CN105242491A - 曝光掩膜的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法与现有的方法相比，能够以简单的工序廉价地制造曝光掩模。该曝光掩模的制造方法是晶片加工用的曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法具备如下工序：准备工序，准备遮光板(25)，其在透光并具有要加工的晶片(11)以上的大小的板状部件(21)的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜(23)；槽形成工序，在与晶片的间隔道(17)相对应的遮光板的正面侧的区域形成去除遮光膜并且深度未达到遮光板的背面的槽(27)；以及树脂埋设工序，在槽中埋设透明的树脂(31)而填埋在槽形成工序中形成于槽的底部(27a)的凹凸。

Description

曝光掩膜的制造方法

技术领域

本发明涉及对晶片进行加工时使用的曝光掩模的制造方法。

背景技术

在以移动电话为代表的小型轻量的电子设备中，具备IC、LSI等电子电路的器件芯片是必要的结构。器件芯片例如可以通过如下过程制造：通过被称为间隔道的多条分割预定线对由硅等材料制成的晶片的正面进行划分，并在各区域内形成电子电路之后，沿着该间隔道切割晶片。

在切割晶片时，例如，在使高速旋转的切削刀具切入晶片的间隔道之后，使切削刀具以及晶片向与间隔道平行的方向相对移动。但是，在该方法中，由于将晶片沿间隔道机械地刮切，由此器件芯片的抗弯强度容易降低。

此外，在该方法中，由于需要在高精度地将切削刀具定位于间隔道之后对各间隔道进行单独地切削，因此到加工结束为止需要长时间。特别地，该问题在要进行切削的分割预定线的数量较多的晶片中较深刻。

因此，近年来，提出了利用等离子蚀刻来切割晶片的方法(例如，参照专利文献1)。在该方法中，由于通过等离子蚀刻能够一次对晶片的整个面进行加工，因此即使由于器件芯片的小型化、晶片的大型化等造成要加工的分割预定线的数量增多，加工时间也可以基本不变。

此外，由于不是将晶片机械地刮切，因此抑制了加工时的缺口等，能够较高地维持器件芯片的抗弯强度。另外，在该方法中，使用在玻璃基板的表面上形成有由铬等制成的遮光膜的图案的曝光掩模(例如，参照专利文献2)，在晶片的正面和背面上形成有蚀刻用的抗蚀膜。

专利文献1：日本特开2006-114825号公报

专利文献2：日本特开昭62-229151号公报

发明内容

但是，上述曝光掩模是通过遮光膜的形成、抗蚀膜的覆盖、抗蚀膜的图案描绘、遮光膜的蚀刻等复杂的工序而制造的，价格较高，因此如果使用该曝光掩模，则晶片的加工成本也会变高。

本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供一种曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法与现有的方法相比，能够通过简单的工序廉价地制造曝光掩模。

根据本发明，提供一种曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法是晶片加工用的曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法具备：准备工序，准备遮光板，该遮光板在透光并具有要加工的晶片以上的大小的板状部件的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜；槽形成工序，在与该晶片的间隔道相对应的该遮光板的正面侧的区域形成去除该遮光膜并且深度未达到该遮光板的背面的槽；以及树脂埋设工序，将透明的树脂埋设于该槽而填埋在该槽形成工序中形成于该槽的底部的凹凸。

在本发明中，优选该树脂埋设工序通过具有喷墨喷嘴的埋设机构来进行。

此外，在本发明中，优选在该树脂埋设工序中，在形成有该槽的该遮光板的正面整体上覆盖该树脂而将该树脂埋设于该槽。

本发明的曝光掩模的制造方法包含如下工序：准备工序，准备遮光板，该遮光板在透光的板状部件的正面覆盖有遮挡光的遮光膜；槽形成工序，在与晶片的间隔道相对应的遮光板的正面侧形成去除遮光膜并且深度未达到遮光板的背面的槽；以及树脂埋设工序，将透明的树脂埋设于遮光板的槽中。

因此，能够不通过抗蚀膜的覆盖、抗蚀膜的图案描绘、遮光膜的蚀刻之类复杂的工序而制造具备与晶片的间隔道相对应的透射图案的曝光掩模。这样，根据本实施方式，能够提供一种曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法与现有的方法相比能够以简单的工序廉价地制造曝光掩模。

附图说明

图1中的(A)是示意性地示出晶片的结构例的立体图，图1中的(B)是示意性地示出晶片的结构例的剖视图。

图2中的(A)是示意性地示出遮光板以及槽形成工序的立体图，图2中的(B)是示意性地示出槽形成工序之后的遮光板的剖视图。

图3中的(A)是示意性地示出树脂埋设工序的局部剖视侧视图，图3中的(B)是示意性地示出树脂埋设工序之后的遮光板的立体图。

图4是示意性地示出树脂埋设工序的变形例的剖视图。

标号说明

11：晶片；11a：正面；11b：背面；11c：外周；13：器件区域；15：外周剩余区域；17：间隔道(分割预定线)；19：器件；21：板状部件；21a：正面；21b：背面；23：遮光膜；25：遮光板；27：槽；27a：底部；29：液体；31：树脂；33：树脂膜(树脂)；2：切削刀具；4：喷墨喷嘴(埋设机构)

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式的曝光掩模的制造方法包含准备工序、槽形成工序(参照图2的(A)以及图2的(B))、以及树脂埋设工序(参照图3的(A)以及图3的(B))。

在准备工序中，准备遮光板，该遮光板在透光的板状部件的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜。在槽形成工序中，在与晶片的间隔道相对应的遮光板的正面侧，去除遮光膜并且形成深度未到达遮光板的背面的槽。在树脂埋设工序中，将透明的树脂埋设于遮光板的槽中。以下，对本实施方式的曝光掩模的制造方法进行详细叙述。

首先，对使用本实施方式的曝光掩模而加工的晶片进行说明。图1的(A)是示意性地示出晶片的结构例的立体图，图1的(B)是示意性地示出晶片的结构例的剖视图。

如图1的(A)以及图1的(B)所示，晶片11是例如由硅等半导体材料形成的大致圆形的板状物，正面11a被分为中央的器件区域13与包围器件区域13的外周剩余区域15。

器件区域13进一步被排列为格子状的间隔道(分割预定线)17划分为多个区域，在各区域内形成有IC等器件19。晶片11的外周11c被倒角加工而带有圆角。

在本实施方式的曝光掩模的制造方法中，制造具备与上述晶片11的间隔道17相对应的透射图案的曝光掩模。具体而言，首先，实施准备工序，准备被加工成曝光掩模的遮光板。图2的(A)是示意性地示出本实施方式的遮光板、以及在准备工序之后实施的槽形成工序的立体图。

在准备工序中，如图2的(A)所示，准备利用遮光膜23将板状部件21的表面21a侧覆盖的遮光板25。板状部件21由玻璃、树脂等透明材料形成为大致圆盘状，其直径例如比晶片11的直径大。不过，板状部件21也可以形成为与晶片11相同直径。即，板状部件21是与晶片11相同或其以上的大小即可。

此外，该板状部件21具备曝光掩模所要求的任意的光学特性。具体而言，例如，板状部件21对于为使抗蚀材料硬化而使用的规定波长的光是透明的。不过，并不需要板状部件21对于可见光是透明的。

遮光膜23是例如通过溅射法或者CVD法等而形成的金属膜，该遮光膜23对为使抗蚀材料硬化而使用的规定波长的光进行遮蔽。但是，遮光膜23的材质、厚度、形成方法等能够按照曝光掩模所要求的条件而进行任意地设定。

在准备工序之后，实施槽形成工序，使与晶片的间隔道相对应的槽形成于遮光板25的正面侧(遮光膜23侧)。图2的(B)是示意性地示出槽形成工序之后的遮光板25的剖视图。

在该槽形成工序中，如图2的(A)所示，使高速旋转的切削刀具2切入遮光板25的正面，并使切削刀具2与遮光板25在水平方向上相对移动。这里，切削刀具2被切入与晶片11的间隔道17相对应的区域。此外，切削刀具2的切入深度是将遮光膜23去除并且切削刀具2未达到遮光板25的背面(板状部件21的背面21b)的程度。

因此，能够在遮光板25的正面侧与晶片11的间隔道17相对应地形成深度未达到遮光板25的背面的槽27。如果形成了与晶片11的全部间隔道17对应的槽27，则结束槽形成工序。

在槽形成工序中形成的槽27的底部27a，由于与切削刀具2的摩擦而产生了轻微的凹凸。因此，在槽形成工序之后，实施树脂埋设工序，将透明的树脂埋设于遮光板25的槽27。图3的(A)是示意性地示出树脂埋设工序的局部剖视侧视图，图3的(B)是示意性地示出树脂埋设工序之后的遮光板25的立体图。

在树脂埋设工序中，例如，如图3的(A)所示，一边使配置于遮光板25的正面侧的喷墨喷嘴(埋设机构)4沿槽27移动，一边使包含以氟树脂、金刚烷衍生物、SBC树脂等为代表的透明材料的液体29滴落至槽27中。

此后，通过使供给到槽27中的液体29干燥、硬化，从而如图3的(A)以及图3的(B)所示，能够在槽27内形成与晶片11的间隔道17相对应的直线状的树脂31。这样，通过由树脂31填埋底部27a的凹凸，能够防止底部27a的凹凸所引起的光学特性的下降。如果在遮光板25的全部槽27中埋设了树脂31，则完成曝光掩模。

如上所述，本实施方式的曝光掩模的制造方法包含如下工序：准备工序，准备遮光板25，该遮光板25在透光的板状部件21的正面21a上覆盖有遮挡光的遮光膜23；槽形成工序，在与晶片11的间隔道17相对应的遮光板25的正面侧形成去除了遮光膜23并且深度未达到遮光板25的背面的槽27；以及树脂埋设工序，将透明的树脂31埋设于遮光板25的槽27中。

因此，能够不通过抗蚀膜的覆盖、抗蚀膜的图案描绘、遮光膜的蚀刻之类复杂的工序而制造具备与晶片11的间隔道17相对应的透射图案的曝光掩模。这样，根据本实施方式，能够提供一种曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法与现有的方法相比能够以简单的工序廉价地制造曝光掩模。

另外，本发明不限于上述实施方式的记载，能够实施各种变更。例如，在上述实施方式中，使用通过喷墨喷嘴4来滴落液体29的所谓的喷墨法将树脂31埋设于槽27中，但是将树脂31埋设于槽27中的方法不限于此。

图4是示意性地示出树脂埋设工序的变形例的剖视图。在变形例的树脂埋设工序中，如图4所示，形成将遮光板25的正面(遮光膜23)整体覆盖的树脂膜(树脂)33。树脂膜33是例如使用上述的透明材料通过旋转涂布(spincoat)等方法而形成的，如图4所示，该树脂膜33的一部分埋设于槽27中。

由此，能够防止因底部27a的凹凸引起的光学特性的下降。这样，即使在实施变形例的遮光材料埋设工序情况下，也能够制造与上述实施方式相同的曝光掩模。

此外，上述实施方式的结构、方法等只要不脱离本发明的目的的范围则能够进行适当变更来实施。

Claims (3)

1.一种曝光掩模的制造方法，是晶片加工用的曝光掩模的制造方法，其特征在于，该曝光掩模的制造方法具备：

准备工序，准备遮光板，该遮光板在板状部件的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜，所述板状部件透光并具有要加工的晶片以上的大小；

槽形成工序，在与该晶片的间隔道相对应的该遮光板的正面侧的区域，形成去除该遮光膜且深度未达到该遮光板的背面的槽；以及

树脂埋设工序，将透明的树脂埋设于该槽来填埋在该槽形成工序中形成于该槽的底部的凹凸。

2.根据权利要求1所述的曝光掩模的制造方法，其中，

该树脂埋设工序是通过具有喷墨喷嘴的埋设机构来进行的。

3.根据权利要求1所述的曝光掩模的制造方法，其中，

在该树脂埋设工序中，在形成有该槽的该遮光板的正面整体上覆盖该树脂而将该树脂埋设于该槽。