JP2009186677A - 感光性樹脂組成物、シリカ系被膜の形成方法、及びシリカ系被膜を備える装置及び部材 - Google Patents

Abstract

【課題】 層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、かつ形成されるシリカ系被膜がクラック耐性、耐熱性及び解像性に優れる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （ａ）成分：下記一般式（１）で表される化合物を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：上記（ａ）成分が溶解する溶媒と、（ｃ）成分：ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと、（ｄ）成分：微粒子と、を含有し、上記（ａ）成分の配合割合が、組成物の固形分全体を基準として５〜８０質量％であり、上記（ｄ）成分の配合割合が、組成物の固形分全体を基準として５〜５０質量％である、感光性樹脂組成物。

［式（１）中、Ｒ^１は有機基を示し、Ａは２価の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよい。］
【選択図】 なし

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、シリカ系被膜の形成方法、並びに当該方法により形成されるシリカ系被膜を備える半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材に関する。

液晶表示装置等の平面表示装置や半導体装置の製作においては、層間絶縁膜が用いられている。一般に層間絶縁膜は、気相からの堆積又は塗布により形成した膜に対し、フォトレジストを介してエッチングすることによりパターン形成されている。そして、微細なパターンを形成する場合には、通常気相エッチングが用いられている。しかしながら、気相エッチングは装置コストが高く、かつ処理速度が遅いという問題がある。

そこで、コスト低減を目的として、層間絶縁膜用感光性材料の開発が行われるようになった。特に、液晶表示装置においては、画素電極とゲート／ドレイン配線との間の絶縁及びデバイス平坦化のために用いられる層間絶縁膜に、コンタクトホールを形成する必要があるため、ポジ型の感光特性を有する層間絶縁膜用感光性材料が求められている。さらに、液晶表示装置における層間絶縁膜には、透明性が求められる。また、パターン化された膜を層間絶縁膜として残留させて使用する場合には、誘電率の小さい膜であることが望まれる。

これらの要請に応えるために、例えば、特許文献１及び２に開示の層間絶縁膜の形成方法が提案されている。特許文献１には、ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物の塗膜を形成する工程と、上記塗膜に光をパターン状に照射する工程と、上記塗膜の照射された部分を溶解除去する工程とを含んでなる、層間絶縁膜の形成方法が開示されている。また、特許文献２には、シロキサン樹脂と、放射線の照射を受けて酸又は塩基を発生する化合物とを含む組成物から形成された層間絶縁膜が開示されている。
特開２０００−１８１０６９号公報 特開２００４−１０７５６２号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の膜を層間絶縁膜として用いる場合には、ポリシラザンを加水分解して、ポリシラザン構造をポリシロキサン構造に転化させる必要がある。この際、膜中の水分が不足すると加水分解が十分に進行しないという問題がある。さらに、ポリシラザンの加水分解においては、揮発性が高いアンモニアが発生することから、製造装置の腐食等が問題となる。

また、特許文献２記載のシロキサン樹脂と、放射線の照射を受けて酸又は塩基を発生する化合物とを含む組成物から形成された層間絶縁膜は、クラック耐性、耐熱性及び解像性が十分でないという問題がある。

そこで本発明は、層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、かつ形成されるシリカ系被膜がクラック耐性、耐熱性及び解像性に優れる感光性樹脂組成物及びそれを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、当該方法により形成されたシリカ系被膜を備える半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、（ａ）成分：下記一般式（１）で表される化合物を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：上記（ａ）成分が溶解する溶媒と、（ｃ）成分：ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと、（ｄ）成分：微粒子と、を含有し、上記（ａ）成分の配合割合が、組成物の固形分全体を基準として５〜８０質量％であり、上記（ｄ）成分の配合割合が、組成物の固形分全体を基準として５〜５０質量％である感光性樹脂組成物を提供する。

［式（１）中、Ｒ^１は有機基を示し、Ａは２価の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよい。］

かかる感光性樹脂組成物によれば、シロキサン樹脂を用いているため、特許文献１に記載の方法では必須のポリシラザン構造をポリシロキサン構造に転化させる工程を省略することができることから、比較的容易にシリカ系被膜を形成することができる。

さらに、かかる感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜は、クラック耐性、耐熱性及び解像性に優れる。本発明の感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜によりこのような効果を得ることができる理由は必ずしも明らかでないが、本発明者らは次のように考えている。

すなわち、本発明の感光性樹脂組成物においては、（ａ）成分が柔軟性に優れるため、形成されるシリカ系被膜を加熱処理する際のクラックの発生が防止されることから、クラック耐性に優れる。また、本発明の感光性樹脂組成物においては、耐熱性に優れるシロキサン樹脂を用いているため、形成されるシリカ系被膜も耐熱性に優れると考えられる。さらに、上記一般式（１）で表される化合物は、アルカリ水溶液への溶解性が高いアシロキシ基を有していることから、それを加水分解することにより得られるシロキサン樹脂もアルカリ水溶液への溶解性が高い。よって、シリカ系被膜を形成する際の露光後の現像時に、露光部をアルカリ水溶液により溶解させることが容易となるため、未露光部と露光部とのアルカリ水溶液に対する溶解性の差が大きくなり解像性が向上すると考えられる。そして、本発明の感光性樹脂組成物によれば、（ａ）成分の配合割合が組成物の固形分全体を基準として５〜８０質量％であることにより、上述した効果が有効に発現し、クラック耐性、耐熱性及び解像性に特に優れたシリカ系被膜を形成することができる。

また、本発明の感光性樹脂組成物は、（ｄ）成分として微粒子を含有し、その配合割合が組成物の固形分全体を基準として５〜５０質量％であることにより、クラック耐性、耐熱性がさらに向上したシリカ系被膜を形成することができる。

本発明の感光性樹脂組成物において、上記シラン化合物は、下記一般式（２）で表される化合物をさらに含むことが好ましい。これにより、かかる感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜の耐熱性がさらに向上する。

［式（２）中、Ｒ^２は有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよい。］

本発明の感光性樹脂組成物は、（ｅ）成分：下記一般式（３）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、をさらに含有することが好ましい。これにより、かかる感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜の強度が向上する。

［式（３）中、Ｒ^３は、Ｈ原子、Ｆ原子、炭素数１〜２０の有機基、又は、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子及びＴｉ原子のうちの少なくとも１種の原子を含む基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよく、ｎが２であるとき、同一分子内の複数のＲ^３は同一でも異なっていてもよい。］

また、本発明の感光性樹脂組成物において、上記（ｂ）成分は、エーテル系溶媒、アセテート系溶媒、アルコール系溶媒及びケトン系溶媒からなる群より選択される少なくとも１種の溶媒を含むことが好ましい。これにより、かかる感光性樹脂組成物を基板上に塗布する際の塗布ムラやはじきを抑えることができる。

また、本発明の感光性樹脂組成物において、上記（ｃ）成分は、１価又は多価アルコールと、ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを含むことが好ましく、上記１価又は多価アルコールは、エチレングリコール、プロピレングリコール及びそれらの重合度が２〜１０である重合体の中から選ばれた化合物であることがより好ましい。これにより、かかる感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜の透明性が向上する。

本発明はまた、上述した本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を得る塗布工程と、塗膜の所定部分を露光する第１露光工程と、塗膜の露光された所定部分を除去する除去工程と、所定部分が除去された塗膜を加熱する加熱工程と、を有する、シリカ系被膜の形成方法を提供する。かかる形成方法によれば、上述した本発明の感光性樹脂組成物を用いているため、クラック耐性、耐熱性及び解像性に優れるシリカ系被膜を得ることができる。

本発明はまた、上述した本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を得る塗布工程と、塗膜の所定部分を露光する第１露光工程と、塗膜の露光された所定部分を除去する除去工程と、所定部分が除去された塗膜を露光する第２露光工程と、所定部分が除去された塗膜を加熱する加熱工程と、を有する、シリカ系被膜の形成方法を提供する。かかる形成方法によれば、上述の感光性樹脂組成物を用いているため、クラック耐性、耐熱性及び解像性に優れるシリカ系被膜を得ることができる。さらに、可視光領域に光学吸収を有する（ｃ）成分が第２露光工程で分解され、可視光領域における光学吸収が十分に小さい化合物が生成する。よって、得られるシリカ系被膜の透明性が向上する。

本発明はさらに、基板と、該基板上に上述した本発明の形成方法により形成されたシリカ系被膜とを備える、半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材を提供する。これらの半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材は、上述した本発明の感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜を層間絶縁膜として備えているため、優れた性能を発揮する。

本発明は、層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、かつ形成されるシリカ系被膜がクラック耐性、耐熱性及び解像性に優れる感光性樹脂組成物、及び、それを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供することができる。また、本発明の感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜は、絶縁特性、低誘電性及び場合により透明性にも優れ、厚膜化も容易に可能である。さらに、本発明は、上記シリカ系被膜の形成方法により形成されるシリカ系被膜を備える半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材を提供することができる。

以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

また、本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という。）により測定され、かつ標準ポリスチレンの検量線を使用して換算されたものである。

ここで、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、以下の条件で、ＧＰＣを用いて測定することができる。
（条件）
試料： １０μＬ
標準ポリスチレン： 東ソー株式会社製標準ポリスチレン（分子量；１９００００、１７９００、９１００、２９８０、５７８、４７４、３７０、２６６）
検出器： 株式会社日立製作所社製ＲＩ−モニター、商品名「Ｌ−３０００」
インテグレーター： 株式会社日立製作所社製ＧＰＣインテグレーター、商品名「Ｄ−２２００」
ポンプ： 株式会社日立製作所社製、商品名「Ｌ−６０００」
デガス装置： 昭和電工株式会社製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ ＤＥＧＡＳ」
カラム： 日立化成工業株式会社製、商品名「ＧＬ−Ｒ４４０」、「ＧＬ−Ｒ４３０」、「ＧＬ−Ｒ４２０」をこの順番で連結して使用
溶離液： テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
測定温度： ２３℃
流速： １．７５ｍＬ／分
測定時間： ４５分

（感光性樹脂組成物）
本発明の感光性樹脂組成物は、（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分及び（ｄ）成分を含有し、好ましくはさらに（ｅ）成分を含有する。以下、各成分について説明する。

＜（ａ）成分＞
（ａ）成分は、下記一般式（１）で表される化合物を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂である。

［式（１）中、Ｒ^１は有機基を示し、Ａは２価の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示す。なお、各Ｘは同一でも異なっていてもよい。］

シロキサン樹脂中にアシロキシ基を含有することにより、感光特性と絶縁被膜特性の双方に優れた被膜を得ることができる。アシロキシ基はアルカリ水溶液に溶解しやすいため、露光後の現像時に使用されるアルカリ水溶液に対して溶解性が増加し、未露光部と露光部とのコントラストが大きくなり解像性が良くなる。また、上記（ａ）成分は柔軟な成分であるため、加熱処理後の被膜中にクラックが入りにくく、厚膜化が容易となる。

式（１）中、Ｒ^１で示される有機基としては、例えば、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。これらの中で、炭素数１〜２０の直鎖状、分枝状又は環状の脂肪族炭化水素基が好ましい。炭素数１〜２０の直鎖状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等の基が挙げられる。分枝状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、イソプロピル基、イソブチル基等の基が挙げられる。また、環状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチレン基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の基が挙げられる。これらの中で、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜５の直鎖状の炭化水素基がより好ましく、原料入手容易性の観点からメチル基が特に好ましい。

式（１）中、Ａで示される２価の有機基としては、例えば、２価の芳香族炭化水素基及び２価の脂肪族炭化水素基が挙げられる。これらの中で、原料入手容易性等の観点から、炭素数１〜２０の直鎖状、分枝状又は環状の２価の炭化水素基が好ましい。

炭素数１〜２０の直鎖状の２価の炭化水素基の好ましい具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基等の基が挙げられる。炭素数１〜２０の分枝状の２価の炭化水素基の好ましい具体例としては、イソプロピレン基、イソブチレン基等の基が挙げられる。炭素数１〜２０の環状の２価の炭化水素基の好ましい具体例としては、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロヘプチレン基、ノルボルナン骨格を有する基、アダマンタン骨格を有する基等の基が挙げられる。これらの中で、メチレン基、エチレン基、プロピレン基のような炭素数１〜７の直鎖状の２価の炭化水素基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基のような環状の２価の炭化水素基、ノルボルナン骨格を有する環状の２価の炭化水素基が特に好ましい。

式（１）中、Ｘで示される加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基、イソシアネート基及びヒドロキシル基が挙げられる。これらの中で、感光性樹脂組成物自体の液状安定性や塗布特性等の観点からアルコキシ基が好ましい。なお、後述する一般式（２）及び（３）でそれぞれ表される化合物についてもＸで示される加水分解性基としては、一般式（１）で表される化合物におけるＸと同様な基が具体例として挙げられる。

また、上記シラン化合物は、下記一般式（２）で表される化合物をさらに含むことが好ましい。これにより、得られるシリカ系被膜の耐熱性がさらに向上する。

［式（２）中、Ｒ^２は有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよい。］

式（２）中、Ｒ^２で示される有機基は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基等の芳香族炭化水素基、また、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の脂環式炭化水素基が挙げられる。これらの中でも、熱的安定性及び原料入手容易性の観点から、フェニル基、ナフチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基がより好ましい。

さらに、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等の直鎖状炭化水素基、ｉｓｏ−プロピル基、ｉｓｏ−ブチル基等の分枝状炭化水素基が挙げられる。これらの中でも、熱的安定性及び原料入手容易性の観点から、メチル基、エチル基、プロピル基等の直鎖状炭化水素基が好ましい。

なお、上記シラン化合物が上記一般式（２）で表される化合物を含む場合のその含有割合は、上記シラン化合物全体に対して、１０〜９０質量％であることが好ましく、２０〜６０質量％であることがより好ましい。

さらに、上記シラン化合物は、上述の一般式（１）及び（２）でそれぞれ表される化合物以外のシラン化合物を含んでいてもよい。このようなシラン化合物としては、例えば後述する一般式（３）で表され、ｎが０又は２である化合物が挙げられる。なお、上記シラン化合物において、一般式（１）及び（２）でそれぞれ表される化合物以外のシラン化合物の含有割合は、上記シラン化合物全体に対して、例えば０〜９０質量％とすることができる。

上記シラン化合物を加水分解縮合する際には、一般式（１）で表される化合物について、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。同様に、一般式（２）で表される化合物について、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。同様に、一般式（１）及び（２）でそれぞれ表される化合物以外のシラン化合物について、１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上述の一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物とを含むシラン化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂（シルセスキオキサン）の構造の具体例を下記一般式（４）に示す。なお、この具体例は、１種の一般式（１）で表される化合物（Ｒ^１はメチル基）と、２種の一般式（２）で表される化合物（Ｒ^２はそれぞれフェニル基とメチル基）とを加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂の構造である。また、簡略化のため構造を平面的に示したが、当業者には理解されるように、実際のシロキサン樹脂は３次元網目構造を有する。さらに、添え字の”３／２”は、１個のＳｉ原子に対して３／２個の割合でＯ原子が結合していることを示す。

ここで、式（４）中、ａ、ｂ、ｃは、それぞれ各部位に対応する原料のモル比（モル％）を示し、ａは１〜９８、ｂは１〜９８、ｃは１〜９８である。ただし、ａ、ｂ及びｃの合計は１００である。また、式（４）中のＡは、２価の有機基を示す。

上述のシラン化合物の加水分解縮合は、例えば、次のような条件で行うことができる。

まず、加水分解縮合の際に用いる水の量は、一般式（１）で表される化合物１モル当たり０．０１〜１０００モルであることが好ましく、０．０５〜１００モルであることがより好ましい。この水の量が０．０１モル未満では加水分解縮合反応が十分に進行しない傾向にあり、水の量が１０００モルを超えると加水分解中又は縮合中にゲル化物を生じる傾向にある。

また、加水分解縮合の際には、触媒を使用してもよい。触媒としては、例えば、酸触媒、アルカリ触媒、金属キレート化合物を用いることができる。これらの中で、一般式（１）で表される化合物におけるアシロキシ基の加水分解を防止する観点から、酸触媒が好ましい。

酸触媒としては、例えば、有機酸及び無機酸が挙げられる。有機酸としては、例えば、蟻酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、アジピン酸、セバシン酸、酪酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロエタンスルホン酸等が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、燐酸、硝酸、ホウ酸、硫酸、フッ酸等が挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。

このような触媒の使用量は、一般式（１）で表される化合物１モルに対して０．０００１〜１モルの範囲であることが好ましい。この使用量が０．０００１モル未満では実質的に反応が進行しない傾向にあり、１モルを超えると加水分解縮合時にゲル化が促進される傾向にある。

なお、加水分解縮合において上述の触媒を用いたときには、得られる感光性樹脂組成物の安定性が悪化する可能性や、触媒を含むことにより他の材料への腐食等の影響が懸念される可能性がある。これらのような悪影響は、例えば、加水分解縮合後に、触媒を感光性樹脂組成物から取り除いたり、触媒を他の化合物と反応させて触媒としての機能を失活させたりすることにより解消することができる。これらの操作を実施するための方法としては、従来公知の方法を用いることができる。触媒を取り除く方法としては、例えば、蒸留法やイオンクロマトカラム法等が挙げられる。また、触媒を他の化合物と反応させて触媒としての機能を失活させる方法としては、例えば、触媒が酸触媒の場合、塩基を添加して酸塩基反応により中和する方法が挙げられる。

また、かかる加水分解縮合の際にはアルコールが副生する。このアルコールは、プロトン性溶媒であり、感光性樹脂組成物の物性に悪影響を与えるおそれがあることから、エバポレータ等を用いて除去することが好ましい。

このようにして得られるシロキサン樹脂は、溶媒への溶解性や、成形性等の観点から、重量平均分子量が、５００〜１００００００であることが好ましく、５００〜５０００００であることがより好ましく、５００〜１０００００であることが更に好ましく、５００〜５００００であることが特に好ましい。この重量平均分子量が５００未満ではシリカ系被膜の成膜性が劣る傾向にあり、この重量平均分子量が１００００００を超えると、溶媒との相溶性が低下する傾向にある。

また、感光性樹脂組成物中の（ａ）成分の配合割合は、溶媒への溶解性、膜厚、成形性、感光特性、溶液の安定性等の観点から、感光性樹脂組成物の固形分全体を基準として、５〜８０質量％であることが必要であり、１０〜７５質量％であることがより好ましく、２０〜７０質量％であることが更に好ましく、３０〜７０質量％であることが特に好ましい。この配合割合が５質量％未満ではシリカ系被膜の成膜性、感光特性が劣る傾向にあり、８０質量％を超えると、溶液の安定性が低下する傾向にある。

本発明の感光性樹脂組成物は、上述の（ａ）成分を上記配合割合で含有するため、形成されるシリカ系被膜が耐熱性及び解像性に優れる。さらに、かかる感光性樹脂組成物において、上述の（ａ）成分が柔軟性に優れるため、形成されるシリカ系被膜を加熱処理する際のクラックの発生が防止されることから、クラック耐性に優れる。さらにまた、形成されるシリカ系被膜がクラック耐性に優れることから、本発明の感光性樹脂組成物を用いることにより、シリカ系被膜の厚膜化が可能となる。

＜（ｂ）成分＞
（ｂ）成分は、（ａ）成分が溶解する溶媒である。その具体例としては、非プロトン性溶媒及びプロトン性溶媒が挙げられる。これらは１種を単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

非プロトン性溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のケトン系溶媒；ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルジ−ｎ−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソアミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル等のエステル系溶媒；エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のエーテルアセテート系溶媒；アセトニトリル、Ｎ−メチルピロリジノン、Ｎ−エチルピロリジノン、Ｎ−プロピルピロリジノン、Ｎ−ブチルピロリジノン、Ｎ−ヘキシルピロリジノン、Ｎ−シクロヘキシルピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、トルエン、キシレンが挙げられる。これらの中で、形成されるシリカ系被膜の厚膜化が可能となり、かつ感光性樹脂組成物の溶液安定性が向上する観点から、エーテル系溶媒、エーテルアセテート系溶媒及びケトン系溶媒が好ましい。これらの中でも塗布ムラやはじきを抑える観点から、エーテルアセテート系溶媒が最も好ましく、エーテル系溶媒が次に好ましく、ケトン系溶媒がその次に好ましい。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

プロトン性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、イソペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔｅｒｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶媒；エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル等のエステル系溶媒が挙げられる。これらの中で、保管安定性の観点から、アルコール系溶媒が好ましい。さらに、塗布ムラやはじきを抑える観点からは、エタノール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールプロピルエーテルが好ましい。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

上述の（ｂ）成分の種類は、（ａ）成分、（ｃ）成分、（ｄ）成分及び（ｅ）成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、後述する（ｃ）成分がナフトキノンジアジドスルホン酸とフェノール類とのエステルであり、脂肪族炭化水素系溶媒への溶解性が低い場合には、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒等を適宜選択することができる。

このような（ｂ）成分の配合量は、（ａ）成分、（ｃ）成分、（ｄ）成分及び（ｅ）成分の種類等に応じて適宜調節することができるが、例えば、感光性樹脂組成物の固形分全体１００質量部に対して、０．１〜９０質量部用いることができる。

（ｂ）成分を感光性樹脂組成物中に加える方法としては、従来公知の方法を用いることができる。その具体例としては、（ａ）成分を調製する際の溶媒として用いる方法、（ａ）成分を調製後、添加する方法、溶媒交換を行う方法、（ａ）成分を溶媒留去等で取り出した後に（ｂ）成分を加える方法等が挙げられる。

＜（ｃ）成分＞
（ｃ）成分は、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルである。この成分は、感光性樹脂組成物にポジ型感光性を付与するためのものである。ポジ型感光性は、例えば次のようにして発現する。

すなわち、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルに含まれるナフトキノンジアジド基は、本来アルカリ現像液に対する溶解性を示さず、さらにシロキサン樹脂のアルカリ現像液への溶解を阻害する。しかし、紫外線又は可視光を照射することにより、ナフトキノンジアジド基は、インデンカルボン酸構造へと変化してアルカリ現像液に高い溶解性を示すようになる。よって、（ｃ）成分を配合することにより、露光部がアルカリ現像液により除去されるポジ型感光性が発現する。

ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸とフェノール類又はアルコール類とのエステルが挙げられる。この中で、上記（ａ）成分との相溶性、形成されるシリカ系被膜の透明性の観点から、ナフトキノンジアジドスルホン酸と１価又は多価アルコール類とのエステルが好ましい。ナフトキノンジアジドスルホン酸としては、例えば、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸及びそれらの誘導体等が挙げられる。

１価又は多価アルコール類としては、炭素数３〜２０のものが好ましい。１価又は多価アルコール類の炭素数が１又は２である場合、対応するスルホン酸エステルにはナフトキノンジアジドスルホン酸メチルエステル、ナフトキノンジアジドスルホン酸エチルエステル等を挙げることができるが、これらの化合物は、アルキル基部分が小さく、結晶性が高いため、感光性樹脂組成物溶液中で析出しやすく、また、（ａ）成分との相溶性に劣り十分な濃度で混合できない傾向がある。また、１価又は多価アルコール類の炭素数が２０を超える場合には、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル分子中のナフトキノンジアジド部位の占める割合が小さいため、感光特性が低下する傾向にある。

炭素数３〜２０の１価アルコール類の具体例としては、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、１−ヘプタノール、１−オクタノール、１−デカノール、１−ドデカノール、ベンジルアルコール、シクロヘキシルアルコール、シクロヘキサンメタノール、シクロヘキサンエタノール、２−エチルブタノール、２−エチルヘキサノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキサノール、１−アダマンタノール、２−アダマンタノール、アダマンタンメタノール、ノルボルナン−２−メタノール、テトラフルフリルアルコール、２−メトキシエタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、重合度２〜１０のポリエチレングリコールモノメチルエーテル、重合度２〜１０のポリエチレングリコールモノエチルエーテル、重合度１〜１０のポリプロレングリコールモノメチルエーテル、重合度１〜１０のポリプロレングリコールモノエチルエーテル、さらにアルキル基がプロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソアミル、ヘキシル、シクロヘキシル等である重合度１〜１０のポリプロレングリコールモノアルキルエーテルが挙げられる。

炭素数３〜２０の２価アルコール類の具体例としては、１，４−シクロヘキサンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、ネオペンチルグリコール、ｐ−キシリレングリコール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール、３，９−ビス（１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、２，２−ジイソアミル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジイソブチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジ−ｎ−オクチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−２−メチル−１，３−プロパンジオール、２−メチル−２−プロピル−１，３−プロパンジオール等が挙げられる。

炭素数３〜２０の価数が３以上のアルコール類の具体例としては、グリセロール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、糖類、これらの多価アルコールのエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール付加体等が挙げられる。

これら１価又は多価アルコールの中でも、形成されるシリカ系被膜の透明性の観点から、エチレングリコール、プロピレングリコール及びそれらの重合度が２〜１０である重合体の中から選ばれた化合物を用いることが好ましい。

上述のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは従来公知の方法により得ることが可能であり、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸塩化物とアルコールとを塩基存在下で反応させることにより得ることができる。

この反応に用いる塩基としては、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミン等の第三級アルキルアミン、ピリジン、２，６−ルチジン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムが挙げられる。

また、反応溶媒としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン系溶媒、ＴＨＦ、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセート等のエーテルアセテート系溶媒、アセトン、イソブチルケトン等のケトン系溶媒、ヘキサン、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。

また、（ｃ）成分のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは、（ａ）成分のシロキサン樹脂とともに、（ｂ）成分の溶剤に溶解して用いる。

感光性樹脂組成物中の上記（ｃ）成分の配合割合は、感光特性等の観点から、感光性樹脂組成物の固形分全体を基準として、３〜３０質量％であることが好ましく、５〜２５質量％であるとより好ましく、５〜２０質量％であることが更に好ましい。（ｃ）成分の配合割合が５質量％未満の場合には、アルカリ現像液への溶解阻害作用が低下し、感光性が低下する。また、（ｃ）成分の配合割合が３０質量％を超える場合には、塗膜を形成する際に（ｃ）成分が析出し、塗膜が不均一となる傾向にある。さらに、このような場合には、感光剤としての（ｃ）成分の濃度が高く、形成される塗膜の表面近傍でのみ光の吸収が起こり、塗膜の下部まで露光時の光が到達せずに感光特性が低下する傾向にある。

＜（ｄ）成分＞
（ｄ）成分は、微粒子である。この成分は、形成されるシリカ系被膜のクラック耐性、耐熱性をさらに向上させるためのものである。

微粒子としては、金属酸化物等からなる無機微粒子、及びポリマー等からなる有機微粒子が挙げられ、無機微粒子が好ましい。無機微粒子の具体例としては、シリカ微粒子、アルミナ微粒子、ジルコニア微粒子、チタニア微粒子等が挙げられる。これらの中で、形成されるシリカ系被膜の絶縁特性及び成膜性等の点から、シリカ微粒子が好ましい。これらの微粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状及び不定形の微粒子を用いることができる。

このような微粒子の平均粒径は２００ｎｍ未満であることが好ましく、１〜１５０ｎｍであることがより好ましく、１〜１００ｎｍであることがさらに好ましく、１〜５０ｎｍであることが特に好ましい。微粒子の平均粒径が１ｎｍ未満の場合には、形成されるシリカ系被膜のクラック耐性、耐熱性が低下する傾向にあり、２００ｎｍを超える場合には、形成されるシリカ系被膜の成膜性が低下する傾向にある。

感光性樹脂組成物中の上記（ｄ）成分の配合割合は、溶媒への分散性、膜厚、成形性、溶液の安定性等の観点から、感光性樹脂組成物の固形分全体を基準として、５〜５０質量％であることが必要であり、５〜４０質量％であることがより好ましく、５〜３０質量％であることが更に好ましい。この配合割合が５質量％未満ではクラック耐性と耐熱性に変化はなく、５０質量％を超えると、溶液の安定性及びシリカ系被膜の成膜性が劣る傾向にある。

＜（ｅ）成分＞
（ｅ）成分は、下記一般式（３）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂である。この（ｅ）成分は、上述の（ａ）成分と組み合わせて用いることが好ましい。これにより、かかる感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜の強度を向上させることができる。

［式（３）中、Ｒ^３は、Ｈ原子、Ｆ原子、炭素数１〜２０の有機基、又は、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子及びＴｉ原子のうちの少なくとも１種の原子を含む基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよく、ｎが２であるとき、同一分子内の複数のＲ^３は同一でも異なっていてもよい。］

式（３）中、Ｒ^３で表される炭素数１〜２０の有機基としては、例えば、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、及び、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が挙げられる。これらの中で、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状の脂肪族炭化水素基及びその一部がＦ原子により置換された基、並びにフェニル基が好ましい。

式（３）中、Ｘで表される加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基、イソシアネート基、ヒドロキシル基等が挙げられる。これらの中では、組成物自体の液状安定性や塗布特性等の観点からアルコキシ基が好ましい。

加水分解性基Ｘがアルコキシ基である一般式（３）の化合物（アルコキシシラン）としては、例えば、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジオルガノジアルコキシシラン等が挙げられる。

テトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン等が挙げられる。

トリアルコキシシランとしては、例えば、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロエチルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。

ジオルガノジアルコキシシランとしては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジフェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジフェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジフェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ビス（３，３，３−トリフルオロプロピル）ジメトキシシラン、メチル（３，３，３−トリフルオロプロピル）ジメトキシシラン等が挙げられる。

また、Ｘがアルコキシ基であり、Ｒ^３が炭素数１〜２０の有機基である上記一般式（３）で表される化合物としては、例えば、上記のものの他、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エタン、ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリル）プロパン、ビス（トリエトキシシリル）プロパン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）プロパン、ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）プロパン、ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）ベンゼン等のビスシリルアルカン、ビスシリルベンゼン等が挙げられる。

また、Ｘがアルコキシ基であり、Ｒ^３がＳｉ原子を含む基である上記一般式（３）で表される化合物としては、例えば、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、ヘキサ−ｎ−プロポキシジシラン、ヘキサ−ｉｓｏ−プロポキシジシラン等のヘキサアルコキシジシラン類、１，２−ジメチルテトラメトキシジシラン、１，２−ジメチルテトラエトキシジシラン、１，２−ジメチルテトラプロポキシジシラン等のジアルキルテトラアルコキシジシラン類等が挙げられる。

これら一般式（３）で表される化合物は、１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。

上述の一般式（３）で表される化合物の加水分解縮合は、例えば、次のような条件で行うことができる。

まず、加水分解縮合の際に用いる水の量は、一般式（３）で表される化合物１モル当たり０．１〜１０００モルであることが好ましく、さらに好ましくは０．５〜１００モルである。この水の量が０．１モル未満では加水分解縮合反応が十分に進行しない傾向にあり、水の量が１０００モルを超えると加水分解中又は縮合中にゲル化物を生じる傾向にある。

また、加水分解縮合の際には、触媒を使用してもよい。触媒としては、上述のシラン化合物の加水分解縮合の際に使用されるものと同様なものを用いることができる。さらに、加水分解縮合後の触媒は、上述の場合と同様に取り除いたり失活させたりしてもよい。

このような触媒の使用量は、一般式（３）で表される化合物１モルに対して０．０００１〜１モルの範囲であることが好ましい。この使用量が０．０００１モル未満では実質的に反応が進行しない傾向にあり、１モルを超えると加水分解縮合時にゲル化が促進される傾向にある。

このようにして得られるシロキサン樹脂は、溶媒への溶解性、機械特性、成形性等の観点から、重量平均分子量が、５００〜１００００００であることが好ましく、５００〜５０００００であることがより好ましく、５００〜１０００００であることが更に好ましく、５００〜１００００であることが特に好ましく、５００〜５０００であることが極めて好ましい。この重量平均分子量が５００未満ではシリカ系被膜の成膜性が劣る傾向にあり、この重量平均分子量が１００００００を超えると、溶媒との相溶性が低下する傾向にある。

上述の（ｅ）成分を感光性樹脂組成物に配合する際のその配合割合は、溶媒への溶解性、膜厚、成形性、溶液の安定性等の観点から、感光性樹脂組成物の固形分全体を基準として、２０〜８０質量％であることが好ましく、１０〜９０質量％であることがより好ましい。この配合割合が１０質量％未満ではシリカ系被膜の強度向上効果が十分でない傾向にあり、９０質量％を超えると、溶液の安定性が低下する傾向にある。

なお、上述の感光性樹脂組成物を電子部品等に使用する場合は、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含有しないことが望ましく、含まれる場合でも組成物中のそれらの金属イオン濃度が１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１ｐｐｍ以下であることがより好ましい。これらの金属イオン濃度が１０００ｐｐｍを超えると、組成物から得られるシリカ系被膜を有する電子部品に金属イオンが流入し易くなって、電気性能そのものに悪影響を与えるおそれがある。したがって、必要に応じて、例えば、イオン交換フィルター等を使用してアルカリ金属やアルカリ土類金属を組成物中から除去することが有効である。しかし、光導波路や他の用途等に用いる際は、その目的を損なわないのであれば、この限りではない。

また、上述の感光性樹脂組成物は、必要に応じて水を含んでいてもよいが、目的とする特性を損なわない範囲であることが好ましい。

（シリカ系被膜の形成方法）
本発明のシリカ系被膜の形成方法は、上述した本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を得る塗布工程と、塗膜の所定部分を露光する第１露光工程と、塗膜の露光された所定部分を除去する除去工程と、所定部分が除去された塗膜を加熱する加熱工程とを有する。また、本発明のシリカ系被膜の形成方法は、上述の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を得る塗布工程と、塗膜の所定部分を露光する第１露光工程と、塗膜の露光された所定部分を除去する除去工程と、所定部分が除去された塗膜を露光する第２露光工程と、所定部分が除去された塗膜を加熱する加熱工程とを有していてもよい。以下、各工程について説明する。

＜塗布工程＞
まず、感光性樹脂組成物を塗布するための基板を用意する。基板としては、表面が平坦なものであっても、電極等が形成され凹凸を有しているものであってもよい。これらの基板の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアクリル、ナイロン、ポリエーテルサルフォン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、トリアセチルセルロース等の有機高分子等が挙げられる。また、この有機高分子等がフィルム状になっているものを基板として用いることもできる。

上述の感光性樹脂組成物は、このような基板上に従来公知の方法によって塗布することが可能である。塗布方法の具体例としては、スピンコート法、スプレー法、ロールコート法、回転法、スリット塗布法等が挙げられる。これらの中で、一般に成膜性及び膜均一性に優れるスピンコート法により感光性樹脂組成物を塗布することが好ましい。

スピンコート法を用いる場合には、好ましくは３００〜３０００回転／分、より好ましくは４００〜２０００回転／分で、基板上に上述の感光性樹脂組成物をスピンコートして塗膜を形成する。この回転数が３００回転／分未満では膜均一性が悪化する傾向があり、３０００回転／分を超えると成膜性が悪化するおそれがある。

このようにして形成される塗膜の膜厚は、例えば次のようにして調整することができる。まず、スピンコートの際に、回転数と塗布回数を調整することにより塗膜の膜厚を調整することができる。すなわち、スピンコートの回転数を下げたり塗布回数を減らしたりすることにより、塗膜の膜厚を厚くすることができる。また、スピンコートの回転数を上げたり塗布回数を減らしたりすることにより、塗膜の膜厚を薄くすることができる。

さらに、上述の感光性樹脂組成物において、（ａ）成分の濃度を調整することにより、塗膜の膜厚を調整することもできる。例えば、（ａ）成分の濃度を高くすることにより、塗膜の膜厚を厚くすることができる。また、（ａ）成分の濃度を低くすることにより、塗膜の膜厚を薄くすることができる。

以上のようにして塗膜の膜厚を調整することにより、最終生成物であるシリカ系被膜の膜厚を調整することができる。シリカ系被膜の好適な膜厚は使用用途により異なる。例えば、シリカ系被膜の膜厚は、ＬＳＩ等の層間絶縁膜に使用する際には０．０１〜２μｍ；パッシベーション層に使用する際には２〜４０μｍ；液晶用途に使用する際には０．１〜２０μｍ；フォトレジストに使用する際には０．１〜２μｍ；光導波路に使用する際の膜厚は１〜５０μｍ、であることが好ましい。一般的に、このシリカ系被膜の膜厚は、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．０１〜５μｍであることがより好ましく、０．０１〜３μｍであることが更に好ましく、０．０５〜３μｍであることが特に好ましく、０．１〜３μｍであることが極めて好ましい。本発明の感光性樹脂組成物は、０．５〜３．０μｍの膜厚のシリカ系被膜に好適に用いることができ、０．５〜２．５μｍの膜厚のシリカ系被膜により好適に用いることができ、１．０〜２．５μｍの膜厚のシリカ系被膜に特に好適に用いることができる。

上述のようにして基板上に塗膜を形成した後に、塗膜を乾燥して、塗膜中の有機溶媒を除去する。乾燥には従来公知の方法を用いることができ、例えばホットプレートを用いて乾燥することができる。乾燥温度は、５０〜２００℃であることが好ましく、８０〜１８０℃がより好ましい。この乾燥温度が５０℃未満では、有機溶媒の除去が十分に行われない傾向がある。また、乾燥温度が２００℃を越えると塗膜の硬化が進行し、現像液に対する溶解性が低下するため、露光感度低下、解像度低下を伴う傾向がある。

＜第１露光工程＞
次に、得られた塗膜の所定部分を露光する。塗膜の所定部分を露光する方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、所定のパターンのマスクを介して塗膜に放射線を照射することにより、所定部分を露光することができる。ここで用いられる放射線としては、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線が挙げられる。これらのうち、ｇ線及びｉ線が好ましい。露光量としては、通常１０〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２、好ましくは２０〜２００ｍＪ／ｃｍ^２である。

＜除去工程＞
続いて、塗膜の露光された所定部分（以下、「露光部」ともいう。）を除去して、所定のパターンを有する塗膜を得る。塗膜の露光部を除去する方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、現像液を用いて現像処理して露光部を除去することにより、所定のパターンを有する塗膜を得ることができる。ここで用いられる現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン類、ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルアミン等のアルコ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩又はピロ−ル、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−（５．４．０）−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−（４．３．０）−５−ノナン等の環状アミン類を水に溶解したアルカリ水溶液が好ましく使用される。また該現像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル類や界面活性剤を適量添加して使用することもできる。さらに本発明の感光性樹脂組成物を溶解する各種有機溶媒も現像液として使用することができる。

現像方法としては、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法等の適宜の方法を利用することができる。現像処理後に、パターニングされた膜に対し、例えば流水洗浄によるリンス処理を行ってもよい。

＜第２露光工程＞
さらに、必要な場合には、除去工程後に残った塗膜の全面を露光する。これにより、上述の可視光領域に光学吸収を有する（ｃ）成分が分解して、可視光領域における光学吸収が十分に小さい化合物が生成する。よって、最終生成物であるシリカ系被膜の透明性が向上する。露光には、第１露光工程と同様の放射線を用いることができる。露光量としては、（ｃ）成分を完全に分解する必要があるため、通常１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ^２、好ましくは２００〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２である。

＜加熱工程＞
最後に、除去工程後に残った塗膜を加熱して最終硬化を行う。この加熱工程により、最終生成物であるシリカ系被膜が得られる。加熱温度は、例えば、２５０〜５００℃であることが好ましく、２５０〜４００℃であることがより好ましい。この加熱温度が２５０℃未満では、十分に塗膜が硬化されない傾向にあり、５００℃を超えると、金属配線層がある場合に、入熱量が増大して配線金属の劣化が生じるおそれがある。

なお、加熱工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気下で行うのが好ましく、この場合、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下であると好ましい。また、加熱時間は２〜６０分が好ましく、２〜３０分であるとより好ましい。この加熱時間が２分未満では、十分に塗膜が硬化されない傾向にあり、６０分を超えると、入熱量が過度に増大して配線金属の劣化が生じるおそれがある。

さらに、加熱のための装置としては、石英チューブ炉その他の炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）等の加熱処理装置又はＥＢ、ＵＶを併用した加熱処理装置を用いることが好ましい。

上述の工程を経て形成されたシリカ系被膜は、例えば３５０℃の加熱処理を行っても十分な高い耐熱性、高い透明性を有するとともに、耐溶剤性に優れる。なお、従来知られているノボラック樹脂等のフェノール系樹脂及びキノンジアジド系感光剤を含有する組成物、あるいはアクリル系樹脂及びキノンジアジド系感光剤材料を含有する組成物から形成される被膜は、一般的に２３０℃程度が耐熱温度の上限であり、この温度を超えて加熱処理を行うと黄色や褐色に着色し、透明性が著しく低下する。

上述の工程を経て形成されたシリカ系被膜は、液晶表示素子、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ、フィールドエミッションディスプレイ等の平面表示装置の層間絶縁膜として好適に使用できる。また、かかるシリカ系被膜は、半導体素子などの層間絶縁膜としても好適に使用できる。さらに、かかるシリカ系被膜は、半導体素子のウエハコート材料（表面保護膜、バンプ保護膜、ＭＣＭ（multi-chip module）層間保護膜、ジャンクションコート）、パッケージ材（封止材、ダイボンディング材）等の電子デバイス用部材としても好適に使用することができる。

上述のシリカ系被膜を備える本発明の電子部品の具体例としては、図１に示すメモリセルキャパシタが挙げられ、上述のシリカ系被膜を備える本発明の平面表示装置の具体例としては、図２及び３に示すアクティブマトリクス基板を有する平面表示装置が挙げられる。

図１は、本発明の電子部品の一実施形態としてのメモリセルキャパシタを示す模式断面図である。図１に示すメモリキャパシタ１０は、その表面に拡散領域１Ａ及び１Ｂが形成されたシリコンウェハ１（基板）と、シリコンウェハ１上の拡散領域１Ａ及び１Ｂの間の位置に設けられたゲート絶縁膜２Ｂと、ゲート絶縁膜２Ｂ上に設けられたゲート電極３と、ゲート電極３の上方に設けられた対向電極８Ｃと、ゲート電極３と対向電極８Ｃとの間にシリコンウェハ１側から順に積層された層間絶縁膜５及び７（絶縁被膜）とを有する。

拡散領域１Ａ上にはゲート絶縁膜２Ｂ及びゲート電極３の側壁と接する側壁酸化膜４Ａが形成されている。拡散領域１Ｂ上にはゲート絶縁膜２Ｂ及びゲート電極３の側壁と接する側壁酸化膜４Ｂが形成されている。拡散領域１Ｂのゲート絶縁膜２Ｂとは反対側において、素子分離のためのフィールド酸化膜２Ａがシリコンウェハ１と層間絶縁膜５の間に形成されている。

層間絶縁膜５は、ゲート電極３、シリコンウェハ１及びフィールド酸化膜２Ａを覆って形成されている。層間絶縁膜５のシリコンウェハ１とは反対側の面は平坦化されている。層間絶縁膜５は拡散領域１Ａ上に位置する側壁を有しており、この側壁と拡散領域１Ａを覆うとともに、層間絶縁膜５のシリコンウェハ１とは反対側の面の一部を覆うように延在するビット線６が形成されている。層間絶縁膜５上に設けられた層間絶縁膜７はビット線６を覆うように延びて形成されている。層間絶縁膜５及び層間絶縁膜７によって、ビット線６が埋め込まれたコンタクトホール５Ａが形成されている。

層間絶縁膜７のシリコンウェハ１とは反対側の面も平坦化されている。拡散領域１Ｂ上の位置において層間絶縁膜５及び層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール７Ａが形成されている。コンタクトホール７Ａ内には蓄積電極７Ａが埋め込まれ、蓄積電極７Ａはさらに、層間絶縁膜７のシリコンウェハ１とは反対側の面のうちコンタクトホール７Ａ周囲の部分を覆うように延在している。対向電極８Ｃは蓄積電極８Ａ及び層間絶縁膜７を覆って形成されており、対向電極８Ｃと蓄電電極８Ａの間にはキャパシタ絶縁膜８Ｂが介在している。

層間絶縁膜５及び７は、上述の感光性樹脂組成物から形成されたシリカ系被膜である。層間絶縁膜５及び７は、例えば、感光性樹脂組成物をスピンコート法により塗布する工程を経て形成される。層間絶縁膜５及び７は同一の組成を有していても異なる組成を有していてもよい。

図２は、本発明の平面表示装置の一実施形態におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。図２において、アクティブマトリクス基板２０には、複数の画素電極２１がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極２１の周囲を通り、互いに直交するように、走査信号を供給するための各ゲート配線２２と表示信号を供給するためのソース配線２３が設けられている。これらのゲート配線２２とソース配線２３はその一部が画素電極２１の外周部分とオーバーラップしている。また、これらのゲート配線２２とソース配線２３の交差部分において、画素電極２１に接続されるスイッチング素子としてのＴＦＴ２４が設けられている。このＴＦＴ２４のゲート電極３２にはゲート配線２２が接続され、ゲート電極に入力される信号によってＴＦＴ２４が駆動制御される。また、ＴＦＴ２４のソース電極にはソース配線２３が接続され、ＴＦＴ２４のソース電極にデータ信号が入力される。さらに、ＴＦＴ２４のドレイン電極は、接続電極２５さらにコンタクトホール２６を介して画素電極２１と接続されるとともに、接続電極２５を介して付加容量の一方の電極である付加容量電極（図示せず）と接続されている。この付加容量の他方の電極である付加容量対向電極２７は共通配線に接続されている。

図３は、図２のアクティブマトリクス基板におけるＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図である。図３において、透明絶縁性基板３１上に、ゲート配線２２に接続されたゲート電極３２が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜３３が設けられている。その上にはゲート電極３２と重畳するように半導体層３４が設けられ、その中央部上にチャネル保護層３５が設けられている。このチャネル保護層３５の両端部および半導体層３４の一部を覆い、チャネル保護層３５上で分断された状態で、ソース電極３６ａおよびドレイン電極３６ｂとなるｎ＋Ｓｉ層が設けられている。一方のｎ＋Ｓｉ層であるソース電極３６ａの端部上には、透明導電膜３７ａと金属層３８ａとが設けられて２層構造のソース配線２３となっている。また、他方のｎ＋Ｓｉ層であるドレイン電極３６ｂの端部上には、透明導電膜３７ｂと金属層３８ｂとが設けられ、透明導電膜３７ｂは延長されて、ドレイン電極３６ｂと画素電極２１とを接続するとともに付加容量の一方の電極である付加容量電極（図示せず）に接続される接続電極２５となっている。さらに、ＴＦＴ２４、ゲート配線２２およびソース配線２３、接続電極２５の上部を覆うように層間絶縁膜３９が設けられている。この層間絶縁膜３９上には、画素電極２１となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜３９を貫くコンタクトホール２６を介して、接続電極２５によりＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと接続されている。

本実施形態のアクティブマトリクス基板は以上のように構成され、このアクティブマトリクス基板は、例えば以下のようにして製造することができる。

まず、ガラス基板などの透明絶縁性基板３１上に、ゲート電極３２、ゲート絶縁膜３３、半導体層３４、チャネル保護層３５、ソース電極３６ａおよびドレイン電極３６ｂとなるｎ＋Ｓｉ層を順次成膜して形成する。ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマトリクス基板の製造方法と同様にして行うことができる。

次に、ソース配線２３および接続電極２５を構成する透明導電膜３７ａ、３７ｂおよび金属層３８ａ、３８ｂを、スパッタ法により順次成膜して所定形状にパターニングする。

さらに、その上に、層間絶縁膜３９となる上述の感光性樹脂組成物をスピンコート法により例えば２μｍの膜厚で形成する。形成された塗膜に対して、マスクを介して露光し、アルカリ性の溶液によって現像処理することにより、層間絶縁膜３９が形成される。この際、露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜３９を貫通するコンタクトホール２６が形成されることになる。

その後、画素電極２１となる透明導電膜をスパッタ法により形成し、パターニングする。これにより画素電極２１は、層間絶縁膜３９を貫くコンタクトホール２６を介して、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと接続されている透明導電膜３８ｂと接続されることになる。このようにして、上述のアクティブマトリクス基板を製造することができる。

したがって、このようにして得られたアクティブマトリクス基板は、ゲート配線２２、ソース配線２３およびＴＦＴ２４と、画素電極２１との間に厚い膜厚の層間絶縁膜３９が形成されているので、各配線２２、２３およびＴＦＴ２４に対して画素電極２１をオーバーラップさせることができるとともにその表面を平坦化させることができる。このため、アクティブマトリクス基板と対向基板の間に液晶を介在させた平面表示装置の構成とした時に、開口率を向上させることができると共に、各配線２２、２３に起因する電界を画素電極２１でシールドしてディスクリネーションを抑制することができる。

また、層間絶縁膜３９となる、上述の感光性樹脂組成物は、比誘電率の値が３．０から３．８と無機膜（窒化シリコンの比誘電率８）の比誘電率に比べて低く、また、その透明度も高くスピン塗布法により容易に厚い膜厚にすることができる。このため、ゲート配線２２と画素電極２１との間の容量および、ソース配線２３と画素電極２１との間の容量を低くすることができて時定数が低くなり、各配線２２、２３と画素電極２１との間の容量成分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減することができて良好で明るい表示を得ることができる。また、露光およびアルカリ現像によってパターニングを行うことにより、コンタクトホール２６のテーパ形状を良好にすることができ、画素電極２１と接続電極３７ｂとの接続を良好にすることができる。さらに、上述の感光性樹脂組成物を用いることにより、スピンコート法を用いて薄膜が形成できるので、数μｍという膜厚の薄膜を容易に形成でき、さらに、パターニングにフォトレジスト工程も不要であるので、生産性の点で有利である。ここで、層間絶縁膜３９として用いた上述の感光性樹脂組成物は、塗布前に着色しているものであるが、パターニング後に全面露光処理を施してより透明化することができる。このように、樹脂の透明化処理は、光学的に行うことができるだけではなくて、化学的にも行うことが可能である。

本実施形態で層間絶縁膜３９として用いた、上述の感光性樹脂組成物の露光には、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）及びｇ線（波長４３６ｎｍ）の輝線を含む水銀灯の光線を用いるのが一般的である。感光性樹脂組成物としては、これらの輝線のなかで最もエネルギーの高い（波長の最も短い）ｉ線に感放射線性（吸収ピーク）を有する感光性樹脂組成物を用いることが好ましい。コンタクトホールの加工精度を高くするとともに、感光剤に起因する着色を最小限に抑制することができる。また、エキシマレーザーからの短波長の紫外線を用いてもよい。

以下、本発明に係る具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（シロキサン樹脂の合成）
（１）シロキサン樹脂Ａ：３−アセトキシプロピルシルセスキオキサン・フェニルシルセスキオキサン・メチルシルセスキオキサン共重合体（下記式（１０）で表される化合物；上記（ａ）成分に相当）の合成；

［式（１０）中、２０，５０，３０は、それぞれ各部位に対応する原料のモル比を示す。］

撹拌機、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた５００ｍＬ４つ口フラスコに、トルエン５５．８ｇ及び水３５．７ｇを仕込み、３５％塩酸３．１２ｇ（０．０３モル）を加えた。次に、３−アセトキシプロピルトリメトキシシラン１３．５ｇ（０．０６０５モル）、フェニルトリメトキシシラン３０．０ｇ（０．１５１モル）及びメチルトリメトキシシラン１２．４ｇ（０．０９０８モル）のトルエン２７．９ｇ溶液を２０〜３０℃で滴下した。滴下終了後、同温度で２時間熟成させた。このときの反応溶液をＧＣ（ガスクロマトグラフ）で分析した結果、原料は残っていないことが確認された。次に、反応溶液にトルエンと水を加えて生成物を有機相に抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後に、水で溶液が中性になるまで洗浄した。その後、有機相を回収し、トルエンを除去して、粘性液体状の目的のシロキサン樹脂Ａ３４．６ｇを得た。さらに、得られたシロキサン樹脂Ａをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させ、固形分濃度が５０質量％になるように調整されたシロキサン樹脂Ａの溶液を得た。また、ＧＰＣ法によりシロキサン樹脂Ａの重量平均分子量を測定すると１０５０であった。

（２）シロキサン樹脂Ｂ：３−アセトキシプロピルシルセスキオキサン・２−ノルボルニルシルセスキオキサン・メチルシルセスキオキサン共重合体（下記式（５）で表される化合物；上記（ａ）成分に相当）の合成；

［式（５）中、２０，５０，３０は、それぞれ各部位に対応する原料のモル比を示す。］

フェニルトリメトキシシラン３０．０ｇ（０．１５１モル）を２−ノルボルニルトリエトキシシラン３９．０ｇ（０．１５１モル）に変更した以外は、上記シロキサン樹脂Ａの合成方法と同様の操作で目的のシロキサン樹脂Ｂ３８．７ｇを得た。さらに、得られたシロキサン樹脂Ｂをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させ、固形分濃度が５０質量％になるように調整されたシロキサン樹脂Ｂの溶液を得た。また、ＧＰＣ法によりシロキサン樹脂Ｂの重量平均分子量を測定すると１０２０であった。

（３）シロキサン樹脂Ｃ：３−アセトキシプロピルシルセスキオキサン・フェニルシルセスキオキサン共重合体（下記式（６）で表される化合物；上記（ａ）成分に相当）の合成；

［式（６）中、２０，８０は、それぞれ各部位に対応する原料のモル比を示す。］

撹拌機、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた５００ｍＬ４つ口フラスコに、メタノール３８．４ｇと水２１．０ｇを仕込み、酢酸１．１３ｇ（０．０１８９モル）を加えた。次に、３−アセトキシプロピルトリメトキシシラン８．４１ｇ（０．０３７８モル）及びフェニルトリメトキシシラン３０．０ｇ（０．１５１モル）のメタノール１９．２ｇ溶液を２０〜３０℃で滴下した。滴下終了後、同温度で２時間熟成させた。このときの反応溶液をＧＣで分析した結果、原料は残っていないことが確認された。次に、トルエンを加えて生成物を有機相に抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後に、水で溶液が中性になるまで洗浄した。有機相を回収し、トルエンを除去して、粘性液体状の目的のシロキサン樹脂Ｃ２４．６ｇを得た。さらに得られたシロキサン樹脂Ｃをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させ、固形分濃度が５０質量％になるように調整されたシロキサン樹脂Ｃの溶液を得た。ＧＰＣ法によりシロキサン樹脂Ｃの重量平均分子量を測定すると１１００であった。

（４）比較シロキサン樹脂Ａ：フェニルシルセスキオキサン（下記式（７）で表される化合物）の合成；

［ｎは整数を示す。］

撹拌機、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた５００ｍＬ４つ口フラスコに、トルエン５５．８ｇ及び水３５．７ｇを仕込み、３５％塩酸３．１２ｇ（０．０３モル）を加えた。次にフェニルトリメトキシシラン４８．０ｇ（０．２４２モル）のトルエン２７．９ｇ溶液を２０〜３０℃で滴下した。滴下終了後、同温度で２時間熟成させた。このときの反応溶液をＧＣで分析した結果、原料は残っていないことが確認された。次に、トルエンと水とを加えて生成物を有機相に抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後に、水で溶液が中性になるまで洗浄した。有機層を回収し、トルエンを除去して、粘性液体状の目的の比較シロキサン樹脂Ａ３４．６ｇを得た。さらに、得られた比較シロキサン樹脂Ａをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させ、固形分濃度が５０質量％になるように調整した比較シロキサン樹脂Ａの溶液を得た。また、ＧＰＣ法により比較シロキサン樹脂Ａの重量平均分子量を測定すると１０００であった。

（５）シロキサン樹脂Ｄ（上記（ｅ）成分に相当）の合成；
撹拌機、環流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた２０００ｍＬ４つ口フラスコに、テトラエトキシシラン３１７．９ｇとメチルトリエトキシシラン２４７．９ｇとをジエチレングリコールジメチルエーテル１１１６．７ｇに溶解させた溶液を仕込み、０．６４４質量％に調整した硝酸１６７．５ｇを攪拌下で３０分間かけて滴下した。滴下終了後３時間反応させた後、減圧下、温浴中で生成エタノール及びジエチレングリコールジメチルエーテルの一部を留去して、固形分濃度２５質量％のシロキサン樹脂Ｄの溶液７４０．０ｇを得た。ＧＰＣ法により比較シロキサン樹脂Ｄの重量平均分子量を測定すると８７０であった。

（ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの合成）
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡ（上記（ｃ）成分に相当）の合成；
撹拌機、環流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた２００ｍＬ４つ口フラスコに、ジプロピレングリコール２．６８ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｇを仕込み、さらに室温（２５℃）条件で１，２−ジアゾナフトキノン−５−スルホニルクロリド１０．７５ｇ、トリエチルアミン４．４５ｇ及びジメチルアミノピリジン０．５ｇを加え、５０℃で４時間反応を行った。反応終了後、析出した固形分をろ別し、減圧下、温浴中で溶媒を除去した。その後、メチルイソブチルケトン５０ｇを添加して溶解した後、イオン交換水５０ｇで２回水洗を行い、減圧下、温浴中で溶媒を濃縮し、固形分濃度４８質量％のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液１６．４ｇを得た。

ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＢ（上記（ｃ）成分に相当）の合成；
撹拌機、環流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた２００ｍＬ４つ口フラスコに、ジプロピレングリコール２．６８ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｇを仕込み、さらに室温（２５℃）条件で１，２−ジアゾナフトキノン−５−スルホニルクロリド１０．７５ｇ、トリエチルアミン４．４５ｇ及びジメチルアミノピリジン０．５ｇを加え、５０℃で４時間反応を行った。反応終了後、析出した固形分をろ別し、減圧下、温浴中で溶媒を除去した。その後、メチルイソブチルケトン５０ｇを添加して溶解した後、イオン交換水５０ｇで２回水洗を行い、減圧下、温浴中で溶媒を除去してオイル状のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル１０．２ｇを得た。このうち７．３ｇを撹拌機付の容器内に仕込み、さらに３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン７．７ｇ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート５０ｇ及び５％ＨＮＯ_３水溶液２．９ｇを加え、室温（２５℃）で７２時間反応を行った。反応終了後、メチルイソブチルケトン７０ｇを添加し、さらに０．５％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液７０ｇで洗浄し、次いで、イオン交換水７０ｇで２回水洗した後に有機層を分取した。この溶液を減圧下、温浴中で濃縮し、固形分濃度４８質量％のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＢの溶液９．６ｇを得た。

（感光性樹脂組成物の調製）
［実施例１］
シロキサン樹脂Ａの溶液４．２ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液３．６ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液０．４４ｇ、濃度２７％の１０ｎｍ〜２０ｎｍのＳｉＯ_２微粒子溶液（商品名「ＰＬ−２Ｌ」、扶桑化学工業社製）３．５７ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、実施例１のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。得られた感光性樹脂組成物中、（ａ）成分の配合割合（固形分）は５０質量％であり、（ｄ）成分の配合割合（固形分）は２３質量％である。

［実施例２］
シロキサン樹脂Ｂの溶液４．２ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液３．６ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液０．４４ｇ、濃度２７％の１０ｎｍ〜２０ｎｍのＳｉＯ_２微粒子溶液（商品名「ＰＬ−２Ｌ」、扶桑化学工業社製）３．５７ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、実施例２のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。得られた感光性樹脂組成物中、（ａ）成分の配合割合（固形分）は５０質量％であり、（ｄ）成分の配合割合（固形分）は２３質量％である。

［実施例３］
シロキサン樹脂Ｃの溶液４．２ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液３．６ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液０．４４ｇ、濃度２７％の１０ｎｍ〜２０ｎｍのＳｉＯ_２微粒子溶液（商品名「ＰＬ−２Ｌ」、扶桑化学工業社製）３．５７ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、実施例３のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。得られた感光性樹脂組成物中、（ａ）成分の配合割合（固形分）は５０質量％であり、（ｄ）成分の配合割合（固形分）は２３質量％である。

［実施例４］
シロキサン樹脂Ａの溶液４．２ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液３．６ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＢの溶液０．４４ｇ、濃度２７％の１０ｎｍ〜２０ｎｍのＳｉＯ_２微粒子溶液（商品名「ＰＬ−２Ｌ」、扶桑化学工業社製）３．５７ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、実施例４のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。得られた感光性樹脂組成物中、（ａ）成分の配合割合（固形分）は５０質量％であり、（ｄ）成分の配合割合（固形分）は２３質量％である。

［実施例５］
シロキサン樹脂Ａの溶液２．０ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液３６．０ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液１．３８ｇ、濃度２７％の１０ｎｍ〜２０ｎｍのＳｉＯ_２微粒子溶液（商品名「ＰＬ−２Ｌ」、扶桑化学工業社製）９．０ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、実施例５のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。得られた感光性樹脂組成物中、（ａ）成分の配合割合（固形分）は７．６質量％であり、（ｄ）成分の配合割合（固形分）は１８．６質量％である。

［実施例６］
シロキサン樹脂Ａの溶液１０．０ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液３．０ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液０．５５ｇ、濃度２７％の１０ｎｍ〜２０ｎｍのＳｉＯ_２微粒子溶液（商品名「ＰＬ−２Ｌ」、扶桑化学工業社製）２．８ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、実施例６のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。得られた感光性樹脂組成物中、（ａ）成分の配合割合（固形分）は７４質量％であり、（ｄ）成分の配合割合（固形分）は１１．２質量％である。

［比較例１］
比較シロキサン樹脂Ａの溶液４．２ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液３．６ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液０．４４ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、比較例１のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。

［比較例２］
シロキサン樹脂Ａの溶液１．０ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液３６．０ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液１．３８ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、比較例２のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。得られた感光性樹脂組成物中、（ａ）成分の配合割合（固形分）は４．９質量％である。

［比較例３］
シロキサン樹脂Ａの溶液８．０ｇに、シロキサン樹脂Ｄの溶液１．５ｇ、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルＡの溶液０．６４ｇをそれぞれ添加して、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解し、比較例３のシリカ系ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。得られた感光性樹脂組成物中、（ａ）成分の配合割合（固形分）は８５．５質量％である。

＜シリカ系被膜の製造＞
実施例１〜６及び比較例１〜３で得られた感光性樹脂組成物をＰＴＦＥ製のフィルターでろ過した。これをシリコンウェハ又はガラス基板上に、溶媒除去した後の膜厚が３．０μｍになるような回転数で３０秒間スピンコートした。その後、１５０℃で２分間かけて溶媒を除去した。得られた塗膜に対し、所定のパターンマスクを介してＣａｎｏｎ社製ＰＬＡ−６００Ｆ投影露光機を用い、露光量３０ｍＪ／ｃｍ^２にて露光を行った。続いて、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２５℃で２分間揺動浸漬法にて現像処理を行った。これを純水で流水洗浄し、乾燥してパターンを形成した。次いで、パターン部分をＣａｎｏｎ社製ＰＬＡ−６００Ｆ投影露光機を用い、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で全面露光した。次いで、Ｏ_２濃度が１０００ｐｐｍ未満にコントロールされている石英チューブ炉にて３５０℃で３０分間かけてパターンを最終硬化し、シリカ系被膜を得た。

＜被膜評価＞
上述の方法により、実施例１〜６及び比較例１〜３の感光性樹脂組成物から形成されたシリカ系被膜に対して、以下の方法で膜評価を行った。

［解像性の評価］
解像性の評価は、シリコンウェハ上に形成されたシリカ系被膜について、５μｍ角のスルーホールパターンが抜けているかどうかで評価した。すなわち、電子顕微鏡Ｓ−４２００（（株）日立計測器サービス社製）を用いて観察し、５μｍ角のスルーホールパターンが抜けている場合はＡ、抜けていない場合をＢと評価した。

［透過率の測定］
可視光領域に吸収がないガラス基板上に塗布されたシリカ系被膜について、日立社製ＵＶ３３１０装置によって波長３００ｎｍ〜８００ｎｍの透過率を測定し、波長４００ｎｍの値を透過率とした。

［耐熱性の評価］
シリコンウェハ上に形成されたシリカ系被膜について、溶媒除去した後の膜厚に対する最終硬化後の膜厚の減少率が１０％未満の場合をＡ、１０％以上の場合をＢとして評価した。なお、膜厚は、ガートナー社製のエリプソメータＬ１１６Ｂで測定された膜厚であり、具体的には被膜上にＨｅ−Ｎｅレーザーを照射し、照射により生じた位相差から求められる膜厚である。

［クラック耐性の評価］
シリコンウェハ上に形成されたシリカ系被膜について、金属顕微鏡により１０倍〜１００倍の倍率で面内のクラックの有無を確認した。クラックの発生がない場合はＡ、クラックが見られた場合をＢとして評価した。

＜評価結果＞
実施例１〜６及び比較例１〜３の感光性樹脂組成物から形成されたシリカ系被膜の評価結果を下記の表１に示した。

表１に示した結果から、実施例１〜６の感光性樹脂組成物によれば、解像性、耐熱性、クラック耐性及び透明性に優れたシリカ系被膜を得ることができることが明らかである。なお、これらの実施例では、透過率の高いシリカ系被膜が得られる感光性樹脂組成物のみを示したが、用途に合わせて透過率の低いものを提供することも可能である。

図１は、本発明の電子部品の一実施形態を示す模式断面図である。 図２は、本発明の平面表示装置の一実施形態におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示す平面図である。 図３は、図２のアクティブマトリクス基板におけるＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図である。

符号の説明

１…シリコンウェハ、１Ａ，１Ｂ…拡散領域、２Ａ…フィールド酸化膜、２Ｂ…ゲート絶縁膜、３…ゲート電極、４Ａ，４Ｂ…側壁酸化膜、５，７…層間絶縁膜、５Ａ、７Ａ…コンタクトホール、６…ビット線、８Ａ…蓄積電極、８Ｂ…キャパシタ絶縁膜、８Ｃ…対向電極、１０…メモリセルキャパシタ、２１…画素電極、２２…ゲート配線、２３…ソース配線、２４…ＴＦＴ、２５…接続電極、２６…コンタクトホール、３１…透明絶縁性基板、３２…ゲート電極、３６ａ…ソース電極、３６ｂ…ドレイン電極、３７ａ，３７ｂ…透明導電膜、３８ａ、３８ｂ…金属層、３９…層間絶縁膜。

Claims (11)

1. （ａ）成分：下記一般式（１）で表される化合物を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
   （ｂ）成分：前記（ａ）成分が溶解する溶媒と、
   （ｃ）成分：ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと、
   （ｄ）成分：微粒子と、
   を含有し、
   前記（ａ）成分の配合割合が、組成物の固形分全体を基準として５〜８０質量％であり、前記（ｄ）成分の配合割合が、組成物の固形分全体を基準として５〜５０質量％である、感光性樹脂組成物。
   

   

   
   
   ［式（１）中、Ｒ^１は有機基を示し、Ａは２価の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよい。］
2. 前記シラン化合物が、下記一般式（２）で表される化合物をさらに含む、請求項１記載の感光性樹脂組成物。
   

   

   
   
   ［式（２）中、Ｒ^２は有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよい。］
3. （ｅ）成分：下記一般式（３）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、をさらに含有する、請求項１又は２記載の感光性樹脂組成物。
   

   

   
   
   ［式（３）中、Ｒ^３は、Ｈ原子、Ｆ原子、炭素数１〜２０の有機基、又は、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子及びＴｉ原子のうちの少なくとも１種の原子を含む基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、同一分子内の複数のＸは同一でも異なっていてもよく、ｎが２であるとき、同一分子内の複数のＲ^３は同一でも異なっていてもよい。］
4. 前記（ｂ）成分が、エーテルアセテート系溶媒、エーテル系溶媒、アセテート系溶媒、アルコール系溶媒及びケトン系溶媒からなる群より選択される少なくとも１種の溶媒を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
5. 前記（ｃ）成分が、１価又は多価アルコールと、ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
6. 前記１価又は多価アルコールが、エチレングリコール、プロピレングリコール及びそれらの重合度が２〜１０である重合体の中から選ばれた化合物である、請求項５記載の感光性樹脂組成物。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を得る塗布工程と、
   前記塗膜の所定部分を露光する第１露光工程と、
   前記塗膜の露光された前記所定部分を除去する除去工程と、
   前記所定部分が除去された塗膜を加熱する加熱工程と、
   を有する、シリカ系被膜の形成方法。
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を得る塗布工程と、
   前記塗膜の所定部分を露光する第１露光工程と、
   前記塗膜の露光された前記所定部分を除去する除去工程と、
   前記所定部分が除去された塗膜を露光する第２露光工程と、
   前記所定部分が除去された塗膜を加熱する加熱工程と、
   を有する、シリカ系被膜の形成方法。
9. 基板と、該基板上に請求項７又は８記載の形成方法により形成されたシリカ系被膜と、を備える半導体装置。
10. 基板と、該基板上に請求項７又は８記載の形成方法により形成されたシリカ系被膜と、を備える平面表示装置。
11. 基板と、該基板上に請求項７又は８記載の形成方法により形成されたシリカ系被膜と、を備える電子デバイス用部材。
    

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