JP2015220264A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015220264A JP2015220264A JP2014101122A JP2014101122A JP2015220264A JP 2015220264 A JP2015220264 A JP 2015220264A JP 2014101122 A JP2014101122 A JP 2014101122A JP 2014101122 A JP2014101122 A JP 2014101122A JP 2015220264 A JP2015220264 A JP 2015220264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor
- semiconductor substrate
- chipping
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 225
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 64
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 36
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 7
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
まず、この発明の実施の形態1に係る半導体装置について説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る半導体装置を説明するための断面図である。
図15は、本実施の形態2に係る半導体装置を示す断面図である。本実施の形態における半導体装置においては、半導体ウエハ14から切り出された半導体チップ20がプリント配線基板11へ実装されている。本実施の形態における半導体装置では、ポリイミド膜2が撥水化処理されていることを特徴としている。それ以外については、実施の形態1と同様である。本実施の形態によれば、半導体チップ20を実装する際のダイボンド樹脂10の這い上がり(ブリードアウト現象)を抑制する効果が得られる。
Claims (10)
- 表面端部が窪むことによって設けられた段差を有する半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に形成された電極と、
前記段差の表面側角部を被覆する保護膜と、
を備えた半導体装置。 - 前記保護膜は、前記段差の底面まで被覆するように設けられたこと
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板は、エピタキシャル層を有するエピタキシャル基板であり、
前記段差は、前記エピタキシャル層の厚さよりも深く形成されていること
を特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記保護膜は、前記半導体基板の外周縁に沿って設けられていること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記保護膜は、ポリイミド膜であること
を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ポリイミド膜は、撥水性を有すること
を特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記保護膜は、金属膜であること
を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 半導体ウエハに溝部を形成する工程と、
前記半導体ウエハの表面から前記溝部の側壁に跨って、前記ウエハの表面及び前記溝部の内部に保護膜を形成する工程と、
前記溝部の底面の前記保護膜を除去するようにパターニングする工程と、
前記溝部の前記保護膜が除去された領域をダイシングする工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜は、樹脂からなり、
前記樹脂を撥水化する工程を備えたこと
を特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記撥水化する工程は、フッ化処理を実施すること
を特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014101122A JP6299412B2 (ja) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014101122A JP6299412B2 (ja) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015220264A true JP2015220264A (ja) | 2015-12-07 |
JP6299412B2 JP6299412B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=54779439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014101122A Active JP6299412B2 (ja) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6299412B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019175989A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US10651105B2 (en) | 2018-07-12 | 2020-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip that includes a cover protection layer covering a portion of a passivation layer |
US10756029B2 (en) | 2017-03-16 | 2020-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
WO2021096568A1 (en) | 2019-11-15 | 2021-05-20 | Qorvo Us, Inc. | Preventing epoxy bleed-out for biosensor devices |
CN114586175A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-06-03 | 英诺赛科(苏州)科技有限公司 | 半导体器件以及制造半导体器件的方法 |
US12031949B2 (en) | 2020-06-29 | 2024-07-09 | Qorvo Us, Inc. | Preventing epoxy bleed-out for biosensor devices |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745560A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Omron Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004063804A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Sharp Corp | 半導体装置、積層型半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP2009158589A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | メサ型半導体装置及びその製造方法 |
JP2009206502A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | メサ型半導体装置及びその製造方法 |
JP2012023107A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置 |
-
2014
- 2014-05-15 JP JP2014101122A patent/JP6299412B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745560A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Omron Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004063804A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Sharp Corp | 半導体装置、積層型半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP2009158589A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | メサ型半導体装置及びその製造方法 |
JP2009206502A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | メサ型半導体装置及びその製造方法 |
JP2012023107A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10756029B2 (en) | 2017-03-16 | 2020-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
US11031357B2 (en) | 2017-03-16 | 2021-06-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2019175989A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7175095B2 (ja) | 2018-03-28 | 2022-11-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US10651105B2 (en) | 2018-07-12 | 2020-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip that includes a cover protection layer covering a portion of a passivation layer |
WO2021096568A1 (en) | 2019-11-15 | 2021-05-20 | Qorvo Us, Inc. | Preventing epoxy bleed-out for biosensor devices |
EP4058802A4 (en) * | 2019-11-15 | 2023-12-20 | Qorvo US, Inc. | PREVENTING EPOXY RESIN BLEEDING IN BIOSENSOR DEVICES |
US12031949B2 (en) | 2020-06-29 | 2024-07-09 | Qorvo Us, Inc. | Preventing epoxy bleed-out for biosensor devices |
CN114586175A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-06-03 | 英诺赛科(苏州)科技有限公司 | 半导体器件以及制造半导体器件的方法 |
CN114586175B (zh) * | 2020-09-30 | 2023-04-18 | 英诺赛科(苏州)科技有限公司 | 半导体器件以及制造半导体器件的方法 |
US11862721B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-01-02 | Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. | HEMT semiconductor device with a stepped sidewall |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6299412B2 (ja) | 2018-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6299412B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5442308B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8692357B2 (en) | Semiconductor wafer and processing method therefor | |
JP2006253402A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20160204071A1 (en) | Semiconductor die and die cutting method | |
JP5091696B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
US9443808B2 (en) | Semiconductor wafer, semiconductor IC chip and manufacturing method of the same | |
JP2006282480A (ja) | 薄膜付きガラス基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置 | |
JP6100396B2 (ja) | 半導体素子の製造方法および半導体素子 | |
US8987923B2 (en) | Semiconductor seal ring | |
JP2010225648A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6766758B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2016167573A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN107251201A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP2006108489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2016046461A (ja) | 半導体発光素子ウエハ及び半導体発光素子並びに半導体発光素子の製造方法 | |
JP6591240B2 (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2006222258A (ja) | 半導体ウエハと半導体素子およびその製造方法 | |
JP2015002234A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20170084490A1 (en) | Method for making ic with stepped sidewall and related ic devices | |
JP2013065582A (ja) | 半導体ウエハ及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2009140950A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005311345A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP7249898B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20230274978A1 (en) | Efficient removal of street test devices during wafer dicing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180212 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6299412 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |