KR20190107571A - 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기판의 이면을 클리닝하는 것이 가능한 다이 본딩 장치를 제공하는 것에 있다.
다이 본딩 장치는, 다이가 적재되는 영역을 복수열 갖는 기판을 제1 방향으로 반송하는 반송부와, 상기 기판의 제1 면의 이물을 제거하는 제1 이물 제거 장치와, 상기 기판의 상기 제1 면과 반대측의 제2 면의 이물을 제거하는 제2 이물 제거 장치와, 픽업한 다이를 상기 기판에 본딩하는 본딩 헤드를 구비한다. 상기 제1 이물 제거 장치는 상기 기판으로부터 이격된 위치에 플레이트를 구비하고, 상기 기판과 상기 플레이트 사이에 기체를 흘려, 상기 기판의 상기 제1 면의 이물을 제거한다.

Description

다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{DIE BONDING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는 다이 본딩 장치에 관한 것이며, 예를 들어 기판을 클리닝하는 장치를 구비하는 다이 본딩 장치에 적용 가능하다.
반도체 장치의 제조 공정의 일부에 반도체 칩(이하, 간단히 다이라 함)을 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 간단히 기판이라 함)에 탑재하여 패키지를 조립하는 공정이 있고, 패키지를 조립하는 공정의 일부에, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라 함)로부터 다이를 분할하는 공정(다이싱 공정)과, 분할한 다이를 기판 상에 탑재하는 본딩 공정이 있다. 본딩 공정에 사용되는 반도체 제조 장치가 다이 본더 등의 다이 본딩 장치이다.
다이의 기판에의 본딩에는 접착제가 사용되지만, 다이를 기판에 접착할 때, 기판의 표면에 티끌이 부착되어 있으면 접착제의 접착력이 저하되기 때문에, 기판 상의 티끌(이하, 이물이라 함)을 제거하는 것은 다이를 실장함에 있어서 매우 중요한 것이다. 특허문헌 1에서는, 에어의 분출 구멍과 흡입 구멍이 일체가 된 클리닝 노즐을 갖는 이물 제거 장치를 기판의 이동 방향과 직교하는 방향으로 이동시켜 기판 상의 이물을 제거하는 것이 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2012-199458호 공보
그러나, 특허문헌 1에서는, 기판의 표면의 이물을 제거할 수는 있지만, 이면의 이물은 제거할 수 없다.
본 개시의 과제는, 기판의 이면을 클리닝하는 것이 가능한 다이 본딩 장치를 제공하는 것에 있다.
그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백하게 될 것이다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 하기와 같다.
즉, 다이 본딩 장치는, 다이가 적재되는 영역을 복수열 갖는 기판을 제1 방향으로 반송하는 반송부와, 상기 기판의 제1 면의 이물을 제거하는 제1 이물 제거 장치와, 상기 기판의 상기 제1 면과 반대측의 제2 면의 이물을 제거하는 제2 이물 제거 장치와, 픽업한 다이를 상기 기판에 본딩하는 본딩 헤드를 구비한다. 상기 제1 이물 제거 장치는 상기 기판으로부터 이격된 위치에 플레이트를 구비하고, 상기 기판과 상기 플레이트 사이에 기체를 흘려, 상기 기판의 상기 제1 면의 이물을 제거한다.
상기 다이 본딩 장치에 의하면, 기판의 이면을 클리닝할 수 있다.
도 1은 비교예의 기판의 표면의 클리닝 방법을 설명하는 도면.
도 2는 기판의 휨을 설명하는 도면.
도 3은 제1 실시 형태의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 4는 제1 실시 형태의 기판 표면용의 이물 제거 장치 및 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 5는 제1 실시 형태의 이물 제거 장치의 클리닝 동작을 설명하는 플로우차트.
도 6은 제1 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 7은 제2 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 8은 제3 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 9는 제4 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 10은 제5 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 11은 제6 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 12는 제7 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면.
도 13은 제2 실시 형태의 이물 제거 장치의 기판 표면측을 설명하는 도면.
도 14는 제2 실시 형태의 이물 제거 장치의 기판 이면측을 설명하는 도면.
도 15는 제2 실시 형태의 이물 제거 장치의 기판 표면측 및 이면측을 설명하는 도면.
도 16은 제8 변형예의 이물 제거 장치의 기판 표면측 및 이면측을 설명하는 단면도.
도 17은 제9 변형예의 이물 제거 장치의 기판 표면측 및 이면측을 설명하는 단면도.
도 18은 제10 변형예의 이물 제거 장치의 기판 표면측 및 이면측을 설명하는 단면도.
도 19는 제11 변형예의 이물 제거 장치의 기판 표면측 및 이면측을 설명하는 단면도.
도 20은 실시예에 관한 다이 본더를 도시하는 개략 상면도.
도 21은 도 20의 화살표 A로부터 본 개략적인 측면도.
도 22는 도 20의 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면.
도 23은 도 20의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 24는 도 20의 다이 본더에 있어서의 다이 본딩 공정을 설명하는 플로우차트.
이하, 실시 형태, 변형예, 비교예 및 실시예에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 양태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.
본원 발명자들은 기판의 표면 및 이면의 양면의 클리닝에 대하여 검토한 기술(비교예)에 대하여 도 1, 도 2를 사용하여 설명한다. 도 1은 비교예의 기판의 표면의 클리닝 방법을 설명하는 도면이고, 도 1의 (A)는 기판이 흡착 스테이지로부터 이격되어 있는 상태를 도시하는 단면도이며, 도 1의 (B)는 기판이 흡착 스테이지와 접촉하고 있는 상태를 도시하는 단면도이다. 도 2는 기판의 휨을 설명하는 도면이고, 도 2의 (A)는 위로 휜 기판의 표면을 클리닝하는 경우를 도시하는 단면도이며, 도 2의 (B)는 아래로 휜 기판의 이면을 클리닝하는 경우를 도시하는 단면도이다.
비교예의 이물 제거 장치(9)는 클리닝 노즐(91)을 구비한다. 클리닝 노즐(91)에는 에어 공급 배관(91a)과 에어 배출 배관(91b)을 구비하고 있다. 에어 배출 배관(91b)은 도 1의 (B)에 도시한 바와 같이, 에어 공급 배관(91a)보다 배관 직경이 크게 되어 있다. 이것은 에어 배출 배관(91b)이 이물 반송용으로서 사용되기 때문이다. 기판 S의 면에 가장 접근하고 있는 것이 도 1의 (B)에 도시한 바와 같이 노즐면(91c)이다.
이 노즐면(91c)은 평면에서 보아 직사각형이며, 중앙부에 원형의 에어 분출구(91d)가 복수 형성되고, 이 에어 분출구(91d)의 주위를 링상으로 둘러싸도록 에어 흡입구(91e)가 복수개 형성되어 있다.
이에 의해, 에어 분출구(91d)로부터 토출된 에어에 의해 불어 날려진 이물은 도 1의 (B)의 화살표로 나타낸 바와 같이 에어 흡입구(91e)에 의해 바로 흡인되어, 최종적으로는 폐기된다.
클리닝 노즐(91)은 상하 이동하고, 통상은 클리닝 노즐(91)이 기판 S의 적정 위치(예를 들어 기판 S 상 2㎜의 위치)까지 하강하고, 기판 S의 이동이나 교환 시에는 상승하게 된다. 또한 클리닝 노즐(91)은 도 1의 (B)에 도시한 바와 같이 화살표 C와 같이, 기판 S의 폭 방향(Y 방향)으로 이동하여 이물의 제거 동작을 행한다.
도 1의 (A)에 도시한 바와 같이, 양단이 반송 가이드(슈트, 반송 레인)(52)에 의해 지지된 기판 S를 클램프(기판 반송 갈고리)(51)에 의해 흡착 스테이지 AS 상까지 X 방향으로 반송한다. 흡착 스테이지 AS를 상승시켜 기판 S와 접촉시키고 흡착 구멍 AH로부터 흡인함으로써 기판 S를 흡착 스테이지 AS에 고정한다.
클리닝 노즐(91)을 하강시키고 기판 S의 반송 방향(X 방향)에 대하여 수직의 방향(Y 방향)으로 동작시켜 기판 S의 표면을 클리닝한다.
기판 S의 표면측에 클리닝 노즐(91)의 선단이 근접하기 때문에, 기판 평탄화가 필요하다. 그러나, 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이, 기판 S가 위로 휘거나 또는 아래로 휘는 경우가 있으므로, 진공 흡착에 의해 기판 S를 흡착 스테이지 AS에 고정한다.
기판 S의 이면을 클리닝하는 경우도, 기판 S의 이면측에 클리닝 노즐(91)을 설치하면, 노즐 선단이 근접하기 때문에, 기판 평탄화가 필요하다. 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이, 기판 S가 아래로 휘거나 또는 위로 휘는 경우가 있으므로, 진공 흡착에 의해 기판 S를 흡착 스테이지 AS에 고정하는 것을 검토하였지만, 기판 S의 표면측은 다이 또는 다이 설치 장소가 있어, 다이를 파손할 우려, 및 다이 설치 장소에 이물을 부착시킬 우려가 있기 때문에, 직접 기판 S의 표면을 흡착 스테이지 AS에 접촉 흡착시켜 기판을 평탄화시키는 것은 곤란하다.
또한, 기판 S에 휨이 있는 경우, 적절한 위치 관계에서 양면을 동시에 적절한 클리닝 노즐(91)과의 위치 관계에서 안정적으로 클리닝을 행하는 것이 곤란하다.
따라서, 실시 형태에서는, 기판으로부터 이격된 위치에 플레이트를 구비하고, 기판과 플레이트 사이에 기체를 흘려, 기판의 이면의 클리닝을 행한다. 이하, 몇 가지의 실시 형태에 대하여 설명한다.
<제1 실시 형태>
제1 실시 형태의 기판의 클리닝에 대하여 도 3, 도 4를 사용하여 설명한다. 도 3은 제1 실시 형태의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 3의 (A)는 평면도, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 3의 (C)는 도 3의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다. 도 4는 제1 실시 형태의 기판 표면용의 이물 제거 장치 및 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 4의 (A)는 평면도, 도 4의 (B)는 도 4의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 4의 (C)는 도 4의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다.
기판 이면용의 이물 제거 장치(제1 이물 제거 장치)(100)는, 기판 S의 이면(제1 면)측에 접하는 것이 가능한 플레이트(101)를 구비한다. 플레이트(101)는 그 상면측에 기판 폭 방향(Y 방향)을 따라서 연신되는 홈(102)을 구비한다. 플레이트(101)는 홈(102)의 일단에 하방으로부터 기체가 공급되는 공급관(103)과, 홈(102)의 타단에 기체를 배출하는 배출구(104)를 구비한다. 공급관(103)은 홈(102) 내에서는 Y 방향으로 기체를 배출하도록 굴곡되어 있다. 도 3의 화살표로 나타낸 바와 같이, 이물 제거 장치(100)는 플레이트(101)의 일단의 공급관(103)으로부터 타단의 배출구(104)로 유로를 좁힌 고속의 기체를 공급하여 흘림으로써(베르누이 효과에 의해) 기판 S에의 흡인력을 발생시킴과 함께, 그 기체의 흐름에 의해 기판 S의 이면측의 클리닝을 행한다. 기판 S의 이면의 접촉 위치는 홈의 가는 경계 부분이므로, 접촉 면적을 가능한 한 저감시킬 수 있다.
또한, 기판과 홈의 경계의 부분에 접촉하는 부분은, 홈의 경계의 부분이 배치되는 간격과 상이한 피치로 기판을 반송함으로써 클리닝이 가능해진다.
기판 S의 이면의 클리닝에 병행하여, 도 4에 도시한 바와 같이, 이물 제거 장치(9)의 클리닝 노즐(91)을 사용하여 기판 S의 표면(제2 면)의 클리닝을 도 1과 마찬가지로 행한다. 여기서, 이물 제거 장치(100)가 도 1의 흡착 스테이지 AS의 역할을 담당한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 기판 S는 그 표면에 격자상으로 배치되는 패키지 에어리어 P를 구비하고, 패키지 에어리어 P는 다이가 본딩되는 영역(다이 설치 장소)을 포함한다. 여기에서는, 기판 폭 방향(Y 방향)으로 일렬로 배열되는 패키지 에어리어가 하나의 기판 클리닝 에어리어에 대응한다. 도 4에서는 기판 S는 8개의 기판 클리닝 에어리어를 갖고, 하나의 기판 클리닝 에어리어에 4개의 패키지 에어리어 P가 포함된다. 기판 S는 하나의 기판 클리닝 에리어마다 X 방향으로 반송된다.
플레이트(101)의 X 방향의 길이(Lp)는 기판 S의 X 방향의 길이(Ls)보다도 짧고, 도 4에서는 3열의 기판 클리닝 에어리어(3열의 패키지 에어리어)의 길이이다.
홈(102)의 폭(X 방향의 길이(Wt))은, 패키지 에어리어 P의 폭(Wp)과 상이한 폭(피치)으로 구성된다. 도 4에서는 Wt>Wp이다. 이에 의해, 기판 S의 홈(102)의 경계가 위치하는 부분은, 기판 S를 다음 기판 클리닝 에어리어로 반송하였을 때에, 클리닝할 수 있다. 기판 클리닝 에어리어(기판 반송 피치)보다 긴 플레이트(이면 흡인 클리닝 에어리어)로 하는 경우에는, 홈마다 기체의 공급의 ON, OFF가 가능한 기능을 설치한다. 이에 의해, 홈 상에 기판 S가 위치하지 않는 홈에의 기체의 공급을 멈출 수 있다.
다음으로, 기판 S의 표면 및 이면의 클리닝 동작에 대하여 도 5를 사용하여 설명한다. 도 5는 제1 실시 형태의 이물 제거 장치의 클리닝 동작을 설명하는 플로우차트이다.
먼저, 양단이 반송 가이드(52)에 의해 지지된 기판 S를 플레이트(101) 상까지 X 방향으로 반송한다(스텝 S31).
다음으로, 플레이트(101)를 상승시켜 기판 S와 접촉시키고 플레이트(101)의 홈(102)에 기체를 공급하여 기판 S를 흡착함과 함께, 기판 S의 이면의 클리닝을 행한다(스텝 S32).
다음으로, 기판 S가 흡착되어 휨이 없어진 것을 에어리어 센서 또는 비접촉 변위 센서 등에 의해 확인하고(스텝 S33), 기판 S에 휨이 없는 경우, 도 1의 비교예와 마찬가지로, 예를 들어 기판 S 상 2㎜의 위치까지 클리닝 노즐(91)을 하강시키고 기판 S의 반송 방향(X 방향)에 대하여 수직의 방향(Y 방향)으로 동작시켜 기판 S의 표면을 클리닝한다(스텝 S34).
다음으로, 기판 S의 표면의 클리닝이 종료되었는지 여부를 판단하고(스텝 S35), 클리닝이 종료된 경우, 홈(102)에의 기류를 멈추어 흡인을 해제하고, 플레이트(101)를 하강시키고, 클리닝 노즐(91)을 상승시키고, 다음 기판 클리닝 에어리어까지 기판 S를 반송한다(스텝 S36). 스텝 S32 내지 S36을 반복하여, 최후의 기판 클리닝 에어리어(도 4에서는 8번째의 기판 클리닝 에어리어)까지 클리닝한다.
최후의 기판 클리닝 에어리어의 기판 S의 표면의 클리닝이 종료된 경우, 홈(102)에의 기류를 멈추어 흡인을 해제하고, 플레이트(101)를 하강시키고, 클리닝 노즐(91)을 상승시키고, 기판 S를 본딩 스테이지로 반송한다(스텝 S37).
제1 실시 형태에서는, 기판의 이면측에 기체를 흘림으로써 기판을 흡인하여 기판의 휨을 교정하면서, 기판의 이면측의 기류로 기판의 이면의 클리닝을 행할 수 있다.
<제1 실시 형태의 변형예>
이하, 제1 실시 형태의 대표적인 변형예에 대하여, 몇 가지를 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 제1 실시 형태에서 설명된 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 제1 실시 형태와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 제1 실시 형태에 있어서의 설명이 적절히 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 실시 형태의 일부, 및, 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 적절히, 복합적으로 적용될 수 있다.
(제1 변형예)
제1 변형예의 이물 제거 장치에 대하여 도 6을 사용하여 설명한다. 도 6은 제1 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 6의 (A)는 평면도, 도 6의 (B)는 도 6의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 6의 (C)는 도 6의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다.
제1 변형예의 이물 제거 장치(100A)는, 기판 S의 이면에 접하는 것이 가능한 플레이트(101A)를 구비한다. 플레이트(101A)의 X 방향의 길이는 플레이트(101)와 동일하다. 플레이트(101A)는 그 상면측에 기판 폭 방향(Y 방향)을 따라서 연신되는 홈(102A)을 구비한다. 홈(102A)은 일단으로부터 타단으로 서서히 폭을 확장하는 구조이며, 홈(102A)은 좌우 교대로 배치된다. 플레이트(101)는 홈(102A)의 일단에 하방으로부터 기체가 공급되는 공급관(103A)과, 홈(102A)의 타단에 하방으로부터 기체를 배출하는 배출구(104A)를 구비한다. 도 6의 화살표로 나타낸 바와 같이, 홈(102A)은 폭이 좁은 측으로부터 기체를 공급하여 넓은 측으로 흘림으로써 베르누이의 효과에 의한 흡인력을 발생시킴과 함께, 그 기류로 기판 S의 이면의 클리닝을 행한다. 이면의 흡착력은, 그 기체가 흐르는 장소의 폭, 면적, 깊이 등에 의해 언밸런스가 발생하지만, 기체 공급측으로부터 배기측으로의 방향을 좌우 교대로 배치함으로써 언밸런스는 해소할 수 있어, 기판의 좌우의 흡인력의 밸런스를 유지할 수 있다.
본 변형예의 클리닝 장치를 사용하여, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판 S의 표면 및 이면을 클리닝한다.
(제2 변형예)
제2 변형예의 이물 제거 장치에 대하여 도 7을 사용하여 설명한다. 도 7은 제2 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 7의 (A)는 평면도, 도 7의 (B)는 도 7의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 7의 (C)는 도 7의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다.
제2 변형예의 이물 제거 장치(100B)는, 제1 변형예의 이물 제거 장치(100A)의 홈(102A)의 공급관(103A) 부근에 평면에서 보아 삼각 형상의 돌기(105)를 형성하여, 코안다 효과에 의해 흡인 효율을 높이도록 한 것이다.
본 변형예의 이물 제거 장치를 사용하여, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판 S의 표면 및 이면을 클리닝한다.
(제3 변형예)
제3 변형예의 이물 제거 장치에 대하여 도 8을 사용하여 설명한다. 도 8은 제3 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 8의 (A)는 평면도, 도 8의 (B)는 도 8의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 8의 (C)는 도 8의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다.
제3 변형예의 이물 제거 장치(100C)는, 제1 변형예의 이물 제거 장치(100A)의 플레이트(101A)의 기판 S와의 접촉면측에 0.1 내지 0.2㎜의 높이의 핀(돌기부)(106)을 기판의 흡인 시에 기판의 평탄도가 유지되도록 복수 설치한다. 본 예에서는, 핀(106)은 기판 폭 방향의 양단부에 5개씩, 중앙부에 7개, 양단부와 중앙부 사이에 3개씩 설치되어 있다. 본 변형예를 포함하는 실시 형태의 베르누이 흡착에서는, 기판과 흡인부 사이에 간극이 있어도 흡인력이 작용하기 때문에, 근접 간격에서의 포인트 접촉에 의해 핀만으로 흡착하면서 기판 S의 평탄도를 유지하고, 기판 S의 이면과의 접촉부를 최소한으로 유지하여(접촉 면적을 저감하여), 접촉부로부터의 이물 부착을 최소한으로 할(이물 부착의 포텐셜을 저감함) 수 있다.
본 변형예의 이물 제거 장치를 사용하여, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판 S의 표면 및 이면을 클리닝한다.
(제4 변형예)
제4 변형예의 기판 클리닝에 대하여 도 9를 사용하여 설명한다. 도 9는 제4 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 9의 (A)는 평면도, 도 9의 (B)는 도 9의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 9의 (C)는 도 9의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다.
제4 변형예의 이물 제거 장치(100D)는, 기판 S의 이면에 접하는 것이 가능한 플레이트(101D)를 구비한다. 플레이트(101D)는 그 상면측에 기판 폭 방향(Y 방향)을 따라서 연신되는 홈(102D)을 구비한다. 여기에서는, 플레이트(101D)의 X 방향 및 Y 방향의 길이는 플레이트(101A)의 X 방향 및 Y 방향의 길이와 동일하다. 홈(102D)은 폭(X 방향의 길이)이 일정하고, 일단으로부터 타단으로 서서히 깊이를 깊게 하는 구조이며, 홈(102D)은 좌우 교대로 배치된다. 플레이트(101D)는 홈(102D)의 일단에 하방으로부터 기체가 공급되는 공급관(103D)과, 홈(102D)의 타단에 하방으로부터 기체를 배출하는 배출구(104D)를 구비한다. 도 9의 화살표로 나타낸 바와 같이, 홈(102D)은 깊이가 얕은 측으로부터 기체를 공급하고, 깊은 측으로 흘림으로써 흡인력을 발생시킴과 함께, 기판 S의 이면의 클리닝을 행한다. 홈(102D)은, 좌우 교대로 배치됨으로써, 기판의 좌우의 흡인력의 밸런스를 유지할 수 있다.
이에 의해, 홈 폭이 균일화되어 클리닝 에어리어 폭을 다이의 설치 폭에 따라서 자유롭게 설정하는 것이 용이해진다. 또한, 흡인력의 강도는, 홈의 깊이 및 기류의 강도로 홈 폭(클리닝 에어리어)에 관계없이 조정할 수 있다.
본 변형예의 이물 제거 장치를 사용하여, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판 S의 표면 및 이면을 클리닝한다.
(제5 변형예)
제5 변형예의 기판의 클리닝에 대하여 도 10을 사용하여 설명한다. 도 10은 제5 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 10의 (A)는 평면도, 도 10의 (B)는 도 10의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 10의 (C)는 도 10의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이며, 도 10의 (D)는 베르누이 척의 단면도이다.
제5 변형예의 이물 제거 장치(100E)는, 기판 S의 이면측에 플레이트(101E)를 구비한다. 여기에서는, 플레이트(101E)의 X 방향 및 Y 방향의 길이는 플레이트(101A)의 X 방향 및 Y 방향의 길이와 동일하다. 플레이트(101E)는 그 상면측에 지그재그 배치되고, 평면에서 보아 원 형상의 베르누이 척(107)과, 베르누이 척(107) 사이에 지그재그 배치되며, 베르누이 척(107)의 상면보다 0.1 내지 0.2㎜ 높은 핀(돌기부)(106E)과, 베르누이 척(107)에 기체를 공급하는 공급구(103E)와, 베르누이 척(107)으로부터 분출된 기체를 배출하는 배출구(104E)를 구비한다. 기판 S는 핀(106E)과는 접촉하고, 베르누이 척(107)과는 접촉하지 않도록 핀(106E)의 높이가 설정되어 있다. 즉, 기판 S는 핀(106E)에 의해 보유 지지된다. 베르누이 척(107)은, 중앙부의 하방으로부터 기체를 분출시켜, 베르누이 척(107)의 상면과 기판 S의 간극을 흐르는 고속 기류에 의한 베르누이 효과에 의한 부압에 의해 흡인력을 발생시킴과 함께, 기판 S의 이면측의 클리닝을 행한다. 핀(돌기부)(106E)에 의해, 기판 S의 흡인 시에 기판 S의 평탄도를 유지할 수 있다.
본 변형예의 이물 제거 장치를 사용하여, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판 S의 표면 및 이면을 클리닝한다. 이 경우, 베르누이 척(107)의 외주의 기류가 흐르는 부분에 의해 클리닝을 행하지만, 1회의 흡착에서는 베르누이 척(107)의 중앙 부근이나, 베르누이 척(107) 간의 기류가 부딪치는 부분에서 기류가 약한 부분이 발생하지만(국소적인 기류의 흐름이 되어, 클리닝 효율이 나쁜 장소가 발생, 흘러간 이물의 방출처도 제각각이 되지만), 기판 S를 이동시킬 때마다 흡착, 클리닝을 행함으로써 지그재그로 배치한 베르누이 척(107)이 랜덤하게 배치되기 때문에, 클리닝력이 약한 부분을 없앨 수 있다.
(제6 변형예)
제6 변형예의 기판 클리닝에 대하여 도 11을 사용하여 설명한다. 도 11은 제6 변형예의 기판의 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 11의 (A)는 평면도, 도 11의 (B)는 도 11의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 11의 (C)는 도 11의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다.
제6 변형예의 이물 제거 장치(100F)는, 제5 변형예의 이물 제거 장치(100E)의 핀(106E)을 사용하지 않고, 베르누이 척(107)에 의해, 플레이트(101E)와 기판 S는 비접촉의 상태에서 클리닝을 행한다. 또한, 기판 S의 폭 방향의 양단부는 반송 가이드(52)에 의해 보유 지지되어 있다.
도 10의 (D)에 도시한 바와 같이, 베르누이 척(107)은 중앙부의 하방으로부터 기체를 분출하는 노즐(107a)과, 노즐(107a)의 주변에 복수의 오목부(107b)를 갖는다. 참고 문헌에 기재된 바와 같이, 베르누이 척(107)의 상면(작동면)(107c)과 기판 S의 간극이 큰 경우, 노즐(107a), 오목부(107b), 및 작동면(107c)과 기판 S의 간극은, 각각 이젝터 노즐, 진공실 및 디퓨저의 기능을 행하고, 그 때문에 오목부(107b)에는 부압이 발생되어 기판 S를 가까이 끌어당긴다. 기판 S가 가까이 끌어당겨져 작동면(107c)과의 간극이 작아지면, 오목부(107b)는 압력실형 에어 쿠션(호버크라프트)의 기능을 하여, 오목부(107b)의 압력이 급격하게 상승하고, 기판 S를 분리한다. 이 오목부(107b)의 균형된 압력을 유지하는 작동면(107c)과 기판 S의 거리를 자동적으로 유지하는 거리로, 비접촉의 상태로 유지할 수 있다.
[참고 문헌] 「『 기체 수직 분류 방식』을 채용하고, 기체류의 마찰 손실을 감소시킨 『베르누이 척』 『플로트 척 SA-C(SAN)형』 이론 해석」, URL http://www.solarlab.co.jp/sacr
이에 의해, 기판 S는 고정된 상태 그대로, 지그재그상으로 베르누이 척(107)을 배치한 플레이트(101E)를 다이의 피치(기판 클리닝 에어리어) 이상의 폭으로 전후(X 방향)로 이동시킬 수 있어, 비접촉 상태에서 균등하게 클리닝을 행할 수 있다. 또한, 원형으로 플레이트를 구성하여 회전시킴으로써, 비접촉 상태에서 균등하게 클리닝을 행하도록 해도 된다.
본 변형예의 클리닝 장치를 사용하여, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판 S의 표면 및 이면을 클리닝한다. 단, 제1 실시 형태의 클리닝 동작의 스텝 S2 또는 스텝 S3에 있어서, 상술한 바와 같이 플레이트(101E)를 이동시킨다.
(제7 변형예)
제7 변형예의 기판의 클리닝에 대하여 도 12를 사용하여 설명한다. 도 12는 제7 변형예의 기판 이면용의 이물 제거 장치를 설명하는 도면이며, 도 12의 (A)는 평면도, 도 12의 (B)는 도 12의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 12의 (C)는 도 11의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다.
제7 변형예의 이물 제거 장치(100G)는, 제6 변형예의 이물 제거 장치(100F)의 플레이트(101E)의 베르누이 척(107) 이외의 장소에 흡인구(101a)를 형성한 플레이트(101G)와, 플레이트(101G)의 측면 및 하면을 덮는 깔때기상의 커버(108)를 구비한다. 여기에서는, 플레이트(101G)의 X 방향 및 Y 방향의 길이는 플레이트(101E)의 X 방향 및 Y 방향의 길이와 동일하다. 기류에 의해 제거된 이물은 커버(108)의 배출구로부터 흡인된다.
본 변형예의 이물 제거 장치를 사용하여, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 기판 S의 표면 및 이면을 클리닝한다. 단, 제1 실시 형태의 클리닝 동작의 스텝 S2 또는 스텝 S3에 있어서, 상술한 바와 같이 흡인 기구에 의해 흡인구(101a)를 통해 이물을 흡인한다.
제5 변형예의 이물 제거 장치(100E)의 플레이트(101E)의 베르누이 척(107) 이외의 장소에 흡인구를 형성하여, 기류에 의해 제거된 이물을 흡인하는 기구를 설치해도 된다.
제1 실시 형태 및 그 변형예에 의하면, 기판의 휨을 교정한 상태에서 기판의 이면의 클리닝을 행할 수 있다. 또한, 동시에 기판의 표면 및 이면의 양쪽을 클리닝할 수 있다. 기판의 양면의 클리닝을 행하는 경우, 클리닝 시간을 단축할 수 있다. 또한, 기판의 휨 교정에 새로운 기구가 불필요하여, 비용을 저감할 수 있다. 또한, 기판의 표면의 클리닝 시에 진공 흡착 스테이지를 사용하지 않으므로, 이물의 기판의 이면에의 부착을 저감할 수 있다. 또한, 기판의 이면의 클리닝도 가능하게 되어, 기판의 이면의 이물에 의한 본딩 시의 보이드 등의 발생을 저감할 수 있다. 또한, 스루풋 향상을 예상할 수 있다.
<제2 실시 형태>
제1 실시 형태는 베르누이 효과에 의해 기판을 흡착하면서 클리닝을 행하지만, 제2 실시 형태는 베르누이 효과에 의해 기판을 흡착하는 것이 아니라, 에어 블로우에 의해 클리닝을 행한다.
제2 실시 형태의 기판의 클리닝에 대하여 도 13 내지 도 15를 사용하여 설명한다. 도 13은 제2 실시 형태의 이물 제거 장치의 기판의 표면측을 설명하는 도면이며, 도 13의 (A)는 평면도, 도 13의 (B)는 도 13의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 13의 (C)는 도 13의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다. 도 14는 제2 실시 형태의 이물 제거 장치의 기판의 이면측을 설명하는 도면이며, 도 14의 (A)는 평면도, 도 14의 (B)는 도 14의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 14의 (C)는 도 14의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다. 도 15는 제2 실시 형태의 이물 제거 장치의 기판의 표면측 및 이면측을 설명하는 도면이며, 도 15의 (A)는 평면도, 도 15의 (B)는 도 15의 (A)의 B1-B2선에 있어서의 단면도, 도 15의 (C)는 도 15의 (A)의 C1-C2선에 있어서의 단면도이다.
도 13에 도시한 바와 같이, 제2 실시 형태의 이물 제거 장치(200)는, 반송 가이드(52)에서 반송되는 기판 S의 상면을 덮는 상부 커버(플레이트)(201U)와, 상부 커버(201U)와 기판 S 사이에 반송 가이드(52)의 근방으로부터 기체를 Y 방향으로 흘리기 위한 노즐(203U)을 구비한다. 노즐(203U)은 상부 커버(201U)의 상방으로부터 기판 S측으로 연신되고, 기판 S와 평행하게 기체가 분출되도록 만곡되어 있다. 기판 반송 위치(높이)와 상부 커버(201U)의 간격은, 2 내지 5㎜ 정도로 하고, 상부 커버의 X 방향의 길이, 즉, 기판 S의 통과 부분의 길이(Lc)는 기판 길이(Ls)보다 길고, 사용하는 기판의 최대 폭과 동등한 폭이 바람직하다.
도 14에 도시한 바와 같이, 제2 실시 형태의 이물 제거 장치(200)는, 반송 가이드(52)에서 반송되는 기판 S의 하면을 덮는 하부 커버(플레이트)(201L)와, 하부 커버(201L)와 기판 S 사이에 반송 가이드(52)의 근방에서 기체를 Y 방향으로 흘리기 위한 노즐(203L)을 구비한다. 노즐(203L)은 하부 커버(201L)의 하방으로부터 기판 S측으로 연신되고, 기판 S와 평행하게 기체가 분출되도록 만곡되어 있다. 기판 반송 위치(높이)와 하부 커버(201L)의 간격은, 2 내지 5㎜ 정도로 하고, 하부 커버의 X 방향의 길이, 즉, 기판 S의 통과 부분의 길이(Lc)는 기판 길이(Ls)보다 길고, 사용하는 기판의 최대 폭과 동등한 폭이 바람직하다.
도 15에 도시한 바와 같이, 이물 제거 장치(200)의 상부 커버(201U)와 하부 커버(201L) 사이를, 기판 S를 X 방향으로 반송하면서, 한쪽의 반송 가이드(52)의 근방의 노즐(203U) 및 노즐(203L)로부터 기체를 분출하여 Y 방향으로 기체를 흘리고 반대측의 반송 가이드(52)의 근방으로부터 흡인하는 에어 블로우에 의해 기판 S의 표면 및 이면의 클리닝을 행한다.
<제2 실시 형태의 변형예>
이하, 제2 실시 형태의 대표적인 변형예에 대하여, 몇 가지를 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 제2 실시 형태에서 설명된 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 제2 실시 형태와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 제2 실시 형태에 있어서의 설명이 적절히 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 제1 실시 형태 또는 제2 실시 형태의 일부, 및, 제1 실시 형태 또는 제2 실시 형태의 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 적절히, 복합적으로 적용될 수 있다.
(제8 변형예)
도 16은 제8 변형예의 이물 제거 장치의 기판의 표면측 및 이면측을 설명하는 단면도이다.
제2 실시 형태에서는, 만곡된 노즐(203U, 203L)에 의해, 기체를 상방 또는 하방으로부터 도입하여, 기판과 평행하게 기체를 분출하는 구성으로 하고 있지만, 제1 변형예의 이물 제거 장치(200A)는, 노즐(203U, 203L) 대신에 하기의 구성에 의해 기체를 분출하고 있다.
이물 제거 장치(200A)에서는, 한쪽의 반송 가이드(52)의 상방에 설치한 기체 공급부(203UA)의 기체 분출구(203a)로부터 상부 커버(201U)와 기판 S 사이에 기체를 분출하고, 그 반송 가이드(52)의 하방에 설치한 기체 공급부(203LA)의 기체 분출구(203b)로부터 하부 커버(201L)와 기판 S 사이에 기체를 분출한다. 에어 블로우에 의해 기판 S의 양면으로부터 제거된 이물은 다른 쪽의 반송 가이드(52)의 상방에 형성된 흡입구(204a)와 하방에 형성된 흡입구(204b)를 구비하는 배기부(204)에 의해 배기구(204c)로부터 배기된다.
(제9 변형예)
도 17은 제9 변형예의 이물 제거 장치의 기판의 표면측 및 이면측을 설명하는 단면도이다.
제9 변형예의 이물 제거 장치(200B)는, 제8 변형예의 이물 제거 장치(200A)의 상부 커버(201U) 및 하부 커버(201L)의 기판 S측의 표면에 기판과의 사이에 난류가 되는 돌기(205)를 형성하여, 클리닝 능력을 향상시키는 것이다. 돌기(205) 대신에 홈이어도 된다.
(제10 변형예)
도 18은 제10 변형예의 이물 제거 장치의 기판의 표면측 및 이면측을 설명하는 도면이며, 도 18의 (A)는 기판이 위로 휘어 있는 경우의 단면도, 도 18의 (B)는 기판이 아래로 휘어 있는 경우의 단면도, 도 18의 (C)는 기판에 휨이 없는 경우의 단면도이다.
제2 실시 형태에서는 한쪽의 반송 가이드(52)의 근방으로부터 기체를 분출하여 Y 방향으로 기체를 흘리고 반대측의 반송 가이드(52)의 근방으로부터 흡인하는 에어 블로우에 의해 기판 S의 표면 및 이면의 클리닝을 행하지만, 제10 변형예의 이물 제거 장치(200C)에서는 상부 커버(201U)의 중앙부의 분출구(201a) 및 하부 커버(201L)의 중앙부의 분출구(201b)로부터 에어 블로우를 행하고, 그 에어를 반송 가이드(52)가 위치하는 측의 양단으로부터 배기하도록 구성한다. 기판 중앙부의 양면으로부터의 에어 블로우에 의해, 기판 S의 휨을 조정(교정)하여 평탄한 상태에서 반송하면서, 동시에 기판 S의 양면의 클리닝을 행한다.
도 18의 (A)에 도시한 바와 같이, 기판 S가 위로 휘어 있는 경우에는, 상부 커버(201U)측의 에어 블로우양을 많게 하고, 하부 커버(201L)측의 에어 블로우양을 적게 한다. 도 18의 (B)에 도시한 바와 같이, 기판 S가 아래로 휘어 있는 경우에는, 상부 커버(201U)측의 에어 블로우양을 적게 하고, 하부 커버(201L)측의 에어 블로우양을 많게 한다. 도 18의 (C)에 도시한 바와 같이, 기판 S에 휨이 없는 경우에는, 상부 커버(201U)측의 에어 블로우양과 하부 커버(201L)측의 에어 블로우양을 동일하게 한다.
(제11 변형예)
도 19는 제11 변형예의 이물 제거 장치의 기판의 표면측 및 이면측을 설명하는 단면도이다.
제11 변형예의 이물 제거 장치(200D)는, 제10 변형예의 이물 제거 장치(200C)의 분출구(201a, 201b)에 비접촉 변이 센서(206)를 설치하고, 기판 S와의 간격을 측정하여 휨을 판단하고, 상부 커버(201U) 및 하부 커버(201L)와 기판 S를 소정의 간격으로 유지하도록 에어양을 조정하여 컨트롤을 행한다. 또한, 상부 커버(201U) 및 하부 커버(201L)의 높이(위치)는, 자동 조정 가능하게 하고 비접촉 변이 센서(206)에 의해 기판 S와의 간격을 확인하면서 상부 커버(201U) 및 하부 커버(201L)의 위치를 좁혀, 클리닝 효율을 향상시키도록 해도 된다.
제2 실시 형태 및 그 변형예에서는, 기판 반송로의 상하에 덮개(커버)를 하여, 기판과의 사이에 기체를 흘리고, 기판의 단부측으로부터 흡인하여 반송 중인 기판의 클리닝을 행한다. 이에 의해, 반송 에어리어의 공간에 청정 에어리어를 설정함과 함께, 기판의 이면측과 표면측을 기판 자신에 의해 이격할 수 있다. 또한, 기판 전체면을 일괄적으로 클리닝할 수 있고, 면적당의 클리닝 시간을 길게 할 수 있어, 이물 제거율을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판의 표면 및 이면의 양쪽을 동시에 반송 중에 클리닝할 수 있다. 반송 중에 클리닝을 행할 수 있어, 클리닝 노즐이 이동하는 시간을 삭감할 수 있으므로, 클리닝 시간을 단축할 수 있다. 또한, 클리닝 중의 제거 이물의 확산이 방지되어, 클리닝 후의 반송 중인 기판에 이물이 다시 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판의 이면의 클리닝이 행해지므로, 기판의 이면의 이물에 의한 본딩 시의 보이드 등의 발생을 저감할 수 있다. 또한, 청정 에어가 흐르는 공간을, 적절한 위치 관계로 유지할 수 있어, 최적의 이물 제거 상태를 안정적으로 유지할 수 있다. 또한, 기판 반송 시의 휨도 방지되고, 상부 커버 및 하부 커버와 기판의 간격을 적절하게 유지할 수 있어, 접촉 등을 방지할 수 있으므로, 반송 트러블을 감소시킬 수 있다.
[실시예]
도 20은 실시예에 관한 다이 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 21은 도 20에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
다이 본더(10)는 크게 나누어, 1개 또는 복수의 최종 1패키지가 되는 제품 에어리어(이하, 패키지 에어리어 P라 함)를 프린트한 기판 S에 실장하는 다이 D를 공급하는 다이 공급부(1)와, 픽업부(2), 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5), 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이며, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 전방측에 배치되고, 본딩부(4)가 후방측에 배치된다.
먼저, 다이 공급부(1)는 기판 S의 패키지 에어리어 P에 실장하는 다이 D를 공급한다. 다이 공급부(1)는 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이 D를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동하여, 픽업하는 다이 D를 밀어올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.
픽업부(2)는, 다이 D를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어올려진 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(22)(도 21도 참조)을 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이 D를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.
중간 스테이지부(3)는 다이 D를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이 D를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.
본딩부(4)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하여, 본딩 스테이지 BS 상으로 반송되어 오는 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩하거나, 또는 이미 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)(도 21도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하여, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판 S에 다이 D를 본딩한다.
반송부(5)는, 기판 S를 파지하여 반송하는 기판 반송 갈고리(51)와, 기판 S가 이동하는 반송 가이드(52)를 갖는다. 기판 S는, 반송 가이드(52)에 설치된 기판 반송 갈고리(51)의 도시하지 않은 너트를 반송 가이드(52)를 따라서 설치된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 X 방향으로 이동한다.
이와 같은 구성에 의해, 기판 S는, 기판 공급부(6)로부터 반송 가이드(52)를 따라서 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여, 기판 반출부(7)에 기판 S를 건네준다.
제어부(8)는, 다이 본더(10)의 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다.
이물 제거 장치(9)는, 에어 분출 및 에어 흡입을 행하는 클리닝 노즐(91)과, 클리닝 노즐(91)을 Y 방향 및 Z 방향으로 구동하는 구동부(93)를 갖는다.
다음으로, 다이 공급부(1)의 구성에 대하여 도 22, 도 23을 사용하여 설명한다. 도 22는 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면이다. 도 23은 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
다이 공급부(1)는, 수평 방향(XY 방향)으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 밀어올림 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되며 복수의 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.
다이 공급부(1)는, 다이 D의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 잡아늘여져 다이 D의 간격이 확대되고, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이 D 하방으로부터 다이 D를 밀어올려, 다이 D의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 박형화에 수반하여 다이를 기판에 접착하는 접착제는, 액상으로부터 필름상이 되고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에 다이 어태치 필름(DAF)(18)이라 불리는 필름상의 접착 재료를 접착하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대하여 행해진다. 따라서, 박리 공정에서는, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다. 다이 어태치 필름(18)은 가열함으로써 경화된다.
다이 본더(10)는, 웨이퍼(11) 상의 다이 D의 자세를 인식하는 웨이퍼 인식 카메라(24)와, 중간 스테이지(31)에 적재된 다이 D의 자세를 인식하는 스테이지 인식 카메라(32)와, 본딩 스테이지 BS 상의 실장 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다. 인식 카메라간의 자세 어긋남 보정해야만 하는 것은, 본딩 헤드(41)에 의한 픽업에 관여하는 스테이지 인식 카메라(32)와, 본딩 헤드(41)에 의한 실장 위치에의 본딩에 관여하는 기판 인식 카메라(44)이다.
도 24는 도 20의 다이 본더에 있어서의 다이 본딩 공정을 설명하는 플로우차트이다.
실시예의 다이 본딩 공정에서는, 먼저, 제어부(8)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하고 있는 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트로부터 취출하여 웨이퍼 보유 지지대(12)에 적재하고, 웨이퍼 보유 지지대(12)를 다이 D의 픽업이 행해지는 기준 위치까지 반송한다(웨이퍼 로딩). 계속해서, 제어부(8)는 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 취득한 화상으로부터, 웨이퍼(11)의 배치 위치가 그 기준 위치와 정확하게 일치하도록 미세 조정을 행한다.
다음으로, 제어부(8)는, 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 소정 피치로 피치 이동시켜, 수평으로 보유 지지함으로써, 최초로 픽업되는 다이 D를 픽업 위치에 배치한다(다이 반송). 웨이퍼(11)는, 미리 프로버 등의 검사 장치에 의해, 다이마다 검사되어, 다이마다 양호, 불량을 나타내는 맵 데이터가 생성되고, 제어부(8)의 기억 장치에 기억된다. 픽업 대상이 되는 다이 D가 양품인지, 불량품인지의 판정은 맵 데이터에 의해 행해진다. 제어부(8)는, 다이 D가 불량품인 경우에는, 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 소정 피치로 피치 이동시켜, 다음에 픽업되는 다이 D를 픽업 위치에 배치하고, 불량품의 다이 D를 스킵한다.
제어부(8)는, 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 픽업 대상인 다이 D의 주면(상면)을 촬영하고, 취득한 화상으로부터 픽업 대상인 다이 D의 상기 픽업 위치로부터의 위치 어긋남양을 산출한다. 제어부(8)는, 이 위치 어긋남양을 기초로 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 이동시켜, 픽업 대상인 다이 D를 픽업 위치에 정확하게 배치한다(다이 확인(스텝 S1)).
제어부(8)는, 기판 공급부(6)에서 기판 S를 반송 가이드(52)에 적재한다(기판 로딩). 제어부(8)는 기판 S를 본딩 위치까지 이동시킨다(기판 반송).
제어부(8)는 기판의 이물을 제거하기 위해 기판 S를 클리닝한다(기판 클리닝(스텝 S3)). 기판 클리닝은, 표면은 이물 제거 장치(9)를 사용하고, 이면은 제1 실시 형태, 제1 변형예 내지 제7 변형예 중 어느 하나의 이물 제거 장치를 사용하여, 실시 형태에서 상술한 바와 같이 행한다.
제어부(8)는, 본딩하기 위해 본딩 전에 기판 인식 카메라(44)에 의해 기판을 촬상하여 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치를 인식하고 위치 결정을 행한다(기판 인식(스텝 S4)).
제어부(8)는, 픽업 대상인 다이 D를 정확하게 픽업 위치에 배치한 후, 콜릿(42)을 포함하는 본딩 헤드(41)에 의해 다이싱 테이프(16)로부터 다이 D를 픽업하고(스텝 S2), 스텝 S4의 기판 인식 결과에 기초하여 패키지 에어리어 P 또는 이미 패키지 에어리어 P에 본딩되어 있는 다이에 다이 본딩한다(스텝 S5).
제어부(8)는, 다이 D를 본딩한 후, 그 본딩 위치가 정확하게 이루어져 있는지를 검사한다. 제어부(8)는 본딩 실장 결과를 검사하기 위해 다시, 기판 인식 카메라(44)에 의해 기판 S의 패키지 에어리어 P를 촬상하여 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 인식을 행한다(스텝 S6). 제어부(8)는, 기판 인식 카메라(44)에 의해 다이 D를 촬상하여 다이 D의 위치 인식을 행하고(스텝 S7), 기판 인식 및 다이 인식 결과로부터 본딩한 다이 D의 위치의 검사를 행한다. 제어부(8)는 사전에 등록되어 있는 본딩 위치와 비교하여 수치 출력과 검사·판정을 행한다.
이후, 마찬가지의 수순에 따라서 다이 D를 1개씩 기판 S의 패키지 에어리어 P에 본딩한다. 1개의 기판의 본딩이 완료되면, 기판 S를 기판 반출부(7)까지 이동시켜(기판 반송), 기판 반출부(7)에 기판 S를 건네준다(기판 언로딩).
또한, 마찬가지의 수순에 따라서 다이 D가 1개씩 다이싱 테이프(16)로부터 박리된다. 불량품을 제외한 모든 다이 D의 픽업이 완료되면, 그것들 다이 D를 웨이퍼(11)의 외형으로 보유 지지하고 있던 다이싱 테이프(16) 및 웨이퍼 링(14) 등을 웨이퍼 카세트에 언로딩한다.
이상, 본 발명자들에 의해 이루어진 발명을 실시 형태, 변형예 및 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태, 변형예 및 실시예에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들어, 제1 실시 형태 및 그 변형예에 있어서, 플레이트의 기류가 흐르는 에어리어에 기류가 난류가 되는 돌기를 형성하여, 클리닝 효율을 향상시키도록 해도 된다.
제1 실시 형태 및 그 변형예에서는, 기판의 표면의 클리닝에는 이물 제거 장치(9)를 사용하는 예를 설명하였지만, 기판의 표면의 클리닝에 기판의 이면의 클리닝과 마찬가지로 제1 실시 형태 및 그 변형예의 이물 제거 장치를 사용해도 된다. 이 경우, 기판의 표면측의 이물 제거 장치의 플레이트의 흡인력은 기판의 이면측의 이물 제거 장치의 플레이트보다 약하게 설정한다. 예를 들어, 기판의 표면측의 이물 제거 장치의 플레이트에 흘리는 기류를 약하게 하거나, 홈의 확대를 완만하게 하거나, 홈의 깊이의 변화를 완만하게 하거나 한다.
제2 실시 형태에서는, 이물 제거 장치는 기판의 표면 및 이면의 양면을 클리닝하는 예를 설명하였지만, 기판의 표면 또는 이면 중 어느 한쪽만을 클리닝해도 된다.
또한, 실시예에서는, 기판의 표면은 이물 제거 장치(9), 이면은 제1 실시 형태 및 그 변형예 중 어느 하나의 이물 제거 장치를 사용하는 예를 설명하였지만, 표면도 제1 실시 형태 및 그 변형예 중 어느 하나의 이물 제거 장치를 사용해도 된다. 또한, 표면 및 이면은 제2 실시 형태 및 그 변형예 중 어느 하나의 이물 제거 장치를 사용해도 된다. 또한, 표면은 제2 실시 형태 및 그 변형예 중 어느 하나의 이물 제거 장치를 사용하고, 이면은 제1 실시 형태 및 그 변형예 중 어느 하나의 이물 제거 장치를 사용해도 된다.
또한, 제2 실시 형태에 있어서, 상부 커버 및 하부 커버에 에어 분출구와 흡인구를 형성하여, 개개의 다이 설치 에어리어마다 클리닝을 행하도록 해도 된다.
또한, 실시예는, 본딩 헤드(41)의 이동 거리를 짧게 하여 처리 시간을 단축하기 위해 중간 스테이지(31)를 설치하였지만, 중간 스테이지(31)를 설치하지 않고 직접 본딩 헤드(41)에 의해 웨이퍼로부터 다이 D를 픽업하는 구성으로 해도 된다.
또한, 콜릿을 회전하는 구동부를 설치하여, 픽업한 다이의 상하를 반전 가능한 플립 헤드로 할 수도 있다.
또한, 픽업부와 얼라인먼트부와 본딩부를 포함하는 실장부 및 반송 가이드를 복수조 구비한 다이 본더여도 되고, 픽업부와 얼라인먼트부와 본딩부를 포함하는 실장부를 복수조 구비하고, 반송 가이드는 하나 구비해도 된다.
또한, 제2 실시 형태에서는 기판 반송 중에 클리닝을 실시하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 선행의 기판에 대한 다이 본딩 중의 대기 위치에서 정지 중에 클리닝을 행해도 된다.
5 : 반송부
52 : 반송 가이드
9 : 이물 제거 장치
91 : 클리닝 노즐
100 : 이물 제거 장치
101 : 플레이트
102 : 홈
103 : 공급관
104 : 배출구
S : 기판
P : 패키지 에어리어

Claims (25)

  1. 다이가 적재되는 영역을 복수열 갖는 기판을 제1 방향으로 반송하는 반송부와,
    상기 기판의 제1 면의 이물을 제거하는 제1 이물 제거 장치와,
    상기 기판의 상기 제1 면과 반대측의 제2 면의 이물을 제거하는 제2 이물 제거 장치와,
    픽업한 다이를 상기 기판에 본딩하는 본딩 헤드
    를 구비하고,
    상기 제1 이물 제거 장치는 상기 기판으로부터 이격된 위치에 플레이트를 구비하고, 상기 기판과 상기 플레이트 사이에 기체를 흘려, 상기 기판의 상기 제1 면의 이물을 제거하는 다이 본딩 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 이물 제거 장치는, 상기 기판과 상기 플레이트 사이에 상기 기체를 흘려, 상기 기판을 흡착하는 다이 본딩 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 플레이트는 제1 홈과 상기 제1 홈에 인접하는 제2 홈을 갖고,
    상기 제1 이물 제거 장치는, 상기 제1 홈 및 상기 제2 홈 중에 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 상기 기체를 흘리는 다이 본딩 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 홈 및 상기 제2 홈에 있어서, 상기 기판의 일단측으로부터 타단측으로 상기 제2 방향을 따라서 상기 기체를 흘리는 다이 본딩 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 홈은 상기 기판의 일단측으로부터 상기 기판의 타단측으로 감에 따라 홈 폭이 넓어지고,
    상기 제2 홈은 상기 타단측으로부터 상기 일단측으로 감에 따라 홈 폭이 넓어지고,
    상기 제1 이물 제거 장치는, 상기 기체를 상기 홈 폭이 좁은 측으로부터 넓은 측으로 흘리는 다이 본딩 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 홈 및 상기 제2 홈의 각 홈은 상기 홈 폭이 좁은 측에 평면에서 보아 삼각형의 돌기부를 갖는 다이 본딩 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 이물 제거 장치는 상기 플레이트의 주변 및 상기 제1 홈과 상기 제2 홈 사이의 상기 기판과 대향하는 면에 상기 기판의 상기 제1 면과 맞닿는 돌기부를 갖는 다이 본딩 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 제1 홈은 상기 기판의 일단측으로부터 상기 기판의 타단측으로 감에 따라 홈 깊이가 깊어지고,
    상기 제2 홈은 상기 타단측으로부터 상기 일단측으로 감에 따라 홈 깊이가 깊어지고,
    상기 제1 이물 제거 장치는, 상기 기체를 상기 홈 깊이가 얕은 측으로부터 깊은 측으로 흘리는 다이 본딩 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 제1 이물 제거 장치는, 상기 플레이트의 상기 기판과 대향하는 면측에 지그재그로 배치되는 복수의 베르누이 척을 갖는 다이 본딩 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 이물 제거 장치는, 상기 플레이트의 상기 기판과 대향하는 면측의 상기 복수의 베르누이 척의 사이에 배치되는 돌기부를 갖는 다이 본딩 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 이물 제거 장치는, 상기 플레이트의 상기 기판과 대향하는 면측의 상기 복수의 베르누이 척의 사이에 배치되는 흡인구를 갖는 다이 본딩 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 이물 제거 장치는, 분출 구멍과 해당 분출 구멍을 둘러싸도록 흡입 구멍이 형성되어 있는 클리닝 노즐을 구비하고,
    상기 클리닝 노즐을 상기 제1 방향과는 상이한 제3 방향으로 이동시키는 다이 본딩 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 제1 방향의 길이는 상기 기판의 상기 제1 방향의 길이보다도 짧은 다이 본딩 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 이물 제거 장치는, 상기 기판의 일단측으로부터 타단측으로 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 상기 기체를 흘리는 다이 본딩 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 이물 제거 장치는 상기 기판으로부터 이격된 위치에 제2 플레이트를 구비하고, 상기 기판과 상기 제2 플레이트 사이에 기체를 흘려, 상기 기판의 상기 제2 면의 이물을 제거하는 다이 본딩 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 이물 제거 장치는, 상기 기판의 일단측으로부터 타단측으로 상기 제2 방향으로 상기 기체를 흘리는 다이 본딩 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 제1 이물 제거 장치는 상기 플레이트의 중앙부에 상기 기판과의 간격을 확인하는 비접촉 변위 센서를 구비하고, 상기 기판의 중앙측으로부터 단부측으로 상기 기체를 흘리는 다이 본딩 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 이물 제거 장치는 상기 기판으로부터 이격된 위치에 제2 플레이트를 구비하고, 상기 기판과 상기 제2 플레이트 사이에 기체를 흘려, 상기 기판의 상기 제2 면의 이물을 제거하는 다이 본딩 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제2 이물 제거 장치는 상기 플레이트의 중앙부에 상기 기판과의 간격을 확인하는 비접촉 변위 센서를 구비하고, 상기 기판의 중앙측으로부터 단부측으로 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 상기 기체를 흘리는 다이 본딩 장치.
  20. 제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 이물 제거 장치는, 상기 기판의 반송 중 혹은 선행의 기판에 대한 다이 본딩 중의 대기 위치에서 정지 중에 클리닝을 행하는 다이 본딩 장치.
  21. (a) 다이가 접착된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링 홀더를 반입하는 공정과,
    (b) 기판을 반입하는 공정과,
    (c) 상기 기판을 제1 방향으로 반송하는 공정과,
    (d) 상기 기판을 클리닝하는 공정과,
    (e) 상기 다이를 픽업하는 공정과,
    (f) 픽업한 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩하는 공정
    을 구비하고,
    상기 (d) 공정은,
    (d1) 상기 기판의 이면을 클리닝하는 공정과,
    (d2) 상기 기판의 표면을 클리닝하는 공정과,
    (d3) 상기 기판을 반송하는 공정
    을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 (d1) 공정은, 상기 기판과 플레이트 사이에 기체를 흘려 상기 기판의 이면을 상기 플레이트에 의해 흡착하고 상기 기판의 이면을 클리닝하고,
    상기 (d2) 공정은, 상기 기판의 표면을 분출 구멍과 해당 분출 구멍을 둘러싸도록 흡입 구멍이 형성되어 있는 클리닝 노즐을 상기 제1 방향과는 상이한 제2 방향으로 이동시켜, 상기 기판의 표면의 클리닝 에어리어를 클리닝하는 반도체 장치의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 (d3) 공정은, 상기 기판을 상기 클리닝 에어리어의 다음 클리닝 에어리어로 반송하고,
    상기 (d1) 공정 및 상기 (d2) 공정을 행하는 반도체 장치의 제조 방법.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 (d1) 공정은, 상기 기판을 반송하면서, 상기 기판과 제1 플레이트 사이에 상기 기판의 일단측으로부터 타단측으로 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 기체를 흘려 상기 기판의 이면을 클리닝하고,
    상기 (d2) 공정은, 상기 기판을 반송하면서, 상기 기판과 제2 플레이트 사이에 상기 기판의 일단측으로부터 타단측으로 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 기체를 흘려 상기 기판의 표면을 클리닝하는 반도체 장치의 제조 방법.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 (d1) 공정은, 상기 기판을 반송하면서, 상기 기판과 제1 플레이트 사이에 상기 기판의 중앙측으로부터 단부측으로 기체를 흘려 상기 기판의 이면을 클리닝하고,
    상기 (d2) 공정은, 상기 기판을 반송하면서, 상기 기판과 제2 플레이트 사이에 상기 기판의 중앙측으로부터 단부측으로 기체를 흘려 상기 기판의 표면을 클리닝하는 반도체 장치의 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210153469A (ko) * 2020-06-10 2021-12-17 세메스 주식회사 기판 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR20220022448A (ko) * 2020-08-18 2022-02-25 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7328848B2 (ja) * 2019-09-20 2023-08-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JPWO2022239570A1 (ko) * 2021-05-14 2022-11-17
CN115069684B (zh) * 2022-07-21 2022-10-28 山东睿芯半导体科技有限公司 芯片自动除尘设备
CN117059499B (zh) * 2023-08-24 2024-02-02 无锡凯扬自动化设备有限公司 一种半导体贴装焊接一体设备

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000107715A (ja) * 1998-10-07 2000-04-18 Sharp Corp 基板クリーニング装置
JP2002050655A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Toray Eng Co Ltd チップ実装方法及びこれに用いられる基板洗浄装置
JP2003218136A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装装置及び実装方法
KR20080024548A (ko) * 2005-09-09 2008-03-19 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤 스폿 클리너
KR20100076820A (ko) * 2008-12-26 2010-07-06 엘지디스플레이 주식회사 기판 세정장치
JP2010162445A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Elfo-Tec:Kk 除塵洗浄方法及び装置
KR20120107788A (ko) * 2011-03-22 2012-10-04 박봉선 비접촉 평판 이송장치
JP2012199458A (ja) 2011-03-23 2012-10-18 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ
KR20130031462A (ko) * 2011-09-21 2013-03-29 주식회사 나래나노텍 기판 부상 스테이지용 에어홀 구조, 에어홀 유닛, 및 이를 구비한 기판 부상 스테이지 및 기판 부상 장치
JP2013154275A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Ricoh Co Ltd 乾式クリーニング装置及び乾式クリーニング方法
JP2014024063A (ja) * 2013-10-23 2014-02-06 Ricoh Co Ltd 乾式クリーニング装置
WO2017204333A1 (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 株式会社新川 異物除去装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09321013A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Olympus Optical Co Ltd 異物除去装置
US20050126605A1 (en) * 2003-12-15 2005-06-16 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Apparatus and method for cleaning surfaces
JP4579071B2 (ja) * 2005-07-06 2010-11-10 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 基板用搬送除塵装置
WO2007007407A1 (ja) * 2005-07-07 2007-01-18 Hugle Electronics Inc. スポットクリーナ
JP5380980B2 (ja) * 2008-09-29 2014-01-08 セイコーエプソン株式会社 ワーク移動テーブルおよびこれを備えた液滴吐出装置
CN104319251B (zh) * 2014-10-29 2018-02-06 三星半导体(中国)研究开发有限公司 芯片拾取装置
JP6651327B2 (ja) * 2015-10-15 2020-02-19 東レエンジニアリング株式会社 シート材のエアフロート装置
JP6067091B2 (ja) * 2015-12-21 2017-01-25 ファスフォードテクノロジ株式会社 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000107715A (ja) * 1998-10-07 2000-04-18 Sharp Corp 基板クリーニング装置
JP2002050655A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Toray Eng Co Ltd チップ実装方法及びこれに用いられる基板洗浄装置
JP2003218136A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装装置及び実装方法
KR20080024548A (ko) * 2005-09-09 2008-03-19 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤 스폿 클리너
KR20100076820A (ko) * 2008-12-26 2010-07-06 엘지디스플레이 주식회사 기판 세정장치
JP2010162445A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Elfo-Tec:Kk 除塵洗浄方法及び装置
KR20120107788A (ko) * 2011-03-22 2012-10-04 박봉선 비접촉 평판 이송장치
JP2012199458A (ja) 2011-03-23 2012-10-18 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 異物除去装置及びそれを備えたダイボンダ
KR20130031462A (ko) * 2011-09-21 2013-03-29 주식회사 나래나노텍 기판 부상 스테이지용 에어홀 구조, 에어홀 유닛, 및 이를 구비한 기판 부상 스테이지 및 기판 부상 장치
JP2013154275A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Ricoh Co Ltd 乾式クリーニング装置及び乾式クリーニング方法
JP2014024063A (ja) * 2013-10-23 2014-02-06 Ricoh Co Ltd 乾式クリーニング装置
WO2017204333A1 (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 株式会社新川 異物除去装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210153469A (ko) * 2020-06-10 2021-12-17 세메스 주식회사 기판 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR20220022448A (ko) * 2020-08-18 2022-02-25 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치, 클리닝 헤드 및 반도체 장치의 제조 방법

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Publication number Publication date
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