JP7520637B2 - ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7520637B2
JP7520637B2 JP2020137836A JP2020137836A JP7520637B2 JP 7520637 B2 JP7520637 B2 JP 7520637B2 JP 2020137836 A JP2020137836 A JP 2020137836A JP 2020137836 A JP2020137836 A JP 2020137836A JP 7520637 B2 JP7520637 B2 JP 7520637B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
suction port
substrate
outlet
cleaning head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020137836A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022034171A (ja
Inventor
維月 五十嵐
明 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fasford Technology Co Ltd
Original Assignee
Fasford Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fasford Technology Co Ltd filed Critical Fasford Technology Co Ltd
Priority to JP2020137836A priority Critical patent/JP7520637B2/ja
Priority to TW110125508A priority patent/TWI808449B/zh
Priority to US17/380,652 priority patent/US12053806B2/en
Priority to KR1020210105798A priority patent/KR102545475B1/ko
Priority to CN202110930645.5A priority patent/CN114074094B/zh
Publication of JP2022034171A publication Critical patent/JP2022034171A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7520637B2 publication Critical patent/JP7520637B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B08B15/04—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area from a small area, e.g. a tool
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B08B5/023—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • B08B5/043—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本開示はダイボンディング装置に関し、例えば基板をクリーニングする装置を備えるダイボンディング装置に適用可能である。
半導体装置の製造工程の一部に半導体チップ（以下、単にダイという。）を配線基板やリードフレーム等（以下、単に基板という。）に搭載してパッケージを組み立てる工程があり、パッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウェハ（以下、単にウェハという。）からダイを分割する工程（ダイシング工程）と、分割したダイを基板の上に搭載するボンディング工程と、がある。ボンディング工程に使用される半導体製造装置がダイボンダ等のダイボンディング装置である。
ダイの基板へのボンディングには接着剤が使用されるが、ダイを基板に接着する際、基板の表面にゴミが付着していると接着剤の接着力が低下するため、基板上のゴミ（以下、異物という。）を除去することはダイを実装する上で極めて重要なことである。例えば、特許文献１では、エアの吹出し孔と吸込み孔が一体になったクリーニングノズルを有する異物除去装置を基板の移動方向と直交する方向に移動して基板上の異物を除去することが提案されている。
特開２０１２－１９９４５８号公報
積層ボンディングの多層化やそれに伴う基板の反りに伴い、基板や基板に載置されたダイの表面の異物を除去するノズルと基板との間隔は広くする必要がある。さらに、異物の除去能力を向上させるため、噴射するエア量（勢い）も増加させる必要がある。このため、基板上の異物は、クリーニングノズルの外部に拡散し、既にクリーニングが終了しているエリアに異物が拡散してしまう場合もある。
本開示の目的は、異物の拡散を抑制して基板の表面をクリーニングすることが可能なダイボンディング装置を提供することにある。
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、ダイが載置される基板を第一方向に沿って搬送する搬送部と、第一ノズルと第二ノズルと吸引口とを有するクリーニングヘッドと、クリーニングヘッドを第二方向に沿って移動させる駆動部と、を備える。吸引口は平面視において矩形状であり、吸引口の長辺は第一方向に沿って延伸し、吸引口は第一ノズルの吹き出し口と第二ノズルの吹き出し口との間に隣接して配置される。第一ノズルの吹き出し口は、平面視において吸引口の一方の長辺に沿って延伸するよう構成され、基板の表面に対して垂直に延伸するよう構成される。第二ノズルの吹き出し口は、平面視において吸引口の他方の長辺に沿って延伸するよう構成され、基板の表面に対して吸引口側に傾いて延伸するよう構成される。
上記ダイボンディング装置によれば、異物の拡散を抑制して基板の表面をクリーニングすることができる。
実施例におけるダイボンダを示す概略上面図 図１に示す矢印Ａから見た概略側面図 図１に示すダイ供給部の主要部を示す概略断面図 図１に示すダイボンダにおけるダイボンディング工程を説明するフローチャート 図１に示すクリーニングヘッドの概略構成図 図５に示すクリーニングヘッドの底面図 図６に示すＦ１－Ｆ１線における断面図 図７に示すクリーニングヘッドにおける動作を説明する底面図 図７に示すクリーニングヘッドの動きを示す断面図 図９に示すクリーニングヘッドと基板の上面図 第一変形例におけるクリーニングヘッドの概略構成図 図１１に示すクリーニングヘッドの底面図 図１２に示す第一変形例におけるクリーニングヘッドの断面図 第二変形例におけるクリーニングヘッドと基板を示す上面図 図１４におけるクリーニングヘッドの基板クリーニングを示す図 第三変形例におけるクリーニングヘッドの往路及び復路時の動作を示す断面図 第四変形例におけるクリーニングヘッドの概略構成図 第五変形例におけるクリーニングヘッドの概略構成図 第六変形例におけるクリーニングヘッドの概略構成図 第七変形例におけるクリーニングヘッドの底面図
本開示の実施形態における異物除去装置は、ウェハ、ダイが載置される基板、ダイが載置された基板および載置されたダイ等のワークの上の異物を除去する。異物除去装置は、例えば、クリーニングノズルまたはクリーニングヘッドを含む。クリーニングノズルまたはクリーニングヘッドは、中央に吸い込み口を有し、その吸い込み口を挟むように、または、取り囲むように吹き出し口を有する。
本実施形態によれば、異物除去装置と基板との隙間の大小にかかわらず、異物の拡散を抑制し、既にクリーニングが終了しているエリアへの異物の拡散を防止すると共に、異物除去装置から異物除去装置外への拡散による装置内部への汚染を防止することができる。また、異物の拡散を排気量の増加で対応する必要がないため、大量の排気のためのユーティリティが不要となり、設置スペースとコスト増加を抑制することができる。
以下、実施例および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。
図１は実施例におけるダイボンダの概略上面図である。図２は図１に示す矢印Ａから見たピックアップヘッドやボンディングヘッド及びその周辺部における概略構成とその動作を説明するための概略側面図である。
ダイボンダ１０は、大別して、基板Ｓに実装するダイＤを供給するダイ供給部１と、ピックアップ部２、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、搬送部５、基板供給部６と、基板搬出部７と、プリフォーム部９と、各部の動作を監視し制御する制御部８と、を有する。ここで、基板Ｓは平板状部材であり、最終１パッケージとなる、一つ又は複数の製品エリア（以下、パッケージエリアＰという。）がプリントされている。
図１において、搬送レーン５２によってガイドされて水平方向に搬送される基板Ｓの搬送方向が第一方向としてのＸ軸方向であり、Ｘ軸方向と同一面でＸ軸方向と直交する方向を第二方向としてのＹ軸方向、水平面に鉛直な方向をＺ軸方向として説明する。Ｙ軸方向がダイボンダ１０の前後方向であり、Ｘ軸方向が左右方向である。ダイ供給部１がダイボンダ１０の手前側に配置され、ボンディング部４が奥側に配置される。
まず、ダイ供給部１は基板ＳのパッケージエリアＰに実装するダイＤを供給する。ダイ供給部１は、ウェハ１１を保持するウェハ保持台１２と、ウェハ１１からダイＤを突き上げる点線で示す突上げユニット１３と、を有する。ダイ供給部１は図示しない駆動手段によってＸ軸およびＹ軸方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。
ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップするピックアップヘッド２１と、ピックアップヘッド２１をＹ軸方向に移動させるピックアップヘッドのＹ駆動部２３と、コレット２２を昇降、回転およびＸ軸方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。ピックアップヘッド２１は、突き上げられたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２（図２も参照）を有し、ダイ供給部１からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。ピックアップヘッド２１は、コレット２２を昇降、回転およびＸ軸方向移動させる図示しない各駆動部を有する。
中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識するためのステージ認識カメラ３２と、を有する。
ボンディング部４は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、ボンディングステージＢＳ上に搬送されてくる基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンディングし、または既に基板ＳのパッケージエリアＰの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングする。ボンディング部４は、ピックアップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット４２（図２も参照）を備えるボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１をＹ軸方向に移動させるＹ駆動部４３と、基板ＳのパッケージエリアＰの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ４４と、を有する。このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、ステージ認識カメラ３２の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板ＳにダイＤをボンディングする。
搬送部５は、基板Ｓを掴み搬送する基板搬送爪５１と、基板Ｓが移動する搬送レーン５２と、を有する。基板Ｓは、搬送レーン５２に設けられた基板搬送爪５１の図示しないナットを搬送レーン５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによってＸ軸方向に移動する。このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６から搬送レーン５２に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部７まで移動して、基板搬出部７に基板Ｓを渡す。
制御部８は、ダイボンダ１０の各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。例えば、制御部８は、基板認識カメラ４４及び基板認識カメラ４４からの画像情報、ボンディングヘッド４１の位置などの各種情報を取り込み、ボンディングヘッド４１のボンディング動作など各構成要素の各動作を制御する。
プリフォーム部９は、異物除去装置としてのクリーニングヘッド９１と、クリーニングヘッド９１をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に駆動する駆動部９３と、を有する。
次に、ダイ供給部１の構成について図３を用いて説明する。図３はダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。
ダイ供給部１は、水平方向（Ｘ軸およびＹ軸方向）に移動するウェハ保持台１２と、上下方向に移動する突上げユニット１３と、を備える。ウェハ保持台１２は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイＤが接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、を有する。突上げユニット１３は支持リング１７の内側に配置される。
ダイ供給部１は、ダイＤの突き上げ時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。その結果、ウェハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイＤの間隔が広がり、突上げユニット１３によりダイＤ下方よりダイＤを突き上げ、ダイＤのピックアップ性を向上させている。なお、薄型化に伴いダイを基板に接着する接着剤は、液状からフィルム状となり、ウェハ１１とダイシングテープ１６との間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム１８を有するウェハ１１では、ダイシングは、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ１１とダイアタッチフィルム１８をダイシングテープ１６から剥離する。ダイアタッチフィルム１８は加熱することで硬化する。
図４は図１のダイボンダにおけるダイボンディング工程を説明するフローチャートである。
実施例におけるダイボンディング工程では、まず、ウェハ１１から分割されたダイＤが貼付されたダイシングテープ１６を保持したウェハリング１４をウェハカセット（不図示）に格納し、ダイボンダ１０に搬入する。また、基板Ｓを準備し、ダイボンダ１０に搬入する。
（ダイ認識：ステップＳ１）
制御部８は、ウェハ１１を保持しているウェハリング１４をウェハカセットから取り出してウェハ保持台１２に載置し、ウェハ保持台１２をダイＤのピックアップが行われる基準位置まで搬送する（ウェハローディング）。次いで、制御部８は、ウェハ認識カメラ２４によって取得した画像から、ウェハ１１の配置位置がその基準位置と正確に一致するように微調整（アライメント）を行う。
次に、制御部８は、ウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２を所定ピッチでピッチ移動させ、水平に保持することによって、最初にピックアップされるダイＤをピックアップ位置に配置する（ダイ搬送）。ウェハ１１は、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイ毎に良、不良を示すマップデータが生成され、制御部８の記憶装置に記憶される。ピックアップ対象となるダイＤが良品であるか、不良品であるかの判定はマップデータにより行われる。制御部８は、ダイＤが不良品である場合は、ウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２を所定ピッチでピッチ移動させ、次にピックアップされるダイＤをピックアップ位置に配置し、不良品のダイＤをスキップする。
制御部８は、ウェハ認識カメラ２４によってピックアップ対象のダイＤの主面（上面）を撮影し、取得した画像からピックアップ対象のダイＤの上記ピックアップ位置からの位置ずれ量を算出する。制御部８は、この位置ずれ量を基にウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２を移動させ、ピックアップ対象のダイＤをピックアップ位置に正確に配置する。制御部８は、ウェハ認識カメラ２４によって取得した画像を用いて、ピックアップ対象ダイＤの表面検査を行う。
（基板クリーニング：ステップＳ２）
制御部８は、基板供給部６で基板Ｓを搬送レーン５２に載置する（基板ローディング）。制御部８は、基板Ｓをボンディング位置の手前のクリーニング位置まで移動させる（基板搬送）。制御部８は、基板Ｓの表面の異物を除去する。制御部８は、クリーニングヘッド９１を基板Ｓの幅分だけ駆動部９３によりＹ軸方向に沿って往復移動させながら基板Ｓのクリーニングを行う。制御部８は、基板ＳのＹ軸方向の一列のクリーニングが終わると、基板Ｓの二列目以降を順次クリーニングするため、基板ＳをＸ軸方向に移動させる。制御部８は、二列ごとに往復移動（一列ごとの片側移動で二列で往復移動）してもよい。クリーニングの詳細については後述する。
（基板認識：ステップＳ３）
制御部８は、ボンディングするためボンディング前に基板認識カメラ４４にて基板を撮像して基板ＳのパッケージエリアＰの位置を認識して位置決めを行う。制御部８は、基板認識カメラ４４によって取得した画像を用いて、基板ＳのパッケージエリアＰの表面検査を行う。
（ピックアップ：ステップＳ４）
制御部８は、ピックアップ対象のダイＤを正確にピックアップ位置に配置した後、コレット２２を含むピックアップヘッド２１によってダイＤをダイシングテープ１６からピックアップし、中間ステージ３１に載置する。制御部８は、中間ステージ３１に載置したダイの姿勢ずれ（回転ずれ）の検出をステージ認識カメラ３２にて撮像して行う。制御部８は、姿勢ずれがある場合は中間ステージ３１に設けられた旋回駆動装置（不図示）によって実装位置を有する実装面に平行な面で中間ステージ３１を旋回させて姿勢ずれを補正する。制御部８は、ステージ認識カメラ３２によって取得した画像を用いて、ダイＤの表面検査を行う。
（ボンディング：ステップＳ５）
制御部８は、コレット４２を含むボンディングヘッド４１によって中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、ステップＳ３の基板認識結果に基づいて基板ＳのパッケージエリアＰまたは既に基板ＳパッケージエリアＰにボンディングされているダイにダイボンディングする。
（基板認識：ステップＳ６）
制御部８は、ダイＤをボンディングした後、そのボンディング位置が正確になされているかを検査する。制御部８は、ボンディング実装結果を検査するために再度、基板認識カメラ４４にて基板ＳのパッケージエリアＰを撮像して基板ＳのパッケージエリアＰの位置認識を行う。
（ダイ位置認識：ステップＳ７）
制御部８は、基板認識カメラ４４にてダイＤを撮像してダイＤの位置認識を行い（ステップＳ７）、基板認識およびダイ認識結果からボンディングしたダイＤの位置の検査を行う。制御部８は、事前に登録しているボンディング位置と比較し数値出力と検査・判定を行う。制御部８は、基板認識カメラ４４によって取得した画像を用いて、ダイＤの表面検査を行う。
（次ボンディング：ステップＳ８）
制御部８はステップＳ１、Ｓ３に戻り、以後、同様の手順に従って、ダイＤを１個ずつダイシングテープ１６から剥して、ダイＤを１個ずつ基板ＳのパッケージエリアＰにボンディングする。
なお、１つの基板のボンディングが完了すると、基板Ｓを基板搬出部７まで移動して（基板搬送）、基板搬出部７に基板Ｓを渡す（基板アンローディング）。また、不良品を除くすべてのダイＤのピックアップが完了すると、それらダイＤをウェハ１１の外形で保持していたダイシングテープ１６およびウェハリング１４等をウェハカセットへアンローディングする。
ダイＤは、ダイアタッチフィルム１８を介して基板Ｓ上に実装され、ダイボンダから搬出される。その後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。積層品の場合は、続いて、ダイＤが実装された基板Ｓがダイボンダに再搬入されて基板Ｓ上に実装されたダイＤの上にダイアタッチフィルム１８を介して第２のダイＤが積層され、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。第２のダイＤは、前述した方法でダイシングテープ１６から剥離された後、ペレット付け工程に搬送されてダイＤの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Ｓをモールド工程に搬送し、複数個のダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、積層パッケージが完成する。
次に、クリーニングヘッド９１の構造について図５から図８を用いて説明する。図５は図１に示すクリーニングヘッドの概略構成図である。図６は図５に示すクリーニングヘッドの底面図である。図７は図６に示すＦ１－Ｆ１線における断面図である。図８は図７に示すクリーニングヘッドにおける動作を説明する底面図である。
図５に示すように、クリーニングヘッド９１の本体部は、例えば、八面体形状であり、矩形状の前面９１ａと、前面９１ａの対向面である矩形状の後面（不図示）と、矩形状の上面９１ｂと、矩形状の下面９１ｃと、六角形状の側面９１ｄと、側面９１ｄの対向面である六角形状の側面（不図示）と、等を有する。上面９１ｂおよび下面９１ｃのＸ軸方向の長さはＹ軸方向の長さよりも長く構成され、下面９１ｃは上面９１ｂよりも小さく構成されている。側面９１ｄは駆動部９３に接続されて、クリーニングヘッド９１がＹ軸方向やＺ軸方向等に移動可能とされている。
クリーニングヘッド９１は、本体部の上部に第一供給配管１１１、第二供給配管１１２および排出配管１１５が取り付けられている。第一供給配管１１１および第二供給配管１１２はそれぞれ流量制御器（不図示）を介して圧縮空気等を供給する装置（不図示）に接続され、排出配管１１５は流量制御器（不図示）を介して真空装置等の吸引装置（不図示）に接続され、それぞれの流量は制御部８によって制御される。排出配管１１５は第一供給配管１１１および第二供給配管１１２より配管径が大きくなっている。これは排出配管１１５が異物搬送用として使用するからである。
図７に示すように、クリーニングヘッド９１は、本体部に、第一供給配管１１１に接続される第一ノズル１０１と、第二供給配管１１２に接続される第二ノズル１０２と、排出配管１１５に接続される吸引口１０５を有する。
第一ノズル１０１はクリーニングヘッド９１の本体部の上面から下面に形成された断面が矩形状の貫通孔で構成され、本体部の上部に第一供給配管１１１に接続される供給部１０１ａ、下部に吹き出し口１０１ｂが設けられている。吹き出し口１０１ｂの下端であるノズル面に開口１０１ｃを有する。第二ノズル１０２はクリーニングヘッド９１の本体部の上面から下面に形成された断面が矩形状の貫通孔で構成され、本体部の上部に第二供給配管１１２に接続される供給部１０２ａ、下部に吹き出し口１０２ｂが設けられている。吹き出し口１０２ｂの下端であるノズル面に開口１０２ｃを有する。吸引口１０５はクリーニングヘッド９１の本体部の上面から下面に形成された断面が矩形状の貫通孔で構成され、本体部の上部に排出配管１１５に接続される排出部１０５ａ、下部に吸い込み口１０５ｂが設けられている。吸い込み口１０５ｂの下端に開口１０５ｃを有する。
第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂはそれぞれ供給部１０１ａおよび供給部１０２ａより断面積が小さくなっている。これは、所定の場所に空気を高速で吐出させるためである。吸い込み口１０５ｂは排出部１０５ａより断面積が大きくなっている。
図６に示すように、クリーニングヘッド９１の下面９１ｃには、中央部に吸引口１０５の吸い込み口１０５ｂが設けられ、この吸い込み口１０５ｂの周囲を覆うように隣接して第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂが設けられている。第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂ、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂおよび吸い込み口１０５ｂは、平面視において矩形状であり、Ｘ軸方向に沿って延伸している細長いスリット形状である。吸い込み口１０５ｂは平面視において、Ｘ軸方向がＹ軸方向よりも長い矩形状であり、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂに対して非常に大きな開口面積を有する。第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂのＸ軸方向の長さは、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂおよび吸い込み口１０５ｂのＸ軸方向の長さよりも長く構成されている。第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂおよび吸い込み口１０５ｂのＸ軸方向の長さは同程度である。
図７に示すように、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂのノズル面を有する下面９１ｃは基板Ｓに対して平行に配置され、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂは供給部１０１ａから基板Ｓの表面に対し垂直に延伸し、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂは供給部１０２ａから基板Ｓの表面に対して吸い込み口１０５ｂ側に傾けて延伸する構造にするのが好ましい。第一ノズル１０１は吹き出し口１０１ｂから基板Ｓの表面に垂直に帯状に空気を吐出し、第二ノズル１０２は吹き出し口１０２ｂから吸引口１０５の吸い込み口１０５ｂの方向に向かって斜め下向きに基板Ｓの表面に向かって帯状に空気を吐出する。
図８に示すように、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂから基板Ｓの表面に向かって斜め下向きに吐出された空気は、基板Ｓの表面に衝突する。そして、基板Ｓの表面に付着している異物を矢印の方向に向かって吹き飛ばす。吹き飛ばされた異物は、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂから吐出された帯状の空気によりせき止められ、吹き出し口１０２ｂの矢印の方向側に隣接した吸引口１０５の矩形状の吸い込み口１０５ｂによって吸引され、最終的には廃棄される。すなわち、基板Ｓの表面に対し垂直に配置した第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂにより空気のカーテンを形成し、基板Ｓの表面に対し斜めに配置した第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂにより除去された異物が外部へ流出することを防止できる。よって、既にクリーニングが終了しているエリアである搬送方向下流側の基板Ｓの表面への異物の拡散を防止することができる。
また、基板Ｓの表面に対し斜めに配置した第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂは、空気が衝突する箇所の異物を除去するだけでなく、外側に向けては、周囲の空気の引き込むエジェクタ効果により周囲の異物を引き込むこと（異物誘導）ができ、内側に向けては、空気の衝突による巻き上げ効果を発生させる。これにより、異物を効率よく吸い込み口１０５ｂへ誘導することができる。
基板Ｓの表面に対して第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂが延伸する方向の角度（θ）は、６０度以下であるのが好ましい。それ以上の角度とした場合、外側へ吹き出す空気が多くなり空気の引き込み効果が発生しづらくなる。
また、第一ノズル１０１の空気の流量は第二ノズル１０２の空気の流量と同等もしくはそれ以上であるのが好ましい。これは、第一ノズル１０１から吐出した空気に比べ、第二ノズル１０２から吐出した空気のほうが吸い込み口１０５ｂ方向への流量が多くなるためである。
次に、クリーニングヘッド９１の動きについて図９および図１０を用いて説明する。図９は図７に示すクリーニングヘッドの動きを示す断面図である。図１０は図９に示すクリーニングヘッドと基板の上面図である。
クリーニングヘッド９１は、図９における矢印Ｂで示すように、Ｚ軸方向に沿って上下動し、通常はクリーニングヘッド９１ｃの下面が基板Ｓの適正位置（例えば、基板Ｓの上５ｍｍの位置）まで下降し、基板Ｓの移動や取り換え時には上昇する。また、クリーニングヘッド９１は、図９および図１０における矢印Ｃで示すように、基板Ｓの幅方向（Ｙ軸方向）に移動して異物の除去動作を行う。つまり、平面視で矩形状のクリーニングヘッド９１が、基板Ｓの移動方向（Ｘ軸方向）に対して直交する方向（Ｙ軸方向）に移動すると共に、矩形状であるクリーニングヘッド９１の長辺の向きは基板Ｓの移動方向と同じ方向となっている。なお、クリーニング時、基板Ｓを安定させるため、基板Ｓの下には、基板Ｓを固定するクリーニングステージを備えるのが好ましい。
本実施例では、クリーニングヘッド９１のノズル面である下面９１ｃの幅（Ｙ軸方向の長さ）は、クリーニング処理時間（必要スループット）に応じて必要幅に設定することになる。これにより、基板Ｓの幅に応じて任意のクリーニングヘッド９１の移動量を設定することができる。そのため、本実施例によるクリーニングは種々の基板幅に対応できる。
また、本実施例では、クリーニングヘッド９１のノズル面である下面９１ｃを矩形状としてＸ軸方向の長さを長くしたことによって、異物のクリーニング幅が広がるため、クリーニングの時間短縮によるクリーニング効率を向上させることができる。
また、本実施例では、第一ノズル１０１から基板Ｓの表面に対して垂直に吐出される空気により異物飛散を抑える特徴から、基板Ｓとの距離を特許文献１に開示されるクリーニングノズルよりも広くとることができる。そのため、基板搬送時の基板Ｓ等との接触を防止しながら基板Ｓとクリーニングヘッド９１の最適な間隔により、最適クリーニング条件で処理することが可能である。
＜変形例＞
以下、代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施例にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施例と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施例における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
（第一変形例）
第一変形例におけるクリーニングヘッドについて図１１から図１３を用いて説明する。図１１は第一変形例におけるクリーニングヘッドの概略構成図である。図１２は図１１に示すクリーニングヘッドの底面図である。図１３（ａ）は図１２に示すＦ２－Ｆ２線における第一変形例におけるクリーニングヘッドの断面図であり、図１３（ｂ）は図１２に示すＦ３－Ｆ３線における断面図である。
図１１に示すように、第一変形例におけるクリーニングヘッド９１は、実施例におけるクリーニングヘッドに対して、本体部の上部に第三供給配管１１３および第四供給配管１１４がさらに取り付けられている。第三供給配管１１３および第四供給配管１１４はそれぞれ流量制御器（不図示）を介して圧縮空気等を供給する装置（不図示）に接続され、それぞれの流量は制御部８によって制御される。
また、図１３に示すように、第一変形例におけるクリーニングヘッド９１は、実施例におけるクリーニングヘッドに対して、第三供給配管１１３に接続される第三ノズル１０３と、第四供給配管１１４に接続される第四ノズル１０４と、をさらに有する。
第三ノズル１０３はクリーニングヘッド９１の本体部の上面から下面に形成された断面が矩形状の貫通孔で構成され、本体部の上部に第三供給配管１１３に接続される供給部１０３ａ、下部に吹き出し口１０３ｂが設けられている。第三ノズル１０３の吹き出し口１０３ｂの下端であるノズル面に開口１０３ｃを有する。第四ノズル１０４はクリーニングヘッド９１の本体部の上面から下面に形成された断面が矩形状の貫通孔で構成され、本体部の上部に第四供給配管１１４に接続される供給部１０４ａ、下部に吹き出し口１０４ｂが設けられている。第四ノズル１０４の吹き出し口１０４ｂの下端であるノズル面に開口１０４ｃを有する。第三ノズル１０３の吹き出し口１０３ｂおよび第四ノズル１０４の吹き出し口１０４ｂはそれぞれ供給部１０３ａおよび供給部１０４ａより断面積が小さくなっている。
図１２に示すように、クリーニングヘッド９１の下面９１ｃには、中央部に吸引口１０５の吸い込み口１０５ｂが設けられ、この吸い込み口１０５ｂの周囲を取り囲むように第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂ、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂ、第三ノズル１０３の吹き出し口１０３ｂ、第四ノズル１０４の吹き出し口１０４ｂが設けられている。第三ノズル１０３の吹き出し口１０３ｂおよび第四ノズル１０４の吹き出し口１０４ｂは平面視において矩形状であり、Ｙ軸方向に沿って延伸している細長いスリット形状である。第三ノズル１０３の吹き出し口１０３ｂおよび第四ノズル１０４の吹き出し口１０４ｂのＹ軸方向の長さは、吸い込み口１０５ｂのＹ軸方向の長さと同程度である。これにより、クリーニングヘッド９１の外への異物飛散を防止することができる。第三ノズル１０３および第四ノズル１０４の流量は他のノズルによる異物除去を阻害しないようにするため、第一ノズル１０１の流量以下とするのが好ましい。
（第二変形例）
第二変形例におけるクリーニングヘッドについて図１４および図１５を用いて説明する。図１４は第二変形例におけるクリーニングヘッドと基板を示す上面図である。図１５（ａ）は第一状態におけるクリーニングヘッドの基板クリーニングを示す図である。図１５（ｂ）は第二状態におけるクリーニングヘッドの基板クリーニングを示す図である。
第二変形例におけるクリーニングヘッド９１の構造は第一変形例におけるクリーニングヘッドと同様である。ただし、第二変形例におけるクリーニングヘッド９１は、図１４に示すように、駆動部９３により支点Ｇを軸として基板Ｓに対して平行な面内を回転し、実線で示すような第一状態から破線で示したような第二状態までの間の任意の位置に配置することが可能である。ここで、第一状態では、平面視において、クリーニングヘッド９１の第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂはＸ軸方向に沿って延伸している。第二状態では、平面視において、クリーニングヘッド９１の第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂはＹ軸方向に沿って延伸している。これにより、基板上の状態に応じて適切なエア吹き出しが可能となる。
例えば、図１５（ａ）に示すように、クリーニングヘッド９１が第一状態でダイＤが積層された基板Ｓをクリーニングする場合、クリーニングヘッド９１がＹ軸方向に沿って白矢印の方向に移動するので、ダイＤにより異物ＦＢの黒矢印で示すような移動が阻害されてしまい除去ができない場合がある。これに対し、クリーニングヘッド９１を９０度回転させて第二状態にする場合、クリーニングヘッド９１がＸ軸方向に沿って白矢印の方向に相対的に移動するので、図１５（ｂ）に示すように、異物ＦＢの黒矢印で示すような移動はダイＤによって阻害されず除去が可能となる。ここで、クリーニングヘッド９１が移動してもよいし、基板Ｓが移動してもよいので、相対的に移動としている。クリーニングヘッド９１と、基板ＰまたはダイＤの上面とのクリアランス設定は重要である。基板Ｐは搬送レーン５２で移動する際には、上昇を伴うためクリアランスが安定しないことがある。クリアランスを一定に保つために、クリーニングヘッド９１が移動してクリーニングを行うのが好ましい。
（第三変形例）
第三変形例におけるクリーニングヘッドについて図１６を用いて説明する。図１６（ａ）は第三変形例におけるクリーニングヘッドの往路時の動作を示す図である。図１６（ｂ）は第三変形例におけるクリーニングヘッドの復路時の動作を示す図である。
第三変形例におけるクリーニングヘッド９１は、本体部を水平面内において１８０度回転可能に構成される。これにより、本体部の進行方向に対するノズルの配置を変更可能になる。クリーニングヘッド９１と基板Ｓの隙間に応じて最適な状態を形成することができるため、例えば、往復動作による効率の良い異物除去が可能となる。
例えば、往路は、図１６（ａ）に示すように、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂは基板Ｓの表面に対して垂直にし、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂは基板Ｓに対して傾けている。すなわち、クリーニングヘッド９１が進行する方向側のノズルである第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂが傾いている。ここで、往路とは、クリーニングヘッド９１が図面おいて左から右への移動である。
復路では、クリーニングヘッド９１を回転させ、図１６（ｂ）に示すように、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂは基板Ｓの表面に対して傾けて、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂは基板Ｓの表面に対して垂直にしている。すなわち、クリーニングヘッド９１が進行する方向側のノズルである第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂが傾いている。ここで、復路とは、クリーニングヘッド９１が図面おいて、右から左への移動である。ノズルの角度を往路とは逆にすることで往路と同じ空気の吹き出し状態となる。これにより、往路では空気の流量を絞り飛散しやすい軽い異物を除去し、復路では空気の流量を増大させ重い異物を除去するといった動作が可能である。
（第四変形例）
第四変形例におけるクリーニングヘッドについて図１７を用いて説明する。図１７（ａ）は第四変形例におけるクリーニングヘッドの概略構成図である。図１７（ｂ）は図１７（ａ）に示すＦ３面における断面図である。
第三変形例では、クリーニングヘッド９１の本体部を水平面において回転させることにより、垂直の吹き出し口を有する第一ノズル１０１と斜めの吹き出し口を有する第二ノズル１０２との配置を変更している。第四変形例におけるクリーニングヘッド９１は、複数の角度のノズル吹き出し口を有し、角度により供給配管に供給する空気をバルブにより切り換えるよう構成される。
図１７（ａ）に示すように、第四変形例におけるクリーニングヘッド９１は、実施例におけるクリーニングヘッドに対して、本体部の上部に第六供給配管１１６および第七供給配管１１７がさらに取り付けられている。第一供給配管１１１および第六供給配管１１６はそれぞれバルブ１１１ｂ，１１６ｂ、流量制御器１１１ａを介して圧縮空気等を供給する装置（不図示）に接続され、それぞれのバルブ１１１ｂ，１１６ｂの開閉および流量は制御部８によって制御される。第二供給配管１１２および第七供給配管１１７はそれぞれバルブ１１２ｂ，１１７ｂ、流量制御器１１２ａを介して圧縮空気等を供給する装置（不図示）に接続され、それぞれのバルブ１１２ｂ，１１７ｂの開閉および流量は制御部８によって制御される。
また、図１７（ｂ）に示すように、第四変形例におけるクリーニングヘッド９１は、実施例におけるクリーニングヘッドに対して、第六供給配管１１６に接続される第六ノズル１０６と、第七供給配管１１７に接続される第七ノズル１０７と、をさらに有する。また、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂの下端であるノズル面は、本体部の下面９１ｃに隣接し、下面９１ｃから離れるに連れて上方に傾いている斜面９１ｅに位置する。第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂの下端であるノズル面は、本体部の下面９１ｃに斜面９１ｅとは反対側に隣接し、下面９１ｃから離れるに連れて上方に傾いている斜面９１ｆに位置する。
第六ノズル１０６はクリーニングヘッド９１の本体部の上面から下面に形成された断面が矩形状の貫通孔で構成され、本体部の上部に第六供給配管１１６に接続される供給部１０６ａ、下部に吹き出し口１０６ｂが設けられている。吹き出し口１０６ｂの下端であるノズル面は斜面９１ｅに吹き出し口１０１ｂのノズル面よりも外側に位置する。第七ノズル１０７はクリーニングヘッド９１の本体部の上面から下面に形成された断面が矩形状の貫通孔で構成され、本体部の上部に第七供給配管１１７に接続される供給部１０７ａ、下部に吹き出し口１０７ｂが設けられている。吹き出し口１０７ｂの下端であるノズル面に斜面９１ｆに吹き出し口１０２ｂのノズル面よりも内側に位置する。
図１７（ｂ）に示すように、第六ノズル１０６の吹き出し口１０６ｂは供給部１０６ａから基板Ｓの表面に対して吸い込み口１０５ｂ側に傾けて延伸し、第七ノズル１０７の吹き出し口１０７ｂは供給部１０７ａから基板Ｓの表面に対し垂直に延伸する。
第一ノズル１０１を使用する場合は、制御部８はバルブ１１１ｂを開く共にバルブ１１６ｂを閉める。第六ノズル１０６を使用する場合は、制御部８はバルブ１１１ｂを閉めると共にバルブ１１６ｂを開くよう構成される。第二ノズル１０２を使用する場合は、制御部８はバルブ１１２ｂを開く共にバルブ１１７ｂを閉める。第七ノズル１０７を使用する場合は、制御部８はバルブ１１２ｂを閉めると共にバルブ１１７ｂを開くよう構成される。
（第五変形例）
第五変形例におけるクリーニングヘッドについて図１８を用いて説明する。図１８（ａ）は第五変形例におけるクリーニングヘッドの概略構成図である。図１８（ｂ）は図１８（ａ）に示すクリーニングヘッドの吹き出し部を移動させて状態を示す図である。図１８（ｃ）は図１８（ａ）に示すＦ４面における断面図である。
第四変形例では、複数の角度のノズル吹き出し口を有するが、それらは所定角度に固定されている。第五変形例におけるクリーニングヘッド９１は、吹き出し口の角度を任意に変えるよう構成される。
図１８（ａ）に示すように、第五変形例におけるクリーニングヘッド９１の本体部は、第一ノズル部１２１と、第二ノズル部１２２と、吸引部１２５と、で構成されている。第一ノズル部１２１は供給部１２１ａと吹き出し部１２１ｂと、を有する。第二ノズル部１２２は供給部１２２ａと吹き出し部１２２ｂと、を有する。クリーニングヘッド９１は、第一ノズル部１２１の上部に第一供給配管１１１、第二ノズル部１２２の上部に第二供給配管１１２および吸引部１２５の上部に排出配管１１５が取り付けられている。
第一ノズル部１２１は、実施例と同様に、第一供給配管１１１に接続される第一ノズル１０１（図７参照）を有する。図１８（ｃ）に示すように、第二ノズル部１２２は、実施例と同様に、第二供給配管１１２に接続される第二ノズル１０２を有する。吸引部１２５は、実施例と同様に、排出配管１１５に接続される吸引口１０５（図７参照）を有する。
図１８（ｃ）に示すように、第二ノズル部１２２の供給部１２２ａは、モータ１２２ｃと、モータ１２２ｃの回転軸に設けられた歯車１２２ｄと、歯車１２２ｄと噛み合う歯車１２２ｅと、を備える。第二ノズル部１２２の吹き出し部１２２ｂは、歯車１２２ｅが取り付けられた支持軸１２２ｆにより回転可能に供給部１２２ａに取り付けられている。第一ノズル部１２１は第二ノズル部１２２と同様の構成である。
制御部８は、モータ１２２ｃを回転させることにより、吹き出し部１２２ｂの基板Ｓの表面に対する角度を変更するよう構成される。これにより、例えば、実施例と同様に、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂを供給部１０１ａから基板Ｓの表面に対し垂直に延伸し、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂを供給部１０２ａから基板Ｓの表面に対して吸い込み口１０５ｂ側に傾けて延伸することができる。また、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂを供給部１０１ａから基板Ｓの表面に対して吸い込み口１０５ｂ側に傾けて延伸し、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂを供給部１０２ａから基板Ｓの表面に対し垂直に延伸することができる。
（第六変形例）
第六変形例におけるクリーニングヘッドについて図１９を用いて説明する。図１９（ａ）は第六変形例におけるクリーニングヘッドの概略構成図である。図１９（ｂ）は図１９（ａ）に示すＦ５面における断面図である。図１８（ｃ）は図１８（ａ）に示すクリーニングヘッドのフラップを移動させた状態を示す図である。図１８（ｃ）は図１８（ａ）に示すＦ６面における断面図である。
第五変形例では、吹き出し部全体を移動して吹き出し角度を変更している。第六変形例におけるクリーニングヘッド９１は、吹き出し口の吹き出し方向は固定したまま吹き出し口の先にフラップ機構を設けて吹き出し方向を変えるよう構成される。
また、図１９（ａ）（ｂ）に示すように、第六変形例におけるクリーニングヘッド９１は、実施例におけるクリーニングヘッドに対して、本体部の下部に接続されるフラップ９１ｇ，９１ｈをさらに有する。また、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂの下端であるノズル面は、本体部の下面９１ｃに隣接し、下面９１ｃから離れるに連れて上方に傾いている斜面９１ｅに位置する。第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂの下端であるノズル面は、本体部の下面９１ｃに斜面９１ｅとは反対側に隣接し、下面９１ｃから離れるに連れて上方に傾いている斜面９１ｆに位置する。また、図１９（ｂ）に示すように、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂは第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂと同様に、供給部１０２ａから基板Ｓの表面に対し垂直に延伸するよう構成されている。
制御部８は、フラップ９１ｇ，９１ｈを回転させることにより、吹き出し口１０１ｂ，１０２ｂから吹き出される空気の基板Ｓの表面に対する角度を変更するよう構成される。例えば、フラップ９１ｇを大きく開いて斜面９１ｅから遠ざけると共に、フラップ９１ｈを小さく開いて斜面９１ｆに近接させることにより、実施例と同様に、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂから基板Ｓの表面に対し垂直に空気を吹き出し、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂから基板Ｓの表面に対して吸い込み口１０５ｂ側に傾けて空気を吹き出すことができる。また、フラップ９１ｇを小さく開いて斜面９１ｅに近接させると共に、フラップ９１ｈを大きく開いて斜面９１ｆから遠ざけることにより、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂから基板Ｓの表面に対して吸い込み口１０５ｂ側に傾けて空気を吹き出し、第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂから基板Ｓの表面に対し垂直に空気を吹き出すことができる。
（第七変形例）
第七変形例におけるクリーニングヘッドについて図２０を用いて説明する。図２０は第七変形例におけるクリーニングヘッドの底面図である。
実施例では、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂは細長いスリット状の例を説明したが、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂは直線状に沿って配置された複数の小さい吹き出し孔の列で構成してもよい。第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂの開口１０１ｄおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂの開口１０２ｄの形状は円形または多角形にしてもよい。
クリーニングヘッド９１の下部の吸引口１０５の吸い込み口１０５ｂに隣接する部分には、クリーニングヘッド９１の本体に第一ノズル１０１の供給部１０１ａおよび第二ノズル１０２の供給部１０２ａからそれぞれ貫通する複数の孔が開けられている。第一ノズル１０１は一列に並んだ複数の吹き出し口１０１ｂにより構成され、第二ノズル１０２は一列に並んだ複数の吹き出し口１０２ｂにより構成されている。なお、第一ノズル１０１の吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂは実施例と同様にスリット形状に構成し、クリーニングヘッド９１の下面９１ｃにおいて第一ノズル１０１に吹き出し口１０１ｂおよび第二ノズル１０２の吹き出し口１０２ｂに蓋をしたような形でその蓋に一列に並んだ複数の孔による開口１０１ｄ，１０２ｄを形成して構成してもよい。
以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態、実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態、実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、実施例では、第一ノズルおよび第二ノズルのエア吹き出し口は矩形状の例を説明したが、平行面のある多角形、例えば偶数の多角形であってもよい。
また、実施例では、本体部が八面体である例を説明したが、六面体であってもよい。
また、実際の異物（パーティクル）のサイズを測定し、その結果に基づいて空気の流量を制御するようにしてもよい。流量を制御することで、確実に異物を集塵するだけでなく空気の使用量を最小限にすることができる。例えば、基板認識カメラにより撮像して画像認識することにより付着しているパーティクルのサイズを測定し、小さい異物がなければ往復ともに重い異物を対象にした吐出を行うことができる。
パーティクルのサイズに応じた空気の流量制御では、吐出を行わず吸引のみとしてもよい。粗大パーティクルの集塵においては、吸引のみでも十分な清浄度を得られる場合がある。往路では吸引のみとし粗大パーティクルを集塵、復路では吐出し微小なパーティクルを集塵といった運用が可能である。また、複数回往復させる場合、粗大パーティクルから順に集塵するように、空気の流量を段階的に制御するようにしてもよい。
また、画像認識において異物の種類を推測し、その異物毎の推定した質量データ（重さ）に基づいて空気の流量を制御するようにしてもよい。
また、吸い込み口１０５ｂから吸引した異物をパーティクルカウンタで測定して異物の傾向を調査し、例えば、異物の大きさや、同一大きさ・形状の異物で重量が異なる場合における吸引後カウント開始までの遅延時間の関係を重量との相関として推定して求める重さに基づいて空気の流量を制御するようにしてもよい。この場合、基板クリーニングは、基板の前方から列（クリーニングヘッドの幅であるクリーニングエリア）毎に順次クリーニングを行うため、クリーニング前列や前の基板の吸引異物測定結果をもとに後列または後の基板にフィードバックしながらクリーニング処理を行う。最初の１列または基板は事前にその製品で評価を行ったプリセット条件で処理する。
また、基板上の異物を基板上の落下粒子を検出する粗大粒子カウンタ（パーティクルモニタ）で測定して上述のパーティクルカウンタと同様に空気の流量を制御するようにしてもよい。この場合、粗大粒子カウンタをクリーニングヘッド９１の上流側に設置して基板上の異物を事前に測定する。粗大粒子カウンタによる測定位置は、クリーニング前の基板を待機させる位置で事前に基板全体測定するようにしてもよいし、クリーニング中の基板のクリーニング前のエリアを、直前にクリーニングのため基板停止中に測定するようにしてもよい。スループット(クリーニング時間)にも影響するため、何れもクリーニングする列単位や基板単位、製品（ロット）単位などでクリーニング条件を変更（フィードバック）するようにしてもよい。
実施例では、第一ノズルおよび第二ノズルに空気を供給する例を説明したが、二酸化炭素等の気体、気体の二酸化炭素と二酸化炭素の粒子との混合流体、等の流体であってもよい。例えば、第二ノズルから気体の二酸化炭素と二酸化炭素の粒子との混合流体を供給し、第一ノズルからは空気などを供給して粒子の飛散を防止するようにしてもよい。
実施例では、基板をクリーニングする例を説明したが、ウェハをクリーニングしてもよい。ダイシングラインに沿ってクリーニングすることで、ウェハ表面の異物だけでなく、溝に入り込んだ異物も飛散させず効率的に除去することができる。
また、実施例は、ボンディングヘッド４１の移動距離を短くし処理時間を短縮するために中間ステージ３１を設けているが、中間ステージ３１を設けず直接ボンディングヘッド４１でウェハからダイＤをピックアップする構成としてもよい。
また、ピックアップしたダイの上下を反転可能なフリップヘッドを用いた構成としてもよい。
また、ピックアップ部と中間ステージ部とボンディング部を含む実装部及び搬送レーンを複数組備えたダイボンダであってもよいし、ピックアップ部と中間ステージ部とボンディング部を含む実装部を複数組備え、搬送レーンは一つ備えてもよい。
５…搬送部
５２…搬送レーン
８…制御部
９…プリフォーム部
９１…クリーニングヘッド
１０１…第一ノズル
１０１ｂ…吹き出し口
１０２…第二ノズル
１０２ｂ…吹き出し口
１０５…吸引口
１０…ダイボンダ（ダイボンディング装置）
Ｄ…ダイ
Ｓ…基板

Claims (18)

  1. ダイが載置される基板を第一方向に沿って搬送する搬送部と、
    前記基板に向けて空気を吹き出す第一ノズルおよび第二ノズルと、前記基板側から空気を吸い込む吸引口と、を有するクリーニングヘッドと、
    前記クリーニングヘッドを前記第一方向とは異なる第二方向に沿って移動させる駆動部と、
    前記搬送部と前記駆動部とを制御する制御部と、
    を備え、
    前記吸引口は平面視において矩形状であり、前記吸引口の長辺は前記第一方向に沿って延伸し、前記吸引口は前記第一ノズルの吹き出し口と前記第二ノズルの吹き出し口との間に隣接して配置され、
    前記第一ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の一方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して垂直に延伸するよう構成され、
    前記第二ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の他方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して前記吸引口側に傾いて延伸するよう構成され、
    前記第一ノズルの吹き出し口の前記第一方向の長さは、前記吸引口の前記第一方向の長さよりも長く構成される、ダイボンディング装置。
  2. ダイが載置される基板を第一方向に沿って搬送する搬送部と、
    前記基板に向けて空気を吹き出す第一ノズルおよび第二ノズルと、前記基板側から空気を吸い込む吸引口と、を有するクリーニングヘッドと、
    前記クリーニングヘッドを前記第一方向とは異なる第二方向に沿って移動させる駆動部と、
    前記搬送部と前記駆動部とを制御する制御部と、
    を備え、
    前記吸引口は平面視において矩形状であり、前記吸引口の長辺は前記第一方向に沿って延伸し、前記吸引口は前記第一ノズルの吹き出し口と前記第二ノズルの吹き出し口との間に隣接して配置され、
    前記第一ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の一方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して垂直に延伸するよう構成され、
    前記第二ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の他方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して前記吸引口側に傾いて延伸するよう構成され、
    前記制御部は前記第一ノズルの空気の流量を前記第二ノズルの空気の流量以上にするよう構成される、ダイボンディング装置。
  3. ダイが載置される基板を第一方向に沿って搬送する搬送部と、
    前記基板に向けて空気を吹き出す第一ノズルおよび第二ノズルと、前記基板側から空気を吸い込む吸引口と、を有するクリーニングヘッドと、
    前記クリーニングヘッドを前記第一方向とは異なる第二方向に沿って移動させる駆動部と、
    前記搬送部と前記駆動部とを制御する制御部と、
    を備え、
    前記吸引口は平面視において矩形状であり、前記吸引口の長辺は前記第一方向に沿って延伸し、前記吸引口は前記第一ノズルの吹き出し口と前記第二ノズルの吹き出し口との間に隣接して配置され、
    前記第一ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の一方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して垂直に延伸するよう構成され、
    前記第二ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の他方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して前記吸引口側に傾いて延伸するよう構成され、
    前記クリーニングヘッドは、さらに、空気を吹き出す第三ノズルおよび第四ノズルを有し、
    前記第三ノズルの吹き出し口は、前記吸引口の一方の短辺に沿って延伸するよう構成され、
    前記第四ノズルの吹き出し口は、前記吸引口の他方の短辺に沿って延伸するよう構成され、
    前記第三ノズルの吹き出し口と前記第四ノズルの吹き出し口との間に隣接して前記吸引口が配置されて構成される、ダイボンディング装置。
  4. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記制御部は、前記第一ノズルの空気の流量、前記第二ノズルの空気の流量および前記吸引口の流量を制御するよう構成される、ダイボンディング装置。
  5. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記第一ノズルおよび前記第二ノズルのそれぞれの吹き出し口は、複数の小さい孔で構成される、ダイボンディング装置。
  6. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記第一ノズルおよび前記第二ノズルのそれぞれの吹き出し口は、スリット状で構成される、ダイボンディング装置。
  7. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記第一ノズルおよび前記第二ノズルのそれぞれの吹き出し口の形状は平行面のある多角形で構成される、ダイボンディング装置。
  8. ダイが載置される基板を第一方向に沿って搬送する搬送部と、
    前記基板に向けて空気を吹き出す第一ノズルおよび第二ノズルと、前記基板側から空気を吸い込む吸引口と、を有するクリーニングヘッドと、
    前記クリーニングヘッドを前記第一方向とは異なる第二方向に沿って移動させる駆動部と、
    前記搬送部と前記駆動部とを制御する制御部と、
    を備え、
    前記吸引口は平面視において矩形状であり、前記吸引口の長辺は前記第一方向に沿って延伸し、前記吸引口は前記第一ノズルの吹き出し口と前記第二ノズルの吹き出し口との間に隣接して配置され、
    前記第一ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の一方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して垂直に延伸するよう構成され、
    前記第二ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の他方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して前記吸引口側に傾いて延伸するよう構成され、
    前記制御部は、前記第一ノズルおよび前記第二ノズルのそれぞれの吹き出し口の前記基板の表面に対して延伸する角度を変更するよう構成される、ダイボンディング装置。
  9. 請求項４のダイボンディング装置において、
    前記制御部は、前記第一ノズルの空気の流量および前記第二ノズルの空気の流量を異物のサイズまたは重さに基づいて制御するよう構成される、ダイボンディング装置。
  10. 請求項９のダイボンディング装置において、
    前記制御部は、前記クリーニングヘッドを１往復以上移動させる場合、前記第一ノズルの空気の流量および前記第二ノズルの空気の流量を段階的に制御するよう構成されるダイボンディング装置。
  11. 請求項１０のダイボンディング装置において、
    前記制御部は、
    往路では前記第一ノズルおよび前記第二ノズルの空気の吹き出しを停止して前記吸引口からの吸引を行い、
    復路では前記第一ノズルおよび前記第二ノズルの空気の吹き出し行いながら前記吸引口からの吸引を行うよう構成されるダイボンディング装置。
  12. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記吸引口の前記第二方向の長さは、前記第一ノズルの吹き出し口の前記第二方向の長さおよび前記第二ノズルの吹き出し口の前記第二方向の長さよりも長く構成される、ダイボンディング装置。
  13. 請求項１のダイボンディング装置において、
    前記制御部は、前記駆動部により、前記クリーニングヘッドの長辺を前記第二方向に沿う方に回転させ、前記クリーニングヘッドを前記基板に対して相対的に前記第一方向に沿って移動させるよう構成される、ダイボンディング装置。
  14. 本体部と、
    前記本体部に設けられた、ワークに向けて空気を吹き出す第一ノズルおよび第二ノズルと、前記ワーク側から空気を吸い込む吸引口と、
    を有し、
    前記本体部の底面は平面視において矩形状であり、
    前記吸引口は平面視において矩形状であり、前記吸引口の長辺は前記底面の長辺に沿って延伸し、前記吸引口は前記第一ノズルの吹き出し口と前記第二ノズルの吹き出し口との間に隣接して配置され、
    前記第一ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の一方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記ワークの表面に対して垂直に延伸するよう構成され、
    前記第二ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の他方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記ワークの表面に対して前記吸引口側に傾いて延伸するよう構成され、
    前記第一ノズルの吹き出し口の前記吸引口に対向する側の長さは、前記吸引口の前記第一ノズルの吹き出し口側に対向する側の長さよりも長く構成される、クリーニングヘッド。
  15. 請求項１４のクリーニングヘッドにおいて、
    前記吸引口の短辺側の長さは、前記第一ノズルの吹き出し口および前記第二ノズルの吹き出し口の前記底面の短辺に沿う方向の長さよりも長く構成される、クリーニングヘッド。
  16. （ａ）ダイが載置される基板を第一方向に沿って搬送する搬送部と、前記基板に向けて空気を吹き出す第一ノズルおよび第二ノズルと、前記基板側から空気を吸い込む吸引口と、を有するクリーニングヘッドと、前記クリーニングヘッドを前記第一方向とは異なる第二方向に沿って移動させる駆動部と、を備え、前記吸引口は平面視において矩形状であり、前記吸引口の長辺は前記第一方向に沿って延伸し、前記吸引口は前記第一ノズルの吹き出し口と前記第二ノズルの吹き出し口との間に隣接して配置され、前記第一ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の一方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して垂直に延伸するよう構成され、前記第二ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の他方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して前記吸引口側に傾いて延伸するよう構成される、ダイボンディング装置に基板を搬入する工程と、
    （ｂ）ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングを搬入する工程と、
    （ｃ）前記基板をクリーニングする工程と、
    （ｄ）ダイをピックアップする工程と、
    （ｅ）前記ピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする工程と、
    を含み、
    前記（ｃ）工程は、前記第一ノズルの空気の流量を前記第二ノズルの空気の流量以上にし、前記クリーニングヘッドを前記第二方向に移動しながら行う、半導体装置の製造方法。
  17. （ａ）ダイが載置される基板を第一方向に沿って搬送する搬送部と、前記基板に向けて空気を吹き出す第一ノズルおよび第二ノズルと、前記基板側から空気を吸い込む吸引口と、を有するクリーニングヘッドと、前記クリーニングヘッドを前記第一方向とは異なる第二方向に沿って移動させる駆動部と、を備え、前記吸引口は平面視において矩形状であり、前記吸引口の長辺は前記第一方向に沿って延伸し、前記吸引口は前記第一ノズルの吹き出し口と前記第二ノズルの吹き出し口との間に隣接して配置され、前記第一ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の一方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して垂直に延伸するよう構成され、前記第二ノズルの吹き出し口は、平面視において前記吸引口の他方の長辺に沿って延伸するよう構成され、前記基板の表面に対して前記吸引口側に傾いて延伸するよう構成される、ダイボンディング装置に基板を搬入する工程と、
    （ｂ）ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングを搬入する工程と、
    （ｃ）前記基板をクリーニングする工程と、
    （ｄ）ダイをピックアップする工程と、
    （ｅ）前記ピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする工程と、
    を含み、
    前記（ｃ）工程は、前記クリーニングヘッドを１往復以上移動する場合、前記第一ノズルの空気の流量および前記第二ノズルの空気の流量を段階的に制御する半導体装置の製造方法。
  18. 請求項１７の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、
    往路では前記第一ノズルおよび前記第二ノズルの空気の吹き出しを停止して前記吸引口からの吸引を行い、
    復路では前記第一ノズルおよび前記第二ノズルの空気の吹き出し行いながら前記吸引口からの吸引を行う半導体装置の製造方法。
JP2020137836A 2020-08-18 2020-08-18 ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法 Active JP7520637B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020137836A JP7520637B2 (ja) 2020-08-18 2020-08-18 ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法
TW110125508A TWI808449B (zh) 2020-08-18 2021-07-12 晶粒接合裝置、清潔頭及半導體裝置的製造方法
US17/380,652 US12053806B2 (en) 2020-08-18 2021-07-20 Die bonding apparatus, cleaning head and manufacturing method for semiconductor device
KR1020210105798A KR102545475B1 (ko) 2020-08-18 2021-08-11 다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법
CN202110930645.5A CN114074094B (zh) 2020-08-18 2021-08-13 芯片贴装装置、清洁头及半导体器件的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020137836A JP7520637B2 (ja) 2020-08-18 2020-08-18 ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022034171A JP2022034171A (ja) 2022-03-03
JP7520637B2 true JP7520637B2 (ja) 2024-07-23

Family

ID=80270371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020137836A Active JP7520637B2 (ja) 2020-08-18 2020-08-18 ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12053806B2 (ja)
JP (1) JP7520637B2 (ja)
KR (1) KR102545475B1 (ja)
CN (1) CN114074094B (ja)
TW (1) TWI808449B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115608709A (zh) * 2022-10-21 2023-01-17 厦门弘信电子科技集团股份有限公司 一种柔性电路板生产用贴胶机
CN115870270B (zh) * 2022-12-30 2023-06-20 济南金瑞阳机械制造有限公司 一种新能源汽车配件自动翻转清洗装置及其使用方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120079672A1 (en) 2010-10-04 2012-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Unit for removing foreign matter and apparatus and method for semiconductor packaging using the same
JP2012199458A (ja) 2011-03-23 2012-10-18 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ
JP2017204333A (ja) 2016-05-09 2017-11-16 株式会社東芝 超電導テープ線、超電導テープを用いた超電導電流リード、永久電流スイッチおよび超電導コイル

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000232113A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Nichiden Mach Ltd ダイボンダ
JP4579071B2 (ja) * 2005-07-06 2010-11-10 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 基板用搬送除塵装置
JP4711185B2 (ja) * 2006-02-27 2011-06-29 株式会社デンソー 半導体装置の異物除去装置及び異物除去方法
KR101040706B1 (ko) * 2008-12-30 2011-06-10 (주)케이씨이앤씨 기판용 건식 초음파 세정장치
JP5303335B2 (ja) * 2009-03-30 2013-10-02 セーレン株式会社 搬送ベルトのクリーニング機構及びそれを備えたインクジェット記録装置
JP2013078701A (ja) * 2010-02-12 2013-05-02 Sharp Corp 基板処理装置
JP6086763B2 (ja) * 2013-03-11 2017-03-01 ファスフォードテクノロジ株式会社 コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ
JP6391378B2 (ja) * 2014-09-10 2018-09-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
KR101778393B1 (ko) * 2015-12-15 2017-09-14 주식회사 포스코 이물질 제거장치
CN109478508A (zh) * 2016-05-27 2019-03-15 株式会社新川 异物去除装置
JP6705727B2 (ja) 2016-09-26 2020-06-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 フリップチップボンダおよび半導体装置の製造方法
JP7065650B2 (ja) * 2018-03-12 2022-05-12 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120079672A1 (en) 2010-10-04 2012-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Unit for removing foreign matter and apparatus and method for semiconductor packaging using the same
JP2012199458A (ja) 2011-03-23 2012-10-18 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ
JP2017204333A (ja) 2016-05-09 2017-11-16 株式会社東芝 超電導テープ線、超電導テープを用いた超電導電流リード、永久電流スイッチおよび超電導コイル

Also Published As

Publication number Publication date
TWI808449B (zh) 2023-07-11
JP2022034171A (ja) 2022-03-03
KR102545475B1 (ko) 2023-06-22
CN114074094B (zh) 2024-03-08
KR20220022448A (ko) 2022-02-25
TW202218010A (zh) 2022-05-01
US20220055077A1 (en) 2022-02-24
US12053806B2 (en) 2024-08-06
CN114074094A (zh) 2022-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102185839B1 (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7520637B2 (ja) ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法
JP6705727B2 (ja) フリップチップボンダおよび半導体装置の製造方法
JP5889537B2 (ja) ダイボンダ
JP6705765B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
KR101057527B1 (ko) 도포방법 및 도포장치
JP7102271B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
WO2013145348A1 (ja) 半導体素子用基板の反り矯正装置及び反り矯正方法
US20150093228A1 (en) Apparatus and method of loading components
JP6042175B2 (ja) ピックアップ方法およびピックアップ装置
JP3674587B2 (ja) 電子部品実装方法
US20220172965A1 (en) Cleaning unit and substrate processing apparatus including same
JP2017059736A (ja) 半導体チップの実装装置
KR20220087195A (ko) 본딩장치 및 본딩방법
JP7298887B2 (ja) ボール搭載装置及びボール搭載方法
JP7139174B2 (ja) 撮像装置、撮像方法、位置決め装置、及びダイボンダ
JP6722614B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
TWI743887B (zh) 晶粒接合裝置及半導體裝置的製造方法
JP5447131B2 (ja) 電子部品取り付け状態検査装置及び電子部品取り付け状態検査方法
JP7524251B2 (ja) ワーク載置ステージ、ボンディング装置、およびボンディング方法
KR20170090795A (ko) 반도체 패키지 처리장치
US20090148258A1 (en) Pick and place apparatus incorporating debris removal device
KR20220085263A (ko) 본딩장치
JP5297268B2 (ja) 微小粒子の配置方法
JP2001012914A (ja) 位置決めとボールマウント検査の装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230421

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240325

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240625

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240710

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7520637

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150