開口部Ｃａ，Ｃａが形成されている。層間絶縁膜１４上にはゲート絶縁膜１５が形成され、ゲート絶縁膜１５上の、ゲート電極１１ａ側の開口部Ｃａに対応する部分に半導体膜１６が形成されている。そして、半導体膜１６を覆うようにｎ+ 膜１７が形成され、ソース領域及びドレイン領域が形成されており、ソース領域上及びドレイン領域上にソース電極１８及びドレイン電極１９が形成されている。ゲート電極１１ａ、ゲート絶縁膜１５、半導体膜１６、ｎ+ 膜１７、ソース電極１８、及びドレイン電極１９によりＴＦＴ６１が構成される。
　そして、ソース電極１８及びドレイン電極１９を覆うようにパッシベーション膜２１が成され、パッシベーション膜２１を覆うように有機材料を含む層間絶縁膜２２が形成されている。
　また、容量配線１３側の開口部Ｃａにおいて、ゲート絶縁膜１５上には、容量電極２０が形成されている。容量電極２０上の開口部Ｃｂには画素電極２３が形成されている。
　図１６は、層間絶縁膜１４の形成の処理手順を示すフローチャートである。
　絶縁基板１０、ゲート配線１１、及び容量配線１３上に、ＳＯＧ材料を塗布し、塗膜を形成する（Ｓ１１）。
　塗膜を形成した後、ベークし、膜厚を調整する（Ｓ１２）。
　ベーク後、塗膜上にフォトレジスト材料を塗布し、レジストを形成する（Ｓ１３）。
　フォトマスクを用いて露光し（Ｓ１４）、現像（Ｓ１５）することにより、レジストパターンを形成する。
　次に、レジストで覆われていない塗膜の部分について、例えば四フッ化炭素と酸素との混合ガスを用いてドライエッチング等のエッチングを行い（Ｓ１６）、開口部Ｃａを形成する。
　最後に、レジストを剥離する（Ｓ１７）。
特開２００８－１５３６８８号公報 特開２００１－９８２２４号公報 特開平６－２４０４５５号公報
　以上のような特許文献１等のアクティブマトリクス基板において、ゲート配線１１とソース配線との間に、シロキサン組成物からなるＳＯＧ材料を含んでなる層間絶縁膜１４を形成する場合、開口部Ｃａを形成するためにレジスト塗布工程、エッチング工程、及びレジスト剥離工程を要するので、製造工程が煩雑であり、製造原価が高くなるという問題があった。
　そして、上述のシロキサン組成物からなる層間絶縁膜の膜強度は弱く、低温時に熱膨張率の差により膜応力が生じた場合に基板に反りが生じ、製造装置内において基板の流動トラブルが発生するという問題があった。また、膜応力により、膜にクラックが生じる、膜に剥がれ及び歪が生じる等の問題も生じ、露光工程において、焦点のずれが生じ、歩留りが低下するという問題もあった。
　クラックが生じた場合、これに起因するシロキサン組成物由来の異物により、不良が発生するという問題がある。
　また、エッチングにより生じた副生成物に起因して不良発生率が高くなり、歩留りが低下して、さらに原価が高くなる。この副生成物により配線間にリークが生じるので、必要箇所以外にも層間絶縁膜１４を残存させており、すなわち層間絶縁膜１４の開口部分は、ＴＦＴ６１が形成されている部分、及び容量配線１３上の開口部Ｃａが形成されている部分等の一部に限られ、層間絶縁膜１４の開口面積が小さいので、パネル透過率の低下の要因となり、これを補償するために輝度が高いバックライトを使用する必要があった。
　本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、形成される膜が高耐熱性、低温硬化性、高強度、及び高クラック耐性を有し、基板反り及び不純物に起因する不良が生じず、パターン形成性が良好であるポジ型感光性シロキサン組成物と、レジストを用いないため、副生成物が生じることがなく、不良の発生が抑制され、歩留りが良好な状態で、安価に該シロキサン組成物による層間絶縁膜が形成されており、光透過率が良好であるアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板を備える表示装置と、該アクティブマトリクス基板の製造方法とを提供することを目的とする。
　本発明に係るポジ型感光性シロキサン組成物は、（Ｉ）テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に対する溶解速度が異なる少なくとも２種類以上のポリシロキサン、（II）ジアゾナフトキノン誘導体、（III）光酸発生剤、及び（IV）溶剤を含有するポジ型感光性シロキサン組成物であって、前記ポリシロキサン（Ｉ）が、
（Ａ）下記一般式（１）： 
　Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2 ）4-n 
（式中、Ｒ1 は、任意のメチレンが酸素で置き換えられてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は炭素数６～２０で任意の水素がフッ素で置き換えられてもよいアリール基を表し、Ｒ2 は、炭素数１～５のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。）
で表されるシラン化合物を塩基性触媒の存在下で加水分解及び縮合させて得られるプリベーク後の膜が５質量％ＴＭＡＨ水溶液に可溶であり、その溶解速度が１０００Å／秒以下であるポリシロキサン（Ia）と、
（Ｂ）前記一般式（１）で表されるシラン化合物を塩基性触媒又は酸性触媒の存在下で加水分解及び縮合させて得られるプリベーク後の膜の２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液に対する溶解速度が１００Å／秒以上であるポリシロキサン（Ib）と
の混合物であることを特徴とする。
　本発明に係るアクティブマトリクス基板は、基板上に、複数のソース配線と複数のゲート配線とを立体的に交叉するように形成し、前記ソース配線と前記ゲート配線とが交叉する部分の近傍に薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを介して対応するソース配線に電気的に接続される画素電極を形成してあり、少なくとも前記ソース配線と前記ゲート配線との間に、上述のいずれかのポジ型感光性シロキサン組成物の硬化物からなる層間絶縁膜が介在することを特徴とする。
　本発明に係る表示装置は、上述のいずれかのアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板上に配置された表示媒体層と、前記アクティブマトリクス基板に前記表示媒体層を介して対向する対向基板とを備えることを特徴とする。
　本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上に、複数のソース配線と複数のゲート配線とを立体的に交叉するように形成し、前記ソース配線と前記ゲート配線とが交叉する部分の近傍に薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを介して対応するソース配線に電気的に接続される画素電極を形成する工程を有し、少なくとも前記ソース配線と前記ゲート配線との間に、上述のいずれかのポジ型感光性シロキサン組成物の硬化物からなる層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、前記層間絶縁膜形成工程が、前記ポジ型感光性シロキサン組成物を用いて膜を形成する膜形成工程と、形成した膜をプリベークする工程と、プリベークした膜を露光する工程と、露光した膜を現像する工程と、現像した膜を焼成する工程とを有することを特徴とする。
　本発明のポジ型感光性シロキサン組成物によれば、形成された膜は高耐熱性、低温硬化性、高強度、高クラック耐性を有する。そして、アルカリ現像液に対する溶解性が良好であるとともに、パターンの熱硬化が十分に進む前に高温により膜が低粘度化で溶融し、現像後に得られるホール及びライン等のパターンがフローする、いわゆる「パターンだれ」が生じず、パターン形成性が良好である。
　本発明のアクティブマトリクス基板によれば、レジストを用いずに、副生成物が生じることがなく、不良の発生が抑制され、歩留りが良好な状態で、安価に層間絶縁膜が形成されており、透過率が良好である。
　本発明の表示装置によれば、透過率が良好である。
　本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、シロキサン組成物を含む膜を形成した後、パターニングするときに、レジスト塗布工程、エッチング工程、及びレジスト剥離工程が不要であるので、製造コストを下げることができる。またエッチング工程がなくなることにより、副生成物の発生もなくなり、不良発生率が低下し、歩留りが良好である。
本発明の実施の形態１に係るテレビジョン受信機を示す模式的斜視図である。 本発明の実施の形態１に係る表示パネルを示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の画素を示す模式的平面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板のＴＦＴが設けられている部分を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板のゲート配線とソース配線とが交叉する部分を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態１に係る層間絶縁膜形成の処理手順を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス基板のＴＦＴが設けられている部分を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス基板のゲート配線とソース配線とが交叉する部分を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス基板のＴＦＴが設けられている部分を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態４に係るアクティブマトリクス基板のＴＦＴが設けられている部分を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態５に係るアクティブマトリクス基板のＴＦＴが設けられている部分を示す模式的断面図である。 本発明の実施の形態５に係るアクティブマトリクス基板のゲート配線とソース配線とが交叉する部分を示す模式的断面図である。 従来のアクティブマトリクス基板のＴＦＴが形成されている部分の構造の一例を示す模式的断面図である。 従来の層間絶縁膜の形成の処理手順を示すフローチャートである。
　以下、本発明をその実施の形態に基づいて具体的に説明する。
１．ポジ型感光性シロキサン組成物
　本発明に係るポジ型感光性シロキサン組成物（以下、シロキサン組成物という）は、ＴＭＡＨ水溶液に対する溶解度が異なる少なくとも２種類以上の（Ｉ）ポリシロキサン、（II）ジアゾナフトキノン誘導体、（III ）光酸発生剤、及び（IV）溶剤を含有する。
（Ｉ）ポリシロキサン
　高い耐熱性を有するポリシロキサンとして、架橋点としてシラノール基を有するシルセスキオキサンが好ましい。シラノール基は加熱によってシロキサン結合を形成し、高い耐熱性を付与することができる。シルセスキオキサンは、低温硬化及びパターンの安定性に優れているので好ましい。籠型及びラダー型と呼ばれるシルセスキオキサンは、クラック耐性が高いので、より好ましい。シリコーン樹脂は、高いクラック耐性を有するが、柔軟過ぎるため、層間絶縁膜の材料としては好ましくない。また、パターン形状の熱安定性にも劣る。一般に、籠型シルセスキオキサン及びラダー型シルセスキオキサンは、フリーのシラノール基が少ないため、アルカリ現像液に対する溶解性が低い。従って、感光性組成物としては、アルカリ現像液に対する溶解性が低いシロキサンとアルカリ現像液に対する溶解性が高いシロキサンとを組み合わせて使用する。２種のポリシロキサンとして、以下のポリシロキサン（Ia）及びポリシロキサン（Ib）が挙げられる。
　ポリシロキサン（Ia）は、下記式（１）で表されるシラン化合物を塩基性触媒の存在下で加水分解及び縮合して得られるプリベーク後の膜が５質量％ＴＭＡＨ水溶液に可溶であり、その溶解度が１０００Å／秒以下である。
　Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2 ）4-n 
（式中、Ｒ1 は、任意のメチレンが酸素で置き換えられてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は炭素数６～２０で任意の水素がフッ素で置き換えられてもよいアリール基を表し、Ｒ2 は、炭素数１～５のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。）
　一般式（１）におけるｎ＝１のシラン化合物の具体例としては、例えばメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等が挙げられる。これらは、夫々薬品耐性、熱安定性、溶剤溶解性、及びクラック耐性に優れているので好ましい。
　一般式（１）におけるｎ＝０のシラン化合物の具体例としては、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等が挙げられる。一般式（１）におけるｎ＝０のシラン化合物を反応させることにより、ｎ＝１であるシルセスキオキサン（ＳｉＯ1.5 ）中にシリカ構造体（ＳｉＯ2 ）を導入して加熱硬化時の「パターン」だれ防止効果を高めることができる。
　ポリシロキサン（Ib）は、少なくとも一般式（１）におけるｎ＝１のシラン化合物を塩基性触媒又は酸性触媒の存在下で加水分解及び縮合して得られるプリベーク後の膜の２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液に対する溶解度が１００Å／秒以上である。
　ポリシロキサン（Ia）と（Ib）のシリカ構造体（ｎ＝０のシラン化合物）の含有量としては、ポリシロキサン（Ｉ）に対し各々２０モル％以下であるのが好ましく、５モル％以上２０モル％以下であるのがより好ましい。さらに好ましくは、１０モル％以上１５モル％以下である。２０モル％を超えた場合、ポリマーの安定性が著しく低下する。２０モル％以下である場合、「パターン」だれの防止効果がより良好であり、かつポリマーの安定性が良好である。
（アルカリ溶解速度（ＡＤＲ）の測定、算出法）
　ポリシロキサン（Ia）及び（Ib）のＴＭＡＨ水溶液に対する溶解速度は、次のように測定して算出する。
　まず、ポリシロキサンをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に３５質量％程度になるように希釈し、溶解する。この溶液をシリコンウエハ上に乾燥膜厚が約２μｍの厚さになるようにスピンコーティングし、その後１００℃のホットプレート上で６０秒間加熱して溶剤を除去する。分光エリプソメーター（Ｗｏｏｌｌａｍ社製）で、塗布膜の膜厚測定を行う。次に、この膜を有するシリコンウエハを、ポリシロキサン（Ia）については５％ＴＭＡＨ水溶液、ポリシロキサン（Ib）については、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液に室温（２５℃）で浸漬し、被膜が消失するまでの時間を測定した。溶解速度は、初期膜厚を被膜が消失するまでの時間で除して求める。溶解速度が著しく遅い場合は、一定時間浸漬した後の膜厚測定を行い、浸漬前後の膜厚変化量を浸漬時間で除して溶解速度を算出する。
　ポリシロキサン（Ia）及び（Ib）いずれのポリマーにおいても、ポリスチレン換算の質量平均分子量は７００～１００００が好ましく、より好ましくは１０００～４０００である。分子量が大き過ぎた場合、現像残渣等で十分な解像度が得られず、感度が低下する等の問題があるので、分子量が大きくならないようにアルカリ溶解速度を調整するのが好ましい。
　ポリシロキサン（Ia）と（Ib）との混合割合は、層間絶縁膜の膜厚、感光性組成物の感度、及び解像度等によって任意の割合で調整することが可能であるが、ポリシロキサン（Ia）を２０質量％以上含む場合、加熱硬化中の「パターン」だれ防止効果が良好であるので、好ましい。
（II）ジアゾナフトキノン誘導体
　本発明に係るシロキサン組成物はジアゾナフトキノン誘導体を含有することにより、露光部がアルカリ現像液に可溶になり、現像によって除去されるポジ型を構成する。本発明に係るジアゾナフトキノン誘導体は、フェノール性水酸基を有する化合物にナフトキノンジアジドスルホン酸がエステル結合してなる化合物であり、構造については特に制限されないが、フェノール性水酸基を１つ以上有する化合物とのエステル化合物であるのが好ましい。ナフトキノンジアジドスルホン酸としては、４－ナフトキノンジアジドスルホン酸、又は５－ナフトキノンジアジドスルホン酸を用いることができる。４－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物はｉ線（波長３６５ｎｍ）領域に吸収を持つため、ｉ線露光に適している。また、５－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物は広範囲の波長領域に吸収が存在するため、広範囲の波長での露光に適している。露光する波長により４－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物、５－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を選択するのが好ましい。４－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物と５－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物とを混合して用いることも可能である。
　フェノール性水酸基を有する化合物としては特に限定されないが、例えば、以下の化合物が挙げられる（本州化学工業（株）製、商品名追記）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
  
　ジアゾナフトキノン誘導体の好ましい添加量は、ナフトキノンジアジドスルホン酸のエステル化率、又は使用されるポリシロキサンの物性、要求される感度、露光部と未露光部との溶解コントラスト等により決定されるが、本発明の層間絶縁膜用途としては、好ましくはポリシロキサン（Ｉ）１００質量部に対して３質量部以上１０質量部以下であり、より好ましくは５質量部以上７質量部以下である。ジアゾナフトキノン誘導体の添加量が３質量部より少ない場合、露光部と未露光部との溶解コントラストが低過ぎ、現実的な感光性を有さない。さらに良好な溶解コントラストを得るためには５質量部以上であるのが好ましい。一方、ジアゾナフトキノン誘導体の添加量が１０質量部より多い場合、熱硬化時又は熱履歴によって起こるキノンジアジド化合物分解による着色が顕著になり、硬化膜の無色透明性が低下することが実験により確認されている。さらに、熱分解により硬化物の電気絶縁性の劣化及びガスの放出が生じ、後工程で問題になることがある。
（III ）光酸発生剤
　本発明に係るシロキサン組成物は、光酸発生剤を含有する。光酸発生剤は、放射線を照射した場合、分解してシラノール基の縮合を促進させる酸を放出する。ここで、放射線としては、可視光、紫外線、赤外線、Ｘ線、電子線、α線、又はγ線等が挙げられる。特に、薄膜トランジスタの製造に用いられる紫外線によって酸を発生させるものが好ましい。
　光酸発生剤の好ましい添加量は、分解して発生する活性物質の種類、発生量、要求される感度、及び露光部と未露光部との溶解コントラスト等により決定されるが、ポリシロキサン（Ｉ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上１０質量部以下であり、より好ましくは０．１質量部以上５質量部以下である。添加量が０．０１質量部より少ない場合、添加効果を有さないことがある。一方、添加量が１０質量部より多い場合、形成される被膜にクラックが発生したり、分解物による着色が顕著になり、被膜の無色透明性が低下したりすることがある。また、添加量が多い場合、熱分解により硬化物の電気絶縁性の劣化及びガスの放出が生じ、保護膜としては好ましくない作用を引き起こすことがある。光酸発生剤をポリシロキサン（Ｉ）１００質量部に対して０．０１質量部以上１０質量部以下含む場合、光照射後に発生する酸によってポリシロキサン中のシラノールの縮合反応を促進させ、低温での硬化が進み、パターンだれのない、高い解像性を達成することが可能である。
　光酸発生剤の具体例としては、ジアゾメタン化合物、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、スルホンイミド化合物等が挙げられる。これら光酸発生剤の構造は、一般式（２）で表すことができる。
　　Ｒ+ Ｘ- ・・・（２）
　ここで、Ｒ+ は水素、炭素原子又はその他ヘテロ原子で修飾されたアルキル基、アリール基、アルケニル基、アシル基、及びアルコキシル基からなる群から選択される有機イオン、例えばジフェニルヨードニウムイオン、トリフェニルスルホニウムイオンを表す。
　Ｘ- は、下記一般式で表される、いずれかの対イオンであるのが好ましい。
ＳｂＹ6  - 
ＡｓＹ6  - 
Ｒa pＰＹ6-p  - 
Ｒa  q ＢＹ4-q  - 
Ｒa q ＧａＹ4-q  - 
Ｒa ＳＯ3 - 
（Ｒa ＳＯ2 ）3 Ｃ- 
（Ｒa ＳＯ2 ）2 Ｎ- 
Ｒb ＣＯＯ- 
ＳＣＮ- 
（式中、Ｙはハロゲン原子であり、Ｒa は、フッ素、ニトロ基、及びシアノ基から選択される置換基で置換された、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、Ｒb は、水素又は炭素数１～８のアルキル基であり、ｐは０～６の数であり、ｑは０～４の数である。）
　具体的な対イオンとしてはＢＦ4  - 、（Ｃ6 Ｆ5 ）4 Ｂ- 、（（ＣＦ3 ）2 Ｃ6 Ｈ3 ）4 Ｂ- 、ＰＦ6  - 、（ＣＦ3 ＣＦ2 ）3 ＰＦ3  - 、ＳｂＦ6  - 、（Ｃ6 Ｆ5 ）4 Ｇａ- 、（（ＣＦ3 ）2 Ｃ6 Ｈ3 ）4 Ｇａ- 、ＳＣＮ- 、（ＣＦ3 ＳＯ2 ）3 Ｃ- 、（ＣＦ3 ＳＯ2 ）2 Ｎ- 、ギ酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ノナフルオロブタンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ｐ－トルエンスルホン酸イオン、及びスルホン酸イオンからなる群から選択されるものが挙げられる。
　本発明に用いられる光酸発生剤の中でも特に、スルホン酸類又はホウ酸類を発生させるものが良く、例えば、トリルクミルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸（ローディア社製、「ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ２０７４」（商品名））、ジフェニルヨードニウムテトラ（パーフルオロフェニル）ホウ酸、カチオン部がスルホニウムイオン、アニオン部がペンタフルオロホウ酸イオンから構成されるもの等が挙げられる。その他、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラ（パーフルオロフェニル）ホウ酸、４－アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロヒ酸、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホン酸、１－（４，７－ジブトキシ－１－ナフタレニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホン酸、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロヒ酸等が挙げられる。さらには、下記式で表される光酸発生剤も用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
  
　式中、Ａは夫々独立に、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～２０のアルキルカルボニル基、炭素数６～２０のアリールカルボニル基、水酸基、及びアミノ基から選ばれる置換基であり、ｐは夫々独立に０～５の整数であり、Ｂ- としては、フッ素化されたアルキルスルホネート基、フッ素化されたアリールスルホネート基、フッ素化されたアルキルボーレート基、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基等が挙げられる。これらの式に示されたカチオン及びアニオンを相互に交換した化合物、及びこれらの式に示されたカチオン又はアニオンと、上述した各種のカチオン又はアニオンとを組み合わせた光酸発生剤を用いることもできる。例えば、式により表されたスルホニウムイオンのいずれかとテトラ（パーフルオロフェニル）ホウ酸イオンとを組み合わせたもの、式により表されたヨードニウムイオンのいずれかとテトラ（パーフルオロフェニル）ホウ酸イオンとを組み合わせたものも光酸発生剤として用いることができる。
（IV）溶剤
　溶剤としては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、アセトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－メトキシプロピオン酸メチル等のエステル類、γ－ブチロラクトン等の環状エステル類等が挙げられる。これらの溶剤は、夫々単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができ、その使用量は塗布方法及び塗布後の膜厚の要求量によって決定される。
　本発明に係るポジ型感光性シロキサン組成物においては、形成された膜が高耐熱性、低温硬化性、高強度、及び高クラック耐性を有する。そして、アルカリ現像液に対する溶解性が良好であるとともに、パターンだれが生じず、パターン形成性が良好である。
２．表示装置
　以下、本発明に係るアクティブマトリクス基板、該アクティブマトリクス基板を備える表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。
（実施の形態１）
　図１は本発明の実施の形態１に係るテレビジョン受信機（以下、ＴＶ受信機という）１を示す模式的斜視図、図２は実施の形態１に係る表示パネル３を示す模式的断面図、図３は実施の形態１に係るアクティブマトリクス基板３０の画素を示す模式的平面図、図４はアクティブマトリクス基板３０のＴＦＴ２５が設けられている部分を示す模式的断面図、図５はアクティブマトリクス基板３０のゲート配線１１とソース配線１２とが交叉する部分を示す模式的断面図である。
　ＴＶ受信機１は、映像を表示する横長の表示モジュール２と、アンテナ（不図示）から放送波を受信するチューナ６と、符号化された放送波を復号するデコーダ７とを備える。ＴＶ受信機１は、チューナ６にて受信した放送波をデコーダ７で復号し、復号した情報に基づいて表示モジュール２に映像を表示する。ＴＶ受信機１の下部には、ＴＶ受信機１を支持するスタンド８を設けてある。
　表示モジュール２は例えばエッジライト型である場合、表示パネル３と、例えば３枚の光学シート（以下、不図示）と、導光板と、反射シートと、シャーシとを備える。
　表示モジュール２は、前後に縦姿勢で配置された前キャビネット４及び後キャビネット５に縦姿勢で収容されている。前キャビネット４は表示モジュール２の周縁部を覆う矩形状の枠体であり、中央に矩形の開口２ａを有する。前キャビネット４は例えばプラスチック材からなる。後キャビネット５は、前側が開放された矩形のトレイ状をなし、例えばプラスチック材からなる。尚、前キャビネット４及び後キャビネット５は他の材料から構成してもよい。
　前キャビネット４及び後キャビネット５の上下及び左右寸法は略同一であり、互いの周縁部分が対向する。表示パネル３の上下及び左右寸法は、前キャビネット４の開口２ａよりも若干大きく、表示パネル３の周縁部分は前キャビネット４の内縁部分と対向している。
　表示パネル３は、互いに対向するアクティブマトリクス基板３０、及び対向基板（カラーフィルタ基板）３１と、アクティブマトリクス基板３０及び対向基板３１間に表示媒体層として設けられた液晶層３２と、アクティブマトリクス基板３０及び対向基板３１を互いに接着するとともにアクティブマトリクス基板３０及び対向基板３１間に液晶層３２を封入するために枠状に設けられたシール材３３とを備える。
　アクティブマトリクス基板３０は、図３に示すように、例えばガラス基板等の絶縁基板１０上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート配線１１と、各ゲート配線１１の間に夫々設けられ、互いに平行に延びる複数の容量配線１３と、各ゲート配線１１と交叉する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース配線１２と、各ゲート配線１１及び各ソース配線１２の交叉部分毎、すなわち、画素毎に夫々設けられた複数のＴＦＴ２５と、マトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ２５に夫々接続された複数の画素電極２３と、各画素電極２３を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
　図５に示すように、アクティブマトリクス基板３０のソース配線１２の下側の、ゲート配線１１，容量配線１３，ゲート配線１１とソース配線１２との交叉部分を含む部分に、層間絶縁膜１４及びゲート絶縁膜１５が介在している。
　層間絶縁膜１４は、本発明のシロキサン組成物の硬化物を用いてなる。
　該シロキサン組成物は後工程の熱履歴に対して耐熱性を有する材料であり、例えばゲート絶縁膜１５の成膜工程において熱履歴を受けてもデバイス特性上問題となる物性変化を起こさない。ゲート絶縁膜１５の成膜工程の熱履歴に耐えるためには、３００℃以上の耐熱性を有するのが好ましい。本発明において、耐熱性は、シロキサン組成物の硬化過程及び硬化過程以後に晒される熱履歴後において、電気絶縁性、誘電率、透明膜の着色、白化、膜厚等の安定性が保持できる温度で定義される。すなわち、熱履歴を受けた後に前記物性が保持されている。
　そして、上述の熱履歴を受けても、層間絶縁膜１４の光透過率（透過率）が９０％以上を確保できるのが好ましい。ここで光透過率とは、ガラス基板上に３００℃以下の温度で硬化させた後の膜に対し、３００℃、１時間の熱履歴を加えた後の、４００ｎｍの波長の光の２μｍの膜厚に対する透過率で定義する。
　さらに、層間絶縁膜１４の比誘電率は４以下であるのが好ましい。
　また、硬化後の熱履歴による昇華物等が加熱真空炉を汚染することにより素子の動作欠陥が生じて良品率が低下するのを防ぐため、硬化膜は熱履歴による膜厚減少量（膜べり）が少ないことが望まれる。すなわち、３００℃での膜べりが５％以下であるのが好ましい。ここで、膜べりとは２３０℃で３０分以上の条件で硬化させた室温における膜厚（ｉ）、この硬化膜をさらに３００℃で１時間（常圧、空気中あるいは窒素雰囲気下）の熱履歴を加えた後の室温における膜厚（ｉｉ）から以下の通り求める。
膜べり＝（（ｉ）－（ｉｉ））/（ｉ）（％）
　そして、ソース配線１２を覆うようにパッシベーション膜２１が形成され、パッシベーション膜２１を覆うとともに平坦化するように有機材料を含む層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２上には、画素電極２３がパターン形成されている。
　図４に示すように、アクティブマトリクス基板３０の絶縁基板１０上に、ゲート電極１１ａ（ゲート配線１１の一部をなす）、及び容量配線１３が形成されている。
　層間絶縁膜１４は絶縁基板１０を覆うように形成されている。ゲート電極１１ａ上及び容量配線１３上で、夫々の端縁部を除く部分は層間絶縁膜１４により覆われず、開口部Ｃａ，Ｃａが形成されている。層間絶縁膜１４上、ゲート電極１１ａ上、及び容量配線１３上にはゲート絶縁膜１５が形成され、ゲート絶縁膜１５上の、ゲート電極１１ａ側の開口部Ｃａに対応する部分に半導体膜１６が形成されている。そして、半導体膜１６を覆うようにｎ+ 膜１７が形成され、ソース領域及びドレイン領域が形成されており、ソース領域上及びドレイン領域上にソース電極１８及びドレイン電極１９が形成されている。ゲート電極１１ａ、ゲート絶縁膜１５、半導体膜１６、ｎ+ 膜１７、ソース電極１８、及びドレイン電極１９によりＴＦＴ２５が構成される。
　そして、ソース電極１８及びドレイン電極１９を覆うようにパッシベーション膜２１が形成され、パッシベーション膜２１を覆うように層間絶縁膜２２が形成されている。
　図３及び図４に示すように、ゲート絶縁膜１５上の容量配線１３に対応する位置には、容量電極２０が形成されている。容量電極２０上には画素電極２３が形成されている。
　画素電極２３は、開口部Ｃａの上側の開口部Ｃｂにおいて容量電極２０に接続され、容量電極２０がゲート絶縁膜１５を介して容量配線１３に重なることにより、補助容量が構成されている。容量電極２０は、ドレイン配線２７によりドレイン電極１９に接続されている。
　表示パネル３においては、各画素において、ゲートドライバ（不図示）からゲート信号がゲート配線１１を介してゲート電極１１ａに送られ、ＴＦＴ２５がオン状態になったときに、ソースドライバ（不図示）からソース信号がソース配線１２を介してソース電極１８に送られる。ソース信号がＴＦＴ２５のゲートをオンしたタイミングでドレイン電極１９、ドレイン接続配線２７、画素電極２３に書き込まれ、印加された電圧に応じて対向基板３１の共通電極との間に電位差が生じ、液晶層３２の透過率を変化させることで画像が表示される。
　図６Ａ～Ｅ及び図７Ｆ～Ｈは、本実施の形態に係るアクティブマトリクス基板３０の製造方法の製造工程を示す模式的断面図である。
　まず、ガラス基板等の絶縁基板１０の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ２００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）等を順に積層した金属膜を成膜し、その後、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ、金属膜のドライエッチング、レジストの剥離、及び洗浄を行うことにより、ゲート配線（ゲート電極１１ａとなる部分も形成される）１１、容量配線１３を形成する（図６Ａ）。なお、金属膜は上記の三層構造に限定されず、Ｃｕ膜等であってもよい。
　次いで、層間絶縁膜１４を形成する（図６Ｂ～Ｄ）。図８は、この層間絶縁膜形成の処理手順を示すフローチャートである。
　まず、本発明に係るシロキサン組成物をスピンコートにより、ゲート配線１１、及び容量配線１３を含む基板１０上に塗布し、膜１４ａを形成する（Ｓ１、図６Ｂ）。
　膜１４ａを形成した後、例えば１００℃で９０秒間プリベークし、膜厚を調整する（Ｓ２）。
　プリベーク後、フォトマスク２６を用いて膜１４ａに露光する（Ｓ３、図６Ｃ）。
　露光後、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液により現像する（Ｓ４）。これにより、開口部Ｃａ，Ｃａ等が、残渣等なく抜けたパターンが形成される。
　最後に、例えば２５０℃でポストベークし、膜１４ａを硬化させて層間絶縁膜１４を得る（Ｓ５、図６Ｄ）。
　層間絶縁膜１４上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば酸化シリコン又は窒化シリコン等を用いて膜を形成し、パターニングすることにより、ゲート絶縁膜１５を形成する。
　層間絶縁膜１４は、上述したように、３００℃以上の耐熱性を有しており、ゲート絶縁膜１５の成膜工程の熱履歴を受けても物性変化を起こさない。
　次いで、例えばＣＶＤ法によりアモルファスシリコン等からなる膜、ｎ+ アモルファスシリコン等からなる膜を形成し、パターニングすることにより、ソース領域、及びドレイン領域に対応する半導体膜１６、及びｎ+ 膜１７を形成する（図６Ｅ）。
　そして、例えばスパッタリング法によりＭｏ等を堆積し、パターニングすることにより、ソース電極１８、及びドレイン電極１９を形成する（図７Ｆ）。このとき、ゲート絶縁膜１５上の、容量配線１３側の開口部Ｃａに対応する部分に容量電極２０を形成する（不図示）。
　ソース電極１８、及びドレイン電極１９上に、例えばＣＶＤ法により窒化シリコン等の膜を形成し、パターニングすることによりパッシベーション膜２１を形成し、パッシベーション膜２１上に例えばアクリル樹脂等の合成樹脂からなる膜を形成し、パターニングすることにより層間絶縁膜２２を形成する（図７Ｇ）。
　層間絶縁膜２２上に、例えばスパッタリング法によりＩＴＯ膜を形成し、パターニングすることにより画素電極２３を形成する（図７Ｈ）。
　本実施の形態においては、本発明に係るシロキサン組成物を含む膜１４ａを形成した後、開口部Ｃａ，Ｃａを含むパターンを形成するときに、レジスト塗布工程、エッチング工程、及びレジスト剥離工程が不要であるので、製造工程を簡素化することができる。膜応力による基板反りも抑制され、製造時に基板の流動トラブルが生じることも抑制されている。また、エッチング工程がなくなることにより副生成物（異物）が生じず、クラック耐性が良好であり、シロキサン組成物由来の異物も生じないので、不良発生率が低下し、歩留りが良好になる。従って、製造コストを低減することができる。
　そして、層間絶縁膜１４の透過率は９０％以上であり、該層間絶縁膜１４を有するアクティブマトリクス基板３０を備える表示パネル３の透過率は良好である。
実施の形態２．
　本発明の実施の形態２に係る表示モジュールは、アクティブマトリクス基板３４の層間絶縁膜１４とゲート絶縁膜１５との成膜の順序が異なること以外は、実施の形態１に係る表示モジュール２と同一の構成を有する。図９はアクティブマトリクス基板３４のＴＦＴ３５が設けられている部分を示す模式的断面図、図１０はアクティブマトリクス基板３４のゲート配線１１とソース配線１２とが交叉する部分を示す模式的断面図である。図９及び図１０中、図４及び図５と同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。
　図１０に示すように、アクティブマトリクス基板３４のゲート配線１１とソース配線１２との交叉部分において、絶縁基板１０上に形成されたゲート配線１１と、ソース配線１２との間には、ゲート絶縁膜１５及び層間絶縁膜縁膜１４が、絶縁基板１０側からこの順に介在している。
　層間絶縁膜１４は、上記と同様の本発明に係るシロキサン組成物を有するＳＯＧ材料を用いてなる。
　図９に示すように、アクティブマトリクス基板３４の絶縁基板１０上に、ゲート電極１１ａ、及び容量配線１３が形成されている。
　ゲート絶縁膜１５は、絶縁基板１０、ゲート電極１１ａを含むゲート配線１１、及び容量配線１３を覆うように形成されている。層間絶縁膜１４はゲート絶縁膜１５を覆うように形成されている。そして、層間絶縁膜１４のゲート電極１１ａ上、及び容量配線１３上に対応する部分には、開口部Ｃａ，Ｃａが形成されている。層間絶縁膜１４のゲート電極１１ａ側の開口部Ｃａには半導体膜１６及びｎ+ 膜１７がこの順に形成されている。
　本実施の形態においては、本発明に係るシロキサン組成物を含む膜１４ａを形成した後、パターニングするときに、レジスト塗布工程、エッチング工程、及びレジスト剥離工程が不要であるので、製造コストを下げることができる。製造時に基板の流動トラブルが生じることも抑制されている。また、エッチング工程がなくなることにより副生成物の発生がなくなり、クラック耐性が良好であるのでシロキサン組成物由来の異物も生じず、不良発生率が低下し、歩留りが良好になる。
　層間絶縁膜１４の透過率は９０％以上であり、表示パネル３の透過率は良好である。
実施の形態３．
　本発明の実施の形態３に係る表示装置は、アクティブマトリクス基板３６において、半導体膜１６及びｎ+ 膜１７を形成した後に層間絶縁膜１４を形成してあること以外は、実施の形態２に係る表示装置と同一の構成を有する。図１１はアクティブマトリクス基板３６のＴＦＴ３７が設けられている部分を示す模式的断面図である。アクティブマトリクス基板３６において、ゲート配線１１とソース配線１２とが交叉する部分の構成は、実施の形態２に係るゲート配線１１とソース配線１２とが交叉する部分の構成と同一である。図１１中、図９と同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。
　図１１に示すように、アクティブマトリクス基板３６の絶縁基板１０上に、ゲート電極１１ａ、及び容量配線１３が形成されている。
　ゲート絶縁膜１５は、絶縁基板１０、ゲート電極１１ａを含むゲート配線１１、及び容量配線１３を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜１５のゲート電極１１ａ上に対応する部分には半導体膜１６及びｎ+ 膜１７がこの順に形成されている。層間絶縁膜１４はゲート絶縁膜１５を覆うように形成されている。層間絶縁膜１４のゲート電極１１ａ上、及び容量配線１３上に対応する部分には、開口部Ｃａ，Ｃａが形成されている。
　本実施の形態においては、本発明に係るシロキサン組成物を含む膜１４ａを形成した後、パターニングするときに、レジスト塗布工程、エッチング工程、及びレジスト剥離工程が不要であるので、製造コストを下げることができる。製造時に基板の流動トラブルが生じることも抑制されている。また、エッチング工程がなくなることにより副生成物の発生がなくなり、クラック耐性が良好であるのでシロキサン組成物由来の異物も生じず、不良発生率が低下し、歩留りが良好になる。
　層間絶縁膜１４の透過率は９０％以上であり、表示パネル３の透過率は良好である。
実施の形態４．
　本発明の実施の形態４に係る表示装置は、アクティブマトリクス基板３８の層間絶縁膜２２の材料が層間絶縁膜１４と同様の本発明に係るシロキサン組成物を含むこと以外は、実施の形態１に係る表示モジュール２と同一の構成を有する。図１２はアクティブマトリクス基板３８のＴＦＴ３９が設けられている部分を示す模式的断面図である。アクティブマトリクス基板３８において、ゲート配線１１とソース配線１２とが交叉する部分の構成は、実施の形態１に係るゲート配線１１とソース配線１２とが交叉する部分の構成と同一である。図１２中、図４と同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。
　上述したように、層間絶縁膜２２は、アクリル系の樹脂ではなく、層間絶縁膜１４と同様のシロキサン組成物を用いて形成されている。
　従って、本実施の形態においては、アクティブマトリクス基板３８を構成する膜の材料、及び成膜の設備を共通化することができ、製造コストを低減化させることができ、材料の管理を容易にすることができる。
実施の形態５．
　本発明の実施の形態５に係る表示装置は、アクティブマトリクス基板４０において、層間絶縁膜１４の形成パターンが異なること以外は、実施の形態２に係る表示装置と同様の構成を有する。図１３はアクティブマトリクス基板４０のＴＦＴ４１が設けられている部分を示す模式的断面図、図１４はアクティブマトリクス基板４０のゲート配線１１とソース配線１２とが交叉する部分を示す模式的断面図である。図１３及び図１４中、図９及び図１０と同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。
　図１４に示すように、アクティブマトリクス基板４０のゲート配線１１とソース配線１２との交叉部分において、絶縁基板１０上に形成されたゲート配線１１と、ソース配線１２との間には、ゲート絶縁膜１５及び層間絶縁膜縁膜１４が、絶縁基板１０側からこの順に介在している。
　層間絶縁膜１４は、上記と同様の本発明に係るシロキサン組成物を用いてなる。
　アクティブマトリクス基板４０においては、実施の形態２に係るアクティブマトリクス基板３４と異なり、ゲート配線１１，１１間に対応するゲート絶縁膜１５上には、層間絶縁膜１４が形成されていない。また、後述するように、ゲート配線１１のゲート電極１１ａが形成されている部分の上側には層間絶縁膜１４は形成されていない。
　図１３に示すように、アクティブマトリクス基板４０の絶縁基板１０上に、ゲート電極１１ａ、及び容量配線１３が形成されている。
　上述したように、ゲート配線１１のゲート電極１１ａが形成されている部分の上側には層間絶縁膜１４は形成されていない。また、容量配線１３の上側、及びゲート配線１１と容量配線１３との間にも層間絶縁膜１４は形成されていない。
　本発明のポジ型感光性シロキサン組成物を用いる、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、エッチング工程を行わずに層間絶縁膜１４を形成することができ、シロキサン組成物に基づく副生成物が発生せず、配線間リークの発生が抑制されるので、ゲート配線１１とソース配線１２との交叉部分等の、配線間容量を下げることが要求される必要最低限の部分のみに、層間絶縁膜１４を設けることができる。従って、透過率を確保したい画素部分、容量を大きくしたい容量配線１３の部分、開口部Ｃａ，Ｃａの部分には層間絶縁膜１４を配しないように設計することで、アクティブマトリクス基板４０を備える表示パネル３が良好な透過率を有することができる。
　以下に実施例、比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例、比較例により何ら限定されるものではない。
＜合成例＞
　先ず、本発明のポリシロキサンの合成例を以下に示す。なお、測定にあたって、次の装置を用いた。
ＧＰＣ：ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ（東ソー株式会社製）
スピンコーター：ＭＳ－Ａ１００（ミカサ株式会社製）
＜合成例１（ポリシロキサン（Ｉａ）の合成：アルカリ触媒合成）＞
　撹拌機、温度計、冷却管を備えた２Ｌのフラスコに、２５質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液３６．５ｇ、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）８００ｍｌ、水２．０ｇを仕込み、次いで滴下ロートにフェニルトリメトキシシラン３９．７ｇ、メチルトリメトキシシラン３４．１ｇ、テトラメトキシシラン７．６ｇの混合溶液を調整した。その混合溶液を１０℃にて前記フラスコ内に滴下し、同温で３時間撹拌した後、１０％ＨＣｌ水溶液を加え中和した。中和液にトルエン４００ｍｌ、水１００ｍｌを添加し、２層に分離させ、得られた有機層を減圧下濃縮することで溶媒を除去し、濃縮物に固形分濃度４０質量％となるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を添加調整した。
　得られたポリシロキサンの分子量（ポリスチレン換算）をＧＰＣにて測定したところ、質量平均分子量（以下「Ｍｗ」と略記することがある。）＝２，２００であった。また、得られた樹脂溶液をシリコンウエハにプリベーク後の膜厚が２μｍになるようにスピンコーターにより塗布し、プリベーク後５％ＴＭＡＨ水溶液に対する溶解速度（以下「ＡＤＲ」と略記することがある。）を測定したところ、４９０Å／秒であった。
＜合成例２（ポリシロキサン（Ｉｂ）の合成：アルカリ触媒合成）＞
　合成例１と同様にして、２５質量％ＴＭＡＨ水溶液５４．７ｇ、ＩＰＡ８００ｍｌを仕込み、ついで滴下ロートにフェニルトリメトキシシラン３９．７ｇ、メチルトリメトキシシラン３４．１ｇ、テトラメトキシシラン７．６ｇの混合溶液を調整した。その混合溶液を１０℃にて前記フラスコ内に滴下し、同温で３時間撹拌した後、１０％ＨＣｌ水溶液を加え中和した。中和液にトルエン４００ｍｌ、水１００ｍｌを添加し、２層に分離させ、得られた有機層を減圧下濃縮することで溶媒を除去し、濃縮物に固形分濃度４０質量％となるようにＰＧＭＥＡを添加調整した。得られたポリシロキサンの分子量（ポリスチレン換算）、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液に対するＡＤＲを合成例１と同様にして測定したところ、Ｍｗ＝１，８１０であり、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液に対するＡＤＲは、１，４７０Å／秒であった。
＜実施例１（ポジ型感光性シロキサン組成物１）＞
（Ｉａ）：（Ｉｂ）＝（１２質量％）：（８８質量％）の割合で混ぜたポリシロキサン、４－４’－（１－（４－（１－（４－ヒドロキシフェノール）－１－メチルエチル）フェニル）エチリデン）ビスフェノールのジアゾナフトキノン２．８モル変性体（以下「ＰＡＣ」と略す）をポリシロキサンに対して６質量％、ボロン酸系の光酸発生剤「ＣＰＩ－３１０Ｂ」（サンアプロ社製）（以下「ＰＡＧ」と略す）をポリシロキサンに対して３質量％、また界面活性剤として「ＫＦ－５３」（信越化学工業株式会社製）をポリシロキサンに対して０．３質量％の混合物を固形分とし、溶剤としてＰＧＭＥＡ９４％とガンマブチロラクトン６％との混合溶媒により固形分濃度が３５％になるように調整して、感光性シロキサン組成物１を得た。
　この感光性シロキサン組成物１を、スピンコートにてシリコンウエハ上に塗布し、塗布後ホットプレート上で１００℃でプリベークし、２．３μｍの膜厚になるように調整した。プリベーク後、ステッパの「ＦＸ－６０４」（ＮＡ＝０．１：株式会社ニコン製）のｇ、ｈ線露光機を用い、４５０ｍＪ／ｃｍ2で露光し、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で室温にて１００秒の現像後、純水によるリンスを行った。その後、露光機として「ＰＬＡ－５０１Ｆ」（キヤノン株式会社製）を用いて２０００ｍＪ／ｃｍ2で全面露光することにより、膜中の残存ＰＡＣのブリーチングを行った。ホットプレートを用いて空気中２３０℃で３０分間キュアして硬化膜を作製した。硬化後の最終膜厚は、２．１μｍであった。その後、ＳＥＭ観察を行うことにより、「ＦＸ－６０４」の装置の解像限界である、３μｍのコンタクトホール（前記開口部）パターンが抜けていることが確認された。ここで、コンタクトホール形成の可否は、マスクのコンタクトホール設計の８０％以上のボトムコンタクトの形成で判断した。
　透過率測定用の試験体は、以下の手順で作製した。同シロキサン組成物１をガラス（「イーグルＸＧ」、厚さ０．７ｍｍ：コーニング社製）上にスピンコートにて塗布し、塗布後ホットプレート上で１００℃でプリベークし、２．３μｍの膜厚になるように調整した。２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で室温にて１００秒の現像後、純水によるリンスを行った。その後、「ＰＬＡ－５０１Ｆ」を用いて２０００ｍＪ／ｃｍ2で全面露光することにより、膜中の残存ＰＡＣのブリーチングを行った。ホットプレートを用いて空気中２３０℃で３０分間キュアして硬化膜を作製した。その後、ホットプレートを用いて空気中で３００℃で１時間の熱履歴を加えた。ＳＥＭ観察によりキュア後と熱履歴後の平均膜厚をそれぞれ求めたところ、２．１０μｍ（膜べり無）で変化はなかった。
　光透過率の測定は、分光光度計として「Ｕ－４０００」（株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いて、ガラスのみを測定してリファレンスとした。次に透過率測定用の試験体を測定し、膜厚２μｍあたりの波長４００ｎｍでの光透過率を求めたところ、９７％であった。
＜実施例２（ポジ型感光性シロキサン組成物２）＞
　ＰＡＣをポリシロキサンに対し６質量％から９質量％に変更した以外、実施例１と同様に感光性シロキサン組成物２を得た。
　実施例１と同様に基板に塗布し、パターンを形成し、パターンの解像性を確認したところ、５μｍのコンタクトホールパターンが残渣なく抜けていることが確認された。また、実施例１と同様に光透過率を測定し、膜厚２μｍあたりの波長４００ｎｍでの光透過率を求めたところ、９２％であった。また、実施例１と同様に平均膜厚を求めたところ、２．１７μｍから２．１０μｍに減少し、膜べりは３．２％であった。
＜比較例１（ポジ型感光性シロキサン組成物３）＞
　ＰＡＧを添加しない以外、実施例１と同様に感光性シロキサン組成物３を得た。
　実施例１と同様に基板に塗布しパターンを形成し、パターンの解像性を確認したところ、２０μｍのコンタクトホールを形成することができなかった。現像直後は、実施例１と同様に３μｍのコンタクトホールのパターンが確認できることから、２３０℃の加熱硬化時にパターンが熱フローして、コンタクトホールが塞がったと考えられる。また、実施例１と同様に光透過率を測定し、膜厚２μｍあたりの波長４００ｎｍでの光透過率を求めたところ、９７％であった。また、実施例１と同様に平均膜厚を求めたところ、２．１６μｍから２．０９μｍに減少し、膜べりは３．２％であった。
＜比較例２（ポジ型感光性シロキサン組成物４）＞
　ＰＡＧを添加せず、ＰＡＣをポリシロキサンに対して６質量％から１２質量％に変更した以外、実施例１と同様に感光性シロキサン組成物４を得た。
　実施例１と同様に基板に塗布しパターンを形成し、パターンの解像性を確認したところ、５μｍのコンタクトホールパターンが抜けていることが確認された。また、実施例１と同様に光透過率を測定し、膜厚２μｍあたりの波長４００ｎｍでの光透過率を求めたところ、８７％であった。また、実施例１と同様に平均膜厚を求めたところ、２．１７μｍから２．０９μｍに減少し、膜べりは３．７％であった。
　以上の実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２より、実施例１、実施例２のポジ型感光性シロキサン組成物は良好な耐熱性を有し、高感度、高精細にパターンを形成することができることが確認された。
　なお、本発明は上述した実施の形態１～５の内容に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
　１　テレビジョン受信機
　２　表示モジュール（表示装置）
　３　表示パネル（表示装置）
　３０、３４、３６、３８、４０　アクティブマトリクス基板
　１０　絶縁基板
　１１　ゲート配線
　１１ａ　ゲート電極
　１２　ソース配線
　１３　容量配線
　１４　層間絶縁膜
　１５　ゲート絶縁膜
　１６　半導体膜
　１７　ｎ+ 膜
　１８　ソース電極
　１９　ドレイン電極
　２０　容量電極
　２１　パッシベーション膜
　２２　層間絶縁膜
　２３　画素電極
　２５、３５、３７、３９、４１　ＴＦＴ
　Ｃａ、Ｃｂ　開口部
　３１　対向基板
　３２　液晶層

Claims (10)

  1. （Ｉ）テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に対する溶解速度が異なる少なくとも２種類以上のポリシロキサン、（II）ジアゾナフトキノン誘導体、（III）光酸発生剤、及び（IV）溶剤を含有するポジ型感光性シロキサン組成物であって、
    　前記ポリシロキサン（Ｉ）が、
    （Ａ）下記一般式（１）：
    　Ｒ1 nＳｉ（ＯＲ2 ）4-n 
    （式中、Ｒ1 は、任意のメチレンが酸素で置き換えられてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は炭素数６～２０で任意の水素がフッ素で置き換えられてもよいアリール基を表し、Ｒ2 は、炭素数１～５のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。）
    で表されるシラン化合物を塩基性触媒の存在下で加水分解及び縮合させて得られるプリベーク後の膜が５質量％ＴＭＡＨ水溶液に可溶であり、その溶解速度が１０００Å／秒以下であるポリシロキサン（Ia）と、
    （Ｂ）前記一般式（１）で表されるシラン化合物を塩基性触媒又は酸性触媒の存在下で加水分解及び縮合させて得られるプリベーク後の膜の２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液に対する溶解速度が１００Å／秒以上であるポリシロキサン（Ib）と
    の混合物であることを特徴とするポジ型感光性シロキサン組成物。
  2. 　前記ポリシロキサンが、一般式（１）におけるｎ＝０のシラン化合物を２０モル％以下で反応させて得られたことを特徴とする、請求項１に記載のポジ型感光性シロキサン組成物。
  3. 　前記ジアゾナフトキノン誘導体、及び前記光酸発生剤の量が、前記ポリシロキサン（Ｉ）１００質量部に対して、夫々３質量部以上１０質量部以下、及び０．０１質量部以上１０質量部以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性シロキサン組成物。
  4. 　基板上に、複数のソース配線と複数のゲート配線とを立体的に交叉するように形成し、前記ソース配線と前記ゲート配線とが交叉する部分の近傍に薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを介して対応するソース配線に電気的に接続される画素電極を形成してあり、少なくとも前記ソース配線と前記ゲート配線との間に、請求項１から３までのいずれか１項のポジ型感光性シロキサン組成物の硬化物からなる層間絶縁膜が介在することを特徴とするアクティブマトリクス基板。
  5. 　前記層間絶縁膜が、
    　３００℃以上の耐熱性を有し、
    　光透過率が９０％以上であり、
    　３００℃における膜厚減少量が５％以下であり、
    　比誘電率が４以下であることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
  6. 　前記層間絶縁膜が、前記ソース配線と前記ゲート配線とが交叉する部分に形成してあることを特徴とする請求項４又は５に記載のアクティブマトリクス基板。
  7. 　前記薄膜トランジスタの上側に、前記硬化物からなる層間絶縁膜をさらに有することを特徴とする請求項４から６までのいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
  8. 　請求項４から７までのいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板と、
    　該アクティブマトリクス基板上に配置された表示媒体層と、
    　前記アクティブマトリクス基板に前記表示媒体層を介して対向する対向基板と
    　を備えることを特徴とする表示装置。
  9. 　基板上に、複数のソース配線と複数のゲート配線とを立体的に交叉するように形成し、前記ソース配線と前記ゲート配線とが交叉する部分の近傍に薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを介して対応するソース配線に電気的に接続される画素電極を形成する工程を有し、少なくとも前記ソース配線と前記ゲート配線との間に、請求項１から３までのいずれか１項のポジ型感光性シロキサン組成物の硬化物からなる層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
    　前記層間絶縁膜形成工程が、
    　前記ポジ型感光性シロキサン組成物を用いて膜を形成する膜形成工程と、
    　形成した膜をプリベークする工程と、
    　プリベークした膜を露光する工程と、
    　露光した膜を現像する工程と、
    　現像した膜を焼成する工程と
    　を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
  10. 　前記膜形成工程は、前記ソース配線と前記ゲート配線とが交叉する部分に膜を形成することを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
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