TW201628102A - 晶粒接合器及接合方法 - Google Patents

Abstract

本發明係提供異物不會飛散，也可確實地除 去黏著力強的異物之可洗淨的晶粒接合器及接合方法。 本發明係從晶圓拾取晶粒，將晶粒接合 在基板，並在吸附晶粒之吸附器之吸附面，將具有十μm至數百μm之線徑的金屬刷具，沿著吸附面而與吸附面做相對性地移動來洗淨吸附面的晶粒接合器及接合方法。

Description

晶粒接合器及接合方法

本發明係關於晶粒接合器及接合方法，尤其關於從晶圓拾取晶粒的吸附器之異物除去方法。

晶粒接合器係以焊料、鍍金、樹脂作為接合材料，將晶粒(組裝電子電路的矽基板之晶片)接合(搭載並接合)在引線框架或配線基板等(以下稱為基板)的裝置。

將該被稱為晶粒之半導體晶片接合在例如基板之表面的晶粒接合器中，一般而言，重覆進行使用被稱為吸附器之吸附噴嘴而從晶圓吸附晶粒並予以拾取，在基板上搬運，賦予按壓力，並且藉由對接合材加熱，進行接合的動作(作業)。

吸附器係如圖5所示般，具有吸附孔6a，吸引空氣，吸附保持晶粒的保持具。

在上述一連串之動作中，因需要使吸附器吸附晶粒，故有在晶粒和吸附器之前端部(吸附面)之間隙，附著在例如切割工程中產生之晶圓的切屑為主體的異 物之情形。其附著量成為特定之量以上時，有晶粒之元件部或保護膜破壞或者配線斷線的可能。

在此，例如在專利文獻1中，為在吸附器之前端吸附晶粒，將此搭載在引線框架上的裝置，在途中，使用鼓風噴吹附著於吸附器之前端的異物而除去，或以刷具除去異物之方法來進行接合。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平6-302630號公報

但是，黏著力強的異物，尤其在吸附器之晶粒的吸附部具有階差之時，僅以刷除無法除去(洗淨)。再者，鼓風即使可以除去異物，被除去之異物飛散，有附著於製品之虞。

本發明係鑒於上述問題點，其目的在於提供不使異物飛散，亦可確實地除去黏著力強的異物的吸附器之可洗淨的晶粒接合器及接合方法。

用以解決上述課題之本案發明若舉出其一例時，以下述技術作為特徵具有：拾取頭，其係使晶粒吸附 在設置在前端之吸附器之吸附面而從晶圓拾取晶粒；和接合頭，其係將拾取的晶粒接合在基板上；洗淨裝置，其係以捆綁複數具有從十μm至數百μm之線寬之金屬的極細金屬刷具除去吸附面之異物；接觸手段，其係使極細金屬刷具和吸附面接觸；移動手段，其係沿著吸附面使極細金屬刷具和吸附面做相對性地移動；和控制部，其係控制接觸手段和移動手段。

再者，若舉出其他例時，以下述技術作為特徵具有：第1步驟，其係從晶圓拾取晶粒，並將晶粒接合在基板上；和第2步驟，其係在吸附晶粒之吸附器的吸附面使綑綁複數從十μm至數百μm之線寬的極細金屬刷具沿著吸附面與吸附面做相對性地移動而洗淨吸附面。

因此，若藉由本發明時，可以提供異物不會飛散，也可確實地除去黏著力強的異物之可吸附器之洗淨的晶粒接合器及吸附器接合方法。

1‧‧‧晶粒供給部

2‧‧‧拾取部

21‧‧‧拾取頭

31‧‧‧中間平台

4‧‧‧接合部

41‧‧‧接合頭

44‧‧‧基板辨識攝影機

45‧‧‧晶粒姿勢辨識攝影機

6‧‧‧吸附器

6a‧‧‧吸附器之吸附孔

6p‧‧‧吸附器之按壓部

6s‧‧‧吸附器之晶粒的吸附面

7‧‧‧控制部

10、10A、10B‧‧‧晶粒接合器

11‧‧‧晶圓

12‧‧‧拾取裝置

13‧‧‧上推單元

18‧‧‧晶粒黏接薄膜(DAF)

60、60A、60B‧‧‧吸附器洗淨裝置

61‧‧‧極細金屬刷具

62‧‧‧移動框部

63‧‧‧吸引部

65‧‧‧驅動部

67‧‧‧升降裝置

D‧‧‧晶粒

P‧‧‧基板

圖1為本發明之晶粒接合器之第1實施型態之概略上視圖。

圖2為從圖1中之箭頭A方向觀看時，說明接合頭41之動作的圖示。

圖3為表示拾取裝置之構成的圖示。

圖4為表示拾取裝置之構成的圖示。

圖5(a)為表示吸附器之晶粒之吸附面的圖示，(b)為表示吸附在吸附器之吸附面的Si屑之實際例的圖示。

圖6為表示以日本粉末工業技術協會之試驗用粉體1之兩種(矽砂)作為模擬Si屑之試驗用粉體的圖示。

圖7為表示評估方法的試驗流程圖。

圖8為表示使用極細金屬刷具當作工具之時的試驗用粉體附著時和除去後之評估位置的畫像之圖示。

圖9為表示使用牙刷當作工具之時的試驗用粉體附著時和除去後之評估位置的畫像之圖示。

圖10為表示使用極細金屬刷具當作工具之時的異物殘像率之變化的圖示。

圖11為表示使用鼓風具當作工具之時的異物殘像率之變化的圖示。

圖12為表示使用DAF、牙刷、電動牙刷當作工具之時的分別的異物殘像率之變化的圖示。

圖13為表示吸附器洗淨裝置之第1實施例的圖示。

圖14為表示晶粒接合器之實施型態1中藉由接合頭對基板的接合動作及吸附器之洗淨動作之動作流程的圖示。

圖15為表示晶粒接合器之第2實施型態之圖式。

圖16為表示吸附器洗淨裝置之第2實施例的圖示。

以下針對本發明之一實施型態使用圖面等進行說明。再者，在各圖之說明中，對具有相同功能之構成要素賦予相同符號，避免重複，盡可能省略說明。

(實施型態1)

圖1為本發明之晶粒接合器10之第1實施型態10A之概略上視圖。圖2為從圖1中之箭頭A方向觀看時，說明接合頭41之動作的圖示。

晶粒接合器10A大致具有供給安裝於基板P之晶粒D的晶粒供給部1；從晶粒供給部1拾取晶粒，且將被拾取之晶粒D接合在基板P或先前被接合之晶粒上的接合部4；洗淨吸附器6之晶粒吸附面之異物的吸附器洗淨裝置60A(60)；將基板P搬運至接合位置之搬運部5；將基板P供給至搬運部5之基板供給部9K；接取被安裝之基板P的基板搬出部9H；和監視各部之動作並進行控制的控制部7。

首先，晶粒供給部1具有保持晶圓11之晶圓保持台12和以從晶圓11上推晶粒D之點線所示的上推單元13。晶粒供給部1係藉由無圖示之驅動手段在XY方向移動，使拾取之晶粒D在上推單元13之位置移動。

接合部4具有從晶圓11拾取晶粒D，接合至被搬運來的基板P上之接合頭41；使接合頭41在Y方向 移動之Y驅動部43；攝影被搬運來的基板P之位置辨識標誌(無圖示)，辨識應接合之晶粒D之接合位置的基板辨識攝影機44；和檢測出從晶圓11拾取之晶粒D之姿勢的晶粒姿勢辨識攝影機45。如圖2所示般，接合頭41在其前端具有可拆裝地保持吸附器6之吸附器保持器6h。如圖5所示般，吸附器6具有經接合頭41而被連接於吸引泵(無圖示)之吸附孔6a，以吸附孔吸附保持晶粒D。

吸附器洗淨裝置60A(60)被設置在從晶圓11拾取晶粒D之拾取位置，和載置晶粒並按壓而與以接合之接合位置之間，如後述般，以極細金屬刷具61除去吸附器6之晶粒D之吸附面6s之異物，且進行洗淨。

藉由如此之構成，接合頭41係進行在圖2中細虛線表示的接合動作，即係根據晶粒姿勢辨識攝影機45之攝影資料補正晶粒D之姿勢，根據基板辨識攝影機44之攝影資料將晶粒接合在基板P，再次返回至晶圓11之拾取位置。

再者，接合頭41係於適當時期，例如開始一連串的接合動作之後，於動作中或結束後，前進至吸附器洗淨裝置60A之位置，進行吸附器6之洗淨的以粗虛線表示的洗淨動作。

因此，吸附器洗淨裝置60A(60)之最佳設置位置以在接合動作中之接合頭41之移動路線中設置在不造成妨礙的位置上為理想。但是，當妨礙接合動作或無法充分取得設置場所之時，即使偏置在通常路線的兩端外側或通常 路線之基板之搬運方向的位置亦可。即是，若設置在接合頭41之可動範圍即可。

搬運部5具有並行設置之相同構造之第1、第2搬運部，其具備載置一片或複數片之基板(在圖1中4片)之基板搬運拖板51，和基板搬運拖板51移動之拖板軌道52。基板搬運拖板51係藉由以沿著拖板軌道52而設置之滾珠螺桿(無圖示)驅動被設置在基板搬運拖板51之螺帽(無圖示)而移動。

藉由如此之構成，基板搬運拖板51在基板供給部9K載置基板P，沿著拖板軌道52移動至接合位置，且於接合後移動至基板搬出部9H，將基板P交給基板搬出部9H。第1、第2搬運部互相獨立驅動，將晶粒D接合在被載置在一方之基板搬運拖板51之基板P中，另一方之基板搬運拖板51搬出基板P，返回至基板供給部9K，進行載置新的基板P等之準備。

控制部7係擷取來自基板辨識攝影機44及基板辨識攝影機44之畫像資訊，接合頭41之位置等之各種資訊，控制接合頭41之接合動作、洗淨動作及吸附器洗淨裝置60之洗淨動作等之各構成要素之各動作。

接著，使用圖3及圖4說明拾取裝置12之構成。圖3為表示拾取裝置12之外觀斜視圖的圖示。圖4為表示拾取裝置12之主要部位的概略剖面圖。如圖3、圖4所示般，拾取裝置12具有保持晶圓環14之擴充環15、被保持在晶圓環14且對黏著有複數晶粒D之切割膠 帶16進行水平定位的支撐環17，和用以使配置在支撐環17之內側的晶粒D朝上方上推的上推單元13。上推單元13藉由無圖示之驅動機構，在上下方向移動，拾取裝置12在水平方向移動。

拾取裝置12於晶粒D之上推時，使保持晶圓環14之擴充環15下降。其結果，被保持在晶圓環14之切割膠帶16被拉長，擴大晶粒D之間隔，藉由上推單元13從晶粒下方進行上推晶粒D，提升晶粒D之拾取性。並且，隨著薄型化接合劑從液狀成為薄膜狀，在晶粒D(晶圓11)和切割膠帶16之間貼合被稱為黏晶膜(以下，稱為DAF)18的薄膜狀之接合材料。在具有DAF18之晶圓11中，切割係對晶圓11(晶粒D)和DAF18進行。因此，在剝離工程中，從切割膠帶16剝離晶圓11和DAF18。

於切割之時，如圖5(b)所示般，主要產生晶圓(矽Si)之Si屑之異物，於剝離工程之時附著於吸附器6。其附著量成為特定之量以上時，有晶粒之元件部或保護膜破壞或者配線斷線的可能。

於是，如以往技術中所述般使用鼓風噴吹異物或利用刷具去除異物。最近，以具有階差之按壓部6p將晶粒D按壓至如圖5(a)所示般之周邊的按壓吸附器6之需求增多，尤其在階差部(ii)的洗淨能力產生問題。雖然考慮各種洗淨方式，但並無評估基準，所以不知道哪一個有多好。在此，首先規定評估方式。

於說明具體的吸附器洗淨裝置60之前，依序說明洗淨工具、評估方式、評估結果。

洗淨工具選擇大致分為鼓風、可期待防止飛散之刷具及黏著膠帶之兩工具的計三工具。鼓風係以0.15Mpa之乾氣體進行。刷具係以捆綁複數直徑30μm之SUS性之金屬的極細金屬刷具(喜多製作所製造奈米技術刷具)、粗細度極細毛、尼龍製之硬度普通的牙刷及尼龍製之硬度普通且具有16000st(st：行程(往返)/分鐘之音波振動數的電動牙刷之三工具來進行。黏著膠帶使用晶粒接合所使用的DAF。並且，在線徑mm程度之金屬刷具中，因會傷及吸附器6，故從測試後補刪除。

評估位置如圖5(a)所示般，設為以(i)表示之按壓部6p、以(ii)表示之階差部、以(iii)表示之吸附孔周圍。圖5(b)為表示吸附於吸附器6之吸附面6s之Si屑8之實際例的圖示。

評估係選擇圖6所示之日本粉體工業技術協會之試驗用粉體1之兩種(矽砂)以當作模擬Si屑8之試驗用粉體，根據圖7所示之試驗流程來進行。並且，在圖6中，例如粒徑5μm至10μm之粉體表示存在88-76=8%±3%。

首先，將吸附器6之吸附面6s按壓至放入有試驗用粉體之容器使全面附著粉體(步驟S1)。圖8(a)、圖9(a)表示附著試驗用粉體之評估位置表面之畫像例。粉體附著時看到白色。評估位置(iii)之黑圈為 吸附孔6a。將在各評估位置之畫像予以二值化，測量附著時之白黑之面積比(步驟S2)。

接著，在吸附器6之吸附面6s，使工具在5秒間做5往返而除去粉體(步驟S3)。使工具往返係因為確實洗淨位於工具之進行方向之兩側的兩個階差部(ii)之故。之後，與步驟S2相同，將各評估位置之畫像予以二值化，測量除去後之黑白之面積比(步驟S4)。在圖8(b)、圖9(b)之除去後之畫像例中，圖8(b)表示極細金屬(SUS)刷具61之例，圖9(b)表示牙刷之例。在兩個例之間，明顯可知極細金屬刷具61除去能力高。

最後，求出附著時和除去後之黑白之面積比的比例，評估除去率。

從圖10至圖12表示各工具之評估結果。各圖將圖7所示之流程當作一次之測量，表示異物殘存率對測量次數的變位。異物殘存率係將附著時之粉體之面積比設為100%，測量後取得之粉體即是異物之殘存物。圖10係表示極細金屬刷具之結果，圖11表示鼓風之結果，圖12表示DAF、牙刷、電動牙刷之各結果。

該些結果，圖10所示之極細金屬刷具61無論評估位置，在第一次中異物殘像率為1%，即是除去率為99%。圖11所示之鼓風因評估位置多少會產生不同，但是第1次在階差部(ii)中異物殘存率為3%，即是除去率97%。當在特別成為問題之階差部(ii)評估圖12所示 之3工具時，電動牙刷為佳，在第3次之異物殘存率為6%，但是DAF即使在DAF接觸之按壓部(i)第8次的異物殘存率為45%較差。

如上述說明般，可知極細金屬牙刷61最佳，也比噴吹異物之鼓風佳。再者，如圖10所示般，極細金屬牙刷61由於異物殘存率，即是除去率不依存測量位置，故亦可以適用於無按壓部6p之平坦部的吸附器。而且，如上述實驗結果所示般，發明者發現上述極細金屬刷具61即使對具有階差之吸附器，也具有高的異物除去效果。尤其，發明者發現上述極細金屬刷具61即使在周邊具有階差之吸附器，也具有高的異物除去效果。

並且，如1次5秒之測量時間，如五5次往返之往返次數，為了評估而設定者，在實際之洗淨處理中，吸附器之尺寸考慮階差部(ii)之階差高度、被要求之除去率等而進行。例如，實驗性地設定測量時間(測量速度)、單程或往返、往返時的往返次數等之諸條件。

極細金屬刷具即使按壓吸附器6之晶粒D之吸附面6s，亦無法提升除去率，以輕接觸之程度為佳。作為金屬，以具有如SUS(不鏽鋼)般之柔軟性為佳。再者，極細金屬刷具之直徑，以保持某程度之腰部的直徑為佳。在實驗中，SUS以線徑30μm、50μm進行，來確認其效果，邏輯上，若具有SUS般之柔軟性時，即使線徑從十μm至數百μm程度亦可。若為導電性之金屬時，可以除電，從此點來看也為優良。

接著，針對吸附器洗淨裝置60A進行說明。

(實施例1)

圖13為表示圖1所示之實施型態1中之吸附器洗淨裝置60之第1實施例60A的圖示。圖13(a)係在圖1中從箭號A方向觀看吸附器洗淨裝置60A之圖示。圖13(b)係在圖13(a)中從箭號B方向觀看吸附器洗淨裝置60A之圖示。圖13(c)、圖13(d)分別對應於圖13(a)、圖13(b)之圖示，表示接合頭41下降，接觸於極細金屬刷具61，進行洗淨動作之狀態的圖示。

吸附器洗淨裝置60A具有對吸附器6之晶粒D之吸附面6s進行洗淨的極細金屬刷具61、除去被設置在極細金屬刷具之下部的極細金屬刷具內之矽(Si)屑8等之異物的吸引部63、固定極細金屬刷具及吸引部63，在內部具有螺帽62n之移動框部62、使極細金屬刷具61之驅動部65，和將該些構成要素固定在晶粒接合器10A之機構部(無圖示)的固定部66。

極細金屬刷具61係將例如線徑30μm，長度6mm之SUS製之金屬綑綁成長方形。長方形狀帶圓角，長邊至少具有吸附器6之寬度的形狀。即是，如上述般以持有金屬線之特定腰部之方式，決定金屬線之線徑、長度及之長方形之短邊的長度。特定之腰部、或是金屬線之線徑、長度及長方形狀之短邊之長度可以藉由事先實驗性求出來決定。

於無法將長方形狀之長邊之長度一次形成吸附器6之寬度之時，即使在長邊之長度方向設置分割成複數個的分割刷具亦可。此時，以在分割不會產生洗淨之間隙之方式，重疊分界線而進行洗淨之方式，例如彼此前後配置。再者，即使使刷具之形狀成為圓形，使刷具旋轉亦可。此時，即使使旋轉方向反轉亦可。

吸引部63具有被形成在移動框部62內，且被設置在驅動用之球型接頭65b之兩側的吸引孔部63a，和連結兩個吸引孔部63a的連結部63b，和從吸引泵(無圖示)被配設置的柔軟之連接配管63h和連接配管被連接的連接栓63s。

驅動部65具有與被固定在移動框部62之螺帽62n卡合，且被固定部66支撐的球型接頭65b，和使球型接頭旋轉之馬達65m，和設置在被形成在移動框部62之凹狀部滑動之固定部66之兩側的兩條軌導65g。

使用圖2及表示該些動作流程之圖14針對晶粒接合器之實施型態1中之接合頭41對基板P的接合動作及吸附器6之洗淨動作進行說明。

通常重覆進行圖2中以細虛線表示之接合動作時。在接合動作中，控制部7藉由將從晶圓11上推單元13被上推之晶粒D安裝在接合頭41之前端的吸附器6吸附，進行拾取(步驟B1)。在被拾取之晶粒D前進至接合位置之途中，控制部7在晶粒姿勢辨識攝影機45辨識晶粒D之姿勢，根據辨識結果補正晶粒D之姿勢(步 驟B2)。控制部7係在以拖板軌道被搬運來的基板P接合晶粒D(步驟B3)。控制部7係使接合頭41從晶圓11返回至晶粒D之拾取器位置(步驟B4)。

在上述接合動作時，每次以特定接合次數，在朝向返回至步驟B4之拾取位置的動作之途中，控制部7係以晶粒辨識攝影機45攝影吸附器6之吸附面6s，判斷洗淨之要否(步驟J1、J2)。要否之判斷係對吸附面6s中在一部分特定之區域中的Si屑8等之異物之數量或大小等進行判斷。特定之區域指定例如具有階差之容易受污的區域。當然，即使在吸附面6s之全區域進行判斷亦可。於畫像處理需花時間之時，即使暫時攝影，進行畫像處理直至下一次的接合處理後或下下次的接合處理後，判斷洗淨要否亦可。控制部7當判斷不需洗淨時，移至步驟B4。

控制部7係當判斷要洗淨時，進入以圖2所示之粗虛線表示的洗淨動作。控制部7洗使吸附器6(接合頭41)移動且下降至吸附器洗淨裝置60A之上部，如圖13(c)所示般，使接觸於極細金屬刷具61(步驟C1)。在本例中，用以洗淨之接觸手段成為使吸附器移動之手段。之後，控制部7控制馬達65m，且將極細金屬刷具61例如箭號C所示般，例如在1秒期間以1返往之速度，進行1往返，若有需要，以數往返移動，來洗淨吸附器之吸附面6s(步驟C2)。本例之時的用以洗淨之移動手為使極細金屬刷具61的手段。因藉由使成為極細金屬 刷具61移動之手段，在接合頭不需要具有洗淨目的之微細的左右方向之活動的功能，故可以實現高精度並且穩定性的接合。並且，若僅以單程動作可取得特定之洗淨度時，僅單程動作即可。之後，控制部7係使接合頭41上升，返回至晶粒D之拾取位置(步驟C3)，返回至接合動作。

控制部7係將上述流程重覆至接合預定的晶粒數為為止。

在上述流程中，每次以特定接合次數，換言之，每次從晶圓11拾取晶粒D之特定次數，根據攝影資料判斷洗淨之要否，但是即使不判斷每次特定之拾取次數，定期性地進行亦可。再者，在上述流程中，雖然根據攝影資料每次以特定接合次數判斷洗淨之要否，之後每次不判斷洗淨之要否，從提升安全面、工時之觀點來看即使將之後的判斷循環設為特定之接合次數短亦可。

而且，作為進行洗淨之時序，即使每次改變晶粒被保持涵蓋複數行之晶圓11上之晶粒之行，或兩隔2行自動性實行吸附器洗淨亦可。再者，即使作業者於需要之時操作接合而隨時實行亦可。

而且，在上述說明中，雖然於洗淨動作時使接合頭41下降而進行洗淨，但是即使使吸附器裝置60A上升而進行洗淨亦可。

若藉由上述說明之吸附器洗淨裝置之實施例1時，利用使用極細金屬刷具61，不會使異物飛散至周 圍，可以確實地除去異物。

再者，若藉由上述說明之吸附器洗淨裝置之實施例1時，藉由設置吸引部63，可以回收除去之異物，可以將晶粒安全地接合至基板。

並且，若藉由上述說明之吸附器洗淨裝置之實施例1時，可以藉由使用極細金屬刷具61進行吸附器6之除電，並可以防止晶粒之靜電破壞。

(實施型態2)

圖15為晶粒接合器10之第2實施型態10B的圖式。晶粒接合器10B具有又在晶粒接合器10A設置與接合頭41不同另外從晶圓11拾取之拾取部2，和暫時載置拾取的晶粒D之中間步驟31的構成。再者，晶粒接合器10B在中間步驟31和晶粒D之拾取位置之間具有吸附器洗淨裝置60之第2實施例60B。

拾取器2係從晶圓11拾取晶粒D，載置在中間平台31之拾取頭21，和使拾取頭21在Y方向移動之拾取頭之Y驅動部23。拾取頭21具有與接合頭41相同構造，Y驅動部23之外具有使吸附器6升降、旋轉及X方向移動之無圖示之各驅動部。

(實施例2)

圖16為表示吸附器洗淨裝置60B之圖示。圖16(a)係在圖15中從箭號G方向觀看吸附器洗淨裝置60B 之圖示。圖16(b)係在圖16(a)中從箭號E方向觀看吸附器洗淨裝置60B之圖示。圖16(c)、圖16(d)分別對應於圖16(a)、圖16(b)之圖示，表示使吸附器洗淨裝置60B之本體上升而接觸於拾取頭21，進行洗淨動作之狀態的圖示。

實施例2之吸附器洗淨裝置60B之實施例1不同之點有下述4點。

第1，因異物等從晶圓11附著在拾取頭21之吸附器6，故如上述般吸附器洗淨裝置60B被設置在中間平台31和晶粒D之拾取位置之間之點。並且，在中間平台31存在之晶粒接合中，即使關於接合頭，也同樣需要進行吸附器洗淨之時，即使設置在中間平台31和晶粒D之接合的位置之間亦可。

第2，在實施例1中使極細金屬刷具61移動而除去吸附面6s之異物，對此在實施例2中，使接合頭41在圖16(c)所示之箭號J方向左右移動而除去吸附面6s之異物之點。即是，在實施例2中，用以進行洗淨之移動手段為使吸附器移動之手段。當接合頭以與洗淨之目的不同的其他目的而具有針對左右移動的特殊功能之時，使用該功能，實施洗淨，依此不需要賦予多餘之功能，有可以實現吸附器洗淨之優點。

第3，在實施例1中，接合頭41下降，使吸附器6之吸附面6s接觸於極細金屬刷具61，對此在實施例2中，藉由在H方向具有升降功能之升降裝置67，使 極細金屬刷具61上升並使極細金屬刷具61接觸於吸附器6之吸附面6s之點。此時之用以洗淨之接觸手段為使極細金屬刷具61升降的手段。藉由使極細金屬刷具61具有升降功能，配合接合頭41移動至極細金屬刷具61之上方，可以實施極細金屬刷具61之升降而接觸於接合頭41，並可提升處理量。並且，第3點係為了在實施例2中降低驅動軸，即使與實施例1相同，降低接合頭41亦可。

第4，在實施例1中雖然使用晶粒姿勢辨識攝影機監視異物之程度，但是實施型態2中，在中間平台31載置晶粒D之時，因如接合時般，無須取得正確之晶粒之姿勢，故在實施例2中，不用以畫像來監視異物程度，以藉由拾取頭21從晶圓11取拾晶粒D之拾取次數進行異物之程度的監視。當然，即使與實施例1相同，設置攝影拾取頭之吸附器6之吸附面6s之手段，根據攝影結果判斷洗淨之要否亦可。

若藉由上述說明之吸附器洗淨裝置之實施例2時，利用使用極細金屬刷具61，不會使異物飛散至周圍，可以確實地除去異物。

在上述說明中，可以將在實施型態1中說明之吸附器洗淨裝置之實施例1適用於實施型態2，相反地可以將在實施型態2中說明之吸附器洗淨裝置之實施例2適用於實施型態1。

再者，若藉由上述說明之吸附器洗淨裝置之實施例2時，藉由設置吸引部63，可以回收除去之異 物，可以將晶粒安全地接合至基板。

並且，若藉由上述說明之吸附器洗淨裝置之實施例2時，可以藉由使用極細金屬刷具61進行吸附器6之除電，並可以防止晶粒之靜電破壞。

若藉由上述說明之晶粒接合器之實施型態1、2時，使用極細金屬刷具61，不會使異物飛散至周圍，確實除去異物，依此可以提供信賴性高之晶粒接合器。

作為其他晶粒接合器之實施型態，亦可適用於使拾取之晶粒反轉，交給接合頭之倒裝晶片接合器。在實施型態1、2中，因洗淨之吸附面朝下，故洗淨裝置60被設置在拾取晶粒之頭部的可動範圍之下側。但是，在晶粒3之實施型態中，因吸附面朝上，故即使設置在拾取之頭部之可動範圍之上側亦可。即是，洗淨裝置60被設置成面對吸附面。

如上述般，針對本發明之晶粒接合器、吸附器洗淨裝置之實施態樣進行說明，本領域技術人員根據上述說明可做各種代替例、修正或變形，只要在不脫離本發明之主旨的範圍內，本發明包含上述各種代替例、修正或變形。

Claims (11)

1. 一種晶粒接合器，其特徵在於具有：拾取頭，其係使設置在前端之吸附器之吸附面吸附晶粒，從晶圓拾取上述晶粒；接合頭，其係將拾取之上述晶粒接合在基板上或已被接合之晶粒上；洗淨裝置，其係藉由綑綁複數具有十μm至數百μm之線寬的金屬刷具的極細金屬刷具除去上述吸附面之異物；接觸手段，其係使上述極細金屬刷具和上述吸附面接觸；移動手段，其係沿著上述吸附面使上述極細金屬刷具和上述吸附面做相對性地移動；及控制部，其係控制上述接觸手段和上述移動手段。
2. 如請求項1所記載之晶粒接合器，其中上述洗淨裝置被設置在上述拾取頭之可動範圍。
3. 如請求項2所記載之晶粒接合器，其中上述洗淨裝置被設置在上述晶粒之從上述晶圓拾取的拾取位置和載置上述晶粒之位置之間，且除去上述吸附面之異物之時面對上述吸附面之位置上。
4. 如請求項1所記載之晶粒接合器，其中上述接觸手段係上述吸附器或上述極細金屬刷具升降使接觸於上述吸附面之手段。
5. 如請求項1所記載之晶粒接合器，其中 上述移動手段為使上述吸附器或上述極細金屬刷具移動之手段。
6. 如請求項1所記載之晶粒接合器，其中上述極細金屬刷具在上述吸附面具有使一邊之長度成為長邊之刷部，或是具有將上述一邊之長度分割成複數之分割刷具部，鄰接之上述分割刷部彼此在洗淨處重疊。
7. 如請求項1所記載之晶粒接合器，其中上述接合頭係兼作上述拾取頭，從上述晶圓將上述晶粒直接接合至上述基板。
8. 如請求項1所記載之晶粒接合器，其中上述拾取頭係將上述晶粒暫時載置在中間平台，上述接合頭係從上述中間平台拾取該晶粒，接合在上述基板。
9. 一種接合方法，其特徵在於具有：第1步驟，其係從晶圓拾取晶粒，並將上述晶粒接合在基板或已被接合之晶粒上；和第2步驟，其係在吸附上述晶粒之吸附器之吸附面上，使綑綁複數具有十μm至數百μm之線寬之金屬的極細金屬刷具沿著上述吸附面而與上述吸附面做相對性地移動來洗淨上述吸附面。
10. 如請求項9所記載之接合方法，其中上述第2步驟係攝影上述接合後之上述吸附面，根據上述攝影之結果而進行。
11. 如請求項9所記載之接合方法，其中上述第2步驟係每次以上述第1步驟之特定次數進行。