WO2014163118A1 - アクティブマトリクス回路、アクティブマトリクス回路の製造方法、及び画像表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス回路、アクティブマトリクス回路の製造方法、及び画像表示装置 Download PDF

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connection line
line
matrix circuit
connection
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琢也 大石
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堺ディスプレイプロダクト株式会社
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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix

Definitions

  • the present invention relates to an active matrix image display device, and more particularly to an active matrix circuit, a method of manufacturing an active matrix circuit, and an image display device.
  • the active matrix circuit is configured by arranging a plurality of pixel electrodes for applying a voltage to the liquid crystal corresponding to a pixel in a matrix and connecting the active element to each pixel electrode.
  • the active element is, for example, a TFT (thin film transistor).
  • TFT thin film transistor
  • the active matrix circuit a plurality of signal lines parallel to each other and a plurality of other signal lines orthogonal thereto are arranged, and the active elements are connected to the two signal lines intersecting in plan view. When current flows through the two intersecting signal lines, the active element is turned on, the pixel electrode applies a voltage to the liquid crystal, and the liquid crystal panel is driven.
  • Patent Document 1 discloses an example of an active matrix circuit including a protection circuit.
  • the protection circuit disclosed in Patent Document 1 two switching elements are connected in antiparallel between two adjacent signal lines.
  • the switching element of the protection circuit is turned on, the charge is distributed to the plurality of signal lines, and the active element that operates the pixel electrode is protected.
  • the switching element of the protection circuit is in an off state, and the resistance between two adjacent signal lines is high, and there is no effect on the signal flowing through the signal line.
  • the signal line in the protection circuit and the connection line connected to the signal line from the switching element are composed of two conductive layers stacked via an insulating layer, and the connection part between the signal line and the connection line has A contact hole is provided for contacting the two conductive layers.
  • a defect in which the resistance between two signal lines connected to the switching element in the protection circuit is lowered there are, for example, a defect in an insulating layer or a leak between two conductive layers due to electrostatic breakdown.
  • a protection circuit is corrected by cutting a connection line connected to a portion causing a decrease in resistance with a laser.
  • an active matrix circuit is disposed in a liquid crystal panel so as to face a circuit including an electrode facing a pixel electrode, and a short circuit via a conductive material is caused between the circuit facing the active matrix circuit and a contact hole. May occur.
  • An object of the present invention is to provide an active matrix circuit, a method of manufacturing the active matrix circuit, and an image display device that prevent the protection circuit from being defective.
  • An active matrix circuit includes a plurality of signal lines arranged in a grid, a plurality of electrodes and active elements arranged corresponding to the intersections of the plurality of signal lines, and the active elements are protected from static electricity.
  • the protection circuit includes a switching element connected between two signal lines, a connection line connecting the switching element and the signal line, and the connection line comprising: A connection point connected to the signal line, the connection line having a cut portion for cutting, and a position on the connection line that is equidistant from two connection points closest to the connection line Is included in the cutting portion.
  • An active matrix circuit includes a plurality of signal lines arranged in a grid, a plurality of electrodes and active elements arranged corresponding to the intersections of the plurality of signal lines, and the active elements are protected from static electricity.
  • the protection circuit connects the conductive line, the switching element connected to the conductive line and the signal line, and the connection from the switching element to the signal line or the conductive line.
  • the protection circuit further includes a mark indicating the cut portion.
  • the active matrix circuit according to the present invention is characterized in that the mark is a protruding portion in which a part of the connection line protrudes in a direction crossing the connection line.
  • the mark is a constriction provided in the middle of the connection line.
  • the mark is provided apart from the connection line, and is a figure indicating the cut portion.
  • the method for manufacturing an active matrix circuit according to the present invention is a method for manufacturing an active matrix circuit according to the present invention, wherein a connection line connected to a switching element whose resistance value in an off state is a predetermined value or less is cut. It is characterized by cutting the part.
  • the image display device includes the active matrix circuit according to the present invention.
  • the active matrix circuit included in the image display device includes a protection circuit that protects a plurality of active elements that drive a plurality of electrodes arranged in a matrix from static electricity.
  • switching elements are connected via connection lines between signal lines connected to active elements or between signal lines and conductive lines.
  • the connection line is connected to the signal line or the conductive line at the connection point, and has a cutting portion for cutting when a failure occurs in the protection circuit.
  • On the connection line a position that is equidistant from the two connection points closest to the connection line is included in the cutting portion.
  • the cut portion of the connection line connected to the switching element related to the defect is cut.
  • the protection circuit is modified by the disconnection. Moreover, since the position to be cut is far from the connection point, the conductive material scattered at the time of cutting is prevented from adhering to the connection point.
  • the cut portion is indicated by a mark.
  • the cut portion indicated by the mark is cut.
  • the mark is formed by the protruding portion from which a part of the connection line protrudes.
  • the mark is formed by constriction provided in the middle of the connection line.
  • the mark is formed by a figure separated from the connection line.
  • the present invention during the production of an active matrix circuit, it is possible to correct a protection circuit in which a failure has occurred while preventing the occurrence of a failure due to a conductive material adhering to a connection point of a wiring in the protection circuit.
  • the present invention has excellent effects.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the active matrix circuit according to the first embodiment. 3 is an enlarged schematic diagram of a connection portion between a gate line and a TFT in the protection circuit according to Embodiment 1.
  • FIG. 5 is a schematic sectional view taken along line VV in FIG. 4. It is a schematic diagram which shows the protection circuit after cut
  • FIG. 6 is an enlarged schematic diagram of a connection portion between a gate line and a TFT in a protection circuit in a second embodiment.
  • FIG. 6 is an enlarged schematic diagram of a connection portion between a gate line and a TFT in a protection circuit in a second embodiment.
  • FIG. 6 is an enlarged schematic diagram of a connection portion between a gate line and a TFT in a protection circuit in a second embodiment.
  • 6 is an enlarged schematic diagram of a connection portion between a gate line and a TFT in a protection circuit in Embodiment 3.
  • FIG. FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of an active matrix circuit according to a fourth embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing an external appearance of an image display device of the present invention
  • FIG. 2 is an exploded perspective view showing a configuration of optical elements of the image display device.
  • the image display device is, for example, a television receiver.
  • the image display device includes a liquid crystal panel 2 and a backlight 3 disposed behind the liquid crystal panel 2.
  • the liquid crystal panel 2 is illuminated by the backlight 3 from behind and displays an image.
  • the liquid crystal panel 2 includes a polarizing plate 21 and a polarizing plate 27 that transmit linearly polarized light whose polarization directions are orthogonal to each other.
  • liquid crystal panel 2 Other elements of the liquid crystal panel 2 are disposed between the polarizing plate 21 and the polarizing plate 27.
  • a transparent substrate 26 is disposed on the front side of the polarizing plate 27.
  • the active matrix circuit 1 is mounted on the front surface of the substrate 26.
  • a liquid crystal unit 25 configured by sandwiching a liquid crystal layer from the front and back with an alignment film for aligning liquid crystal molecules is disposed.
  • an electrode layer 24, a color filter 23, and a transparent color filter substrate 22 are disposed on the front side of the liquid crystal unit 25, and an electrode layer 24, a color filter 23, and a transparent color filter substrate 22 are disposed.
  • a color filter 23 is provided on the rear surface of the color filter substrate 22, and an electrode layer 24 is provided on the rear side of the color filter 23.
  • the electrode layer 24 and the active matrix circuit 1 are opposed to each other with the liquid crystal unit 25 interposed therebetween, and a voltage for operating the liquid crystal panel 2 to display an image is applied between them.
  • a polarizing plate 21 is disposed on the front side of the color filter substrate 22. Note that the image display apparatus may further include other optical elements.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the active matrix circuit 1 according to the first embodiment.
  • a plurality of signal lines are arranged in a lattice pattern. That is, a plurality of gate lines (signal lines) 11 are wired in parallel, and a plurality of data lines (signal lines) 12 orthogonal to the gate lines 11 are wired.
  • the end of each gate line 11 is connected to the gate line terminal 111
  • the end of each data line 12 is connected to the data line terminal 121
  • the gate line 11 and the data line 12 are supplied with signals.
  • a plurality of pixel electrodes 13 are arranged in a matrix, and each pixel electrode 13 corresponds to an intersection of the gate line 11 and the data line 12.
  • a TFT 14 is connected to each pixel electrode 13.
  • the TFT 14 is connected to the gate line 11 and the data line 12 at which the pixel electrode 13 intersects at the corresponding intersection.
  • the TFT 14 is an active element that drives the pixel electrode 13.
  • a signal flows through any one of the gate line 11 and the data line 12
  • one TFT 14 connected to the gate line 11 and the data line 12 is turned on, and the pixel electrode 13 connected to the TFT 14 operates.
  • a voltage is applied between the opposing electrode layers 24.
  • the active matrix circuit 1 includes a protection circuit 15 that protects the TFT 14 connected to the gate line 11 from static electricity, and a protection circuit 16 that protects the TFT 14 connected to the data line 12 from static electricity.
  • the protection circuit 15 two TFTs (switching elements) 17 are connected in antiparallel between two adjacent gate lines 11 among a plurality of parallel gate lines 11. Two terminals including the gate of one TFT 17 are connected to one gate line 11, the other one terminal is connected to the other gate line 11, and two terminals including the gate of the other TFT 17 are connected to the other gate line 11. The other one terminal is connected to one gate line 11. Two TFTs 17 are connected to each combination of two adjacent gate lines 11.
  • the TFT 17 in the protection circuit 15 When static electricity is generated in the active matrix circuit 1 and a charge bias occurs between the two gate lines 11, the TFT 17 in the protection circuit 15 is turned on, and the charges are sequentially distributed to the plurality of gate lines 11.
  • the TFT 14 in the active matrix circuit 1 is protected from static electricity. In a state where there is no charge bias, the TFT 17 is in an OFF state and has a high resistance, and the signal flowing through the gate line 11 is not affected.
  • two TFTs 17 are connected in antiparallel between the two data lines 12 for each combination of two adjacent data lines 12. Similar to the protection circuit 15, when a charge bias occurs between the data lines 12 due to static electricity, the TFTs 17 in the protection circuit 16 are turned on, and the charges are sequentially distributed to the plurality of data lines 12.
  • the TFT 14 inside is protected from static electricity.
  • FIG. 4 is an enlarged schematic view of a connection portion between the gate line 11 and the TFT 17 in the protection circuit 15 according to the first embodiment
  • FIG. 5 is a schematic sectional view taken along the line VV in FIG. is there.
  • FIG. 5 also shows an electrode layer 24, a color filter 23, and a color filter substrate 22 facing the active matrix circuit 1.
  • the electrode layer 24 is opposed to a portion of the active matrix circuit 1 where the protection circuit 15 exists.
  • the protection circuit 15 is formed by laminating a metal layer, an insulating layer, and a semiconductor layer on a substrate 26.
  • the gate line 11 is constituted by a metal layer formed on the substrate 26.
  • An insulating layer 44 is stacked on the metal layer constituting the gate line 11 and the substrate 26, and a semiconductor layer is stacked on the insulating layer 44 to form the TFT 17.
  • a connection line 41 for connecting the TFT 17 and the gate line 11 is formed.
  • a connection line 41 formed of a metal layer is connected to the TFT 17.
  • the metal layer constituting the gate line 11 and the metal layer constituting the connection line 41 are insulated by an insulating layer 44.
  • connection point 43 is formed of a conductive layer that is in contact with both the metal layer constituting the gate line 11 and the metal layer constituting the connection line 41, and is exposed at a position facing the electrode layer 24.
  • a process of cutting the connection line 41 connected to the portion where the defect has occurred with a laser is performed. By disconnecting the connection line 41, the part where the defect has occurred is separated from the other part in the protection circuit 15, and the protection circuit 15 is corrected so as not to adversely affect the signal flowing through the gate line 11.
  • connection line 41 when the connection line 41 is cut without darkness, a metal piece may scatter from the cut portion, and the scattered metal piece may adhere to the contact hole 43.
  • the liquid crystal panel 2 is configured using the active matrix circuit 1 in which the metal piece is attached to the contact hole 43, the metal piece comes into contact with the electrode layer 24 facing the contact hole 43, and the contact hole 43 and the electrode layer are passed through the metal piece. There is a possibility that another defect that short-circuits with 24 occurs.
  • connection line 41 has a cutting portion 47 for cutting with a laser when a failure occurs in the protection circuit 15.
  • the cutting part 47 is a part of the connection line 41 when not cut.
  • the cutting portion 47 is a linear portion that intersects the connection line 41 and has a certain width.
  • the width of the cutting portion 47 is large enough to cut off the continuity of the connection line 41 and corresponds to, for example, the size of a laser spot that cuts the connection line 41.
  • the position of the cutting part 47 is as far as possible from the contact hole 43.
  • a midpoint 46 located at an equal distance from the two contact holes 43 closest to the connection line 41 is included in the range of the width of the cutting portion 47. Further, as shown in FIG.
  • the protection circuit 15 is provided with a mark 42 indicating the cutting portion 47.
  • the contact hole 43 is substantially on the gate line 11, and the midpoint 46 of the contact hole 43 of the two gate lines 11 is on the connection line 41 between the two gate lines 11. It is included in the range of the cutting part 47.
  • the mark 42 indicates the position of the cutting part 47. Further, it is desirable that at least a portion of the connection line 41 provided with the mark 42 is not laminated and is exposed so that the mark 42 can be confirmed on the protection circuit 15.
  • the connection line 41 connected to the TFT 17 is cut by a laser at the position of the cutting portion 47.
  • the cutting portion 47 indicated by the mark 42 on the connection line 41 is cut.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing the protection circuit 15 after the connection line 41 is cut.
  • the defective portion is indicated by 48.
  • the connection line 41 connected to the TFT 17 in which the defective portion 48 is generated is cut by the cutting portion 47.
  • the midpoint 46 of the two contact holes 43 closest to the connection line 41 is included in the range of the width of the cut portion 47 cut.
  • the protection circuit 16 has the same configuration as the protection circuit 15. That is, the data line 12 and the TFT 17 are connected by the connection line 41, and the connection line 41 has a cut portion 47. Further, on the connection line 41, a midpoint 46 located at an equal distance from the two contact holes 43 closest to the connection line 41 is included in the range of the width of the cutting portion 47, and is a mark indicating the cutting portion 47. 42 is provided. In the present embodiment, when the active matrix circuit 1 is manufactured, the resistance between the data lines 12 passing through the TFT 17 in the protection circuit 16 is measured, and when the resistance value is equal to or less than a predetermined value, it relates to a decrease in resistance. The cutting portion 47 indicated by the mark 42 is cut on the connection line 41 connected to the TFT 17.
  • the TFTs 17 are connected between the gate lines 11 or the data lines 12 via the connection lines 41.
  • the connection line 41 has a cut portion 47, and a midpoint 46 located at an equal distance from the two contact holes 43 closest to the connection line 41 on the connection line 41 is included in the range of the cut portion 47. ing.
  • a mark 42 indicating the cutting part 47 is provided.
  • the position of the cut portion 47 is a position as far as possible from the contact hole 43. . For this reason, it is possible to prevent the metal pieces scattered by cutting from adhering to the contact hole 43 as much as possible. Therefore, it is possible to prevent as much as possible another occurrence of a short circuit between the contact hole 43 and the electrode layer 24 through the metal piece.
  • the failure occurred while preventing the occurrence of another failure in which the contact hole 43 and the electrode layer 24 are short-circuited as much as possible.
  • the protection circuits 15 and 16 can be modified.
  • the mark 42 is a constriction provided only on one side of the connection line 41. If constriction is provided from both sides of the connection line 41, the connection line 41 becomes extremely thin at the mark 42, which may make it difficult to form the pattern of the connection line 41. Further, since the connection line 41 becomes extremely thin, the connection line 41 may be burned out when an overcurrent flows through the connection line 41, and the protection circuits 15 and 16 are weakened by the overcurrent.
  • the mark 42 may be provided on the side opposite to the example shown in FIG.
  • FIG. 7 to 9 are enlarged schematic views of a connection portion between the gate line 11 and the TFT 17 in the protection circuit 15 according to the second embodiment.
  • the mark 42 in the second embodiment is a protruding portion in which a part of the connection line 41 protrudes in a direction intersecting the connection line 41.
  • the position of the cutting part 47 indicated by the mark 42 is the same as in the first embodiment. That is, the midpoint 46 located at the same distance from the two contact holes 43 closest to the connection line 41 on the connection line 41 is included in the range of the cutting portion 47.
  • FIG. 7 shows an example in which the mark 42 is provided only on one side of the connection line 41.
  • the mark 42 may have a shape protruding from the opposite side of the connection line 41 to the side.
  • the connection line 41 can be prevented from being thinned.
  • FIG. 8 shows an example in which marks 42 are provided on both sides of the connection line 41. Since the mark 42 is provided by the protruding portions protruding from both sides of the connection line 41, the position indicated by the mark 42 becomes easier to understand.
  • FIG. 9 shows an example in which the mark 42 is formed by a protruding portion protruding from one side of the connection line 41 and a constriction provided on the opposite side of the connection line 41.
  • the positions of the protrusions and the constriction may be opposite to the example shown in FIG. Further, it is desirable that at least a portion of the connection line 41 provided with the mark 42 is not laminated with the insulating layer 45 and is exposed. Also in the present embodiment, the protection circuit 16 has the same configuration as that of the protection circuit 15.
  • the cut portion 47 that should cut the connection line 41 is indicated by a mark 42.
  • a defect in which the resistance between the gate lines 11 or the data lines 12 via the TFT 17 is reduced during the production of the active matrix circuit 1 occurs on the connection line 41 connected to the TFT 17 related to the generated defect.
  • the cutting part 47 indicated by the mark 42 is cut.
  • the protection circuits 15 and 16 in which the failure has occurred can be corrected while preventing the occurrence of another failure in which the contact hole 43 and the electrode layer 24 are short-circuited as much as possible.
  • FIG. 10 is an enlarged schematic view of a connection portion between the gate line 11 and the TFT 17 in the protection circuit 15 according to the third embodiment.
  • the mark 42 in the third embodiment is a figure indicating the cutting part 47 from the outside of the connection line 41.
  • a midpoint 46 located at an equal distance from the two contact holes 43 closest to the connection line 41 is included in the range of the cutting portion 47.
  • the mark 42 is provided apart from the connection line 41 and is, for example, a metal pattern formed on the insulating layer 44.
  • FIG. 10 shows a form in which the mark 42 is a triangular figure, but the mark 42 may be another figure such as an arrow. Also in the present embodiment, the protection circuit 16 has the same configuration as that of the protection circuit 15.
  • the cut portion 47 that should cut the connection line 41 is indicated by a mark 42.
  • a defect in which the resistance between the gate lines 11 or the data lines 12 via the TFT 17 is reduced during the production of the active matrix circuit 1 occurs on the connection line 41 connected to the TFT 17 related to the generated defect.
  • the cutting part 47 indicated by the mark 42 is cut.
  • the protection circuits 15 and 16 in which the failure has occurred can be corrected while preventing the occurrence of another failure in which the contact hole 43 and the electrode layer 24 are short-circuited as much as possible.
  • FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of the active matrix circuit 1 according to the fourth embodiment.
  • the protection circuit 15 that protects the TFT 14 connected to the gate line 11 from static electricity includes a single conductive line 51 in addition to the plurality of gate lines 11.
  • two TFTs 17 are connected in antiparallel between the gate lines 11 and the conductive lines 51.
  • Two terminals including the gate of one TFT 17 are connected to the gate line 11, the other one terminal is connected to the conductive line 51, and two terminals including the gate of the other TFT 17 are connected to the conductive line 51, One terminal is connected to the gate line 11.
  • the TFT 17 in the protection circuit 15 When static electricity is generated in the active matrix circuit 1 and a charge bias occurs between the gate line 11 and the conductive line 51, the TFT 17 in the protection circuit 15 is turned on, and a plurality of gate lines are connected through the common conductive line 51. The electric charges are sequentially dispersed in the TFT 11, and the TFT 14 in the active matrix circuit 1 is protected from static electricity. In a state where there is no charge bias, the TFT 17 is in an OFF state and has a high resistance, and the signal flowing through the gate line 11 is not affected.
  • the protection circuit 16 that protects the TFT 14 connected to the data line 12 from static electricity also includes one conductive line 52 in addition to the plurality of data lines 12.
  • two TFTs 17 are connected in antiparallel between the data lines 12 and the conductive lines 52. Similar to the protection circuit 15, when a charge bias occurs between the data lines 12 due to static electricity, the TFT 17 in the protection circuit 16 is turned on, and the charges are sequentially distributed to the plurality of data lines 12 through the common conductive line 52. Thus, the TFT 14 in the active matrix circuit 1 is protected from static electricity.
  • connection portion between the TFT 17 and the gate line 11 or the conductive line 51 in the protection circuit 15 has the same configuration as in the first to third embodiments. That is, the TFT 17 and the gate line 11 or the conductive line 51 are connected via the connection line 41, and a contact hole 43 connecting the gate line 11 or the conductive line 51 and the connection line 41 is provided in the protection circuit 15. Is provided.
  • the connection line 41 has a cut portion 47, and a midpoint 46 located at an equal distance from the two contact holes 43 closest to the connection line 41 on the connection line 41 is included in the range of the cut portion 47. ing. Further, a mark 42 indicating the cutting part 47 is provided.
  • connection line 41 has a cut portion 47.
  • a midpoint 46 located at an equal distance from two adjacent contact holes 43 is included in the range of the cut portion 47. Further, a mark 42 indicating the cutting part 47 is provided.
  • the cut portion 47 that should cut the connection line 41 is indicated by a mark 42.
  • the active matrix circuit 1 was manufactured, if a failure occurred in which the resistance between the gate line 11 and the conductive line 51 via the TFT 17 or the resistance between the data line 12 and the conductive line 52 was reduced, it occurred.
  • the cutting part 47 indicated by the mark 42 is cut on the connection line 41 connected to the TFT 17 related to the defect.
  • the protection circuits 15 and 16 in which the failure has occurred can be corrected while preventing the occurrence of another failure in which the contact hole 43 and the electrode layer 24 are short-circuited as much as possible.
  • the two TFTs 17 in antiparallel are used as switching elements for protecting the active matrix circuit 1.
  • the present invention uses other switching elements. It may be.
  • a mode in which one TFT 14 is used as an active element for driving the pixel electrode 13 is shown.
  • the present invention is not limited to other active elements such as an active element in which a plurality of elements are combined. The form using may be sufficient.
  • the liquid crystal panel 2 is configured using the active matrix circuit 1.
  • the active matrix circuit 1 may be another image display panel such as an EL (electro-luminescence) panel.
  • the form which comprises may be sufficient.
  • the image display device may be configured to display an image using an image display panel other than the liquid crystal panel 2 such as an EL panel.
  • Active matrix circuit 11 Gate line (signal line) 12 Data line (signal line) 13 Pixel electrode 14 TFT (active element) 15, 16 Protection circuit 17 TFT (switching element) 2 Liquid crystal panel 23 Color filter 24 Electrode layer 25 Liquid crystal part 26 Substrate 3 Backlight 41 Connection line 42 Marking 43 Contact hole (connection point) 47 Cutting part 51, 52 Conductive wire

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Abstract

　保護回路の不良を防止したアクティブマトリクス回路、アクティブマトリクス回路の製造方法、及び画像表示装置を提供する。　アクティブマトリクス回路は、アクティブ素子を静電気から保護する保護回路を備えている。保護回路中では、ゲート線（信号線）１１間に、ＴＦＴ（スイッチング素子）１７が接続線４１を介して接続されている。接続線４１は切断部４７を有し、切断部４７を示す目印４２が設けられている。接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール（接続点）４３から等距離に位置する中点４６が、切断部４７の範囲に含まれる。不良の発生時には、不良に関係するＴＦＴ１７に接続された接続線４１の切断部４７を切断する。切断によって、保護回路は修正される。また、切断部４７はコンタクトホール４３から遠く、飛散した導電物質がコンタクトホール４３に付着することが防止される。

Description

アクティブマトリクス回路、アクティブマトリクス回路の製造方法、及び画像表示装置
　本発明は、アクティブマトリクス方式の画像表示装置に関し、より詳しくは、アクティブマトリクス回路、アクティブマトリクス回路の製造方法、及び画像表示装置に関する。
　画像表示装置で用いられる液晶パネルには、アクティブマトリクス回路を用いたものがある。アクティブマトリクス回路は、画素に対応する液晶に電圧を印加する複数の画素電極がマトリクス状に配置され、夫々の画素電極にアクティブ素子が連結されて構成されている。アクティブ素子は例えばＴＦＴ（thin film transistor）である。アクティブマトリクス回路には、平行な複数の信号線と、これに直交した他の複数の信号線とが配設され、平面視で交差する二本の信号線にアクティブ素子が接続されている。交差する二本の信号線に電流が流れることで、アクティブ素子がオン状態となり、画素電極が液晶に電圧を印加し、液晶パネルが駆動する。
　アクティブマトリクス回路には、静電気からアクティブ素子を保護する保護回路が備えられていることが多い。特許文献１には、保護回路を備えたアクティブマトリクス回路の例が開示されている。特許文献１に開示された保護回路では、隣接する二本の信号線間に二つのスイッチング素子が逆並列に接続されている。隣接する二本の信号線間に静電気により電荷の偏りが生じた場合、保護回路のスイッチング素子がオン状態となり、複数の信号線に電荷が分散され、画素電極を動作させるアクティブ素子が保護される。電荷の偏りが生じていない状態では、保護回路のスイッチング素子はオフ状態であって隣接する二本の信号線間の抵抗が高く、信号線に流れる信号に影響は無い。
特開平１０－２０３３６号公報
　保護回路内での信号線とスイッチング素子から信号線に接続する接続線とは、絶縁層を介して積層された二つの導電層で構成されており、信号線と接続線との接続部には、二つの導電層を接触させるコンタクトホールが設けられている。アクティブマトリクス回路の製造過程において、保護回路中でスイッチング素子が接続された二本の信号線間の抵抗が低下する不良が発生することがある。製造過程の不良としては、例えば、絶縁層の欠損、又は静電破壊による二つの導電層間のリークがある。保護回路中で二本の信号線間の抵抗が低下した場合、電荷の偏りが生じていない状態でも、二本の信号線間に電流が流れ、信号に悪影響が及ぶ。そこで、抵抗が低下する原因になっている部分に接続された接続線をレーザで切断することにより、保護回路を修正することが行われている。
　ところが、保護回路内の接続線をレーザで切断した場合には、切断部分から導電物質が飛散することになる。飛散した導電物質がコンタクトホールに付着した場合は、別の不良を引き起こす虞がある。例えば、アクティブマトリクス回路は、画素電極に対向する電極を含む回路と液晶パネル内で対向配置されるものであり、アクティブマトリクス回路に対向した回路とコンタクトホールとの間で導電物質を介した短絡が発生する虞がある。
　本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、接続線の切断時に飛散した導電物質がコンタクトホールに付着することを可及的に防止することにより、保護回路の不良を防止したアクティブマトリクス回路、アクティブマトリクス回路の製造方法、及び画像表示装置を提供することにある。
　本発明に係るアクティブマトリクス回路は、格子状に配線された複数の信号線と、該複数の信号線の交差点に対応して配列された複数の電極及びアクティブ素子と、該アクティブ素子を静電気から保護する保護回路とを備えるアクティブマトリクス回路において、前記保護回路は、二本の信号線間に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子及び前記信号線の間を接続する接続線と、該接続線が前記信号線に接続された接続点とを備え、前記接続線は、切断されるための切断部を有し、前記接続線上で前記接続線に最も近接する二つの接続点から等距離になる位置が前記切断部に含まれていることを特徴とする。
　本発明に係るアクティブマトリクス回路は、格子状に配線された複数の信号線と、該複数の信号線の交差点に対応して配列された複数の電極及びアクティブ素子と、該アクティブ素子を静電気から保護する保護回路とを備えるアクティブマトリクス回路において、前記保護回路は、導電線と、該導電線及び信号線に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子から前記信号線又は前記導電線までの間を接続する接続線と、該接続線が前記信号線又は前記導電線に接続された接続点とを備え、前記接続線は、切断されるための切断部を有し、前記接続線上で前記接続線に最も近接する二つの接続点から等距離になる位置が前記切断部に含まれていることを特徴とする。
　本発明に係るアクティブマトリクス回路は、前記保護回路は、前記切断部を示す目印を更に備えることを特徴とする。
　本発明に係るアクティブマトリクス回路は、前記目印は、前記接続線に交差する方向へ前記接続線の一部が突出した突出部であることを特徴とする。
　本発明に係るアクティブマトリクス回路は、前記目印は、前記接続線の途中に設けた括れであることを特徴とする。
　本発明に係るアクティブマトリクス回路は、前記目印は、前記接続線とは離隔して設けられており、前記切断部を指し示した図形であることを特徴とする。
　本発明に係るアクティブマトリクス回路の製造方法は、本発明に係るアクティブマトリクス回路の製造方法であって、オフ状態での抵抗値が所定値以下になっているスイッチング素子に接続された接続線の切断部を切断することを特徴とする。
　本発明に係る画像表示装置は、本発明に係るアクティブマトリクス回路を備えることを特徴とする。
　本発明においては、画像表示装置に備えられるアクティブマトリクス回路は、マトリクス状に配列された複数の電極を駆動させる複数のアクティブ素子を静電気から保護する保護回路を備えている。保護回路中では、アクティブ素子に接続されている信号線間、又は信号線と導電線との間に、スイッチング素子が接続線を介して接続されている。接続線は、接続点で信号線又は導電線に接続されており、保護回路に不良が発生した場合に切断されるための切断部を有している。接続線上で、接続線に最も近接する二つの接続点から等距離になる位置が切断部に含まれている。アクティブマトリクス回路の製造時に、オフ状態のスイッチング素子を介した抵抗が低下する不良が発生した場合は、不良に関係するスイッチング素子に接続された接続線の切断部を切断する。切断によって、保護回路は修正される。また、切断される位置は接続点から遠いので、切断時に飛散した導電物質が接続点に付着することが防止される。
　また、本発明においては、切断部が目印で示されている。接続線を切断する際には、目印で示された切断部を切断する。
　また、本発明においては、接続線の一部が突出した突出部によって目印が形成されている。
　また、本発明においては、接続線の途中に設けた括れによって目印が形成されている。
　また、本発明においては、接続線から離隔した図形によって目印が形成されている。
　本発明にあっては、アクティブマトリクス回路の製造時に、保護回路中の配線の接続点に導電物質が付着することによる不良の発生を防止しながら、不良が発生した保護回路を修正することができる等、本発明は優れた効果を奏する。
本発明の画像表示装置の外観を示す模式的斜視図である。 画像表示装置の光学的要素の構成を示す分解斜視図である。 実施の形態１に係るアクティブマトリクス回路の等価回路図である。 実施の形態１に係る保護回路中のゲート線とＴＦＴとの接続部分を拡大した模式図である。 図４中のＶ－Ｖ線の模式的断面図である。 接続線を切断した後の保護回路を示す模式図である。 実施の形態２における保護回路中のゲート線とＴＦＴとの接続部分を拡大した模式図である。 実施の形態２における保護回路中のゲート線とＴＦＴとの接続部分を拡大した模式図である。 実施の形態２における保護回路中のゲート線とＴＦＴとの接続部分を拡大した模式図である。 実施の形態３における保護回路中のゲート線とＴＦＴとの接続部分を拡大した模式図である。 実施の形態４に係るアクティブマトリクス回路の等価回路図である。
　以下本発明をその実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。
（実施の形態１）
　図１は、本発明の画像表示装置の外観を示す模式的斜視図であり、図２は、画像表示装置の光学的要素の構成を示す分解斜視図である。画像表示装置は、例えばテレビジョン受像機である。画像表示装置は、液晶パネル２と、液晶パネル２の背後に配置されたバックライト３とを備えている。液晶パネル２は、背後からバックライト３に照明され、画像を表示する。液晶パネル２は、偏光方向が互いに直交する直線偏光を透過させる偏光板２１及び偏光板２７を備えている。液晶パネル２の他の要素は、偏光板２１及び偏光板２７の間に挟まれて配置されている。偏光板２７の前側には、透明な基板２６が配置されている。基板２６の前面にはアクティブマトリクス回路１が実装されている。アクティブマトリクス回路１の前側には、液晶分子を配向させる配向膜で液晶層を前後から挟んで構成された液晶部２５が配置されている。液晶部２５の前側には、電極層２４、カラーフィルタ２３、及び透明なカラーフィルタ用基板２２が配置されている。カラーフィルタ用基板２２の後面にカラーフィルタ２３が設けられ、カラーフィルタ２３の後側に電極層２４が設けられている。電極層２４とアクティブマトリクス回路１とは、液晶部２５を間に挟んで対向しており、液晶パネル２を動作させて画像を表示させるための電圧が互いの間に印加される。カラーフィルタ用基板２２の前側には、偏光板２１が配置されている。なお、画像表示装置は、更に他の光学要素を含んでいてもよい。
　図３は、実施の形態１に係るアクティブマトリクス回路１の等価回路図である。アクティブマトリクス回路１では、複数の信号線が格子状に配線されている。即ち、複数のゲート線（信号線）１１が平行に配線され、ゲート線１１に直交する複数のデータ線（信号線）１２が配線されている。各ゲート線１１の端はゲート線端子１１１に接続され、各データ線１２の端はデータ線端子１２１に接続されており、ゲート線１１及びデータ線１２は信号を供給されるようになっている。また、複数の画素電極１３がマトリクス状に配置されており、夫々の画素電極１３はゲート線１１及びデータ線１２の交差点に対応している。各画素電極１３には、ＴＦＴ１４が接続されている。ＴＦＴ１４は、画素電極１３が対応する交差点で交差したゲート線１１及びデータ線１２に接続されている。ＴＦＴ１４は、画素電極１３を駆動させるアクティブ素子である。何れか一つずつのゲート線１１及びデータ線１２に信号が流れることにより、ゲート線１１及びデータ線１２に接続された一つのＴＦＴ１４がオン状態となり、ＴＦＴ１４に接続された画素電極１３が動作し、対向する電極層２４との間に電圧を印加する。
　アクティブマトリクス回路１の製造時には、アクティブマトリクス回路１内に静電気が発生することがある。アクティブマトリクス回路１は、ゲート線１１に接続されたＴＦＴ１４を静電気から保護する保護回路１５と、データ線１２に接続されたＴＦＴ１４を静電気から保護する保護回路１６とを備えている。保護回路１５では、平行な複数のゲート線１１の内、隣接する二本のゲート線１１の間に、二つのＴＦＴ（スイッチング素子）１７が逆並列に接続されている。一方のＴＦＴ１７のゲートを含む二端子が一方のゲート線１１に接続され、他の一端子が他方のゲート線１１に接続されており、他方のＴＦＴ１７のゲートを含む二端子が他方のゲート線１１に接続され、他の一端子が一方のゲート線１１に接続されている。隣接する二本のゲート線１１の夫々の組み合わせについて、二つのＴＦＴ１７が接続されている。アクティブマトリクス回路１に静電気が発生し、二本のゲート線１１の間に電荷の偏りが生じた場合、保護回路１５中のＴＦＴ１７がオン状態となり、複数のゲート線１１に順次電荷が分散され、アクティブマトリクス回路１中のＴＦＴ１４が静電気から保護される。電荷の偏りが生じていない状態では、ＴＦＴ１７はオフ状態であって抵抗が高く、ゲート線１１に流れる信号に影響は無い。保護回路１６でも、同様に、隣接する二本のデータ線１２の夫々の組み合わせについて、二本のデータ線１２の間に二つのＴＦＴ１７が逆並列に接続されている。保護回路１５と同様に、静電気によりデータ線１２の間に電荷の偏りが生じた場合、保護回路１６中のＴＦＴ１７がオン状態となり、複数のデータ線１２に順次電荷が分散され、アクティブマトリクス回路１中のＴＦＴ１４が静電気から保護される。
　図４は、実施の形態１に係る保護回路１５中のゲート線１１とＴＦＴ１７との接続部分を拡大した模式図であり、図５は、図４中のＶ－Ｖ線の模式的断面図である。図５中には、アクティブマトリクス回路１に対向した電極層２４、カラーフィルタ２３及びカラーフィルタ用基板２２をも示している。アクティブマトリクス回路１中で保護回路１５が存在する部分には、電極層２４が対向している。
　図５に示すように、保護回路１５は、基板２６上に、金属層、絶縁層及び半導体層が積層されることによって形成されている。ゲート線１１は、基板２６上に形成された金属層によって構成されている。ゲート線１１を構成する金属層及び基板２６の上に絶縁層４４が積層され、絶縁層４４の上に半導体層を積層することによりＴＦＴ１７が形成されている。また、絶縁層４４の上に金属層が形成されることによって、ＴＦＴ１７とゲート線１１との間を接続する接続線４１が形成されている。金属層によって構成された接続線４１は、ＴＦＴ１７に接続されている。ゲート線１１を構成する金属層と接続線４１を構成する金属層との間は絶縁層４４によって絶縁されている。接続線４１を構成する金属層の上には、絶縁層４５が積層されている。更に、保護回路１５には、ゲート線１１と接続線４１とを接続するコンタクトホール（接続点）４３が設けられている。コンタクトホール４３は、ゲート線１１を構成する金属層と接続線４１を構成する金属層との両方に接触する導電層で形成されており、電極層２４に対向する位置に露出している。
　アクティブマトリクス回路１の製造過程において、絶縁層４４の欠損、又は静電破壊によるゲート線１１の金属層と接続線４１との金属層との間のリーク等、ＴＦＴ１７を介したゲート線１１間の抵抗が低下する不良が発生することがある。このような不良が製造過程で発生した場合、不良が発生した部分につながった接続線４１をレーザで切断する処理を行う。接続線４１を切断することにより、不良が発生した部分は保護回路１５中の他の部分から切り離され、保護回路１５はゲート線１１を流れる信号に悪影響を及ぼさないように修正される。ところが、無暗に接続線４１を切断した場合は、切断部分から金属片が飛散し、飛散した金属片がコンタクトホール４３に付着することがある。金属片がコンタクトホール４３に付着したアクティブマトリクス回路１を用いて液晶パネル２を構成した場合は、コンタクトホール４３に対向した電極層２４に金属片が接触し、金属片を通じてコンタクトホール４３と電極層２４との間が短絡する別の不良が発生する虞がある。金属片による不良を防止するためには、接続線４１の切断時に飛散する金属片がコンタクトホール４３に付着しないように、コンタクトホール４３から可及的に離れた位置で接続線４１を切断する必要がある。
　図４に示すように、接続線４１には、保護回路１５に不良が発生した場合にレーザで切断されるための切断部４７が定められている。切断部４７は、切断されていない状態では接続線４１の一部である。切断部４７は、接続線４１に交差した線状の部分であり、ある程度の幅を有している。切断部４７の幅は、接続線４１の導通を切断するために十分な大きさであり、例えば、接続線４１を切断するレーザのスポットのサイズに対応する。切断部４７の位置は、コンタクトホール４３から可及的に離れた位置になっている。具体的には、接続線４１上で、接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３から等距離に位置する中点４６が、切断部４７の幅の範囲に含まれている。また、図４に示すように、保護回路１５には、切断部４７を示す目印４２を設けてある。図４に示した例では、コンタクトホール４３はほぼゲート線１１上にあり、二本のゲート線１１間にある接続線４１上で、二本のゲート線１１のコンタクトホール４３の中点４６が切断部４７の範囲に含まれている。目印４２は、切断部４７の位置を示している。また、保護回路１５上で目印４２を確認できるように、接続線４１の少なくとも目印４２が設けられた部分は、絶縁層４５が積層されておらず、露出していることが望ましい。
　本実施の形態では、アクティブマトリクス回路１の製造時に、保護回路１５中のＴＦＴ１７を経由したゲート線１１間の抵抗を計測し、抵抗値が所定値以下である場合に、抵抗の低下に関係するＴＦＴ１７に接続された接続線４１を切断部４７の位置でレーザにより切断する。実際には、接続線４１上で目印４２が示す切断部４７を切断する。図６は、接続線４１を切断した後の保護回路１５を示す模式図である。図６中では、不良部分を４８で示している。不良部分４８が発生したＴＦＴ１７に接続される接続線４１は、切断部４７で切断されている。接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３の中点４６が、切断された切断部４７の幅の範囲に含まれている。
　保護回路１６も、保護回路１５と同様の構成となっている。即ち、データ線１２とＴＦＴ１７とは接続線４１で接続されており、接続線４１は切断部４７を有している。また、接続線４１上で、接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３から等距離に位置する中点４６が、切断部４７の幅の範囲に含まれており、切断部４７を示す目印４２が設けられている。本実施の形態では、アクティブマトリクス回路１の製造時に、保護回路１６中のＴＦＴ１７を経由したデータ線１２間の抵抗を計測し、抵抗値が所定値以下である場合に、抵抗の低下に関係するＴＦＴ１７に接続された接続線４１上で目印４２が示す切断部４７を切断する。
　以上詳述した如く、本実施の形態では、アクティブマトリクス回路１中の保護回路１５及び１６では、ゲート線１１間又はデータ線１２間にＴＦＴ１７が接続線４１を介して接続されている。接続線４１は切断部４７を有しており、接続線４１上で、接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３から等距離に位置する中点４６が、切断部４７の範囲に含まれている。また、切断部４７を示す目印４２が設けられている。アクティブマトリクス回路１の製造時に、ＴＦＴ１７を経由したゲート線１１間又はデータ線１２間の抵抗が低下する不良が発生した場合には、発生した不良に関係するＴＦＴ１７に接続された接続線４１上で目印４２が示す切断部４７を切断する。切断部４７の範囲に、接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３の中点４６が含まれているので、切断部４７の位置は、コンタクトホール４３から可及的に離れた位置である。このため、切断によって飛散した金属片がコンタクトホール４３に付着することを可及的に防止することができる。従って、金属片を通じてコンタクトホール４３と電極層２４とが短絡する別の不良が発生することを可及的に防止することができる。このように、本実施の形態に係るアクティブマトリクス回路１の製造方法では、コンタクトホール４３と電極層２４とが短絡する別の不良が発生することを可及的に防止しながら、不良が発生した保護回路１５及び１６を修正することができる。
　また、本実施の形態では、目印４２は、接続線４１の片側のみに設けた括れである。仮に接続線４１の両側から括れをもうけた場合は、目印４２の部分で接続線４１が極端に細くなり、接続線４１のパターンの形成が困難になる可能性がある。また、接続線４１が極端に細くなることによって、過電流が接続線４１を流れた場合に接続線４１が焼き切れる虞があり、保護回路１５及び１６が過電流に弱くなる。目印４２を、接続線４１の片側のみに設けた括れとすることによって、接続線４１の細りを最小限に抑え、過電流に対する保護回路１５及び１６の耐性を保つことができる。なお、目印４２は、接続線４１に対して図４に示した例とは逆側に設けられていてもよい。
（実施の形態２）
　実施の形態２における画像表示装置の構成、及びアクティブマトリクス回路１の構成は実施の形態１と同様である。図７～図９は、実施の形態２における保護回路１５中のゲート線１１とＴＦＴ１７との接続部分を拡大した模式図である。図７に示すように、実施の形態２における目印４２は、接続線４１に交差する方向に接続線４１の一部が突出した突出部である。目印４２が示す切断部４７の位置は実施の形態１と同様である。即ち、接続線４１上で、接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３から等距離に位置する中点４６が、切断部４７の範囲に含まれている。図７には、接続線４１の片側のみに目印４２を設けた例を示している。なお、目印４２は、接続線４１の逆側から側方へ突出した形状であってもよい。突出部により目印４２を形成したことによって、接続線４１の細りを防止することができる。図８には、接続線４１の両側に目印４２を設けた例を示している。接続線４１の両側から突出した突出部によって目印４２を設けてあるので、目印４２で示した位置がより解り易くなる。図９には、接続線４１の片側から突出した突出部と、接続線４１の逆側に設けた括れとによって目印４２を形成した例を示している。突出部及び括れの位置は、図９に示した例とは逆であってもよい。また、接続線４１の少なくとも目印４２が設けられた部分は、絶縁層４５が積層されておらず、露出していることが望ましい。本実施の形態においても、保護回路１６は、保護回路１５と同様の構成となっている。
　本実施の形態においても、保護回路１５又は１６に不良が発生した場合に接続線４１を切断すべき切断部４７は目印４２によって示されている。アクティブマトリクス回路１の製造時に、ＴＦＴ１７を経由したゲート線１１間又はデータ線１２間の抵抗が低下する不良が発生した場合には、発生した不良に関係するＴＦＴ１７に接続された接続線４１上で目印４２が示す切断部４７を切断する。コンタクトホール４３と電極層２４とが短絡する別の不良が発生することを可及的に防止しながら、不良が発生した保護回路１５及び１６を修正することができる。
（実施の形態３）
　実施の形態３における画像表示装置の構成、及びアクティブマトリクス回路１の構成は実施の形態１と同様である。図１０は、実施の形態３における保護回路１５中のゲート線１１とＴＦＴ１７との接続部分を拡大した模式図である。図１０に示すように、実施の形態３における目印４２は、切断部４７を接続線４１外から指し示した図形である。接続線４１上で、接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３から等距離に位置する中点４６が、切断部４７の範囲に含まれている。目印４２は、接続線４１とは離隔して設けられており、例えば、絶縁層４４上に形成された金属パターンである。また、接続線４１の目印４２で指し示された部分を確認できるように、接続線４１の少なくとも目印４２で指し示された部分は、絶縁層４５が積層されておらず、露出していることが望ましい。図１０には、目印４２が三角図形である形態を示しているが、目印４２は、矢印等の他の図形であってもよい。本実施の形態においても、保護回路１６は、保護回路１５と同様の構成となっている。
　本実施の形態においても、保護回路１５又は１６に不良が発生した場合に接続線４１を切断すべき切断部４７は目印４２によって示されている。アクティブマトリクス回路１の製造時に、ＴＦＴ１７を経由したゲート線１１間又はデータ線１２間の抵抗が低下する不良が発生した場合には、発生した不良に関係するＴＦＴ１７に接続された接続線４１上で目印４２が示す切断部４７を切断する。コンタクトホール４３と電極層２４とが短絡する別の不良が発生することを可及的に防止しながら、不良が発生した保護回路１５及び１６を修正することができる。
（実施の形態４）
　実施の形態４における画像表示装置の構成は実施の形態１と同様である。図１１は、実施の形態４に係るアクティブマトリクス回路１の等価回路図である。ゲート線１１に接続されたＴＦＴ１４を静電気から保護する保護回路１５は、複数のゲート線１１以外に、一本の導電線５１を備えている。保護回路１５では、夫々のゲート線１１と導電線５１との間に、二つのＴＦＴ１７が逆並列に接続されている。一方のＴＦＴ１７のゲートを含む二端子がゲート線１１に接続され、他の一端子が導電線５１に接続されており、他方のＴＦＴ１７のゲートを含む二端子が導電線５１に接続され、他の一端子がゲート線１１に接続されている。アクティブマトリクス回路１に静電気が発生し、ゲート線１１と導電線５１との間に電荷の偏りが生じた場合、保護回路１５中のＴＦＴ１７がオン状態となり、共通の導電線５１を通じて複数のゲート線１１に順次電荷が分散され、アクティブマトリクス回路１中のＴＦＴ１４が静電気から保護される。電荷の偏りが生じていない状態では、ＴＦＴ１７はオフ状態であって抵抗が高く、ゲート線１１に流れる信号に影響は無い。
　データ線１２に接続されたＴＦＴ１４を静電気から保護する保護回路１６も、複数のデータ線１２以外に、一本の導電線５２を備えている。保護回路１６では、夫々のデータ線１２と導電線５２との間に、二つのＴＦＴ１７が逆並列に接続されている。保護回路１５と同様に、静電気によりデータ線１２の間に電荷の偏りが生じた場合、保護回路１６中のＴＦＴ１７がオン状態となり、共通の導電線５２を通じて複数のデータ線１２に順次電荷が分散され、アクティブマトリクス回路１中のＴＦＴ１４が静電気から保護される。
　本実施の形態に係る保護回路１５中のＴＦＴ１７とゲート線１１又は導電線５１との接続部分は、実施の形態１～３と同様の構成となっている。即ち、ＴＦＴ１７とゲート線１１又は導電線５１とは、接続線４１を介して接続されており、保護回路１５中には、ゲート線１１又は導電線５１と接続線４１とを接続するコンタクトホール４３が設けられている。接続線４１は切断部４７を有しており、接続線４１上で、接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３から等距離に位置する中点４６が、切断部４７の範囲に含まれている。また、切断部４７を示す目印４２が設けられている。保護回路１６においても、同様に、ＴＦＴ１７とデータ線１２又は導電線５２とは、接続線４１を介して接続されており、接続線４１は切断部４７を有しており、接続線４１に最も近接する二つのコンタクトホール４３から等距離に位置する中点４６が切断部４７の範囲に含まれている。また、切断部４７を示す目印４２が設けられている。
　本実施の形態においても、保護回路１５又は１６に不良が発生した場合に接続線４１を切断すべき切断部４７は目印４２によって示されている。アクティブマトリクス回路１の製造時に、ＴＦＴ１７を経由したゲート線１１と導電線５１との間の抵抗又はデータ線１２と導電線５２との間の抵抗が低下する不良が発生した場合には、発生した不良に関係するＴＦＴ１７に接続された接続線４１上で目印４２が示す切断部４７を切断する。コンタクトホール４３と電極層２４とが短絡する別の不良が発生することを可及的に防止しながら、不良が発生した保護回路１５及び１６を修正することができる。
　なお、以上の実施の形態１～４においては、アクティブマトリクス回路１を保護するスイッチング素子として逆並列の二つのＴＦＴ１７を用いた形態を示したが、本発明は、他のスイッチング素子を用いた形態であってもよい。また、実施の形態１～４においては、画素電極１３を駆動させるアクティブ素子として一つのＴＦＴ１４を用いた形態を示したが、本発明は、複数の素子を組み合わせたアクティブ素子等、他のアクティブ素子を用いた形態であってもよい。また、実施の形態１～４においては、アクティブマトリクス回路１を用いて液晶パネル２を構成した形態を示したが、アクティブマトリクス回路１は、ＥＬ（electro-luminescence）パネル等のその他の画像表示パネルを構成する形態であってもよい。また、画像表示装置は、ＥＬパネル等の液晶パネル２以外の画像表示パネルを用いて画像を表示する形態であってもよい。
　１　アクティブマトリクス回路
　１１　ゲート線（信号線）
　１２　データ線（信号線）
　１３　画素電極
　１４　ＴＦＴ（アクティブ素子）
　１５、１６　保護回路
　１７　ＴＦＴ（スイッチング素子）
　２　液晶パネル
　２３　カラーフィルタ
　２４　電極層
　２５　液晶部
　２６　基板
　３　バックライト
　４１　接続線
　４２　目印
　４３　コンタクトホール（接続点）
　４７　切断部
　５１、５２　導電線

Claims (8)

  1. 　格子状に配線された複数の信号線と、該複数の信号線の交差点に対応して配列された複数の電極及びアクティブ素子と、該アクティブ素子を静電気から保護する保護回路とを備えるアクティブマトリクス回路において、
    　前記保護回路は、
    　二本の信号線間に接続されたスイッチング素子と、
    　該スイッチング素子及び前記信号線の間を接続する接続線と、
    　該接続線が前記信号線に接続された接続点とを備え、
    　前記接続線は、切断されるための切断部を有し、
    　前記接続線上で前記接続線に最も近接する二つの接続点から等距離になる位置が前記切断部に含まれていること
    　を特徴とするアクティブマトリクス回路。
  2. 　格子状に配線された複数の信号線と、該複数の信号線の交差点に対応して配列された複数の電極及びアクティブ素子と、該アクティブ素子を静電気から保護する保護回路とを備えるアクティブマトリクス回路において、
    　前記保護回路は、
    　導電線と、
    　該導電線及び信号線に接続されたスイッチング素子と、
    　該スイッチング素子から前記信号線又は前記導電線までの間を接続する接続線と、
    　該接続線が前記信号線又は前記導電線に接続された接続点とを備え、
    　前記接続線は、切断されるための切断部を有し、
    　前記接続線上で前記接続線に最も近接する二つの接続点から等距離になる位置が前記切断部に含まれていること
    　を特徴とするアクティブマトリクス回路。
  3. 　前記保護回路は、
    　前記切断部を示す目印を更に備えること
    　を特徴とする請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス回路。
  4. 　前記目印は、前記接続線に交差する方向へ前記接続線の一部が突出した突出部であること
    　を特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス回路。
  5. 　前記目印は、前記接続線の途中に設けた括れであること
    　を特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス回路。
  6. 　前記目印は、前記接続線とは離隔して設けられており、前記切断部を指し示した図形であること
    　を特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス回路。
  7. 　請求項１から６までの何れか一つに記載のアクティブマトリクス回路の製造方法であって、
    　オフ状態での抵抗値が所定値以下になっているスイッチング素子に接続された接続線の切断部を切断すること
    　を特徴とするアクティブマトリクス回路の製造方法。
  8. 　請求項１から６までの何れか一つに記載のアクティブマトリクス回路を備えることを特徴とする画像表示装置。
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