JPS60170938A - 光学マスクのパタ−ン欠陥部分の修正方法 - Google Patents
光学マスクのパタ−ン欠陥部分の修正方法Info
- Publication number
- JPS60170938A JPS60170938A JP59028885A JP2888584A JPS60170938A JP S60170938 A JPS60170938 A JP S60170938A JP 59028885 A JP59028885 A JP 59028885A JP 2888584 A JP2888584 A JP 2888584A JP S60170938 A JPS60170938 A JP S60170938A
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- JP
- Japan
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- pattern
- substrate
- mask
- optical
- light
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は光学マスクのパターン欠陥部分の修正方法に
関するものであって、特に、改良されたパターン欠陥部
分の修正方法に関する。
関するものであって、特に、改良されたパターン欠陥部
分の修正方法に関する。
［従来技術］
従来、半導体装置は、光学マスクを用いて、半導体基板
（８１など）上に回路パターンを形成することによって
製造されているが、この光学マスクのパターン欠陥部力
の修正は、レジスト塗布→スボッｉ−露光→クロム蒸看
という、いわゆる、リフトオフ方法により、パターン欠
如部分に新たなパターンを形成し−Ｃ行なわれていた。
（８１など）上に回路パターンを形成することによって
製造されているが、この光学マスクのパターン欠陥部力
の修正は、レジスト塗布→スボッｉ−露光→クロム蒸看
という、いわゆる、リフトオフ方法により、パターン欠
如部分に新たなパターンを形成し−Ｃ行なわれていた。
第１図は、パターン欠陥部分を４１する光学マスクを示
す図であり、ｉ２！２図（よ第１図のＡ−Ａ線断面図゛
Ｃある。な３３１図において同様な部分には同じ参照番
号を付し−（いる。以）の図においても同（鮭とづる。
す図であり、ｉ２！２図（よ第１図のＡ−Ａ線断面図゛
Ｃある。な３３１図において同様な部分には同じ参照番
号を付し−（いる。以）の図においても同（鮭とづる。
光学マスクはガラスマスク袖板１と、その上に所定の形
状で形成されたクロム薄１１１パターン２−ＣＩＮ成さ
れている１、この光学マスクには、クロム薄膜パターン
？が一部欠如しているパターン欠陥部分３が生じでいる
。
状で形成されたクロム薄１１１パターン２−ＣＩＮ成さ
れている１、この光学マスクには、クロム薄膜パターン
？が一部欠如しているパターン欠陥部分３が生じでいる
。
第３図〜第６図は、従来の光学マスクのパターン欠陥部
分の修正方法を示す断面図である。パターン欠陥部分３
を阻止するには、初めに、第３図に示ゴように、ガラス
マスク基板１．クロム薄膜パターン２．パターン欠陥部
分３に、改めてレジスト４を塗布する。４０はパターン
欠陥部分３のレジストである。次に、第４図に示すよう
に、レジスト４０にスポット露光し、レジスト４０を現
像除去する。５はレジスト４０が除去されたレジスト除
去部分である。次に、第５図に示ずように、レジスト４
．レジスト除去部分５にクロム蒸着を行なう。６はレジ
スト４に形成されたクロム薄膜であり、６０はレジスト
除去部分５に形成されたクロム薄膜である。次に、第６
図に示すように、レジスト４．クロム簿膜６を全面除去
すると、パターン欠陥部分３に新たなりロム薄膜が形成
されてクロム５ｌｌＩパターン２が修正され、光を透過
させない光学マスクとなる。
分の修正方法を示す断面図である。パターン欠陥部分３
を阻止するには、初めに、第３図に示ゴように、ガラス
マスク基板１．クロム薄膜パターン２．パターン欠陥部
分３に、改めてレジスト４を塗布する。４０はパターン
欠陥部分３のレジストである。次に、第４図に示すよう
に、レジスト４０にスポット露光し、レジスト４０を現
像除去する。５はレジスト４０が除去されたレジスト除
去部分である。次に、第５図に示ずように、レジスト４
．レジスト除去部分５にクロム蒸着を行なう。６はレジ
スト４に形成されたクロム薄膜であり、６０はレジスト
除去部分５に形成されたクロム薄膜である。次に、第６
図に示すように、レジスト４．クロム簿膜６を全面除去
すると、パターン欠陥部分３に新たなりロム薄膜が形成
されてクロム５ｌｌＩパターン２が修正され、光を透過
させない光学マスクとなる。
上記のように、従来の光学マスクのパターン欠陥部分の
修正方法は、非常に複雑なプロセスを必要とし、また、
スポット露光において、スポットの集束径を０．５μｍ
以下にすることは難しいため、０．５μｍ以下のパター
ン欠陥部分の修正は困難であるなどの欠点があった。
修正方法は、非常に複雑なプロセスを必要とし、また、
スポット露光において、スポットの集束径を０．５μｍ
以下にすることは難しいため、０．５μｍ以下のパター
ン欠陥部分の修正は困難であるなどの欠点があった。
［発明の概要］
それゆえに、この発明の主たる目的は、簡易なプロセス
でかつ高精度で短時間にパターン欠陥部分を修正する方
法を提供することである。
でかつ高精度で短時間にパターン欠陥部分を修正する方
法を提供することである。
この発明を要約すれば、複数のイオンビームを準備し、
これらをパターン欠陥部分に照射し、パターン欠陥部分
におレプる基板の光学的散乱特性に変化を生じさせる光
学マスクのパターン欠陥部分゛の修正方法である。
これらをパターン欠陥部分に照射し、パターン欠陥部分
におレプる基板の光学的散乱特性に変化を生じさせる光
学マスクのパターン欠陥部分゛の修正方法である。
この発明の上）ホの目的およびその他の目的と特徴は、
図面を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らか
となろう。
図面を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らか
となろう。
［発明の実施例］
第７図は、この発明の一実施例であるイオン注入による
パターン欠陥部分の修正方法を示す断面図である。イオ
ンじ一層を細く絞って偏向を行なうイオンビーム露光装
置において、スリットなどを用いて複数の細いイオンビ
ーム１１を形成し、これをパターン欠陥部分３０に照射
し、ガラスマスク基板１の表層部にイオン注入を行なう
。このとき、イオンとしては、ガラスマスク基板１と異
種物質のＧａ”、 Ａｕ＋などが用いられる。このイオ
ン注入により、ガラスマスク基板１の表層部に多数の微
少イオン注入領域２゛１を形成し、この表層部の光の屈
折率に変化を生じさせる。
パターン欠陥部分の修正方法を示す断面図である。イオ
ンじ一層を細く絞って偏向を行なうイオンビーム露光装
置において、スリットなどを用いて複数の細いイオンビ
ーム１１を形成し、これをパターン欠陥部分３０に照射
し、ガラスマスク基板１の表層部にイオン注入を行なう
。このとき、イオンとしては、ガラスマスク基板１と異
種物質のＧａ”、 Ａｕ＋などが用いられる。このイオ
ン注入により、ガラスマスク基板１の表層部に多数の微
少イオン注入領域２゛１を形成し、この表層部の光の屈
折率に変化を生じさせる。
第８図は、イオン注入によってパターン欠陥部分が修正
された光学マスクの光の遮光の様子を示す断面図である
。光学マスクの上部から照射光１３が入射されるとき、
イオン注入されたガラスマスク基板１の表層部の光の屈
折率は変化しているため、この表層部に入射した光は散
乱され光の透過が遮られる。１５はこのときの散乱光で
ある。
された光学マスクの光の遮光の様子を示す断面図である
。光学マスクの上部から照射光１３が入射されるとき、
イオン注入されたガラスマスク基板１の表層部の光の屈
折率は変化しているため、この表層部に入射した光は散
乱され光の透過が遮られる。１５はこのときの散乱光で
ある。
また、１４はクロムｉ［２が形成されていないガラスマ
スク基板１からの透過光である。
スク基板１からの透過光である。
第９図は、第８図の微少イオン注入領域で光が散乱され
る部分の拡大断面図である。
る部分の拡大断面図である。
このように、ガラスマスク基板１の表一部へのイオン注
入は、パターン欠陥部分３に遮光するクロムのような物
質を蒸着したことと等価な効果を生じさせる。
入は、パターン欠陥部分３に遮光するクロムのような物
質を蒸着したことと等価な効果を生じさせる。
次に、この発明の他の実施例ｅあるイオンミリングによ
るパターン欠陥部分の修正方法について説明する。この
方法は、第７図のイオン注入によるパターン欠陥部分の
修正方法と近似している。
るパターン欠陥部分の修正方法について説明する。この
方法は、第７図のイオン注入によるパターン欠陥部分の
修正方法と近似している。
すなわち、第７図の複数の細いイオンビーム’＋ １の
代わりに、複数の強度の強い微細イオンビーム（大電流
イオンビーム）を用い、これをパターン欠陥部分３に照
射し、ガラスマスク基板１にイオンミリングを行なう。
代わりに、複数の強度の強い微細イオンビーム（大電流
イオンビーム）を用い、これをパターン欠陥部分３に照
射し、ガラスマスク基板１にイオンミリングを行なう。
このイオンミリングにより、ガラスマスク基板１の表層
部に多数の微少イオンミリング領域２２を形成し、カラ
スマスク基板１の表面に凹凸を生しさせる。
部に多数の微少イオンミリング領域２２を形成し、カラ
スマスク基板１の表面に凹凸を生しさせる。
第１０図は、イオンミリングによってパターン欠陥部分
が修正された光学マスクにおける微少イオンミリング領
域２２で光が散乱される部分の拡大断面図である。光学
マスクの上部から照射光１３が入射されるとき、イオン
ミリングされたガラスマスク基板１の表面には多数の凹
凸が生じているため、この表面に入射した光は散乱され
光の透過が遮られる。１５はこのときの散乱光である。
が修正された光学マスクにおける微少イオンミリング領
域２２で光が散乱される部分の拡大断面図である。光学
マスクの上部から照射光１３が入射されるとき、イオン
ミリングされたガラスマスク基板１の表面には多数の凹
凸が生じているため、この表面に入射した光は散乱され
光の透過が遮られる。１５はこのときの散乱光である。
この場合もイオン注入によるパターン欠陥部分の修正方
法と同様に、パターン欠陥部分３に遮光するクロムのよ
うな物質を蒸着したことと等価な効果を生じさせる。
法と同様に、パターン欠陥部分３に遮光するクロムのよ
うな物質を蒸着したことと等価な効果を生じさせる。
以上のように、複数の細いイオンビームを形成し、遮光
したい部分にのみこれらのイオンビームを照射して、 （１）異種物質のイオン注入（Ｇａ ＋、 Ａｌｌ ”
など） （２）イオンミリング を行ない、部分的に光の屈折率を変化せしめあるいは凹
凸を生じさせ、その部分に入射した光を散乱させて光の
進行方向を変えることにより、その部分に遮光物質を設
けることと等価な効果を生じさせることができる。
したい部分にのみこれらのイオンビームを照射して、 （１）異種物質のイオン注入（Ｇａ ＋、 Ａｌｌ ”
など） （２）イオンミリング を行ない、部分的に光の屈折率を変化せしめあるいは凹
凸を生じさせ、その部分に入射した光を散乱させて光の
進行方向を変えることにより、その部分に遮光物質を設
けることと等価な効果を生じさせることができる。
なお、この発明は、微細な光の通路の形成、微少領域の
光の屈折率の変更など他の用途へも十分利用できる。
光の屈折率の変更など他の用途へも十分利用できる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、複数のイオンビーム
を準備し、これらをパターン欠陥部分に照射し、パター
ン欠陥部分における基板の光学的散乱特性に変化を生じ
させるようにしたので、複雑なプロセスを必要とｔ！ｆ
かつ高精瓜で短時間に極微中パターン欠陥部分の修正を
（ｉなうことができる。
を準備し、これらをパターン欠陥部分に照射し、パター
ン欠陥部分における基板の光学的散乱特性に変化を生じ
させるようにしたので、複雑なプロセスを必要とｔ！ｆ
かつ高精瓜で短時間に極微中パターン欠陥部分の修正を
（ｉなうことができる。
第１図は、パターン欠陥部分を有する光学マスクを示す
図である。 第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。 第３図〜第６図は、従来の光学マスクのパターン欠陥部
分の修正方法を示す断面図である。 第７図は、この発明の一実施例であるイオン注入による
パターン欠陥部分の修正方法を示１断面図である。 第８図は、イオン注入によってパターン欠陥部分が修正
された光学マスクの光の遮光の様子を示す断面図である
。 第９図は、第８図の微少イオン注入領域で光が散乱され
る部分の拡大Ｉｉ面図である。 第’Ｉ ０図は、微少イオンミリング領域で光が散乱さ
れる部分の拡大断面図である。 図において、１はガラスマスク基板、２はクロム静岡パ
ターン、３．３０はパターン欠陥部分、４．４０はレジ
ス［・、５はレジスト除去部分、６゜６０はクロム薄膜
、１１は複数の細いイオンビーム、１２は複数の強度の
強い微細イオンビーム、１３は照射光、１４は透過光、
１５は散乱光、２１は微少イオン注入領域、２２は微少
イオンミリング領域である。 代 理 人 大 岩 増 雄 心１図 躬２図 るＪ′図 る４図 る５図 心６図 心７図 心δ図
図である。 第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。 第３図〜第６図は、従来の光学マスクのパターン欠陥部
分の修正方法を示す断面図である。 第７図は、この発明の一実施例であるイオン注入による
パターン欠陥部分の修正方法を示１断面図である。 第８図は、イオン注入によってパターン欠陥部分が修正
された光学マスクの光の遮光の様子を示す断面図である
。 第９図は、第８図の微少イオン注入領域で光が散乱され
る部分の拡大Ｉｉ面図である。 第’Ｉ ０図は、微少イオンミリング領域で光が散乱さ
れる部分の拡大断面図である。 図において、１はガラスマスク基板、２はクロム静岡パ
ターン、３．３０はパターン欠陥部分、４．４０はレジ
ス［・、５はレジスト除去部分、６゜６０はクロム薄膜
、１１は複数の細いイオンビーム、１２は複数の強度の
強い微細イオンビーム、１３は照射光、１４は透過光、
１５は散乱光、２１は微少イオン注入領域、２２は微少
イオンミリング領域である。 代 理 人 大 岩 増 雄 心１図 躬２図 るＪ′図 る４図 る５図 心６図 心７図 心δ図
Claims (3)
- （１） 半導体装置の製造に用いられる光学マスクのパ
ターン欠陥部分の修正においＣ１前記光学マスクは基板
と前記基板上に形成されるパターンで構成され、 前記パターンは前記パターンが一部欠如しているパター
ン欠陥部分を有しており、 複数のイオンビームを準備し、 前記複数のイオンビームを前記パターン欠陥部分に照射
し、前記パターン欠陥部分における前記基板の光学的散
乱特性に変化を生じさする光学マスクのパターン欠陥部
分の修正方法。 - （２） 前記パターン欠陥部分における前記基板の光学
的散乱特性に変化を生じさせるステップは、前記基板と
異なる物質のイオンで形成される前記複数のイオンビー
ムを前記パターン欠陥部分に照射し、前記パターン欠Ｗ
ａ部分における前記基板の表層部に微少イオン注入領域
を形成し、前記表層部の光の屈折率に変化を生じさせる
特許請求の範囲第１項記載の光学マスクのパターン欠陥
部分の修正方法。 - （３） 前記パターン欠陥部分における前記基板の光学
的散乱特性に変化を生じさせるステップは、前記複数の
イオンビームを前記バタ゛−ン欠陥部分に照射し、前記
パターン欠陥部分における前記基板の表層部に微少イオ
ンミリング領域を形成し、前記基板の表面に凹凸を生じ
させる特許請求の範囲第１項記載の光学マスクのパター
ン欠陥部分の修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59028885A JPS60170938A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 光学マスクのパタ−ン欠陥部分の修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59028885A JPS60170938A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 光学マスクのパタ−ン欠陥部分の修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170938A true JPS60170938A (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=12260848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59028885A Pending JPS60170938A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 光学マスクのパタ−ン欠陥部分の修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170938A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0553293A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク基板の製造方法 |
| JPH0569015A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-23 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | オンラインロールグラインダの砥石破損検出装置 |
| KR20180055993A (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유리 기판의 결함 검출 방법 |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP59028885A patent/JPS60170938A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0553293A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク基板の製造方法 |
| JPH0569015A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-23 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | オンラインロールグラインダの砥石破損検出装置 |
| KR20180055993A (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유리 기판의 결함 검출 방법 |
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