KR20220022448A - 다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220022448A
KR20220022448A KR1020210105798A KR20210105798A KR20220022448A KR 20220022448 A KR20220022448 A KR 20220022448A KR 1020210105798 A KR1020210105798 A KR 1020210105798A KR 20210105798 A KR20210105798 A KR 20210105798A KR 20220022448 A KR20220022448 A KR 20220022448A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
substrate
suction port
port
die
Prior art date
Application number
KR1020210105798A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102545475B1 (ko
Inventor
이쯔끼 이까라시
아끼라 사이또
Original Assignee
파스포드 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파스포드 테크놀로지 주식회사 filed Critical 파스포드 테크놀로지 주식회사
Publication of KR20220022448A publication Critical patent/KR20220022448A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102545475B1 publication Critical patent/KR102545475B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B08B5/023—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B08B15/04—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area from a small area, e.g. a tool
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • B08B5/043—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

이물의 확산을 억제하여 기판의 표면을 클리닝하는 것이 가능한 다이 본딩 장치를 제공하는 것에 있다.
다이 본딩 장치는, 다이가 적재되는 기판을 제1 방향을 따라서 반송하는 반송부와, 제1 노즐과 제2 노즐과 흡인구를 갖는 클리닝 헤드와, 클리닝 헤드를 제2 방향을 따라서 이동시키는 구동부를 구비한다. 흡인구는 평면으로 보아 제1 방향을 따라서 연신되는 제1 변 및 제2 변을 갖고, 흡인구는 제1 노즐의 분출구와 제2 노즐의 분출구 사이에 인접하여 배치된다. 제1 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 흡인구의 제1 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 기판의 표면에 대하여 수직으로 연신되도록 구성된다. 제2 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 흡인구의 제2 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 기판의 표면에 대하여 흡인구측으로 기울어져 연신되도록 구성된다.

Description

다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법{DIE BONDING DEVICE, CLEANING HEAD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는 다이 본딩 장치에 관한 것이며, 예를 들어 기판을 클리닝하는 장치를 구비하는 다이 본딩 장치에 적용 가능하다.
반도체 장치의 제조 공정의 일부에 반도체 칩(이하, 간단히 다이라 함)을 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 간단히 기판이라 함)에 탑재하여 패키지를 조립하는 공정이 있고, 패키지를 조립하는 공정의 일부에, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라 함)로부터 다이를 분할하는 공정(다이싱 공정)과, 분할한 다이를 기판 상에 탑재하는 본딩 공정이 있다. 본딩 공정에 사용되는 반도체 제조 장치가 다이 본더 등의 다이 본딩 장치이다.
다이의 기판에 대한 본딩에는 접착제가 사용되지만, 다이를 기판에 접착할 때, 기판의 표면에 먼지가 부착되어 있으면 접착제의 접착력이 저하되기 때문에, 기판 상의 먼지(이하, 이물이라 함)를 제거하는 것은 다이를 실장함에 있어서 매우 중요한 것이다. 예를 들어, 특허문헌 1에서는, 에어의 분출 구멍과 흡입 구멍이 일체로 된 클리닝 노즐을 갖는 이물 제거 장치를 기판의 이동 방향과 직교하는 방향으로 이동시켜 기판 상의 이물을 제거하는 것이 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2012-199458호 공보
적층 본딩의 다층화나 그것에 수반되는 기판의 휨에 수반하여, 기판이나 기판에 적재된 다이의 표면의 이물을 제거하는 노즐과 기판의 간격은 넓게 할 필요가 있다. 또한, 이물의 제거 능력을 향상시키기 위해, 분사하는 에어량(기세)도 증가시킬 필요가 있다. 이 때문에, 기판 상의 이물은, 클리닝 노즐의 외부로 확산되어, 이미 클리닝이 종료된 에어리어에 이물이 확산되어 버리는 경우도 있다.
본 개시의 목적은, 이물의 확산을 억제하여 기판의 표면을 클리닝하는 것이 가능한 다이 본딩 장치를 제공하는 것에 있다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.
즉, 다이 본딩 장치는, 다이가 적재되는 기판을 제1 방향을 따라서 반송하는 반송부와, 제1 노즐과 제2 노즐과 흡인구를 갖는 클리닝 헤드와, 클리닝 헤드를 제2 방향을 따라서 이동시키는 구동부를 구비한다. 흡인구는 평면으로 보아 제1 방향을 따라서 연신되는 제1 변 및 제2 변을 갖고, 흡인구는 제1 노즐의 분출구와 제2 노즐의 분출구 사이에 인접하여 배치된다. 제1 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 흡인구의 제1 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 기판의 표면에 대하여 수직으로 연신되도록 구성된다. 제2 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 흡인구의 제2 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 기판의 표면에 대하여 흡인구측으로 기울어져 연신되도록 구성된다.
상기 다이 본딩 장치에 의하면, 이물의 확산을 억제하여 기판의 표면을 클리닝할 수 있다.
도 1은 실시예에 있어서의 다이 본더를 도시하는 개략 상면도.
도 2는 도 1에 도시한 화살표 A로부터 본 개략 측면도.
도 3은 도 1에 도시한 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 4는 도 1에 도시한 다이 본더에 있어서의 다이 본딩 공정을 설명하는 흐름도.
도 5는 도 1에 도시한 클리닝 헤드의 개략 구성도.
도 6은 도 5에 도시한 클리닝 헤드의 저면도.
도 7은 도 6에 도시한 F1-F1선에 있어서의 단면도.
도 8은 도 7에 도시한 클리닝 헤드에 있어서의 동작을 설명하는 저면도.
도 9는 도 7에 도시한 클리닝 헤드의 움직임을 도시하는 단면도.
도 10은 도 9에 도시한 클리닝 헤드와 기판의 상면도.
도 11은 제1 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 개략 구성도.
도 12는 도 11에 도시한 클리닝 헤드의 저면도.
도 13은 도 12에 도시한 제1 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 단면도.
도 14는 제2 변형예에 있어서의 클리닝 헤드와 기판을 도시하는 상면도.
도 15는 도 14에 있어서의 클리닝 헤드의 기판 클리닝을 도시하는 도면.
도 16은 제3 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 왕로 및 귀로 시의 동작을 도시하는 단면도.
도 17은 제4 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 개략 구성도.
도 18은 제5 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 개략 구성도.
도 19는 제6 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 개략 구성도.
도 20은 제7 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 저면도.
본 개시의 실시 형태에 있어서의 이물 제거 장치는, 웨이퍼, 다이가 적재되는 기판, 다이가 적재된 기판 및 기판에 적재된 다이 등의 워크 상의 이물을 제거한다. 이물 제거 장치는, 예를 들어 클리닝 노즐 또는 클리닝 헤드를 포함한다. 클리닝 노즐 또는 클리닝 헤드는, 중앙에 흡입구를 갖고, 그 흡입구를 사이에 두도록, 또는, 둘러싸도록 분출구를 갖는다.
본 실시 형태에 따르면, 이물 제거 장치와 기판의 간극의 대소에 관계없이, 이물의 확산을 억제하여, 이미 클리닝이 종료된 에어리어에 대한 이물의 확산을 방지함과 함께, 이물 제거 장치로부터 이물 제거 장치 외부로의 확산에 의한 다이 본딩 장치 내부로의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 이물의 확산을 배기량의 증가로 대응할 필요가 없기 때문에, 대량의 배기를 위한 유틸리티가 불필요하게 되어, 설치 스페이스와 비용 증가를 억제할 수 있다.
이하, 실시예 및 변형예에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 부여하고 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 양태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표시되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 개시의 해석을 한정하는 것은 아니다.
[실시예]
도 1은 실시예에 있어서의 다이 본더의 개략 상면도이다. 도 2는 도 1에 도시한 화살표 A로부터 본 픽업 헤드나 본딩 헤드 및 그 주변부에 있어서의 개략 구성과 그 동작을 설명하기 위한 개략 측면도이다.
다이 본더(10)는, 크게 나누어, 기판 S에 실장하는 다이 D를 공급하는 다이 공급부(1)와, 픽업부(2), 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5), 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 프리폼부(9)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다. 여기서, 기판 S는 평판상 부재며, 최종 1패키지가 되는, 하나 또는 복수의 제품 에어리어(이하, 패키지 에어리어 P라 함)가 프린트되어 있다.
도 1에 있어서, 반송 레인(52)에 의해 가이드되어 수평 방향으로 반송되는 기판 S의 반송 방향이 제1 방향으로서의 X축 방향이며, X축 방향과 동일면에서 X축 방향과 직교하는 방향을 제2 방향으로서의 Y축 방향, 수평면에 연직인 방향을 Z축 방향으로서 설명한다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이며, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 전방측에 배치되고, 본딩부(4)가 후방측에 배치된다.
먼저, 다이 공급부(1)는 기판 S의 패키지 에어리어 P에 실장하는 다이 D를 공급한다. 다이 공급부(1)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이 D를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 X축 및 Y축 방향으로 이동하여, 픽업할 다이 D를 밀어올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.
픽업부(2)는, 다이 D를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y축 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X축 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어올려진 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(22)(도 2도 참조)을 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이 D를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X축 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.
중간 스테이지부(3)는, 다이 D를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이 D를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.
본딩부(4)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하여, 본딩 스테이지 BS 상으로 반송되어 오는 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩하거나, 또는 이미 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)(도 2도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y축 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다. 이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는, 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하여, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판 S에 다이 D를 본딩한다.
반송부(5)는, 기판 S를 파지하여 반송하는 기판 반송 갈고리(51)와, 기판 S가 이동하는 반송 레인(52)을 갖는다. 기판 S는, 반송 레인(52)에 마련된 기판 반송 갈고리(51)가, 도시하지 않은 너트를 반송 레인(52)을 따라서 마련된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 X축 방향으로 이동한다. 이와 같은 구성에 의해, 기판 S는, 기판 공급부(6)로부터 반송 레인(52)을 따라서 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여, 기판 반출부(7)에 기판 S를 건네준다.
제어부(8)는, 다이 본더(10)의 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다. 예를 들어, 제어부(8)는, 기판 인식 카메라(44)로부터의 화상 정보, 본딩 헤드(41)의 위치 등의 각종 정보를 취득하여, 본딩 헤드(41)의 본딩 동작 등 각 구성 요소의 각 동작을 제어한다.
프리폼부(9)는, 이물 제거 장치로서의 클리닝 헤드(91)와, 클리닝 헤드(91)를 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 구동하는 구동부(93)를 갖는다.
다음에, 다이 공급부(1)의 구성에 대하여 도 3을 사용하여 설명한다. 도 3은 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
다이 공급부(1)는, 수평 방향(X축 및 Y축 방향)으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 밀어올림 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 복수의 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.
다이 공급부(1)는, 다이 D의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 잡아늘여져 다이 D의 간격이 확대되고, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이 D 하방으로부터 다이 D를 밀어올려, 다이 D의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 박형화에 수반하여 다이를 기판에 접착하는 접착제는, 액상으로부터 필름상으로 되고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에 다이 어태치 필름(DAF)(18)이라 불리는 필름상의 접착 재료를 첩부하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대하여 행해진다. 따라서, 박리 공정에서는, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다. 다이 어태치 필름(18)은 가열함으로써 경화된다.
도 4는 도 1의 다이 본더에 있어서의 다이 본딩 공정을 설명하는 흐름도이다.
실시예에 있어서의 다이 본딩 공정에서는, 먼저, 웨이퍼(11)로부터 분할된 다이 D가 첩부된 다이싱 테이프(16)를 보유 지지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)에 저장하여, 다이 본더(10)에 반입한다. 또한, 기판 S를 준비하여, 다이 본더(10)에 반입한다.
(다이 인식: 스텝 S1)
제어부(8)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하고 있는 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트로부터 취출하여 웨이퍼 보유 지지대(12)에 적재하고, 웨이퍼 보유 지지대(12)를 다이 D의 픽업이 행해지는 기준 위치까지 반송한다(웨이퍼 로딩). 다음에, 제어부(8)는, 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 취득한 화상으로부터, 웨이퍼(11)의 배치 위치가 그 기준 위치와 정확하게 일치하도록 미세 조정(얼라인먼트)을 행한다.
다음에, 제어부(8)는, 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 소정 피치로 피치 이동시켜, 수평으로 보유 지지함으로써, 최초로 픽업되는 다이 D를 픽업 위치에 배치한다(다이 반송). 웨이퍼(11)는, 미리 프로버 등의 검사 장치에 의해, 다이마다 검사되고, 다이마다 양호, 불량을 나타내는 맵 데이터가 생성되어, 제어부(8)의 기억 장치에 기억된다. 픽업 대상이 되는 다이 D가 양품인지, 불량품인지의 판정은 맵 데이터에 의해 행해진다. 제어부(8)는, 다이 D가 불량품인 경우에는, 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 소정 피치로 피치 이동시켜, 다음에 픽업되는 다이 D를 픽업 위치에 배치하고, 불량품의 다이 D를 스킵한다.
제어부(8)는, 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 픽업 대상의 다이 D의 주면(상면)을 촬영하고, 취득한 화상으로부터 픽업 대상의 다이 D의 상기 픽업 위치로부터의 위치 어긋남양을 산출한다. 제어부(8)는, 이 위치 어긋남양을 기초로 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 이동시켜, 픽업 대상의 다이 D를 픽업 위치에 정확하게 배치한다. 제어부(8)는, 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 취득한 화상을 사용하여, 픽업 대상 다이 D의 표면 검사를 행한다.
(기판 클리닝: 스텝 S2)
제어부(8)는, 기판 공급부(6)에서 기판 S를 반송 레인(52)에 적재한다(기판 로딩). 제어부(8)는, 기판 S를 본딩 위치의 바로 전의 클리닝 위치까지 이동시킨다(기판 반송). 제어부(8)는, 기판 S의 표면의 이물을 제거한다. 제어부(8)는, 클리닝 헤드(91)를 기판 S의 폭분만큼 구동부(93)에 의해 Y축 방향을 따라서 왕복 이동시키면서 기판 S의 클리닝을 행한다. 제어부(8)는, 기판 S의 Y축 방향의 1열의 클리닝이 종료되면, 기판 S의 2열째 이후를 순차적으로 클리닝하기 위해, 기판 S를 X축 방향으로 이동시킨다. 제어부(8)는, 2열마다 왕복 이동(1열마다의 편측 이동으로 2열에서 왕복 이동)해도 된다. 클리닝의 상세에 대해서는 후술한다.
(기판 인식: 스텝 S3)
제어부(8)는, 본딩하기 위해 본딩 전에 기판 인식 카메라(44)로 기판을 촬상하여 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치를 인식하여 위치 결정을 행한다. 제어부(8)는, 기판 인식 카메라(44)에 의해 취득한 화상을 사용하여, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 표면 검사를 행한다.
(픽업: 스텝 S4)
제어부(8)는, 픽업 대상의 다이 D를 정확하게 픽업 위치에 배치한 후, 콜릿(22)을 포함하는 픽업 헤드(21)에 의해 다이 D를 다이싱 테이프(16)로부터 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 제어부(8)는, 중간 스테이지(31)에 적재한 다이의 자세 어긋남(회전 어긋남)의 검출을 스테이지 인식 카메라(32)로 촬상하여 행한다. 제어부(8)는, 자세 어긋남이 있는 경우에는 중간 스테이지(31)에 마련된 선회 구동 장치(도시하지 않음)에 의해 실장 위치를 갖는 실장면에 평행한 면에서 중간 스테이지(31)를 선회시켜 자세 어긋남을 보정한다. 제어부(8)는, 스테이지 인식 카메라(32)에 의해 취득한 화상을 사용하여, 다이 D의 표면 검사를 행한다.
(본딩: 스텝 S5)
제어부(8)는, 콜릿(42)을 포함하는 본딩 헤드(41)에 의해 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하고, 스텝 S3의 기판 인식 결과에 기초하여 기판 S의 패키지 에어리어 P 또는 이미 기판 S 패키지 에어리어 P에 본딩되어 있는 다이에 다이 본딩한다.
(기판 인식: 스텝 S6)
제어부(8)는, 다이 D를 본딩한 후, 그 본딩 위치가 정확하게 되어 있는지를 검사한다. 제어부(8)는, 본딩 실장 결과를 검사하기 위해 다시, 기판 인식 카메라(44)로 기판 S의 패키지 에어리어 P를 촬상하여 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 인식을 행한다.
(다이 위치 인식: 스텝 S7)
제어부(8)는, 기판 인식 카메라(44)로 다이 D를 촬상하여 다이 D의 위치 인식을 행하고(스텝 S7), 기판 인식 및 다이 인식 결과로부터 본딩한 다이 D의 위치의 검사를 행한다. 제어부(8)는, 사전에 등록되어 있는 본딩 위치와 비교하여 수치 출력과 검사·판정을 행한다. 제어부(8)는, 기판 인식 카메라(44)에 의해 취득한 화상을 사용하여, 다이 D의 표면 검사를 행한다.
(다음 본딩: 스텝 S8)
제어부(8)는 스텝 S1, S3으로 되돌아가, 이후, 마찬가지의 수순에 따라서, 다이 D를 1개씩 다이싱 테이프(16)로부터 박리하여, 다이 D를 1개씩 기판 S의 패키지 에어리어 P에 본딩한다.
또한, 1개의 기판의 본딩이 완료되면, 기판 S를 기판 반출부(7)까지 이동하여(기판 반송), 기판 반출부(7)에 기판 S를 건네준다(기판 언로딩). 또한, 불량품을 제외한 모든 다이 D의 픽업이 완료되면, 그것들 다이 D를 웨이퍼(11)의 외형으로 보유 지지하였던 다이싱 테이프(16) 및 웨이퍼 링(14) 등을 웨이퍼 카세트에 언로딩한다.
다이 D는, 다이 어태치 필름(18)을 통해 기판 S 상에 실장되어, 다이 본더로부터 반출된다. 그 후, 와이어 본딩 공정에서 Au 와이어를 통해 기판 S의 전극과 전기적으로 접속된다. 적층품의 경우에는, 계속해서, 다이 D가 실장된 기판 S가 다이 본더에 재반입되어 기판 S 상에 실장된 다이 D 상에 다이 어태치 필름(18)을 통해 제2 다이 D가 적층되어, 다이 본더로부터 반출된 후, 와이어 본딩 공정에서 Au 와이어를 통해 기판 S의 전극과 전기적으로 접속된다. 제2 다이 D는, 전술한 방법으로 다이싱 테이프(16)로부터 박리된 후, 펠릿 구비 공정으로 반송되어 다이 D 상에 적층된다. 상기 공정이 소정 횟수 반복된 후, 기판 S를 몰드 공정으로 반송하여, 복수개의 다이 D와 Au 와이어를 몰드 수지(도시하지 않음)로 밀봉함으로써, 적층 패키지가 완성된다.
다음에, 클리닝 헤드(91)의 구조에 대하여 도 5 내지 도 8을 사용하여 설명한다. 도 5는 도 1에 도시한 클리닝 헤드의 개략 구성도이다. 도 6은 도 5에 도시한 클리닝 헤드의 저면도이다. 도 7은 도 6에 도시한 F1-F1선에 있어서의 단면도이다. 도 8은 도 7에 도시한 클리닝 헤드에 있어서의 동작을 설명하는 저면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 클리닝 헤드(91)의 본체부는, 예를 들어 팔면체 형상이며, 직사각 형상의 전방면(91a)과, 전방면(91a)의 대향면인 직사각 형상의 후방면(도시하지 않음)과, 직사각 형상의 상면(91b)과, 직사각 형상의 하면(91c)과, 육각 형상의 측면(91d)과, 측면(91d)의 대향면인 육각 형상의 측면(도시하지 않음) 등을 갖는다. 상면(91b) 및 하면(91c)의 X축 방향의 길이는 Y축 방향의 길이보다도 길게 구성되고, 하면(91c)은 상면(91b)보다도 작게 구성되어 있다. 측면(91d)은 구동부(93)에 접속되어, 클리닝 헤드(91)가 Y축 방향이나 Z축 방향 등으로 이동 가능하게 되어 있다.
클리닝 헤드(91)는, 본체부의 상부에 제1 공급 배관(111), 제2 공급 배관(112) 및 배출 배관(115)이 설치되어 있다. 제1 공급 배관(111) 및 제2 공급 배관(112)은 각각 유량 제어기(도시하지 않음)를 통해 압축 공기 등을 공급하는 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 배출 배관(115)은 유량 제어기(도시하지 않음)를 통해 진공 장치 등의 흡인 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 각각의 유량은 제어부(8)에 의해 제어된다. 배출 배관(115)은 제1 공급 배관(111) 및 제2 공급 배관(112)보다 배관 직경이 크게 되어 있다. 이것은 배출 배관(115)이 이물 반송용으로서 사용되기 때문이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 클리닝 헤드(91)는, 본체부에, 제1 공급 배관(111)에 접속되는 제1 노즐(101)과, 제2 공급 배관(112)에 접속되는 제2 노즐(102)과, 배출 배관(115)에 접속되는 흡인구(105)를 갖는다.
제1 노즐(101)은 클리닝 헤드(91)의 본체부의 상면으로부터 하면에 형성된 단면이 1개의 큰 직사각형과 1개의 작은 직사각형을 나타내는 관통 구멍으로 구성되고, 본체부의 상부에 제1 공급 배관(111)에 접속되는 공급부(101a), 하부에 분출구(101b)가 마련되어 있다. 분출구(101b)의 하단인 노즐면에 개구(101c)를 갖는다. 제2 노즐(102)은 클리닝 헤드(91)의 본체부의 상면으로부터 하면에 형성된 단면이 직사각 형상인 관통 구멍으로 구성되고, 본체부의 상부에 제2 공급 배관(112)에 접속되는 공급부(102a), 하부에 분출구(102b)가 마련되어 있다. 분출구(102b)의 하단인 노즐면에 개구(102c)를 갖는다. 흡인구(105)는 클리닝 헤드(91)의 본체부의 상면으로부터 하면에 형성된 단면이 2개의 직사각형을 나타내는 관통 구멍으로 구성되고, 본체부의 상부에 배출 배관(115)에 접속되는 배출부(105a), 하부에 흡입구(105b)가 마련되어 있다. 흡입구(105b)의 하단에 개구(105c)를 갖는다.
제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 각각 공급부(101a) 및 공급부(102a)보다 단면적이 작게 되어 있다. 이것은, 소정의 장소에 공기를 고속으로 토출시키기 위해서이다. 흡입구(105b)는 배출부(105a)보다 단면적이 크게 되어 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 클리닝 헤드(91)의 하면(91c)에는, 중앙부에 흡인구(105)의 흡입구(105b)가 마련되고, 이 흡입구(105b)의 주위를 덮도록 인접하여 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)가 마련되어 있다. 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는, 평면으로 보아 직사각 형상이며, X축 방향을 따라서 연신되어 있는 가늘고 긴 슬릿 형상이다. 흡입구(105b)는 평면으로 보아, X축 방향이 Y축 방향보다도 긴 직사각 형상이며, 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)에 대하여 매우 큰 개구 면적을 갖는다. 제1 노즐(101)의 분출구(101b)의 X축 방향의 길이는, 제2 노즐(102)의 분출구(102b) 및 흡입구(105b)의 X축 방향의 길이보다도 길게 구성되어 있다. 제2 노즐(102)의 분출구(102b) 및 흡입구(105b)의 X축 방향의 길이는 동일 정도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)의 노즐면을 갖는 하면(91c)은 기판 S에 대하여 평행하게 배치되고, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)는 공급부(101a)로부터 기판 S의 표면에 대하여 수직으로 연신하고, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 공급부(102a)로부터 기판 S의 표면에 대하여 흡입구(105b)측으로 기울어지게 하여 연신하는 구조로 하는 것이 바람직하다. 제1 노즐(101)은 분출구(101b)로부터 기판 S의 표면에 수직으로 띠상으로 공기를 토출하고, 제2 노즐(102)은 분출구(102b)로부터 흡인구(105)의 흡입구(105b)의 방향을 향하여 경사 하향으로 기판 S의 표면을 향하여 띠상으로 공기를 토출한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)로부터 기판 S의 표면을 향하여 경사 하향으로 토출된 공기는, 기판 S의 표면에 충돌한다. 그리고, 기판 S의 표면에 부착되어 있는 이물을 화살표의 방향을 향하여 불어 날린다. 불어 날려진 이물은, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)로부터 토출된 띠상의 공기에 의해 차단되어, 분출구(102b)의 화살표의 방향측에 인접한 흡인구(105)의 직사각 형상의 흡입구(105b)에 의해 흡인되어, 최종적으로는 폐기된다. 즉, 기판 S의 표면에 대하여 수직으로 배치한 제1 노즐(101)의 분출구(101b)에 의해 공기의 커튼을 형성하여, 기판 S의 표면에 대해 비스듬히 배치한 제2 노즐(102)의 분출구(102b)에 의해 제거된 이물이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 이미 클리닝이 종료된 에어리어인 반송 방향 하류측의 기판 S의 표면으로의 이물의 확산을 방지할 수 있다.
또한, 기판 S의 표면에 대해 비스듬히 배치한 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는, 공기가 충돌하는 개소의 이물을 제거할 뿐만 아니라, 외측을 향해서는, 주위의 공기를 인입하는 이젝터 효과에 의해 주위의 이물을 인입(이물 유도)할 수 있고, 내측을 향해서는, 공기의 충돌에 의한 감아올림 효과를 발생시킨다. 이에 의해, 이물을 효율적으로 흡입구(105b)로 유도할 수 있다.
기판 S의 표면에 대하여 제2 노즐(102)의 분출구(102b)가 연신되는 방향의 각도(θ)는, 60도 이하인 것이 바람직하다. 그 이상의 각도로 한 경우, 외측으로 분출하는 공기가 많아져 공기의 인입 효과가 발생하기 어려워진다.
또한, 제1 노즐(101)의 공기의 유량은 제2 노즐(102)의 공기의 유량과 동등 혹은 그것 이상인 것이 바람직하다. 이것은, 제1 노즐(101)로부터 토출된 공기에 비해, 제2 노즐(102)로부터 토출된 공기의 쪽이 흡입구(105b) 방향으로의 유량이 많아지기 때문이다.
다음에, 클리닝 헤드(91)의 움직임에 대하여 도 9 및 도 10을 사용하여 설명한다. 도 9는 도 7에 도시한 클리닝 헤드의 움직임을 도시하는 단면도이다. 도 10은 도 9에 도시한 클리닝 헤드와 기판의 상면도이다.
클리닝 헤드(91)는, 도 9에 있어서의 화살표 B로 나타내는 바와 같이, Z축 방향을 따라서 상하 이동하고, 통상은 클리닝 헤드(91c)의 하면이 기판 S의 적정 위치(예를 들어, 기판 S 상 5㎜의 위치)까지 하강하고, 기판 S의 이동이나 교환 시에는 상승한다. 또한, 클리닝 헤드(91)는, 도 9 및 도 10에 있어서의 화살표 C로 나타내는 바와 같이, 기판 S의 폭 방향(Y축 방향)으로 이동하여 이물의 제거 동작을 행한다. 즉, 평면으로 보아 직사각 형상의 클리닝 헤드(91)가, 기판 S의 이동 방향(X축 방향)에 대하여 직교하는 방향(Y축 방향)으로 이동함과 함께, 직사각 형상인 클리닝 헤드(91)의 긴 변의 방향은 기판 S의 이동 방향과 동일한 방향으로 되어 있다. 또한, 클리닝 시, 기판 S를 안정시키기 위해, 기판 S의 아래에는, 기판 S를 고정하는 클리닝 스테이지를 구비하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서는, 클리닝 헤드(91)의 노즐면인 하면(91c)의 폭(Y축 방향의 길이)은, 클리닝 처리 시간(필요 스루풋)에 따라서 필요 폭으로 설정하게 된다. 이에 의해, 기판 S의 폭에 따라서 임의의 클리닝 헤드(91)의 이동량을 설정할 수 있다. 그 때문에, 본 실시예에 의한 클리닝은 다양한 기판 폭에 대응할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 클리닝 헤드(91)의 노즐면인 하면(91c)을 직사각 형상으로 하여 X축 방향의 길이를 길게 함으로써, 이물의 클리닝 폭이 확대되기 때문에, 클리닝의 시간 단축에 의한 클리닝 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 제1 노즐(101)로부터 기판 S의 표면에 대하여 수직으로 토출되는 공기에 의해 이물 비산을 억제하는 특징으로부터, 기판 S와의 거리를 특허문헌 1에 개시되는 클리닝 노즐보다도 넓게 취할 수 있다. 그 때문에, 기판 반송 시의 기판 S 등과의 접촉을 방지하면서 기판 S와 클리닝 헤드(91)의 최적의 간격에 의해, 최적 클리닝 조건에서 처리하는 것이 가능하다.
<변형예>
이하, 대표적인 변형예에 대하여, 몇 가지 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 실시예에서 설명되어 있는 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 실시예와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 실시예에 있어서의 설명이 적절히 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 실시예의 일부, 및, 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 적절히, 복합적으로 적용될 수 있다.
(제1 변형예)
제1 변형예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여 도 11 내지 도 13을 사용하여 설명한다. 도 11은 제1 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 개략 구성도이다. 도 12는 도 11에 도시한 클리닝 헤드의 저면도이다. 도 13의 (a)는 도 12에 도시한 F2-F2선에 있어서의 단면도이고, 도 13의 (b)는 도 12에 도시한 F3-F3선에 있어서의 단면도이다.
도 11에 도시한 바와 같이, 제1 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 실시예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여, 본체부의 상부에 제3 공급 배관(113) 및 제4 공급 배관(114)이 더 설치되어 있다. 제3 공급 배관(113) 및 제4 공급 배관(114)은 각각 유량 제어기(도시하지 않음)를 통해 압축 공기 등을 공급하는 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 각각의 유량은 제어부(8)에 의해 제어된다.
또한, 도 13에 도시한 바와 같이, 제1 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 실시예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여, 제3 공급 배관(113)에 접속되는 제3 노즐(103)과, 제4 공급 배관(114)에 접속되는 제4 노즐(104)을 더 갖는다.
제3 노즐(103)은 클리닝 헤드(91)의 본체부의 상면으로부터 하면에 형성된 단면이 1개의 큰 직사각형과 작은 직사각형을 나타내는 관통 구멍으로 구성되고, 본체부의 상부에 제3 공급 배관(113)에 접속되는 공급부(103a), 하부에 분출구(103b)가 마련되어 있다. 제3 노즐(103)의 분출구(103b)의 하단인 노즐면에 개구(103c)를 갖는다. 제4 노즐(104)은 클리닝 헤드(91)의 본체부의 상면으로부터 하면에 형성된 단면이 1개의 큰 직사각형과 작은 직사각형을 나타내는 관통 구멍으로 구성되고, 본체부의 상부에 제4 공급 배관(114)에 접속되는 공급부(104a), 하부에 분출구(104b)가 마련되어 있다. 제4 노즐(104)의 분출구(104b)의 하단인 노즐면에 개구(104c)를 갖는다. 제3 노즐(103)의 분출구(103b) 및 제4 노즐(104)의 분출구(104b)는 각각 공급부(103a) 및 공급부(104a)보다 단면적이 작게 되어 있다.
도 12에 도시한 바와 같이, 클리닝 헤드(91)의 하면(91c)에는, 중앙부에 흡인구(105)의 흡입구(105b)가 마련되고, 이 흡입구(105b)의 주위를 둘러싸도록 제1 노즐(101)의 분출구(101b), 제2 노즐(102)의 분출구(102b), 제3 노즐(103)의 분출구(103b), 제4 노즐(104)의 분출구(104b)가 마련되어 있다. 제3 노즐(103)의 분출구(103b) 및 제4 노즐(104)의 분출구(104b)는 평면으로 보아 직사각 형상이며, Y축 방향을 따라서 연신되어 있는 가늘고 긴 슬릿 형상이다. 제3 노즐(103)의 분출구(103b) 및 제4 노즐(104)의 분출구(104b)의 Y축 방향의 길이는, 흡입구(105b)의 Y축 방향의 길이와 동일 정도이다. 이에 의해, 클리닝 헤드(91)의 외부로의 이물 비산을 방지할 수 있다. 제3 노즐(103) 및 제4 노즐(104)의 유량은 다른 노즐에 의한 이물 제거를 저해하지 않도록 하기 위해, 제1 노즐(101)의 유량 이하로 하는 것이 바람직하다.
(제2 변형예)
제2 변형예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여 도 14 및 도 15를 사용하여 설명한다. 도 14는 제2 변형예에 있어서의 클리닝 헤드와 기판을 도시하는 상면도이다. 도 15의 (a)는 제1 상태에 있어서의 클리닝 헤드의 기판 클리닝을 도시하는 도면이다. 도 15의 (b)는 제2 상태에 있어서의 클리닝 헤드의 기판 클리닝을 도시하는 도면이다.
제2 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)의 구조는 제1 변형예에 있어서의 클리닝 헤드와 마찬가지이다. 단, 제2 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 도 14에 도시한 바와 같이, 구동부(93)에 의해 지지점 G를 축으로 하여 기판 S에 대하여 평행한 면내를 회전하여, 실선으로 나타내는 바와 같은 제1 상태로부터 파선으로 나타낸 바와 같은 제2 상태까지의 사이의 임의의 위치에 배치하는 것이 가능하다. 여기서, 제1 상태에서는, 평면으로 보아, 클리닝 헤드(91)의 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 X축 방향을 따라서 연신되어 있다. 제2 상태에서는, 평면으로 보아, 클리닝 헤드(91)의 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 Y축 방향을 따라서 연신되어 있다. 이에 의해, 기판 상의 상태에 따라서 적절한 에어 분출이 가능해진다.
예를 들어, 도 15의 (a)에 도시한 바와 같이, 클리닝 헤드(91)가 제1 상태에서 다이 D가 적층된 기판 S를 클리닝하는 경우, 클리닝 헤드(91)가 Y축 방향을 따라서 백색 화살표의 방향으로 이동하므로, 다이 D에 의해 이물 FB의 흑색 화살표로 나타내는 바와 같은 이동이 저해되어 버려 제거를 할 수 없는 경우가 있다. 이에 반해, 클리닝 헤드(91)를 90도 회전시켜 제2 상태로 하는 경우, 클리닝 헤드(91)가 X축 방향을 따라서 백색 화살표의 방향으로 상대적으로 이동하므로, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이, 이물 FB의 흑색 화살표로 나타내는 바와 같은 이동은 다이 D에 의해 저해되지 않고 제거가 가능해진다. 여기서, 클리닝 헤드(91)가 이동해도 되고, 기판 S가 이동해도 되므로, 상대적으로 이동으로 하고 있다. 클리닝 헤드(91)와, 기판 S 또는 최상위의 다이 D의 표면의 클리어런스 설정은 중요하다. 기판 S는 반송 레인(52)에서 이동할 때는, 상승을 수반하기 때문에 클리어런스가 안정되지 않는 경우가 있다. 클리어런스를 일정하게 유지하기 위해, 클리닝 헤드(91)가 이동하여 클리닝을 행하는 것이 바람직하다.
(제3 변형예)
제3 변형예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여 도 16을 사용하여 설명한다. 도 16의 (a)는 제3 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 왕로 시의 동작을 도시하는 도면이다. 도 16의 (b)는 제3 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 귀로 시의 동작을 도시하는 도면이다.
제3 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 본체부를 수평면 내에 있어서 180도 회전 가능하게 구성된다. 이에 의해, 본체부의 진행 방향에 대한 노즐의 배치를 변경 가능하게 된다. 클리닝 헤드(91)와 기판 S의 간극에 따라서 최적의 상태를 형성할 수 있기 때문에, 예를 들어 왕복 동작에 의한 효율적인 이물 제거가 가능해진다.
예를 들어, 왕로는, 도 16의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)는 기판 S의 표면에 대하여 수직으로 하고, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 기판 S에 대하여 기울어지게 하고 있다. 즉, 클리닝 헤드(91)가 진행하는 방향측의 노즐인 제2 노즐(102)의 분출구(102b)가 기울어져 있다. 여기서, 왕로란, 클리닝 헤드(91)가 도면에 있어서 좌측으로부터 우측으로의 이동이다.
귀로에서는, 클리닝 헤드(91)를 회전시켜, 도 16의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 기판 S의 표면에 대하여 기울어지게 하고, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)는 기판 S의 표면에 대하여 수직으로 하고 있다. 즉, 클리닝 헤드(91)가 진행하는 방향측의 노즐인 제2 노즐(102)의 분출구(102b)가 기울어져 있다. 여기서, 귀로란, 클리닝 헤드(91)가 도면에 있어서, 우측으로부터 좌측으로의 이동이다. 노즐의 각도를 왕로와는 반대로 함으로써 왕로와 동일한 공기의 분출 상태가 된다. 이에 의해, 왕로에서는 공기의 유량을 줄여 비산하기 쉬운 가벼운 이물을 제거하고, 귀로에서는 공기의 유량을 증대시켜 무거운 이물을 제거한다고 하는 동작이 가능하다.
(제4 변형예)
제4 변형예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여 도 17을 사용하여 설명한다. 도 17의 (a)는 제4 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 개략 구성도이다. 도 17의 (b)는 도 17의 (a)에 도시한 F3면에 있어서의 단면도이다.
제3 변형예에서는, 클리닝 헤드(91)의 본체부를 수평면에 있어서 회전시킴으로써, 수직의 분출구를 갖는 제1 노즐(101)과 경사의 분출구를 갖는 제2 노즐(102)의 배치를 변경하고 있다. 제4 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 복수의 각도의 노즐 분출구를 갖고, 기판 S의 클리닝에서 요구되는 각도에 따라서, 공급 배관에 공급하는 공기를 밸브에 의해 전환하도록 구성된다.
도 17의 (a)에 도시한 바와 같이, 제4 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 실시예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여, 본체부의 상부에 제6 공급 배관(116) 및 제7 공급 배관(117)이 더 설치되어 있다. 제1 공급 배관(111) 및 제6 공급 배관(116)은 각각 밸브(111b, 116b), 유량 제어기(111a)를 통해 압축 공기 등을 공급하는 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 각각의 밸브(111b, 116b)의 개폐 및 유량은 제어부(8)에 의해 제어된다. 제2 공급 배관(112) 및 제7 공급 배관(117)은 각각 밸브(112b, 117b), 유량 제어기(112a)를 통해 압축 공기 등을 공급하는 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 각각의 밸브(112b, 117b)의 개폐 및 유량은 제어부(8)에 의해 제어된다.
또한, 도 17의 (b)에 도시한 바와 같이, 제4 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 실시예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여, 제6 공급 배관(116)에 접속되는 제6 노즐(106)과, 제7 공급 배관(117)에 접속되는 제7 노즐(107)을 더 갖는다. 또한, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)의 하단인 노즐면은, 본체부의 하면(91c)에 인접하고, 하면(91c)으로부터 이격됨에 따라서 상방으로 기울어져 있는 경사면(91e)에 위치한다. 제2 노즐(102)의 분출구(102b)의 하단인 노즐면은, 본체부의 하면(91c)에 경사면(91e)과는 반대측에 인접하고, 하면(91c)으로부터 이격됨에 따라서 상방으로 기울어져 있는 경사면(91f)에 위치한다.
제6 노즐(106)은 클리닝 헤드(91)의 본체부의 상면으로부터 하면에 형성된 단면이 1개의 큰 직사각형과 작은 직사각형을 나타내는 관통 구멍으로 구성되고, 본체부의 상부에 제6 공급 배관(116)에 접속되는 공급부(106a), 하부에 분출구(106b)가 마련되어 있다. 분출구(106b)의 하단인 노즐면은 경사면(91e)에 분출구(101b)의 노즐면보다도 외측에 위치한다. 제7 노즐(107)은 클리닝 헤드(91)의 본체부의 상면으로부터 하면에 형성된 단면이 1개의 큰 직사각형과 작은 직사각형을 나타내는 관통 구멍으로 구성되고, 본체부의 상부에 제7 공급 배관(117)에 접속되는 공급부(107a), 하부에 분출구(107b)가 마련되어 있다. 분출구(107b)의 하단인 노즐면은 경사면(91f)에 분출구(102b)의 노즐면보다도 내측에 위치한다.
도 17의 (b)에 도시한 바와 같이, 제6 노즐(106)의 분출구(106b)는 공급부(106a)로부터 기판 S의 표면에 대하여 흡입구(105b)측으로 기울어지게 하여 연신하고, 제7 노즐(107)의 분출구(107b)는 공급부(107a)로부터 기판 S의 표면에 대하여 수직으로 연신한다.
제1 노즐(101)을 사용하는 경우에는, 제어부(8)는 밸브(111b)를 개방함과 함께 밸브(116b)를 폐쇄한다. 제6 노즐(106)을 사용하는 경우에는, 제어부(8)는 밸브(111b)를 폐쇄함과 함께 밸브(116b)를 개방하도록 구성된다. 제2 노즐(102)을 사용하는 경우에는, 제어부(8)는 밸브(112b)를 개방함과 함께 밸브(117b)를 폐쇄한다. 제7 노즐(107)을 사용하는 경우에는, 제어부(8)는 밸브(112b)를 폐쇄함과 함께 밸브(117b)를 개방하도록 구성된다.
(제5 변형예)
제5 변형예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여 도 18을 사용하여 설명한다. 도 18의 (a)는 제5 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 개략 구성도이다. 도 18의 (b)는 도 18의 (a)에 도시한 클리닝 헤드의 분출부를 이동시킨 상태를 도시하는 도면이다. 도 18의 (c)는 도 18의 (a)에 도시한 F4면에 있어서의 단면도이다.
제4 변형예에서는, 복수의 각도의 노즐 분출구를 갖지만, 그것들은 소정 각도로 고정되어 있다. 제5 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 분출구의 각도를 임의로 변화시키도록 구성된다.
도 18의 (a)에 도시한 바와 같이, 제5 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)의 본체부는, 제1 노즐부(121)와, 제2 노즐부(122)와, 흡인부(125)로 구성되어 있다. 제1 노즐부(121)는 공급부(121a)와 분출부(121b)를 갖는다. 제2 노즐부(122)는 공급부(122a)와 분출부(122b)를 갖는다. 클리닝 헤드(91)는 제1 노즐부(121)의 상부에 제1 공급 배관(111), 제2 노즐부(122)의 상부에 제2 공급 배관(112) 및 흡인부(125)의 상부에 배출 배관(115)이 설치되어 있다.
제1 노즐부(121)는, 실시예와 마찬가지로, 제1 공급 배관(111)에 접속되는 제1 노즐(101)(도 7 참조)을 갖는다. 도 18의 (c)에 도시한 바와 같이, 제2 노즐부(122)는, 실시예와 마찬가지로, 제2 공급 배관(112)에 접속되는 제2 노즐(102)을 갖는다. 흡인부(125)는, 실시예와 마찬가지로, 배출 배관(115)에 접속되는 흡인구(105)(도 7 참조)를 갖는다.
도 18의 (c)에 도시한 바와 같이, 제2 노즐부(122)의 공급부(122a)는, 모터(122c)와, 모터(122c)의 회전축에 마련된 기어(122d)와, 기어(122d)와 맞물리는 기어(122e)를 구비한다. 제2 노즐부(122)의 분출부(122b)는, 기어(122e)가 설치된 지지축(122f)에 의해 회전 가능하게 공급부(122a)에 설치되어 있다. 제1 노즐부(121)는 제2 노즐부(122)와 마찬가지의 구성이다.
도 18의 (b)에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는, 모터(122c)를 회전시킴으로써, 분출부(122b)의 기판 S의 표면에 대한 각도를 변경하도록 구성된다. 이에 의해, 예를 들어 실시예와 마찬가지로, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)를 공급부(101a)로부터 기판 S의 표면에 대해 수직으로 연신하고, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)를 공급부(102a)로부터 기판 S의 표면에 대하여 흡입구(105b)측으로 기울어지게 하여 연신할 수 있다. 또한, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)를 공급부(101a)로부터 기판 S의 표면에 대하여 흡입구(105b)측으로 기울어지게 하여 연신하고, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)를 공급부(102a)로부터 기판 S의 표면에 대하여 수직으로 연신할 수 있다.
(제6 변형예)
제6 변형예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여 도 19를 사용하여 설명한다. 도 19의 (a)는 제6 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 개략 구성도이다. 도 19의 (b)는 도 19의 (a)에 도시한 F5면에 있어서의 단면도이다. 도 19의 (c)는 도 19의 (a)에 도시한 클리닝 헤드의 플랩을 이동시킨 상태를 도시하는 도면이다. 도 19의 (d)는 도 19의 (c)에 도시한 F6면에 있어서의 단면도이다.
제5 변형예에서는, 분출부 전체를 이동하여 분출 각도를 변경하고 있다. 제6 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 분출구의 분출 방향은 고정한 채로 분출구의 끝에 플랩 기구를 마련하여 분출 방향을 변화시키도록 구성된다.
또한, 도 19의 (a) (b)에 도시한 바와 같이, 제6 변형예에 있어서의 클리닝 헤드(91)는, 실시예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여, 본체부의 하부에 접속되는 플랩(91g, 91h)을 더 갖는다. 또한, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)의 하단인 노즐면은, 본체부의 하면(91c)에 인접하고, 하면(91c)으로부터 이격됨에 따라서 상방으로 기울어져 있는 경사면(91e)에 위치한다. 제2 노즐(102)의 분출구(102b)의 하단인 노즐면은, 본체부의 하면(91c)에 경사면(91e)과는 반대측에 인접하고, 하면(91c)으로부터 이격됨에 따라서 상방으로 기울어져 있는 경사면(91f)에 위치한다. 또한, 도 19의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 제1 노즐(101)의 분출구(101b)와 마찬가지로, 공급부(102a)로부터 기판 S의 표면에 대해 수직으로 연신하도록 구성되어 있다.
도 19의 (c) (d)에 도시한 바와 같이, 제어부(8)는, 플랩(91g, 91h)을 회전시킴으로써, 분출구(101b, 102b)로부터 분출되는 공기의 기판 S의 표면에 대한 각도를 변경하도록 구성된다. 예를 들어, 플랩(91g)을 크게 개방하여 경사면(91e)으로부터 멀어지게 함과 함께, 플랩(91h)을 작게 개방하여 경사면(91f)에 근접시킴으로써, 실시예와 마찬가지로, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)로부터 기판 S의 표면에 대해 수직으로 공기를 분출하고, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)로부터 기판 S의 표면에 대하여 흡입구(105b)측으로 기울어지게 하여 공기를 분출할 수 있다. 또한, 플랩(91g)을 작게 개방하여 경사면(91e)에 근접시킴과 함께, 플랩(91h)을 크게 개방하여 경사면(91f)으로부터 멀어지게 함으로써, 제1 노즐(101)의 분출구(101b)로부터 기판 S의 표면에 대하여 흡입구(105b)측으로 기울어지게 하여 공기를 분출하고, 제2 노즐(102)의 분출구(102b)로부터 기판 S의 표면에 대하여 수직으로 공기를 분출할 수 있다.
(제7 변형예)
제7 변형예에 있어서의 클리닝 헤드에 대하여 도 20을 사용하여 설명한다. 도 20은 제7 변형예에 있어서의 클리닝 헤드의 저면도이다.
실시예에서는, 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 가늘고 긴 슬릿상의 예를 설명하였지만, 제7 변형예에 있어서의 클리닝 헤드에 있어서는, 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 직선상을 따라서 배치된 복수의 작은 분출 구멍의 열로 구성해도 된다. 제1 노즐(101)의 분출구(101b)의 개구(101d) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)의 개구(102d)의 형상은 원형 또는 다각형으로 해도 된다.
클리닝 헤드(91)의 하부의 흡인구(105)의 흡입구(105b)에 인접하는 부분에는, 클리닝 헤드(91)의 본체에 제1 노즐(101)의 공급부(101a) 및 제2 노즐(102)의 공급부(102a)로부터 각각 관통하는 복수의 구멍이 개구되어 있다. 제1 노즐(101)은 일렬로 배열된 복수의 분출구(101b)에 의해 구성되고, 제2 노즐(102)은 일렬로 배열된 복수의 분출구(102b)에 의해 구성되어 있다. 또한, 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)는 실시예와 마찬가지로 슬릿 형상으로 구성하고, 클리닝 헤드(91)의 하면(91c)에 있어서 제1 노즐(101)의 분출구(101b) 및 제2 노즐(102)의 분출구(102b)에 덮개를 덮은 형태에서 그 덮개에 일렬로 배열된 복수의 구멍에 의한 개구(101d, 102d)를 형성하여 구성해도 된다.
이상, 본 개시자들에 의해 이루어진 개시를 실시 형태, 실시예 및 변형예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 개시는, 상기 실시 형태, 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들어, 실시예에서는, 제1 노즐 및 제2 노즐의 에어 분출구는 직사각 형상의 예를 설명하였지만, 평행면이 있는 다각형, 예를 들어 짝수의 다각형이어도 된다.
또한, 실시예에서는, 본체부가 팔면체인 예를 설명하였지만, 육면체여도 된다.
또한, 실제의 이물(파티클)의 사이즈를 측정하고, 그 결과에 기초하여 공기의 유량을 제어하도록 해도 된다. 유량을 제어함으로써, 확실하게 이물을 집진할 뿐만 아니라 공기의 사용량을 최소한으로 할 수 있다. 예를 들어, 기판 인식 카메라에 의해 촬상하여 화상 인식함으로써 부착되어 있는 파티클의 사이즈를 측정하고, 작은 이물이 없으면 왕복 모두 무거운 이물을 대상으로 한 토출을 행할 수 있다.
파티클의 사이즈에 따른 공기의 유량 제어에서는, 토출을 행하지 않고 흡인만으로 해도 된다. 조대 파티클의 집진에 있어서는, 흡인만으로도 충분한 청정도가 얻어지는 경우가 있다. 왕로에서는 흡인만으로 하여 조대 파티클을 집진, 귀로에서는 토출하여 미소한 파티클을 집진과 같은 운용이 가능하다. 또한, 복수회 왕복시키는 경우, 조대 파티클부터 순서대로 집진하도록, 공기의 유량을 단계적으로 제어하도록 해도 된다.
또한, 화상 인식에 있어서 이물의 종류를 추측하고, 그 이물마다의 추정한 질량 데이터(무게)에 기초하여 공기의 유량을 제어하도록 해도 된다.
또한, 흡입구(105b)로부터 흡인한 이물을 파티클 카운터로 측정하여 이물의 경향을 조사하고, 예를 들어 다양한 이물의 무게와, 그것들 이물을 흡인 후에 카운트를 개시할 때까지의 지연 시간의 상관을 구하고, 복수의 이물을 제거하는 경우에, 이때에 요한 지연 시간을 사용하여 상관으로부터 추정하고 그것들 이물의 무게에 기초하여 공기의 유량을 제어하도록 해도 된다. 이 경우, 기판 클리닝은, 기판의 전방으로부터 열(클리닝 헤드의 폭인 클리닝 에어리어)마다 순차적으로 클리닝을 행하기 때문에, 클리닝 전열이나 전의 기판의 흡인 이물 측정 결과를 기초로 후열 또는 후의 기판에 피드백하면서 클리닝 처리를 행한다. 최초의 1열 또는 기판은 사전에 그 제품에서 평가를 행한 프리셋 조건에서 처리한다.
또한, 기판 상의 이물을 기판 상의 낙하 입자를 검출하는 조대 입자 카운터(파티클 모니터)로 측정하여 상술한 파티클 카운터와 마찬가지로 공기의 유량을 제어하도록 해도 된다. 이 경우, 조대 입자 카운터를 클리닝 헤드(91)의 상류측에 설치하여 기판 상의 이물을 사전에 측정한다. 조대 입자 카운터에 의한 측정 위치는, 클리닝 전의 기판을 대기시키는 위치에서 사전에 기판 전체 측정하도록 해도 되고, 클리닝 중의 기판의 클리닝 전의 에어리어를, 직전에 클리닝을 위해 기판 정지 중에 측정하도록 해도 된다. 스루풋(클리닝 시간)에도 영향을 미치기 때문에, 모두 클리닝하는 열 단위나 기판 단위, 제품(로트) 단위 등으로 클리닝 조건을 변경(피드백)하도록 해도 된다.
실시예에서는, 제1 노즐 및 제2 노즐에 공기를 공급하는 예를 설명하였지만, 이산화탄소 등의 기체, 기체의 이산화탄소와 이산화탄소의 입자의 혼합 유체 등의 유체여도 된다. 예를 들어, 제2 노즐로부터 기체의 이산화탄소와 이산화탄소의 입자의 혼합 유체를 공급하고, 제1 노즐로부터는 공기 등을 공급하여 입자의 비산을 방지하도록 해도 된다.
실시예에서는, 기판을 클리닝하는 예를 설명하였지만, 웨이퍼를 클리닝해도 된다. 다이싱 라인을 따라서 클리닝함으로써, 웨이퍼 표면의 이물뿐만 아니라, 홈에 들어간 이물도 비산시키지 않고 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 실시예는, 본딩 헤드(41)의 이동 거리를 짧게 하여 처리 시간을 단축하기 위해 중간 스테이지(31)를 마련하고 있지만, 중간 스테이지(31)를 마련하지 않고 직접 본딩 헤드(41)로 웨이퍼로부터 다이 D를 픽업하는 구성으로 해도 된다.
또한, 픽업한 다이의 상하를 반전 가능한 플립 헤드를 사용한 구성으로 해도 된다.
또한, 픽업부와 중간 스테이지부와 본딩부를 포함하는 실장부 및 반송 레인을 복수조 구비한 다이 본더여도 되고, 픽업부와 중간 스테이지부와 본딩부를 포함하는 실장부를 복수조 구비하고, 반송 레인은 하나 구비해도 된다.
5: 반송부
52: 반송 레인
8: 제어부
9: 프리폼부
91: 클리닝 헤드
101: 제1 노즐
101b: 분출구
102: 제2 노즐
102b: 분출구
105: 흡인구
10: 다이 본더(다이 본딩 장치)
D: 다이
S: 기판

Claims (21)

  1. 다이가 적재되는 기판을 제1 방향을 따라서 반송하는 반송부와,
    상기 기판을 향하여 공기를 분출하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 상기 기판측으로부터 공기를 흡입하는 흡인구를 갖는 클리닝 헤드와,
    상기 클리닝 헤드를 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향을 따라서 이동시키는 구동부와,
    상기 반송부와 상기 구동부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 흡인구는 평면으로 보아 상기 제1 방향을 따라서 연신되는 제1 변 및 제2 변을 갖고, 상기 흡인구는 상기 제1 노즐의 분출구와 상기 제2 노즐의 분출구 사이에 인접하여 배치되고,
    상기 제1 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 상기 흡인구의 상기 제1 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 상기 기판의 표면에 대하여 수직으로 연신되도록 구성되고,
    상기 제2 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 상기 흡인구의 상기 제2 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 상기 기판의 표면에 대하여 상기 흡인구측으로 기울어져 연신되도록 구성되는 다이 본딩 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 노즐의 분출구의 상기 제1 방향의 길이는, 상기 흡인구의 상기 제1 방향의 길이보다도 길게 구성되는 다이 본딩 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 제1 노즐의 공기의 유량을 상기 제2 노즐의 공기의 유량 이상으로 하도록 구성되는 다이 본딩 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 클리닝 헤드는, 또한, 공기를 분출하는 제3 노즐 및 제4 노즐을 갖고,
    상기 흡인구는 평면으로 보아 상기 제2 방향을 따라서 연신되는 제3 변 및 제4 변을 갖고,
    상기 제3 노즐의 분출구는, 상기 흡인구의 상기 제3 변을 따라서 연신되도록 구성되고,
    상기 제4 노즐의 분출구는, 상기 흡인구의 상기 제4 변을 따라서 연신되도록 구성되고,
    상기 제3 노즐의 분출구와 상기 제4 노즐의 분출구 사이에 인접하여 상기 흡인구가 배치되어 구성되는 다이 본딩 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 노즐의 공기의 유량, 상기 제2 노즐의 공기의 유량 및 상기 흡인구의 유량을 제어하도록 구성되는 다이 본딩 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐의 각각의 분출구는, 복수의 작은 구멍으로 구성되는 다이 본딩 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐의 각각의 분출구는, 슬릿상으로 구성되는 다이 본딩 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐의 각각의 분출구의 형상은 평행면이 있는 다각형으로 구성되는 다이 본딩 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐의 각각의 분출구의 상기 기판의 표면에 대하여 연신되는 각도를 변경하도록 구성되는 다이 본딩 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 노즐의 공기의 유량 및 상기 제2 노즐의 공기의 유량을 이물의 사이즈 또는 무게에 기초하여 제어하도록 구성되는 다이 본딩 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 클리닝 헤드를 1왕복 이상 이동시키는 경우, 상기 제1 노즐의 공기의 유량 및 상기 제2 노즐의 공기의 유량을 단계적으로 제어하도록 구성되는 다이 본딩 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제어부는,
    왕로에서는 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐의 공기의 분출을 정지하여 상기 흡입구로부터의 흡인을 행하고,
    귀로에서는 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐의 공기의 분출을 행하면서 상기 흡입구로부터의 흡인을 행하도록 구성되는 다이 본딩 장치.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 흡인구의 상기 제2 방향의 길이는, 상기 제1 노즐의 분출구의 상기 제2 방향의 길이 및 상기 제2 노즐의 분출구의 상기 제2 방향의 길이보다도 길게 구성되는 다이 본딩 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 구동부에 의해, 상기 클리닝 헤드의 긴 변을 상기 제2 방향을 따르는 쪽으로 회전시켜, 상기 클리닝 헤드를 상기 기판에 대하여 상대적으로 상기 제1 방향을 따라서 이동시키도록 구성되는 다이 본딩 장치.
  15. 본체부와,
    상기 본체부에 마련된, 워크를 향하여 공기를 분출하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 상기 워크측으로부터 공기를 흡입하는 흡인구를 갖고,
    상기 본체부의 저면은 평면으로 보아 직사각 형상이며,
    상기 흡인구는 평면으로 보아 직사각 형상이며, 상기 흡인구의 긴 변은 상기 저면의 긴 변을 따라서 연신되고, 상기 흡인구는 상기 제1 노즐의 분출구와 상기 제2 노즐의 분출구 사이에 인접하여 배치되고,
    상기 제1 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 상기 흡인구의 한쪽의 긴 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 상기 워크의 표면에 대하여 수직으로 연신되도록 구성되고,
    상기 제2 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 상기 흡인구의 다른 쪽의 긴 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 상기 워크의 표면에 대하여 상기 흡인구측으로 기울어져 연신되도록 구성되는 클리닝 헤드.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 노즐의 분출구의 상기 흡인구에 대향하는 측의 길이는, 상기 흡인구의 상기 제1 노즐의 분출구측에 대향하는 측의 길이보다도 길게 구성되는 클리닝 헤드.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 흡인구의 짧은 변측의 길이는, 상기 제1 노즐의 분출구 및 상기 제2 노즐의 분출구의 상기 저면의 짧은 변을 따르는 방향의 길이보다도 길게 구성되는 클리닝 헤드.
  18. (a) 다이가 적재되는 기판을 제1 방향을 따라서 반송하는 반송부와, 상기 기판을 향하여 공기를 분출하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 상기 기판측으로부터 공기를 흡입하는 흡인구를 갖는 클리닝 헤드와, 상기 클리닝 헤드를 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향을 따라서 이동시키는 구동부를 구비하고, 상기 흡인구는 평면으로 보아 직사각 형상이며, 상기 흡인구의 긴 변은 상기 제1 방향을 따라서 연신되고, 상기 흡인구는 상기 제1 노즐의 분출구와 상기 제2 노즐의 분출구 사이에 인접하여 배치되고, 상기 제1 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 상기 흡인구의 한쪽의 긴 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 상기 기판의 표면에 대하여 수직으로 연신되도록 구성되고, 상기 제2 노즐의 분출구는, 평면으로 보아 상기 흡인구의 다른 쪽의 긴 변을 따라서 연신되도록 구성되고, 상기 기판의 표면에 대하여 상기 흡인구측으로 기울어져 연신되도록 구성되는, 다이 본딩 장치에 기판을 반입하는 공정과,
    (b) 다이가 첩부된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 반입하는 공정과,
    (c) 상기 기판을 클리닝하는 공정과,
    (d) 다이를 픽업하는 공정과,
    (e) 상기 픽업한 다이를 상기 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 (c) 공정은, 상기 제1 노즐의 공기의 유량을 상기 제2 노즐의 공기의 유량 이상으로 하고, 상기 클리닝 헤드를 상기 제2 방향으로 이동하면서 행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 (c) 공정은, 상기 클리닝 헤드를 1왕복 이상 이동하는 경우, 상기 제1 노즐의 공기의 유량 및 상기 제2 노즐의 공기의 유량을 단계적으로 제어하는 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 (c) 공정은,
    왕로에서는 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐의 공기의 분출을 정지하여 상기 흡입구로부터의 흡인을 행하고,
    귀로에서는 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐의 공기의 분출을 행하면서 상기 흡입구로부터의 흡인을 행하는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020210105798A 2020-08-18 2021-08-11 다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법 KR102545475B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-137836 2020-08-18
JP2020137836A JP2022034171A (ja) 2020-08-18 2020-08-18 ダイボンディング装置、クリーニングヘッドおよび半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220022448A true KR20220022448A (ko) 2022-02-25
KR102545475B1 KR102545475B1 (ko) 2023-06-22

Family

ID=80270371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210105798A KR102545475B1 (ko) 2020-08-18 2021-08-11 다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220055077A1 (ko)
JP (1) JP2022034171A (ko)
KR (1) KR102545475B1 (ko)
CN (1) CN114074094B (ko)
TW (1) TWI808449B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115870270B (zh) * 2022-12-30 2023-06-20 济南金瑞阳机械制造有限公司 一种新能源汽车配件自动翻转清洗装置及其使用方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080031850A (ko) * 2005-07-06 2008-04-11 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤 기판용 반송 제진 장치의 사용 방법 및 기판용 반송 제진장치
KR20100078269A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 (주)케이씨이앤씨 기판용 건식 초음파 세정장치
JP2010234579A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Seiren Co Ltd 搬送ベルトのクリーニング機構及びそれを備えたインクジェット記録装置
KR20120108896A (ko) * 2011-03-23 2012-10-05 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 이물질 제거 장치 및 그것을 구비한 다이본더
JP2013078701A (ja) * 2010-02-12 2013-05-02 Sharp Corp 基板処理装置
KR20170071624A (ko) * 2015-12-15 2017-06-26 주식회사 포스코 이물질 제거장치
KR20190013903A (ko) * 2016-05-27 2019-02-11 가부시키가이샤 신가와 이물 제거 장치
KR20190107571A (ko) * 2018-03-12 2019-09-20 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000232113A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Nichiden Mach Ltd ダイボンダ
JP4711185B2 (ja) * 2006-02-27 2011-06-29 株式会社デンソー 半導体装置の異物除去装置及び異物除去方法
KR20120035033A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성전자주식회사 이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법
JP6086763B2 (ja) * 2013-03-11 2017-03-01 ファスフォードテクノロジ株式会社 コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ
JP6391378B2 (ja) * 2014-09-10 2018-09-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
JP6705727B2 (ja) * 2016-09-26 2020-06-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 フリップチップボンダおよび半導体装置の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080031850A (ko) * 2005-07-06 2008-04-11 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤 기판용 반송 제진 장치의 사용 방법 및 기판용 반송 제진장치
KR20100078269A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 (주)케이씨이앤씨 기판용 건식 초음파 세정장치
JP2010234579A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Seiren Co Ltd 搬送ベルトのクリーニング機構及びそれを備えたインクジェット記録装置
JP2013078701A (ja) * 2010-02-12 2013-05-02 Sharp Corp 基板処理装置
KR20120108896A (ko) * 2011-03-23 2012-10-05 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 이물질 제거 장치 및 그것을 구비한 다이본더
JP2012199458A (ja) 2011-03-23 2012-10-18 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ
KR20170071624A (ko) * 2015-12-15 2017-06-26 주식회사 포스코 이물질 제거장치
KR20190013903A (ko) * 2016-05-27 2019-02-11 가부시키가이샤 신가와 이물 제거 장치
KR20190107571A (ko) * 2018-03-12 2019-09-20 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI808449B (zh) 2023-07-11
US20220055077A1 (en) 2022-02-24
TW202218010A (zh) 2022-05-01
CN114074094B (zh) 2024-03-08
CN114074094A (zh) 2022-02-22
JP2022034171A (ja) 2022-03-03
KR102545475B1 (ko) 2023-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102185839B1 (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US8783319B2 (en) Foreign substance removing device and die bonder equipped with the same
US8617318B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR20170026751A (ko) 반도체 스트립 절단 및 정렬장치와 그 방법
JP7102271B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
TW201448008A (zh) 半導體條帶鋸切設備
JP6653273B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP5346643B2 (ja) 基板塗布装置および基板塗布方法
KR100497506B1 (ko) 반도체 스트립 소잉장치 및 이를 구비한 반도체 패키지의싱귤레이션 장치
CN104517877B (zh) 组件装载设备和方法
KR102545475B1 (ko) 다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5457660B2 (ja) 切断方法及び切断装置
JP7303635B2 (ja) ワークの保持方法及びワークの処理方法
JP2000068296A (ja) ダイボンダ
KR20150005269A (ko) 반도체 자재 절단 적재장치와 이를 이용하는 반도체 자재 절단 적재방법
KR100497505B1 (ko) 반도체 패키지의 싱귤레이션 방법 및 장치
JP6722614B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
KR100990886B1 (ko) 자동화 장비의 자재공급장치
US6981312B2 (en) System for handling microelectronic dies having a non-piercing die ejector
TWI743887B (zh) 晶粒接合裝置及半導體裝置的製造方法
KR102634455B1 (ko) 클리닝 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP7328848B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
US20090148258A1 (en) Pick and place apparatus incorporating debris removal device
WO2009035419A2 (en) An apparatus and method for dicing an ic substrate

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right