JPH0553293A - フオトマスク基板の製造方法 - Google Patents
フオトマスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0553293A JPH0553293A JP24279191A JP24279191A JPH0553293A JP H0553293 A JPH0553293 A JP H0553293A JP 24279191 A JP24279191 A JP 24279191A JP 24279191 A JP24279191 A JP 24279191A JP H0553293 A JPH0553293 A JP H0553293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- depth
- ion
- etching
- photomask substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスク基板をその光透過率を低下させること
なく、集束イオンビームを用いて所望の深さだけ加工で
きる加工工程を有するフォトマスク基板の製造方法を得
る。 【構成】 マスク基板１を集束イオンビーム２で選択的
にエッチング加工した後、該工程にて生じたイオン侵入
層４にレーザビーム３を照射し、イオン侵入層４を熱蒸
発させ、しかもこの時、ＦＩＢエッチングの深さを所望
のエッチング深さＤからイオン侵入層４の厚さｄだけ差
し引いた値になるようにした。
なく、集束イオンビームを用いて所望の深さだけ加工で
きる加工工程を有するフォトマスク基板の製造方法を得
る。 【構成】 マスク基板１を集束イオンビーム２で選択的
にエッチング加工した後、該工程にて生じたイオン侵入
層４にレーザビーム３を照射し、イオン侵入層４を熱蒸
発させ、しかもこの時、ＦＩＢエッチングの深さを所望
のエッチング深さＤからイオン侵入層４の厚さｄだけ差
し引いた値になるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＬＳＩの製造に用いら
れる位相シフトマスクの製造方法に関し、特に位相シフ
トパターンの欠陥をマスク基板をエッチングすることに
より修正するフォトマスク基板の製造方法に関するもの
である。
れる位相シフトマスクの製造方法に関し、特に位相シフ
トパターンの欠陥をマスク基板をエッチングすることに
より修正するフォトマスク基板の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のマスク基板の加工方法を図５を用
いて説明する。図５は加工工程を示す断面図である。図
において、１はマスク基板（以下、石英基板ともいう）
であり、主として石英などのように、光リソグラフィの
光源に対して高い透過率を有するものからなる。２はエ
ッチングのための集束イオンビーム（以下、ＦＩＢと表
記する）、４ａはＦＩＢの照射によりエッチングされた
基板１の加工領域、４は該加工領域４ａの底部に形成さ
れたＧａ+ 侵入層である。
いて説明する。図５は加工工程を示す断面図である。図
において、１はマスク基板（以下、石英基板ともいう）
であり、主として石英などのように、光リソグラフィの
光源に対して高い透過率を有するものからなる。２はエ
ッチングのための集束イオンビーム（以下、ＦＩＢと表
記する）、４ａはＦＩＢの照射によりエッチングされた
基板１の加工領域、４は該加工領域４ａの底部に形成さ
れたＧａ+ 侵入層である。
【０００３】図５(a) は加工前の石英基板１の断面であ
り、図中Ｄは基板１をエッチングして掘り下げるべき深
さ、つまり上記加工領域４ａの深さを示している。そし
て図５(b) に示すように、ＦＩＢ２を前記基板１の所定
領域４ａに走査しつつ照射し、Ｄで示された深さだけエ
ッチングする。
り、図中Ｄは基板１をエッチングして掘り下げるべき深
さ、つまり上記加工領域４ａの深さを示している。そし
て図５(b) に示すように、ＦＩＢ２を前記基板１の所定
領域４ａに走査しつつ照射し、Ｄで示された深さだけエ
ッチングする。
【０００４】上記のようにして形成されたマスク基板１
を位相シフト光リソグラフィに適用する場合、Ｄの値は
光の波長λのｎ／２（ｎは整数）倍に制御する必要があ
る。ここで上記ＦＩＢとしては、Ｇａ+ 等の金属イオン
を用いている。このＧａ+ 等の金属イオンは、エッチン
グされた加工領域４ａの底部４に侵入して、図５(b)に
おいてｄで示される厚さ（深さ）のＧａ+ 侵入層４を形
成する。
を位相シフト光リソグラフィに適用する場合、Ｄの値は
光の波長λのｎ／２（ｎは整数）倍に制御する必要があ
る。ここで上記ＦＩＢとしては、Ｇａ+ 等の金属イオン
を用いている。このＧａ+ 等の金属イオンは、エッチン
グされた加工領域４ａの底部４に侵入して、図５(b)に
おいてｄで示される厚さ（深さ）のＧａ+ 侵入層４を形
成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のマスク基板の加
工方法は以上のように構成されているので、マスク基板
１の加工領域４ａの底部にｄの深さを持つＧａ+ 侵入層
４が生じ、加工領域４ａにおける光の透過率が低下す
る。これはｉ線，エキシマレーザのように波長が短くな
るのにつれて顕著になる。これにより、位相シフトリソ
グラフィにおいて互いに干渉する光の強度の差を生ずる
こととなり、転写されたパターンの幅を変動させるとい
う問題点があった。
工方法は以上のように構成されているので、マスク基板
１の加工領域４ａの底部にｄの深さを持つＧａ+ 侵入層
４が生じ、加工領域４ａにおける光の透過率が低下す
る。これはｉ線，エキシマレーザのように波長が短くな
るのにつれて顕著になる。これにより、位相シフトリソ
グラフィにおいて互いに干渉する光の強度の差を生ずる
こととなり、転写されたパターンの幅を変動させるとい
う問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、マスク基板をその光透過率を低
下させることなく、所望の深さだけ加工することができ
る加工工程を有するフォトマスク基板の製造方法を得る
ことを目的としている。
ためになされたもので、マスク基板をその光透過率を低
下させることなく、所望の深さだけ加工することができ
る加工工程を有するフォトマスク基板の製造方法を得る
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るフォトマ
スク基板の製造方法は、フォトマスク基板を選択的にエ
ッチング加工する工程を、ＦＩＢでエッチング加工後、
フォトマスク基板の表面の所定領域に集束イオンビーム
を走査しつつ照射してエッチングする工程と、上記集束
イオンビームの照射により生じたイオン侵入層にレーザ
ビームを照射し、イオン侵入層を熱蒸発させる工程とか
ら構成したものである。
スク基板の製造方法は、フォトマスク基板を選択的にエ
ッチング加工する工程を、ＦＩＢでエッチング加工後、
フォトマスク基板の表面の所定領域に集束イオンビーム
を走査しつつ照射してエッチングする工程と、上記集束
イオンビームの照射により生じたイオン侵入層にレーザ
ビームを照射し、イオン侵入層を熱蒸発させる工程とか
ら構成したものである。
【０００８】またこの発明は、上記フォトマスク基板の
製造方法において、ＦＩＢエッチングの深さを所望のエ
ッチング深さからイオン侵入層の厚さだけ差し引いた値
に設定したものである。
製造方法において、ＦＩＢエッチングの深さを所望のエ
ッチング深さからイオン侵入層の厚さだけ差し引いた値
に設定したものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、ＦＩＢを用いてフォトマ
スク基板を選択的にエッチング加工した後、これによっ
て生じたイオン侵入層にレーザビームを照射し、イオン
侵入層を熱蒸発させるようにしたから、イオン侵入層に
よるフォトマスク基板の光透過率の低下を防ぐことがで
きる。
スク基板を選択的にエッチング加工した後、これによっ
て生じたイオン侵入層にレーザビームを照射し、イオン
侵入層を熱蒸発させるようにしたから、イオン侵入層に
よるフォトマスク基板の光透過率の低下を防ぐことがで
きる。
【００１０】また、ＦＩＢエッチングの深さを所望のエ
ッチング深さからイオン侵入層の厚さだけ差し引いた値
に設定しているので、レーザビームを照射してイオン侵
入層を熱蒸発させた後、所望のエッチング深さを得るこ
とができる。
ッチング深さからイオン侵入層の厚さだけ差し引いた値
に設定しているので、レーザビームを照射してイオン侵
入層を熱蒸発させた後、所望のエッチング深さを得るこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例によるマスク基板の加
工方法を示す。図において、１，２，及び４，４ａは図
５と同じものである。またｄはＧａ+ 侵入層４の深さ、
３はイオン侵入層を蒸発させるためのレーザビームであ
る。
する。図１はこの発明の一実施例によるマスク基板の加
工方法を示す。図において、１，２，及び４，４ａは図
５と同じものである。またｄはＧａ+ 侵入層４の深さ、
３はイオン侵入層を蒸発させるためのレーザビームであ
る。
【００１２】図１(a) は加工前の石英基板１の断面であ
り、図中Ｄは基板１をエッチングして掘り下げるべき深
さを示している。図１(b) に示すように、ＦＩＢ２を前
記基板１の所定領域に走査しつつ照射し、（Ｄ−ｄ）の
深さだけエッチングする。
り、図中Ｄは基板１をエッチングして掘り下げるべき深
さを示している。図１(b) に示すように、ＦＩＢ２を前
記基板１の所定領域に走査しつつ照射し、（Ｄ−ｄ）の
深さだけエッチングする。
【００１３】ここで上記ＦＩＢとしては、Ｇａ+ 等の金
属イオンを用いている。このＧａ+ 等の金属イオンは、
エッチングされた加工領域４ａの底部に侵入して、Ｇａ
+ 侵入層４を形成する。
属イオンを用いている。このＧａ+ 等の金属イオンは、
エッチングされた加工領域４ａの底部に侵入して、Ｇａ
+ 侵入層４を形成する。
【００１４】次に、図１(c) に示すように、イオン侵入
領域にレーザビーム３を照射し、Ｇａ+ 侵入層４を熱蒸
発させる。この時、Ｇａ+ が侵入していない領域は透明
であるため熱を吸収せず、蒸発することはない。従っ
て、Ｇａ+ 侵入層４が選択的に除去されるため、レーザ
ビーム３の位置合わせ精度には十分なマージンがある。
なお、レーザビーム３としては、例えば波長５３２ｎｍ
のＮｄ：ＹＡＧ（イットリウム，アルミニウム，ガーネ
ット）レーザを用いる。
領域にレーザビーム３を照射し、Ｇａ+ 侵入層４を熱蒸
発させる。この時、Ｇａ+ が侵入していない領域は透明
であるため熱を吸収せず、蒸発することはない。従っ
て、Ｇａ+ 侵入層４が選択的に除去されるため、レーザ
ビーム３の位置合わせ精度には十分なマージンがある。
なお、レーザビーム３としては、例えば波長５３２ｎｍ
のＮｄ：ＹＡＧ（イットリウム，アルミニウム，ガーネ
ット）レーザを用いる。
【００１５】上記のようにして形成されたマスク基板１
を位相シフト光リソグラフィに適用する場合、Ｄの値は
光の波長λのｎ／２（ｎは整数）倍に制御する必要があ
る。また、Ｇａ+ 侵入層４の厚さ（深さ）ｄは、３０ｋ
ｅＶのＧａ+ 集束イオンビームを用いた場合、数オング
ストロームである。
を位相シフト光リソグラフィに適用する場合、Ｄの値は
光の波長λのｎ／２（ｎは整数）倍に制御する必要があ
る。また、Ｇａ+ 侵入層４の厚さ（深さ）ｄは、３０ｋ
ｅＶのＧａ+ 集束イオンビームを用いた場合、数オング
ストロームである。
【００１６】このように、本実施例においては、マスク
基板１をＦＩＢ２により所望の深さＤからイオン侵入層
４の深さｄを差し引いた深さだけエッチング加工し、そ
の後、前記イオン侵入層４にレーザビーム３を照射し、
深さｄのイオン侵入層４を熱蒸発させるようにしたの
で、イオン侵入層４による光透過率の低下を防止でき、
しかも所望のエッチング深さの加工を行うことができ
る。
基板１をＦＩＢ２により所望の深さＤからイオン侵入層
４の深さｄを差し引いた深さだけエッチング加工し、そ
の後、前記イオン侵入層４にレーザビーム３を照射し、
深さｄのイオン侵入層４を熱蒸発させるようにしたの
で、イオン侵入層４による光透過率の低下を防止でき、
しかも所望のエッチング深さの加工を行うことができ
る。
【００１７】また、レーザビーム３によりイオン侵入層
４を除去する工程において、Ｇａ+ が侵入していない領
域は透明であるため熱を吸収せず蒸発しない、即ち、Ｇ
ａ+ 侵入層４は選択的に除去されるため、レーザビーム
３の照射位置合わせ精度には十分なマージンを有する。
４を除去する工程において、Ｇａ+ が侵入していない領
域は透明であるため熱を吸収せず蒸発しない、即ち、Ｇ
ａ+ 侵入層４は選択的に除去されるため、レーザビーム
３の照射位置合わせ精度には十分なマージンを有する。
【００１８】次に、本発明の第２の実施例として、フォ
トマスク基板表面の平坦でない部分を加工する工程を有
するフォトマスク基板の製造方法を図２を用いて説明す
る。この実施例ではマスク基板表面の窪んだ部分４ｂを
加工領域としている点が上記実施例と異なっている。
トマスク基板表面の平坦でない部分を加工する工程を有
するフォトマスク基板の製造方法を図２を用いて説明す
る。この実施例ではマスク基板表面の窪んだ部分４ｂを
加工領域としている点が上記実施例と異なっている。
【００１９】次に、作用効果について説明する。この場
合も第１の実施例と同様に、ＦＩＢ２で上記くぼんだ部
分４ｂ（Ｄ−ｄ）の深さだけエッチングし、その後前記
工程で生じたイオン侵入層４をレーザビームを照射し、
熱蒸発させている。ここでは、加工形状に加工前のプロ
ファイルが反映されるが、図２(b) のＦＩＢエッチング
が進行するにつれてエッチッング部分が平坦化される傾
向にある。これはＦＩＢの入射角が大きいほど、ＦＩＢ
のエッチングレートが大きいことによるものである。こ
の実施例においても上記第１の実施例と同様の効果があ
る。
合も第１の実施例と同様に、ＦＩＢ２で上記くぼんだ部
分４ｂ（Ｄ−ｄ）の深さだけエッチングし、その後前記
工程で生じたイオン侵入層４をレーザビームを照射し、
熱蒸発させている。ここでは、加工形状に加工前のプロ
ファイルが反映されるが、図２(b) のＦＩＢエッチング
が進行するにつれてエッチッング部分が平坦化される傾
向にある。これはＦＩＢの入射角が大きいほど、ＦＩＢ
のエッチングレートが大きいことによるものである。こ
の実施例においても上記第１の実施例と同様の効果があ
る。
【００２０】図３は、本発明の第３の実施例として、マ
スク基板上の凸領域４ｃを上記集束イオンビームによる
エッチングとレーザビームによる熱蒸発を用いて平坦化
加工する場合を示している。この実施例では、マスク基
板表面の凸領域４ｂを加工領域として、集束イオンビー
ムによりマスク基板の凸領域４ｃをエッチング除去し、
その後該エッチング部分のイオン注入層をレーザビーム
により熱蒸発させるようにした。
スク基板上の凸領域４ｃを上記集束イオンビームによる
エッチングとレーザビームによる熱蒸発を用いて平坦化
加工する場合を示している。この実施例では、マスク基
板表面の凸領域４ｂを加工領域として、集束イオンビー
ムによりマスク基板の凸領域４ｃをエッチング除去し、
その後該エッチング部分のイオン注入層をレーザビーム
により熱蒸発させるようにした。
【００２１】この実施例では、集束イオンビームにより
マスク基板の凸領域４ｃをエッチング除去し、その後該
エッチング部分のイオン注入層をレーザビームにより熱
蒸発させるようにしたので、マスク基板の平坦化処理を
行った部分での光透過率の低下を防止することができ
る。ただし、このマスク基板上の凸領域を加工する工程
においては、エッジ近傍ではスパッタされた粒子、もし
くはつき抜けた１次イオンによるエッチングのため、凹
部を生ずることがある。
マスク基板の凸領域４ｃをエッチング除去し、その後該
エッチング部分のイオン注入層をレーザビームにより熱
蒸発させるようにしたので、マスク基板の平坦化処理を
行った部分での光透過率の低下を防止することができ
る。ただし、このマスク基板上の凸領域を加工する工程
においては、エッジ近傍ではスパッタされた粒子、もし
くはつき抜けた１次イオンによるエッチングのため、凹
部を生ずることがある。
【００２２】図４は本発明の第４の実施例として、上記
第３の実施例において加工される凸部が平坦でない場合
を示している。この場合も上記の第３の実施例と同様、
集束イオンビーム２の照射により上記凸部４ｄをエッチ
ング除去し、該イオンビームの照射により生じたイオン
侵入層４をレーザビーム３により熱蒸発させる。この場
合、凸部の凹凸は、ＦＩＢエッチングが進行するにつれ
て平坦化される。
第３の実施例において加工される凸部が平坦でない場合
を示している。この場合も上記の第３の実施例と同様、
集束イオンビーム２の照射により上記凸部４ｄをエッチ
ング除去し、該イオンビームの照射により生じたイオン
侵入層４をレーザビーム３により熱蒸発させる。この場
合、凸部の凹凸は、ＦＩＢエッチングが進行するにつれ
て平坦化される。
【００２３】なお、上記各実施例ではＦＩＢとしてＧａ
+ イオンビームを用いたが、特にＧａ+ イオンビームで
ある必要はなく、Ｓｉ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ａｕ，Ｂｅ，Ｚｎ
などの、上記実施例と同様の作用を奏するイオンビーム
を最適な加速電圧，ビーム電流でもって用いればよい。
+ イオンビームを用いたが、特にＧａ+ イオンビームで
ある必要はなく、Ｓｉ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ａｕ，Ｂｅ，Ｚｎ
などの、上記実施例と同様の作用を奏するイオンビーム
を最適な加速電圧，ビーム電流でもって用いればよい。
【００２４】また、上記各実施例では、エッチングにＦ
ＩＢのみを用いたが、エッチング速度を向上するため
に、フッ素系ガス等を照射領域に導入してエッチングを
行ってもよい。
ＩＢのみを用いたが、エッチング速度を向上するため
に、フッ素系ガス等を照射領域に導入してエッチングを
行ってもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るフォトマ
スク基板の製造方法によれば、マスク基板の所定領域を
集束イオンビームによりエッチング加工し、その後該工
程にて生じたイオン侵入層にレーザビームを照射し、イ
オン侵入層を熱蒸発させるようにしたので、光リソグラ
フィにおけるイオン侵入層による基板の光透過率の低下
を防ぐことができる効果がある。
スク基板の製造方法によれば、マスク基板の所定領域を
集束イオンビームによりエッチング加工し、その後該工
程にて生じたイオン侵入層にレーザビームを照射し、イ
オン侵入層を熱蒸発させるようにしたので、光リソグラ
フィにおけるイオン侵入層による基板の光透過率の低下
を防ぐことができる効果がある。
【００２６】また、ＦＩＢエッチングの深さを所望のエ
ッチング深さからイオン侵入層の厚さだけ差し引いた値
に設定するようにしたので、レーザでイオン侵入層を除
去した後、所望のエッチング深さを得ることができる効
果がある。
ッチング深さからイオン侵入層の厚さだけ差し引いた値
に設定するようにしたので、レーザでイオン侵入層を除
去した後、所望のエッチング深さを得ることができる効
果がある。
【図１】この発明の第１の実施例によるフォトマスク基
板の製造方法を示す工程断面図である。
板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】この発明の第２の実施例によるフォトマスク基
板の製造方法を示す工程断面図である。
板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】この発明の第３の実施例によるフォトマスク基
板の製造方法を示す工程断面図である。
板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】この発明の第４の実施例によるフォトマスク基
板の製造方法を示す工程断面図である。
板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】従来のマスク基板（石英）の製造方法を示す工
程断面図である。
程断面図である。
【符号の説明】 １ マスク基板 ２ 集束イオンビーム（ＦＩＢ） ３ レーザビーム ４ イオン侵入層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】上記のようにして形成されたマスク基板１
を位相シフト光リソグラフィに適用する場合、Ｄの値は
光の波長λのｎ／２（ｎは整数）倍に制御する必要があ
る。また、Ｇａ+ 侵入層４の厚さ（深さ）ｄは、３０ｋ
ｅＶのＧａ+ 集束イオンビームを用いた場合、３００オ
ングストローム程度である。
を位相シフト光リソグラフィに適用する場合、Ｄの値は
光の波長λのｎ／２（ｎは整数）倍に制御する必要があ
る。また、Ｇａ+ 侵入層４の厚さ（深さ）ｄは、３０ｋ
ｅＶのＧａ+ 集束イオンビームを用いた場合、３００オ
ングストローム程度である。
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトマスク基板を製造する方法におい
て、 フォトマスク基板に集束イオンビームを照射してこれを
選択的にエッチングする工程と、 上記工程によりイオンの侵入した層をレーザビームで熱
蒸発させる工程とを含むことを特徴とするフォトマスク
基板の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のフォトマスク基板の加工
方法において、 上記の集束イオンビームのエッチング深さを、所望のエ
ッチング深さからイオンの侵入深さを差し引いた深さに
設定したことを特徴とするフォトマスク基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24279191A JP2809901B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | フォトマスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24279191A JP2809901B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | フォトマスク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553293A true JPH0553293A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2809901B2 JP2809901B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=17094348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24279191A Expired - Lifetime JP2809901B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | フォトマスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809901B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023396B1 (ko) * | 2004-02-23 | 2011-03-18 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기 전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조방법 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718324A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Method of working |
| JPS60170938A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光学マスクのパタ−ン欠陥部分の修正方法 |
| JPS62229151A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ンマスクの作製方法 |
| JPS62299970A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン修正方法 |
| JPS643661A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern defect correcting device |
| JPH01120556A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Seiko Instr & Electron Ltd | パターン膜修正装置 |
| JPH01280760A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-10 | Seiko Instr Inc | パターン膜修正における処理方法 |
| JPH02140743A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Hitachi Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP24279191A patent/JP2809901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718324A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Method of working |
| JPS60170938A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光学マスクのパタ−ン欠陥部分の修正方法 |
| JPS62229151A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ンマスクの作製方法 |
| JPS62299970A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン修正方法 |
| JPS643661A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern defect correcting device |
| JPH01120556A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Seiko Instr & Electron Ltd | パターン膜修正装置 |
| JPH01280760A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-10 | Seiko Instr Inc | パターン膜修正における処理方法 |
| JPH02140743A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Hitachi Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023396B1 (ko) * | 2004-02-23 | 2011-03-18 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기 전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809901B2 (ja) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4275286A (en) | Process and mask for ion beam etching of fine patterns | |
| JP3387062B2 (ja) | 光透過可能基板の欠陥を矯正又は修理する方法及びフォトマスク又はレチクルを形成する方法 | |
| JPS605524A (ja) | 固体デバイス製造方法とリソグラフイマスク | |
| KR102377406B1 (ko) | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 | |
| US20110104593A1 (en) | Phase-shift mask and method of forming the same | |
| JPH03245527A (ja) | 微細加工方法 | |
| US6707123B2 (en) | EUV reflection mask | |
| JP2007103108A (ja) | 集束イオンビームによる加工方法 | |
| JP2809901B2 (ja) | フォトマスク基板の製造方法 | |
| US6096459A (en) | Method for repairing alternating phase shifting masks | |
| JP2003050456A (ja) | 印刷可能交互位相シフト・フィーチャを除去するためのフェムト秒レーザ融除によるテーパ付きイオン埋込み | |
| JP3380027B2 (ja) | 位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法 | |
| JPH11202474A (ja) | レチクルの欠陥修正方法及びレチクル並びに半導体製造方法 | |
| JP2000347386A (ja) | 露光用マスクの欠陥修正方法、露光用マスク、露光方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 | |
| US4849642A (en) | Method for repairing a pattern film | |
| JPH03129349A (ja) | フォトマスクの製法 | |
| JPH07295204A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| JPS59126634A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3377119B2 (ja) | マスクパターンの欠陥修正方法 | |
| JP3828119B2 (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR100546269B1 (ko) | 하프톤 위상반전마스크 및 그 제조방법 | |
| KR102537003B1 (ko) | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 | |
| TWI852522B (zh) | 空白遮罩、光罩以及半導體元件的製造方法 | |
| TWI292783B (en) | Method for repair of photomasks | |
| JPH1090876A (ja) | 欠陥修正方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090731 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100731 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110731 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110731 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110731 Year of fee payment: 13 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110731 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 14 |