JPS62229151A - パタ−ンマスクの作製方法 - Google Patents
パタ−ンマスクの作製方法Info
- Publication number
- JPS62229151A JPS62229151A JP60247353A JP24735385A JPS62229151A JP S62229151 A JPS62229151 A JP S62229151A JP 60247353 A JP60247353 A JP 60247353A JP 24735385 A JP24735385 A JP 24735385A JP S62229151 A JPS62229151 A JP S62229151A
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- JP
- Japan
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- pattern
- ion beam
- opaque
- transparent substrate
- mask
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
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- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分母〕
乙の発明（よ、■−８■等を製造する際に用いるパター
ンマスクの製造方法に関するものである。
ンマスクの製造方法に関するものである。
従来のパターンマスクの作製方法を第２図（ａ）〜（ｒ
）に示す。まず、第２図（ａ）のように透明基板１」二
にＣｒ等の不透明膜２を形成しその−１−にレジスト３
を塗布する。次にｌノジスト３＋に光、電子ビーム等に
よりパターンを描画しｌ二後現象を行い、第２図（］ｌ
）のようにレジストパターン４を形成する。次にト・シ
ストパターン４をマスクとして不透明膜２をエツチング
し第２図（Ｃ）のＪ−うにパターンマスクを形成する。
）に示す。まず、第２図（ａ）のように透明基板１」二
にＣｒ等の不透明膜２を形成しその−１−にレジスト３
を塗布する。次にｌノジスト３＋に光、電子ビーム等に
よりパターンを描画しｌ二後現象を行い、第２図（］ｌ
）のようにレジストパターン４を形成する。次にト・シ
ストパターン４をマスクとして不透明膜２をエツチング
し第２図（Ｃ）のＪ−うにパターンマスクを形成する。
〔発明が解決（７Ｊ゛うとする問題点〕上記のような従
来のパターンマスクの作製方法では、不透明膜２の」：
うな薄膜を用いており、また工程数が多いためパターン
欠陥等が生じやすいという問題点があった。
来のパターンマスクの作製方法では、不透明膜２の」：
うな薄膜を用いており、また工程数が多いためパターン
欠陥等が生じやすいという問題点があった。
乙の発明は、上記の問題点を解決ずろためになされたも
ので、不透明薄膜を用いずに工程を簡素化することにＪ
′ってパターン欠陥を著しく減少させることを目的と１
７たものである。
ので、不透明薄膜を用いずに工程を簡素化することにＪ
′ってパターン欠陥を著しく減少させることを目的と１
７たものである。
この発明は、透明基板上にイオノビームてパターンを描
画する工程、その後ウニ・ソトエッチングを行うことに
よって描画領域を不透明化する工程を備えたものである
。
画する工程、その後ウニ・ソトエッチングを行うことに
よって描画領域を不透明化する工程を備えたものである
。
この発明では単結晶等の透明基板Ｉ−に（−１ンビ−ム
でパターンを描画（７、その後ウニ・ントエッチング（
７、パターン描画領域を不透明にすることに、１″って
、薄膜を用いずにパターンマスクが形成されろ。
でパターンを描画（７、その後ウニ・ントエッチング（
７、パターン描画領域を不透明にすることに、１″って
、薄膜を用いずにパターンマスクが形成されろ。
「実施例〕
第１図（ａ）、 （ｂ）は乙の発明によるパターンマス
クの形成工程を示す図である。まず、サファイヤ等の単
結晶の透明基板１１」−にイオンビーム１２に」リパタ
ーンを描画する。イオンビーム１２が照射さＡまた領域
１３はイオンビーム１２の衝撃に１リアモルファス化す
る（第１図（ａ））。イオンビーム１２によるパターン
描画後、”：’エツトエツチングを行うと、イオンビー
ム１２の照射に６Ｌ−９−Ｃアモ刀−７ｆス化した領域
が不透明化し、ノ文ターノマスク１４が形成される（第
１図（ｈ））。
クの形成工程を示す図である。まず、サファイヤ等の単
結晶の透明基板１１」−にイオンビーム１２に」リパタ
ーンを描画する。イオンビーム１２が照射さＡまた領域
１３はイオンビーム１２の衝撃に１リアモルファス化す
る（第１図（ａ））。イオンビーム１２によるパターン
描画後、”：’エツトエツチングを行うと、イオンビー
ム１２の照射に６Ｌ−９−Ｃアモ刀−７ｆス化した領域
が不透明化し、ノ文ターノマスク１４が形成される（第
１図（ｈ））。
この発明は以上説明したとおり、イオンビームを用いて
所望のパターンを描画し、ウエツトエツチングに、】゛
ってイ刈ノビーム照射領域を不透明化してパターンマス
クを形成ず乙ので、従来のように薄膜を用いず、Ｊ、ｌ
二工程数が非常に少ないため、パターン欠陥を著しく低
減することができる利点
所望のパターンを描画し、ウエツトエツチングに、】゛
ってイ刈ノビーム照射領域を不透明化してパターンマス
クを形成ず乙ので、従来のように薄膜を用いず、Ｊ、ｌ
二工程数が非常に少ないため、パターン欠陥を著しく低
減することができる利点
第１図（ａ）、 （ｈ）は乙の発明のパターンマスクの
作製方法の一実施例を説明ずろ工程図、第２図（ａ）〜
（ｃｌは従来のパターンマスクの作製方法を説明する工
程図である。 図において、１１は単結晶の透明基板、１２はイオンビ
ーム、１３はイオンビームが照射された領域、１４はマ
スクパターンである。 なお、各図中の同−符けは同一・−または相当部分を示
す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 （ａ） （ｂ） １４ノｙターンマスク 第２図 （ａ） 手続補正書（力式） ％式％［］ １、事件の表示 特願昭 ６０−２４７３５３シづ
２、発明の名称 パターンマスクの作製方法３、
補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、？ｌｌ＋正命令の目イ」 昭和６２年 ３月３１日 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄 ７、？１１１正の内容 （１） 明細書第４頁５行の１４０図面の簡【１１な
説明−１を削除ずろ。 （２） 明細書第４頁５行と６行の間に１４０図「１
１の簡単な説明−１を挿入する。 以 十
作製方法の一実施例を説明ずろ工程図、第２図（ａ）〜
（ｃｌは従来のパターンマスクの作製方法を説明する工
程図である。 図において、１１は単結晶の透明基板、１２はイオンビ
ーム、１３はイオンビームが照射された領域、１４はマ
スクパターンである。 なお、各図中の同−符けは同一・−または相当部分を示
す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 （ａ） （ｂ） １４ノｙターンマスク 第２図 （ａ） 手続補正書（力式） ％式％［］ １、事件の表示 特願昭 ６０−２４７３５３シづ
２、発明の名称 パターンマスクの作製方法３、
補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、？ｌｌ＋正命令の目イ」 昭和６２年 ３月３１日 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄 ７、？１１１正の内容 （１） 明細書第４頁５行の１４０図面の簡【１１な
説明−１を削除ずろ。 （２） 明細書第４頁５行と６行の間に１４０図「１
１の簡単な説明−１を挿入する。 以 十
Claims (2)
- （１）透明基板上にイオンビームによって所望のパター
ンを描画する工程、その後、ウェットエッチングを行い
前記パターンが描画された領域を不透明化しマスクパタ
ーンを形成する工程とを備えたことを特徴とするパター
ンマスクの作製方法。 - （２）透明基板は、単結晶であることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載のパターンマスクの作製方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60247353A JPS62229151A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | パタ−ンマスクの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60247353A JPS62229151A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | パタ−ンマスクの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229151A true JPS62229151A (ja) | 1987-10-07 |
Family
ID=17162149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60247353A Pending JPS62229151A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | パタ−ンマスクの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62229151A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0416625A2 (en) * | 1989-09-07 | 1991-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, method for producing the same, and display apparatus and electron scribing apparatus utilizing same. |
| JPH0553293A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク基板の製造方法 |
| DE102014219908A1 (de) | 2013-10-01 | 2015-04-02 | Disco Corporation | Herstellungsverfahren für eine Fotomaske |
| KR20160007395A (ko) | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 노광 마스크의 제조 방법 |
-
1985
- 1985-11-05 JP JP60247353A patent/JPS62229151A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0416625A2 (en) * | 1989-09-07 | 1991-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, method for producing the same, and display apparatus and electron scribing apparatus utilizing same. |
| US5391956A (en) * | 1989-09-07 | 1995-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, method for producing the same and display apparatus and electron beam drawing apparatus utilizing the same |
| JPH0553293A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク基板の製造方法 |
| DE102014219908A1 (de) | 2013-10-01 | 2015-04-02 | Disco Corporation | Herstellungsverfahren für eine Fotomaske |
| KR20150039100A (ko) | 2013-10-01 | 2015-04-09 | 가부시기가이샤 디스코 | 포토마스크의 제조 방법 |
| US9400423B2 (en) | 2013-10-01 | 2016-07-26 | Disco Corporation | Manufacturing method for photomask |
| DE102014219908B4 (de) | 2013-10-01 | 2023-12-21 | Disco Corporation | Herstellungsverfahren für eine Fotomaske |
| KR20160007395A (ko) | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 노광 마스크의 제조 방법 |
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