KR101270703B1 - 절연막용 감광성 수지 조성물 - Google Patents

절연막용 감광성 수지 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101270703B1
KR101270703B1 KR1020100130912A KR20100130912A KR101270703B1 KR 101270703 B1 KR101270703 B1 KR 101270703B1 KR 1020100130912 A KR1020100130912 A KR 1020100130912A KR 20100130912 A KR20100130912 A KR 20100130912A KR 101270703 B1 KR101270703 B1 KR 101270703B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
siloxane resin
parts
weight
Prior art date
Application number
KR1020100130912A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110074454A (ko
Inventor
김도
박성철
최정식
이승훈
김연
Original Assignee
주식회사 삼양사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 삼양사 filed Critical 주식회사 삼양사
Publication of KR20110074454A publication Critical patent/KR20110074454A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101270703B1 publication Critical patent/KR101270703B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 절연막용 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 절연막용 감광성 수지 조성물은 특정 단량체로 형성된 제1 실록산 수지, 다른 특정 단량체로 형성된 제2 실록산 수지, 감광제 및 유기용매를 포함한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 현상성, 투명성, 내열성 및 흡습도가 우수하다.

Description

절연막용 감광성 수지 조성물{A photosensitive composition for insulation layer}
본 발명은 절연막용 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 각종 전자소자에 사용되는 절연막을 포토리소그래피법을 사용하여 제조하는데 사용될 수 있는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
최근 액정 표시장치 등의 평면 표시장치나 터치스크린 장치 등 전자제품의 제조 기술이 발전하면서 제품의 소형화, 박형화가 요구되고 있는 실정이다. 제품의 소형화, 박형화를 위해서는 제품 내부 소자의 집적도는 필수적으로 증가하게 되고, 이에 따라 소자 내 층간 절연막의 성능 향상이 더욱 요구되고 있다.
일반적으로 액정 디스플레이의 제조에 있어서 박막 트랜지스터의 절연막 형성을 위한 종래의 일반적인 공정은, 플라즈마 화학증착(plasma chemical vapor deposition, PCVD) 처리를 실행하여 절연막을 형성하고, 패턴을 형성하기 위해 또 다시 포토레지스트를 사용하여 포토리소그래피 공정을 진행하여야 하는 문제점을 갖고 있다.
이러한 문제점을 극복하기 위해 층간 절연막용 감광성 재료의 개발이 행해지게 되었다.
또한, 층간 절연막용 감광성 재료에는, 평면 표시장치, 반도체 장치 등의 제조 프로세스상 적어도 1주 이상의 실온 보존 안정성이 필요하다. 또, 액정표시장치에 있어서 층간 절연막에는 가시 영역에서의 투과율이 98% 이상과 투명성이 높고 유전율이 3.5이하인 것이 필요로 한다. 특별히 액정표시장치에서는 근래 대형화, 고정밀화가 나아가고 있고, 이에 수반하는 신규 제조공정에 적용하기 위해 350℃ 이상의 내열성을 가지는 층간 절연막이 요구된다.
현재 층간 절연막용 감광성 재료로서는 일반적으로 알칼리 현상액에 가용인 감광성의 아크릴 수지 조성물이 사용되고 있다. 하지만, 아크릴 수지 조성물로 구성된 층간 절연막은 투명성이 높지만, 내열성이 250℃ 전후로 충분하지 않아 액정표시장치 등의 제조공정에 적용시 문제를 야기한다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 종래의 기술을 살펴보면, 미국 특허 제 5,422,223호, 미국특허 제 7,261,994호, 일본특허 제 2005-330488호, 일본특허 4141625호, 일본특허 제 99-20224호 등에서 알칼리 가용성기인 수산화 페놀기를 함유한 알칼리 가용성인 폴리실록산 수지에 대해 개시하고 있다. 폴리실록산 수지 내에 함유되어 있는 수산화 페놀기는 열적 안정성이 취약하고(황변), 라디칼에 의해 개시되는 음성 감광성 수지로의 응용 또한 어려운 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 유전율이 낮고 실록산 수지 자체의 수계현상이 가능하여 양성 및 음성 패턴 형성이 용이하며 투명성이 높을 뿐만 아니라, 종래 절연막에 비해 특히 내열성이 우수하고 흡습도가 낮은 감광성 수지 조성물 및 이로부터 절연막을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 절연막용 감광성 수지 조성물은, 하기 화학식 1로 표시되는 유기실란 제1 단량체 및 하기 화학식 2로 표시되는 유기실란 제2 단량체를 포함하여 형성되는 제1 실록산 수지; 하기 화학식 2로 표시되는 1종 이상의 유기실란 제2 단량체를 포함하여 형성되는 제2 실록산 수지; 감광제; 및 유기용매를 포함한다:
Figure 112010084080735-pat00001
상기 화학식 1에서,
Y는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알콕시기, 할로겐, 이소시아네이트기 또는 하이드록실기로서, 분자 내 복수의 Y는 서로 동일하거나 다르고,
R1은 탄소수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기 또는 탄소수 7 내지 12인, 아릴기로 치환된 알킬렌기, 알킬기로 치환된 아릴렌기, 또는 알킬렌기와 아릴렌기가 연결된 기이고,
R2는 수소 또는 탄소수 1 내지 4인 직쇄상 또는 분지상의 알킬기이다.
Figure 112010084080735-pat00002
상기 화학식 2에서,
Y는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알콕시기, 할로겐, 이소시아네이트기 또는 하이드록실기로서, 분자 내 복수의 Y는 서로 동일하거나 다르고,
R3는 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 지방족 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 2 내지 10의 불포화 탄화수소기 또는 탄소수 2 내지 10의 아실옥시기이고, 분자 내 복수의 R3는 서로 동일하거나 다르며,
n은 0 내지 3인 정수이며, n=3인 경우는 n이 3이 아닌 다른 제2 단량체와 병용된다.
제1 단량체와 제2 단량체로 형성되는 제1 실록산 수지 중에서 제1 단량체로부터 형성되는 부분의 함량은 제1 실록산 수지 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 90 중량부인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 단량체는 상기 화학식 2에서 n=2인 것이 바람직하다. 선택적으로, 상기 제2 단량체는 서로 다른 2종 이상의 제2 단량체를 포함할 수 있다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 제1 실록산 수지는 KOH로 적정을 하였을 때 산가가 10 내지 300 mgKOH/g수지인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 제2 실록산 수지의 함량은 제1 실록산 수지 100 중량부에 대하여 10 내지 90 중량부인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 감광제의 함량은 제1 실록산 수지 및 제2 실록산 수지 전체 중량 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 유기용매의 함량은 감광성 수지 조성물의 고형분 전체 100 중량부에 대하여, 10 내지 80 중량부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따르면, 알칼리 수용액에 수계현상이 가능하고, 기존 아크릴 수지 절연막에 비해 현상성, 투명성, 특히 내열성이 우수하고 흡습도가 낮은 액정표시소자 및 터치스크린용 절연막 제조에 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 절연막용 감광성 수지 조성물이 포함하는 제1 실록산 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 유기실란 제1 단량체 및 하기 화학식 2로 표시되는 유기실란 제2 단량체가 포함되어 형성된다.
제1 실록산 수지를 형성하는 제1 단량체는 실릴기로 치환된 카르복시산의 에스테르 화합물로서, 알칼리 현상액에 용해성이 우수하고, 노광부와 비노광부의 명암비가 커져 현상성이 우수해진다.
[화학식 1]
Figure 112010084080735-pat00003
상기 화학식 1에서,
Y는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알콕시기, 할로겐, 이소시아네이트기 또는 하이드록실기로서, 분자 내 복수의 Y는 서로 동일하거나 다르고,
R1은 탄소수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기 또는 탄소수 7 내지 12인, 아릴기로 치환된 알킬렌기, 알킬기로 치환된 아릴렌기, 또는 알킬렌기와 아릴렌기가 연결된 기이고,
R2는 수소 또는 탄소수 1 내지 4인 직쇄상 또는 분지상의 알킬기이다.
상기 R1의 구체적인 예로는, 탄소수 1 내지 12의 직쇄상의 알킬렌기로서, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기 등의 탄화수소기를 들 수 있다. 분지상 알킬렌기로서는, 이소프로필렌기, 이소부틸렌기 등을 들 수 있다.
Y는 가수분해성기이며, 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알콕시기, 할로겐, 이소시아네이트기 또는 하이드록실기일 수 있고, 바람직하게는 알콕시기일 수 있다. 분자 내 복수의 Y는 서로 동일하거나 다를 수 있다.
본 발명에 있어서, 제1 실록산 수지는 상기 제1 단량체 외에 하기 화학식 2로 표시되는 제2 단량체를 조합하여 형성됨으로써 내열성 및 경도, 내화학성, 기판과의 접착성, 패턴형성 특성 등을 향상시킬 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112010084080735-pat00004
상기 화학식 2에서,
Y는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알콕시기, 할로겐, 이소시아네이트기 또는 하이드록실기로서, 분자 내 복수의 Y는 서로 동일하거나 다르고,
R3는 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 지방족 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 2 내지 10의 불포화 탄화수소기 또는 탄소수 2 내지 10의 아실옥시기이고, 분자 내 복수의 R3는 서로 동일하거나 다르며,
n은 0 내지 3인 정수이며, n=3인 경우는 n이 3이 아닌 다른 제2 단량체와 병용된다. 본 발명에서 선택적으로, 상기 제2 단량체는 서로 다른 2종 이상의 제2 단량체를 포함할 수 있다.
Y는 가수분해성기이며, 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알콕시기, 할로겐 원자, 이소시아네이트 또는 하이드록실기일 수 있고, 바람직하게는 알콕시기일 수 있다. 분자 내 복수의 Y는 서로 동일하거나 다를 수 있다.
R3의 구체적인 예로서는, 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 지방족 알킬기로 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있으며, 환상의 지방족 알킬기의 구체적인 예로서는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 2 내지 10 인 불포화 탄화수소기의 구체적인 예로서는 아크릴록시메틸, 아크릴록시 에틸, 아크릴록시 프로필, 아크릴록시 부틸, 메타아크릴록시 메틸, 메타아크릴록시 에틸, 메타아크릴록시 프로필, 메타아크릴록시 부틸, 등을 들 수 있다. 탄소수 2 내지 10인 아릴기의 구체적인 예로서는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 피레닐기 등을 들 수가 있다.
상기 제2 단량체의 예를 들면, 테트라알콕시 실란, 트리알콕시 실란, 플루오르 트리알콕시 실란, 메틸 트리알콕시 실란, 에틸 트리알콕시 실란, n-프로필 트리알콕시 실란, 이소프로필 트리알콕시 실란, n-부틸 트리알콕시 실란, tert-부틸 트리알콕시 실란, 페닐 트리알콕시 실란, 비닐 트리알콕시 실란, 메타아크릴옥시 메틸 트리알콕시 실란, 2-메타아크릴옥시에틸 트리알콕시 실란, 3-메타아크릴옥시프로필 트리알콕시 실란, 3-메타아크릴옥시프로필 메틸 디알콕시 실란, 3-메타아크릴옥시프로필 에틸 디알콕시 실란, 3-메타아크릴옥시프로필 프로필 디알콕시 실란, 아크릴옥시 메틸 트리알콕시 실란, 2-아크릴옥시에틸 트리알콕시 실란, 3-아크릴옥시프로필 트리알콕시 실란, 3-아크릴옥시프로필 메틸 디알콕시 실란, 3-아크릴옥시프로필 에틸 디알콕시 실란, 3-아크릴옥시프로필 프로필 디알콕시 실란,, 2-아미노에틸 트리알콕시 실란, 3-아미노프로필 트리알콕시 실란, 3-글리시딜옥시프로필 트리알콕시 실란, 3-머켑토프로필 트리알콕시 실란, 3-이소시아네이토프로필 트리알콕시 실란, 3-시아노프로필 트리알콕시 실란, 2-에폭시시클로헥실 에틸 트리알콕시 실란, 디메틸 디알콕시 실란, 디에틸 디알콕시 실란, 디프로필 디알콕시 실란, 디페닐 디 알콕시 실란, 디페닐 실란디올 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서 알콕시는 탄소수 1 ~ 7 사이의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 지방족, 또는 방향족 알콕시이다.
제1 단량체와 제2 단량체로부터 형성되는 제1 실록산 수지 중에서 제1 단량체 부분의 함량은 제1 실록산 수지 전체 100 중량비에 대하여 10 내지 90 중량부인 것이 바람직하다. 함량이 범위에서 벗어날 경우, 현상성이 저하될 수 있다.
선택적으로, 상기 제2 단량체는 n=2인 제2 단량체인 것이 바람직하다. 이 경우, n=2인 단량체는 함량이 제1 실록산 수지 100 중량부 대비 10 내지 50 중량부이면, 알칼리 현상액에 대한 균일한 현상에 도움이 되어 바람직하다.
선택적으로, 제2 단량체는 서로 다른 2종 이상이 함께 사용될 수 있다. 바람직하게는, n이 1인 제2 단량체와 n이 1이 아닌 제2 단량체가 함께 사용될 수 있다. n이 1인 제2 단량체와 n이 1이 아닌 제2 단량체가 함께 사용되는 경우, 몰비는 n이 1인 제2 단량체 : n이 1이 아닌 제2 단량체 = 1 : 0.5 ~ 5인 것이 바람직하다.
일반적으로 제1 실록산 수지는 제1 단량체와 제2 단량체의 가수분해-축합반응을 거쳐 얻어진다. 하기 반응식 1에 나타난 제1 실록한 수지의 반응식의 일 예는 다음과 같다:
[반응식 1]
Figure 112010084080735-pat00005
상기 반응식 1에서, 촉매는 산촉매 또는 염기촉매를 사용할 수 있다.
산촉매로는 예를 들면, 염산, 황산, 질산, 붕산, 포름산, 말레인산, 푸마르산, 프탈산, 말론산, 호박산, 주석산, 사과산, 유산, 구연산, 초산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 올레인산, 스테아린산, 살리실산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 메탄 술폰산, 플루오로메탄 술폰산, 트리플루오로 에탄 술폰산, 산성 이온교환수지 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
염기촉매로는 예를 들면, 암모니아, 1급 아민류, 2급 아민류, 3급 아민류, 피리딘 등의 질소함유 화합물, 알칼리성 이온교환수지, 수산화물, 탄산염 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
촉매의 사용량은 전체 실란 단량체 1몰(mole)에 대해 0.001몰 내지 5몰일 수 있고, 바람직하게는 0.005 내지 2몰일 수 있다.
가수분해-축합에 사용되는 물의 양은 전체 실란 단량체 1몰에 대해 0.1 내지 100 몰일 수 있고, 바람직하게는 2 내지 10 몰일 수 있다.
가수분해-축합반응의 반응온도는 40 내지 150℃일 수 있으며, 바람직하게는 60 내지 120℃일 수 있다. 반응시간은 2 내지 20시간 일 수 있으며, 바람직하게는 4 내지 16시간일 수 있다.
가수분해-축합반응 후에는 부반응물로 생성된 알코올류를 증발 제거하여야 하고, 안정성을 위해 탄소수 3 ~ 7 사이의 하이드록시 함유 화합물 내지 알코올류를 첨가할 수 있다. 생성된 실록산 수지는 상분리를 통하여 산촉매 또는 염기촉매를 제거하고, MgSO4 등으로 건조하여 수분을 제거한다.
얻어진 제1 실록산 수지의 중량평균분자량은 4,000 내지 20,000인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 실록산 수지는 KOH로 적정을 하였을 때 산가가 10 내지 300 mgKOH/g수지 인 것이 바람직하다. 산가가 상기 범위일 때 알칼리 현상액에 대한 현상성 및 패턴의 해상도가 우수하다.
제1 단량체와 함께 서로 다른 3종의 제2 단량체로 제조된 제1 실록산 수지의 일 예는 다음과 같은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
Figure 112012104868251-pat00010
상기 화학식 3에서,
X'과 X"은 상기 화학식 1 및/또는 화학식 2의 Y에 대응하는 작용기로서 가수분해-축합반응 후 미반응한 가수분해성기이며, 구체적으로는 알콕시기, 할로겐 원자, 이소시아네이트기 및 하이드록실기 등 이고, X'과 X"은 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 또한 X'과 X"은 클로로트리메틸실란, 클로로트리에틸실란, 클로로트리프로필실란, 클로로트리이소프로필실란 등으로 가수분해-축합반응을 통해 일부 제거될 수 있다.
본 발명에 따른 제2 실록산 수지는 상기 화학식 2로 표시되는 제2 단량체를 중합시켜 제조할 수 있다. 제조방법은 상기 반응식 1에 나타난 제1 실록산 수지의 제조방법과 동일한 방법으로 촉매를 사용하여 가수분해-축합반응을 통해 제2 실록산 수지를 얻을 수 있다. 이 경우 제2 단량체는 서로 다른 2종의 제2 단량체를 사용할 수 있다. 제2 실록산 수지의 중량평균분자량은 500 내지 20,000인 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 제2 실록산 수지의 함량은 제1 실록산 수지 100 중량부에 대하여 10 내지 90 중량부인 것이 바람직하다. 함량이 상기 범위를 벗어나면 패턴의 현상성에 문제가 생길 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 감광제는 양성패턴과 음성패턴이 모두 가능하기 때문에 특별히 한정 짓지 않는다.
양성패턴을 형성할 경우에는 예를 들면, 1,2-나프토퀴논 디아지드 술폰산 에스테르 화합물을 사용할 수 있으며, 감광제의 함량은 제1 실록산 수지 및 제2 실록산 수지 전체 중량 100 중량부에 대하여 1 ~ 25 중량부인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 5 ~ 25 중량부이다.
음성패턴을 형성할 경우에는, 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 단량체 및 광중합개시제를 포함하고, 가교성 단량체는 제 1 실록산 수지 및 제2 실록산 수지 전체 중량 100 중량부에 대하여 50 ~ 200 중량부인 것이 바람직하며, 광중합개시제는 5 ~ 40 중량부인 것이 바람직하다.
상기 가교성 단량체로는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 알콕시레이티드핵산디올디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디트리메틸프로판테트라아크릴레이트, 펜타아크릴레이트에스테르, 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 트리메틸프로판에톡시트리아크릴레이트 및 이들의 메타아크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 유기용매는 상기 실록산 수지 및 감광제를 모두 용해 내지 분산시킬 수 있는 용매라면 제한없이 사용할 수 있다. 구체적인 예를 들면, 메틸 에틸 케톤, 메틸-n-프로필 케톤, 메틸 이소프로필 케톤, 메틸-n-부틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸-n-펜틸 케톤, 디에틸 케톤, 디프로필케톤, 디이소부틸 케톤, 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 메틸 사이클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 감마-부티로락톤, 감마-발레로락톤 등의 케톤(ketone)계 용매; 메틸 에틸 에테르, 메틸 디-n-프로필 에테르, 디이소 프로필 에테르, 테트라하이드로퓨란, 메틸 테트라하이드로퓨란, 에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 에틸렌 글리콜 에테르, 에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 에테르, 트리에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 에테르, 프로필렌 글리콜-n-프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 디부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 등의 에테르(ether)계 용매; 에틸렌 글리콜 메틸 에테르 프로피오네이트, 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 프로피오네이트, 에틸렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 프로필렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필 에테르 아세테이트 등의 에테르 아세테이트(ether acetate)계 용매; 아세토니트릴, N-메틸 피롤리디논, N-에틸 피롤리디논, N-프로필 피롤리디논, N,N-디메틸 포름아미드, N,N-디메틸 아세트아미드, N,N-디메틸 설폭시드, 톨루엔, 크실렌; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소부탄올, 시클로 헥사놀, 메틸 시클로 헥사놀, 벤질알콜, 에틸렌 글리콜, 1,2-프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 등의 알코올계 용매 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 이용될 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다.
유기용매의 함량은 실록산 수지 및 감광제 함량에 따라 적절히 조절할 수 있으며, 예를 들면 감광성 수지 조성물의 고형분 전체 100 중량부에 대하여, 10 내지 80 중량부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 실록산 수지 및 감광제와 유기용매의 혼합은 당분야에서 통상적인 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 실록산 수지의 제조 시에 용매로 사용하는 방법 또는, 실록산 수지의 제조 후, 첨가 또는 교환하는 방법 등이 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
< 실록산 수지의 합성>
합성예 1 : 제1 실록산 수지(1)의 합성
냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 메틸 3-(트리에톡시실릴)프로피오네이트(methyl 3-(triethoxysilyl)propionate) 12.5g(0.05 mole), 바이시클로 헵타닐 트리에톡시 실란 10.32g(0.04 mole), 메틸 트리메톡시 실란 1.36g(0.01 mole), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 40 g을 정량하고, 상기 용액을 교반하며, 35%염산 수용액 2.08g(0.02 mole)과 물 9.44g, 테트라하이드로퓨란 10g 혼합액을 적하한다. 적하 종료 후, 반응온도를 85 ℃로 승온하고, 승온된 온도에서 6시간 반응을 진행한다. 반응 종료 후, 테트라하이트로퓨란과 메탄올을 적정량 증발 제거하고, 에테르, 물을 첨가하여 추출한 뒤 유기상을 회수하고, 잔류알콜 및 용매를 증발 제거하여 제1 실록산 수지 10.8g을 얻었다. 얻어진 실록산 수지를 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 30.5g에 용해시킨다. 얻은 제1 실록산 수지의 중량평균분자량은 6,000 이었다.
합성예 2 : 제2 실록산 수지의 합성
냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 3-메타아크릴옥시 프로필 트리메톡시 실란 24.8g(0.10 mole), 페닐 트리메톡시 실란 19.8g(0.10 mole), 3-글리시딜옥시프로필 트리메톡시 실란 23.6 (0.10 mole), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 77.3g을 정량하고, 상기 용액을 교반하며, 35%염산 수용액 1.56g(0.015 mole)과 물 26g, 테트라하이드로퓨란 10g 혼합액을 적하한다. 적하 종료 후, 반응온도를 85 ℃로 승온하고, 승온된 온도에서 6시간 반응을 진행한다. 반응 종료 후, 테트라하이트로퓨란과 메탄올을 적정량 증발 제거하고, 에테르, 물을 첨가하여 추출한 뒤 유기상을 회수하고, 테트라하이드로퓨란을 증발 제거하여 제2 실록산 수지 21.3g을 얻었다. 얻어진 실록산 수지를 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 49.7g에 용해시킨다. 얻은 제2 실록산 수지의 중량평균분자량은 2,000 이었다.
합성예 3 : 제1 실록산 수지(2)의 합성
냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 메틸 3-(트리에톡시실릴)프로피오네이트(methyl 3-(triethoxysilyl)propionate) 7.5g(0.03 mole), 페닐 트리메톡시 실란 7.92g(0.04 mole), 메틸 트리메톡시 실란 4.08g (0.03 mole), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 40.8g을 정량하고, 상기 용액을 교반하며, 35%염산 수용액 2.08g(0.02 mole)과 물 9.44g, 테트라하이드로퓨란 10g 혼합액을 적하한다. 적하 종료 후, 반응온도를 85 ℃로 승온하고, 승온된 온도에서 6시간 반응을 진행한다. 이 후 공정은 합성예1과 동일하게 수행하여 제1 실록산 수지를 얻었다.
합성예 4 : 제1 실록산 수지(3)의 합성
냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 메틸 3-(트리에톡시실릴)프로피오네이트(methyl 3-(triethoxysilyl)propionate) 10.0g(0.04 mole), 바이시클로 헵타닐 트리에톡시 실란 10.3g(0.04 mole), 메틸 트리메톡시 실란 2.72g(0.02 mole), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 40.8g을 정량하고, 상기용액을 교반하며, 35%염산 수용액 2.08g(0.02 mole)과 물 9.44g, 테트라하이드로퓨란 10g 혼합액을 적하한다. 적하 종료 후, 반응온도를 85 ℃로 승온하고, 승온된 온도에서 6시간 반응을 진행한다. 이 후 공정은 합성예1과 동일하게 수행하여 제1 실록산 수지를 얻었다.
합성예 5 : 실록산 수지(4)의 합성
냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 페닐 트리메톡시 실란 11.8g(0.06 mole), 메틸 트리메톡시 실란 5.5 (0.04 mole), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 23g을 정량하고, 상기 용액을 교반하며, 35% 염산 수용액 0.52g(0.005 mole)과 물 5.36g 혼합액을 적하한다. 적하 종료 후, 반응온도를 85 ℃로 승온하고, 승온된 온도에서 6시간 반응을 진행한다. 반응 종료 후, 부반응물인 알코올을 적정량 증발 제거하고, 에테르, 물을 첨가하여 추출한 뒤 유기상을 회수하고, 에테르를 증발 제거하여 실록산 수지 17g을 얻었다. 얻어진 실록산 수지를 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 40g에 용해시킨다. 얻은 실록산 수지의 중량평균분자량은 8,600 이었다.
합성예 6 : 아크릴 수지의 합성
냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 메타크릴산 35 중량부, 스티렌 40 중량부, 글리시딜메타크릴레이트 15 중량부, 이소보닐메타크릴레이트 5 중량부, 디시클로펜테닐 옥시에틸 아크릴레이트 5 중량부, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 200 중량부를 투입하였다. 상기 용액을 충분히 교반 후에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 15 중량부를 첨가하였다. 상기 용액을 60℃까지 천천히 승온 시키고, 온도를 28시간 유지하였고, 중합금지제, tert-부틸하이드로퀴논을 0.5 중량부 첨가하여 중합을 완료하였다.
<감광성 절연막의 제조>
실시예 1
상기 합성예1에서 얻어진 제1 실록산 수지 50 중량부, 합성예2에서 얻어진 제2 실록산 수지 50 중량부, 상기 제1 실록산 수지와 제2 실록산 수지 전체 100 중량부 대비 가교성 단량체로서 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트(A-DPH, Shin Nakamura사 제품) 100 중량부 및 광중합개시제로서 이가큐여 369(시바 가이기사 제품) 20 중량부 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 10 중량부를 혼합하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다
실시예 2 및 실시예 3
실시예2 및 실시예 3은 각각 합성예1의 제1 실록산 수지 대신 합성예3(실시예2), 합성예4(실시예3)의 제1 실록산 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 1
합성예1의 제1 실록산 수지 대신 합성예 5의 제1 실록산 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 2
상기 합성예6에서 얻어진 아크릴 수지 100 중량부에 대해 A-DPH (Shin Nakamura 제품) 다관능 모노머 100 중량부 및 이가큐여 369 (시바 가이기사 제품) 광중합개시제 20 중량부를 혼합하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
< 실험예 >
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 실록산 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼 또는 LCD-panel용 유리기판에 2 마이크로미터의 두께로 스핀코팅을 한 후, 125℃에서 소프트베이크를 하여 용매를 제거하고 도포막을 형성하였다. 이와 같이 형성된 도포막에 노광을 하고, 알칼리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하였다. 다시 250℃ 오븐에서 1시간 열처리를 하여 최종 패턴막을 얻은 후, 현상성, 투과도, 내열성, 흡습도를 측정하고, 하기의 평가 기준에 따른 결과를 표 1에 나타내었다.
실험예 1 : 산가 측정
합성된 실록산 수지의 산가를 측정하기 위해 Metrohm 사의 888 titrando를 사용하여 KOH 적정을 수행하였다. 산가의 단위는 mgKOH/g수지 이다.
실험예 2 : 용해성 측정
용해성을 측정하기 위해 스핀 코팅 후, 125 oC에서 2분간 열처리를 수행하여 얻은 도포막의 두께를 측정하고, 0.045 wt% KOH에 도포막을 2분간 함침 후, 잔유한 도포막의 두께를 측정하여 용해속도를 구하였다. 용해속도의 단위는 A/sec 이다.
실험예 3 : 현상성 측정
최종 막의 패턴은 홀 모양이고, 홀의 크기가 15 마이크로미터 이하인 경우에 ○, 15 ~ 30 마이크로미터 인 경우에 △, 30 마이크로미터를 초과한 경우에는 ×로 표시하였다.
실험예 4 : 투과도 측정
투과도를 측정하기 위해 유리기판에 막을 형성시킨 후, 상기와 같은 방법으로 패턴을 형성시킨 후, UV-vis 분광광도계를 이용하여 400nm 에서 투과도를 측정하였다. 이때, 투과도가 95 %를 넘는 경우를 ○, 95 ~ 90 %인 경우를 △, 90 % 미만인 경우를 ×로 표시하였다.
실험예 5 : 내열성-두께변화율 측정
형성된 패턴 막의 두께를 측정한 후, 다시 300 ℃에서 1시간 동안 열처리를 하였을 때, 두께의 변화율이 0 ~ 10 %인 경우를 ○, 10 ~ 20 %인 경우를 △, 20 %를 넘는 경우를 ×로 표시하였다.
실험예 5 : 내열성-투과도 측정
형성된 패턴 막의 두께를 측정한 후, 다시 300 oC에서 1시간 동안 열처리를 수행한 후, UV-vis 분광광도계를 이용하여 400nm 에서 투과도를 측정하였다. 이때, 투과도가 90 %를 넘는 경우를 ○, 90 ~ 85 %인 경우를 △, 85 % 미만인 경우를 ×로 표시하였다.
실험예 6 : 흡습도 측정
상기 공정 중 노광 중 전면 노광을 수행하여 패턴을 형성하지 않은 각각의 도포막으로 150℃에서 10시간 건조 후 무게(B)를 측정하고, 25℃, 40 %의 항온 항습장치에서 10시간 방치 후 무게(A)를 측정하여 흡습도(%)를 측정하였다.
Figure 112010084080735-pat00007
흡습도가 5 % 이하인 경우에는 ○, 5 ~ 10 % 인 경우에는 △, 10 %를 초과하는 경우에는 ×로 표시하였다.
산가 용해성 현상성 투과도 내열성 내열성2 흡습도
실시예1 108 200 ○ ○ ○ ○ ○
실시예2 92 180 △ ○ ○ ○ ○
실시예3 112 210 ○ ○ ○ ○ ○
비교예1 0 0 × ○ ○ ○ ○
비교예2 120 250 ○ ○ × × ×
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 절연막은 내열성 및 흡습도가 비교예들보다 우수하여 다양한 제조공정에 적합하다.
또한, 절연막의 흡습도는 패턴의 전기적 특성(절연특성 및 전기 ON/OFF 신뢰성 등)에 영향을 미친다. 본 발명의 절연막은 비교예보다 흡습도가 낮아 전기적 특성이 우수하다.

Claims (7)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 유기실란 제1 단량체 및 하기 화학식 2로 표시되는 유기실란 제2 단량체를 포함하여 형성되는 제1 실록산 수지;
    하기 화학식 2로 표시되는 1종 이상의 유기실란 제2 단량체를 포함하여 형성되는 제2 실록산 수지;
    감광제;
    및 유기용매
    를 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112012104868251-pat00008

    상기 화학식 1에서,
    Y는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알콕시기, 할로겐, 이소시아네이트기 또는 하이드록실기로서, 분자 내 복수의 Y는 서로 동일하거나 다르고,
    R1은 탄소수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기 또는 탄소수 7 내지 12인 아릴기로 치환된 알킬렌기, 알킬기로 치환된 아릴렌기, 또는 알킬렌기와 아릴렌기가 연결된 기이고,
    R2는 수소 또는 탄소수 1 내지 4인 직쇄상 또는 분지상의 알킬기이며,
    [화학식 2]
    Figure 112012104868251-pat00009

    상기 화학식 2에서,
    Y는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알콕시기, 할로겐, 이소시아네이트기 또는 하이드록실기로서, 분자 내 복수의 Y는 서로 동일하거나 다르고,
    R3는 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 지방족 알킬기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 2 내지 10의 불포화 탄화수소기 또는 탄소수 2 내지 10의 아실옥시기이고, 분자 내 복수의 R3는 서로 동일하거나 다르며,
    n은 0 내지 3인 정수이며, n=3인 단량체는 SiY4, R3SiY3 및 R3 2SiY2로부터 선택된 제2 단량체와 병용되며, 여기서 R3, Y는 상기 정의된 바와 같다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실록산 수지는 산가가 10 내지 300 mgKOH/g 인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실록산 수지 중에서 제1 단량체로부터 형성되는 부분의 함량은 제1 실록산 수지 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 90 중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 실록산 수지의 함량은 제1 실록산 수지 100 중량부에 대하여 10 내지 90 중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 감광제의 함량은 제1 실록산 수지 및 제2 실록산 수지 전체 중량 100 중량부에 대하여 1 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유기용매의 함량은 감광성 수지 조성물의 고형분 전체 100 중량부에 대하여, 10 내지 80 중량부인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물로부터 제조된 절연막.
KR1020100130912A 2009-12-24 2010-12-20 절연막용 감광성 수지 조성물 KR101270703B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090131032 2009-12-24
KR20090131032 2009-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110074454A KR20110074454A (ko) 2011-06-30
KR101270703B1 true KR101270703B1 (ko) 2013-06-03

Family

ID=44404781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100130912A KR101270703B1 (ko) 2009-12-24 2010-12-20 절연막용 감광성 수지 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101270703B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009186677A (ja) 2008-02-05 2009-08-20 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、シリカ系被膜の形成方法、及びシリカ系被膜を備える装置及び部材
JP2009211033A (ja) * 2008-02-06 2009-09-17 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜を備える装置及び部材、並びに感光性樹脂組成物の製造方法
KR20090104649A (ko) * 2008-03-31 2009-10-06 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 실리카계 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP2009276742A (ja) 2008-04-18 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂膜の形成方法、シリカ系被膜の形成方法並びにシリカ系被膜を備える装置及び部材

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009186677A (ja) 2008-02-05 2009-08-20 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、シリカ系被膜の形成方法、及びシリカ系被膜を備える装置及び部材
JP2009211033A (ja) * 2008-02-06 2009-09-17 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜を備える装置及び部材、並びに感光性樹脂組成物の製造方法
KR20090104649A (ko) * 2008-03-31 2009-10-06 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 실리카계 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP2009276742A (ja) 2008-04-18 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂膜の形成方法、シリカ系被膜の形成方法並びにシリカ系被膜を備える装置及び部材

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110074454A (ko) 2011-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1955843B (zh) 感光性树脂组合物
TWI519897B (zh) 正型光敏性有機－無機混成絕緣膜組成物
JP5886420B2 (ja) ラジカル架橋性基を有するポリシロキサン組成物
US20150099070A1 (en) Composition for forming resist underlayer film for nanoimprint
KR20180090640A (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR101986763B1 (ko) 고내열성, 고해상도의 네거티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막
KR100792045B1 (ko) 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
KR101427445B1 (ko) 유기 절연막용 감광성 수지 조성물
KR101270703B1 (ko) 절연막용 감광성 수지 조성물
KR101998228B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 소자
KR102059489B1 (ko) 네가티브형 감광성 유-무기 하이브리드 절연막 조성물
JP7356846B2 (ja) 金属酸化物粒子分散用組成物
KR102331157B1 (ko) 폴리실록산 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수지 조성물
KR20130078559A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막
KR20110023354A (ko) 포지티브형 감광성 조성물
KR20110074231A (ko) 절연막용 감광성 수지 조성물
TW201335284A (zh) 含有機聚矽氧烷之可固化樹脂組成物
JP7491933B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
KR102450676B1 (ko) 디케토옥심에스테르 화합물, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 디케토옥심에스테르 화합물의 제조방법
JP2021092758A (ja) ネガ型感光性樹脂組成物及び硬化膜の製造方法
WO2024018984A1 (ja) 共重合体、硬化性樹脂組成物、及び硬化物
WO2020031240A1 (ja) 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
TW202244136A (zh) 感放射線性組合物、硬化膜及其製造方法、半導體元件及顯示元件
KR20110074146A (ko) 절연막용 양성 감광성 수지 조성물
KR20180014538A (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160304

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170306

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180305

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200304

Year of fee payment: 8