TWI752122B - 具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法 - Google Patents

具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI752122B
TWI752122B TW106141198A TW106141198A TWI752122B TW I752122 B TWI752122 B TW I752122B TW 106141198 A TW106141198 A TW 106141198A TW 106141198 A TW106141198 A TW 106141198A TW I752122 B TWI752122 B TW I752122B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fluorine
polysiloxane
hydrocarbon group
thin film
film transistor
Prior art date
Application number
TW106141198A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201833191A (zh
Inventor
浦岡行治
石河泰明
吉田尙史
谷口克人
野中敏章
Original Assignee
德商默克專利有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 德商默克專利有限公司 filed Critical 德商默克專利有限公司
Publication of TW201833191A publication Critical patent/TW201833191A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI752122B publication Critical patent/TWI752122B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/008—Azides
    • G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/24—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen halogen-containing groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

提供一種薄膜電晶體基板，其為具備保護膜之薄膜電晶體基板，能夠賦予高的驅動穩定性。
一種薄膜電晶體基板，其為包含薄膜電晶體、和被覆薄膜電晶體的包含矽氧烷組成物的硬化物的保護膜而成的薄膜電晶體基板，其特徵為：薄膜電晶體具有包含氧化物半導體的半導體層，矽氧烷組成物含有聚矽氧烷、含氟的化合物、和溶劑。

Description

具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法
本發明係關於具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法的發明。
近年來，以高解析度顯示器為目標，正在活躍地進行使用以非晶態InGaZnO為代表的氧化物半導體的薄膜電晶體的開發。與液晶顯示器中所使用的非晶態矽薄膜電晶體相比，氧化物半導體係電子遷移率大，顯示出大的ON/OFF比等優異的電特性，因此期待作為有機EL顯示器的驅動元件、省電元件。在以顯示器為目標的開發中，特別是保持作為電晶體的元件運作穩定性和在大面積基板上的均勻性成為重要的課題。作為對元件運作穩定性而言極其重要的要素，有保護氧化物半導體層不受外部氣體環境影響的絕緣膜。然而，作為這樣的絕緣膜，主要使用以往使用非晶態矽的薄膜電晶體中所利用的保護用絕緣膜(專利文獻1及2)，有無法充分活用氧化物半導體本質上具有的物性之虞。而且，可認為此舉成為使用氧化物半導體的薄膜電晶體的性能受到限制的主要原因之一。
氧化物半導體中的保護膜必須是抑制水分、 氫、氧等的侵入的保護膜。這些雜質的侵入明顯改變氧化物半導體的導電性，阻礙閾值的變動等運作穩定性。從這樣的方面考量，以往的保護用絕緣膜主要是利用化學氣相成長法(CVD)、濺鍍等物理氣相成長法(PVD)的SiOx、SiNx、SiONx等，且應用於單層或者多層。供將這些高阻隔性的無機膜進行成膜用的CVD等的製造製程，有對使用氧化物半導體的薄膜電晶體的底質層的氧化物半導體造成損傷之虞。具體而言，作為利用真空蒸鍍裝置所形成的以往的保護膜，有SiO2膜、SiN膜，但是這些膜係藉由電漿等來將原料氣體分解而進行成膜，因此在此製作製程中，有藉由電漿而產生的離子物種對氧化物半導體表面造成損傷，使膜特性劣化的情況。此外，擔心在製造氧化物半導體元件之際，氧化物半導體因各式各樣的藥液、乾式蝕刻等製程而進一步劣化。因此，作為不受步驟影響的保護，有時併用了蝕刻中止物(etch stopper)等的保護膜(專利文獻3)。此外，在使用以這樣的氣體作為原料的成膜方法的情況下，在製作大畫面顯示器之際，很難形成均勻的保護膜。因此，為了解決這樣的問題點，已提案了用塗布法形成保護膜。例如，已提案了使用矽氧烷樹脂的塗布型保護膜(專利文獻1)，但就驅動穩定性而言，還有進一步改良的餘地。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-146332號公報
本發明人等針對解決如上所述的課題的方法進行檢討，得到了以下知識：若使用包含含氟的化合物的特定的矽氧烷組成物來使保護膜形成，在加熱硬化後進行適當的追加加熱及退火，便能夠對薄膜電晶體基板賦予更高的驅動穩定性。本發明係基於此知識所完成的發明。
因此，本發明的目的在於提供一種薄膜電晶體基板，其為具備包含氟的保護膜之薄膜電晶體基板，能夠賦予高的驅動穩定性。
此外，本發明的目的在於提供一種製造方法，其為具備包含氟的保護膜之薄膜電晶體基板的製造方法，能夠更簡便地賦予更高的驅動穩定性。
此外，本發明的另一目的在於提供一種用於該製造方法的矽氧烷組成物。
根據本發明的薄膜電晶體基板，係包含薄膜電晶體、和被覆前述薄膜電晶體的包含矽氧烷組成物的硬化物的保護膜而成的薄膜電晶體基板，其特徵為前述薄膜電晶體具有包含氧化物半導體的半導體層，前述矽氧烷組成物含有：聚矽氧烷、 含氟的化合物、和溶劑，前述聚矽氧烷係包含用以下的一般式(Ia)所表示的重複單元的聚矽氧烷：
Figure 106141198-A0202-12-0004-1
(式中，R1表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在前述脂肪族烴基及前述芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代，且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，在R1係2價或3價的情況下，R1將複數個重複單元中所含的Si彼此加以連結)。
此外，根據本發明的薄膜電晶體基板之製造方法係前述薄膜電晶體基板之製造方法，其特徵為包含以下步驟而成：準備矽氧烷組成物的步驟，該矽氧烷組成物含有：聚矽氧烷、含氟的化合物、和溶劑， 前述聚矽氧烷係包含(I)用以下的一般式(Ia)所表示的重複單元的聚矽氧烷：
Figure 106141198-A0202-12-0005-2
(式中，R1表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在前述脂肪族烴基及前述芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代，且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，在R1係2價或3價的情況下，R1係將複數個重複單元中所含的Si彼此加以連結)；將前述矽氧烷組成物塗布在薄膜電晶體以形成保護膜前驅物層的步驟；使前述保護膜前驅物層加熱硬化以形成保護膜的步驟；進一步將所形成的保護膜進行追加加熱的步驟；和將具備前述保護膜的薄膜電晶體進行退火處理的步驟。
另外，根據本發明的薄膜電晶體基板製造用矽氧烷組成物，其特徵為含有： 聚矽氧烷、含氟的化合物、和溶劑，前述聚矽氧烷包含(I)用以下的一般式(Ia)所表示的重複單元：
Figure 106141198-A0202-12-0006-3
(式中，R1表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在前述脂肪族烴基及前述芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代，且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，在R1係2價或3價的情況下，R1係將複數個重複單元中所含的Si彼此加以連結)。
根據本發明的話，便能夠提供對於電壓應力(stress)、光應力、光．電壓應力顯示高穩定性的薄膜電晶體基板。此外，根據本發明的方法的話，便能夠簡便地製造以往的塗布型保護膜很難達成的、具有對應力的高穩定性的薄膜電晶體，另外，由於在製造步驟中不需要真空裝置等，因此也能夠使生產性大幅提升。另外， 利用本發明的組成物的話，便可以形成穩定性比以往的塗布型保護膜高的保護膜。
1‧‧‧具備保護膜之薄膜電晶體基板
2‧‧‧閘極層
3‧‧‧閘極絕緣層
4‧‧‧金屬氧化物半導體層
5‧‧‧源極電極
6‧‧‧汲極電極
7‧‧‧保護膜
8‧‧‧像素電極
9‧‧‧接觸孔
圖1係顯示具備根據本發明的保護膜的薄膜電晶體基板的一態樣(實施例1)的示意圖。
圖2係顯示具備根據本發明的保護膜的薄膜電晶體基板的另一態樣的示意圖。
圖3係顯示具備根據本發明的保護膜的薄膜電晶體基板的另一態樣的示意圖。
[實施發明之形態]
如下所示，針對本發明的實施形態，一邊參照隨附圖式一邊詳細地進行說明。
首先，圖1中顯示具備依照根據本發明的製造方法形成的保護膜的薄膜電晶體基板1的一態樣。在圖1中，在閘極層2上形成閘極絕緣層3，在其上形成金屬氧化物半導體層4。另外，以與閘極絕緣層3相接的方式分別在金屬氧化物半導體層4的兩端形成源極電極5和汲極電極6。
此外，雖未圖示，但可以在金屬氧化物半導體層4上形成蝕刻中止物。保護膜7係以覆蓋這些金屬氧化物半導體層4、源極電極5、及汲極電極6的方式形成。作為其他態樣，例如，也能夠同樣地應用於具有透過保護膜7上的接觸孔9，形成與氧化物半導體層4接觸的源 極電極5、及汲極電極6的構造的薄膜電晶體基板(圖2)、或者頂閘構造的薄膜電晶體基板。又，此處所示的構造只是單純例示的構造，也能夠藉由根據本發明的製造方法來製造具有除此處所示之外的構造的薄膜電晶體基板。
圖3中顯示在保護膜7上形成了像素電極8的薄膜電晶體基板的一態樣。像素電極8和汲極電極6係透過保護膜中所形成的接觸孔9接觸。
[薄膜電晶體基板]
根據本發明的薄膜電晶體基板包含薄膜電晶體、和被覆該薄膜電晶體的包含矽氧烷組成物的硬化物的保護膜。根據本發明的薄膜電晶體基板可以具備複數個保護膜，在被覆薄膜電晶體的保護膜上，可以具有第二保護膜。在本說明書中，薄膜電晶體係指構成例如表面具備有電極、電路、半導體層及絕緣層等的基板等薄膜電晶體基板的全部元件。此外，作為配置在基板上的配線，可舉出閘極配線、資料配線、供連接2種以上的配線層用的導通(via)配線等。作為氧化物半導體層，一般為包含銦氧化物、鋅氧化物、鎵氧化物的氧化物半導體，但若為顯示半導體特性者的話，則也可以是其他氧化物。根據本發明的薄膜電晶體基板，特別是在能夠藉由氧化物半導體和退火製程來得到高保護特性的方面上是較佳的。以往，為了能夠進行高溫退火，而應用以PE-CVD法所形成的矽氧化膜、氮化矽等的無機膜作為保護膜，但是為了在這些無機膜形成接觸孔，而需要反應性離子 蝕刻等。然而，反應性離子蝕刻為了明顯促進氧化物半導體的劣化，因此為了在加工後恢復半導體的性能，需要提高後述的退火溫度。本發明中，保護膜能夠抑制半導體的劣化，對薄膜電晶體賦予高的驅動穩定性。
根據本發明的薄膜電晶體基板的保護膜係由含有聚矽氧烷、含氟的化合物、和溶劑的矽氧烷組成物形成。以下，針對構成此組成物的成分，詳細地進行說明。
<聚矽氧烷>
聚矽氧烷係指以Si-O-Si鍵(矽氧烷鍵)為主鏈的聚合物。此外，在本說明書中，聚矽氧烷係設為也包含用一般式(RSiO1.5)n所表示的矽倍半氧烷(silsesquioxane)聚合物在內者。
根據本發明的聚矽氧烷具有用以下的一般式(Ia)所表示的重複單元。
Figure 106141198-A0202-12-0009-5
式中，R1表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在前述脂肪族烴基及前述芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代， 且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，在R1係2價或3價的情況下，R1將複數個重複單元中所含的Si彼此加以連結。在一般式(Ia)中，在R1為1價基的情況下，作為R1，例如，可舉出：(i)甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、及癸基等的烷基；(ii)苯基、甲苯基及苄基等的芳基；(iii)三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、3,3,3-三氟丙基等的氟烷基；(iv)氟芳基；(v)環己基等的環烷基；(vi)異氰酸酯、及胺基等的具有胺基或醯亞胺構造的含氮的基。較佳為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、苯基、甲苯基、環氧丙基、異氰酸酯。作為氟烷基，較佳為過氟烷基，特佳為三氟甲基、五氟乙基。R1為甲基的化合物係原料容易取得，硬化後的膜硬度高，具有高耐藥品性，因而較佳。此外，苯基提高該聚矽氧烷對溶劑的溶解度，硬化膜變得很難有裂縫，因而較佳。若R1具有羥基、環氧丙基、異氰酸酯或胺基，則與基板的緊貼性提升，因而較佳。
此外，在R1為2價基或3價基的情況下，R1例如較佳為：(i)從甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、及癸烷等的烷除去2個或3個氫的基；(ii)從環庚烷、環己烷、及環辛烷等的環烷除去2個或3個氫的基；從苯、萘、及僅用苯等的烴所構成的芳香族化合物除去2個或3個氫的基；及(iv)從哌啶、吡咯啶、及異三聚氰酸酯等的包含胺基、亞胺基及/或羰基的含氮及/或氧的環狀脂肪族烴化合物除去2個或3個氫的基。由 於(iv)係改善圖案倒塌，且與基板的緊貼性提升，因而更佳。
較佳為，R1係1個以上的亞甲基可被氧取代，碳數1~20的直鏈狀、分枝狀或者環狀的烷基或者氟烷基、或碳數6~20的芳基或者氟芳基。此處，本說明書中所謂的氟烷基係指烷基中的1個以上的氫原子被氟原子取代者，氟芳基係指芳基中的1個以上的氫原子被氟原子取代者。
作為R1，例如，可舉出：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、苯基、苄基以及它們的被氟取代的氟烷基或氟芳基。較佳為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基，更佳為丙基、丁基、戊基、己基。作為氟烷基，較佳為過氟烷基，特佳為三氟甲基、五氟乙基。
此外，根據本發明的聚矽氧烷，可以根據需要，具有用以下的一般式(Ib)所表示的重複單元。
Figure 106141198-A0202-12-0011-6
這樣的聚矽氧烷能夠根據需要，在酸性觸媒或鹼性觸媒的存在下，將用下述式(ia)所表示的矽烷化合物進行水解及縮合而得到。
R1’[Si(ORa)3]p (ia)
(式中， p係1~3，R1’表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在前述脂肪族烴基及前述芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代，且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，Ra表示碳數1~10的烷基)
在一般式(ia)中，較佳的R1’係與上述記載的較佳的R1相同。
在一般式(ia)中，作為Ra，例如，可舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基、及正丁基等。在一般式(ia)中，可包含複數個Ra，各個Ra可以是相同的也可以是不同的。
作為用一般式(ia)所表示的矽化合物的具體例，例如，可舉出：甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三正丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三正丁氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正丁基三甲氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷、異三聚氰酸參-(3-三甲氧基矽基 丙基)酯、異三聚氰酸參-(3-三甲氧基矽基丙基)酯、異三聚氰酸參-(3-三乙氧基矽基丙基)酯、異三聚氰酸參-(3-三甲氧基矽基乙基)酯等，其中，較佳為甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷。
上述一般式(ia)較佳為下式(ia)’。
R2Si(OR3)3…(ia)’
(式中，R2係1個以上的亞甲基可被氧取代，碳數1~20的直鏈狀、分枝狀或者環狀的烷基或者氟烷基、或碳數6~20的芳基或者氟芳基，R3表示碳數1~5的烷基)
作為矽烷化合物，在使用式(ia)者的情況下，能夠得到僅包含重複單元(Ia)的聚矽氧烷。又，也能夠將用下述式(ib)所表示的矽烷化合物組合至用上述式(ia)所表示的矽烷化合物來得到聚矽氧烷。若依此方式使用式(ib)，便能夠得到包含重複單元(Ia)及(Ib)的聚矽氧烷。
Si(ORa)4…(ib)
(式中，Ra係碳數1~10的烷基，較佳為碳數1~5的烷基)
此處，矽烷化合物(ia)及(ib)，能夠分別組合2種以上來使用。
聚矽氧烷的質量平均分子量通常為800以上15,000以下，從對有機溶劑的溶解性、對鹼顯影液的溶解性的點出發，較佳為1,000以上10,000以下，更佳為1,000以上4,000以下，進一步較佳為1,000以上3,000 以下。此處，質量平均分子量係指聚苯乙烯換算的質量平均分子量，能夠以聚苯乙烯為基準利用凝膠滲透層析進行測定。
本發明的組成物能夠藉由組合後述的感光劑來製成感光性矽氧烷組成物。在此情況下，較佳為組合鹼溶解速度不同的至少2種聚矽氧烷來使用。作為這樣的鹼溶解速度不同的聚矽氧烷，較佳為使用下述的聚矽氧烷(I)及(II)。聚矽氧烷(I)係在鹼性觸媒的存在下，將用一般式(ia)所表示的矽烷化合物、和根據需要的用一般式(ib)所表示的矽烷化合物進行水解及縮合所得到的聚矽氧烷。聚矽氧烷(I)的預烘烤後的膜係可溶於5質量%TMAH溶液，其溶解速度為1000Å/秒鐘以下，較佳為10~700Å/秒鐘。在溶解性為10Å/秒鐘以上的情況下，在顯影後有不溶物殘留的可能性變得極低，在防止斷線等的方面上是較佳的。
聚矽氧烷(II)係在酸性或者鹼性觸媒的存在下，將一般式(ia)的矽烷化合物、和根據需要的用一般式(ib)所表示的矽烷化合物進行水解及縮合所得到的聚矽氧烷。聚矽氧烷(II)的預烘烤後的膜係可溶於2.38質量%TMAH水溶液，其溶解速度為100Å/秒鐘以上，較佳為100~15,000Å/秒鐘。聚矽氧烷(II)的溶解速度能夠依作為目的的保護膜的厚度，在100Å/秒鐘至15,000Å/秒鐘的範圍內選定。進一步較佳為100Å/秒鐘至10,000Å/秒鐘。藉由設為15,000Å/秒鐘以下，與聚矽氧烷(I)的溶解速度差不會過大，能夠進行均勻的顯影。
聚矽氧烷(I)係顯影後的圖案在加熱硬化時不易發生「圖案」倒塌，但因鹼溶解性極小，因此不能單獨使用。此外，即使為了單獨使用聚矽氧烷(I)或者聚矽氧烷(II)而調整鹼溶解性，也得不到如在本發明中用於形成保護膜的矽氧烷組成物所示的圖案穩定性，因此較佳為組合聚矽氧烷(I)及(II)來使用。又，在溶解速度差很大的情況下，較佳為使用溶解速度不同的複數個聚矽氧烷(II)。
上述聚矽氧烷(I)及聚矽氧烷(II)中的前述一般式(ib)的矽烷化合物的含量能夠根據用途適宜設定，各聚矽氧烷中較佳為3莫耳%~40莫耳%，在控制膜的硬度、圖案的熱穩定的方面上，更佳為5莫耳%至30莫耳%。藉由將此含量設為3莫耳%以上，高溫下的圖案穩定性變得更佳，藉由設為40莫耳%以下，可壓抑反應活性，貯存時的穩定性變得更佳。
本發明中所使用的聚矽氧烷係藉由使用一般式(ia)或(ib)作為原料而具有分枝結構者。此處，根據需要，組合2官能矽烷化合物作為聚矽氧烷的原料，從而能夠將聚矽氧烷部分地作成直鏈結構。但是，在要求耐高溫性的用途上，較佳為直鏈結構部分少。具體而言，聚矽氧烷的來自2官能矽烷的直鏈結構較佳為全部聚矽氧烷的結構的30莫耳%以下。
<鹼溶解速度(ADR)的測定、算出法>
聚矽氧烷(I)及(II)的對TMAH水溶液的溶解速度係依以下方式操作而測定、算出。
首先，以成為35質量%左右的方式將聚矽氧烷溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)。以乾燥膜厚成為約2μm厚度的方式，將此溶液旋轉塗布於矽晶圓上，之後在100℃的加熱板上加熱60秒鐘，從而進一步除去溶劑。用分光橢圓偏振光譜儀(Woollam公司)進行塗布膜的膜厚測定。接著，在室溫(25℃)下，對於聚矽氧烷(I)，將具有此膜的矽晶圓浸漬於5%TMAH水溶液，對於聚矽氧烷(II)，則將具有此膜的矽晶圓浸漬於2.38%TMAH水溶液，測定直到被膜消失為止的時間。溶解速度係將初期膜厚除以直到被膜消失為止的時間來求出。在溶解速度明顯緩慢的情況下，進行浸漬一定時間後的膜厚測定，將浸漬前後的膜厚變化量除以浸漬時間，算出溶解速度。
在聚矽氧烷(I)、(II)任一聚合物中，聚苯乙烯換算的質量平均分子量一般為800~15,000，較佳為1,000~10,000，更佳為1,000~4,000，進一步較佳為1,000~3,000。若分子量在上述範圍內的話，則可防止顯影殘渣產生而得到充分的解析度，感度也變佳，因此較佳為將分子量調整在上述範圍內。
聚矽氧烷(I)、(II)的混合比例可以依層間絕緣膜的膜厚、組成物的感度、解析度等，以任意的比例進行調整，但藉由包含10質量%以上的聚矽氧烷(I)，有防止加熱硬化中的「圖案」倒塌的效果，因而較佳。此處「圖案」倒塌，係指在加熱圖案之際圖案變形，例如剖面為矩形且稜線明確的圖案，在加熱後稜線部分變 圓，或接近垂直的矩形形狀的側面傾斜的現象。
<含氟的化合物>
本發明中所使用的矽氧烷組成物包含含氟的化合物。此處，認為氟化合物係藉由將矽氧烷組成物加熱以使其硬化後，進一步進行追加加熱來放出氟原子。於是，推測該氟原子主要是在追加加熱的過程中在保護膜中及半導體層的表面或層中擴散，其結果，半導體元件的特性得到明顯的改善。
這樣的含氟的化合物當中，較佳者為含氟的界面活性劑。含氟的界面活性劑已知有各種含氟的界面活性劑，任一者皆為具有經氟化的烴基、和親水性基者。作為這樣的含氟的界面活性劑，可舉出：Megafac(商品名：DIC股份有限公司製)、Fluorad(商品名，Sumitomo 3M股份有限公司製)、Surflon(商品名，旭硝子股份有限公司製)等。
此外，作為含氟的化合物，較佳者中的另一者係用下述式(M)所表示的化合物：R4Si(OR5)3 (M)
(式中，R4係碳數1~8的完全或部分地被氟取代的烴基，R5表示碳數1~5的烷基。)
此化合物係與前述的矽烷化合物(ia)所包含的化合物當中具有氟烷基者重複。具體而言，可舉出：九氟己基三甲氧基矽烷、過氟己基三甲氧基矽烷、過氟辛基三甲氧基矽烷、十三氟-1,1,2,2-四氫辛基三甲氧基矽烷等。又，用一般式(M)所表示的含氟的化合物的分子量較佳為1000以下。
此外，在後述的感光劑、硬化助劑係構造中包含氟原子的情況下，其能夠視為含氟的化合物。作為這樣的感光劑或硬化助劑，有使用鋶鹽、鏻鹽等的情形，但有具有經氟化的烴基等作為它們的相對離子者。這樣的感光劑或硬化助劑也產生作為含氟的化合物的功能。
以矽氧烷組成物的總質量為基準，這些含氟的化合物的添加量係0.05~10質量%，較佳為0.1~1質量%。
又，在本發明中，聚矽氧烷能夠包含氟，但這樣的含氟的聚矽氧烷並不包含在含氟的化合物中。認為這是因為氟很難藉由在硬化之際的加熱處理及之後的追加加熱處理，從含氟的聚矽氧烷放出的緣故。
在矽氧烷組成物中，來自含氟的化合物的氟原子的數量對來自聚矽氧烷的矽原子的數量的比較佳為0.002~0.4。若此比為0.002以上，便可充分發揮本發明的效果。另一方面，就維持半導體的性能來說，較佳為0.4以下。
<感光劑>
在本發明中，也能夠將感光劑組合於矽氧烷組成物，製成感光性矽氧烷組成物。藉由使用這樣的矽氧烷組成物，可以藉由曝光顯影來進行保護膜的加工，由於不需要用乾式蝕刻等進行圖案加工，因此有對薄膜電晶體性能造成的損傷較小，退火時間便可以較短這樣的優點。以下針對這樣的感光性矽氧烷組成物，詳細地進行說明。
感光性矽氧烷組成物可依感光劑的種類分類為正型感光性矽氧烷組成物、和負型感光性矽氧烷組成物。用於形成根據本發明的薄膜電晶體基板中的保護膜的較佳的正型感光性矽氧烷組成物含有：聚矽氧烷、作為感光劑的重氮萘醌衍生物、溶劑、及根據需要的硬化助劑。這樣的正型感光性矽氧烷組成物形成曝光部係藉由成為可溶於鹼顯影液而可由顯影除去的正型感光層。另一方面，用於形成根據本發明的薄膜電晶體基板中的保護膜的較佳的負型感光性矽氧烷組成物的特徵為包含聚矽氧烷、能夠用光來產生酸或鹼的硬化助劑、以及溶劑而成。這樣的負型感光性矽氧烷組成物形成曝光部係藉由成為不溶於鹼顯影液而在顯影後殘留的負型感光層。以下，針對各感光劑進行說明。又，在這些感光劑係包含氟的化合物的情況下，該等能夠產生作為上述的含氟的化合物的功能。
<重氮萘醌衍生物>
在本發明的組成物係正型感光性組成物的情況下，能夠使用重氮萘醌衍生物作為感光劑。此時，重氮萘醌衍生物係萘醌二疊氮磺酸與具有酚性羥基的化合物進行酯鍵結的化合物，構造上沒有特別的限制，但較佳為與具有1個以上的酚性羥基的化合物的酯化合物。作為萘醌二疊氮磺酸，能夠使用4-萘醌二疊氮磺酸、或者5-萘醌二疊氮磺酸。4-萘醌二疊氮磺酸酯化合物係在i線(波長365nm)區域中具有吸收，因此適合i線曝光。此外，5-萘醌二疊氮磺酸酯化合物係在廣範圍的波長區域中存 在吸收，因此適合在廣範圍的波長下的曝光。較佳為依曝光的波長選擇4-萘醌二疊氮磺酸酯化合物、5-萘醌二疊氮磺酸酯化合物。也能夠混合4-萘醌二疊氮磺酸酯化合物和5-萘醌二疊氮磺酸酯化合物來使用。
作為具有酚性羥基的化合物，沒有特別的限定，例如，可舉出以下化合物(商品名，本州化學工業股份有限公司製)。
Figure 106141198-A0202-12-0020-7
Figure 106141198-A0202-12-0021-8
Figure 106141198-A0202-12-0022-9
重氮萘醌衍生物的添加量，係依萘醌二疊氮磺酸的酯化率、或者所使用的聚矽氧烷的物性、所要求的感度、曝光部與未曝光部的溶解對比，而最適量有所不同，作為本發明的層間絕緣膜，係相對於聚矽氧烷100質量份較佳為3~20質量份，更佳為5~15質量份。若重氮萘醌衍生物的添加量為3質量份以上，則曝光部與未曝光部的溶解對比變高，具有良好的感光性。此外，為了得到更佳的溶解對比，較佳為5質量份以上。另一 方面，若重氮萘醌衍生物的添加量為20質量份以下，則硬化膜的無色透明性提升。
<硬化助劑>
在根據本發明的組成物係負型感光性組成物的情況下、或在組成物係正型感光性組成物的情況下，能夠根據需要而包含硬化助劑。作為所使用的硬化助劑，係利用光來產生酸或鹼的化合物。該等係根據在硬化膜製造製程中利用的聚合反應、交聯反應來選擇。此處，作為光，能舉出：可見光、紫外線、或紅外線等。特佳為利用製造薄膜電晶體所使用的紫外線來產生酸或鹼者。
硬化助劑的添加量，係依硬化助劑分解而產生的活性物質的種類、產生量、所要求的感度、曝光部與未曝光部的溶解對比，而最適量有所不同，相對於聚矽氧烷100質量份，較佳為0.001~10質量份，更佳為0.01~5質量份。若添加量為0.001質量份以上，則曝光部與未曝光部的溶解對比變高，添加效果變佳。另一方面，若硬化助劑的添加量為10質量份以下的話，則可以抑制在所形成的被膜中產生龜裂，也可以抑制因硬化助劑的分解所產生的著色，因此被膜的無色透明性提升。
作為光酸產生劑的例子，可舉出：重氮甲烷化合物、三
Figure 106141198-A0202-12-0023-23
化合物、磺酸酯、二苯基錪鹽、三苯基鋶鹽、鋶鹽、銨鹽、鏻鹽、碸醯亞胺(sulfone imide)化合物等。這些光酸產生劑當中，較佳者的構造，能夠用一般式(A)表示。
R+X- (A)
此處，R+表示氫、碳原子或者從包含由其他雜原子所修飾的烷基、芳基、烯基、醯基、及烷氧基的群組所選出的有機離子，例如二苯基錪離子、三苯基鋶離子。
此外，X-較佳為用下述一般式所表示的任一相對離子。
SbY6 - AsY6 - Ra pPY6-p - Ra qBY4-q - Ra qGaY4-q - RaSO3 - (RaSO2)3C- (RaSO2)2N- RbCOO- SCN-
(式中，Y為鹵素原子，Ra為被從氟、硝基、及氰基所選出的取代基取代的碳數1~20的烷基或碳數6~20的芳基，Rb為氫或碳數1~8的烷基，p為0~6的數值，q為0~4的數值。)
作為具體的相對離子，可舉出從包含BF4 -、(C6F5)4B-、((CF3)2C6H3)4B-、PF6 -、(CF3CF2)3PF3 -、SbF6 -、(C6F5)4Ga-、((CF3)2C6H3)4Ga-、SCN-、(CF3SO2)3C-、(CF3SO2)2N-、甲酸離子、乙酸離子、三氟甲磺酸離子、九氟丁磺酸離子、甲磺酸離子、丁磺酸離子、苯磺酸離子、對甲苯磺酸離子、及磺酸離子的群 組所選出者。
本發明中所使用的光酸產生劑當中，特佳為產生磺酸類或硼酸類者，例如，可舉出：甲苯基異丙苯錪肆(五氟苯基)硼酸(Rhodia公司製的PHOTOINITIATOR2074(商品名))、二苯基錪四(全氟苯基)硼酸、陽離子部由鋶離子所構成且陰離子部由五氟硼酸離子所構成者等。
除此之外，可舉出：三苯基鋶三氟甲磺酸、三苯基鋶樟腦磺酸、三苯基鋶四(全氟苯基)硼酸、4-乙醯氧基苯基二甲基鋶六氟砷酸、1-(4-正丁氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓三氟甲磺酸、1-(4,7-二丁氧基-1-萘基)四氫噻吩鎓三氟甲磺酸、二苯基錪三氟甲磺酸、二苯基錪六氟砷酸等。另外，也能夠使用用下述式所表示的光酸產生劑。
Figure 106141198-A0202-12-0026-10
式中，A為各自獨立的從碳數1~20的烷基、碳數1~20的烷氧基、碳數6~20的芳基、碳數1~20的烷羰基、碳數6~20的芳羰基、羥基、及胺基所選出的取代基，p為各自獨立的0~5的整數，B-可舉出：經氟化的烷基磺酸根基、經氟化的芳基磺酸根基、經氟化的烷基硼酸根基、烷基磺酸根基、芳基磺酸根基等。也能夠使用將這些化學式所示的陽離子及陰離子相互交換的化合物、將這些化學式所示的陽離子或陰離子與前述各種陽離子或陰離子組合的光酸產生劑。例如，由式子所表示的鋶離子中任一者與四(全氟苯基)硼酸離子組合者、由 式子所表示的錪離子中任一者與四(全氟苯基)硼酸離子組合者也能夠作為光酸產生劑使用。
包含上述者在內，作為能夠具體使用的光酸產生劑，能舉出：4-甲氧基苯基二苯基鋶六氟膦酸酯、4-甲氧基苯基二苯基鋶六氟砷酸酯、4-甲氧基苯基二苯基鋶甲磺酸酯、4-甲氧基苯基二苯基鋶三氟乙酸酯、三苯基鋶四氟硼酸酯、三苯基鋶肆(五氟苯基)硼酸酯、三苯基鋶六氟膦酸酯、三苯基鋶六氟砷酸酯、4-甲氧基苯基二苯基鋶對甲苯磺酸酯、4-苯基噻吩基二苯基四氟硼酸酯、4-苯基噻吩基二苯基六氟膦酸酯、三苯基鋶甲磺酸酯、三苯基鋶三氟乙酸酯、三苯基鋶對甲苯磺酸酯、4-甲氧基苯基二苯基鋶四氟硼酸酯、4-苯基噻吩基二苯基六氟砷酸酯、4-苯基噻吩基二苯基對甲苯磺酸酯、N-(三氟甲基磺醯基氧基)琥珀醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯基氧基)苯二甲醯亞胺、5-降莰烯-2,3-二羧基醯亞胺基三氟甲磺酸甲酯、5-降莰烯-2,3-二羧基醯亞胺基對甲苯磺酸酯、4-苯基噻吩基二苯基三氟甲磺酸酯、4-苯基噻吩基二苯基三氟乙酸酯、N-(三氟甲基磺醯基氧基)二苯基馬來醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯基氧基)雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯基氧基)萘基醯亞胺、N-(九氟丁基磺醯基氧基)萘基醯亞胺等。
作為光鹼產生劑的例子，可舉出：具有醯胺基的多取代醯胺化合物、內醯胺、醯亞胺化合物或者包含該構造者。
該等當中，用以下的一般式(A)所表示的光鹼產生劑 的水合物或媒合物能夠改良組成物的伴隨時間經過的穩定性，因而較佳。
Figure 106141198-A0202-12-0028-11
此處，x1係1以上6以下的整數，R11~R16係各自獨立的氫原子、鹵素原子、羥基、巰基、硫醚基、矽基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺酸基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、磷酸根基、胺基、銨基、可包含取代基的碳數1~20的脂肪族烴基、可包含取代基的碳數6~22的芳香族烴基、可包含取代基的碳數1~20的烷氧基、或可包含取代基的碳數6~20的芳氧基。
該等當中，R11~R14特佳為氫原子、羥基、碳數1~6的脂肪族烴基、或碳數1~6的烷氧基，R15及R16特佳為氫。
R11~R14當中2個以上可以鍵結而形成環狀結構。此時，該環狀結構可以包含雜原子。
N係含氮雜環的構成原子，該含氮雜環具有1個以上的羥烷基。此羥烷基可以鍵結在環的任何位置上，較佳為鍵結在對位或鄰位上。該含氮雜環可以進一步具有與前述羥烷基不同的可以包含取代基的碳數1~20(特別是1~6)的脂肪族烴基。在含氮雜環中，若取代基具有羥基，則溶解性提升，沸點提升，因而較佳。
R11~R14較佳為依使用的曝光波長來適宜選擇。在以顯示器為目標的用途中，例如，可使用使吸收波長移至g、h、i線的乙烯基、炔基等的不飽和烴鍵官能基、烷氧基、硝基等，特佳為甲氧基、乙氧基。
作為前述的用式(A)所表示的光鹼產生劑的具體例，例如，可舉出以下者。
Figure 106141198-A0202-12-0029-12
此外，作為硬化助劑，能夠使用熱酸產生劑或熱鹼產生劑。作為熱酸產生劑的例子，能舉出：各種脂肪族磺酸和其鹽、檸檬酸、乙酸、馬來酸等的各種脂肪族羧酸和其鹽、苯甲酸、苯二甲酸等的各種芳香族羧酸和其鹽、芳香族磺酸和其銨鹽、各種胺鹽、芳香族重氮鹽及膦酸和其鹽等的產生有機酸的鹽、酯等。在熱酸產生劑當中，特別是較佳為包含有機酸和有機鹼的鹽，進一步較佳為包含磺酸和有機鹼的鹽。
作為較佳的磺酸，可舉出：對甲苯磺酸、苯 磺酸、對十二苯磺酸、1,4-萘二磺酸、甲磺酸等。該等酸產生劑可以單獨使用或混合使用。
作為熱鹼產生劑的例子，能舉出：咪唑、三級胺、四級銨等的使鹼產生的化合物、該等的混合物。作為所放出的鹼的例子，可舉出：N-(2-硝基苄氧羰基)咪唑、N-(3-硝基苄氧羰基)咪唑、N-(4-硝基苄氧羰基)咪唑、N-(5-甲基-2-硝基苄氧羰基)咪唑、N-(4-氯-2-硝基苄氧羰基)咪唑等的咪唑衍生物、1,8-二吖雙環[5.4.0]十一烯-7。該等鹼產生劑係與酸產生劑同樣地，可以單獨使用或混合使用。
這些熱酸產生劑及熱鹼產生劑，不論組成物是感光性還是非感光性都能夠使用，但由於為了在非感光性的情況下得到充分硬化的膜，因此較佳為使用非感光性。
又，該等感光劑或硬化助劑當中，構造中包含氟原子者也產生作為前述的氟化合物的功能。
<溶劑>
作為溶劑，例如，可舉出：乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚等的乙二醇單烷基醚類、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二丙基醚、二乙二醇二丁基醚等的二乙二醇二烷基醚類、乙酸甲基賽璐蘇、乙酸乙基賽璐蘇等的乙二醇烷基醚乙酸酯類、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚等的丙二醇單烷基醚類、PGMEA、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯等的丙二醇烷基醚乙酸 酯類、苯、甲苯、二甲苯等的芳香族烴類、甲基乙基酮、丙酮、甲基戊基酮、甲基異丁基酮、環己酮等的酮類。此等溶劑可以分別單獨使用，或是組合2種以上使用。溶劑的掺合比係依塗布方法、塗布後的膜厚要求而不同。例如，在噴灑塗布的情況下，以聚矽氧烷和任意成分的總質量為基準，使其成為90質量%以上，但在製造顯示器所使用的大型玻璃基板的狹縫塗布方面，通常設為50質量%以上，較佳為設為60質量%以上，通常設為90質量%以下，較佳為設為85質量%以下。
<其他的任意成分>
此外，根據本發明的感光性矽氧烷組成物可以根據需要包含其他的任意成分。作為這樣的任意成分，可舉出界面活性劑等。又，界面活性劑當中包含氟者，有也產生作為前述的含氟的化合物的功能的情況。
界面活性劑能夠改善塗布性，因此較佳為使用界面活性劑。作為能夠用於本發明中的矽氧烷組成物的界面活性劑，例如，可舉出非離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、兩性界面活性劑等。
作為上述非離子系界面活性劑，例如，例如，可舉出：聚氧化乙烯月桂基醚、聚氧化乙烯油烯基醚、聚氧化乙烯鯨蠟基醚等的聚氧化乙烯烷基醚類或聚氧化乙烯脂肪酸二酯、聚氧化乙烯脂肪酸單酯、聚氧化乙烯聚氧化丙烯嵌段聚合物、乙炔醇、乙炔二醇、乙炔醇的聚氧乙烯醚(polyethoxylate)、乙炔二醇的聚氧乙烯醚等的乙炔二醇衍生物，含氟的界面活性劑，例如Fluorad(商 品名，Sumitomo 3M股份有限公司製)、Megafac(商品名，DIC股份有限公司製)、Surflon(商品名，旭硝子股份有限公司製)，或有機矽氧烷界面活性劑，例如KP341(商品名，信越化學工業股份有限公司製)等。作為前述乙炔二醇，可舉出：3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇、2,5-二甲基-2,5-己二醇等。
此外，作為陰離子系界面活性劑，可舉出：烷基二苯基醚二磺酸的銨鹽或有機胺鹽、烷基二苯基醚磺酸的銨鹽或有機胺鹽、烷基苯磺酸的銨鹽或有機胺鹽、聚氧化乙烯烷基醚硫酸的銨鹽或有機胺鹽、烷基硫酸的銨鹽或有機胺鹽等。
另外，作為兩性界面活性劑，可舉出：2-烷基-N-羧甲基-N-羥乙基咪唑鎓甜菜鹼、月桂酸醯胺丙基羥基碸甜菜鹼等。
該等界面活性劑能夠單獨使用或混合2種以上使用，其掺合比係相對於矽氧烷組成物的總質量，通常為50~10,000ppm，較佳為100~5,000ppm。
[薄膜電晶體的製造方法]
將矽氧烷組成物塗布於薄膜電晶體並進行加熱，從而使保護膜(硬化膜)形成，進一步進行追加加熱後，將具有保護膜的薄膜電晶體進行退火處理，從而得到目的的薄膜電晶體基板。此時，在將感光劑組合於矽氧烷組成物的情況下，也能夠藉由透過所要的遮罩進行曝光、 顯影來形成接觸孔等的圖案。
作為具有氧化物半導體層的薄膜電晶體基板的製造方法，舉圖1所示的底閘型的TFT為例進行說明。在由玻璃等所構成的基板上形成閘極電極2的圖案。作為閘極電極材料，可將鉬、鋁及鋁合金、銅及銅合金、鈦等材料以單層或者2種以上的積層膜的形式構成。在閘極電極上形成閘極絕緣膜3。作為閘極絕緣膜，一般可藉由PE-CVD法來形成矽氧化膜、矽氮化膜、矽氮氧化膜等。閘極絕緣膜的厚度通常為100至300nm。閘極絕緣膜上的氧化物半導體層4，有濺鍍法、液相法，該濺鍍法係用DC濺鍍或者RF濺鍍將與氧化物半導體相同組成的濺鍍靶材進行成膜；該液相法係藉由塗布金屬烷氧化物、金屬有機酸鹽、氯化物等的前驅物溶液、氧化物半導體奈米粒子的分散液並進行燒製，來形成氧化物半導體層。進行氧化物半導體層4的圖案形成後，將源極．汲極電極5及6進行圖案形成。作為源極．汲極電極材料，可將鉬、鋁及鋁合金、銅及銅合金、鈦等材料以單層或者2種以上的積層膜的形式構成。
在於本發明中所使用的矽氧烷組成物係感光性組成物的情況下，薄膜電晶體基板的製造方法，係在具有上述氧化物半導體層的薄膜電晶體上塗布感光性矽氧烷組成物並用預烘烤等加以乾燥後，進行曝光，用氫氧化四甲基銨水溶液(一般使用2.38%水溶液)進行顯影而形成接觸孔等的圖案後，使塗布的感光性矽氧烷組成物(保護膜前驅物層)硬化而形成保護膜7，接著，進行追 加加熱處理，進一步進行氧化物半導體的退火處理。另外，藉由例如濺鍍法來在保護膜上形成ITO膜，進行圖案化，從而形成圖3的元件。此外，也可以在此保護膜上，用CVD、PVD來形成無機膜，或基於保護膜、平坦化的目的，藉由塗布法而具有有機材料。退火處理可以在形成ITO膜等之後進行。
以下，針對根據本發明的製造方法的各步驟進行說明。
(1)準備矽氧烷組成物的步驟
在根據本發明的薄膜電晶體基板的製造方法中，準備含有聚矽氧烷、含氟的化合物和溶劑的矽氧烷組成物。關於矽氧烷組成物的各構成成分的細節，如上所述。
(2)形成保護膜前驅物層的步驟
保護膜前驅物層係藉由塗布上述的矽氧烷組成物來形成。本發明中的塗布步驟係藉由將上述的矽氧烷組成物塗布在薄膜電晶體表面來進行。此塗布步驟能夠藉由一般的塗布方法，即，浸漬塗布、輥塗布、棒塗布、刷毛塗布、噴灑塗布、刮刀塗布、流動塗布(flow coat)、旋轉塗布、狹縫塗布等已知可作為以往組成物的塗布方法的任意方法來進行。能夠根據需要重複1次或2次以上進行塗布，從而將保護膜前驅物層作成所要的膜厚。
保護膜前驅物層，為了使溶劑殘留量減少，較佳為將該層進行預烘烤(預備加熱處理)。預烘烤步驟能夠在一般為70~150℃，較佳為90~130℃的溫度下，在利用加熱板的情況下實施10~180秒鐘，較佳為30~ 90秒鐘，在利用潔淨烘箱的情況下實施1~5分鐘。較佳為在預烘烤之前包含利用旋轉、真空的溶劑除去步驟。
(3)使保護膜前驅物層加熱硬化以形成保護膜的步驟
保護膜前驅物層的硬化溫度沒有特別的限定，若為矽氧烷進行脫水縮合的溫度的話，便能夠任意地選擇。若燒成溫度過低，則有反應無法充分進行，保護膜中有矽醇基殘留而影響了電晶體性能的穩定性的情形。因此，燒成溫度較佳為200℃以上，更佳為250℃以上。
此外，從若溫度過高，則有製造成本上升、聚合物分解的情形等，因此較佳為500℃以下。更佳為400℃以下。此外，硬化時間沒有特別的限定，一般為10分鐘以上，較佳為20分鐘以上。硬化係在惰性氣體或大氣中等的含氧的氣體環境下進行。
藉由這樣的加熱硬化處理，保護膜前驅物層中所含的聚矽氧烷硬化而形成保護膜。
(4)進一步將所形成的保護膜進行追加加熱的步驟
使聚矽氧烷硬化而使保護膜形成後，進行追加加熱步驟。追加加熱，若是在加熱硬化後、退火處理之前的話，則在任何時候皆可。若矽氧烷的化學變化(聚合物化)在退火處理的階段發生，則產生水而對電晶體性能造成影響，因此較佳為在退火處理溫度以上的溫度下進行。此外，追加加熱能夠在與上述的硬化膜形成步驟中的加熱溫度相同或者比其高的溫度下進行加熱來進行。特別 是在使用有機材料的情況下，較佳為以不分解的方式暫時在追加加熱溫度以下進行加熱硬化。然而，追加加熱溫度的上限係與硬化步驟同樣地，從製造成本、防止聚合物分解的觀點出發，較佳為500℃以下，更佳為400℃以下。另外，追加加熱時間，一般為20分鐘以上，較佳為40分鐘以上。追加加熱處理的氣體環境係與加熱硬化同樣地在惰性氣體環境、或含氧的氣體環境下進行。然而，也能夠在與加熱硬化步驟不同的氣體環境下進行追加加熱。
(5)將形成了保護膜的薄膜電晶體進行退火處理的步驟
最後，進行薄膜電晶體的退火處理。在具備氧化物半導體的元件中，保護層的形成包含：利用PVD、CVD形成膜、利用乾式蝕刻、濕式蝕刻進行圖案加工、剝離阻劑的步驟等，此時有產生薄膜電晶體性能劣化的情形，因此理想的是藉由退火處理來恢復性能。在本發明中，藉由在例如250℃以上進行退火處理，即使是在於圖案化之際薄膜電晶體的性能暫時降低的情況下，也能夠使其性能恢復。特別是，在本發明中，有如下的特徵：即使是在薄膜電晶體的特性明顯降低的情況下，也可以藉由在氧存在下的退火而發生大幅度的性能恢復。此外，藉由依氧化物半導體的劣化程度提高退火溫度，或延長退火時間，能夠使薄膜電晶體的性能恢復和元件的可靠性提升。退火溫度為250℃以上450℃，較佳為300℃以上400℃以下。退火時間為30分鐘以上，較佳為60 分鐘以上。退火較佳為在氧的存在下進行。但是，在氧存在下的退火，考慮由電極的氧化、本發明的保護膜的氧化所產生的著色等的影響，較佳為在400℃以下進行。
又，能夠將上述的追加加熱處理和退火處理作為一連串的處理來進行。具體而言，能夠以相同條件將追加加熱處理到退火處理接連進行加熱。在這樣的情況下，相對於一般所進行的退火處理，成為進行長時間的加熱。
又，形成保護膜形成的步驟、進行追加加熱的步驟、進行退火處理的步驟也能夠連續進行，也能夠在該等步驟之間實施其他步驟。例如，如前所述，可以在追加加熱與退火處理之間，在保護膜上形成其他層。
藉由以上的方法，能夠製造薄膜電晶體基板。
又，也能夠向矽氧烷組成物添加感光劑來使具有圖案的保護膜形成。為了使這樣的保護膜形成，能夠追加以下的步驟。以下的步驟較佳為在預烘烤之後進行。
<曝光步驟>
形成保護膜前驅物層後，在其表面進行光照射。光照射所使用的光源能夠使用以往圖案形成方法所使用的任意光源。作為這樣的光源，能舉出：高壓汞燈、低壓汞燈、金屬鹵化物、氙等的燈、雷射二極體、LED等。作為照射光，通常使用g線、h線、i線等的紫外線。除了如半導體的超細微加工外，數μm至數十μm的圖案化一般使用360~430nm的光(高壓汞燈)。其中，在液晶顯 示裝置的情況下，大多使用430nm的光。照射光的能量係依光源、保護膜前驅物層的膜厚而異，在重氮萘醌衍生物為正型的情況下，一般設為20~2000mJ/cm2，較佳為50~1000mJ/cm2。若照射光能量低於20mJ/cm2，則有無法得到充分的解析度的情形，相反地，若高於2000mJ/cm2，則成為曝光過多，而有造成光暈(halation)產生的情形。又，在負型的情況下，設為1~500mJ/cm2，較佳為設為10~100mJ/cm2。若照射光能量低於1mJ/cm2，則膜的減少大，相反地，若高於500mJ/cm2，則成為曝光過多，有變得無法得到解析度的情形。
為了將光照射成圖案狀，能夠使用一般的光罩。如此的光罩能夠任意地從周知的光罩中選出。照射之際的環境沒有特別的限定，一般若設為周圍氣體環境(大氣中)、氮氣環境的話即可。此外，在於整面基板表面形成膜的情況下，若對整面基板表面進行光照射的話即可。在本發明中，圖案膜係指也包含在這樣的整面基板表面形成膜的情況者。
<曝光後加熱步驟>
曝光後，為了藉由在曝光部位產生的反應引發劑來促進膜內的聚合物間反應，能夠根據需要進行曝光後加熱(Post Exposure Baking)。此加熱處理並非是為了使保護膜前驅物層完全硬化而進行的加熱處理，而是為了在顯影後僅有所要的圖案殘留在基板上，而可以藉由顯影除去其以外的部分。
<顯影步驟>
曝光後，根據需要進行曝光後加熱後，將保護膜前驅物層進行顯影處理。作為顯影之際所使用的顯影液，能夠使用以往已知的感光性矽氧烷組成物的顯影所使用的任意顯影液。作為較佳的顯影液，可舉出：氫氧化四烷基銨、膽鹼、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬偏矽酸鹽(水合物)、鹼金屬磷酸鹽(水合物)、氨、烷基胺、烷醇胺、雜環胺等的鹼性化合物的水溶液的鹼顯影液，特佳的鹼顯影液為TMAH水溶液。這些鹼顯影液，可以根據需要進一步包含甲醇、乙醇等的水溶性有機溶劑、或者界面活性劑。顯影方法也能夠任意地從以往已知的方法選出。具體而言，可舉出：顯影液中的浸漬(dip)、浸置(paddle)、噴淋(shower)、狹縫(slit)、覆蓋塗布(cap coat)、噴灑(spray)等方法。藉由此顯影，能夠得到圖案。在藉由顯影液進行顯影後，較佳為進行水洗。又，在根據本發明的製造方法中，也能夠如圖3所示，透過由顯影所形成的接觸孔9，使汲極電極6與形成於保護膜7上的透明電極(像素電極8)導通。
<顯影後照射步驟>
在使用正型的組成物，將所形成的保護膜用作透明膜的情況下，較佳為進行稱為漂白曝光(bleaching exposure)的光照射。藉由進行漂白曝光，殘留於膜中的未反應的重氮萘醌衍生物進行光分解，膜的光透明性進一步提升。作為漂白曝光的方法，使用高壓汞燈、低壓汞燈等，依膜厚，以100~2,000mJ/cm2左右(波長365nm曝光量換算)整面地曝光。又，在負型的情況下，藉由光 照射，使顯影後殘膜中的硬化助劑活化，從而能夠更容易地進行之後的加熱硬化。依膜厚，以100~2,000mJ/cm2左右(波長365nm曝光量換算)整面地曝光。
[實施例]
如下所述，藉由各例具體地說明本發明。
合成例(聚矽氧烷(P1)的合成)
向具備攪拌機、溫度計、冷卻管的2L的燒瓶，投入25質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液24.5g、異丙醇(IPA)300ml、水2.0g，接著在滴液漏斗調製苯基三甲氧基矽烷39.7g、甲基三甲氧基矽烷40.8g的混合溶液。在60℃下滴下該混合溶液，在相同溫度下攪拌3小時後，加入10%HCl水溶液進行中和。在中和液中添加甲苯200ml、水300ml，使其分離成兩層，將所得到的有機層進行減壓下濃縮，從而除去溶媒，以成為固體成分濃度40質量%的方式，將丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)添加至濃縮物中以進行調製。所得到的聚矽氧烷(P1)的分子量(聚苯乙烯換算)為質量平均分子量(Mw)=2,000。以預烘烤後的膜厚成為2μm的方式，將所得到的樹脂溶液塗布於矽晶圓，測定對5%TMAH水溶液的溶解速度，結果為950Å/秒。
合成例(聚矽氧烷(P2~P4)的合成)
除了改變用於合成聚矽氧烷的矽烷化合物外，與P1的合成例同樣地操作，得到聚矽氧烷P2~P4。聚矽氧烷P2~P4的細節如以下的表1所示。
Figure 106141198-A0202-12-0041-13
表中，P3係以90：10(質量比)混合P3-1和P3-2的混合物。
矽氧烷組成物的調製
對聚矽氧烷P1~P4，組合各種添加劑，調製實施例1~5及比較例1~3的矽氧烷組成物。各組成物的組成係如表2所示。又，表中，二萘醌化合物及硬化助劑的添加量係相對於聚矽氧烷100質量份的量，其他添加劑係以組成物的整體質量為基準的量。
薄膜電晶體基板的製作
在經n掺雜的矽晶圓上，設置100nm的矽氧化膜作為閘極絕緣膜。藉由RF濺鍍法在閘極絕緣膜上形成非晶態InGaZnO的膜(70nm)。形成非晶態InGaZnO膜的圖案後，將源極．汲極電極進行圖案形成。利用鉬作為源極．汲極電極材料。之後，以300℃、1小時進行該薄膜電晶體的退火。接著，藉由旋轉塗布法塗布所調製的矽氧烷組成物。以100℃、90秒鐘進行預烘烤。
接著，在氧氣環境下，以300℃、60分鐘使其硬化而形成保護膜。進一步在氧氣環境下，以300℃、120分鐘一起進行追加加熱處理和退火處理，得到具備保護膜的薄膜電晶體基板。保護膜厚度係1000nm。
針對所得到的基板，測定其特性值。所得到的結果係如表2所示。
Figure 106141198-A0202-12-0043-14
表中
DNQ：4-4’-(1-(4-(1-(4-羥基酚)-1-甲基乙基)苯基)亞乙基)雙酚的重氮萘醌2.0莫耳改性物，添加量係以聚矽氧烷100質量份為基準。
TBG：1,8-二吖雙環[5.4.0]十一烯-7-鄰苯二甲酸鹽，添加量係以聚矽氧烷100質量份為基準。
DTS-200：商品名，Midori化學製，鋶鹽型光酸產生劑，相對離子B(C6F5)4 -，添加量係以聚矽氧烷100質量份為基準。
TPS-1000：商品名，Midori化學製，鋶鹽型光酸產生劑，相對離子CH3C6H4SO3 -，添加量係以聚矽氧烷100質量份為基準。
AKS10：商品名，信越化學工業股份有限公司製，不含氟的界面活性劑
R-2011：商品名，DIC股份有限公司製，氟系界面活性劑
F-558：商品名，DIC股份有限公司製，氟系界面活性劑
NFH：九氟己基三甲氧基矽烷
使用半導體參數分析儀Agilent4156C進行下述裝置特性的測定。
載子遷移率的測定方法
以汲極電壓0.1V、TFT的尺寸為通道寬度90μm、通道長度10μm，測定閘極電壓-20V至20V的汲極電流的變化，進行載子遷移率的算出(單位：cm2/V．sec)。
偏壓應力的測定方法
在進行閘極電壓-20V、汲極電壓0V、施加時間10000 秒鐘的應力施加後，進行裝置特性的測定。之後，之後，除了將汲極電壓變更為5V外，與上述載子遷移率同樣地進行測定，評價從關閉(off)到開啟(on)的起始閘極電壓Vth從初期狀態進行何種程度變化。上述起始閘極電壓Vth設為汲極電流到達1nA的值。
駝峰(hump)現象的評價
在從關閉到開啟的起始附近出現的駝峰大小，係用以下的基準評價在進行上述應力施加後從初期狀態進行何種程度變化。其越小，越能夠判斷開關(switching)特性為良好。
A：無
B：小
C：大
D：無法測定
1‧‧‧具備保護膜之薄膜電晶體基板
2‧‧‧閘極層
3‧‧‧閘極絕緣層
4‧‧‧金屬氧化物半導體層
5‧‧‧源極電極
6‧‧‧汲極電極
7‧‧‧保護膜

Claims (16)

  1. 一種薄膜電晶體基板，係包含薄膜電晶體、和被覆該薄膜電晶體的包含矽氧烷組成物的硬化物的保護膜而成的薄膜電晶體基板，其特徵為該薄膜電晶體具有包含氧化物半導體的半導體層，該矽氧烷組成物含有：聚矽氧烷、含氟的化合物、和溶劑，該聚矽氧烷係包含用以下的一般式(Ia)所表示的重複單元的聚矽氧烷：
    Figure 106141198-A0305-02-0048-2
     (式中，R1表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在該脂肪族烴基及該芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代，且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，在R1係2價或3價的情況下，R1係將複數個重複 單元中所含的Si彼此加以連結)，且該含氟的化合物係下述式(M)：R4Si(OR5)3 (M)(式中，R4係碳數1~8的完全或部分地被氟取代的烴基，R5表示碳數1~5的烷基)。
  2. 如請求項1的基板，其中該聚矽氧烷係進一步包含用以下的一般式(Ib)所表示的重複單元的聚矽氧烷：
    Figure 106141198-A0305-02-0049-3
  3. 如請求項1或2的基板，其中該含氟的化合物係含氟的界面活性劑。
  4. 如請求項1或2的基板，其中該含氟的化合物係感光劑。
  5. 如請求項4的基板，其中該感光劑進一步包含不包含氟原子的感光劑。
  6. 如請求項1或2的基板，其中在該矽氧烷組成物中，來自該含氟的化合物的氟原子的數量對來自該聚矽氧烷的矽原子的數量的比為0.002~0.4。
  7. 如請求項1或2的基板，其中該聚矽氧烷係包含聚矽氧烷(I)和聚矽氧烷(II)而成，該聚矽氧烷(I)係在鹼性觸媒的存在下，將用下述式(ia)所表示的矽烷化合物、和用下述式(ib)所表示的矽烷化合物進行水解及縮合所得到的聚矽氧烷，預烘 烤後的膜係可溶於5質量%氫氧化四甲基銨水溶液，其溶解速度係1000Å/秒鐘以下，R1’[Si(ORa)3]p…(ia) Si(ORa)4…(ib)(式中，R1’表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在該脂肪族烴基及該芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代，且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，Ra表示碳數1~10的烷基)該聚矽氧烷(II)係在酸性或者鹼性觸媒的存在下，將至少該一般式(ia)的矽烷化合物進行水解及縮合所得到的聚矽氧烷，預烘烤後的膜係可溶於2.38質量%氫氧化四甲基銨水溶液，其溶解速度係100Å/秒鐘以上。
  8. 如請求項1或2的基板，其中該矽氧烷組成物係含有鹼溶解速度不同的至少2種聚矽氧烷、重氮萘醌衍生物、含氟的化合物及溶劑的正型感光性矽氧烷組成物。
  9. 如請求項1或2的基板，其中在該保護膜上具有第二保護膜。
  10. 一種如請求項1至9中任一項的薄膜電晶體基板的製造方法，該製造方法係包含以下步驟而成： 準備矽氧烷組成物的步驟，該矽氧烷組成物含有：聚矽氧烷、含氟的化合物、和溶劑，該聚矽氧烷係包含(I)用以下的一般式(Ia)所表示的重複單元的聚矽氧烷：
    Figure 106141198-A0305-02-0051-4
     (式中，R1表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在該脂肪族烴基及該芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代，且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，在R1係2價或3價的情況下，R1係將複數個重複單元中所含的Si彼此加以連結)，且該含氟的化合物係下述式(M)：R4Si(OR5)3 (M)(式中，R4係碳數1~8的完全或部分地被氟取代的烴基，R5表示碳數1~5的烷基)；將該矽氧烷組成物塗布在薄膜電晶體以形成保護膜前驅物層的步驟； 使該保護膜前驅物層加熱硬化以形成保護膜的步驟；進一步將所形成的保護膜進行追加加熱的步驟；和將具備該保護膜的薄膜電晶體進行退火處理的步驟。
  11. 如請求項10的方法，其中該追加加熱係在與該加熱硬化的溫度相同或比其高的溫度下進行。
  12. 如請求項10或11的方法，其中該追加加熱係在與該退火處理的溫度相同或比其高的溫度下進行。
  13. 如請求項10或11的方法，其中該退火處理係在250℃以上450℃以下進行。
  14. 如請求項10或11的方法，其中該退火處理係在氧氣環境下進行。
  15. 一種薄膜電晶體基板製造用矽氧烷組成物，其特徵為含有：聚矽氧烷、含氟的化合物、和溶劑，該聚矽氧烷包含(I)用以下的一般式(Ia)所表示的重複單元：
    Figure 106141198-A0305-02-0052-5
     (式中，R1表示氫、1~3價的碳數1~30的直鏈狀、分枝狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基、或1~3價的碳數6~30的芳香族烴基，在該脂肪族烴基及該芳香族烴基中，1個以上的亞甲基係未取代、或被氧基、醯亞胺基或者羰基取代，1個以上的氫係未取代、或被氟、羥基或者烷氧基取代，且1個以上的碳係未取代、或被矽取代，在R1係2價或3價的情況下，R1係將複數個重複單元中所含的Si彼此加以連結)，且該含氟的化合物係下述式(M)：R4Si(OR5)3 (M)(式中，R4係碳數1~8的完全或部分地被氟取代的烴基，R5表示碳數1~5的烷基)。
  16. 如請求項15的組成物，其中來自該含氟的化合物的氟原子的數量對來自該聚矽氧烷的矽原子的數量的比為0.002~0.4。
TW106141198A 2016-11-28 2017-11-27 具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法 TWI752122B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-230560 2016-11-28
JP2016230560 2016-11-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201833191A TW201833191A (zh) 2018-09-16
TWI752122B true TWI752122B (zh) 2022-01-11

Family

ID=62195824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106141198A TWI752122B (zh) 2016-11-28 2017-11-27 具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10916661B2 (zh)
JP (1) JP7033259B2 (zh)
KR (1) KR102465013B1 (zh)
CN (1) CN110073476B (zh)
TW (1) TWI752122B (zh)
WO (1) WO2018097284A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10756116B2 (en) * 2018-03-20 2020-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate having thin film transistors that each include copper gate electrode and oxide semiconductor layer
JP7230743B2 (ja) 2019-08-27 2023-03-01 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
KR20210057843A (ko) 2019-11-12 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JPWO2022019205A1 (zh) * 2020-07-22 2022-01-27
KR102495606B1 (ko) 2021-03-19 2023-02-06 연세대학교 원주산학협력단 가교반응이 가능한 폴리(이미드-실록산)을 이용한 트랜지스터 보호막 및 이의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201406876A (zh) * 2012-07-19 2014-02-16 Toray Industries 聚矽氧烷組成物、硬化被膜、電子元件及其製造方法、以及光學元件及其製造方法
TW201535055A (zh) * 2014-01-31 2015-09-16 Nara Inst Science & Technology 具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法
TW201629631A (zh) * 2015-02-04 2016-08-16 Sakai Display Products Corp 正型感光性矽氧烷組成物、有源矩陣基板、顯示裝置、以及有源矩陣基板之製造方法。

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4373082B2 (ja) 2001-12-28 2009-11-25 富士通株式会社 アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法
JP2008248239A (ja) 2007-03-08 2008-10-16 Toray Ind Inc シロキサン樹脂組成物、それを用いた硬化膜および光学デバイス
JP2008278239A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Corp 電話システムおよび通信端末
FR2918749B1 (fr) 2007-07-12 2009-10-09 Michelin Soc Tech Procede d'evaluation de l'adherence transversale d'un pneu sur un sol enneige
EP2236543B1 (en) * 2007-12-10 2014-02-26 Kaneka Corporation Polysiloxane compound, alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor
WO2011043163A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5863266B2 (ja) 2011-04-12 2016-02-16 メルクパフォーマンスマテリアルズＩｐ合同会社 シロキサン樹脂含有塗布組成物
TWI573194B (zh) 2012-06-15 2017-03-01 Ｄｉｃ股份有限公司 半導體用絕緣膜及使用其的有機薄膜電晶體
JP6480691B2 (ja) 2013-10-21 2019-03-13 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ ケイ素含有熱または光硬化性組成物
JP6702304B2 (ja) 2015-03-25 2020-06-03 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
JP2017173741A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 感光性シロキサン組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201406876A (zh) * 2012-07-19 2014-02-16 Toray Industries 聚矽氧烷組成物、硬化被膜、電子元件及其製造方法、以及光學元件及其製造方法
TW201535055A (zh) * 2014-01-31 2015-09-16 Nara Inst Science & Technology 具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法
TW201629631A (zh) * 2015-02-04 2016-08-16 Sakai Display Products Corp 正型感光性矽氧烷組成物、有源矩陣基板、顯示裝置、以及有源矩陣基板之製造方法。

Also Published As

Publication number Publication date
TW201833191A (zh) 2018-09-16
KR102465013B1 (ko) 2022-11-09
US20190319131A1 (en) 2019-10-17
WO2018097284A1 (ja) 2018-05-31
US10916661B2 (en) 2021-02-09
JPWO2018097284A1 (ja) 2019-10-17
KR20190087595A (ko) 2019-07-24
CN110073476A (zh) 2019-07-30
CN110073476B (zh) 2023-09-01
JP7033259B2 (ja) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI752122B (zh) 具備保護膜之薄膜電晶體基板及其製造方法
JP6237279B2 (ja) 保護膜を具備する薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
CN111148805B (zh) 正型感光性硅氧烷组合物以及使用了其的固化膜
US11866553B2 (en) Polysiloxane, composition comprising the same and cured film using the same
JP7195318B2 (ja) 感光性シロキサン組成物およびこれを用いたパターン形成方法
TWI772411B (zh) 正型感光性矽氧烷組成物、及使用其所形成之硬化膜
JP7483756B2 (ja) ゲート絶縁膜形成組成物
TWI749218B (zh) 正型感光性矽氧烷組成物、及使用其所形成之硬化膜