TW201542611A - 聚合物、感光性樹脂組成物及電子裝置 - Google Patents

聚合物、感光性樹脂組成物及電子裝置 Download PDF

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Haruo Ikeda
Larry Rhodes
Pramod Kandanarachchi
Hugh Burgoon
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Sumitomo Bakelite Co
Promerus Llc
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Abstract

本發明之聚合物包含下述式(1a)所示之結構單元、下述式(1b)所示之結構單元及下述式(1c)所示之結構單元。 □(式(1a)中，n為0、1或2；R1、R2、R3及R4分別獨立地為氫或碳數1~10之有機基；式(1c)中，R5為碳數1~10之有機基)

Description

聚合物、感光性樹脂組成物及電子裝置
本發明係關於一種聚合物、感光性樹脂組成物及電子裝置。
作為構成電子裝置之絕緣膜，有利用對感光性樹脂組成物進行曝光而獲得之樹脂膜之情況。作為關於此種感光性樹脂組成物之技術，例如可列舉專利文獻1所記載者。專利文獻1中記載有一種含有鹼溶性樹脂及感光劑之光阻劑組成物。
專利文獻1：日本特開平2-146045號公報
近年來，業界謀求開發出一種可提昇電子裝置之製造製程中所使用的材料之可靠性的新穎聚合物。
根據本發明，提供一種聚合物，其含有下述式(1a)所示之結構單元、下述式(1b)所示之結構單元及下述式(1c)所示之結構單元。
(式(1a)中，n為0、1或2；R1、R2、R3及R4分別獨立地為氫或碳數1~10之有機基；式(1c)中，R5為碳數1~10之有機基)
又，根據本發明，提供一種感光性樹脂組成物，其用於形成永久膜，該組成物含有上述聚合物、及感光劑。
又，根據本發明，提供一種電子裝置，其具備由上述感光性樹脂組成物所形成之永久膜。
根據本發明，可提供一種能夠提昇電子裝置之製造製程中所使用之材料之可靠性的新穎聚合物。
10‧‧‧基板
12‧‧‧對向基板
14‧‧‧液晶層
20‧‧‧絕緣膜
22‧‧‧開口
30‧‧‧電晶體
31‧‧‧閘極電極
32‧‧‧源極電極
33‧‧‧汲極電極
34‧‧‧閘極絕緣膜
35‧‧‧半導體層
40、42‧‧‧配線
90、92‧‧‧配向膜
100‧‧‧電子裝置
上述目的及其他目的、特徵以及優點可藉由以下所述之較佳實施形態及其所隨附之以下圖式而進一步明確。
圖1係表示電子裝置之一例的剖面圖。
以下，使用圖式對實施形態進行說明。再者，於所有圖式中， 對相同之構成要素標註相同符號，並適當省略說明。
本實施形態之聚合物(第1聚合物)含有下述式(1a)所示之結構單元、下述式(1b)所示之結構單元及下述式(1c)所示之結構單元。
(式(1a)中，n為0、1或2；R1、R2、R3及R4分別獨立地為氫或碳數1~10之有機基；式(1c)中，R5為碳數1~10之有機基)
作為判斷電子裝置之製造製程中所使用的材料之可靠性的標準，可列舉製程邊限(process margin)。製程邊限表示針對因各種裝置或製程所引起之對準之偏差的容許範圍，例如可列舉自曝光起至顯影為止之過程中曝光後延遲時間對圖案尺寸所產生之影響。尤其於用以形成層間絕緣膜之類的永久膜之感光性樹脂組成物中含有聚合性基，會因製程中存在之酸或鹼等而受到觸媒作用，於曝光後延遲時間內進行硬化反應，而有於需要二次加工時殘留殘渣等故障之擔憂。此種故障結果亦影響電子裝置之良率，因而謀求開發出一種二次加工特性優異，可實現製程邊限廣之感光性樹脂組成物的新穎聚合物。
本發明人努力研究可提昇二次加工特性之新穎聚合物。其結果為，新開發出一種具有上述式(1a)所示之結構單元、上述式(1b)所示 之結構單元及上述式(1c)所示之結構單元的第1聚合物。如此，根據本實施形態，可提供一種能夠擴大電子裝置之製造製程中之製程邊限，而提昇可靠性之新穎聚合物。
以下，對第1聚合物、感光性樹脂組成物及電子裝置進行詳細說明。
(第1聚合物)
首先，對第1聚合物進行說明。
如上所述，本實施形態之第1聚合物由具有下述式(1a)所示之結構單元、下述式(1b)所示之結構單元及下述式(1c)所示之結構單元的共聚物構成。
上述式(1a)中，n為0、1或2。R1、R2、R3及R4分別獨立地為氫或碳數1~10之有機基。上述式(1c)中，R5為碳數1~10之有機基。式(1a)所示之結構單元之莫耳比並無特別限定，將第1聚合物整體設為100，尤佳為10以上90以下。又，式(1b)所示之結構單元之莫耳比並無特別限定，將第1聚合物整體設為100，尤佳為1以上50以下。又，式(1c)所示之結構單元之莫耳比並無特別限定，將第1聚合物整體設為100，尤佳為1以上50以下。
藉由使用此種第1聚合物作為構成感光性樹脂組成物之聚合物，對於使用該感光性樹脂組成物所形成之樹脂膜，可維持耐熱性、透明性、低介電常數、低雙折射、耐化學品性及撥水性等對樹脂膜所要求之各特性，並且謀求二次加工特性之提昇。推測其原因為，於第1聚合物中，除具有脂環式骨架之源自降莰烯之結構單元以外，亦含有源自N-取代順丁烯二醯亞胺之結構單元及源自未取代順丁烯二醯亞胺之結構單元。
再者，於上述共聚物中存在多個上述式(1a)所示之結構單元之情形時，該等上述式(1a)所示之各結構單元所具有之結構可分別獨立地決定。此情況對於上述式(1b)所示之結構單元或上述式(1c)所示之結構單元之各者而言亦相同。
作為構成R1、R2、R3及R4之碳數1~10之有機基，例如可列舉：烷基、烯基、炔基、亞烷基、芳基、芳烷基、烷芳基(alkaryl group)或環烷基等碳數1~10之烴基、或者含有羧基或環氧丙基之碳數1~10之有機基。作為烷基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基及癸基。作為烯基，例如可列舉：烯丙基、戊烯基及乙烯基。作為炔基，可列舉乙炔基。作為亞烷基，例如可列舉亞甲基及亞乙基。作為芳基，例如可列舉苯基及萘基。作為芳烷基，例如可列舉苄基及苯乙基。作為烷芳基，例如可列舉甲苯基、二甲苯基。作為環烷基，例如可列舉：金剛烷基、環戊基、環己基及環辛基。再者，對於該等烷基、烯基、炔基、亞烷基、芳基、芳烷基、烷芳基及環烷基，其一個以上之氫原子可被取代為氟、氯、溴或碘等鹵素原子。
作為構成R1、R2、R3及R4之含有環氧丙基之碳數1~10之有機基，例如可列舉以下述式(6)所示之有機基。
上述式(6)中，Y為單鍵或碳數1~7之二價有機基。構成Y之二價有機基係可具有氧、氮及矽中之任一種或兩種以上的直鏈狀或支鏈狀之二價烴基。於本實施形態中，可將Y設為例如碳數1~7之伸烷基。再者，構成Y之有機基中的一個以上之氫原子可被取代為氟、氯、溴或碘等鹵素原子。
於本實施形態中，更佳為含有環氧丙基之上述有機基例如為下述式(7)所示之有機基。藉此，關於使用含有第1聚合物之感光性樹脂組成物所形成之樹脂膜，可更有效地提昇二次加工特性、經時穩定性及耐溶劑性之平衡性。
又，作為構成R1、R2、R3及R4之含有羧基的碳數1~10之有機基，例如可列舉以下述式(8)所示之有機基。
上述式(8)中，Z為單鍵或碳數1~9之二價有機基。構成Z之二價有機基係可具有氧、氮及矽中之任一種或兩種以上的直鏈狀或支鏈狀之二價烴基。於本實施形態中，可將Z設為例如單鍵或碳數1~7之伸烷基。再者，構成Z之有機基中的一個以上之氫原子可被取代為氟、氯、溴或碘等鹵素原子。
於本實施形態中，更佳為含有羧基之上述有機基例如為下述式(9)所示之有機基。藉此，對於使用含有第1聚合物之感光性樹脂組成物所形成之樹脂膜，可更有效地提昇二次加工特性、經時穩定性及耐溶劑性之平衡性。
於本實施形態中，更佳為R1、R2、R3及R4中之至少一者為含有羧基或環氧丙基之有機基。藉此，對於使用具有第1聚合物之感光性樹脂組成物所獲得之樹脂膜，可提昇二次加工特性與耐溶劑性之間之平衡性。又，亦可有助於提昇耐熱性或機械強度。又，就更有效地提昇二次加工特性與耐溶劑性間之平衡性之觀點而言，尤佳為R1、R2、R3及R4中之任一者為含有羧基或環氧丙基之有機基，其他為氫。
於本實施形態中，較佳為構成第1聚合物之共聚物含有R1、 R2、R3及R4中之至少一者為含有環氧丙基的有機基之結構單元作為源自降莰烯的結構單元之至少一部分。藉此，對於使用具有第1聚合物之感光性樹脂組成物所獲得之樹脂膜，可更有效地提昇耐溶劑性。作為此種共聚物，例如可例示下述式(11)所示者。
(式(11)中，n、R1、R2、R3、R4及R5可應用上述式(1a)及上述式(1c)中所例示者；Y可應用上述式(6)中所例示者)
作為構成R5之碳數1~10之有機基，例如可列舉：烷基、烯基、炔基、亞烷基、芳基、芳烷基、烷芳基或環烷基等碳數1~10之烴基。作為烷基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基及癸基。作為烯基，例如可列舉烯丙基、戊烯基及乙烯基。作為炔基，可列舉乙炔基。作為亞烷基，例如可列舉亞甲基及亞乙基。作為芳基，例如可列舉苯基及萘基。作為芳烷基，例如可列舉苄基及苯乙基。作為烷芳基，例如可列舉甲苯基、二甲苯基。作為環烷基，例如可列舉金剛烷基、環戊基、環己基及環辛基。再者，R5中所含有之一個以上之氫原子可被取代為氟、氯、溴或碘等鹵素原子。
再者，構成第1聚合物之共聚物亦可於無損本發明之效果之範圍內，含有上述式(1a)所示之結構單元、上述式(1b)所示之結構單元及上述式(1c)所示之結構單元以外之其他結構單元。
作為本實施形態之第1聚合物，可例示以下所示者。再者，第1聚合物並不限定於以下所示者。
再者，關於第1聚合物，亦可含有下述式(12)所示之單體、下述式(13)所示之單體以及順丁烯二醯亞胺中之一種或兩種以上作為低分子量成分。
(式(12)中，n、R1、R2、R3及R4可設為上述式(1a)中所例示者)
(式(13)中，R5可設為上述式(1c)中所例示者)
第1聚合物例如可藉由如下方式合成。
(聚合步驟(處理S1))
首先，作為單體，準備上述式(12)所示之降莰烯型單體、順丁烯二醯亞胺及上述式(13)所示之N-取代順丁烯二醯亞胺。
繼而，使所準備之該等單體進行加成聚合，而獲得共聚物(共聚物1)。此處，例如藉由自由基聚合而進行加成聚合。於本實施形態中，可於將上述單體及聚合起始劑溶解於溶劑後，加熱特定時間，藉此進行溶液聚合。此時，加熱溫度例如可設為50℃~80℃。又，加熱時間例如可設為1小時~20小時。再者，更佳於藉由通入氮氣而去除溶劑中之溶存氧後，進行溶液聚合。
作為上述溶液聚合中所使用之溶劑，例如可使用甲基乙基酮(MEK)、丙二醇單甲醚、二乙醚、四氫呋喃(THF)、甲苯中之一種或兩種以上。又，作為上述聚合起始劑，可使用偶氮化合物及有機過氧化物中之一種或兩種以上。作為偶氮化合物，例如可列舉：偶氮二異丁腈(AIBN)、二甲基2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸甲酯)、1,1'-偶氮雙(環己烷甲腈)(ABCN)。作為有機過氧化物，例如可列舉：過氧化氫、過氧化二第三丁基(DTBP，di-t-butyl peroxide)、過氧化苯甲醯(benzoyl peroxide(BPO))及過氧化丁酮(MEKP)。
再者，上述式(1c)所示之結構單元例如亦可藉由於使順丁烯二酸酐與其他單體一併進行加成聚合而合成共聚物後，利用胺類使源自順丁烯二酸酐之結構單元開環而製成順丁烯醯胺酸，進而將該順丁烯醯胺酸進行醯亞胺閉環而獲得。醯亞胺閉環例如藉由於三級胺等觸媒存在下進行加熱而進行。
(清洗步驟(處理S2))
將含有如此而獲得之共聚物1之反應液添加至己烷或甲醇中而使聚合物析出。繼而，過濾取得聚合物，利用己烷或甲醇等進行清洗後，使之乾燥。於本實施形態中，例如可如此而合成第1聚合物。
(感光性樹脂組成物)
感光性樹脂組成物用於形成永久膜。
上述永久膜係由藉由使感光性樹脂組成物硬化而獲得之樹脂膜構成。於本實施形態中，例如於藉由曝光及顯影使由感光性樹脂組成物構成之塗膜圖案化為所需形狀後，藉由熱處理等使該塗膜硬化，藉此形成永久膜。
作為使用感光性樹脂組成物所形成之永久膜，例如可列舉層間膜、表面保護膜或障壁(dam)材料。又，該永久膜例如亦可用作光學透鏡等之光學材料。再者，永久膜之用途並不限定於該等。
層間膜係指設置於多層結構中之絕緣膜，其種類並無特別限定。作為層間膜，例如可列舉構成半導體元件之多層配線結構之層間絕緣膜、構成電路基板之增層或核心層等半導體裝置用途中所使用者。又，作為層間膜，例如亦可列舉覆蓋顯示裝置中之薄膜電晶體(TFT(Thin Film Transistor))之平坦化膜、液晶配向膜、設置於MVA(Multi Domain Vertical Alignment) 型液晶顯示裝置之濾色器基板上之突起，或用以形成有機EL元件之陰極之間隔壁等顯示裝置用途中所使用者。
表面保護膜係指形成於電子零件或電子裝置之表面，用以保護該表面之絕緣膜，其種類並無特別限定。作為此種表面保護膜，例如可列舉設置於半導體元件上之鈍化膜、凸塊保護膜或緩衝塗層，或設置於可撓性基板上之覆蓋塗層。又，障壁材料係為了形成用以於基板上配置光學元件等之中空部分而使用之間隔物。
感光性樹脂組成物含有第1聚合物及感光劑。
作為第1聚合物，可使用上述所例示者。本實施形態之感光性樹脂組成物可含有上述所例示之第1聚合物中之一種或兩種以上。感光性樹脂組成物中之第1聚合物之含量並無特別限定，相對於感光性樹脂組成物之全部固形物成分，較佳為20質量%以上90質量%以下，更佳為30質量%以上80質量%以下。再者，感光性樹脂組成物之固形物成分係指感光性樹脂組成物中所含之除溶劑以外的成分。以下，於本說明書中均相同。
關於感光性樹脂組成物，作為藉由暴露於例如光中而使膜中產生針對TMAH(氫氧化四甲基銨)之溶解性之對比度的感光劑，可含有重氮醌(diazoquinone)化合物。用作感光劑之重氮醌化合物例如包含以下所例示者。
(n2為1以上5以下之整數)
於以上之各化合物中，Q為以下所示之結構(a)、結構(b)及結構(c)中之任一者或氫原子。其中，各化合物中所含有之Q中之至少一者為結構(a)、結構(b)及結構(c)中之任一者。就感光性樹脂組成物之透明性及介電常數之觀點而言，更佳Q為結構(a)或結構(b)之鄰萘醌二疊氮磺酸(o-naphthoquinone diazide sulfonic acid)衍生物。
感光性樹脂組成物中之感光劑的含量相對於感光劑之全部固形物成分，較佳為5質量%以上40質量%以下，更佳為10質量%以上30質量%以下。
又，關於感光性樹脂組成物，作為光酸產生劑，亦可含有CPI-100P、101A、110B、200K、210S(San-Apro(股份)製造)之類的鋶鹽。本實施形態之感光性樹脂組成物亦可含有上述所例示之光酸產生劑中之一種或兩種以上。
感光性樹脂組成物例如可含有藉由熱而產生酸之酸產生劑(熱酸產生劑)。熱酸產生劑可含有SI-45L、SI-60L、SI-80L、SI-100L、SI-110L、SI-150L(三新化學工業(股份)製造)等芳香族鋶鹽。再者，於本實施形態中，亦可將上述所例示之光酸產生劑與該等熱酸產生劑併用。
感光性樹脂組成物中之酸產生劑之含量相對於感光性樹脂組成物之全部固形物成分，較佳為0.1質量%以上20質量%以下，更佳為0.5質量%以上10質量%以下。藉此，可有效地提昇感光性樹脂組成物之反應性與使用感光性樹脂組成物所形成之樹脂膜的二次加工特性及顯影性之平衡性。
感光性樹脂組成物亦可含有密接性改善劑。密接性改善劑並無特別限定，例如可使用胺基矽烷、環氧矽烷、丙烯基矽烷(acrylsilane)、巰 基矽烷、乙烯基矽烷、脲基矽烷或硫基矽烷等矽烷偶合劑。該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。於該等中，就有效地提昇對其他構件之密接性之觀點而言，更佳使用環氧矽烷。
作為胺基矽烷，例如可列舉：雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷或N-苯基-γ-胺基-丙基三甲氧基矽烷。作為環氧矽烷，例如可列舉：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷或β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷。作為丙烯醯基矽烷，例如可列舉：γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)甲基二甲氧基矽烷或γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)甲基二乙氧基矽烷。作為巰基矽烷，例如可列舉γ-巰基丙基三甲氧基矽烷。作為乙烯基矽烷，例如可列舉：乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷或乙烯基三甲氧基矽烷。作為脲基矽烷，例如可列舉3-脲基丙基三乙氧基矽烷。作為硫基矽烷，例如可列舉雙(3-(三乙氧基矽基)丙基)二硫醚或雙(3-(三乙氧基矽基)丙基)四硫醚。
感光性樹脂組成物中之密接性改善劑的含量相對於感光性樹脂組成物之全部固形物成分，較佳為1質量%以上10質量%以下，更佳為2質量%以上8質量%以下。藉此，可更有效地提昇由感光性樹脂組成物所形成之樹脂膜對其他構件之密接性。
感光性樹脂組成物亦可含有界面活性劑。界面活性劑係含有例如含有氟基(例如氟化烷基)或矽烷醇基之化合物，或以矽氧烷鍵作為主骨架之化合物。於本實施形態中，尤其使用含有氟系界面活性劑或聚矽氧系界面活性劑者作為界面活性劑尤佳。作為界面活性劑，例如可列舉迪愛生股份有限公司製造之Megafac F557等，但並不限定於此。
感光性樹脂組成物中之界面活性劑的含量相對於感光性樹脂組成物之全部固形物成分，較佳為0.1質量%以上3質量%以下，更佳為0.2質量%以上2質量%以下。藉此，可有效地提昇感光性樹脂組成物之平坦性。又，於旋轉塗佈時，可更確實地防止於塗佈膜上產生放射線狀之條紋。
於感光性樹脂組成物中亦可視需要添加交聯劑、抗氧化劑、填料、增感劑等添加劑。交聯劑例如具有與第1聚合物中之羧基進行反應而形成交聯結構之反應基。作為反應性基，例如較佳為環狀醚基，尤佳為環氧丙基或氧雜環丁烷(oxetane)基。抗氧化劑例如可含有選自酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑及硫醚系抗氧化劑之群中之一種或兩種以上。填料例如可含有選自二氧化矽等無機填充劑中之一種或兩種以上。增感劑例如可含有選自蒽類、酮類、蒽醌類、菲類、(chrysene)類、苯并芘類、螢省(fluoracene)類、紅螢烯類、芘類、陰丹士林類及硫-9-酮類之群中之一種或兩種以上。
感光性樹脂組成物亦可含有溶劑。於該情形時，感光性樹脂組成物成為清漆狀。溶劑例如可含有丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯、甲基異丁基甲醇(MIBC)、γ-丁內酯 (GBL)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、甲基正戊基酮(MAK)、二乙二醇單甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基乙基醚中之一種或兩種以上。再者，本實施形態中可使用之溶劑並不限定於該等。
(電子裝置)
其次，對本實施形態之電子裝置100進行說明。
電子裝置100例如具備由上述感光性樹脂組成物所形成之永久膜即絕緣膜20。本實施形態之電子裝置100只要具備由感光性樹脂組成物所形成之絕緣膜，則並無特別限定，例如可列舉以絕緣膜20作為平坦化膜或微透鏡而具有之顯示裝置，或具備使用絕緣膜20作為層間絕緣膜之多層配線結構之半導體裝置等。
圖1係表示電子裝置100之一例之剖面圖。
於圖1中，例示電子裝置100為液晶顯示裝置，將絕緣膜20用作平坦化膜之情形。圖1所示之電子裝置100例如具備：基板10；電晶體30，其設置於基板10上；絕緣膜20，其以覆蓋電晶體30之方式設置於基板10上；及配線40，其設置於絕緣膜20上。
基板10例如為玻璃基板。電晶體30例如為構成液晶顯示裝置之開關元件之薄膜電晶體。於基板10上例如陣列狀地排列有多個電晶體30。圖1所示之電晶體30例如由閘極電極31、源極電極32、汲極電極33、閘極絕緣膜34及半導體層35構成。閘極電極31例如設置於基板10上。閘極絕緣膜34以覆蓋閘極電極31之方式設置於基板10上。半導體層35設置於閘極絕緣膜34上。又，半導體層35例如為矽層。源極電極32以一部分與半導體層35接觸之方式設置於基板10上。汲極電極33與源極電極32 分離，以一部分與半導體層35接觸之方式設置於基板10上。
絕緣膜20作為用以消除因電晶體30等所引起之階差，於基板10上形成平坦表面之平坦化膜而發揮作用。又，絕緣膜20由上述感光性樹脂組成物之硬化物構成。於絕緣膜20上，以連接於汲極電極33之方式設置有貫穿絕緣膜20之開口22。
於絕緣膜20上及開口22內形成有與汲極電極33連接之配線40。配線40與液晶一併作為構成像素之像素電極而發揮作用。
又，於絕緣膜20上，以覆蓋配線40之方式設置有配向膜90。
於基板10中設置有電晶體30之一面之上方，以與基板10對向之方式配置有對向基板12。於對向基板12中與基板10對向之一面設置有配線42。配線42設置於與配線40對向之位置。又，於對向基板12之上述一面上，以覆蓋配線42之方式設置有配向膜92。
於基板10與該對向基板12之間填充有構成液晶層14之液晶。
圖1所示之電子裝置100例如可藉由如下方式形成。
首先，於基板10上形成電晶體30。繼而，於基板10中設置有電晶體30之一面上，藉由印刷法或旋轉塗佈法而塗佈上述感光性樹脂組成物，從而形成覆蓋電晶體30之絕緣膜20。繼而，對絕緣膜20曝光紫外線等並進行顯影，使絕緣膜20圖案化。藉此，於絕緣膜20之一部分形成開口22。繼而，對絕緣膜20進行加熱使之硬化。藉此，於基板10上形成作為平坦化膜之絕緣膜20。
繼而，於絕緣膜20之開口22內形成連接於汲極電極33之配線40。其後，於絕緣膜20上配置對向基板12，於對向基板12與絕緣膜20之間填充 液晶，而形成液晶層14。
藉此，形成圖1所示之電子裝置100。
再者，本發明並不限定於上述實施形態，可達成本發明之目的之範圍內之變形、改良等包含於本發明中。
實施例
其次，對本發明之實施例進行說明。
(聚合物之合成)
(合成例1)
計量甲基縮水甘油醚降莰烯(7.2g、40mmol)、降莰烯羧酸(1.3g、10mmol)、順丁烯二醯亞胺(2.9g、30mmol)、N-環己基順丁烯二醯亞胺(3.6g、20mmol)，並置於具備攪拌機及冷凝管之反應容器內。進而，將V-601(0.46g、2mmol)及12.5g之THF加入至反應容器中，進行攪拌使之溶解。繼而，藉由通入氮氣而去除系統內之溶存氧後，於氮氣環境下保持為60℃，使之反應5小時。繼而，將反應混合物冷卻至室溫，添加22g之THF進行稀釋。將稀釋後之溶液注入至大量甲醇中，使聚合物析出。繼而，過濾取得聚合物並利用甲醇進一步加以清洗，然後以30℃真空乾燥16小時。聚合物之產量為7.0g，產率為47%。所獲得之聚合物之重量平均分子量為7100，分散度為1.37。又，具有下述式(18)所示之結構。
(感光性樹脂組成物之製備)
(實施例1)
將由合成例1所合成之聚合物10.0g、4,4'-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基)雙酚與1,2-二疊氮基萘醌-5-磺醯氯之酯化物(Daito Chemix(股份)製造：PA-15)3.0g、1-萘基甲基甲基-對羥基苯基鋶六氟銻酸鹽0.4g(三新化學工業製造之SI-60L)、用以改善密接性之KBM-403(Shin-Etsu Silicones公司製造)0.5g、用以防止旋轉塗佈時於抗蝕劑膜上形成之放射線狀的條紋之F-557(DIC製造)0.1g，以固形物成分成為20%之方式溶解於乳酸乙酯：二乙二醇甲基乙基醚=70：30之混合溶劑中。利用0.2μm之PTFE過濾器將其過濾，而製備感光性樹脂組成物。
(二次加工特性)
對於實施例1，藉由如下方式評價感光性樹脂組成物之二次加工特性。
首先，將感光性樹脂組成物旋轉塗佈於長100mm、寬100mm尺寸之康寧公司製造之1737玻璃基板上(轉數500~2500rpm)，使用加熱板於100℃、120秒之條件下進行預烘烤，藉此獲得厚度約為3.0μm之樹脂膜。繼而，針對上述樹脂膜，使用具有寬度5μm之光罩圖案之光罩，利用g+h +i射線光罩對準曝光機(Canon(股份)公司製造、PLA-501F(超高壓水銀燈))以累計光量成為300mJ/cm2之方式曝光g+h+i射線。其後，於0.5%之氫氧化四甲基銨水溶液中顯影處理90秒，進而利用純水進行淋洗，藉此獲得帶有圖案之薄膜。針對該薄膜，不經由光罩，以累計光量成為300mJ/cm2之方式進行漂白處理。繼而，將上述樹脂膜於保持為氣溫23±1℃、濕度40±5%之黃光室內(使用HEPA過濾器)放置24小時後，針對上述樹脂膜，不經由光罩，以使g+h+i射線之累計光量成為300mJ/cm2之方式再次進行漂白處理。繼而，將上述樹脂膜浸漬於23±1℃之2.38%TMAH(氫氧化四甲基銨)溶液中120秒。此時，利用顯微鏡觀察基板上有無殘存上述樹脂膜。
於實施例1中，未見上述樹脂膜之殘存。
本申請案主張以2014年3月6日提出申請之美國臨時專利申請第61/949088號為基礎之優先權，並將其所揭示之全部內容併入本文中。
10‧‧‧基板
12‧‧‧對向基板
14‧‧‧液晶層
20‧‧‧絕緣膜
22‧‧‧開口
30‧‧‧電晶體
31‧‧‧閘極電極
32‧‧‧源極電極
33‧‧‧汲極電極
34‧‧‧閘極絕緣膜
35‧‧‧半導體層
40、42‧‧‧配線
90、92‧‧‧配向膜
100‧‧‧電子裝置

Claims (4)

  1. 一種聚合物，其含有下述式(1a)所示之結構單元、下述式(1b)所示之結構單元及下述式(1c)所示之結構單元， (式(1a)中，n為0、1或2；R1、R2、R3及R4分別獨立地為氫或碳數1~10之有機基；式(1c)中，R5為碳數1~10之有機基)。
  2. 如申請專利範圍第1項之聚合物，其中，R1、R2、R3及R4中之任一者為含有羧基或環氧丙基之有機基，其他為氫。
  3. 一種感光性樹脂組成物，其用於形成永久膜，該組成物含有申請專利範圍第1或2項之聚合物、及感光劑。
  4. 一種電子裝置，其具備由申請專利範圍第3項之感光性樹脂組成物形成之永久膜。
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