TW201602713A - 曝光罩之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題是提供與以往的方法相比，可用簡單的步驟便宜地製造曝光罩的曝光罩之製造方法。解決手段是晶圓加工用的曝光罩之製造方法，並做成包括準備步驟、溝形成步驟及樹脂埋設步驟之構成。該準備步驟是準備在具有加工的晶圓以上之大小且透光之板狀構件的表面上被覆有遮光之遮光膜的遮光板，該溝形成步驟是在遮光板的表面側之對應於晶圓之切割道的區域中，去除遮光膜且形成深度未達遮光板的背面之溝，該樹脂埋設步驟是在溝中埋設透明的樹脂以填補在溝形成步驟中形成於溝的底部之凹凸。

Description

曝光罩之製造方法 發明領域

本發明是有關於一種在加工晶圓時所使用的曝光罩之製造方法。

發明背景

在以行動電話所代表之小型輕量之電子機器中，具備IC、LSI等電子電路的元件晶片已成為必需的構成。元件晶片可以藉由例如下列的方式來製造：將以矽等材料所製成的晶圓的表面以被稱為切割道之複數條分割預定線予以劃分，並於在各區域中形成電子電路之後，沿著此切割道將晶圓切斷。

在切斷晶圓之時，是在例如使高速旋轉的切削刀切入晶圓的切割道之情形下，使切削刀及晶圓在與切割道平行的方向上相對移動。然而，在此方法中，由於是沿著切割道對晶圓進行機械式削取，因此元件晶片的抗折強強度會有降低的傾向。

又，在此方法中，由於在將切削刀相對於切割道高精度地進行對位後，還必須個別地切削各切割道，因此至加工結束為止需要較長的時間。這個問題在用來切削之 分割預定線的數量較多之晶圓上，會特別深刻。

於是，近年來已有一種利用電漿蝕刻(plasma etching)來切斷晶圓之方法被提出(參照例如專利文獻1)。在此方法中，由於可以用電漿蝕刻一次加工晶圓的整個表面，因此即便是因為元件晶片的小型化、晶圓的大型化等而讓用來加工之分割預定線的數量增加，加工時間也幾乎不需要改變。

又，由於並不是以機械方式削取晶圓，因此可抑制加工時的缺損，並將元件晶片的抗折強度維持得較高。再者，在此方法中，是使用在玻璃基板的表面形成有由鉻等所形成的遮光膜圖案(pattern)之曝光罩(參照例如專利文獻2)，且在晶圓的表面、背面形成有蝕刻用之保護(resist)膜。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2006-114825號公報

專利文獻2：日本專利特開昭62-229151號公報

發明概要

然而，由於上述的曝光罩是經由遮光膜的形成、保護膜的被覆、保護膜的圖案繪製、遮光膜的蝕刻之複雜的步驟而被製造，且價格較高，因此若使用此曝光罩，就會導致晶圓的加工成本也變高。

本發明是有鑒於所述問題點而作成的發明，其目的在於提供一種相較於以往的方法，可以用簡單的步驟便宜地製造曝光罩的曝光罩之製造方法。

依據本發明所提供的曝光罩之製造方法，是晶圓加工用的曝光罩之製造方法，其特徵在於包含：準備步驟，準備在具有加工的晶圓以上之大小且透光之板狀構件的表面上被覆有遮光之遮光膜的遮光板；溝形成步驟，在該遮光板的表面側之對應於該晶圓之切割道之區域中，去除該遮光膜且形成深度未達該遮光板的背面之溝；以及樹脂埋設步驟，在該溝中埋設透明的樹脂以填補在該溝形成步驟中形成於該溝的底部之凹凸。

在本發明中，較理想的是，該樹脂埋設步驟是藉由具有噴墨噴嘴(ink jet nozzle)之埋設手段來進行。

又，在本發明中，較理想的是，於該樹脂埋設步驟中，是在形成有該溝之該遮光板的整個表面被覆該樹脂以在該溝中埋設該樹脂。

依據本發明的曝光罩之製造方法，包含有準備步驟、溝形成步驟及樹脂埋設步驟，該準備步驟是準備在透光之板狀構件的表面上被覆有遮光之遮光膜的遮光板，該溝形成步驟是在對應晶圓之切割道的遮光板的表面側，去除遮光膜且形成深度未達遮光板的背面之溝，該樹脂埋設 步驟是在遮光板的溝中埋設透明的樹脂。

因此，可在不經過保護膜的被覆、保護膜之圖案繪製、遮光膜的蝕刻之複雜的步驟的情形下，製造具有對應晶圓之切割道之透光圖案的曝光罩。如此，根據本發明可以提供相較於以往的方法，可用簡單的步驟便宜地製造曝光罩的曝光罩之製造方法。

2‧‧‧切削刀

4‧‧‧噴墨噴嘴(埋設手段)

11‧‧‧晶圓

11a‧‧‧晶圓的表面

11b‧‧‧晶圓的背面

11c‧‧‧晶圓的外周

13‧‧‧元件區域

15‧‧‧外周剩餘區域

17‧‧‧切割道(分割預定線)

19‧‧‧元件

21‧‧‧板狀構件

21a‧‧‧板狀構件的表面

21b‧‧‧板狀構件的背面

23‧‧‧遮光膜

25‧‧‧遮光板

27‧‧‧溝

27a‧‧‧溝的底部

29‧‧‧液體

31‧‧‧樹脂

33‧‧‧樹脂膜(樹脂)

圖1(A)為模式地顯示晶圓的構成例之立體圖，圖1(B)為模式地顯示晶圓的構成例之剖面圖。

圖2(A)為模式地顯示遮光板及溝形成步驟之立體圖，圖2(B)為模式地顯示溝形成步驟後的遮光板的剖面圖。

圖3(A)為模式地顯示樹脂埋設步驟之局部剖面側視圖，圖3(B)為模式地顯示樹脂埋設步驟後的遮光板之立體圖。

圖4為模式地顯示樹脂埋設步驟的變形例之剖面圖。

用以實施發明之形態

參照附加圖式，針對本發明之實施形態進行說明。本實施形態之曝光罩之製造方法包含準備步驟、溝形成步驟(參照圖2(A)及圖2(B))，以及樹脂埋設步驟(參照圖3(A)及圖3(B))。

在準備步驟中，是準備在透光之板狀構件的表面上被覆有遮光之遮光膜的遮光板。在溝形成步驟中，是在對應晶圓之切割道的遮光板之表面側，去除遮光膜且形成深度未達遮光板的背面之溝。在樹脂埋設步驟中，是於遮 光板的溝中埋設透明的樹脂。以下，對本實施形態之曝光罩之製造方法進行詳細敘述。

首先，針對使用本實施形態之曝光罩來進行加工之晶圓進行說明。圖1(A)是模式地顯示晶圓的構成例之立體圖，圖1(B)是模式地顯示晶圓的構成例之剖面圖。

如圖1(A)及圖1(B)所示，晶圓11是以例如矽等半導體材料形成之大致圓形的板狀物，且表面11a被區分為中央的元件區域13及包圍元件區域13的外周剩餘區域15。

元件區域13藉由排列成格子狀的切割道(分割預定線)17被進一步劃分成複數個區域，並在各區域中形成有IC等元件19。晶圓11的外周11c被施予倒角加工，並帶有圓弧。

在本實施形態的曝光罩之製造方法中，可製造具備對應上述的晶圓11之切割道17的透光圖案之曝光罩。具體而言，首先是實施準備步驟，其為準備要被加工成曝光罩之遮光板。圖2(A)是模式地顯示本實施形態之遮光板以及在準備步驟後實施之溝形成步驟之立體圖。

在準備步驟中，是如圖2(A)所示地準備已在板狀構件21的表面21a側被覆有遮光膜23之遮光板25。板狀構件21是以玻璃、樹脂等透明材料形成為大致圓盤狀，並將其直徑形成為例如大於晶圓11的直徑。不過，也可將板狀構件21形成為與晶圓11為相同直徑。換言之，板狀構件21只要是晶圓11以上之大小即可。

又，此板狀構件21具備有會針對曝光罩要求之任 意的光學特性。具體而言，例如，板狀構件21對於為了使保護材硬化所使用之預定波長的光為透明。但是，板狀構件21不一定要對可見光為透明。

遮光膜23是藉由例如濺射(sputtering)法或CVD法等所形成之金屬膜，且可遮蔽為了使保護材硬化所使用之預定波長的光。但是，遮光膜23的材質、厚度、形成方法等都可以因應對曝光罩所要求之條件而任意設定。

在準備步驟後，是實施在遮光板25的表面側(遮光膜23側)形成對應晶圓之切割道之溝的溝形成步驟。圖2(B)是模式地顯示溝形成步驟後之遮光板25之剖面圖。

在此溝形成步驟中，是如圖2(A)所示，使高速旋轉之切削刀2切入遮光板25之表面，並使切削刀2與遮光板25在水平方向上相對移動。在此，是將切削刀2切入對應晶圓11的切割道17的區域。又，切削刀2之切入深度是設成去除遮光膜23且不使切削刀2到達遮光板25的背面(板狀構件21之背面21b)的程度。

藉此，可以在遮光板25的表面側形成對應於晶圓11的切割道17且深度未達遮光板25的背面之溝27。當形成對應於晶圓11的所有切割道17之溝27時，溝形成步驟即結束。

在溝形成步驟所形成之溝27之底部27a，會因為與切削刀2的摩擦而產生少量的凹凸。於是，在溝形成步驟之後，會實施在遮光板25之溝27中埋設透明的樹脂的樹脂埋設步驟。圖3(A)是模式地顯示樹脂埋設步驟的局部剖面 側視圖，圖3(B)是模式地顯示樹脂埋設步驟後之遮光板25的立體圖。

如圖3(A)所示，在樹脂埋設步驟中，是例如一邊使配置於遮光板25的表面側的噴墨噴嘴(埋設手段)4沿著溝27移動，一邊在溝27中滴下含有以氟樹脂、金剛烷衍生物、SBC樹脂等為代表的透明材料之液體29。

之後，如圖3(A)及圖3(B)所示，藉由使供給到溝27中的液體29乾燥、硬化，即可以在溝27內形成對應於晶圓11之切割道17之直線狀的樹脂31。像這樣，藉由以樹脂31填補底部27a之凹凸，就可以防止源自於底部27a之凹凸的光學特性的低下。當在遮光板25的所有的溝27中都埋設樹脂31後，曝光罩便完成。

如上所述，本實施形態之曝光罩之製造方法，包含有準備步驟、溝形成步驟及樹脂埋設步驟，該準備步驟是準備在透光之板狀構件21的表面21a上被覆有遮光之遮光膜23的遮光板25，該溝形成步驟是在對應晶圓11之切割道17的遮光板25的表面側，去除遮光膜23且形成深度未達遮光板25的背面之溝27，該樹脂埋設步驟是在遮光板25之溝27中埋設透明的樹脂31。

因此，可在不經過保護膜的被覆、保護膜之圖案繪製、遮光膜的蝕刻之複雜的步驟的情形下，製造具有對應晶圓11之切割道17之透光圖案的曝光罩。如此，根據本實施形態，可以提供相較於以往的方法，可用簡單的步驟便宜地製造曝光罩的曝光罩之製造方法。

再者，本發明並不限定於上述實施形態的記載，並可以進行各種變更而實施。例如，在上述實施形態中，雖然是利用以噴墨噴嘴4滴下液體29之所謂的噴墨(ink jet)法而在溝27中埋設有樹脂31，但在溝27中埋設樹脂31的方法並不受限於此。

圖4是模式地顯示樹脂埋設步驟之變形例的剖面圖。在變形例之樹脂埋設步驟中，是如圖4所示，形成將遮光板25的表面(遮光膜23)整體被覆的樹脂膜(樹脂)33。樹脂膜33是例如使用上述之透明材料以旋轉塗佈等方法所形成，並如圖4所示，將其一部分埋設在溝27中。

藉此，可以防止源自於底部27a之凹凸之光學特性的低下。如此，在實施變形例之遮光材埋設步驟的情況中，也可以製造與上述實施形態相同的曝光罩。

另外，上述實施形態之構成、方法等，只要在不脫離本發明之目的之範圍內，均可適當變更而實施。

21‧‧‧板狀構件

21a‧‧‧板狀構件的表面

21b‧‧‧板狀構件的背面

23‧‧‧遮光膜

25‧‧‧遮光板

27‧‧‧溝

27a‧‧‧溝的底部

29‧‧‧液體

31‧‧‧樹脂

4‧‧‧噴墨噴嘴(埋設手段)

Claims (3)

1. 一種曝光罩之製造方法，是晶圓加工用的曝光罩之製造方法，其特徵在於包含：準備步驟，準備在具有加工的晶圓以上之大小且透光之板狀構件的表面上被覆有遮光之遮光膜的遮光板；溝形成步驟，在該遮光板的表面側之對應於該晶圓的切割道之區域中，去除該遮光膜且形成深度未達該遮光板的背面之溝；以及樹脂埋設步驟，在該溝中埋設透明的樹脂以填補在該溝形成步驟中形成於該溝的底部之凹凸。
2. 如請求項1的曝光罩之製造方法，其中，該樹脂埋設步驟是藉由具有噴墨噴嘴的埋設手段來進行。
3. 如請求項1的曝光罩之製造方法，其中，在該樹脂埋設步驟中，是在形成有該溝之該遮光板的整個表面被覆該樹脂以在該溝中埋設該樹脂。