TW201546548A - 感放射線性樹脂組合物、絕緣膜及顯示元件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於形成可以控制介電特性的絕緣膜的 感放射線性樹脂組合物，並提供一種使用所述感放射線性樹脂組合物的絕緣膜及液晶顯示元件。感放射線性樹脂組合物包含：[A]聚合物、[B]感光劑、以及[C]包含鈦氧化物、與選自由鋇、鍶、鈣、鎂、鋯及鉛所組成的組群的至少一種金屬元素的化合物，[C]化合物的c/a軸比為1.0025~1.010。

Description

感放射線性樹脂組合物、絕緣膜及顯示元件

本發明涉及一種感放射線性樹脂組合物、絕緣膜及顯示元件。

近年來，與以前的陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)方式的顯示裝置相比，由於謀求薄型化或輕量化等的優點等，而使用液晶的顯示元件、即液晶顯示元件的開發正在積極地進行。

液晶顯示元件具有在一對基板間夾持液晶的結構。在所述基板的表面，為了控制液晶的配向，可以設置配向膜。另外，所述一對基板例如由一對偏光板夾持。並且，若在基板間施加電場，則在液晶中引起配向變化，而將光部分地透射、或遮蔽。在液晶顯示元件中，利用如此的特性顯示圖像，可以提供薄型且輕量的顯示元件。

液晶顯示元件藉由對每像素設置用以切換的主動元件的主動矩陣(active matrix)方式的開發，而可以實現對比度比或響應性能優異的良好的畫質。而且，液晶顯示元件也克服了高精細化、彩色化及視角擴大等的問題，最近，已用作智慧型手機 (smartphone)等便攜電子設備的顯示元件、或大型且薄型的電視用顯示元件。

在液晶顯示元件中，已知有液晶的初始配向狀態或配向變化動作不同的各種液晶模式。例如已知：扭轉向列(Twisted Nematic，TN)、超扭轉向列(Super Twisted Nematic，STN)、共面切換(In-Planes Switching，IPS)、邊緣場切換(Fringe Field Switching，FFS)、垂直配向(Vertical Alignment，VA)或光學補償彎曲(Optically Compensated Birefringence，OCB)等液晶模式。

在所述液晶模式中，IPS模式及作為所述IPS模式的一例的FFS模式，由於具有寬的視角、快的響應速度及高的對比度比，因此是近年來特別受到關注的液晶模式。另外，在本發明中所謂IPS模式，表示液晶在夾持其的基板的面內進行切換(配向變化)動作的液晶模式。因此，只要不特別加以區別，是除了所謂的被稱為橫向電場方式的狹義的IPS模式外，也包括使用斜向電場(邊緣電場)使液晶在基板的面內進行切換的FFS模式的概念。

在包括FFS模式的IPS模式(以下有時簡稱為“IPS模式”)的液晶顯示元件中，以在一對基板間所夾持的液晶相對於基板而大致平行的方式，控制液晶的初始配向狀態。藉由在配置於所述基板中的一個基板的像素電極與共通電極之間施加電壓，而形成以與基板平面平行的成分為主的電場(所謂的橫向電場或斜向電場(邊緣電場))，而具備介電各向異性的液晶的配向狀態發生變化。因此，在IPS模式中，由電壓施加引起的液晶的配向變化如 其名稱般，在與基板平面平行的面內，液晶分子的旋轉動作為主。

根據如上所述，IPS模式與TN模式等的平行配向的液晶藉由電壓施加而進行立起動作的液晶模式不同，液晶相對於夾持液晶的基板的傾角的變化小。因此，在IPS模式的液晶顯示元件中，伴隨著電壓施加的延遲(retardation)的有效值的變化變小，可以實現視角寬且高畫質的圖像的顯示。

在如上所述的IPS模式的液晶顯示元件中，正在進行如下的電極結構的開發：在透明的整塊狀電極(例如共通電極)上積層包含無機材料的無機絕緣膜，在所述無機絕緣膜上重疊梳齒狀電極(例如像素電極)(例如參照專利文獻1或專利文獻2)。根據所述結構，像素的開孔率提高，並且實現高亮度的圖像顯示。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-48394號公報

[專利文獻2]日本專利特開2011-59314號公報

關於IPS模式的液晶顯示元件，近年來為了應對電視、或智慧型手機等便攜電子設備的顯示元件的高解析化及高畫質化，而要求進一步的高畫質化、特別是高精細化。

在IPS模式的液晶顯示元件中，在夾持液晶的一對基板中的一個基板上，配置用以薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transister) 等的切換的主動元件。並且，也配置像素電極、共通電極、與所述電極連接的配線等，而構成陣列基板。因此，在IPS模式的液晶顯示元件中，配置在陣列基板上的構成構件變多，在陣列基板上的電極結構或配線的配置結構比TN模式等其他液晶模式複雜。根據如上所述，若欲進行進一步的高精細化，則有如下的擔憂：像素內的像素電極的面積減少，像素的開孔率降低而使顯示的亮度降低。

在專利文獻2中揭示如下陣列基板，在所述基板中，介隔包含無機材料的層間絕緣膜(以下也稱為“無機層間絕緣膜”)而在整塊狀共通電極上配置具有形成為梳齒狀的部分的像素電極(以下也稱為“梳齒狀像素電極”)。並且，在專利文獻2中揭示，在整塊狀共通電極與其下層的配線之間，設置包含有機材料的絕緣膜(以下有時簡稱為“有機絕緣膜”)的技術。藉由設置所述有機絕緣膜，而可以期待抑制像素電極與配線之間的耦合電容的增大，且提高開孔率。

此時，在專利文獻2所記載的以前的IPS模式的液晶顯示元件中，在整塊狀共通電極與梳齒狀像素電極之間，設置緻密的包含SiN(氮化矽)的無機層間絕緣膜，所述無機層間絕緣膜用以確保所述電極之間的絕緣性。所述包含SiN的無機層間絕緣膜通常利用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)形成。

因此，在以前的IPS模式的液晶顯示元件中，在共通電極與梳齒狀像素電極之間形成無機層間絕緣膜時，必須設置CVD 製程，而製造裝置變成大規模的製造裝置。並且，為了提高生產性，若欲使用大型的基板，則製造裝置必需進一步大規模的製造裝置。因此，在以前的IPS模式的液晶顯示元件中，無機層間絕緣膜的形成成為謀求生產性提高方面的一個限制，並且成為高成本化的主要原因。

因此，在IPS模式的液晶顯示元件中，要求簡便地形成配置在共通電極與梳齒狀像素電極之間的層間絕緣膜的技術。即，要求無需使用用於CVD等的大規模的製造裝置，便可在大型基板上簡便地形成的絕緣膜。並且，所述絕緣膜較佳為圖案化性、透光特性及絕緣性優異，且較佳為介電特性及折射率特性與以前的層間絕緣膜相同。特佳為以與以前的TFT組合，而代替包含SiN的無機層間絕緣膜變得容易的方式，具備相同的介電特性。

本發明鑒於如以上的問題而成。即，本發明的目的在於提供一種用於形成可以控制介電特性的絕緣膜的感放射線性樹脂組合物。

另外，本發明的目的在於提供一種可以簡便地形成且可以控制介電特性的絕緣膜。

而且，本發明的目的在於提供一種包含可以簡便地形成且可以控制介電特性的絕緣膜的顯示元件。

本發明的第1形態是關於一種感放射線性樹脂組合物，其特徵在於：包含 [A]聚合物、[B]感光劑、以及[C]包含鈦氧化物、與選自由鋇、鍶、鈣、鎂、鋯及鉛所組成的組群的至少一種金屬元素的化合物，且[C]化合物的c/a軸比為1.0025~1.010。

在本發明的第1形態中，較佳為[A]聚合物為包含具有羧基的構成單元的聚合物。

在本發明的第1形態中，較佳為[B]感光劑包含選自光自由基聚合起始劑及光酸產生劑中的至少一種。

在本發明的第1形態中，較佳為[C]化合物為鈦酸鋇。

在本發明的第1形態中，較佳為進一步包含[D]選自由具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的聚合物、與具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的(甲基)丙烯酸酯化合物所組成的組群的至少一種。

在本發明的第1形態中，較佳為用於形成顯示元件的絕緣膜。

本發明的第2形態是關於一種絕緣膜，其特徵在於：使用本發明的第1形態的感放射線性樹脂組合物而形成。

本發明的第3形態是關於一種顯示元件，其特徵在於：包含由本發明的第1形態的感放射線性樹脂組合物形成的絕緣膜。

根據本發明的第1形態，可以獲得能夠簡便地形成可以 控制介電特性的絕緣膜的感放射線性樹脂組合物。

根據本發明的第2形態，可以獲得能夠簡便地形成且可以控制介電特性的絕緣膜。

根據本發明的第3形態，可以獲得包含能夠簡便地形成且可以控制介電特性的絕緣膜的顯示元件。

1‧‧‧陣列基板

4、11‧‧‧基板

5‧‧‧影像信號線

5a‧‧‧第2源極一汲極電極

6‧‧‧第1源極-汲極電極

7‧‧‧掃描信號線

7a‧‧‧閘極電極

8‧‧‧主動元件

8a‧‧‧半導體層

9‧‧‧像素電極

10‧‧‧配向膜

12‧‧‧有機絕緣膜

13‧‧‧黑矩陣

14‧‧‧共通電極

15‧‧‧著色圖案

17‧‧‧接觸孔

22‧‧‧彩色濾光片基板

23‧‧‧液晶層

27‧‧‧背光光

28‧‧‧偏光板

31‧‧‧閘極絕緣膜

32‧‧‧無機絕緣膜

33‧‧‧絕緣膜

41‧‧‧液晶顯示元件

圖1是示意性表示本發明實施形態的陣列基板的像素部分的主要部分結構的俯視圖。

圖2是示意性表示沿著圖1的A-A'線的剖面結構的圖。

圖3是本發明實施形態的液晶顯示元件的示意性剖面圖。

所述專利文獻2等所記載的以前的液晶顯示元件是IPS模式中的FFS模式的液晶顯示元件，具有整塊狀共通電極與設置在其上層的梳齒狀像素電極。並且在所述電極之間，設置包含SiN的無機層間絕緣膜。包含SiN的無機層間絕緣膜的形成是利用CVD等成膜方法，因此必需大規模的製造裝置。

為了實現可以利用簡便的方法形成的層間絕緣膜，來代替所述包含SiN的無機層間絕緣膜，較佳為應用包含有機材料的塗佈型絕緣膜。若可以使用所述塗佈型有機絕緣膜，來代替以前的無機層間絕緣膜，則在包括FFS模式的IPS模式的液晶顯示元件中，可以形成簡便的層間絕緣膜。而且，大型基板的應用變得 容易，而可以提高液晶顯示元件形成用陣列基板及使用其的液晶顯示元件的生產性。

因此，研究利用包含有機材料的塗佈型絕緣膜來代替無機層間絕緣膜，但為了實現所述目的，而在所述絕緣膜中，要求圖案化性、透光性及絕緣性。因此，所述絕緣膜較佳為使用可以圖案化的液態樹脂組合物，可以利用塗佈法等而形成。

而且，可以代替無機層間絕緣膜的包含有機材料的絕緣膜，較佳為介電特性及折射率特性與以前的層間絕緣膜相同。特別是所述絕緣膜較佳為與過去以來所用的用於切換的主動元件(即TFT組合)，而可以實現與包含SiN的無機層間絕緣膜相同的使用。因此，所述絕緣膜較佳為能夠以如下方式進行控制：靜電電容C與包含SiN的無機層間絕緣膜為同等以上。

此時，在與TFT組合方面考慮的層間絕緣膜等構件的靜電電容C能夠以C=ε×(S/d)表示。此處，ε為構成層間絕緣膜等的構件的介電常數。S為構件的面積，在為層間絕緣膜時，可以設為電極面積。d為構件的厚度，在為層間絕緣膜時為膜厚。並且，ε以ε=ε₀×k表示。此時，ε₀為真空中的介電常數，為常數。k為構件的相對介電常數，是構件所固有的值。

SiN的相對介電常數k為6~7，與乙烯樹脂或丙烯酸系樹脂等樹脂的相對介電常數為2以上、4以下即2~4相比，具有大的值。因此，在欲使用樹脂組合物形成絕緣膜時，必須進行如下的控制：以靜電電容與包含SiN的無機層間絕緣膜為同等以上 的方式，提高構成成分的相對介電常數。並且，要求維持絕緣性，並實現良好的圖案化性。

因此，本發明者應用提高構成成分的相對介電常數的技術，而開發出包含有機材料的絕緣膜，所述絕緣膜可以將介電常數控制為所期望的值，例如能夠以與包含SiN的層間絕緣膜相同的方式進行控制。

另外，所述本發明的絕緣膜與以前的使用有機材料的有機膜相比，可以具有高的折射率，並且可以具有與以前的包含SiN的無機層間絕緣膜相同的折射率。本發明的可以用於形成陣列基板的層間絕緣膜，藉由具有如此的折射率特性，而在使用所述層間絕緣膜的本發明的液晶顯示元件中，可以減少電極在畫面上明顯可見的所謂的“見骨”的問題。

並且，所述本發明的絕緣膜可以使用感放射線性樹脂組合物利用塗佈簡便的形成，為了液晶顯示元件的構成，可以實現所期望的圖案化。

其結果是，本發明的絕緣膜可以代替以前的包含SiN的無機層間絕緣膜，可以提供具有主動元件、共通電極、像素電極、以及配置在所述共通電極及像素電極之間的本發明的絕緣膜的陣列基板。並且，可以提供使用所述陣列基板的本發明的顯示元件。

以下，對形成本發明的絕緣膜的本發明的感放射線性樹脂組合物、包含本發明的絕緣膜的顯示元件的例子即液晶顯示元件、及本發明的絕緣膜的形成等進行說明，所述本發明的絕緣膜 可以代替以前的無機層間絕緣膜。

另外，在本發明中，曝光時所照射的“放射線”包括：可見光線、紫外線、遠紫外線、X射線及帶電粒子束等。

<感放射線性樹脂組合物>

本發明實施形態的絕緣膜的製造中所用的本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物，是具備感放射線性的樹脂組合物。本實施形態的感放射線性樹脂組合物也可以具有：正型感放射線性及負型感放射線性的任一種特性。

本實施形態的感放射線性樹脂組合物含有以下成分作為必須成分：作為[A]成分的[A]聚合物，作為[B]成分的[B]感光劑，以及作為[C]成分的[C]包含鈦氧化物、與選自由鋇、鍶、鈣、鎂、鋯及鉛所組成的組群的至少一種金屬元素的化合物(以下有時簡稱為[C]化合物)。

並且，在本實施形態的感放射線性樹脂組合物為正型感放射線性樹脂組合物時，[B]感光劑較佳為光酸產生劑、或含有光酸產生劑。另外，在本實施形態的感放射線性樹脂組合物為負型感放射線性樹脂組合物時，[B]感光劑較佳為光自由基聚合起始劑、或含有光自由基聚合起始劑。

而且，為了控制所得的本發明實施形態的絕緣膜的介電特性，本實施形態的感放射線性樹脂組合物較佳包含：作為[D]成分的[D]選自由具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的聚合物以及具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的(甲基)丙烯酸 酯化合物所組成的組群的至少一種(以下有時簡稱為[D]化合物)。

另外，只要不損害本發明的效果，本實施形態的感放射線性樹脂組合物可以含有其他任意成分。

以下，對本實施形態的感放射線性樹脂組合物所含有的各成分進行詳細地說明。

<[A]聚合物>

在本實施形態的感放射線性樹脂組合物中，作為[A]成分的[A]聚合物，是成為使用本實施形態的感放射線性樹脂組合物而形成的本發明實施形態的絕緣膜的基材的成分。

並且，為了使本實施形態的感放射線性樹脂組合物具備所期望的圖案化性，[A]聚合物較佳為鹼可溶性樹脂。此時，[A]聚合物若為具有鹼顯影性的聚合物，則並無特別限定。但相當於所述[D]化合物的聚合物除外。

較佳的[A]聚合物可以列舉：包含具有羧基的構成單元的聚合物。

並且，為了可以形成本發明實施形態的絕緣膜來作為使用本實施形態的感放射線性樹脂組合物的硬化膜，[A]聚合物更理想為包含具有不飽和雙鍵或環氧基等聚合性基的構成單元的聚合物。因此，[A]聚合物更佳為包含具有羧基的構成單元，而且包含具有聚合性基的構成單元的聚合物。

此時，在[A]聚合物中，較佳的具有聚合性基的構成單元是：選自由具有環氧基的構成單元及具有(甲基)丙烯醯氧基的構成 單元所組成的組群的至少一種構成單元(以下有時稱為特定構成單元)。[A]聚合物藉由包含所述特定構成單元，而可以形成具有優異的表面硬化性及深部硬化性的硬化膜、即本發明實施形態的絕緣膜。

所述具有(甲基)丙烯醯氧基的構成單元例如可以藉由以下方法形成：使共聚物中的環氧基與(甲基)丙烯酸反應的方法；使共聚物中的羧基與具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯反應的方法；使共聚物中的羥基與具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯反應的方法；使共聚物中的酸酐部位與(甲基)丙烯酸反應的方法等。所述方法中特佳為使共聚物中的羧基與具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯反應的方法。

包含具有羧基的構成單元、與具有環氧基作為聚合性基的構成單元的[A]聚合物，可以將以下成分共聚合來合成：(A1)選自由不飽和羧酸及不飽和羧酸酐所組成的組群的至少一種(以下也稱為“(A1)化合物”)、及(A2)含有環氧基的不飽和化合物(以下也稱為“(A2)化合物”)。此時，[A]聚合物成為包含如下構成單元的共聚物：由選自由不飽和羧酸及不飽和羧酸酐所組成的組群的至少一種形成的構成單元、以及由含有環氧基的不飽和化合物形成的構成單元。

[A]聚合物例如可以藉由以下方式製造：在溶劑中在聚合起始劑的存在下，將提供含有羧基的構成單元的(A1)化合物、與提供含有環氧基的構成單元的(A2)化合物進行共聚合。另外， 在將本實施形態的感放射線性樹脂組合物設為正型時，也可以進一步添加(A3)提供含有羥基的構成單元的含有羥基的不飽和化合物(以下也稱為“(A3)化合物”)，而製成共聚物。而且，在[A]聚合物的製造中，也可以與所述(A1)化合物、(A2)化合物及(A3)化合物一起進一步添加(A4)化合物(提供源自所述(A1)化合物、(A2)化合物及(A3)化合物的構成單元以外的構成單元的不飽和化合物)，而製成共聚物。以下，對各化合物進行詳細敘述。

[(A1)化合物]

(A1)化合物可以列舉：不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸的酐、多元羧酸的單[(甲基)丙烯醯氧基烷基]酯等。

不飽和單羧酸例如可以列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸等。

不飽和二羧酸例如可以列舉：順丁烯二酸、反丁烯二酸、檸康酸、中康酸、衣康酸等。

不飽和二羧酸的酐例如可以列舉：作為所述二羧酸而例示的化合物的酐等。

多元羧酸的單[(甲基)丙烯醯氧基烷基]酯例如可以列舉：琥珀酸單[2-(甲基)丙烯醯氧基乙基]酯、鄰苯二甲酸單[2-(甲基)丙烯醯氧基乙基]酯等。

所述(A1)化合物中，較佳為丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸酐，從共聚合反應性、對鹼性水溶液的溶解性及獲得的 容易性來看，更佳為丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸酐。

所述(A1)化合物可以單獨使用，也可以混合兩種以上而使用。

根據(A1)化合物以及(A2)化合物(根據需要的任意的(A3)化合物及(A4)化合物)的合計，(A1)化合物的使用比例較佳為5質量%~30質量%，更佳為10質量%~25質量%。藉由將(A1)化合物的使用比例設為5質量%~30質量%，而可以獲得使[A]鹼可溶性樹脂對鹼性水溶液的溶解性最佳化，並且放射線性感度優異的絕緣膜。

[(A2)化合物]

(A2)化合物是具有自由基聚合性的含有環氧基的不飽和化合物。環氧基可以列舉：氧雜環丙基(1,2-環氧結構)或氧雜環丁基(1,3-環氧結構)等。

具有氧雜環丙基的不飽和化合物例如可以列舉：丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、丙烯酸3,4-環氧丁酯、甲基丙烯酸3,4-環氧丁酯、丙烯酸6,7-環氧庚酯、甲基丙烯酸6,7-環氧庚酯、α-乙基丙烯酸-6,7-環氧庚酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚、甲基丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸3,4-環氧環己酯、丙烯酸3,4-環氧環己酯等。所述中，從共聚合反應性及絕緣膜等的耐溶劑性等提高的觀點來看，較佳為甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、甲基丙烯 酸-6,7-環氧庚酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚、甲基丙烯酸3,4-環氧環己酯、丙烯酸3,4-環氧環己酯等。

具有氧雜環丁基的不飽和化合物例如可以列舉： 3-(丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-2-甲基氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-2-苯基氧雜環丁烷、3-(2-丙烯醯氧基乙基)氧雜環丁烷、3-(2-丙烯醯氧基乙基)-2-乙基氧雜環丁烷、3-(2-丙烯醯氧基乙基)-3-乙基氧雜環丁烷、3-(2-丙烯醯氧基乙基)-2-苯基氧雜環丁烷等丙烯酸酯； 3-(甲基丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-2-甲基氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-2-苯基氧雜環丁烷、3-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)氧雜環丁烷、3-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)-2-乙基氧雜環丁烷、3-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)-3-乙基氧雜環丁烷、3-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)-2-苯基氧雜環丁烷、3-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)-2,2-二氟氧雜環丁烷等甲基丙烯酸酯等。

所述(A2)化合物中，較佳為甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸3,4-環氧環己酯、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷。所述(A2)化合物可以單獨使用，也可以混合兩種以上而使用。

根據(A1)化合物以及(A2)化合物(根據需要的任意 的(A3)化合物及(A4)化合物)的合計，(A2)化合物的使用比例較佳為5質量%~60質量%，更佳為10質量%~50質量%。藉由將(A2)化合物的使用比例設為5質量%~60質量%，而可以形成具有優異的硬化性等的硬化膜、即本實施形態的絕緣膜。

[(A3)化合物]

(A3)化合物可以列舉：具有羥基的(甲基)丙烯酸酯、具有酚性羥基的(甲基)丙烯酸酯、羥基苯乙烯。

具有羥基的丙烯酸酯可以列舉：丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸3-羥基丙酯、丙烯酸4-羥基丁酯、丙烯酸5-羥基戊酯、丙烯酸6-羥基己酯等。

具有羥基的甲基丙烯酸酯可以列舉：甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸3-羥基丙酯、甲基丙烯酸4-羥基丁酯、甲基丙烯酸5-羥基戊酯、甲基丙烯酸6-羥基己酯等。

具有酚性羥基的丙烯酸酯可以列舉：丙烯酸2-羥基苯酯、丙烯酸4-羥基苯酯等。具有酚性羥基的甲基丙烯酸酯可以列舉：甲基丙烯酸2-羥基苯酯、甲基丙烯酸4-羥基苯酯等。

羥基苯乙烯較佳為鄰羥基苯乙烯、對羥基苯乙烯、α-甲基-對羥基苯乙烯。

所述(A3)化合物可以單獨使用，也可以混合兩種以上而使用。

根據(A1)化合物、(A2)化合物以及(A3)化合物(根據需要的任意的(A4)化合物)的合計，(A3)化合物的使用比 例較佳為1質量%~30質量%，更佳為5質量%~25質量%。

[(A4)化合物]

(A4)化合物若為所述(A1)化合物、(A2)化合物及(A3)化合物以外的不飽和化合物，則並無特別限制。(A4)化合物例如可以列舉：甲基丙烯酸鏈狀烷基酯、甲基丙烯酸環狀烷基酯、丙烯酸鏈狀烷基酯、丙烯酸環狀烷基酯、甲基丙烯酸芳基酯、丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、順丁烯二醯亞胺化合物、不飽和芳香族化合物、共軛二烯、具有四氫呋喃骨架等的不飽和化合物及其他不飽和化合物等。

甲基丙烯酸鏈狀烷基酯例如可以列舉：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸異癸酯、甲基丙烯酸正月桂酯、甲基丙烯酸十三烷基酯、甲基丙烯酸正硬脂酯等。

甲基丙烯酸環狀烷基酯例如可以列舉：甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸2-甲基環己酯、甲基丙烯酸三環[5.2.1.0^2,6]癸烷-8-基酯、甲基丙烯酸三環[5.2.1.0^2,6]癸烷-8-基氧基乙酯、甲基丙烯酸異冰片酯等。

丙烯酸鏈狀烷基酯例如可以列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸異癸酯、丙烯酸正月桂酯、丙烯酸十三烷基酯、丙烯酸正硬脂酯等。

丙烯酸環狀烷基酯例如可以列舉：丙烯酸環己酯、丙烯酸-2-甲基環己酯、丙烯酸三環[5.2.1.0^2,6]癸烷-8-基酯、丙烯酸三環[5.2.1.0^2,6]癸烷-8-基氧基乙酯、丙烯酸異冰片酯等。

甲基丙烯酸芳基酯例如可以列舉：甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苄酯等。

丙烯酸芳基酯例如可以列舉：丙烯酸苯酯、丙烯酸苄酯等。

不飽和二羧酸二酯例如可以列舉：順丁烯二酸二乙酯、反丁烯二酸二乙酯、衣康酸二乙酯等。

順丁烯二醯亞胺化合物例如可以列舉：N-苯基順丁烯二醯亞胺、N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-苄基順丁烯二醯亞胺、N-(4-羥基苯基)順丁烯二醯亞胺、N-(4-羥基苄基)順丁烯二醯亞胺、N-琥珀醯亞胺基-3-順丁烯二醯亞胺苯甲酸酯、N-琥珀醯亞胺基-4-順丁烯二醯亞胺丁酸酯、N-琥珀醯亞胺基-6-順丁烯二醯亞胺己酸酯、N-琥珀醯亞胺基-3-順丁烯二醯亞胺丙酸酯、N-(9-吖啶基)順丁烯二醯亞胺等。

不飽和芳香族化合物例如可以列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、對甲氧基苯乙烯等。

共軛二烯例如可以列舉：1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯等。

含有四氫呋喃骨架的不飽和化合物例如可以列舉：甲基 丙烯酸四氫糠酯、2-甲基丙烯醯氧基-丙酸四氫糠酯、3-(甲基)丙烯醯氧基四氫呋喃-2-酮等。

其他不飽和化合物例如可以列舉：丙烯腈、甲基丙烯腈、氯乙烯、偏二氯乙烯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、乙酸乙烯酯等。

所述(A4)化合物中，較佳為甲基丙烯酸鏈狀烷基酯、甲基丙烯酸環狀烷基酯、甲基丙烯酸芳基酯、順丁烯二醯亞胺化合物、四氫呋喃骨架、不飽和芳香族化合物、丙烯酸環狀烷基酯。所述中，從共聚合反應性及對鹼性水溶液的溶解性的方面來看，特佳苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸正月桂酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸三環[5.2.1.0^2,6]癸烷-8-基酯、對甲氧基苯乙烯、丙烯酸2-甲基環己酯、N-苯基順丁烯二醯亞胺、N-環己基順丁烯二醯亞胺、甲基丙烯酸四氫糠酯。

所述(A4)化合物可以單獨使用，也可以混合兩種以上而使用。

根據(A1)化合物、(A2)化合物以及(A4)化合物(及任意的(A3)化合物)的合計，(A4)化合物的使用比例較佳為10質量%~80質量%。

<包含具有羧基的構成單元與具有環氧基作為聚合性基的構成單元的[A]聚合物的合成方法1>

[A]聚合物例如可以藉由以下方式製造：在溶劑中在聚合起始劑的存在下，將所述(A1)化合物以及(A2)化合物(任意的(A3)化合物及(A4)化合物)進行共聚合。根據所述合成方法，可以 合成至少包含含有環氧基的構成單元的共聚物。

用以製造[A]聚合物的聚合反應中所用的溶劑例如可以列舉：醇、二醇醚、乙二醇烷基醚乙酸酯、二乙二醇單烷基醚、二乙二醇二烷基醚、二丙二醇二烷基醚、丙二醇單烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯、丙二醇單烷基醚丙酸酯、酮、酯等。

用以製造[A]聚合物的聚合反應中所用的聚合起始劑，可以使用通常作為自由基聚合起始劑而已知的聚合起始劑。自由基聚合起始劑例如可以列舉：2,2'-偶氮雙異丁腈(AIBN)、2,2'-偶氮雙-(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙-(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)等偶氮化合物。

在用以製造[A]聚合物的聚合反應中，為了調整分子量，可以使用分子量調整劑。

分子量調整劑例如可以列舉：氯仿、四溴化碳等鹵化烴類；正己基硫醇、正辛基硫醇、正十二烷基硫醇、三級十二烷基硫醇、硫甘醇酸等硫醇類；硫化二甲基黃原酸酯、二硫化二異丙基黃原酸酯等黃原酸酯類；異松油烯(terpinolene)、α-甲基苯乙烯二聚物等。

[A]聚合物的重量平均分子量(Mw)較佳為1000~30000，更佳為5000~20000。藉由將[A]聚合物的Mw設為所述範圍，而可以提高本實施形態的感放射線性樹脂組合物對放射線的感度及顯影性。另外，本說明書中的聚合物的Mw及數量平均分子量(Mn)利用下述條件的凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography，GPC)進行測定。

裝置：GPC-101(昭和電工製造)

管柱：將GPC-KF-801、GPC-KF-802、GPC-KF-803及GPC-KF-804結合

流動相：四氫呋喃

管柱溫度：40℃

流速：1.0mL/min

試樣濃度：1.0質量%

試樣注入量：100μL

檢測器：示差折射計

標準物質：單分散聚苯乙烯

<包含具有羧基的構成單元與具有(甲基)丙烯醯基作為聚合性基的構成單元的[A]聚合物的合成方法2>

[A]聚合物例如可以使能夠使用一種以上所述(A1)化合物而合成的共聚物(以下有時稱為“特定共聚物”)、與所述(A2)化合物反應而合成。根據所述合成方法，可以合成至少包含具有(甲基)丙烯醯氧基的構成單元的共聚物。

[A]聚合物所含的具有(甲基)丙烯醯氧基的構成單元，是使共聚物中的羧基與具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯反應而得，反應後的具有(甲基)丙烯醯基的構成單元由下述式(1)表示。所述構成單元是源自(A1)化合物的特定共聚物中的羧基與(A2)化合物的環氧基反應，形成酯鍵而得。

所述式(1)中，R¹⁰及R¹¹分別獨立地為氫原子或甲基。c為1~6的整數。R¹²為下述式(2-1)或下述式(2-2)所示的2價基團。

所述式(2-1)中，R¹³為氫原子或甲基。所述式(2-1)及所述式(2-2)中，*表示與氧原子鍵結的部位。

關於所述式(1)所示的構成單元，例如在使具有羧基的共聚物、與作為(A2)化合物的甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-甲基縮水甘油酯等化合物反應時，所述式(1)中的R¹²成為所述式(2-1)。另一方面，在使作為(A2)化合物的甲基丙烯 酸3,4-環氧環己基甲酯等化合物反應時，所述式(1)中的R¹²成為所述式(2-2)。

在特定共聚物的合成時，可以使用(A1)化合物以外的化合物、例如所述(A3)化合物、(A4)化合物等作為共聚合成分。從共聚合反應性的方面來看，所述化合物較佳為甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸三環[5.2.1.0^2,6]癸烷-8-基酯、苯乙烯、對甲氧基苯乙烯、甲基丙烯酸四氫呋喃-2-基酯、1,3-丁二烯。

特定共聚物的共聚合的方法例如可以列舉：在溶劑中使用自由基聚合起始劑，將(A1)化合物、及根據需要的(A3)化合物等聚合的方法。

所述自由基聚合起始劑可以列舉：與在所述[A]聚合物的項中所例示者相同的自由基聚合起始劑。相對於聚合性不飽和化合物100質量%，自由基聚合起始劑的使用量為0.1質量%~50質量%，較佳為0.1質量%~20質量%。

特定共聚物能夠以聚合反應溶液的狀態供於[A]聚合物的製造，也能夠在將共聚物暫時從溶液分離後供於[A]聚合物的製造。

另外，特定共聚物的分子量分佈(Mw/Mn)較佳為5.0以下，更佳為3.0以下。藉由將分子量分佈(Mw/Mn)設為5.0以下，而可以良好地確保所得的圖案的形狀。另外，包含具有所述特定範圍的分子量分佈(Mw/Mn)的特定共聚物的絕緣膜，具 有高度的顯影性。即，在顯影步驟中，不會產生顯影殘留，可以容易地形成規定圖案。

特定共聚物的源自(A1)化合物的構成單元的含有率較佳為5質量%~60質量%，更佳為7質量%~50質量%，特佳為8質量%~40質量%。

特定共聚物的源自(A1)化合物以外的(A3)化合物、(A4)化合物等化合物的構成單元的含有率為10質量%~90質量%、20質量%~80質量%。

在特定共聚物與(A2)化合物的反應中，根據需要在適當的催化劑的存在下，較佳為在包含聚合抑制劑的共聚物的溶液中，投入具有環氧基的不飽和化合物，在加溫下攪拌規定時間。所述催化劑例如可以列舉：四丁基溴化銨等。所述聚合抑制劑例如可以列舉：對甲氧基苯酚等。反應溫度較佳為70℃~100℃。反應時間較佳為8小時~12小時。

相對於共聚物中的源自(A1)化合物的羧基，(A2)化合物的使用比例較佳為5質量%~99質量%，更佳為10質量%~97質量%。藉由將(A2)化合物的使用比例設為所述範圍，而與共聚物的反應性、絕緣膜的硬化性等進一步提高。(A2)化合物可以單獨使用或混合兩種以上而使用。

<[B]感光劑>

本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物所含有的[B]感光劑可以列舉：可以對放射線產生感應而產生自由基並開始聚合的 化合物(即[B-1]光自由基聚合起始劑)、或者對放射線產生感應而產生酸的化合物(即[B-2]光酸產生劑)。本實施形態的感放射線性樹脂組合物藉由含有[B]感光劑，而可以具有感放射線性，例如可以具有正型感放射線性或負型感放射線性。

本實施形態的感放射線性樹脂組合物的[B-1]光自由基聚合起始劑可以列舉：O-醯基肟化合物、苯乙酮化合物、聯咪唑化合物等。所述化合物可以單獨使用，也可以混合兩種以上而使用。

O-醯基肟化合物例如可以列舉：1,2-辛烷二酮1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、1-(9-乙基-6-苯甲醯基-9.H.-哢唑-3-基)-辛烷-1-酮肟-O-乙酸酯、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9.H.-哢唑-3-基]-乙烷-1-酮肟-O-苯甲酸酯、1-[9-正丁基-6-(2-乙基苯甲醯基)-9.H.-哢唑-3-基]-乙烷-1-酮肟-O-苯甲酸酯、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基-4-四氫呋喃基(tetrahydrofuranyl)苯甲醯基)-9.H.-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基-4-四氫吡喃基苯甲醯基)-9.H.-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基-5-四氫呋喃基苯甲醯基)-9.H.-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-{2-甲基-4-(2,2-二甲基-1,3-二四氫呋喃基(oxolanyl))甲氧基苯甲醯基}-9.H.-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)等。

所述中，較佳為1,2-辛烷二酮1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基-4-四氫呋喃基 (tetrahydrofuranyl)甲氧基苯甲醯基)-9.H.-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)或乙酮-1-[9-乙基-6-{2-甲基-4-(2,2-二甲基-1,3-二四氫呋喃基(oxolanyl))甲氧基苯甲醯基}-9.H.-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)。

苯乙酮化合物例如可以列舉：α-胺基酮化合物、α-羥基酮化合物。

α-胺基酮化合物例如可以列舉：2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎福林基苯基)-丁烷-1-酮、2-二甲基胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎福林-4-基-苯基)-丁烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎福林基丙烷-1-酮等。

α-羥基酮化合物例如可以列舉：1-苯基-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、1-羥基環己基苯基酮等。

苯乙酮化合物較佳為α-胺基酮化合物，特佳為2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎福林基苯基)-丁烷-1-酮、2-二甲基胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎福林-4-基-苯基)-丁烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎福林基丙烷-1-酮。

聯咪唑化合物例如較佳為2,2'-雙(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑、2,2'-雙(2,4-二氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑或2,2'-雙(2,4,6-三氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑，其中更佳為2,2'-雙(2,4-二氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-聯咪唑。

[B-1]光自由基聚合起始劑如上所述般，可以單獨使用或混合兩種以上而使用。相對於[A]成分100質量份，[B-1]光自由基 聚合起始劑的含有比例較佳為1質量份~40質量份，更佳為5質量份~30質量份。藉由將[B-1]光自由基聚合起始劑的使用比例設為1質量份~40質量份，而即便是低曝光量，感放射線性樹脂組合物也可以形成具有高的耐溶劑性、高的硬度及高的密著性的硬化膜。其結果可以提供如此的特性優異的本發明實施形態的絕緣膜。

接著，本實施形態的感放射線性樹脂組合物的作為[B]感光劑的[B-2]光酸產生劑例如可以列舉：肟磺酸酯化合物、鎓鹽、磺醯亞胺化合物、含有鹵素的化合物、重氮甲烷化合物、碸化合物、磺酸酯化合物、羧酸酯化合物、醌二疊氮化合物等。另外，所述[B-2]光酸產生劑可以單獨使用，也可以混合兩種以上而使用。

肟磺酸酯化合物較佳含有下述式(3)所示的肟磺酸酯基的化合物。

所述式(3)中，R^a為碳數1~12的烷基、碳數1~12的氟烷基、碳數4~12的脂環式烴基、碳數6~20的芳基、或所述烷基、脂環式烴基及芳基所具有的氫原子的一部分或全部被取代基取代而成的基團。

所述式(3)中的R^a所示的烷基較佳為碳數1~12的直鏈狀或分支狀烷基。所述碳數1~12的直鏈狀或分支狀烷基可以利用取代基進行取代，所述取代基例如可以列舉：碳數1~10的烷氧基、7,7-二甲基-2-側氧基冰片基等包含有橋式脂環基的脂環式基等。碳數1~12的氟烷基可以列舉：三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基等。

所述R^a所示的脂環式烴基較佳為碳數4~12的脂環式烴基。所述碳數4~12的脂環式烴基可以利用取代基進行取代，所述取代基例如可以列舉：碳數1~5的烷基、烷氧基、鹵素原子等。

所述R^a所示的芳基較佳為碳數6~20的芳基，更佳為苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基。所述芳基可以利用取代基進行取代，所述取代基例如可以列舉：碳數1~5的烷基、烷氧基、鹵素原子等。

肟磺酸酯化合物的具體例可以列舉：(5-丙基磺醯氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)乙腈、(5-辛基磺醯氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)乙腈、(樟腦磺醯氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)乙腈、(5-對甲苯磺醯氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)乙腈、2-(辛基磺醯氧基亞胺基)-2-(4-甲氧基苯基)乙腈等，所述肟磺酸酯化合物能夠以市售品獲得。

所述鎓鹽例如可以列舉：二苯基錪鎓鹽、三苯基鋶鹽、鋶鹽、苯并噻唑鎓鹽、四氫噻吩鎓鹽、苄基鋶鹽等。

並且，鎓鹽較佳為四氫噻吩鎓鹽、苄基鋶鹽，更佳為4,7- 二-正丁氧基-1-萘基四氫噻吩鎓三氟甲磺酸鹽、苄基-4-羥基苯基甲基鋶六氟磷酸鹽，尤佳為4,7-二-正丁氧基-1-萘基四氫噻吩鎓三氟甲磺酸鹽。

磺醯亞胺化合物例如可以列舉：N-(三氟甲磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(樟腦磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(4-氟苯基磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(樟腦磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯基磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(2-氟苯基磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(樟腦磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(4-甲基苯基磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺等。

磺酸酯化合物的較佳為的例子可以列舉：鹵化烷磺酸酯，更佳的例子可以列舉：N-羥基萘二甲醯亞胺-三氟甲磺酸酯。

醌二疊氮化合物例如可以使用：酚性化合物或醇性化合物(以下也稱為“母核”)、與1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵或1,2-萘醌二疊氮磺酸醯胺的縮合物。

所述母核例如除了三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、五羥基二苯甲酮、六羥基二苯甲酮、(聚羥基苯基)烷烴外，可以列舉所述母核以外的其他母核等。

所述母核的具體例，例如三羥基二苯甲酮可以列舉：2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,4,6-三 羥基二苯甲酮等；四羥基二苯甲酮可以列舉：2,2',4,4'-四羥基二苯甲酮、2,3,4,3'-四羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、2,3,4,2'-四羥基-4'-甲基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基-3'-甲氧基二苯甲酮等；五羥基二苯甲酮可以列舉：2,3,4,2',6'-五羥基二苯甲酮等；六羥基二苯甲酮可以列舉：2,4,6,3',4',5'-六羥基二苯甲酮、3,4,5,3',4',5'-六羥基二苯甲酮等；(聚羥基苯基)烷烴可以列舉：雙(2,4-二羥基苯基)甲烷、雙(對羥基苯基)甲烷、三(對羥基苯基)甲烷、1,1,1-三(對羥基苯基)乙烷、雙(2,3,4-三羥基苯基)甲烷、2,2-雙(2,3,4-三羥基苯基)丙烷、1,1,3-三(2,5-二甲基-4-羥基苯基)-3-苯基丙烷、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]伸乙基]雙酚、雙(2,5-二甲基-4-羥基苯基)-2-羥基苯基甲烷、3,3,3',3'-四甲基-1,1'-螺雙茚-5,6,7,5',6',7'-己醇、2,2,4-三甲基-7,2',4'-三羥基黃烷等。

所述其他母核例如可以列舉：2-甲基-2-(2,4-二羥基苯基)-4-(4-羥基苯基)-7-羥基色滿、1-[1-(3-{1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基}-4,6-二羥基苯基)-1-甲基乙基]-3-(1-(3-{1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基}-4,6-二羥基苯基)-1-甲基乙基)苯、4,6-雙{1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基}-1,3-二羥基苯等。

所述中，母核較佳為2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、1,1,1-三(對羥基苯基)乙烷、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]伸乙基]雙酚。

另外，所述1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵較佳為1,2-萘醌二疊氮磺醯氯，更佳為1,2-萘醌二疊氮-4-磺醯氯、1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯氯，尤佳為1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯氯。

所述1,2-萘醌二疊氮磺酸醯胺較佳為2,3,4-三胺基二苯甲酮-1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸醯胺。

在所述酚性化合物或醇性化合物(母核)、與1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵的縮合反應中，可以使用1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵，所述1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵相對於酚性化合物或醇性化合物中的OH基數，相當於較佳為30莫耳%以上、85莫耳%以下、更佳為50莫耳%以上、70莫耳%以下。另外，所述縮合反應可以利用公知的方法來實施。

以上[B-2]光酸產生劑較佳為肟磺酸酯化合物、鎓鹽、磺醯亞胺化合物、醌二疊氮化合物，更佳為肟磺酸酯化合物、醌二疊氮化合物。藉由將[B-2]光酸產生劑設為所述化合物，而含有所述化合物的本實施形態的感放射線性樹脂組合物可以提高感度及溶解性。

相對於[A]成分100質量份，[B-2]光酸產生劑的含量較佳為0.1質量份~50質量份，更佳為1質量份~30質量份。藉由將[B-2]光酸產生劑的含量設為所述範圍，而可以形成使本實施形態的感放射線性樹脂組合物的感度最佳化，並且表面硬度高的硬化膜，且可以提供如此的特性優異的本發明實施形態的絕緣膜。

<[C]包含鈦氧化物與金屬元素的化合物>

本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物的[C]成分，是包含鈦氧化物、與選自由鋇、鍶、鈣、鎂、鋯及鉛所組成的組群的至少一種金屬元素的化合物(以下有時簡稱為[C]化合物)。在本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物中，[C]成分成為可以實現提高所形成的本發明實施形態的絕緣膜的介電常數及折射率的控制的成分。

所述[C]化合物可以列舉：鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鋯及鈦酸鉛等。

所述[C]化合物可以單獨使用一種，或者也可以組合兩種以上而使用。

[C]化合物的形狀並無特別限定，可以為球狀也可以為不定形狀，還可以為中空粒子、多孔質粒子、核-殼型粒子等。

另外，[C]化合物的粒徑可以利用動態光散射法求出，較佳為0.01μm~0.1μm的範圍。若[C]化合物的粒徑為所述範圍，則在本實施形態的感放射線性樹脂組合物中，可以實現所期望的圖案化性能。另外，若[C]化合物的粒徑小於0.01μm，則有粒子容易凝聚而保存穩定性降低的擔憂，若[C]化合物的粒徑超過0.1μm，則有作為硬化膜的絕緣膜的霧度變高的擔憂。

並且，在[C]化合物中，較佳為作為結晶晶格的c軸長與a軸長之比的c/a軸比為1.0025~1.010。藉由c/a軸比為1.0025~1.010的範圍，而可以實現兼顧所述範圍的粒徑與優異的介電常數特性(高的相對介電常數)。

並且，從高介電常數化的觀點來看，本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物的更佳的[C]化合物可以列舉：鈦酸鋇及鈦酸鍶，特佳的[C]化合物可以列舉鈦酸鋇(BaTiO₃)。

在選擇特佳的鈦酸鋇作為本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物的[C]化合物時，如上所述般，其形狀並無特別限定，可以為球狀也可以為不定形狀，還可以為中空粒子、多孔質粒子、核-殼型粒子等。

另外，作為[C]化合物而特佳的鈦酸鋇的粒徑，與所述粒徑相同，可以利用動態光散射法求出，理想為0.01μm~0.1μm的範圍。若[C]化合物的粒徑為所述範圍，則在本實施形態的感放射線性樹脂組合物中，可以實現所期望的圖案化性能。另外，若作為[C]化合物的鈦酸鋇的粒徑小於0.01μm，則有粒子容易凝聚而保存穩定性降低的擔憂，若[C]化合物的粒徑超過0.1μm，則有作為硬化膜的絕緣膜的霧度變高的擔憂。

並且，在作為[C]化合物而特佳的鈦酸鋇中，理想為c/a軸比為1.0025~1.010。藉由c/a軸比為1.0025~1.010的範圍，而可以實現兼顧所述範圍的粒徑與優異的介電常數特性(高的相對介電常數)。

[C]化合物理想為與分散劑一起分散在分散介質中，製成粒子分散液而用於本實施形態的感放射線性樹脂組合物。如此藉由含有分散劑，而在本實施形態的感放射線性樹脂組合物中，可以均勻地分散[C]化合物，並提高塗佈性，且可以提高所得的絕緣 膜的密著性，不偏向地同時提高介電常數及折射率。

分散劑可以列舉：非離子系分散劑、陽離子系分散劑、陰離子系分散劑等，但從正型感放射線特性及圖案化性的提高的觀點來看，較佳為非離子系分散劑。此種非離子系分散劑可以列舉：聚氧乙烯烷基磷酸酯、高分子量多羧酸的醯胺胺鹽、乙二胺環氧丙烷-環氧乙烷(Propylene Oxide-Ethylene Oxide，PO-EO)縮合物、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯酚醚、烷基葡糖苷、聚氧乙烯脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯、山梨醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐脂肪酸酯或脂肪酸烷醇醯胺。

分散介質若可以均勻地分散[C]化合物，則並無特別限定。分散介質可以使分散劑有效地發揮功能，使[C]化合物均勻地分散。

分散介質可以使用：甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇等醇類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯等酯類；乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇甲乙醚等醚類；丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯等酯類；二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等醯胺類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮類；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯等芳香族烴類。其中，較佳為丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、苯、甲苯、二甲苯、甲醇、異丙醇、丙二醇單甲醚，更佳為甲基乙基酮、丙二醇單甲醚、二乙二醇甲乙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧 基丙酸甲酯。分散介質可以使用一種或混合兩種以上而使用。

所述分散液中的[C]化合物的含量較佳為5質量%~50質量%，更佳為10質量%~40質量%。

在本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物中，[C]化合物的調配量並無特別限定，相對於[A]成分100質量份，較佳為0.1質量份~1500質量份，更佳為1質量份~1000質量份。若[C]化合物的調配量少於0.1質量份，則無法充分獲得提高所得的硬化膜的介電常數的效果。反之，若[C]化合物的調配量超過1500質量份，則有本實施形態的感放射線性樹脂組合物的塗佈性降低，且無法獲得所期望的圖案化性能的擔憂。而且，有所得的硬化膜的霧度變高的擔憂。

<[D]具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的聚合物及(甲基)丙烯酸酯化合物>

本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物可以含有[A]聚合物、[B]感光劑及[C]化合物作為必須的成分，並且包含[D]選自由具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的聚合物、與具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的(甲基)丙烯酸酯化合物所組成的組群的至少一種(以下有時簡稱為[D]化合物)。另外，作為[D]化合物的具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的聚合物是所述[A]聚合物以外的聚合物。

在本實施形態的感放射線性樹脂組合物中，[D]化合物是用以提高所得的本發明實施形態的絕緣膜的相對介電常數的成 分。藉由含有[D]化合物，而可以提高所得的本發明實施形態的絕緣膜的相對介電常數。其結果是，在本實施形態的感放射線性樹脂組合物中，可以實現使[C]化合物的含量降低的方向的成分調整，並且可以進一步提高圖案化性能或絕緣特性。

[D]化合物由於用作形成為硬化膜的本發明實施形態的絕緣膜的構成成分，因此更理想為如所述(甲基)丙烯酸酯化合物等般，具有不飽和雙鍵等光或熱交聯部位的化合物。

具有胺基甲酸酯鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物可以使用市售的(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。

例如，其市售品可以列舉：共榮社化學公司製造的AH-600(苯基縮水甘油醚丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物)、AT-600(苯基縮水甘油醚丙烯酸酯甲苯二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物)、UA-306H(季戊四醇三丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物)、UA-306T(季戊四醇三丙烯酸酯甲苯二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物)、UA-306I(季戊四醇三丙烯酸酯異佛爾酮二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物)、及UA-510H(二季戊四醇五丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物)；新中村化學工業公司製造的U-4HA、U-6HA、U-6LPA、U-53H、A-9300、A-9300CL1及UA-122P、大賽璐氰特(Daicel-Cytec)公司製造的艾巴克力(Ebecryl)(注冊商標)284、Ebecryl285、Ebecryl294/25HD、Ebecryl4820、Ebecryl4858、Ebecryl8402、Ebecryl8405、Ebecryl9270、Ebecryl8311、Ebecryl8701、Ebecryl230、 Ebecryl244、Ebecryll245、Ebecryl264、Ebecryl265、Ebecryl270、Ebecryl280/15IB、Ebecryl1259、Ebecryl5129、Ebecryl8210、Ebecryl8301、Ebecryl8307、Ebecryl8411、Ebecryl8804、Ebecryl8807、Ebecryl9227EA、Ebecryl9250、KRM(注冊商標)8200、KRM7735、KRM8296、KRM8452、Ebecryl204、Ebecryl205、Ebecryl210、Ebecryl215、Ebecryl220、及Ebecryl6202；日本合成化學工業公司製造的UV-1700B、UV-6300B、UV-7550B、UV-7600B、UV-7605B、UV-7610B、UV-7620EA、UV-7630B、UV-7640B、及UV-7650B等；第一工業製藥公司製造的R-1214、R-1220、R-1301、R-1304、R-1306X、R-1308、R-1602、及R-1150D；以及根上工業公司製造的UN-333、UN-1255、UN-2600、UN-2700、UN-5500、UN-6060PTM、UN-6060P、UN-6200、UN-6300、UN-6301、UN-7600、UN-7700、UN-9000PEP、UN-9200A、UN-3320HA、UN-3320HB、UN-3320HC、UN-3320HS、UN-904、UN-901T、UN-905、UN-952、UN-9600及UN-906等。

所述(甲基)丙烯酸酯化合物可以單獨使用一種或者組合兩種以上而使用。

另外，作為具有胺基甲酸酯鍵的聚合物的例子的聚胺基甲酸酯樹脂，並無特別限定，例如較佳為使異氰酸酯基與多元醇反應而進行鏈延長的聚胺基甲酸酯樹脂。所述多元醇可以列舉：聚酯多元醇、聚醚多元醇、丙烯酸系多元醇等。聚胺基甲酸酯樹脂的市售品可以列舉：尤裡阿諾(UREARNO)系列(荒川化學公 司製造)、奧萊斯特(OLESTER)系列(三井化學公司製造)、阿隆塔(AROTAN)系列(日本觸媒公司製造)等。

所述聚胺基甲酸酯樹脂物可以單獨使用一種，或者也可以組合兩種以上而使用。

另外，具有醯胺鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物可以列舉：(甲基)丙烯醯基嗎福林(嗎福林基(甲基)丙烯酸酯)、(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-異丁基(甲基)丙烯醯胺、N-第三丁基(甲基)丙烯醯胺、N-第三辛基(甲基)丙烯醯胺、雙丙酮(甲基)丙烯醯胺、N-羥基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥基乙基(甲基)丙烯醯胺、N-環己基(甲基)丙烯醯胺、N-苯基(甲基)丙烯醯胺、N-苄基(甲基)丙烯醯胺、N-三苯基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺等。

所述(甲基)丙烯酸酯化合物可以單獨使用一種，或者組合兩種以上而使用。

另外，具有醯胺鍵的聚合物可以列舉：將所述具有醯胺鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物作為構成成分，或作為原料組合物中的添加物而形成的聚合物。

相對於感放射線性樹脂組合物總體，本實施形態的感放射線性樹脂組合物中的[D]化合物的含量較佳為1質量%~20質量%。另外，在本實施形態的感放射線性樹脂組合物含有有機溶劑時，相對於除有機溶劑外的成分的合計，感放射線性樹脂組合物中的[D]化合物的含量較佳設為5質量%~50質量%以下的範圍 內，更佳為10質量%~40質量%的範圍內。藉由[D]化合物在所述範圍內含有，而在感放射線性樹脂組合物中可以實現優異的圖案化性能，同時可以獲得相對介電常數提高的硬化膜。

<其他任意成分>

本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物除了所述[A]聚合物、[B]感光劑及[C]化合物外，可以含有[D]化合物。而且，本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物除了與[C]化合物一起使用的分散劑及分散介質外，在不損害本發明的效果的範圍內，根據需要可以含有表面活性劑、保存穩定劑、接著助劑、耐熱性提高劑等其他任意成分。其他任意成分可以單獨使用，也可以混合兩種以上而使用。以下，對各成分進行說明。

[表面活性劑]

在本實施形態的感放射線性樹脂組合物中可以含有的表面活性劑，可以為了改善感放射線性樹脂組合物的塗佈性、減少塗佈不均、改良放射線照射部的顯影性而添加。較佳的表面活性劑的例子可以列舉：氟系表面活性劑及矽酮系表面活性劑。

氟系表面活性劑例如可以列舉：1,1,2,2-四氟辛基(1,1,2,2-四氟丙基)醚、1,1,2,2-四氟辛基己醚、八乙二醇二(1,1,2,2-四氟丁基)醚、六乙二醇(1,1,2,2,3,3-六氟戊基)醚、八丙二醇二(1,1,2,2-四氟丁基)醚、六丙二醇二(1,1,2,2,3,3-六氟戊基)醚等氟醚類；全氟十二烷磺酸鈉；1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-十氟十二烷、1,1,2,2,3,3-六氟癸烷等氟烷烴類；氟烷基苯磺酸鈉類；氟烷基氧乙烯醚類；氟烷基 碘化銨類；氟烷基聚氧乙烯醚類；全氟烷基聚氧乙醇類；全氟烷基烷氧化物類；氟系烷基酯類等。

所述氟系表面活性劑的市售品可以列舉：F-top(注冊商標)EF301、F-top EF303、F-top EF352(新秋田化成(股)製造)、美佳法(Megafac)(注冊商標)F171、Megafac 172、Megafac 173(迪愛生(DIC)(股)製造)、弗洛德(Fluorad)FC430、Fluorad 431(住友3M(股)製造)、朝日格爾德(AashiGuard)AG(注冊商標)710(旭硝子(股)製造)、沙福隆(Surflon)(注冊商標)S-382、Surflon SC-101、Surflon SC-102、Surflon SC-103、Surflon SC-104、Surflon SC-105、Surflon SC-106(AGC清美化學(AGC SEIMI CHEMICAL)(股)製造)、FTX-218(奈奧斯(Neos)(股)製造)等。

矽酮系表面活性劑的例子以市售的商品名可以列舉：SH200-100cs、SH28PA、SH30PA、ST89PA、SH190、SH 8400 FLUID(東麗道康寧有機矽(Dow Corning Toray Silicone)(股)製造)、有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業(股)製造)等。

在使用作為其他任意成分的表面活性劑時，相對於[A]聚合物100質量份，所述表面活性劑的含量較佳為0.01質量份~10質量份，更佳為0.05質量份~5質量份。藉由將表面活性劑的使用量設為0.01質量份~10質量份，而可以使本實施形態的感放射線性樹脂組合物的塗佈性最佳化。

[保存穩定劑]

保存穩定劑例如可以列舉：硫、醌類、對苯二酚類、聚氧化合物、胺、硝基亞硝基化合物等，更具體可以列舉：4-甲氧基苯酚、N-亞硝基-N-苯基羥基胺鋁等。

[接著助劑]

接著助劑可以為了進一步提高由本實施形態的感放射線性樹脂組合物而得的絕緣膜、與配置於其下層的層或基板等的接著性而使用。接著助劑較佳為使用：具有羧基、甲基丙烯醯基、乙烯基、異氰酸酯基、氧雜環丙基等反應性官能基的官能性矽烷偶合劑，例如可以列舉：三甲氧基矽烷基苯甲酸、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、γ-異氰酸基(isocyanato)丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等。

<感放射線性樹脂組合物的製備>

本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物是除了所述[A]聚合物、[B]感光劑、及[C]化合物外，根據需要混合[D]化合物、或作為其他任意成分的表面活性劑等而製備。此時，為了製備分散液狀態的感放射線性樹脂組合物，可以使用有機溶劑。有機溶劑可以單獨使用或者混合兩種以上而使用。

有機溶劑的功能除了調節感放射線性樹脂組合物的黏度等，例如提高在基板等上的塗佈性外，還可以列舉提高操作性等。藉由含有有機溶劑等而實現的感放射線性樹脂組合物的黏度，例如較佳為0.1mPa．s~50000mPa．s(25℃)，更佳為0.5mPa．s~ 10000mPa．s(25℃)。

本實施形態的感放射線性樹脂組合物中可以使用的有機溶劑可以列舉：使其他含有成分溶解或分散、並且不與其他含有成分反應的有機溶劑。

例如可以列舉：甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、辛醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯等酯類；聚氧乙烯月桂醚、乙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、二乙二醇甲乙醚等醚類；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等醯胺類等。

在本實施形態的感放射線性樹脂組合物中所用的有機溶劑的含量，可以考慮黏度等進行適當確定。

製備分散液狀態的感放射線性樹脂組合物時的分散方法，可以藉由以下方法進行：使用塗料振動機(paint shaker)、SC磨機、環型磨機、針型磨機等，通常以周速為5m/s~15m/s，持續至觀察不到粒徑的降低為止。所述持續時間通常為數小時。另外，在所述分散時，較佳為使用玻璃珠、氧化鋯珠等分散珠。所述珠徑並無特別限定，較佳為0.05mm~0.5mm，更佳為0.08mm~0.5mm，尤佳為0.08mm~0.2mm。

接著，對包含由本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物形成的絕緣膜的本發明實施形態的顯示元件進行說明。

<液晶顯示元件>

本發明實施形態的顯示元件如上所述般，包含由本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物形成的絕緣膜而構成。本實施形態的液晶顯示元件使用包含本發明實施形態的絕緣膜的本發明實施形態的陣列基板而構成，例如可以設為主動矩陣型FFS模式的彩色液晶顯示元件。

本實施形態的液晶顯示元件可以設為如下的結構：形成有用於切換的主動元件、電極及絕緣膜等的本發明實施形態的陣列基板、與具有著色圖案而構成的彩色濾光片基板介隔液晶層而相對。並且，具有多個像素呈點矩陣狀配置的顯示區域。

圖1是對本發明實施形態的陣列基板示意性表示像素部分的主要部分結構的俯視圖。

圖2是示意性表示沿著圖1的A-A'線的剖面結構的圖。

另外，在圖1中，將後述平面狀共通電極14或閘極絕緣膜31等省略。

在圖1及圖2中，陣列基板1具有在透明的基板4的一個面上配置主動元件8的結構。主動元件8具有：配置在基板4上的形成掃描信號線7的一部分的閘極電極7a、在閘極電極7a上介隔閘極絕緣膜31而配置的半導體層8a、與半導體層8a連接的第1源極-汲極電極6、形成影像信號線5的一部分而與半導體層8a連接的第2源極-汲極電極5a，以整體構成薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)。

半導體層8a例如可以藉由使用非晶質狀態的a-Si(非晶-矽)、或利用准分子雷射或固相成長等將a-Si結晶化而得的p-Si(多晶矽)等矽(Si)材料而形成。

在半導體層8a使用a-Si時，半導體層8a的厚度較佳設為30nm~500nm。另外，在半導體層8a、與第1源極-汲極電極6或第2源極-汲極電極5a之間，較佳為以10nm~150nm的厚度形成用以取得歐姆接觸的未圖示的n+Si層。

另外，半導體層8a可以使用氧化物而形成。可以應用於所述半導體層8a的氧化物可以列舉：單晶氧化物、多晶氧化物及非晶氧化物、以及所述氧化物的混合物。多晶氧化物例如可以列舉：氧化鋅(ZnO)等。

可以應用於半導體層8a的非晶氧化物可以列舉：包含銦(In)、鋅(Zn)及錫(Sn)的至少一種元素而構成的非晶氧化物。

可以應用於半導體層8a的非晶氧化物的具體例可以列舉：Sn-In-Zn氧化物、In-Ga-Zn氧化物(IGZO：氧化銦鎵鋅)、In-Zn-Ga-Mg氧化物、Zn-Sn氧化物(ZTO：氧化鋅錫)、In氧化物、Ga氧化物、In-Sn氧化物、In-Ga氧化物、In-Zn氧化物(IZO：氧化銦鋅)、Zn-Ga氧化物、Sn-In-Zn氧化物等。另外，在以上的情況下，構成材料的組成比未必為1：1，可以選擇實現所期望的特性的組成比。

使用非晶氧化物的半導體層8a例如在其使用IGZO或ZTO而形成時，使用IGZO靶或ZTO靶利用濺鍍法或蒸鍍法進行 層形成，利用光刻(photolithography)法等，進行利用抗蝕劑製程與蝕刻製程的圖案化而形成。使用非晶氧化物的半導體層8a的厚度較佳設為1nm~1000nm。

藉由使用以上所例示的氧化物，而可以在低溫下形成遷移率高的半導體層8a，並且可以提供優異性能的主動元件8。

並且，為了形成主動元件8的半導體層8a而特佳的氧化物可以列舉：氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化鋅錫(ZTO)及氧化銦鋅(ZIO)。

藉由使用所述氧化物，主動元件8可以在更低溫度下形成遷移率優異的半導體層8a，並表現出高開/關(ON/OFF)比。

以覆蓋閘極電極7a的方式配置的閘極絕緣膜31，例如可以由SiO₂(二氧化矽)等金屬氧化物或SiN(氮化矽)等金屬氮化物形成。

在主動元件8上，以被覆主動元件8的方式設置無機絕緣膜32。無機絕緣膜32是與作為第1絕緣膜的有機絕緣膜12、及作為第2絕緣膜的絕緣膜33不同的絕緣膜，且為第3絕緣膜。另外，作為第2絕緣膜的絕緣膜33是由所述本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物形成的本發明實施形態的絕緣膜。

無機絕緣膜32例如可以由SiO₂等金屬氧化物或SiN等金屬氮化物形成。無機絕緣膜32是為了防止半導體層8a因濕度而受到影響而設置。另外，在本實施形態的陣列基板1中，也可以不設置作為第3絕緣膜的無機絕緣膜32。即，在陣列基板1中， 也可以設為如下結構：在主動元件8上配置作為第1絕緣膜的有機絕緣膜12。

在主動元件8上，以覆蓋無機絕緣膜32的方式，配置作為第1絕緣膜的有機絕緣膜12。有機絕緣膜12是使用有機絕緣膜形成組合物而形成的絕緣性膜，是使用有機材料而形成的有機絕緣膜。在本實施形態中，有機絕緣膜12較佳為具備作為平坦化膜的功能，從所述觀點來看，較佳為形成厚的膜。例如在為具備通常的結構的主動元件8時，有機絕緣膜12能夠以1μm~6μm的膜厚形成。

本實施形態的陣列基板1的有機絕緣膜12，是在形成有影像信號線5等與主動元件8的基板4上，塗佈有機絕緣膜形成組合物，進行接觸孔17的形成等必要的圖案化後，進行加熱硬化而形成。

用於形成有機絕緣膜12的有機絕緣膜形成組合物，是為了具有圖案化性，而將[X]鹼可溶性樹脂作為必須成分而構成的感放射線性樹脂組合物。[X]鹼可溶性樹脂若為具有鹼顯影性的樹脂，則並無限定。並且，[X]鹼可溶性樹脂較佳包含具有羧基的構成單元與具有聚合性基的構成單元的樹脂、或者藉由將聚醯胺酸進行脫水閉環而醯亞胺化從而獲得的聚醯亞胺樹脂。

有機絕緣膜形成組合物也可以設為正型或負型的任一種，但在為正型感放射線性樹脂組合物時，較佳為進一步含有[Y]醌二疊氮化合物作為必須成分，在為負型感放射線性樹脂組合物 時，較佳含有[Z]聚合性化合物、及[W]感放射線性聚合起始劑。

並且，在本實施形態中，例如在使用正型有機絕緣膜形成組合物的有機絕緣膜12中，若與放射線發生感應，則在顯影液中的溶解性增大而將感應部分除去。因此，在使用正型有機絕緣膜形成組合物時，藉由對有機絕緣膜12的接觸孔17的形成部分照射感放射線，而可以相對較容易地形成所期望的接觸孔17。

另外，在本實施形態中，在使用負型有機絕緣膜形成組合物的有機絕緣膜12中，若與放射線發生感應，則在顯影液中的溶解性降低，因此將非感應部分除去。因此，在使用負型有機絕緣膜形成組合物時，藉由對有機絕緣膜12的接觸孔17的形成部分以外照射放射線，而可以形成所期望的接觸孔17。與正型相比，具有難以控制接觸孔17的形狀的缺點，但在所得的有機絕緣膜12的透明性或耐熱性等方面具有優點。

有機絕緣膜形成組合物如上所述般，正型、負型均含有鹼可溶性樹脂。所述鹼可溶性樹脂例如可以設為包含具有羧基的構成單元與具有聚合性基的構成單元的聚合物等。在鹼可溶性樹脂為包含具有羧基的構成單元與具有聚合性基的構成單元的聚合物時，可以在對由有機絕緣膜形成組合物形成的塗膜照射放射線形成圖案後，進一步藉由加熱進行硬化。即，在具有聚合性基的樹脂彼此中，可以形成硬化膜，所述硬化膜是藉由聚合性基因加熱而反應從而交聯，並高度地形成有交聯網絡。此種硬化膜即便其後進一步進行加熱，膜的伸縮也小，因此可以使對形成於其上 的膜產生的應力變為最小限度。因此，在形成有機絕緣膜12後，在設置於其上的其他膜的硬化步驟中，即便有機絕緣膜12進一步受到加熱處理，因所述加熱處理引起的有機絕緣膜12的尺寸的變動也會抑制在最小限度。由此，可以減小施加在有機絕緣膜12上的共通電極14或絕緣膜33的應力。

如此，由於有機絕緣膜12因加熱引起的膜的伸縮小，因此可以防止在包含ITO等的共通電極14與配置於其上的絕緣膜33之間產生剝離。

為了將後述像素電極9與第1源極-汲極電極6連接，而在有機絕緣膜12上形成將有機絕緣膜12貫通的接觸孔17。接觸孔17以也將位於有機絕緣膜12的下層的無機絕緣膜32貫通的方式形成。有機絕緣膜12使用作為感放射線性樹脂組合物的有機絕緣膜形成組合物而形成。因此，例如對有機絕緣膜12照射放射線形成貫通孔後，藉由將所述有機絕緣膜12作為遮罩對無機絕緣膜32進行幹式蝕刻，而可以形成接觸孔17。另外，在為陣列基板1不具有無機絕緣膜32的結構時，對有機絕緣膜12照射放射線而形成的貫通孔成為接觸孔17。

有機絕緣膜12的上表面為平坦，在其上設置共通電極14(圖1中未圖示)。共通電極14形成為平面狀，避開接觸孔17而以整塊形成在整個面上。

共通電極14例如利用濺鍍法等將包含ITO等透明導電材料的膜成膜。並且，利用光刻法等進行圖案化，以包圍接觸孔17 的方式設置開口部。由此，可以形成圖2的結構的共通電極14。

在有機絕緣膜12與共通電極14上，設置本發明實施形態的絕緣膜33，作為被覆所述構件的第2絕緣膜。所述絕緣膜33是由所述本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物形成的塗佈型有機絕緣膜。絕緣膜33是代替所述以前的包含SiN的層間絕緣膜的絕緣膜，成為本實施形態的陣列基板1的主要的構成要素。

本實施形態的絕緣膜33在與所述有機絕緣膜12的接觸孔17相同的位置具有開口部。因此，有機絕緣膜12的接觸孔17不會因絕緣膜33而堵塞，可以實現後述絕緣膜33上的像素電極9、與連接於半導體層8a的第1源極-汲極電極6之間的電性連接。此時，接觸孔17只要保持上部與底部開口而將有機絕緣膜12貫通的狀態即可，接觸孔17的內壁的至少一部分可以由絕緣膜33被覆。

作為第2絕緣膜的本發明實施形態的絕緣膜33如上所述般，是代替以前的包含SiN等的層間絕緣膜的絕緣膜，是使用有機材料的塗佈型有機絕緣膜。絕緣膜33是使用本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物利用塗佈進行塗膜形成，利用光刻法等進行規定的圖案化而形成。

另外，光刻法包括如下步驟：在接受加工或處理的基板的表面，塗佈抗蝕劑組合物而形成抗蝕劑膜的步驟；藉由照射光或電子束對規定的抗蝕劑圖案進行曝光，而形成抗蝕劑圖案潛像的曝光步驟；根據需要進行加熱處理的步驟；接著將其進行顯影 而形成所期望的微細圖案的顯影步驟；及將所述微細圖案作為遮罩對基板進行蝕刻等加工的步驟。

並且，在本實施形態的陣列基板1中，本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物以本實施形態的絕緣膜33可以實現所期望的介電常數及折射率的方式，進行組成的最佳化。即，在絕緣膜33中，本實施形態的感放射線性樹脂組合物以可以實現提高介電常數的控制的方式，含有用於高介電常數化的成分。例如，本實施形態的感放射線性樹脂組合物含有作為[C]成分的[C]包含鈦氧化物、與選自由鋇、鍶、鈣、鎂、鋯及鉛所組成的組群的至少一種金屬元素的化合物而構成。另外，本實施形態的感放射線性樹脂組合物如上所述般，可以包含作為[D]成分的[D]選自由具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的聚合物、與具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的(甲基)丙烯酸酯化合物所組成的組群的至少一種。

而且，本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物藉由含有[C]化合物，而可以實現使用其而形成的絕緣膜33的高折射率化。例如絕緣膜33的折射率可以控制在1.55~1.85的範圍內。

並且，為了圖案化性優異、同時表現出高的硬化性能且表現出優異的絕緣性，本實施形態的感放射線性樹脂組合物可以實現[C]成分與[D]成分的並用等最佳的組成設計。

其結果是，陣列基板1以如下方式構成：進行絕緣膜33的介電常數等的調整，容易進行代替以前的包含SiN的無機層間 絕緣膜。

絕緣膜33的膜厚並無特別限定，為了確保共通電極14與像素電極9之間的絕緣性，並且實現所期望的靜電電容，較佳為適宜的厚度。絕緣膜33的膜厚較佳為0.1μm~8μm，更佳為0.1μm~6μm，尤佳為0.1μm~4μm。

另外，絕緣膜33與有機絕緣膜12、共通電極14及像素電極9同樣，作為構成陣列基板1的構成要素，要求優異的可見光透射性。由本實施形態的感放射線性樹脂組合物形成的本實施形態的絕緣膜33，具備優異的透明性。其結果是，絕緣膜33可以使波長為400nm的光的透射率為85%以上，藉由成分組成的選擇，也可以為90%以上。

以上所說明的本實施形態的絕緣膜33以不堵塞有機絕緣膜12的接觸孔17的方式圖案化，另一方面，以覆蓋共通電極14的方式配置。

在本實施形態的絕緣膜33上設置像素電極9。像素電極9為透明電極，且具有形成為梳齒狀的部分(以下簡稱為“梳齒狀”或“梳齒狀的”)。梳齒狀的形狀(以下有時簡稱為“梳齒形狀”)的像素電極9，經由接觸孔17與連接於半導體層8a的第1源極-汲極電極6連接。藉由設為如此的結構，而可以提高像素的開孔率，並且可以實現提供高亮度的顯示的像素結構。

包含本發明實施形態的絕緣膜33的本發明實施形態的陣列基板1，用於本發明實施形態的液晶顯示元件的構成。並且，藉 由在梳齒狀像素電極9與所述整塊狀共通電極14之間施加電壓，而在像素電極9與共通電極14之間，形成具有與基板4的面平行的成分的電場。其結果是，在本實施形態的液晶顯示元件中，可以使液晶層的液晶分子在與基板4的面平行的面內旋轉動作(配向變化)。

像素電極9可以按照如下方式形成。例如利用濺鍍法等將包含ITO(Indium Tin Oxide：摻雜錫的氧化銦)等透明導電材料的膜成膜。接著，利用光刻法等進行圖案化，而形成梳齒形狀的電極。

在像素電極9上，能夠以覆蓋像素電極9的方式，設置配向膜10。配向膜10控制液晶層的配向。更具體來說，在使用陣列基板1而形成的本實施形態的液晶顯示元件中，配向膜10控制構成液晶層的液晶分子的配向，進而控制液晶層的配向。

配向膜10可以使用如下成分而得：(1)包含具有光配向性基的感放射線性聚合物的液晶配向劑(以下有時簡稱為(1)液晶配向劑)、或(2)包含不具有光配向性基的聚醯亞胺的液晶配向劑(以下有時簡稱為(2)液晶配向劑)。(1)液晶配向劑為樹脂組合物，且與用於形成有機絕緣膜12的有機絕緣膜形成組合物、或用於形成絕緣膜33的本實施形態的感放射線性樹脂組合物不同，利用200℃以下的低溫熱處理而硬化。另外，(2)液晶配向劑所含有的聚醯亞胺為溶劑可溶型聚醯亞胺，(2)液晶配向劑與(1)液晶配向劑同樣，利用200℃以下的加熱處理而硬化。因此， 藉由由所述液晶配向劑形成配向膜10，而可以使配向膜10的形成步驟中的加熱對有機絕緣膜12或本實施形態的絕緣膜33造成的影響變為最小限度。例如可以將具有因配向膜10的形成步驟的加熱而產生擔憂的有機絕緣膜12的伸縮抑制為最小限度。另外，由於可以實現200℃以下的加熱處理，因此從節省能量的觀點來看，也可以提供較佳的陣列基板的製造方法。

在具備以上結構的陣列基板1中，影像信號線5與掃描信號線7呈矩陣狀配設。主動元件8設置於影像信號線5與掃描信號線7的交叉部附近，所述構件在陣列基板1上構成經劃分的各像素。

圖3是使用本發明實施形態的陣列基板的液晶顯示元件的示意性剖面圖。

如圖3所示般，液晶顯示元件41是包含圖1及圖2所示的陣列基板1、彩色濾光片基板22的主動矩陣型FFS模式的彩色液晶顯示元件。液晶顯示元件41具有如下結構：介隔相對於基板4及基板11而平行地配向的液晶層23，陣列基板1與彩色濾光片基板22相對。

陣列基板1如圖3所示般，在透明的基板4的液晶層23之側的面上，具有用於切換的主動元件8。主動元件8如上所述般具有：閘極電極7a、閘極絕緣膜31、半導體層8a、第1源極-汲極電極6、及第2源極-汲極電極5a，以整體構成TFT元件。並且，在陣列基板1上呈矩陣狀配設：與第2源極-汲極電極5a連接的影 像信號線5(圖3中未圖示)、及與閘極電極7a連接的掃描信號線7(圖3中未圖示)。主動元件8設置於影像信號線5與掃描信號線7的交叉部附近，由所述構件在陣列基板1上構成經劃分的各像素。

在主動元件8上，可以設置作為第3絕緣膜的無機絕緣膜32，並以覆蓋無機絕緣膜32的方式，配置作為第1絕緣膜的有機絕緣膜12。有機絕緣膜12如上所述般，使用有機絕緣膜形成組合物而形成，以也具備作為平坦化膜的功能的方式形成厚的膜。

在有機絕緣膜12上，避開接觸孔17而配置整塊狀共通電極14。在共通電極14及有機絕緣膜12上，配置作為第2絕緣膜的本實施形態的絕緣膜33。本實施形態的絕緣膜33如上所述般，是使用本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物，代替以前的包含SiN的層間絕緣膜而設置的有機絕緣膜，成為本實施形態的液晶顯示元件41的主要的構成要素。

在本實施形態的絕緣膜33上，配置為透明電極、且具有形成為梳齒狀的部分的像素電極9。另外，在有機絕緣膜12上形成接觸孔17，所述接觸孔17將有機絕緣膜12貫通，而且將其下層的無機絕緣膜32也貫通。像素電極9經由接觸孔17與連接於半導體層8a的第1源極-汲極電極6連接。在像素電極9上，設置控制液晶層23的配向的配向膜10。

彩色濾光片基板22設置於透明的基板11的液晶層23之側的面上。另外，彩色濾光片基板22配置有著色圖案15、與黑矩 陣13而構成。著色圖案15中紅色、綠色及藍色的各微小的圖案採取格子狀等規則的形狀排列。另外，關於著色圖案15的顏色，不應限定於所述的紅色、綠色及藍色的三色，也可以選擇其他顏色、或另外添加黃色而形成四色的著色圖案。可以將所述各色的圖案排列，而構成彩色濾光片基板。

在彩色濾光片基板22中，在與所述液晶層23接觸的面上，設置與陣列基板1相同的配向膜10。另外，在配向膜10與彩色濾光片基板22之間，為了使彩色濾光片基板22的表面的凹凸平坦化，也可以形成平坦化膜。

如上所述般，在本實施形態的液晶顯示元件41中，在陣列基板1與彩色濾光片基板22的各液晶層23接觸的面上設置配向膜10。配向膜10根據需要實施摩擦等配向處理，而實現陣列基板1與彩色濾光片基板22之間所夾持的液晶層23的均勻的平行配向。

介隔液晶層23而相對的陣列基板1與彩色濾光片基板22之間的距離，利用分隔件(未圖示)而保持為規定的值，通常為2μm~10μm。另外，陣列基板1與彩色濾光片基板22利用設置在所述構件周邊部的密封材料(未圖示)而相互固定。

在陣列基板1與彩色濾光片基板22中，在與液晶層23接觸之側的相反側，分別配置偏光板28。

在圖3中，符號27為從成為液晶顯示元件41的光源的背光單元(未圖示)向液晶層23照射的背光光。

背光單元例如可以使用：將冷陰極螢光燈(CCFL：Cold Cathode Fluorescent Lamp)等螢光燈、與散射板加以組合而成的結構的背光單元。另外，也可以使用將白色發光二極管(Light Emitting Diode，LED)作為光源的背光單元。白色LED例如可以列舉：將紅色LED、綠色LED、藍色LED組合利用混色獲得白光的白色LED，將藍色LED、紅色LED、綠色發光螢光體組合利用混色獲得白光的白色LED，將藍色LED、紅色發光螢光體、綠色發光螢光體組合利用混色獲得白光的白色LED，利用藍色LED與釔鋁石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)系螢光體的混色獲得白光的白色LED，將藍色LED、橙色發光螢光體、綠色發光螢光體組合利用混色獲得白光的白色LED，將紫外線LED、紅色發光螢光體、綠色發光螢光體、藍色發光螢光體組合利用混色獲得白光的白色LED等。

如以上所述般，本實施形態的液晶顯示元件41具有由本實施形態的陣列基板1、與彩色濾光片基板22夾持液晶層23的構成。在陣列基板1中，經由將有機絕緣膜12及無機絕緣膜32貫通而設置的接觸孔17，實現像素電極9與第1源極-汲極電極6的電性連接。並且，對像素電極9施加利用影像信號線5的信號電壓。其結果是，由於在像素電極9與共通電極14之間所產生的橫向電場、即像素電極9與共通電極14之間所產生的電場的與基板4、基板11平行的成分，而可以使液晶層23的液晶分子在與基板4、基板11平行的面內旋轉動作(配向變化)。利用所述液晶分子 在基板4、基板11的面內的旋轉動作，而液晶顯示元件41對每個像素控制液晶層23的光的透射特性而形成圖像。

此處，液晶顯示元件41是液晶層23的液晶分子在基板4、基板11的面內旋轉動作的FFS模式的液晶顯示元件，液晶分子的動作與以前的TN模式等不同。即，液晶顯示元件41中，液晶分子相對於夾持液晶層的基板4、基板11的傾角的變化小。因此，液晶顯示元件41成為實現寬的視角特性，而可以實現高畫質化的圖像顯示的顯示元件。

另外，本實施形態的液晶顯示元件41具有如下結構：在共通電極14上設置有本發明實施形態的絕緣膜33，而且在絕緣膜33上配置有梳齒形狀的像素電極9。根據所述結構，像素的開孔率提高，並且實現高亮度的圖像顯示。

並且，在液晶顯示元件41中，本實施形態的絕緣膜33是使用所述本實施形態的感放射線性樹脂組合物而形成、包含有機材料的塗佈型有機絕緣膜。即，本發明實施形態的絕緣膜33可以實現使用塗佈法的塗膜的形成與使用光刻法的圖案化。其結果是，本實施形態的絕緣膜33可以進行高產量的成膜，並且可以實現高的生產性。另外，在使用有機材料的絕緣膜33中，液晶顯示元件41進行可以實現提高介電常數的控制的成分的設計。因此，本實施形態的液晶顯示元件41即便不使用以前的包含SiN的無機層間絕緣膜，也可以利用本實施形態的絕緣膜33來代替，而實現與以前相同的優異的圖像顯示。

如以上所述般，本實施形態的液晶顯示元件具備高生產性、優異的畫質及高的可靠性。並且，在如此的性能的實現中，本實施形態的陣列基板成為重要的構成要素，特別是陣列基板的作為第2絕緣膜的本實施形態的絕緣膜的特性變得重要。使用所述本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物而形成的本實施形態的絕緣膜，使用有機材料而構成，另一方面，能夠以具有理想的介電特性的方式實現介電常數的控制，並且可以容易地代替以前的包含SiN的無機層間絕緣膜。

接著，對本實施形態的絕緣膜的製造方法及本實施形態的陣列基板的製造方法進行說明。

<絕緣膜及陣列基板的製造方法>

在本發明實施形態的陣列基板的製造步驟中，包括如下步驟作為主要的步驟：使用所述本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物，形成所述作為第2絕緣膜的本發明實施形態的絕緣膜。

並且，可以包括如下步驟：使用所述有機絕緣膜形成組合物形成作為第1絕緣膜的有機絕緣膜。而且，在本實施形態的陣列基板的製造步驟中，為了在陣列基板上形成配向膜，而如上所述般，可以包括由液晶配向劑形成配向膜的步驟。

在本實施形態的陣列基板的製造方法中，按照有機絕緣膜、本實施形態的絕緣膜及配向膜的順序分別形成，首先在基板上形成有機絕緣膜。因此，本實施形態的陣列基板的製造方法較佳為依序包括下述步驟[1]~步驟[4]。接著，為了在形成了有機絕 緣膜的基板上，在共通電極與像素電極之間形成本實施形態的絕緣膜，較佳為依序包括下述步驟[5]~步驟[7]。而且，為了在形成了有機絕緣膜及本實施形態的絕緣膜的陣列基板上形成配向膜，較佳包括步驟[8]。

本實施形態的陣列基板的製造方法所包括的步驟[1]~步驟[8]如以下所示。

[1]在形成了用於切換的主動元件的基板上形成有機絕緣膜形成組合物的塗膜的步驟(以下有時稱為“步驟[1]”)。

另外，在基板上可以形成電極等。以下，對於主動元件及電極等、即已說明的半導體層、閘極電極、閘極絕緣膜、源極-汲極電極、影像信號線、及掃描信號線等，有時統稱為“主動元件等”。

[2]對步驟[1]中所形成的有機絕緣膜形成組合物的塗膜的至少一部分照射放射線的步驟(以下有時稱為“步驟[2]”)。

[3]將在步驟[2]中照射了放射線的塗膜進行顯影的步驟(以下有時稱為“步驟[3]”)。

[4]將在步驟[3]中進行了顯影的塗膜進行硬化而形成絕緣膜的步驟(以下有時稱為“步驟[4]”)。

[5]在具有經過步驟[1]~步驟[4]而形成的有機絕緣膜的基板上，形成本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物的塗膜的步驟(以下有時稱為“步驟[5]”)。

[6]對在步驟[5]中所形成的塗膜的至少一部分照射放射線的 步驟(以下有時稱為“步驟[6]”)。

[7]將在步驟[6]中照射了放射線的塗膜進行顯影的步驟(以下有時稱為“步驟[7]”)。

[8]在具有經過步驟[1]~步驟[4]而形成的有機絕緣膜、與經過步驟[5]~步驟[7]而形成的絕緣膜的基板上，形成液晶配向劑的塗膜，將所述塗膜加熱而形成配向膜的步驟(以下有時稱為“步驟[8]”)。

在所述步驟[4]與步驟[5]之間，較佳包括在步驟[4]中所形成的有機絕緣膜上設置共通電極的步驟。並且，在所述步驟[7]與步驟[8]之間，較佳包括在步驟[7]中所形成的絕緣膜上設置梳齒形狀的像素電極的步驟。在該些所述步驟[4]與步驟[5]之間及所述步驟[7]與步驟[8]之間的各步驟中，利用公知的技術，形成共通電極及像素電極。

根據步驟[1]~步驟[4]，可以使用所述有機絕緣膜形成組合物，在形成有主動元件等的基板上形成有機絕緣膜。形成於基板上的有機絕緣膜具有接觸孔。另外，所述有機絕緣膜是因其後的加熱處理引起的膜的伸縮率減小的有機絕緣膜。

並且，根據步驟[5]~步驟[7]，可以使用本發明實施形態的感放射線性樹脂組合物，在形成有主動元件等、有機絕緣膜、共通電極等的基板上，形成本發明實施形態的絕緣膜。並且，如上所述般，藉由在所述絕緣膜上設置梳齒形狀的像素電極，而可以在共通電極與像素電極之間配置本發明實施形態的絕緣膜。

所形成的本發明實施形態的絕緣膜，是可以利用塗佈法等而簡便的成膜與圖案化的塗佈型絕緣膜。本實施形態的絕緣膜使用有機材料而構成，在與包含ITO等的共通電極之間表現出優異的接著力。另外，本實施形態的絕緣膜的硬化性優異，其結果是表現出優異的絕緣性。而且，可以將介電常數控制為所期望的值而控制靜電電容，代替作為以前技術的包含SiN的層間絕緣膜，而適用於顯示元件用等。

另外，根據步驟[8]，可以使用所述液晶配向劑，利用例如低溫硬化在基板上形成配向膜。

因此，根據步驟[1]~步驟[8]，可以製造本實施形態的陣列基板，所述陣列基板具有：在規定位置設置接觸孔的高可靠性的有機絕緣膜、以及具備所期望的介電常數與優異的絕緣性的塗佈型的本實施形態的絕緣膜。

以下，對所述步驟[1]~步驟[4]、步驟[5]~步驟[7]及步驟[8]進行更詳細地說明。

[步驟[1]]

在本步驟中，在基板上形成所述有機絕緣膜形成組合物的塗膜。在所述基板上形成用於切換的主動元件及電極等。所述主動元件等是在基板上重複進行通常的半導體膜成膜及公知的絕緣層形成等、以及利用光刻法的蝕刻等，根據公知的方法而形成。另外，基板也可以使用：在切換主動元件等上，形成包含例如SiO₂等金屬氧化物或SiN等金屬氮化物的無機絕緣膜而成的基板。

在所述基板中，在形成有主動元件等的面上，塗佈所述有機絕緣膜形成組合物後，進行預烘烤使溶劑蒸發，而形成塗膜。

基板的材料例如可以列舉：鹼石灰玻璃及無鹼玻璃等玻璃基板、矽基板、或聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚碸、聚碳酸酯、芳香族聚醯胺、聚醯胺醯亞胺及聚醯亞胺等樹脂基板等。另外，根據需要也可以對所述基板預先實施利用矽烷偶合劑等的化學品處理、等離子處理、離子電鍍、濺鍍、氣相反應法、真空蒸鍍等預處理。

有機絕緣膜形成組合物的塗佈方法例如可以採用：噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法(也有時稱為旋塗法或旋轉器法)、狹縫塗佈法(狹縫模塗佈法)、棒塗佈法、噴墨塗佈法等適當的方法。所述方法中，從可以形成均勻的厚度的膜的方面來看，較佳為旋塗法或狹縫塗佈法。

所述預烘烤的條件根據構成有機絕緣膜形成組合物的各成分的種類、調配比例等而不同，較佳為在70℃~120℃的溫度下進行，時間根據加熱板或烘箱等加熱裝置而不同，約為1分鐘~15分鐘左右。塗膜的預烘烤後的膜厚較佳為0.5μm~10μm，更佳為1.0μm~7.0μm左右。

[步驟[2]]

接著，對在步驟[1]中所形成的塗膜的至少一部分照射放射線。此時，在僅對塗膜的一部分進行照射時，例如介隔與所期望的接觸孔的形成對應的圖案的光罩進行。

照射所使用的放射線可以列舉：可見光線、紫外線、遠紫外線等。其中較佳為波長為200nm~550nm的範圍的放射線，更佳為包含365nm的紫外線的放射線。

放射線照射量(也稱為曝光量)作為利用照度計(OAI 356型、光學聯合公司(Optical Associates Inc.)製造)測定所照射的放射線的波長為365nm時的強度而得的值，可以設為10J/m²~10000J/m²，較佳為100J/m²~5000J/m²，更佳為200J/m²~3000J/m²。

[步驟[3]]

接著，將步驟[2]的放射線照射後的塗膜進行顯影而除去不需要的部分，獲得形成有規定形狀的接觸孔的塗膜。

顯影所使用的顯影液例如可以使用：氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉等無機鹼、或氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨等四級銨鹽、或膽鹼、1,8-二氮雜雙環-[5.4.0]-7-十一碳烯、1,5-二氮雜雙環-[4.3.0]-5-壬烯等鹼性化合物的水溶液。所述鹼性化合物的水溶液中也可以添加適當量的甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑而使用。而且，也可以僅添加適當量的表面活性劑而使用，或者隨著所述水溶性有機溶劑的添加而添加適當量的表面活性劑而使用。

顯影方法可以為覆液(puddle)法、浸漬法、淋浴法、噴霧法等的任一種，顯影時間在常溫下可以設為5秒鐘~300秒鐘，較佳為在常溫下為10秒鐘~180秒鐘左右。繼顯影處理後，例如藉由在進行30秒鐘~90秒鐘的流水清洗後，利用壓縮空氣或壓縮 氮氣進行風乾，而獲得所期望的圖案。

[步驟[4]]

接著，利用使用加熱板、烘箱等適當的加熱裝置的加熱，將步驟[3]中所得的塗膜硬化(也稱為後烘烤)。由此，獲得作為硬化膜的所述有機絕緣膜。硬化後的有機絕緣膜的膜厚較佳為1μm~5μm。在有機絕緣膜上，藉由[3]步驟而形成配置於所期望的位置的接觸孔。

在步驟[4]中形成有機絕緣膜後，較佳為包括如下步驟：在有機絕緣膜上設置作為透明電極的共通電極來作為第1電極。例如可以利用濺鍍法等在有機絕緣膜上形成包含ITO的透明導電層。接著，可以利用光刻法將所述透明導電層蝕刻，而在有機絕緣膜上的未配置接觸孔的區域，形成整塊狀共通電極來作為透明電極。

[步驟[5]]

在本步驟中，使用步驟[4]中所得的附有機絕緣膜的基板，在所述基板上塗佈本實施形態的感放射線性樹脂組合物。接著，較佳為將塗佈面加熱(預烘烤)，在塗膜含有溶劑時，將所述溶劑除去，而形成塗膜。

本實施形態的感放射線性樹脂組合物的塗佈方法並無特別限定。例如可以採用：噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法(旋塗法)、狹縫模塗佈法、棒塗佈法、噴墨法等適當的方法。在所述塗佈方法中，特佳為旋塗法或狹縫模塗佈法。預烘烤的條件根據各成分 的種類、調配比例等而不同，可以較佳為在70℃~120℃下設為1分鐘~10分鐘左右。

[步驟[6]]

接著，在本步驟中，對步驟[5]中所形成的基板上的塗膜的至少一部分照射放射線。此時，在對塗膜的一部分照射放射線時，較佳為介隔具有規定圖案的光罩進行。放射線的照射所使用的放射線例如可以使用：可見光線、紫外線、遠紫外線、電子束、X射線等。所述放射線中，較佳為波長為190nm~450nm的範圍的放射線，特佳為包含365nm的紫外線的放射線。

步驟[6]中的放射線的照射量作為利用照度計(OAI 356型、光學聯合公司製造)測定放射線的波長為365nm時的強度而得的值，較佳為100J/m²~10000J/m²，更佳為500J/m²~6000J/m²。

[步驟[7]]

接著，在本步驟中，藉由將步驟[6]中所得的放射線照射後的塗膜進行顯影，而除去不需要的部分(在感放射線性樹脂組合物為負型時，為塗膜的放射線的非照射部分)，從而形成規定的圖案。

步驟[7]的顯影步驟中所使用的顯影液較佳使用包含鹼(鹼性化合物)的水溶液的鹼性顯影液。鹼的例子可以列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨等無機鹼；氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨等四級銨鹽等。

另外，此種鹼顯影液中也可以添加適當量的甲醇、乙醇 等水溶性有機溶劑或表面活性劑而使用。從獲得適當的顯影性的觀點來看，鹼性顯影液中的鹼的濃度可以較佳為設為0.1質量%~5質量%。顯影方法例如可以利用：覆液法、浸漬法、揺動浸漬法、淋浴法等適當的方法。顯影時間根據本實施形態的感放射線性樹脂組合物的組成而不同，較佳為10秒鐘~180秒鐘左右。繼此種顯影處理後，例如可以藉由在進行30秒鐘~90秒鐘的流水清洗後，例如利用壓縮空氣或壓縮氮氣進行風乾，而形成所期望的圖案。

如以上所述般，藉由步驟[5]~步驟[7]形成的基板上的本發明實施形態的絕緣膜，透明性高，且可以表現出為5~10左右的高的介電常數。另外，由於具備優異的硬化性與絕緣性，因此也可以進行薄膜化。因此，可以一併進行薄膜化等膜厚的調整，並且能夠以具有與使用以前的包含SiN的層間絕緣膜時相同的靜電電容特性的方式，進行其控制。

而且，本實施形態的絕緣膜與通常的有機膜相比，具有更高的折射率。由本實施形態的感放射線性樹脂組合物形成的絕緣膜根據各成分的調配比等而不同，可以具有值為1.50以上、進而1.55以上的高的折射率。因此，可以減小與構成後述像素電極等的ITO等之間的折射率差，並且可以抑制因所述折射率差引起的顯示品質的降低。

本實施形態的絕緣膜的膜厚較佳為0.1μm~8μm，更佳為0.1μm~6μm，尤佳為0.1μm~4μm。

如上所述般，在形成本實施形態的絕緣膜後，較佳為包括如下步驟：在所述絕緣膜上，設置梳齒形狀的像素電極來作為第2電極。例如可以利用濺鍍法等，在本實施形態的絕緣膜上形成包含ITO的透明導電層。接著，可以利用光刻法將所述透明導電層蝕刻，而在所述絕緣膜上形成梳齒形狀的像素電極來作為透明電極。像素電極藉由經由所述有機絕緣膜的接觸孔，而可以實現與基板上的切換主動元件的電性連接。

另外，共通電極及像素電極除了ITO外，可以使用具有對可見光為高的透射率與導電性的透明的材料而構成。例如可以使用IZO(Indium Zinc Oxide)、或ZnO(氧化鋅)、或氧化錫等而構成。

[步驟[8]]

使用設置有步驟[7]中所得的有機絕緣膜及本實施形態的絕緣膜的基板，如上所述般，在共通電極上的絕緣膜上形成像素電極後，在像素電極上塗佈所述液晶配向劑。塗佈方法例如可以列舉：輥塗法、旋轉器法、印刷法、噴墨法等。

接著，將塗佈了液晶配向劑的基板進行預烘烤，然後，進行後烘烤，從而形成塗膜。

預烘烤條件例如在40℃~120℃下為0.1分鐘~5分鐘。後烘烤條件的溫度較佳為120℃~230℃，更佳為150℃~200℃，尤佳為150℃~180℃。另外，後烘烤的時間根據加熱板或烘箱等加熱裝置而不同，通常較佳為5分鐘~200分鐘，更佳為10分鐘 ~100分鐘。後烘烤後的塗膜的膜厚較佳為0.001μm~1μm，更佳為0.005μm~0.5μm。

塗佈液晶配向劑時所使用的液晶配向劑的固體成分濃度(液晶配向劑的溶劑以外的成分的合計重量在液晶配向劑的總重量中所占的比例)，考慮黏性、揮發性等而適當地選擇，較佳為1重量%~10重量%。

在使用(1)包含具有光配向性基的感放射線性聚合物的液晶配向劑作為液晶配向劑時，藉由對所述塗膜照射經直線偏光或部分偏光的放射線、或非偏光的放射線，而賦予液晶配向能。如此的偏光放射線的照射與配向膜的配向處理對應。

此處，放射線例如可以使用：包含波長為150nm~800nm的光的紫外線及可見光線。特佳使用包含波長為300nm~400nm的光的紫外線作為放射線。在所使用的放射線進行直線偏光或部分偏光時，照射可以自與基板面垂直的方向進行，為了賦予預傾角，也可以自斜方向進行，另外，還可以將所述照射的方向加以組合而進行。在照射非偏光的放射線時，照射的方向必須為斜方向。

放射線的照射量較佳為1J/m²以上且小於10000J/m²，更佳為10J/m²~3000J/m²。

在使用(2)包含不具有光配向性基的聚醯亞胺的液晶配向劑作為液晶配向劑時，也可以使用後烘烤後的塗膜作為配向膜。並且，根據需要，可以對後烘烤後的塗膜實施如下處理而賦 予液晶配向能：例如利用捲繞了包含尼龍、嫘縈、棉等纖維的布的輥朝著一定方向擦拭處理(摩擦處理)。

如以上所述般，在本實施形態的陣列基板上形成配向膜時，可以使用所述液晶配向劑，在例如200℃以下的加熱溫度、根據情況在更適合於在樹脂基板上的形成的180℃以下的加熱溫度下，形成配向膜。藉由將配向膜形成步驟中的硬化溫度設為所述低溫，而在所述步驟[1]~步驟[4]中所形成的有機絕緣膜及在步驟[5]~步驟[7]中所形成的本發明實施形態的絕緣膜，可以避免在配向膜的形成步驟中暴露在高溫的狀態下。

[實施例]

以下，根據實施例對本發明實施形態進行詳細敘述，但本發明並非由所述實施例進行限定性解釋。

<[A]聚合物的合成>

[合成例1]

在具備冷卻管及攪拌機的燒瓶中，投入2,2'-偶氮雙-(2,4-二甲基戊腈)7質量份與3-甲氧基丙酸甲酯200質量份。接著，投入(a-1)甲基丙烯酸20.0質量份、(a-2)甲基丙烯酸縮水甘油酯10質量份、(a-3)苯乙烯40.0質量份、(a-4)甲基丙烯酸三環[5.2.1.0^2,6]癸-8-基酯30質量份，進行氮氣置換後，緩慢地開始攪拌。使溶液的溫度上升至70℃，並將所述溫度保持5小時，由此獲得包含作為共聚物的聚合物(A-1)的聚合物溶液(固體成分濃度=29.1質量%、Mw=6800、Mw/Mn=1.8)。¹³C-NMR(Nuclear Magnetic Resonance， 核磁共振)分析的結果是，源自所述(a-1)的(a-1)結構單元、源自所述(a-2)的(a-2)結構單元、源自所述(a-3)的(a-3)結構單元及源自所述(a-4)的(a-4)結構單元的含量分別為24.1莫耳%、7.2莫耳%、38.6莫耳%、13.7莫耳%。另外，未反應的(a-1)、(a-2)、(a-3)、(a-4)的含量分別為4.1莫耳%、1.3莫耳%、8.1莫耳%、2.9莫耳%。另外，所述含量利用¹H-NMR、¹³C-NMR、傅立葉變換紅外光譜(Fourier Translation Infrared Spectroscopy，FT-IR)及熱分解氣相層析質譜求出。

<[C]化合物分散液的製備>

在保麗瓶(Poly bottle)或玻璃瓶中，添加作為[C]化合物的(C-1)25質量份、作為[I]分散劑的(I-1)5重量部、作為溶劑的(G-2)70質量份，添加投入重量的3.5倍的0.1μm的氧化鋯珠進行密封，輕輕地攪拌使溶劑與粒子成分以及有機成分溶合。將其設置於塗料振動機中，進行3小時分散處理，利用篩網過濾器除去氧化鋯珠而獲得[C]化合物分散液(C-1)。

<[D]化合物([D-6]具有醯胺鍵的聚合物)的合成>

[合成例2]

在燒瓶中投入甲基丙烯酸8質量份、甲基丙烯酸苄酯36質量份、二甲基丙烯醯胺50質量份、偶氮雙異丁腈4質量份、季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)2質量份，以S/M比成為2的方式添加1-甲氧基-2-丙醇。接著，在室溫、氮氣環境下進行攪拌，在全部的所述單體溶解後，使溶液的溫度上升至90℃，在氮氣環境下保持5小 時，由此獲得作為[D]化合物的[D-6]具有醯胺鍵的聚合物。

<[J]比較成分([J-3]不具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵的任一種的丙烯酸系聚合物)的合成>

[合成例3]

在燒瓶中，投入甲基丙烯酸8質量份、甲基丙烯酸苄酯36質量份、甲基丙烯酸異丁酯50質量份、偶氮雙異丁腈4質量份、季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)2質量份，以S/M比成為2的方式，添加1-甲氧基-2-丙醇。接著，在室溫、氮氣環境下進行攪拌，在全部的所述單體溶解後，使溶液的溫度上升至90℃，在氮氣環境下保持5小時，由此獲得作為[J]比較成分的[J-3]不具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵的任一種的丙烯酸系聚合物。

<感放射線性樹脂組合物的製備>

[實施例1]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)100質量份(固體成分)、作為高介電有機成分即[D]化合物的(D-1)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器(membrane filter)進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(S-1)。

[實施例2]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)100質量份(固體成分)、作為高介電有機成分即[D]化合物的(D-2)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(S-2)。

[實施例3]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)100質量份(固體成分)、作為高介電有機成分即[D]化合物的(D-3)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(S-3)。

[實施例4]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合 物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)100質量份(固體成分)、作為高介電有機成分即[D]化合物的(D-4)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(S-4)。

[實施例5]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)100質量份(固體成分)、作為高介電有機成分即[D]化合物的(D-5)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(S-5)。

[實施例6]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1) 100質量份(固體成分)、作為高介電有機成分即[D]化合物的(D-6)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(S-6)。

[實施例7]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)75質量份(固體成分)、作為高介電有機成分即[D]化合物的(D-1)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(S-7)。

[實施例8]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)75質量份(固體成分)、作為高介電有機成分即[D]化合物的(D-2)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面 活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(S-8)。

[比較例1]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)100質量份(固體成分)、作為[J]比較成分的(J-1)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(CS-1)。

[比較例2]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)100質量份(固體成分)、作為[J]比較成分的(J-2)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2 μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(CS-2)。

[比較例3]

在含有作為[A]聚合物的(A-1)的溶液中，相對於與[A]聚合物100質量份(固體成分)相當的量，而混合作為[B]感光劑的感放射線性聚合起始劑(B-1)10質量份、[C]化合物分散液(C-1)100質量份(固體成分)、作為[J]比較成分的(J-3)100質量份、作為[E]密著助劑的(E-1)5質量份、及作為[F]表面活性劑的(F-1)0.10質量份，以固體成分濃度成為30質量%的方式，在作為[G]有機溶劑的(G-1)、(G-2)中進行溶解及分散後，利用孔徑為0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而製備感放射線性樹脂組合物(CS-3)。

以下表示實施例及比較例中所用的各成分的詳細內容。

<[B]感放射線性聚合起始劑>

B-1：乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-哢唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)(汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)公司、豔佳固(Irgacure)(注冊商標)OXE02)

<[C]化合物>

C-1：BaTiO₃(粉體)(戶田工業公司、T-BTO-020)

<[D]化合物>

D-1：六官能丙烯酸胺基甲酸酯(根上工業公司、艾特樹脂(Artresin)UN-906)

D-2：二官能聚酯系丙烯酸胺基甲酸酯(根上工業公司、ArtresinUN-9200A)

D-3：乙氧基化異三聚氰酸三丙烯酸酯(新中村化學工業公司、A-9300)

D-4：ε-己內酯改質異三聚氰酸三-(2-丙烯醯氧基乙基)酯(新中村化學工業公司、A-9300-1CL)

D-5：聚胺基甲酸酯樹脂(荒川化學工業公司、UREARNO KL-422)

D-6：所述合成例2中所記載的具有醯胺鍵的聚合物

<[E]密著助劑>

E-1：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(智索(Chisso)公司、S-510)

<[F]表面活性劑>

F-1：矽酮系表面活性劑(東麗道康寧有機矽公司、SH28PA)

<[G]有機溶劑>

G-1：3-甲氧基丙酸乙酯

G-2：1-甲氧基-2-丙醇

<[I]分散劑>

I-1：磷酸酯鹽(日本畢克化學(BYK-CHEMIE JAPAN)公司、BYK-102)

<[J]比較成分>

[J]比較成分使用具有酯鍵的聚合物、或丙烯酸酯。

J-1：季戊四醇三丙烯酸酯與季戊四醇四丙烯酸酯的混合物(季戊四醇三丙烯酸酯含量為約60%)(新中村化學工業公司、NK Ester A-TMM-3LM-N)

J-2：二季戊四醇五丙烯酸酯與二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物(二季戊四醇五丙烯酸酯含量為50%)(新中村化學工業公司、NK Ester A-9550)

J-3：所述合成例3中所記載的不具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵的任一種的丙烯酸系聚合物

<感放射線性樹脂組合物及絕緣膜的物性評價>

由以如上所述方式製備的感放射線性樹脂組合物按照以下方式形成絕緣膜，並評價物性。結果一併表示於表1。

[圖案化性評價基板的製作]

使用實施例及比較例所記載的感放射線性樹脂組合物(S-1)~感放射線性樹脂組合物(S-8)及感放射線性樹脂組合物(CS-1)~感放射線性樹脂組合物(CS-3)，以硬化後膜厚成為0.5μm的方式，利用旋塗機分別將所述感放射線性樹脂組合物塗佈在Si(矽)晶圓上後，在加熱板上在90℃下進行100秒鐘預烘烤，使有機溶劑等蒸發而形成各塗膜。接著，使用UV(紫外)曝光機(拓普康深紫外線(TOPCON Deep-UV)曝光機TME-400PRJ)，介隔能夠形成規定圖案的圖案遮罩照射100mJ的UV光。然後，使用濃度為2.38質量%的氫氧化四甲基銨水溶液(顯影液)，利用覆液法在25℃下進行100秒鐘顯影處理。顯影處理後，利用超純水對 各塗膜進行1分鐘的流水清洗，進行乾燥而在晶圓上形成圖案後，利用烘箱在230℃下進行30分鐘加熱(後烘烤)使其硬化，而在Si晶圓上形成絕緣膜。

[圖案化性的評價]

利用光學顯微鏡，來觀察形成於絕緣膜上的貫通的20μm×20μm的孔，並對殘渣的程度進行評價，所述絕緣膜以如上所述的方式形成。將無法確認殘渣的情形設為A，將可以確認少量的殘渣的情形設為B，將可以清晰地確認殘渣的情形設為C，將可以確認大量的殘渣的情形設為D，來評價圖案化性。

[電性特性評價基板的製作]

使用實施例及比較例所記載的感放射線性樹脂組合物(S-1)~感放射線性樹脂組合物(S-8)及感放射線性樹脂組合物(CS-1)~感放射線性樹脂組合物(CS-3)，以膜厚成為1μm的方式，利用旋塗機分別將所述感放射線性樹脂組合物塗佈在作為附ITO膜的玻璃基板的ITO基板上後，在加熱板上在90℃下進行100秒鐘預烘烤，使有機溶劑等蒸發而形成各塗膜。接著，利用丙酮擦去塗佈了感放射線性樹脂組合物的基板的端部的一部分使基底的ITO露出，來作為用於電性特性測定的電極取出部位。接著，利用UV曝光機(拓普康深紫外線曝光機TME-400PRJ)照射100mJ的UV光，然後，利用烘箱在230℃下進行30分鐘加熱(後烘烤)使其硬化，而在ITO基板上形成絕緣膜。

[介電常數的測定]

在利用所述[電性特性評價基板的製作]所記載的方法製作的各電性特性評價基板的絕緣膜上，使用真空蒸鍍裝置(捷歐路真空蒸鍍機(JEOL VACUUM EVAPORATOR)JEE-420)，製作用以測定靜電電容的Al(鋁)電極。接著，在預先露出的各基板的ITO部分焊接電極連接用導線，將所述導線與利用真空蒸鍍裝置製作的Al電極分別連接於電感電容電阻(Inductance Capacitance Resistance，LCR)測定計(惠普4284A精密LCR測定計(HEWLETT PACKARD 4284A PRECISION LCR METER))的正端子與負端子，在施加電壓為100mV、頻率為1000Hz的條件下，測定絕緣膜的靜電電容C。將所測定的靜電電容C的值、與Al電極的面積S(m²)、以及硬化膜的膜厚d(m)代入以下式中，求出介電常數ε的值。

介電常數ε=靜電電容C×硬化膜的膜厚d(m)÷電極面積S(m²)

<洩漏電流的測定方法>

使用在所述[介電常數的測定]中測定了介電常數的各基板，將各電極(導線與Al電極)連接於和靜電計(吉時利6517A靜電計/高阻計(KEITHLEY 6517A ELECTROMETER/HIGH RESISTANCE METER))連接的洩漏電流測定盒(吉時利8002A高阻試驗裝置(KEITHLEY 8002A HIGH RESISTANCE TEST FIXTURE))的端子，以電場強度成為50V/μm的方式，在夾持絕緣膜的電極間施加電壓而測定洩漏電流。在測定剛開始後由於洩 漏電流值不均，因此將測定開始1分鐘後的值作為洩漏電流值進行評價。

根據表1可以明白，實施例1~實施例6所記載的感放射線性樹脂組合物(S-1~S-6)包含[C]化合物，使用所述感放射線性樹脂組合物而形成的絕緣膜表現出高的介電常數ε。

並且，實施例1~實施例6所記載的感放射線性樹脂組合物(S-1~S-6)包含[C]化合物與具有胺基甲酸酯鍵或醯胺鍵的化合物的[D]化合物。其結果是，由實施例1~實施例6的感放射線性樹脂組合物(S-1~S-6)形成的絕緣膜，與比較例1~比較例3所記載的感放射線性樹脂組合物(CS-1~CS-3)形成的絕緣膜相比，介電常數ε的值提高約0.5，所述比較例1~比較例3所記載的感放射線性樹脂組合物(CS-1~CS-3)不含[D]化合物而包含不具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵的任一種的[J]比較成分。根據所述結果，認為由於容易分極的胺基甲酸酯鍵或醯胺鍵，而包含所述鍵 的絕緣膜的介電常數提高。

另外，實施例7及實施例8所記載的感放射線性樹脂組合物(S-7及S-8)與實施例1及實施例2所記載的感放射線性樹脂組合物(S-1及S-2)相比，[C]化合物減少25%。所述情況的原因是以如下方式進行成分的製備：由感放射線性樹脂組合物(S-7及S-8)形成的絕緣膜的相對介電常數與由比較例1~比較例3所記載的感放射線性樹脂組合物(CS-1~CS-3)形成的絕緣膜同等。

其結果是，在由比較例1~比較例3所記載的感放射線性樹脂組合物(CS-1~CS-3)形成的絕緣膜中，洩漏電流值為10^-7級的值，相對於此，在由實施例7及實施例8所記載的感放射線性樹脂組合物(S-7及S-8)形成的絕緣膜中，可以將洩漏電流值抑制至10^-8級的值。其結果認為，由於作為金屬氧化物粒子的[C]化合物的含量減少，因而抑制絕緣膜中的洩漏通道的產生，而抑制洩漏電流。

而且，在由實施例7及實施例8所記載的感放射線性樹脂組合物(S-7及S-8)形成的絕緣膜中，由於難以溶解於顯影液的作為金屬氧化物粒子的[C]化合物的含量減少，因而可以抑制殘差的產生，而圖案化性提高。

根據以上結果，含有[A]聚合物、[B]感放射線性聚合起始劑及[C]化合物的感放射線性樹脂組合物，藉由含有具有胺基甲酸酯鍵或醯胺鍵的[D]化合物作為成分，而可以進一步提高由其形成的絕緣膜的相對介電常數。另外，由此可以減少為了高介電常數 化而添加的作為金屬粒子氧化物的[C]化合物的量。其結果是，在所形成的絕緣膜中，可以實現圖案化性的提高或洩漏電流的抑制。

[工業上的可利用性]

本發明的感放射線性樹脂組合物可以簡便地形成經圖案化的高可靠性的絕緣膜，並且可以提供包含所述絕緣膜的陣列基板。並且，使用所述陣列基板而製造的液晶顯示元件具有高的可靠性。因此，包含使用本發明的感放射線性樹脂組合物而形成的絕緣膜的液晶顯示元件，適合於要求優異的畫質與可靠性的大型液晶電視等用途。

1‧‧‧陣列基板

4‧‧‧基板

5a‧‧‧第2源極-汲極電極

6‧‧‧第1源極-汲極電極

7a‧‧‧閘極電極

8‧‧‧主動元件

8a‧‧‧半導體層

9‧‧‧像素電極

10‧‧‧配向膜

12‧‧‧有機絕緣膜

14‧‧‧共通電極

17‧‧‧接觸孔

31‧‧‧閘極絕緣膜

32‧‧‧無機絕緣膜

33‧‧‧絕緣膜

Claims (9)

1. 一種感放射線性樹脂組合物，其特徵在於包含：[A]聚合物、[B]感光劑、以及[C]包含鈦氧化物、與選自由鋇、鍶、鈣、鎂、鋯及鉛所組成的組群的至少一種金屬元素的化合物，且[C]化合物的c/a軸比為1.0025~1.010。
2. 如申請專利範圍第1項所述的感放射線性樹脂組合物，其中[A]聚合物為包含具有羧基的構成單元的聚合物。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感放射線性樹脂組合物，其中[B]感光劑包含選自光自由基聚合起始劑及光酸產生劑中的至少一種。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感放射線性樹脂組合物，其中[C]化合物的粒徑為0.01μm~0.1μm的範圍。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感放射線性樹脂組合物，其中[C]化合物為鈦酸鋇。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感放射線性樹脂組合物，其中進一步包含[D]選自由具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的聚合物、與具有胺基甲酸酯鍵及醯胺鍵中的至少一種的(甲基)丙烯酸酯化合物所組成的組群的至少一種。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感放射線性樹脂組合物，其用於形成顯示元件的絕緣膜。
8. 一種絕緣膜，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的感放射線性樹脂組合物而形成。
9. 一種顯示元件，其特徵在於：包含由如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的感放射線性樹脂組合物形成的絕緣膜。