TW201531752A - 積層偏光薄膜、其製造方法、積層光學薄膜及影像顯示裝置 - Google Patents

積層偏光薄膜、其製造方法、積層光學薄膜及影像顯示裝置 Download PDF

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Abstract

本發明之積層偏光薄膜係藉由低彈性接著劑層(a)來積層偏光薄膜及偏光件之外的光學薄膜而成的積層偏光薄膜，其中，前述偏光薄膜藉由接著劑層(b)在偏光件之至少一面上積層有透明保護薄膜，並且，於該透明保護薄膜上積層有前述低彈性接著劑層(a)，前述低彈性接著劑層(a)在25℃下的儲存彈性模數為3.0×105~1.0×108Pa，並且，前述低彈性接著劑層(a)之厚度為0.1~5μm。本發明之積層偏光薄膜之耐衝撃性及熱挫曲性良好。

Description

積層偏光薄膜、其製造方法、積層光學薄膜及影像顯示裝置 技術領域
本發明係有關於一種積層偏光薄膜及其製造方法，該積層偏光薄膜係藉由低彈性接著劑層來積層偏光薄膜及偏光件之外的光學薄膜而成者。該積層薄膜可以其單獨或以進一步積層光學薄膜而成之積層光學薄膜來形成液晶顯示裝置(LCD)、有機EL顯示裝置、CRT、PDP等之影像顯示裝置。
背景技術
對液晶顯示裝置等而言，必要不可缺的是由其影像形成方式於液晶晶胞兩側配置偏光元件，一般而言係貼附有偏光薄膜。又，為了使顯示器之顯示品質提升，於液晶面板會使用除了偏光薄膜之外的各種光學薄膜。舉例而言，光學薄膜係有使用：用來防止著色之相位差薄膜、用於改善液晶顯示器之視角的視角擴大薄膜，此外還有用於提高顯示器之對比度的亮度提升薄膜等。
在組合前述偏光薄膜及光學薄膜(例如相位差薄膜)而作成積層偏光薄膜使用時，通常係藉由黏著劑層來積 層前述偏光薄膜及光學薄膜(例如專利文獻1)。於專利文獻1中，從防止光漏等觀點來看，係提案將具有0.3MPa以上之23℃時的儲存彈性模數之黏著劑層作為黏著劑層。又，在專利文獻1中，為了滿足黏著劑層之剝離力，係使用有厚度5~100μm之黏著劑層。
習知技術文獻 專利文獻
【專利文獻1】日本專利特開2008-032852號公報
發明概要
前述積層偏光薄膜所使用的相位差薄膜，由於薄膜內分子係面配向，因此容易因掉落等衝撃而裂開。因此，舉例而言，偏光薄膜及相位差薄膜之積層物的耐衝撃性並不充分。
又，前述積層偏光薄膜會在黏合在液晶晶胞而形成面板的狀態下被供作加熱試驗、凍結循環試驗(熱衝擊循環試驗)等。然而，於專利文獻1中所記載的黏著劑層，黏著劑層會難以順應因前述試驗而產生的偏光薄膜尺寸變化，且以正交尼科耳鏡(crossed nicol)之狀態觀察試驗後的積層偏光薄膜，會觀察到條狀不均勻等顯示缺陷。因此，對積層光學薄膜係追求即便在前述試驗後仍不會使積層偏光薄膜產生正交尼科耳鏡之狀態下的條狀不均勻等(以下稱作熱挫曲性)。
本發明之目的在於提供一種積層偏光薄膜及偏光薄膜之外的光學薄膜而成的積層偏光薄膜及其製造方法，該積層偏光薄膜係耐衝撃性及熱挫曲性良好的積層偏光薄膜。
此外，本發明之目的亦在於提供一種使用有前述積層偏光薄膜之積層光學薄膜，且亦在於提供一種使用有前述積層偏光薄膜或積層光學薄膜之影像顯示裝置。
本發明人為了解決前述課題全心研究而發現到藉由下述偏光薄膜等可解決前述課題，致使完成了本發明。
亦即，本發明係有關於一種積層偏光薄膜，其特徵在於其係藉由低彈性接著劑層(a)來積層偏光薄膜及偏光件之外的光學薄膜而成的積層偏光薄膜，其中，前述偏光薄膜藉由接著劑層(b)在偏光件之至少一面上積層有透明保護薄膜，且於該透明保護薄膜上積層有前述低彈性接著劑層(a)，前述低彈性接著劑層(a)在25℃下的儲存彈性模數為3.0×105~1.0×108Pa，並且前述低彈性接著劑層(a)之厚度為0.1~5μm。
於前述積層光學薄膜中，可使用相位差薄膜來作為前述光學薄膜。
於前述積層光學薄膜中，前述低彈性接著劑層(a)以對活性能量線硬化型接著劑照射活性能量線而得之硬化物層為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述活性能量線硬化型接著劑以實質上不含有機溶劑且黏度1~100cp/25℃之液狀物為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述活性能量線硬化型接著劑以包含自由基聚合性化合物來作為硬化性成分為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述自由基聚合性化合物以包含單官能自由基聚合性化合物及多官能自由基聚合性化合物(A)為佳。又，在令前述自由基聚合性化合物之總量為100重量%時，多官能自由基聚合性化合物(A)之比例以在1~65重量%為佳。又，前述多官能自由基聚合性化合物(A)以重量平均分子量為200~4000之2官能(甲基)丙烯酸酯為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述自由基聚合性化合物以包含具有碳數2~18之烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯(B)為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述自由基聚合性化合物以包含具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)為佳。前述具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)以重量平均分子量為160~3000之含羥基單官能(甲基)丙烯酸酯為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述活性能量線硬化型接著劑以包含矽烷偶合劑(D)為佳。前述矽烷偶合劑(D)以不具有自由基聚合性官能基的矽烷偶合劑為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述活性能量線硬化型 接著劑以包含將(甲基)丙烯系單體聚合而成的丙烯酸系寡聚物(E)為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述活性能量線硬化型接著劑以包含具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)及具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)為佳。前述活性亞甲基以乙醯乙醯基為佳。前述具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)則以乙醯乙醯氧基烷基(甲基)丙烯酸酯為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述自由基聚合起始劑(G)以9-氧硫系自由基聚合起始劑為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述接著劑層(b)可使用在85℃下的儲存彈性模數為1.0×106~1.0×1010Pa，且厚度滿足0.03~3μm之接著劑層(b1)。
又，於前述積層光學薄膜中，當前述偏光薄膜藉由前述接著劑層(b)而在前述偏光件兩面上設有前述透明保護薄膜時，前述接著劑層(b)任一者皆可使用在85℃下的儲存彈性模數為1.0×106~1.0×1010Pa，且厚度滿足0.03~3μm之接著劑層(b1)。
又，於前述積層光學薄膜中，當前述偏光薄膜藉由前述接著劑層(b)而在前述偏光件兩面上設有前述透明保護薄膜時，單面的前述接著劑層(b)可使用在85℃下的儲存彈性模數為1.0×106~1.0×1010Pa，且厚度滿足0.03~3μm之接著劑層(b1)，另一單面之前述接著劑層(b)係在85℃下的儲存彈性模數為1.0×104~1.0×108Pa，且厚度滿足0.1~25μm之接著劑層(b2)。
於前述積層光學薄膜中，前述偏光件之厚度係以1~10μm為佳。
於前述積層光學薄膜中，前述透明保護薄膜係使用相位差薄膜來作為至少單面的透明保護薄膜。
前述積層光學薄膜在強制剝離前述偏光薄膜及前述光學薄膜時，前述低彈性接著劑層(a)以會發生膠合體失效為佳。
前述積層光學薄膜在強制剝離前述偏光薄膜及前述光學薄膜時的剝離力為1~5N/15mm。
又，本發明亦有關於一種積層偏光薄膜之製造方法，其特徵在於其係前述積層偏光薄膜之製造方法，該製造方法包含以下步驟：塗布步驟，其係於前述偏光薄膜中將會積層前述低彈性接著劑層(a)側的透明保護薄膜及前述光學薄膜之至少一面上，塗布形成前述低彈性接著劑層(a)之活性能量線硬化型接著劑；黏合步驟，其係黏合前述偏光薄膜及前述光學薄膜；及接著步驟，其係藉由低彈性接著劑層(a)來接著前述偏光薄膜及前述光學薄膜，其中該低彈性接著劑層(a)係藉由照射前述活性能量線，而使前述活性能量線硬化型接著劑硬化而得。
於前述積層偏光薄膜之製造方法中，前述活性能量線在波長範圍380~440nm之積算照度與在波長範圍 250~370nm之積算照度之比以在100：0~100：50為佳。
又，本發明亦有關於一種積層光學薄膜，其特徵在於至少積層有1片前述積層偏光薄膜。
又，本發明亦有關於一種影像顯示裝置，其特徵在於使用有前述積層偏光薄膜，或前述積層光學薄膜。
本發明之積層偏光薄膜係藉由低彈性接著劑層(a)積層有偏光薄膜及偏光件之外的光學薄膜。接著劑層之目的在於互相積層並固著各薄膜，其係與前提為在互相積層各薄膜之後可進行再剝離而設置的黏著劑層不同。前述低彈性接著劑層(a)係堅固地接著偏光薄膜及光學薄膜。如此的低彈性接著劑層(a)即便在薄層(0.1~5μm)之厚度下仍可維持預定以上的薄膜間剝離力，並且，可滿足熱挫曲性。再者，薄層(0.1~5μm)之黏著劑層無法滿足剝離力。黏著劑層雖可藉由加厚厚度來得到預定的剝離力，但黏著劑層一旦厚度變厚，黏著劑層會變得難以順應因加熱試驗、凍結循環試驗等所造成之偏光薄膜的尺寸變化，而無法滿足熱挫曲性。
又，本發明之低彈性接著劑層(a)由於將在25℃下的儲存彈性模數控制在3.0×105~1.0×108Pa，因此低彈性接著劑層(a)即便為薄層仍無礙，積層偏光薄膜的耐衝撃性仍良好。
又，本發明之積層偏光薄膜，在其為構成偏光薄膜之偏光件的厚度為1~10μm之薄型偏光件時，在熱挫曲 性、耐衝撃性等方面特別有效。薄型偏光件由於前述的尺寸變化小，因此對於透明保護薄膜、偏光件之外的光學薄膜等之尺寸變化會相對地變大，相較於厚度在10μm以上之偏光件，在熱挫曲性上會有較差的傾向。又，由於薄型偏光件相較於厚度在10μm以上之偏光件具有高彈性率，因此相較於厚度在10μm以上之偏光件，在衝撃吸收性上有較差的傾向。若依據本發明之積層偏光薄膜，由於具有低彈性接著劑層(a)，因此即便在使用薄型偏光件時，仍可滿足熱挫曲性、耐衝撃性。
1‧‧‧偏光件
2‧‧‧透明保護薄膜
P,P1,P2,P3‧‧‧偏光薄膜
3‧‧‧光學薄膜(相位差薄膜)
a,a1,a2‧‧‧低彈性接著劑層
b,b1,b2‧‧‧接著劑層
圖1A顯示本發明之積層偏光薄膜一實施形態之截面圖。
圖1B顯示本發明之積層偏光薄膜一實施形態之截面圖。
圖2顯示本發明之積層偏光薄膜一實施形態之截面圖。
圖3顯示本發明之積層偏光薄膜一實施形態之截面圖。
圖4顯示本發明之積層偏光薄膜一實施形態之截面圖。
用以實施發明之形態
針對本發明之積層偏光薄膜之實施形態，邊參照圖式說明如下。
圖1至圖4係顯示本發明之積層偏光薄膜一實施形態之截面圖。圖1A所示積層偏光薄膜具有藉由接著劑層(b)在偏光件(1)之兩面上設有透明保護薄膜(2)之偏光薄膜 (P)，且藉由低彈性接著劑層(a)在該偏光薄膜(P)單側之透明保護薄膜(2)上設有光學薄膜(3)。圖1B所示積層偏光薄膜具有僅在偏光件(1)之單面上藉由接著劑層(b)設有透明保護薄膜(2)之偏光薄膜(P)，且在該偏光薄膜(P)中的透明保護薄膜(2)上藉由低彈性接著劑層(a)設有光學薄膜(3)。再者，圖1A雖僅在偏光薄膜(P)單側之透明保護薄膜(2)上藉由低彈性接著劑層(a)設有光學薄膜(3)，但亦可在兩側之透明保護薄膜(2)上藉由低彈性接著劑層(a)設置光學薄膜(3)。圖2至圖4之積層偏光薄膜係顯示以偏光薄膜(P1)至(P3)之態様使用圖1A所記載的偏光薄膜(P)的情形。
前述低彈性接著劑層(a)在25℃下的儲存彈性模數為3.0×105~1.0×108Pa。藉由將前述低彈性接著劑層(a)在25℃下的儲存彈性模數控制在前述範圍中，可得到耐衝撃性及熱挫曲性良好的積層偏光薄膜。當在25℃下的儲存彈性模數低於3.0×105Pa時，由於會無法得到低彈性接著劑層(a)之充分凝聚力而會減少接著性故不適宜。另一方面，當在25℃下的儲存彈性模數高於1.0×108Pa時，以耐衝撃性的觀點來看由於衝撃吸收性差故不適宜。在25℃下的儲存彈性模數以在1.0×106~1.0×107Pa為佳。
又，前述低彈性接著劑層(a)在85℃下的儲存彈性模數以在3.0×105~1.0×108Pa為佳。藉由將前述低彈性接著劑層(a)在85℃下的儲存彈性模數控制在前述範圍中，由於可滿足加熱耐久性故較適宜。特別是，藉由使在85℃下的儲存彈性模數高於3.0×105Pa，由於可抑制起因於偏光薄 膜、光學薄膜等之殘存水分氣體化形成的蒸氣壓所造成之發泡、剝離之產生因此較適宜。又，藉由使在85℃下的儲存彈性模數低於1.0×108Pa，由於可抑制接著劑層順應偏光薄膜、光學薄膜等之尺寸變化而產生的剝離因此較佳。在85℃下的儲存彈性模數係以1.0×106~1.0×107Pa為佳。
前述低彈性接著劑層(a)之厚度為0.1~5μm。前述低彈性接著劑層(a)可形成薄層，且即便為薄層仍可滿足前述儲存彈性模數，而得到熱挫曲性良好的積層偏光薄膜。當厚度小於0.1μm時，會無法充分得到低彈性接著劑層(a)之凝聚力而使接著力減少故不適當。另一方面，當厚度大於5μm時，由於熱挫曲性會惡化故不適當。從薄層之觀點來看，前述低彈性接著劑層(a)之厚度以0.4~3μm為佳，又以0.7~2μm更佳。
另一方面，於偏光薄膜(P)或(P')中，積層偏光件(1)與透明保護薄膜(2)之接著劑層(b)的厚度，從接著性的觀點來看通常為0.1~25μm。
圖2之積層偏光薄膜中的偏光薄膜(P1)係偏光件(1)兩面之接著劑層(b)任一者皆使用接著劑層(b1)的情形。接著劑層(b1)可使用在85℃下的儲存彈性模數為1.0×106~1.0×1010Pa，且厚度滿足0.03~3μm者。將接著劑層(b1)之儲存彈性模數、厚度控制在前述範圍內，從可抑制熱衝擊循環試驗時的偏光件裂痕來觀點來看較佳。前述接著劑層(b1)之在85℃下的儲存彈性模數以在1.0×107~5.0×109Pa為佳，又以在1.0×108~1.0×109Pa更佳。 又，從薄層的觀點來看，前述接著劑層(b1)之厚度係以0.04~2μm為佳，又以0.05~1.5μm更佳。
又，前述接著劑層(b1)在25℃下的儲存彈性模數為5.0×107~1.0×1010Pa，且以1.0×108~7.0×109Pa為佳，又以5.0×108~5.0×109Pa更佳。
圖3、圖4之積層偏光薄膜中的偏光薄膜(P2)、(P3)係使用接著劑層(b1)作為偏光件(1)單面之接著劑層(b)，且使用接著劑層(b2)作為另一單面之前述接著劑層(b)的情形。於圖3中，係使用接著劑層(b1)作為用於積層將要積層前述低彈性接著劑層(a)側之透明保護薄膜(2)的接著劑層(b)，而在圖4中則是使用接著劑層(b2)來作為用於積層將要積層前述低彈性接著劑層(a)積層側之透明保護薄膜(2)的接著劑層(b)。
關於圖3、圖4之接著劑層(b1)，亦可與圖2之接著劑層(b1)相同地使用在85℃下的儲存彈性模數為1.0×106~1.0×1010Pa，且厚度滿足0.03~3μm者。又，前述接著劑層(b1)在25℃下的儲存彈性模數以5.0×107~1.0×1010Pa為佳。前述接著劑層(b1)之儲存彈性模數、厚度的較佳範圍係與圖2之記載說明相同。
圖3、圖4之接著劑層(b2)可使用在85℃下的儲存彈性模數1.0×104~1.0×108Pa，且厚度滿足0.1~25μm者。前述接著劑層(b2)之在85℃下的儲存彈性模數係以5.0×104~5.0×107Pa為佳，又以3.0×105~1.0×107Pa更佳。前述接著劑層(b2)之厚度係以0.5~15μm為佳，又以0.8~5μm更 佳。
又，前述接著劑層(b2)之在25℃下的儲存彈性模數係1.0×104~1.0×108Pa，且以5.0×104~7.0×107Pa為佳，又以1.0×105~1.0×107Pa更佳。
從可抑制熱衝擊循環試驗時偏光件裂痕的觀點、更為滿足耐衝撃性的觀點來看，將前述接著劑層(b1)、(b2)之儲存彈性模數、厚度控制在前述範圍內為佳。
再者，於圖1B之積層偏光薄膜中的偏光薄膜(P)中，藉由接著劑層(b)而僅於偏光件(1)之單面設有透明保護薄膜(2)。從在將該偏光薄膜(P)供以加熱試驗、凍結循環試驗時抑制偏光件(1)之伸縮，且抑制裂點(knick)等之產生的觀點來看，圖1B之偏光薄膜(P)中的接著劑層(b)係以使用具有高彈性率之前述接著劑層(b1)為佳。
<低彈性接著劑層(a)>
低彈性接著劑層(a)係藉由因低彈性接著劑之硬化造成的固體化而形成的硬化物層。低彈性接著劑係可使用可形成在25℃下的儲存彈性模數為3.0×105~1.0×108Pa之硬化物層之液狀組成物。前述低彈性接著劑係使用於使兩個被接著物之面與面黏合而一體化。在進行兩個被接著物之黏合時，係在兩個被接著物的一者或兩者上塗布前述組成物後進行黏合，其後，藉由施加能量來使前述組成物硬化，而形成經固體化之低彈性接著劑層(a)。
如前所述，低彈性接著劑層(a)在25℃下的儲存彈性模數為3.0×105~1.0×108Pa，該低彈性接著劑層(a)之形 成係使用可滿足前述儲存彈性模數之接著劑。只要前述低彈性接著劑層(a)為光學透明，即可無限制地使用水系、溶劑系、熱熔系、活性能量線硬化型之各種形態者。
舉例而言，前述低彈性接著劑層(a)較佳係以對活性能量線硬化型接著劑照射活性能量線而得之硬化物層的方式形成。前述活性能量線硬化型接著劑可使用電子束硬化型、紫外線硬化型接著劑。紫外線硬化型接著劑可大致區分成自由基聚合硬化型接著劑及陽離子聚合型接著劑。
自由基聚合硬化型接著劑之硬化性成分可列舉具有(甲基)丙烯醯基之化合物、具有乙烯基之自由基聚合性化合物。該等硬化性成分可使用單官能或二官能以上之多官能之任一者。又，該等硬化性成分可單獨使用1種，或使組合2種以上使用。舉例而言，該等硬化性成分係以具有(甲基)丙烯醯基之化合物較適宜。
陽離子聚合硬化型接著劑之硬化性成分可列舉具有環氧基、氧呾基或乙烯基之化合物。具有環氧基之化合物只要是在分子內具有至少1個環氧基者就無特別限定，而可使用一般已知的各種硬化性環氧化合物。較佳的環氧化合物可舉例如：分子內具有至少2個環氧基及至少1個芳香環之化合物(以下稱作「芳香族系環氧化合物」)、分子內具有至少2個環氧基且其中至少1個係形成於構成脂環的相鄰2個碳原子間的化合物等。
前述活性能量線硬化型接著劑係使用實質上不 含有機溶劑，且黏度1~100cp/25℃之液狀物。藉由使用如此的液狀物，可形成厚度為0.1~5μm之薄層的低彈性接著劑層(a)。於低彈性接著劑層(a)之形成使用前述液狀物之接著劑此點，係與使用於黏著劑層形成之黏著劑布呈現液狀物的點不同，從此觀點來看，亦可明顯得知接著劑層與黏著劑層之差異。前述黏度係以5~100cp/25℃為佳，又以10~70cp/25℃更佳。前述「實質上不含有機溶劑」係指，活性能量線硬化型接著劑相對於活性能量線硬化型接著劑之總量，以10重量%以下之範圍含有有機溶劑之意。再者，有機溶劑之含量係以5重量%以下為佳，又以3重量%以下更佳。於此，有機溶劑係指著火點40℃以下之液體。活性能量線硬化型接著劑亦可不含有有機溶劑。
前述活性能量線硬化型接著劑係以使用含有自由基聚合性化合物來作為硬化性成分者為佳。前述自由基聚合性化合物可使用單官能自由基聚合性化合物及多官能自由基聚合性化合物(A)之任一者。該活性能量線硬化型接著劑，在令自由基聚合性化合物之總量為100重量%時，較佳係以大於5重量%且在50重量%以下之比例含有多官能自由基聚合性化合物(A)為佳。在低彈性接著劑層(a)滿足前述儲存彈性模數之範圍內，該活性能量線硬化型接著劑可含有其他自由基聚合性化合物。
<多官能自由基聚合性化合物(A)>
多官能自由基聚合性化合物(A)係具有至少2個自由基聚合性官能基之化合物，且該自由基聚合性官能基具有(甲 基)丙烯醯基或乙烯基等不飽和雙鍵。多官能自由基聚合性化合物(A)可舉例如：四乙二醇二丙烯酸酯(均聚物之Tg：50℃，以下僅載述成Tg)、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯(n=3，Tg69℃)、(n=7，Tg：-8℃)、(n=12，Tg：-32℃)等之聚烷二醇系二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯(Tg：117℃)、3-甲基-1,5-戊烷二醇二丙烯酸酯(Tg：105℃)、1,6-己烷二醇二丙烯酸酯(Tg：63℃)、1,9-壬烷二醇二丙烯酸酯(Tg：68℃)、2-甲基-1,8-辛烷二醇二丙烯酸酯及1,9-壬烷二醇二丙烯酸酯混合物(Tg：88℃)、二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯(Tg：75℃)、雙酚A之EO加成物二丙烯酸酯(Tg：75℃)、雙酚F EO改質(n=2)二丙烯酸酯(Tg：75℃)、雙酚A EO改質(n=2)二丙烯酸酯(Tg：75℃)、三聚異氰酸EO改質二丙烯酸酯(Tg：166℃)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(Tg：250℃以上)、三羥甲基丙烷PO改質三丙烯酸酯(n=1，Tg：120℃)、(n=2，Tg：50℃)、三羥甲基丙烷EO改質三丙烯酸酯(n=1，Tg未測量)、(n=2，Tg：53℃)、三聚異氰酸EO改質二及三丙烯酸酯(二：30-40%，Tg：250℃以上)、(二：3-13%，Tg：250℃以上)、新戊四醇三及四丙烯酸酯(三：65-70%，Tg：250℃以上)、(三：55-63%，Tg：250℃以上)、(三：40-60%，Tg：250℃以上)、(三：25-40%，Tg：250℃以上)、(三：小於10%，Tg：250℃以上)、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯(Tg：250℃以上)、二新戊四醇五及六丙烯酸酯(五：50-60%，Tg：250℃以上)、(五：40-50%，Tg：250℃以上)、(五：30-40%，Tg：250℃以上)、(五： 25-35%，Tg：250℃以上)、(五：10-20%，Tg：250℃以上)，及對應其等之(甲基)丙烯酸酯。可列舉其他各種聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚環氧(甲基)丙烯酸酯等之寡聚物(甲基)丙烯酸酯等。再者，多官能自由基聚合性化合物(A)亦可適宜地使用市售品，可舉例如：Light Acrylate 4EG-A、Light Acrylate 9EG-A、Light Acrylate NP-A、Light Acrylate MPD-A、Light Acrylate 1.6HX-A、Light Acrylate 1.9ND-A、Light Acrylate MOD-A、Light Acrylate DCP-A、Light Acrylate BP-4EAL以上(共榮社化學公司製)、Aronix M-208、M-211B、M-215、M-220、M-225、M-270、M-240、M-309、M-310、M-321、M-350、M-360、M-313、M-315、M-306、M-305、M-303、M-452、M-450、M-408、M-403、M-400、M-402、M-404、M-406、M-405、M-1100、M-1200、M-6100、M-6200、M-6250、M-6500、M-7100、M-7300、M-8030、M-8060、M-8100、M-8530、M-8560、M-9050(東亞合成公司製)、SR-531(SARTOMER公司製)、CD-536(SARTOMER公司製)等。多官能自由基聚合性化合物(A)係以均聚物之Tg滿足-40~100℃者為佳。
多官能自由基聚合性化合物(A)係以交聯點間距離長者更佳。藉由使交聯點間距離較長，可使低彈性接著劑層(a)之主體變形量變大，而可得到耐衝撃性特別優異的積層偏光薄膜。交聯點間距離長得多官能自由基聚合性化合物(A)係以具有2個(甲基)丙烯醯基之2官能(甲基)丙烯酸酯為佳。2官能(甲基)丙烯酸酯之重量平均分子量係以 200~4000為佳，且以400~2000更佳，又以500~1000最佳。當重量平均分子量過大時，活性能量線硬化型接著劑之黏度會變高，而會有塗布厚度變得不均勻而產生外觀缺陷，或是在黏合步驟有氣泡進入而產生外觀缺陷等傾向。從前述觀點來看，2官能(甲基)丙烯酸酯係以線性結構為佳。再者，相較於2官能(甲基)丙烯酸酯，具有3個以上(甲基)丙烯醯基之3官能(甲基)丙烯酸酯之交聯點間距離會變短。從本發明效果(耐衝撃性)觀點來看，係以2官能(甲基)丙烯酸酯為佳。
前述重量平均分子量為200~4000的2官能(甲基)丙烯酸酯，可舉例如：聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等之聚烷二醇系二(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚環氧(甲基)丙烯酸酯等之寡聚物(甲基)丙烯酸酯等。
在令活性能量線硬化型接著劑中之自由基聚合性化合物總量為100重量%時，多官能自由基聚合性化合物(A)之比例係以1~65重量%為佳。在將前述比例設為1重量%以上時，由於可滿足低彈性接著劑層(a)之耐衝撃性、熱挫曲性、偏光件裂痕故較佳。
前述多官能自由基聚合性化合物(A)可使用前述重量平均分子量為200~4000之2官能(甲基)丙烯酸酯來作為其全部或一部分。在令活性能量線硬化型接著劑中的自由基聚合性化合物總量為100重量%時，前述重量平均分子量為200~4000之2官能(甲基)丙烯酸酯之比例係以1~65重量% 為佳，且以2~50重量%更佳，又以3~20重量%最佳。當前述比例較高時，會有低彈性接著劑層(a)之主體變形量變小，剝離力變小，且耐衝撃性減少等傾向。
<具有碳數2~18之烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯(B)>
在前述低彈性接著劑層(a)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑，可含有具有碳數2~18之烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯(B)來作為自由基聚合性化合物之單官能自由基聚合性化合物。烷基(甲基)丙烯酸酯(B)可例示直鏈狀或分支鏈狀的烷基中碳數1~18者。舉例而言，前述烷基可例示如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、戊基、己基、環己基、庚基、2-乙基己基、異辛基、壬基、癸基、異癸基、十二基、異十四基、月桂基、十三基、十五基、十六基、十七基、硬脂基、異硬脂基等。其等係可單獨或者組合使用。烷基(甲基)丙烯酸酯(B)係以烷基碳數為3~18者為佳。從對於掉落試驗中的剝離之耐久性、耐水性的觀點來看，烷基(甲基)丙烯酸酯(B)係以均聚物之Tg滿足-80~60℃者為佳。舉例而言，可適宜地使用丙烯酸甲酯(Tg：8℃)、丙烯酸乙酯(Tg：-20℃)、丙烯酸正丙酯(Tg：8℃)、丙烯酸正丁酯(Tg：-45℃)、丙烯酸異丁酯(Tg：-26℃)、丙烯酸第三丁酯(Tg：14℃)、丙烯酸異戊酯(Tg：-45℃)、丙烯酸環己酯(Tg：8℃)、丙烯酸2-乙基己酯(Tg：-55℃)、丙烯酸正辛酯(Tg：-65℃)、丙烯酸異辛酯(Tg：-58℃)、丙烯酸異壬酯(Tg：-58℃)、丙烯酸月桂酯(Tg：15℃)、丙烯 酸硬脂酯(Tg：30℃)、丙烯酸異硬脂酯(Tg：-18℃)等烷基丙烯酸酯。
以滿足耐衝撃性、熱挫曲性之觀點來看，烷基(甲基)丙烯酸酯(B)之比例，在令活性能量線硬化型接著劑中的自由基聚合性化合物總量為100重量%時，較佳係以60重量%以下之比例來使用。前述比例係以10~50重量%為佳，又以20~40重量%更佳。
<具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)>
在前述低彈性接著劑層(a)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑，可含有具有羥基之(甲基)丙烯酸酯(C)來作為自由基聚合性化合物之單官能自由基聚合性化合物。具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)可使用具有(甲基)丙烯醯基及羥基者。具有羥基之(甲基)丙烯酸酯(C)的具體例可舉例如：2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、6-羥基己基(甲基)丙烯酸酯、8-羥基辛基(甲基)丙烯酸酯、10-羥基癸基(甲基)丙烯酸酯、12-羥基月桂基(甲基)丙烯酸酯等烷基之碳數2~12的羥基烷基(甲基)丙烯酸酯或是(4-羥基甲基環己基)-甲基丙烯酸酯等。從對於掉落試驗中的剝離之耐久性的觀點來看，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)係以均聚物之Tg滿足-80~40℃者為佳。舉例而言，較佳係使用丙烯酸羥基乙基(Tg：-15℃)、丙烯酸羥基丙基(Tg：-7℃)、丙烯酸羥基丁基(Tg：-32℃)等。
前述具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)可使用羥基 與(甲基)丙烯醯基之間的鏈長較長者。藉由使得羥基與(甲基)丙烯醯基之間的鏈長較長，從羥基會變得更容易地配向於被接著薄膜上，且會使得源自於羥基極性之接著性賦予可更有效地進行等觀點來看而較佳。具有羥基且羥基與(甲基)丙烯醯基之間的鏈長較長之具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)，係以重量平均分子量為160~3000之含羥基的單官能(甲基)丙烯酸酯為佳。前述含羥基的單官能(甲基)丙烯酸酯之重量平均分子量係以200~2000更佳，且以300~1000最佳。關於重量平均分子量為160~3000之含羥基的單官能(甲基)丙烯酸酯，係以羥基與(甲基)丙烯醯基之間的鏈長較長為佳，且以羥基與(甲基)丙烯醯基位於兩末端(特別是於線性結構)為佳。
當前述具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)之重量平均分子量過大時，由於活性能量線硬化型接著劑之黏度會變高，塗布厚度會變得不均勻而產生外觀缺陷，或者會於黏合步驟有氣泡進入而產生外觀缺陷故不佳。又，由於羥基數相對地減少，由於會難以得到源自羥基極性的接著性賦予效果故不佳。重量平均分子量為160~3000之含羥基的單官能(甲基)丙烯酸酯可列舉：前述羥基烷基(甲基)丙烯酸酯中重量平均分子量滿足160~3000者、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇‧聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯等之聚烷二醇單(甲基)丙烯酸酯、前述羥基烷基(甲基)丙烯酸酯或(4-羥基甲基環己基)-甲基丙烯酸酯之己內酯改質物等。己內酯改質物係可適宜地使用羥 基乙基(甲基)丙烯酸酯之己內酯加成物，且己內酯之加成量係以1~5莫耳特佳。
以滿足耐衝撃性、熱挫曲性之觀點來看，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)之比例，在令活性能量線硬化型接著劑中的自由基聚合性化合物總量為100重量%時，較佳係以70重量%以下之比例來使用。當前述比例較高時，由於羥基之親水性的影響會變大，且在加濕環境下的剝離等耐水性會惡化故不佳。在使用羥基烷基(甲基)丙烯酸酯、(4-羥基甲基環己基)-甲基丙烯酸酯等時，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)之前述比例係以10~60重量%為佳，又以20~50重量%更佳。又，在使用重量平均分子量為160~3000之含羥基的單官能(甲基)丙烯酸酯時，且在令活性能量線硬化型接著劑中的自由基聚合性化合物總量為100重量%時，具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)係以1~70重量%為佳，且以30~60重量%更佳。
<重量平均分子量之測量>
前述2官能(甲基)丙烯酸酯、含羥基的單官能(甲基)丙烯酸酯之重量平均分子量可藉由GPC(膠透層析法)來測量。
‧檢測器：示差折射計(RI)
‧標準試料：聚苯乙烯
<其他自由基聚合性化合物>
於前述低彈性接著劑層(a)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑，可含有前述之外的其他自由基聚合性化合物來作為自由基聚合性化合物。從使接著劑層之接著 性、耐久性及耐水性能以更佳的平衡度來提升的觀點來看，其他自由基聚合性化合物係以具有極性基者為佳。其他自由基聚合性化合物之單官能自由基聚合性化合物可舉例如：羥乙基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、丙烯醯基啉、N-甲氧基甲基丙烯醯胺、N-乙氧甲基丙烯醯胺、N-乙烯基己內醯胺等。
從接著劑層之接著性、耐久性及耐水性之觀點來看，其他自由基聚合性化合物之比例，在令活性能量線硬化型接著劑中的自由基聚合性化合物總量為100重量%時，較佳係以30重量%以下之比例來使用。前述比例係以2~25重量%為佳，又以5~20重量%更佳。
<不具有聚合基之矽烷偶合劑(D)>
於前述低彈性接著劑層(a)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑，除了自由基聚合性化合物之外，可含有矽烷偶合劑(D)。矽烷偶合劑(D)係以不具有自由基聚合性官能基之矽烷偶合劑為佳。不具有自由基聚合性官能基之矽烷偶合劑可作用於偏光件表面，而賦予進一步的耐水性。
不具有自由基聚合性官能基之矽烷偶合劑的具體例可列舉具有胺基之矽烷偶合劑。具有胺基的矽烷偶合劑之具體例可列舉：γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧矽烷、γ-胺基丙基三異丙氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二乙氧矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三乙氧矽烷、γ-(2-胺 基乙基)胺基丙基甲基二乙氧矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三異丙氧基矽烷、γ-(2-(2-胺基乙基)胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(6-胺基己基)胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-乙基胺基)-2-甲基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯甲基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙烯基苯甲基-γ-胺基丙基三乙氧矽烷、N-環己基胺基甲基三乙氧矽烷、N-環己基胺基甲基二乙氧甲基矽烷、N-苯基胺基甲基三甲氧矽烷、(2-胺基乙基)胺基甲基三甲氧矽烷、N,N’-雙[3-(三甲氧基矽基)丙基]乙二胺等含胺基的矽烷類；N-(1,3-二甲基亞丁基)-3-(三乙氧矽基)-1-丙烷胺等酮亞胺型矽烷類。
具有胺基的矽烷偶合劑係以下述者為佳：γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三乙氧矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基甲基二乙氧矽烷、N-(1,3-二甲基亞丁基)-3-(三乙氧矽基)-1-丙烷胺。
除了具有胺基的矽烷偶合劑之外的，不具有自由基聚合性官能基之矽烷偶合劑的具體例可列舉：3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧矽基丙基)四硫化物、3-異氰酸酯丙基三乙氧矽烷、咪唑矽烷等。
又，矽烷偶合劑(D)可列舉：乙烯基三氯矽烷、 乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、2-(3,4環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等，來作為活性能量線硬化性之化合物。
矽烷偶合劑(D)可僅使用1種，亦可組合複數種使用。不具有自由基聚合性官能基之矽烷偶合劑(D)的摻合量，相對於活性能量線硬化型接著劑中自由基聚合性化合物總量100重量份，通常在20重量份以下，且以0.01~20重量份之範圍為佳，並以0.05~15重量份更佳，且以0.1~10重量份又更佳。在大於20重量份之摻合量時，接著劑的保存穩定性會有惡化之虞。
<將(甲基)丙烯系單體聚合而成的丙烯酸系寡聚物(E)>
於前述低彈性接著劑層(a)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑，除了自由基聚合性化合物之外，可含有將(甲基)丙烯系單體聚合而成的丙烯酸系寡聚物(E)。藉由在活性能量線硬化型接著劑中含有丙烯酸系寡聚物(E)，可在對該組成物照射活性能量線並使其硬化時的硬化收縮減低，而減低接著劑與，偏光薄膜(P)及光學薄膜(3)等之被接著物之界面應力。其結果可抑制接著劑層與被接著物之接 著性的減少。
由於在考慮到塗布時的作業性、均勻性時，活性能量線硬化型接著劑以低黏度佳，因此將(甲基)丙烯系單體聚合而成的丙烯酸系寡聚物(E)亦以低黏度為佳。低黏度且可防止接著劑層之硬化收縮的丙烯酸系寡聚物係以重量平均分子量(Mw)在15000以下者為佳，且以10000以下者更佳，又以5000以下者特佳。另一方面，為了充分抑制硬化物層(接著劑層)之硬化收縮，丙烯酸系寡聚物(E)之重量平均分子量(Mw)以在500以上為佳，且以1000以上更佳，又以1500以上特佳。構成丙烯酸系寡聚物(E)之(甲基)丙烯系單體，具體可舉例如：甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、正丙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯、2-甲基-2-硝基丙基(甲基)丙烯酸酯、正丁基(甲基)丙烯酸酯、異丁基(甲基)丙烯酸酯、第二丁基(甲基)丙烯酸酯、第三丁基(甲基)丙烯酸酯、正戊基(甲基)丙烯酸酯、第三戊基(甲基)丙烯酸酯、3-戊基(甲基)丙烯酸酯、2,2-二甲基丁基(甲基)丙烯酸酯、正己基(甲基)丙烯酸酯、鯨蠟基(甲基)丙烯酸酯、正辛基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、4-甲基-2-丙基戊基(甲基)丙烯酸酯、N-十八基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸(碳數1-20)烷酯類，另例如：環烷基(甲基)丙烯酸酯(例如環己基(甲基)丙烯酸酯、環戊基(甲基)丙烯酸酯等)、芳烷基(甲基)丙烯酸酯(例如苯甲基(甲基)丙烯酸酯等)、多環(甲基)丙烯酸酯(例如2-異基(甲基)丙烯酸酯、2-降基甲基(甲基)丙烯酸酯、5-降冰片烯-2-基-甲基(甲 基)丙烯酸酯、3-甲基-2-降基甲基(甲基)丙烯酸酯等)、含羥基的(甲基)丙烯酸酯類(例如羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2,3-二羥基丙基甲基-丁基(甲基)甲基丙烯酸酯等)、含烷氧基或苯氧基的(甲基)丙烯酸酯類(2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧乙基(甲基)丙烯酸酯、2-甲氧基甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、3-甲氧基丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯等)、含環氧基的(甲基)丙烯酸酯類(例如去水甘油基(甲基)丙烯酸酯等)、含鹵素(甲基)丙烯酸酯類(例如2,2,2-三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2,2,2-三氟乙基乙基(甲基)丙烯酸酯、四氟丙基(甲基)丙烯酸酯、六氟丙基(甲基)丙烯酸酯、八氟戊基(甲基)丙烯酸酯、十七氟癸基(甲基)丙烯酸酯等)、烷基胺基烷基(甲基)丙烯酸酯(例如二甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯等)等。該等(甲基)丙烯酸酯可單獨使用或併用2種類以上。丙烯酸系寡聚物(E)之具體例可列舉東亞合成公司製「ARUFON」、綜研化學公司製「Act Flow」、BASF日本公司製「JONCRYL」等。
相對於活性能量線硬化型接著劑中自由基聚合性化合物之總量100重量份，丙烯酸系寡聚物(E)之摻合量通常在30重量份以下為佳。若組成物中的丙烯酸系寡聚物(E)之含量過多，則在對該組成物照射活性能量線時的反應速度會劇烈減少，而會有變得硬化不良的情形。另一方面，為了充分抑制硬化物層(接著劑層a)之硬化收縮，組成物中係以含有丙烯酸系寡聚物(E)3重量份以上為佳，且以含有5 重量份以上更佳。
<具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)及具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)>
於前述低彈性接著劑層(a)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑，除了自由基聚合性化合物之外，可進一步含有具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)及具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)。若藉由如此的構成，特別是即便在從高濕度環境或水中取出瞬後(非乾燥狀態)，仍可顯著提升低彈性接著劑層(a)之接著性。雖未明瞭其理由，但認為是以下原因。換言之，具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)，會一邊與構成低彈性接著劑層(a)之其他自由基聚合性化合物一起聚合，一邊組入低彈性接著劑層(a)中基底聚合物之主鏈及/或側鏈，而形成低彈性接著劑層(a)。於如此的聚合過程中，若存在有具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)，則會一邊形成構成低彈性接著劑層(a)之基底聚合物，且一邊從具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)奪氫，而在亞甲基產生自由基。於是，產生有自由基的亞甲基與PVA等之偏光件之羥基會進行反應，而在低彈性接著劑層(a)與偏光件(1)之間形成共價鍵。其結果，推測其為特別是即便是非乾燥狀態下，仍可顯著提升偏光薄膜具有的接著劑層之接著性者。
具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)係在末端或分子中具有(甲基)丙烯基等之活性雙鍵基，且具有活性亞甲基的化合物。活性亞甲基可舉例如：乙醯乙醯基、 烷氧基丙二醯基、或氰基乙醯基等。具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)之具體例可舉例如：2-乙醯乙醯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙醯乙醯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙醯乙醯氧基-1-甲基乙基(甲基)丙烯酸酯等之乙醯乙醯氧基烷基(甲基)丙烯酸酯；2-乙氧丙二醯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-氰基乙醯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、N-(2-氰基乙醯氧基乙基)丙烯醯胺、N-(2-丙醯氧基乙醯氧基丁基)丙烯醯胺、N-(4-乙醯乙醯氧基甲基苯甲基)丙烯醯胺、N-(2-乙醯乙醯基胺基乙基)丙烯醯胺等。
具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)可舉例如：9-氧硫系自由基聚合起始劑、二苯甲酮系自由基聚合起始劑等。9-氧硫系自由基聚合起始劑可舉例如下述通式(1)所表示的化合物：
(式中，R1及R2表示-H、-CH2bH3、-iPr或Cl，R1及R2可相同或不同)。
通式(1)所表示的化合物之具體例可舉例如：9- 氧硫、二甲基9-氧硫、二乙基9-氧硫、異丙基9-氧硫、氯9-氧硫等。在通式(1)所表示的化合物之中，又以R1及R2為-CH2bH3之二乙基9-氧硫特佳。
又，於前述活性能量線硬化型接著劑在通式(1)之光聚合起始劑之外，較佳係進一步包含下述通式(2)所表示的化合物來作為光聚合起始劑；
(式中，R3、R4及R5表示-H、-CH3bH2bH3、-iPr或Cl，R3、R4及R5可相同或不同)。藉由併用前述通式(1)及通式(2)之光聚合起始劑，可因其等之光增感反應而使反應高效率化，而特別提升接著劑層之接著性。
如上所述，於本發明中，在具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)的存在下，使在具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)之亞甲基上產生自由基，並使如此的亞甲基與羥基反應而形成共價鍵。因此，為了要在具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)之亞甲基上產生自由基而充分形成如此的共價鍵，在令活性能量線硬化型接著劑中自由基聚合性化合物之總量為100重量份時，具有活性亞甲基 的自由基聚合性化合物(F)係以含有1~30重量份為佳，又以含有3~30重量份更佳。若具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)小於1重量份，則其在非乾燥狀態下的接著性提升效果會較低，而會有無法充分提升耐水性的情形；或大於50重量份，則會有發生接著劑層硬化不良的情形。又，相對於前述活性能量線硬化型接著劑中自由基聚合性化合物之總量100重量份，具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)係以含有0.1~10重量份為佳，又以含有0.3~9重量份更佳。若具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)小於0.1重量份，會有無法充分進行奪氫反應的情形；或大於10重量份，則會有無法完全溶解於組成物中的情形。
<光酸產生劑(H)>
於前述低彈性接著劑層(a)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑，除了自由基聚合性化合物之外，可進一步含有光酸產生劑(H)。在活性能量線硬化型樹脂組成物中含有光酸產生劑的情況，相較於不含光酸產生劑的情況，接著劑層之耐水性及耐久性可飛躍性地提升。光酸產生劑(H)可以下述通式(3)表示。
通式(3)
【化3】L+ X-
(但，L+表示任意的鎓陽離子。又，X-表示選自於由PF6 -、SbF6 -、AsF6 -、SbCl6 -、BiCl5 -、SnCl6 -、ClO4 -、二硫基胺甲酸鹽陰離子、SCN-所構成之群組的相對陰離子。)
構成通式(3)之鎓陽離子L+較佳的鎓陽離子結構，可列舉選自於下述通式(4)~通式(12)之鎓陽離子。
通式(4)
通式(5)
通式(6)
【化6】
通式(7)
通式(8)
通式(9)
【化9】
通式(10)
通式(11)
通式(12)
【化12】 (唯，前述通式(4)-(12)中，R1、R2及R3分別獨立表示選自於以下之基團：氫原子、經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之雜環基、經取代或未經取代之烷氧基、經取代或未經取代之芳氧基、經取代或未經取代之雜環氧基、經取代或未經取代之醯基、經取代或未經取代之羰基氧基、經取代或未經取代之氧基羰基或鹵素原子。R4表示與記載於R1、R2及R3之基團相同之基團。R5表示經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烷硫基。R6及R7分別獨立表示：經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烷氧基。R表示以下任一者：鹵素原子、羥基、羧基、巰基、氰基、硝基、經取代或未經取代之胺甲醯基、經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之雜環基、經取代或未經取代之烷氧基、經取代或未經取代之芳氧基、經取代或未經取代之雜環氧基、經取代或未經取代之烷硫基、經取代或未經取代之芳硫基、經取代或未經取代之雜環硫基、經取代或未經取代之醯基、經取代或未經取代之羰基氧基、經取代或未經取代之氧基羰基。Ar4、Ar5表示以下任一者：經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之雜環基。X表示氧或硫黃原子。i表示0~5之整數。j表示0~4之整數。k 表示0~3之整數。又，相鄰的各R之間，Ar4與Ar5、R2與R3、R2與R4、R3與R4、R1與R2、R1與R3、R1與R4、R1與R，或R1與R5亦可為互相結合而成的環狀結構。)
相當於通式(4)之鎓陽離子(鋶陽離子)：雖可列舉下述者，但當不限於其等：二甲基苯基鋶、二甲基(鄰氟苯基)鋶、二甲基(間氯苯基)鋶、二甲基(對溴苯基)鋶、二甲基(對氰基苯基)鋶、二甲基(間硝基苯基)鋶、二甲基(2,4,6-三溴苯基)鋶、二甲基(五氟苯基)鋶、二甲基(對(三氟甲基)苯基)鋶、二甲基(對羥基苯基)鋶、二甲基(對巰基苯基)鋶、二甲基(對甲基亞碸基苯基)鋶、二甲基(對甲基磺醯基苯基)鋶、二甲基(鄰乙醯基苯基)鋶、二甲基(鄰苯甲醯基苯基)鋶、二甲基(對甲基苯基)鋶、二甲基(對異丙基苯基)鋶、二甲基(對十八基苯基)鋶、二甲基(對環己基苯基)鋶、二甲基(對甲氧基苯基)鋶、二甲基(鄰甲氧基羰基苯基)鋶、二甲基(對苯基硫烷基苯基)鋶、(7-甲氧基-2-側氧基-2H-苯并哌喃-4-基)二甲基鋶、(4-甲氧基萘-1-基)二甲基鋶、二甲基(對異丙氧基羰基苯基)鋶、二甲基(2-萘基)鋶、二甲基(9-蒽基)鋶、二乙基苯基鋶、甲基乙基苯基鋶、甲基二苯基鋶、三苯基鋶、二異丙基苯基鋶、二苯基(4-苯基硫烷基-苯基)-鋶、4,4’-雙(二苯基鋶)二苯硫醚、4,4’-雙[二[(4-(2-羥基-乙氧基)-苯基)]鋶]]二苯硫醚、4,4’-雙(二苯基鋶)伸聯苯基、二苯基(鄰氟苯基)鋶、二苯基(間氯苯基)鋶、二苯基(對溴苯基)鋶、二苯基(對氰基苯基)鋶、二苯基(間硝基苯基)鋶、二苯基(2,4,6-三溴苯基)鋶、二苯基(五氟苯基)鋶、二 苯基(對(三氟甲基)苯基)鋶、二苯基(對羥基苯基)鋶、二苯基(對巰基苯基)鋶、二苯基(對甲基亞碸基苯基)鋶、二苯基(對甲基磺醯基苯基)鋶、二苯基(鄰乙醯基苯基)鋶、二苯基(鄰苯甲醯基苯基)鋶、二苯基(對甲基苯基)鋶、二苯基(對異丙基苯基)鋶、二苯基(對十八基苯基)鋶、二苯基(對環己基苯基)鋶、二苯基(對甲氧基苯基)鋶、二苯基(鄰甲氧基羰基苯基)鋶、二苯基(對苯基硫烷基苯基)鋶、(7-甲氧基-2-側氧基-2H-苯并哌喃-4-基)二苯基鋶、(4-甲氧基萘-1-基)二苯基鋶、二苯基(對異丙氧基羰基苯基)鋶、二苯基(2-萘基)鋶、二苯基(9-蒽基)鋶、乙基二苯基鋶、甲基乙基(鄰甲苯基)鋶、甲基二(對甲苯基)鋶、三(對甲苯基)鋶、二異丙基(4-苯基硫烷基苯基)鋶、二苯基(2-噻吩基)鋶、二苯基(2-呋喃基)鋶、二苯基(9-乙基-9H咔唑-3-基)鋶等。
相當於通式(5)之鎓陽離子(亞碸鎓陽離子)：雖可列舉下述者，但當不限於其等：二甲基苯基亞碸鎓、二甲基(鄰氟苯基)亞碸鎓、二甲基(間氯苯基)亞碸鎓、二甲基(對溴苯基)亞碸鎓、二甲基(對氰基苯基)亞碸鎓、二甲基(間硝基苯基)亞碸鎓、二甲基(2,4,6-三溴苯基)亞碸鎓、二甲基(五氟苯基)亞碸鎓、二甲基(對(三氟甲基)苯基)亞碸鎓、二甲基(對羥基苯基)亞碸鎓、二甲基(對巰基苯基)亞碸鎓、二甲基(對甲基亞碸基苯基)亞碸鎓、二甲基(對甲基磺醯基苯基)亞碸鎓、二甲基(鄰乙醯基苯基)亞碸鎓、二甲基(鄰苯甲醯基苯基)亞碸鎓、二甲基(對甲基苯基)亞碸鎓、二甲基(對異丙基苯基)亞碸鎓、二甲基(對十八基苯基) 亞碸鎓、二甲基(對環己基苯基)亞碸鎓、二甲基(對甲氧基苯基)亞碸鎓、二甲基(鄰甲氧基羰基苯基)亞碸鎓、二甲基(對苯基硫烷基苯基)亞碸鎓、(7-甲氧基-2-側氧基-2H-苯并哌喃-4-基)二甲基亞碸鎓、(4-甲氧基萘-1-基)二甲基亞碸鎓、二甲基(對異丙氧基羰基苯基)亞碸鎓、二甲基(2-萘基)亞碸鎓、二甲基(9-蒽基)亞碸鎓、二乙基苯基亞碸鎓、甲基乙基苯基亞碸鎓、甲基二苯基亞碸鎓、三苯基亞碸鎓、二異丙基苯基亞碸鎓、二苯基(4-苯基硫烷基-苯基)-亞碸鎓、4,4’-雙(二苯基亞碸鎓)二苯硫醚、4,4’-雙[二[(4-(2-羥基-乙氧基)-苯基)]亞碸鎓]二苯硫醚、4,4’-雙(二苯基亞碸鎓)伸聯苯基、二苯基(鄰氟苯基)亞碸鎓、二苯基(間氯苯基)亞碸鎓、二苯基(對溴苯基)亞碸鎓、二苯基(對氰基苯基)亞碸鎓、二苯基(間硝基苯基)亞碸鎓、二苯基(2,4,6-三溴苯基)亞碸鎓、二苯基(五氟苯基)亞碸鎓、二苯基(對(三氟甲基)苯基)亞碸鎓、二苯基(對羥基苯基)亞碸鎓、二苯基(對巰基苯基)亞碸鎓、二苯基(對甲基亞碸基苯基)亞碸鎓、二苯基(對甲基磺醯基苯基)亞碸鎓、二苯基(鄰乙醯基苯基)亞碸鎓、二苯基(鄰苯甲醯基苯基)亞碸鎓、二苯基(對甲基苯基)亞碸鎓、二苯基(對異丙基苯基)亞碸鎓、二苯基(對十八基苯基)亞碸鎓、二苯基(對環己基苯基)亞碸鎓、二苯基(對甲氧基苯基)亞碸鎓、二苯基(鄰甲氧基羰基苯基)亞碸鎓、二苯基(對苯基硫烷基苯基)亞碸鎓、(7-甲氧基-2-側氧基-2H-苯并哌喃-4-基)二苯基亞碸鎓、(4-甲氧基萘-1-基)二苯基亞碸鎓、二苯基(對異丙氧基羰基苯基)亞碸鎓、二苯基(2-萘 基)亞碸鎓、二苯基(9-蒽基)亞碸鎓、乙基二苯基亞碸鎓、甲基乙基(鄰甲苯基)亞碸鎓、甲基二(對甲苯基)亞碸鎓、三(對甲苯基)亞碸鎓、二異丙基(4-苯基硫烷基苯基)亞碸鎓、二苯基(2-噻吩基)亞碸鎓、二苯基(2-呋喃基)亞碸鎓、二苯基(9-乙基-9H咔唑-3-基)亞碸鎓等。
相當於通式(6)之鎓陽離子(鏻陽離子)：鏻陽離子之例：雖可列舉下述者，但當不限於其等：三甲基苯基鏻、三乙基苯基鏻、四苯基鏻、三苯基(對氟苯基)鏻、三苯基(鄰氯苯基)鏻、三苯基(間溴苯基)鏻、三苯基(對氰基苯基)鏻、三苯基(間硝基苯基)鏻、三苯基(對苯基硫烷基苯基)鏻、(7-甲氧基-2-側氧基-2H-苯并哌喃-4-基)三苯基鏻、三苯基(鄰羥基苯基)鏻、三苯基(鄰乙醯基苯基)鏻、三苯基(間苯甲醯基苯基)鏻、三苯基(對甲基苯基)鏻、三苯基(對異丙氧基苯基)鏻、三苯基(鄰甲氧基羰基苯基)鏻、三苯基(1-萘基)鏻、三苯基(9-蒽基)鏻、三苯基(2-噻吩基)鏻、三苯基(2-呋喃基)鏻、三苯基(9-乙基-9H咔唑-3-基)鏻等。
相當於通式(7)之鎓陽離子(吡啶鎓陽離子)：吡啶鎓陽離子之例：雖可列舉下述者，但當不限於其等：N-苯基吡啶鎓、N-(鄰氯苯基)吡啶鎓、N-(間氯苯基)吡啶鎓、N-(對氰基苯基)吡啶鎓、N-(鄰硝基苯基)吡啶鎓、N-(對乙醯基苯基)吡啶鎓、N-(對異丙基苯基)吡啶鎓、N-(對十八基氧基苯基)吡啶鎓、N-(對甲氧基羰基苯基)吡啶鎓、N-(9-蒽基)吡啶 鎓、2-氯-1-苯基吡啶鎓、2-氰基-1-苯基吡啶鎓、2-甲基-1-苯基吡啶鎓、2-乙烯基-1-苯基吡啶鎓、2-苯基-1-苯基吡啶鎓、1,2-二苯基吡啶鎓、2-甲氧基-1-苯基吡啶鎓、2-苯氧基-1-苯基吡啶鎓、2-乙醯基-1-(對甲苯基)吡啶鎓、2-甲氧基羰基-1-(對甲苯基)吡啶鎓、3-氟-1-萘基吡啶鎓、4-甲基-1-(2-呋喃基)吡啶鎓、N-甲基吡啶鎓、N-乙基吡啶鎓等。
相當於通式(8)之鎓陽離子(喹啉鎓陽離子)：喹啉鎓陽離子之例：雖可列舉下述者，但當不限於其等：N-甲基喹啉鎓、N-乙基喹啉鎓、N-苯基喹啉鎓、N-萘基喹啉鎓、N-(鄰氯苯基)喹啉鎓、N-(間氯苯基)喹啉鎓、N-(對氰基苯基)喹啉鎓、N-(鄰硝基苯基)喹啉鎓、N-(對乙醯基苯基)喹啉鎓、N-(對異丙基苯基)喹啉鎓、N-(對十八基氧基苯基)喹啉鎓、N-(對甲氧基羰基苯基)喹啉鎓、N-(9-蒽基)喹啉鎓、2-氯-1-苯基喹啉鎓、2-氰基-1-苯基喹啉鎓、2-甲基-1-苯基喹啉鎓、2-乙烯基-1-苯基喹啉鎓、2-苯基-1-苯基喹啉鎓、1,2-二苯基喹啉鎓、2-甲氧基-1-苯基喹啉鎓、2-苯氧基-1-苯基喹啉鎓、2-乙醯基-1-苯基喹啉鎓、2-甲氧基羰基-1-苯基喹啉鎓、3-氟-1-苯基喹啉鎓、4-甲基-1-苯基喹啉鎓、2-甲氧基-1-(對甲苯基)喹啉鎓、2-苯氧基-1-(2-呋喃基)喹啉鎓、2-乙醯基-1-(2-噻吩基)喹啉鎓、2-甲氧基羰基-1-甲基喹啉鎓、3-氟-1-乙基喹啉鎓、4-甲基-1-異丙基喹啉鎓等。
相當於通式(9)之鎓陽離子(異喹啉鎓陽離子)：異喹啉鎓陽離子之例：雖可列舉下述者，但當不限於其等：N-苯基異喹啉鎓、N-甲基異喹啉鎓、N-乙基異喹啉鎓、N-(鄰氯苯基)異喹啉鎓、N-(間氯苯基)異喹啉鎓、N-(對氰基苯基)異喹啉鎓、N-(鄰硝基苯基)異喹啉鎓、N-(對乙醯基苯基)異喹啉鎓、N-(對異丙基苯基)異喹啉鎓、N-(對十八基氧基苯基)異喹啉鎓、N-(對甲氧基羰基苯基)異喹啉鎓、N-(9-蒽基)異喹啉鎓、1,2-二苯基異喹啉鎓、N-(2-呋喃基)異喹啉鎓、N-(2-噻吩基)異喹啉鎓、N-萘基異喹啉鎓等。
相當於通式(10)之鎓陽離子(苯并唑鎓陽離子、苯并噻唑鎓陽離子)：苯并唑鎓陽離子之例：雖可列舉下述者，但當不限於其等：N-甲基苯并唑鎓、N-乙基苯并唑鎓、N-萘基苯并唑鎓、N-苯基苯并唑鎓、N-(對氟苯基)苯并唑鎓、N-(對氯苯基)苯并唑鎓、N-(對氰基苯基)苯并唑鎓、N-(鄰甲氧基羰基苯基)苯并唑鎓、N-(2-呋喃基)苯并唑鎓、N-(鄰氟苯基)苯并唑鎓、N-(對氰基苯基)苯并唑鎓、N-(間硝基苯基)苯并唑鎓、N-(對異丙氧基羰基苯基)苯并唑鎓、N-(2-噻吩基)苯并唑鎓、N-(間羧基苯基)苯并唑鎓、2-巰基-3-苯基苯并唑鎓、2-甲基-3-苯基苯并唑鎓、2-甲基硫基-3-(4-苯基硫烷基苯基)苯并唑鎓、6-羥基-3-(對甲苯基)苯并唑鎓、7-巰基-3-苯基苯并唑鎓、4,5-二氟-3-乙基苯并 唑鎓等。
苯并噻唑鎓陽離子之例：雖可列舉下述者，但當不限於其等：N-甲基苯并噻唑鎓、N-乙基苯并噻唑鎓、N-苯基苯并噻唑鎓、N-(1-萘基)苯并噻唑鎓、N-(對氟苯基)苯并噻唑鎓、N-(對氯苯基)苯并噻唑鎓、N-(對氰基苯基)苯并噻唑鎓、N-(鄰甲氧基羰基苯基)苯并噻唑鎓、N-(對甲苯基)苯并噻唑鎓、N-(鄰氟苯基)苯并噻唑鎓、N-(間硝基苯基)苯并噻唑鎓、N-(對異丙氧基羰基苯基)苯并噻唑鎓、N-(2-呋喃基)苯并噻唑鎓、N-(4-甲基硫基苯基)苯并噻唑鎓、N-(4-苯基硫烷基苯基)苯并噻唑鎓、N-(2-萘基)苯并噻唑鎓、N-(間羧基苯基)苯并噻唑鎓、2-巰基-3-苯基苯并噻唑鎓、2-甲基-3-苯基苯并噻唑鎓、2-甲基硫基-3-苯基苯并噻唑鎓、6-羥基-3-苯基苯并噻唑鎓、7-巰基-3-苯基苯并噻唑鎓、4,5-二氟-3-苯基苯并噻唑鎓等。
相當於通式(11)之鎓陽離子(呋喃基或噻吩基錪陽離子)：雖可列舉下述者，但當不限於其等：二呋喃基錪、二噻吩基錪、雙(4,5-二甲基-2-呋喃基)錪、雙(5-氯-2-噻吩基)錪、雙(5-氰基-2-呋喃基)錪、雙(5-硝基-2-噻吩基)錪、雙(5-乙醯基-2-呋喃基)錪、雙(5-羧基-2-噻吩基)錪、雙(5-甲氧基羰基-2-呋喃基)錪、雙(5-苯基-2-呋喃基)錪、雙(5-(對甲氧基苯基)-2-噻吩基)錪、雙(5-乙烯基-2-呋喃基)錪、雙(5-乙炔基-2-噻吩基)錪、雙(5-環己基-2-呋喃基)錪、雙(5-羥基-2-噻吩基)錪、雙(5-苯氧基-2-呋喃基)錪、雙(5-巰基-2-噻吩基) 錪、雙(5-丁基硫基-2-噻吩基)錪、雙(5-苯基硫基-2-噻吩基)錪等。
相當於通式(12)之鎓陽離子(二芳基錪陽離子)：雖可列舉下述者，但當不限於其等：二苯基錪、雙(對甲苯基)錪、雙(對辛基苯基)錪、雙(對十八基苯基)錪、雙(對辛基氧基苯基)錪、雙(對十八基氧基苯基)錪、苯基(對十八基氧基苯基)錪、4-異丙基-4’-甲基二苯基錪、(4-異丁基苯基)-對甲苯基錪、雙(1-萘基)錪、雙(4-苯基硫烷基苯基)錪、苯基(6-苯甲醯基-9-乙基-9H-咔唑-3-基)錪、(7-甲氧基-2-側氧基-2H-苯并哌喃-3-基)-4’-異丙基苯基錪等。
接下來，針對通式(3)中的相對陰離子X-進行說明。
通式(3)中的相對陰離子X-雖在原理上並未特別限定，但以非親核性陰離子為佳。當相對陰離子X-為非親核性陰離子時，會難以產生在共存於分子內的陽離子或併用的各種材料上的親核反應，結果可使得通式(2)所表示的光酸產生劑本身或使用其而成的組成物之經時穩定性提升。於此所述的非親核性陰離子係指，產生親核反應之能力低的陰離子。如此般的陰離子可列舉：PF6 -、SbF6 -、AsF6 -、SbCl6 -、BiCl5 -、SnCl6 -、ClO4 -、二硫基胺甲酸鹽陰離子、SCN-等。
於前述所例示陰離子之中作為通式(3)中的相對陰離子X-尤其佳者可列舉：PF6 -、SbF6 -及AsF6 -，且特佳可列舉PF6 -、SbF6 -。
因此，構成本發明之光酸產生劑(H)的較佳鎓鹽之具體例，係前述所例示的通式(3)~通式(12)所表示的鎓陽離子之結構的具體例，與選自於PF6 -、SbF6 -、AsF6 -、SbCl6 -、BiCl5 -、SnCl6 -、ClO4 -、二硫基胺甲酸鹽陰離子、SCN-之陰離子所構成之鎓鹽。
具體而言，可列舉以下者來作為本發明之光酸產生劑(H)之較佳具體例：「Cyracure UVI-6992」、「Cyracure UVI-6974」(以上，陶氏化學日本股份有限公司製)、「Adeka Optomer SP150」、「Adeka Optomer SP152」、「Adeka Optomer SP170」、「Adeka Optomer SP172」(以上，股份有限公司ADEKA製)、「IRGACURE 250」(席巴特製品化學公司製)、「CI-5102」、「CI-2855」(以上，日本曹達公司製)、「San-Aid SI-60L」、「San-Aid SI-80L」、「San-Aid SI-100L」、「San-Aid SI-110L」、「San-Aid SI-180L」(以上，三新化學公司製)、「CPI-100P」、「CPI-100A」(以上，San-Apro股份有限公司製)、「WPI-069」、「WPI-113」、「WPI-116」、「WPI-041」、「WPI-044」、「WPI-054」、「WPI-055」、「WPAG-281」、「WPAG-567」、「WPAG-596」(以上，和光純藥公司製)。
相對於活性能量線硬化型接著劑中自由基聚合性化合物之總量100重量份，光酸產生劑(H)之含量係以0.01~10重量份為佳，且以0.05~5重量份更佳，又以0.1~3重量份特佳。
於前述活性能量線硬化型接著劑中，較佳係在活性能量線硬化型接著劑中併用光酸產生劑(H)及包含烷氧 基、環氧基任一者之化合物(I)。
(具有環氧基之化合物及高分子)(I)
在使用分子內具有1個以上環氧基之化合物或分子內具有2個以上環氧基之高分子(環氧樹脂)時，亦可併用分子內具有二個以上與環氧基具反應性之官能基的化合物。於此，與環氧基具反應性之官能基係可舉例如：羧基、酚性羥基、巰基、1級或2級之芳香族胺基等。考慮到三維硬化性，該等官能基係以在一分子中具有2個以上特佳。
分子內具有1個以上環氧基之高分子可舉例如環氧樹脂，係衍生自雙酚A及表氯醇之雙酚A型環氧樹脂、衍生自雙酚F與表氯醇之雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、脂環環氧樹脂、二苯基醚型環氧樹脂、氫醌型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、3官能型環氧樹脂、4官能型環氧樹脂等多官能型環氧樹脂、去水甘油基酯型環氧樹脂、去水甘油基胺型環氧樹脂、乙內醯脲型環氧樹脂、三聚異氰酸酯型環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂等，該等環氧樹脂亦可經鹵化，且亦可經加氫。市售的環氧樹脂製品可舉例如：日本環氧樹脂股份有限公司製的JER Epikote 828、1001、801N、806、807、152、604、630、871、YX8000、YX8034、YX4000、DIC股份有限公司製的Epiclon 830、EXA835LV、HP4032D、HP820、股份有限公司ADEKA製的EP4100系列、EP4000系列、EPU系 列、Daicel化學股份有限公司製的Celloxide系列(2021、2021P、2083、2085、3000等)、Epolead系列、EHPE系列、新日鐵化學公司製的YD系列、YDF系列、YDCN系列、YDB系列、苯氧基樹脂(自雙酚類及表氯醇合成之聚羥基聚醚中於兩末端具有環氧基；YP系列等)、Nagase chemteX公司製的Denacol系列、共榮社化學公司製的Epolight系列等，但當不限定於其等。該等環氧樹脂亦可併用2種以上。再者，在計算接著劑層之玻璃轉移溫度Tg時，令具有環氧基之化合物及高分子(H)不列入計算。
(具有烷氧基之化合物及高分子)(I)
分子內具有烷氧基之化合物，只要是分子內具有1個以上烷氧基者就無特別限制，而可使用眾所皆知者。如此的化合物可列舉：三聚氰胺化合物、胺基樹脂等來作為代表。
相對於活性能量線硬化型接著劑中自由基聚合性化合物之總量100重量份，包含烷氧基、環氧基任一者之化合物(I)的摻合量通常在30重量份以下，若組成物中化合物(I)之含量過多則會有接著性減少，對掉落試驗之耐衝撃性惡化之情形。組成物中化合物(I)之含量係以在20重量份以下更佳。另一方面，從硬化物層(接著劑層2a)之耐水性的觀點來看，組成物中係以含有2重量份以上化合物(I)為佳，且以含有5重量份以上更佳。
在將與本發明之低彈性接著劑層(a)有關的活性能量線硬化型接著劑以電子束硬化型的形式使用時，組成物中雖非特別必要包含光聚合起始劑，但在以紫外線硬化 型的形式使用時，較佳係使用光聚合起始劑，特別是以使用對380nm以上之光具有高感度的光聚合起始劑為佳。關於對380nm以上之光具有高感度的光聚合起始劑係如後述。
於與本發明之低彈性接著劑層(a)有關的活性能量線硬化型接著劑中，作為光聚合起始劑較佳可單獨使用前述通式(1)所表示的化合物；
(式中，R1及R2表示-H、-CH2bH3、-iPr或Cl，R1及R2可相同或不同)，或者可併用通式(1)所表示的化合物及後述的對380nm以上之光具有高感度之光聚合起始劑。在使用通式(1)所表示的化合物時，相較於單獨使用對380nm以上之光具有高感度之光聚合起始劑的情形，接著性較優異。在通式(1)所表示的化合物之中，亦以R1及R2為-CH2bH3之二乙基9-氧硫為特佳。相對於活性能量線硬化型接著劑中自由基聚合性化合物之總量100重量份，組成物中通式(1)所表示的化合物之組成比例係以0.1~5.0重量份為佳，且以0.5~4.0重量份更佳，並以0.9~3.0重量份又更佳。
又，較佳可因應需要添加聚合起始助劑。聚合起 始助劑可列舉：三乙基胺、二乙基胺、N-甲基二乙醇胺、乙醇胺、4-二甲基胺基苯甲酸、4-二甲基胺基苯甲酸甲酯、4-二甲基胺基苯甲酸乙酯、4-二甲基胺基苯甲酸異戊酯等，且以4-二甲基胺基苯甲酸乙基特佳。在使用聚合起始助劑時，相對於活性能量線硬化型接著劑中自由基聚合性化合物之總量100重量份，其添加量通常為0~5重量份，以0~4重量份為佳，且以0~3重量份最佳。
又，可因應需要併用眾所皆知的光聚合起始劑。光聚合起始劑較佳係使用對380nm以上之光具有高感度之光聚合起始劑。具體而言，可列舉2-甲基-1-(4-甲基硫基苯基)-2-啉基丙烷-1-酮、2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-丁酮-1、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-啉基)苯基]-1-丁酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、雙(H5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)鈦等。
特別是，作為光聚合起始劑，除了通式(1)之光聚合起始劑之外，亦可適當地使用下述通式(2)所表示的化合物；
(式中，R3、R4及R5表示-H、-CH3bH2bH3、-iPr或Cl，R3、R4及R5可相同或不同)。通式(2)所表示的化合物可為亦有市售品的2-甲基-1-(4-甲基硫基苯基)-2-啉基丙烷-1-酮(商品名：IRGACURE 907製造商：BASF)。除此之外，2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-丁酮-1(商品名：IRGACURE 369製造商：BASF)、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-啉基)苯基]-1-丁酮(商品名：IRGACURE 379製造商：BASF)由於感度高而較佳。
又，在與本發明之低彈性接著劑層(a)有關的活性能量線硬化型接著劑中，在不損及本發明之目的、效果的範圍內，可摻合作為其他任意成分之各種添加劑。如此的添加劑可列舉：環氧樹脂、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚胺基甲酸酯、聚丁二烯、聚氯丁二烯、聚醚、聚酯、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、石油樹脂、二甲苯樹脂、酮樹脂、纖維素樹脂、氟系寡聚物、矽酮系寡聚物、聚硫化物系寡聚物等之聚合物或是寡聚物；啡噻、2,6-二第三丁基-4-甲基酚等之聚合抑制劑；聚合起始助劑；調平劑；濕潤性改良劑；界面活性劑；塑化劑；紫外線吸收劑；無機填充劑；顏料；染料等。
與本發明有關的活性能量線硬化型接著劑係藉由照射活性能量線來硬化，而形成低彈性接著劑層(a)。
活性能量線可使用包含電子束、波長範圍380nm~450nm之可見光線者。再者，可見光線之長波長界限雖為780nm左右，但大於450nm之可見光線只會無助於聚 合起始劑之吸收，而會成為引起發熱之原因。因此，於本發明中，較佳係使用帶通濾波器而阻斷大於450nm之長波長側可見光線。
電子束之照射條件，只要是可硬化前述活性能量線硬化型接著劑之條件即可採用任意適當的條件。舉例而言，電子束照射之加速電壓較佳為5kV~300kV，且更佳為10kV~250kV。當加速電壓小於5kV時，電子束會無法傳達到接著劑而會有變得硬化不足之虞，若加速電壓大於300kV，則通過試料之浸透力過強，而會對偏光薄膜(P)及光學薄膜(3)造成損傷之虞。照射線量係5~100kGy，且更佳為10~75kGy。當照射線量小於5kGy時，接著劑會變得硬化不足，若大於100kGy，則會對偏光薄膜(P)及光學薄膜(3)造成損傷，減少機械強度並產生黃變，而無法得到預定的光學特性。
電子束照射通常是在惰性氣體中進行照射，但若有必要，亦可在大氣中或導入少許氧之條件下進行。取決於透明保護薄膜之材料，可藉由適當導入氧，而強行在最初電子束碰到之透明保護薄膜面上產生氧阻礙，而可防止對透明保護薄膜之損傷，而可有效率地僅對接著劑照射電子束。
然而，與本發明有關的積層偏光薄膜之製造方法中，為了提高偏光薄膜(P)與光學薄膜(3)間的低彈性接著劑層(a)之接著性能，同時防止偏光薄膜(P)之捲曲，活性能量線係以使用包含波長範圍380nm~450nm之可見光線者為 佳，且以使用波長範圍380nm~450nm之可見光線之照射量最多的活性能量線特佳。在偏光薄膜(P)之透明保護薄膜或光學薄膜(3)使用賦予有紫外線吸收能之薄膜(紫外線非穿透型薄膜)時，藉由前述透明保護薄膜或光學薄膜(3)吸收的比380nm更短波長之光會變換成熱，而使透明保護薄膜或光學薄膜(3)發熱，從而成為積層偏光薄膜之捲曲‧皺紋等缺陷之原因。因此於本發明中，活性能量線產生裝置係以使用不會發出比380nm更短波長之光的裝置為佳，更具體而言，較佳係波長範圍380~440nm之積算照度與波長範圍250~370nm之積算照度之比為100：0~100：50，且更佳為100：0~100：40。滿足如此積算照度關係之活性能量線係以封入鎵之金屬鹵化物燈、發出波長範圍380~440nm之光的LED光源為佳。或者，亦可將低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、白熱燈炮、氙燈、鹵素燈、碳弧燈、金屬鹵化物燈、螢光燈、鎢燈、鎵燈、準分子雷射或太陽光作為光源，並使用帶通濾波器來阻斷比380nm更短波長之光而使用。為了提高偏光薄膜(P)與光學薄膜(3)之間與低彈性接著劑層(a)間的接著劑層之接著性能，同時防止偏光薄膜之捲曲，較佳係使用藉可阻斷比400nm更短波長之光之帶通濾波器而得之活性能量線，或使用LED光源而得之波長405nm的活性能量線。
於可見光線硬化型中，較佳在照射可見光線之前加溫活性能量線硬化型接著劑(照射前加溫)，此時係以加溫至40℃以上為佳，且以加溫至50℃以上更佳。又，在照射 可見光線後加溫活性能量線硬化型接著劑(照射後加溫)亦佳，此時係以加溫至40℃以上為佳，且以加溫至50℃以上更佳。
與低彈性接著劑層(a)有關的活性能量線硬化型接著劑，藉由含有上述通式(1)之光聚合起始劑，可越過具有UV吸收能之光學薄膜(3)照射紫外線，而使低彈性接著劑層(a)硬化形成。光學薄膜(3)可使用波長365nm之光線穿透率小於5%者。
對光學薄膜(3)賦予UV吸收能之方法，可列舉使光學薄膜(3)中含有紫外線吸收劑的方法，或是在光學薄膜(3)表面上積層含有紫外線吸收劑之表面處理層的方法。
紫外線吸收劑之具體例可舉例如：以往眾所皆知的氧基二苯甲酮系化合物、苯并三唑系化合物、柳酸酯系化合物、二苯甲酮系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物、鎳錯鹽系化合物、三系化合物等。
與本發明有關的積層偏光薄膜之製造方法，包含以下步驟：塗布步驟，其係於前述偏光薄膜(P)中將會積層前述低彈性接著劑層(a)側的透明保護薄膜(2)及前述光學薄膜(3)之至少一面上，塗布形成前述低彈性接著劑層(a)之活性能量線硬化型接著劑；黏合步驟，其係黏合前述偏光薄膜(P)及前述光學薄膜(3)；及接著步驟，其係藉由低彈性接著劑層(a)來接著前述偏 光薄膜(P)及前述光學薄膜(3)，其中該低彈性接著劑層(a)係藉由照射前述活性能量線，而使前述活性能量線硬化型接著劑硬化而得。
偏光薄膜(P)中的透明保護薄膜(2)及光學薄膜(3)，亦可在塗布前述活性能量線硬化型接著劑之前進行表面改質處理。具體的處理可列舉：藉由電暈處理、電漿處理、皂化處理、準分子處理或火焰處理進行的處理等。
活性能量線硬化型接著劑之塗布方式可依組成物之黏度或作為目的之厚度來適當地選擇。塗布方式之範例可舉例如：反向塗布機、凹版塗布機(正面、反面或平面)、反向棒塗布機、輥塗布機、模具塗布機、棒塗布機、桿塗布機等。除此之外，塗布可適當地使用浸漬方式等之方式。
藉由經如前述般塗布的接著劑來使偏光薄膜(P)及光學薄膜(3)黏合。偏光薄膜(P)及光學薄膜(3)之黏合，可藉由輥積層機等來進行。
在使偏光薄膜(P)與光學薄膜(3)黏合之後，照射活性能量線(電子束、紫外線及可見光線等)，使活性能量線硬化型接著劑硬化而形成低彈性接著劑層(a)。活性能量線(電子束、紫外線及可見光線等)之照射方向可從任意適當方向進行照射。較佳係從光學薄膜(3)側進行照射。若從偏光薄膜(P)側進行照射，會有偏光薄膜(P)因活性能量線(電子束、紫外線及可見光線等)劣化之虞。
在以連續生產線製造與本發明有關的積層偏光薄膜時，生產線速度雖取決於接著劑之硬化時間，但以 1~500m/min為佳，以5~300m/min更佳，且以10~100m/min又更佳。當生產線速度過小時，生產性不佳，或者對偏光薄膜(P)及光學薄膜(3)之損傷會過大，而無法製作可禁得起耐久性試驗等之偏光薄膜。當生產線速度過大時，接著劑硬化會變得不充分，而會有無法得到作為目的之接著性的情形。
<偏光薄膜>
如前所述，偏光薄膜(P)係藉由接著劑層(b)而在偏光件(1)至少單面上設有透明保護薄膜(2)。
<偏光件>
偏光件(1)並無特別限制而可使用各種偏光件。偏光件可舉例如：在聚乙烯醇系薄膜、部分甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜上，使碘、二色性染料等二色性材料吸附並進行一軸延伸者、聚乙烯醇之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等聚烯系配向薄膜等。其等之中亦以由聚乙烯醇系薄膜及碘等二色性物質所構成之偏光件較適宜。該等偏光件之厚度雖無特別限制，但一般在80μm左右以下。
以碘染色聚乙烯醇系薄膜並進行一軸延伸而成之偏光件，可舉例如：藉由將聚乙烯醇浸漬於碘之水溶液中而染色，並延伸至原長之3~7倍而製作。可因應需要浸漬於硼酸、碘化鉀等之水溶液中。亦可進一步因應需要在染色前將聚乙烯醇系薄膜浸漬於水中進行水洗。藉由水洗聚乙烯醇系薄膜除了可洗淨聚乙烯醇系薄膜表面之汚垢或抗 結塊劑，亦有使聚乙烯醇系薄膜膨潤來防止染色不均等不均勻的效果。延伸係可在以碘染色之後進行，亦可邊染色邊進行延伸，又可邊延伸邊以碘染色。亦可在硼酸、碘化鉀等水溶液中或者水浴中進行延伸。
又，偏光件可使用厚度在10μm以下之薄型偏光件。從薄型化之觀點而言，該厚度係以1~7μm為佳。如此的薄型偏光件，由於其厚度不均較少，視認性優異，且尺寸變化少，故耐久性優異，此外從要求使作為偏光薄膜之厚度亦薄型化的觀點來看亦較佳。又，薄型偏光件可輕易減少加熱乾燥時之水分率，因此可適宜地使用來作為水分率在15%以下之偏光件。
薄型偏光件代表性地可列舉：日本專利特開昭51-069644號公報、日本專利特開2000-338329號公報、WO2010/100917號小冊、PCT/JP2010/001460之說明書或日本專利特願2010-269002號說明書、日本專利特願2010-263692號說明書所記載的薄型偏光膜。該等薄型偏光膜可藉由包含將聚乙烯醇系樹脂(以下亦稱為PVA系樹脂)層與延伸用樹脂基材在積層體的狀態下延伸的步驟及染色步驟之製法來獲得。若為此製法，即便PVA系樹脂層較薄，仍可藉由被延伸用樹脂基材支持，而不會在因延伸造成之斷裂等不佳狀態下延伸。
在包含於積層體的狀態下延伸的步驟及染色步驟之製法中，從可延伸成高倍率而使偏光性能提升的觀點來看，前述薄型偏光膜較佳為藉由WO2010/100917號小 冊、PCT/JP2010/001460之說明書或日本專利特願2010-269002號說明書、日本專利特願2010-263692號說明書所記載般的包含在硼酸水溶液中延伸之步驟的製法來獲得者，且特別較佳是藉由日本專利特願2010-269002號說明書、日本專利特願2010-263692號說明書所記載的包含在硼酸水溶液中延伸前輔助性地進行空中延伸之步驟的製法來獲得者。
前述PCT/JP2010/001460之說明書所記載的薄型高機能偏光膜，係在樹脂基材上一體性地製膜且使二色性物質配向而成的由PVA系樹脂所構成之厚度在7μm以下的薄型高機能偏光膜，其具有單體穿透率在42.0%以上及偏光度在99.95%以上之光學特性。
前述薄型高機能偏光膜可藉由在具有至少20μm厚度之樹脂基材上，藉由PVA系樹脂之塗布及乾燥而生成PVA系樹脂層，並將所生成之PVA系樹脂層浸漬於二色性物質之染色液中，使二色性物質吸附在PVA系樹脂層上，並在硼酸水溶液中將吸附有二色性物質之PVA系樹脂層，以與樹脂基材一體性地將總延伸倍率延伸成原長之5倍以上來製造。
又，可藉由製造包含使二色性物質配向而成之薄型高機能偏光膜的積層體薄膜之方法來製造前述薄型高機能偏光膜，該方法包含：生成積層體薄膜之步驟，該積層體薄膜包含具有至少20μm厚度之樹脂基材，及在樹脂基材單面上藉由塗布及乾燥包含PVA系樹脂之水溶液而形成的 PVA系樹脂層；藉由將包含樹脂基材及在樹脂基材單面上形成的PVA系樹脂層之前述積層體薄膜，浸漬於包含二色性物質之染色液中，而使得在積層體薄膜中所含的PVA系樹脂層上吸附有二色性物質之步驟；在硼酸水溶液中，將包含吸附有二色性物質之PVA系樹脂層之前述積層體薄膜，以總延伸倍率成為原長5倍以上的方式進行延伸之步驟；藉由將吸附有二色性物質之PVA系樹脂層與樹脂基材一體性地延伸，而在樹脂基材之單面上製膜由使二色性物質配向而成之PVA系樹脂層所構成、厚度在7μm以下，且具有單體穿透率在42.0%以上及偏光度在99.95%以上之光學特性的薄型高機能偏光膜，從而製造積層體薄膜之步驟。
前述之日本專利特願2010-269002號說明書、日本專利特願2010-263692號說明書之薄型偏光膜，係由使二色性物質配向而成的PVA系樹脂所構成的連續網之偏光膜，且係將包含在非晶性酯系熱可塑性樹脂基材上製膜而成的PVA系樹脂層之積層體，藉由空中輔助延伸及硼酸水中延伸所構成之2段延伸步驟進行延伸，藉此作成10μm以下之厚度者。如此的薄型偏光膜，較佳係作成具有在令單體穿透率為T且令偏光度為P時，滿足P>-(100.929T-42.4-1)×100(但，T<42.3)及P≧99.9(但，T≧42.3)之條件的光學特性者。
具體而言，前述薄型偏光膜可藉由包含有以下步驟之薄型偏光膜之製造方法來製造：藉由對在連續網之非晶性酯系熱可塑性樹脂基材製膜而成的PVA系樹脂層進行 的空中高溫延伸，來生成由經配向的PVA系樹脂層所構成之延伸中間生成物之步驟；藉由對延伸中間生成物進行的二色性物質吸附，來生成使二色性物質(較佳為碘或者碘與有機染料之混合物)配向之PVA系樹脂層所構成之著色中間生成物之步驟；藉由對著色中間生成物進行的硼酸水中延伸，來生成由使二色性物質配向而成之PVA系樹脂層所構成且厚度在10μm以下之偏光膜之步驟。
於此製造方法中，藉由空中高溫延伸及硼酸水中延伸而得之製膜於非晶性酯系熱可塑性樹脂基材上的PVA系樹脂層之總延伸倍率希望能成為5倍以上。用於硼酸水中延伸之硼酸水溶液之液溫可設在60℃以上。在於硼酸水溶液中延伸著色中間生成物之前，希望能對著色中間生成物施以不溶解化處理，此時，希望能藉由將前述著色中間生成物浸漬於液溫不大於40℃之硼酸水溶液中來進行。前述非晶性酯系熱可塑性樹脂基材可令其為包含下述者之非晶性聚對苯二甲酸乙二酯：使間苯二甲酸共聚合而成的共聚合聚對苯二甲酸乙二酯、使環己烷二甲醇共聚合而成的共聚合聚對苯二甲酸乙二酯或其他共聚合聚對苯二甲酸乙二酯；且以由透明樹脂所構成者為佳，且可令其厚度為經製膜之PVA系樹脂層的厚度之7倍以上。又，空中高溫延伸之延伸倍率係以在3.5倍以下為佳，且空中高溫延伸之延伸溫度則是以PVA系樹脂之玻璃轉移溫度以上為佳，具體而言在95℃~150℃之範圍為佳。當以自由端一軸延伸來進行空中高溫延伸時，製膜於非晶性酯系熱可塑性樹脂基材上的 PVA系樹脂層之總延伸倍率以在5倍以上7.5倍以下為佳。又，在以固定端一軸延伸來進行空中高溫延伸時，製膜於非晶性酯系熱可塑性樹脂基材之PVA系樹脂層的總延伸倍率係以在5倍以上8.5倍以下為佳。
更具體而言，可藉由接下來的方法來製造薄型偏光膜。
製作使間苯二甲酸6mol%共聚合而成的間苯二甲酸共聚合聚對苯二甲酸乙二酯(非晶性PET)之連續網的基材。非晶性PET之玻璃轉移溫度為75℃。如以下般製作由連續網之非晶性PET基材與聚乙烯醇(PVA)層所構成之積層體。附帶一提，PVA之玻璃轉移溫度為80℃。
準備200μm厚之非晶性PET基材，及將聚合度1000以上、皂化度99%以上之PVA粉末溶解於水中而成的4~5%濃度之PVA水溶液。接著，在200μm厚之非晶性PET基材上塗布PVA水溶液，於50~60℃之溫度下乾燥，而得到在非晶性PET基材上製膜有7μm厚PVA層之積層體。
將包含7μm厚之PVA層的積層體經由包含空中輔助延伸及硼酸水中延伸之2段延伸步驟的以下步驟，來製造3μm厚之薄型高機能偏光膜。藉由第1段之空中輔助延伸步驟，將包含7μm厚之PVA層的積層體與非晶性PET基材一體性地延伸，而生成包含5μm厚之PVA層的延伸積層體。具體而言，此延伸積層體，係將包含7μm厚之PVA層的積層體放置於設定成130℃延伸溫度環境之烘箱所配備的延伸裝置中，以延伸倍率成為1.8倍的方式進行自由端一軸延伸者。藉由此延伸處理，會使延伸積層體所含有的PVA層變 化成PVA分子經配向的5μm厚之PVA層。
接著，藉由染色步驟來生成使碘吸附在PVA分子經配向的5μm厚之PVA層上而成的著色積層體。具體而言，此著色積層體，藉由以構成最終生成之高機能偏光膜的PVA層之單體穿透率成為40~44%的方式，將延伸積層體以任意時間浸漬在液溫30℃之包含碘及碘化鉀的染色液中，而使碘吸附於延伸積層體所含有的PVA層。於本步驟中，染色液係將水作為溶劑，將碘濃度設在0.12~0.30重量%之範圍內，且將碘化鉀濃度設在0.7~2.1重量%之範圍內。碘與碘化鉀之濃度比為1比7。附帶一提，將碘溶解於水中必須要有碘化鉀。更詳而言之，藉由將延伸積層體浸漬於碘濃度0.30重量%、碘化鉀濃度2.1重量%之染色液60秒，可生成使碘吸附於PVA分子經配向的5μm厚之PVA層的著色積層體。
此外，藉由第2段之硼酸水中延伸步驟，將著色積層體與非晶性PET基材一體性地進一步延伸，而生成包含3μm厚之構成高機能偏光膜的PVA層之光學薄膜積層體。具體而言，此光學薄膜積層體，係將著色積層體置於設定於包含硼酸及碘化鉀之液溫範圍60~85℃的硼酸水溶液中的處理裝置所配備的延伸裝置中，以延伸倍率成為3.3倍的方式進行自由端一軸延伸者。更詳而言之，硼酸水溶液之液溫為65℃。再者，相對於水100重量份將硼酸含量設定成4重量份，相對於水100重量份將碘化鉀含量設定成5重量份。於本步驟中，首先將經調整碘吸附量之著色積層體浸 漬於間硼酸水溶液中5~10秒。然後，將此著色積層體直接通過處理裝置所配備的延伸裝置(周速不同之複數組輥)之間，耗費30~90秒以延伸倍率成為3.3倍的方式進行自由端一軸延伸。藉由此延伸處理，會使著色積層體所含有的PVA層變化成經吸附之碘作為多碘離子錯合物以一方向高次配向而成之3μm厚之PVA層。此PVA層係構成光學薄膜積層體之高機能偏光膜。
雖非光學薄膜積層體之製造所必須之步驟，但較佳係藉由洗淨步驟，將光學薄膜積層體從硼酸水溶液取出，而將製膜於非晶性PET基材上的3μm厚之PVA層表面上附著的硼酸，以碘化鉀水溶液洗淨。然後，藉由以60℃溫風進行之乾燥步驟來乾燥經洗淨的光學薄膜積層體。此外，洗淨步驟係用來消除硼酸析出等之外觀缺陷之步驟。
相同地，雖非光學薄膜積層體之製造所必須之步驟，但藉由黏合及/或轉印步驟，可在製膜於非晶性PET基材上的3μm厚之PVA層表面上，一邊塗布接著劑，一邊黏合80μm厚三乙醯基纖維素薄膜之後，剝離非晶性PET基材，而將3μm厚之PVA層轉印至80μm厚之三乙醯基纖維素薄膜上。
[其他步驟]
前述薄型偏光膜之製造方法，除了前述步驟之外，可包含其他步驟。其他步驟可舉例如：不溶解化步驟、交聯步驟、乾燥(水分率之調節)步驟等。其他步驟可於任意的適當時機進行。
前述不溶解化步驟，代表性地可藉由使PVA系樹脂層浸漬於硼酸水溶液來進行。藉由施行不溶解化處理，可對PVA系樹脂層賦予耐水性。相對於水100重量份，該硼酸水溶液之濃度較佳為1重量份~4重量份。不溶解化浴(硼酸水溶液)之液溫較佳為20℃~50℃。不溶解化步驟較佳係在積層體製作後、染色步驟或水中延伸步驟前進行。
前述交聯步驟，代表性地可藉由使PVA系樹脂層浸漬於硼酸水溶液來進行。藉由施行交聯處理，可對PVA系樹脂層賦予耐水性。相對於水100重量份，該硼酸水溶液之濃度較佳為1重量份~4重量份。又，當在前述染色步驟後進行交聯步驟時，較佳係進一步摻合碘化物。藉由摻合碘化物，可抑制吸附於PVA系樹脂層上的碘之溶出。相對於水100重量份，碘化物之摻合量較佳為1重量份~5重量份。碘化物之具體例係如上所述。交聯浴(硼酸水溶液)之液溫較佳為20℃~50℃。交聯步驟較佳係在前述第2硼酸水中延伸步驟之前進行。於較佳的實施形態中，係依序進行染色步驟、交聯步驟及第2硼酸水中延伸步驟。
<透明保護薄膜>
構成透明保護薄膜(2)之材料例如可使用透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻斷性、等方性等優異的熱可塑性樹脂。如此的熱可塑性樹脂之具體例可列舉：三乙醯基纖維素等纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、環狀聚烯烴樹脂(降冰片烯系樹脂)、聚 芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂及其等之混合物。於透明保護薄膜中亦可包含1種以上任意適當的添加劑。添加劑可舉例如：紫外線吸收劑、抗氧化劑、潤滑劑、塑化劑、脫模劑、防著色劑、難燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。透明保護薄膜中的前述熱可塑性樹脂之含量係以50~100重量%為佳，以50~99重量%更佳，且以60~98重量%又更佳，又以70~97重量%特佳。當透明保護薄膜中的前述熱可塑性樹脂之含量在50重量%以下時，會有無法充分顯現熱可塑性樹脂本來具有的高透明性等之虞。
又，形成透明保護薄膜(2)之材料係以透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻斷性、等方性等優異者為佳，特別是以透濕度在150g/m2/24h以下者更佳，且以140g/m2/24h以下者特佳，又以120g/m2/24h以下者又更佳。透濕度係藉由實施例所記載的方法求得。
當使用前述偏光薄膜中透濕度在150g/m2/24h以下之透明保護薄膜時，空氣中的水分會難以進入偏光薄膜中，而可抑制偏光薄膜自體之水分率變化。其結果，可抑制因保存環境而產生的偏光薄膜之捲曲或尺寸變化。
在前述透明保護薄膜(2)不使偏光件(1)接著的面上，可設置條碼層、抗反射層、防黏層、擴散層以及防眩光層等之機能層。再者，前述條碼層、抗反射層、防黏層、擴散層或防眩光層等機能層，除了可設置於透明保護薄膜(2)本身，亦可經由其他方式作為與透明保護薄膜(2)分別之物來設置。
透明保護薄膜(2)之厚度雖可適宜地決定，但一般從強度、取扱性等作業性、薄層性等觀點來看係1~500μm左右，以1~300μm為佳，且以5~200μm更佳。又以10~200μm又更佳，且以20~80μm又更佳。
再者，設於偏光件(1)兩面上的前述透明保護薄膜(2)，可使用其表裡由相同聚合物材料所構成的透明保護薄膜，亦可使用其表裡由不同聚合物材料等所構成的透明保護薄膜。
前述透明保護薄膜可使用具有正面相位差在40nm以上及/或厚度方向相位差在80nm以上之相位差的相位差薄膜。正面相位差通常係控制在40~200nm之範圍內，厚度方向相位差則通常係控制在80~300nm之範圍內。將相位差薄膜作為透明保護薄膜使用時，由於該相位差薄膜亦會作為透明保護薄膜來發揮功能，因此可追求薄型化。
相位差薄膜可列舉：將高分子素材進行一軸或二軸延伸處理而成的雙折射性薄膜、液晶聚合物之配向薄膜、以薄膜支持液晶聚合物之配向層而成者等。相位差薄膜之厚度雖亦無特別限制，但一般為20~150μm左右。
再者，在圖1A、B、圖2至圖4所示的積層偏光薄膜中，可使用相位差薄膜作為透明保護薄膜(2)。又，偏光件(1)兩側之透明保護薄膜(2)，在單側或兩側皆可設定成相位差薄膜。特別是，於圖3及圖4中，較佳係使用相位差薄膜來作為接著劑層(b2)側之透明保護薄膜。特別是，在使用相位差薄膜作為兩側之透明保護薄膜(2)時，以圖4之態様為 佳。
<接著劑層(b)>
前述接著劑層(b)只要是光學上透明，就可無特別限制地使用水系、溶劑系、熱熔系、活性能量線硬化型之各種形態者。如前所述，接著劑層(b)係以滿足預定的厚度、預定的儲存彈性模數者為佳。
水系硬化型接著劑可例示如：乙烯基聚合物系、明膠系、乙烯基系乳膠系、聚胺基甲酸酯系、異氰酸酯系、聚酯系、環氧系等。由如此的水系接著劑所構成的接著劑層，雖可作為水溶液之塗布乾燥層等來形成，但在製備該水溶液時亦可因應需要摻合交聯劑、其他添加劑、酸等催化劑。
前述水系硬化型接著劑係以使用含有乙烯基聚合物之接著劑等為佳，且乙烯基聚合物係以聚乙烯醇系樹脂為佳。又，從使耐久性提升的觀點來看，聚乙烯醇系樹脂係以包含具有乙醯乙醯基之聚乙烯醇系樹脂之接著劑更佳。又，可摻合於聚乙烯醇系樹脂之交聯劑，係較佳使用具有至少2個與聚乙烯醇系樹脂具有反應性之官能基之化合物。可舉例如：硼酸或硼砂、羧酸化合物、烷二胺類；異氰酸酯類；環氧類；單醛類；二醛類；胺基-甲醛樹脂；以及二價金屬或三價金屬之鹽及其氧化物。可於聚乙烯醇系樹脂中摻合水溶性矽酸鹽。水溶性矽酸鹽可列舉矽酸鋰、矽酸鈉、矽酸鉀等。
又，活性能量線硬化型接著劑可使用各種形態 者，且可例示如：電子束硬化型、紫外線硬化型等活性能量線硬化型之接著劑。紫外線硬化型接著劑可大致區分成自由基聚合硬化型接著劑及陽離子聚合型接著劑。此外，自由基聚合硬化型接著劑可作為熱硬化型接著劑使用。於接著劑層(b)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑，可使用前述於低彈性接著劑層(a)之形成中所使用的活性能量線硬化型接著劑。
於前述接著劑層(b)之中，接著劑層(b1)係以聚乙烯醇系之接著劑為佳。又，接著劑層(b2)係以活性能量線硬化型接著劑為佳。
前述形成低彈性接著劑層(a)或接著劑層(b)之接著劑，若有必要亦可為適當地包含添加劑者。添加劑之範例可列舉：矽烷偶合劑、鈦偶合劑等偶合劑、環氧乙烷作為代表之接著促進劑、使與透明薄膜之濕潤性提升的添加劑、丙烯醯氧基化合物或碳化氫系(天然、合成樹脂)等作為代表且可使機械強度或加工性等提升之添加劑、紫外線吸收劑、抗老化劑、染料、加工助劑、離子捕捉劑、抗氧化劑、黏著賦予劑、填充劑(除金屬化合物填料之外)、塑化劑、調平劑、發泡抑制劑、抗靜電劑、耐熱穩定劑、耐加水分解穩定劑等穩定劑等。
本發明之積層偏光薄膜雖藉由低彈性接著劑層(a)來黏合偏光薄膜(P)與光學薄膜(3)，但亦可在透明保護薄膜(2)及/或光學薄膜(3)上設置易接著層。又，於偏光薄膜(P)中可在偏光件(1)及/或透明保護薄膜(2)上設置易接著層。
易接著層例如可由：具有聚酯骨架、聚醚骨架、聚碳酸酯骨架、聚胺基甲酸酯骨架、矽酮系、聚醯胺骨架、聚醯亞胺骨架、聚乙烯醇骨架等之各種樹脂來形成。該等聚合物樹脂可單獨使用1種，或組合2種以上來使用。又，在易接著層之形成中亦可添加其他添加劑。具體而言，亦可進一步使用黏著賦予劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、耐熱穩定劑等穩定劑等。易接著層在乾燥後的厚度係以0.01~5μm為佳，以0.02~2μm更佳，又以0.05~1μm又更佳。再者，易接著層雖可設置複數層，但在此時，以令易接著層之總厚度成為前述範圍為佳。
<光學薄膜>
光學薄膜(3)可列舉偏光件(1)以外之，例如相位差薄膜(包含1/2、1/4等波長板)、視覺補償薄膜、亮度提升薄膜、反射板或反穿透板等液晶顯示裝置等之形成中所使用之光學層所形成者。前述光學薄膜(3)可使用2層以上。在使用2層以上光學薄膜時，於第2層之光學薄膜之積層亦可使用前述低彈性接著劑層(a)。前述光學薄膜(3)係以相位差薄膜為適當。
前述相位差薄膜可使用與前述相同之，具有正面相位差在40nm以上及/或厚度方向相位差在80nm以上之相位差者。正面相位差通常係控制在40~200nm之範圍內，而厚度方向相位差則通常控制在80~300nm之範圍內。
相位差薄膜可列舉：將高分子素材進行一軸或二軸延伸處理而成的雙折射性薄膜、液晶聚合物之配向薄 膜、以薄膜支持液晶聚合物之配向層而成者等。相位差薄膜之厚度雖亦無特別限制，但一般為20~150μm左右。
亦可於本發明之積層偏光薄膜上，設置用來與液晶晶胞等其他部材接著之黏著劑層。形成黏著劑層之黏著劑雖無特別限制，但可適當地選擇例如以丙烯酸系聚合物、矽酮系聚合物、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚醚、氟系或橡膠系等聚合物作為基底聚合物者。特別是，如丙烯酸系黏著劑般光學透明性優異，並可展現適度的濕潤性及凝聚性及接著性之黏著特性，且耐候性、耐熱性等優異者可較佳地使用。
黏著劑層亦可作為不同組成或種類者之重疊層來設於積層偏光薄膜或積層光學薄膜之單面或兩面上。又，當設在兩面上時，亦可在積層偏光薄膜或積層光學薄膜表裡上作成不同組成、種類、厚度等之黏著劑層。黏著劑層之厚度可因應依使用目的、接著力等適當地決定，且一般為1~500μm，且以1~200μm為佳，又以1~100μm特佳。
在直到供作實用之間，為了防止汚染等之目的，對於黏著劑層之暴露面可暫時黏上分隔件來覆蓋之。藉此，可防止例常操作狀態下接觸至黏著劑層。除了前述厚度條件之外，分隔件可使用：因應必要以矽酮系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等適當的剝離劑塗布處理塑膠薄膜、橡膠片材、紙、布、不織布、網、發泡片材、金屬箔、其等之積層體等適當的薄體而成者等遵循習知技術之適當者。
本發明之積層偏光薄膜或積層光學薄膜，可在液晶顯示裝置等各種裝置之形成等中適當地使用。液晶顯示裝置之形成可遵循習知技術來進行。亦即，液晶顯示裝置一般可藉由適當組合液晶晶胞、積層偏光薄膜或積層光學薄膜及因應需要的照明系統等構成部件並組入驅動電路等來形成，但本發明中，除了使用依據本發明之積層偏光薄膜或積層光學薄膜此點之外可無特別限定地遵循習知技術。關於液晶晶胞，可使用例如：TN型、STN型、π型等任意型態者。
可形成在液晶晶胞之單側或兩側上，配置積層偏光薄膜或積層光學薄膜而成的液晶顯示裝置，且於照明系統中使用背光元件或反射板者等適當的液晶顯示裝置。此時，依據本發明之積層偏光薄膜或積層光學薄膜可設置於液晶晶胞之單側或兩側。當在兩側設置積層偏光薄膜或積層光學薄膜時，其等可為相同者，亦可為不同者。此外，在形成液晶顯示裝置時，可在適當的位置配置1層或2層以上例如擴散板、防眩光層、抗反射膜、保護板、稜鏡陣列、透鏡陣列片、光擴散板、背光元件等適當的部件。
實施例
以下雖載述本發明之實施例，但本發明之實施形態當不受其等所限定。
<儲存彈性模數之測量>
針對於實施例及比較例使用的接著劑層或黏著劑層，係藉由下述方法求得儲存彈性模數。
[儲存彈性模數之測量方法]
儲存彈性模數係使用Rheometric公司製黏彈性光譜儀(商品名：RSA-II)來進行。測量條件係在頻率1Hz、樣品厚2mm、壓著加重100g、昇溫速度5℃/min中-50℃~200℃之範圍內，將在25℃及85℃之值作為測量值。
<透明保護薄膜之透濕度>
透濕度之測量係依循JIS Z0208之透濕度試驗(杯式法)來測量。將裁切成直徑60mm之樣品設至於加入約15g氯化鈣之透濕杯中，測量置入溫度40℃、濕度90%R.H.之恆溫機中24小時前後氯化鈣之重量增加，藉此求得透濕度(g/m2/24h)。
<透明保護薄膜>
透明保護薄膜(2a)：對厚度50μm之具有內酯環結構的(甲基)丙烯酸樹脂(透濕度96g/m2/24h)施以電暈處理來使用。
透明保護薄膜(2b)：對厚度18μm之環狀聚烯烴薄膜(日本Zeon公司製：ZEONOR)施以電暈處理來使用。
<聚乙烯醇系接著劑>
相對於含有乙醯乙醯基(AA)基的PVA系樹脂(平均聚合度：1200，皂化度：98.5莫耳%，AA基改質度：5莫耳%，(表1中表示成AA改質PVA。))100份，在30℃之溫度條件下，將羥甲基三聚氰胺20份溶解於純水，而製備固態部分濃度調整成0.5%之水溶液。將其作為接著劑在30℃之溫度條件下使用。
<通常之偏光件的製作>
將平均聚合度2400、皂化度99.9莫耳%、厚度75μm之聚乙烯醇薄膜浸漬於30℃之溫水中60秒而使其膨潤。接著，一邊在0.3重量%(重量比：碘/碘化鉀=0.5/8)之30℃的碘溶液中染色1分鐘，一邊延伸至3.5倍。之後，一邊在65℃之4重量%硼酸水溶液中浸漬0.5分鐘一邊使總合延伸倍率延伸至6倍。延伸後，於70℃之烘箱中進行乾燥3分鐘，而得到厚度26μm之偏光件。
<圖2所記載之偏光薄膜(P1)的製作>
在前述偏光件之兩面上，一邊塗布前述聚乙烯醇系接著劑，一邊黏合前述透明保護薄膜(2a)及(2b)後，於50℃進行乾燥5分鐘而作成偏光薄膜。於透明保護薄膜(2a)及(2b)上形成的接著劑層(b1)之厚度任一者皆為0.1μm，在25℃下的儲存彈性模數為1.5×109Pa，在85℃下的儲存彈性模數為1.0×108Pa。
<薄型之偏光件的作成>
為了製作薄型偏光膜，首先藉由延伸溫度130℃之空中輔助延伸，將在非晶性PET基材上製膜有9μm厚PVA層之積層體生成延伸積層體，接著，藉由將延伸積層體染色而生成著色積層體，再藉由延伸溫度65℃之硼酸水中延伸，生成包含4μm厚PVA層之光學薄膜積層體(該PVA層係與非晶性PET基材一體延伸而使得總延伸倍率成為5.94倍)。藉由如此的2段延伸而使製膜於非晶性PET基材上的PVA層之PVA分子高次配向，而構成使藉由染色而吸附的碘作為多 碘離子錯合物於一方向上高次配向而成的高機能偏光膜，而可生成包含厚度5μm之PVA層的光學薄膜積層體。
<圖3所記載之偏光薄膜(P2)的作成>
在前述光學薄膜積層體之偏光膜表面上，一邊塗布前述聚乙烯醇系接著劑，一邊黏合前述透明保護薄膜(2a)後，在50℃進行乾燥5分鐘。於透明保護薄膜(2a)上形成的接著劑層(b1)之厚度為1μm，在25℃下的儲存彈性模數為1.5×109Pa，在85℃下的儲存彈性模數為1.0×108Pa。
接著，剝離非晶性PET基材，於其剝離面上，塗布下述所示活性化能量線硬化型系接著劑(與關於下述實施例1之低彈性接著劑層(a)的活性能量線硬化型接著劑相同)，在黏合前述透明保護薄膜(2b)後，藉由紫外線使其硬化，而製作使用有薄型偏光膜之偏光薄膜。形成於透明保護薄膜(2b)上的接著劑層(b2)之厚度為5μm，在25℃下的儲存彈性模數為8.0×106Pa，在85℃下的儲存彈性模數為8.0×106Pa。
<活性能量線>
使用紫外線(封入鎵之金屬鹵化物燈)照射裝置：Fusion UV Systems,Inc公司製Light HAMMER 10閥：V閥峰值照度：1600mW/cm2、積算照射量1000/mJ/cm2(波長380~440nm)作為活性能量線。再者，紫外線之照度係使用Solatell公司製Sola-Check系統來測量。
<黏度之測量>
於實施例及比較例使用的活性能量線硬化型接著劑或 黏著劑之黏度(cp/25℃)係藉由E型旋轉式黏度計測量之值。測量結果係示於表1。
實施例1~4及比較例1
(與低彈性接著劑層(a)有關的活性能量線硬化型接著劑的調整)
依表1記載之摻合表混合各成分，於50℃攪拌1小時，而得到活性能量線硬化型接著劑。表中之活性能量線硬化型接著劑的數值係表示重量份。
(相位差薄膜)
使用丙烯酸系相位差薄膜(JSR公司製ARTON，40μm厚度，正面相位差140nm)。
(積層偏光薄膜的製法)
在相位差薄膜之電暈表面上，使用MCD塗布機(富士機械公司製)(格形狀：蜂巢形，凹版輥線數：1000根/INCH，旋轉速度140%/對生產線速)，塗布表1所記載的與低彈性接著劑層(a)有關的活性能量線硬化型接著劑使其成為表1所示厚度。
將前述相位差薄膜之接著劑塗布面黏合至偏光薄膜(P1)或(P2)。於偏光薄膜(P1)係於透明保護薄膜(2b)側黏合，於偏光薄膜(P2)則是於透明保護薄膜(2a)側黏合。之後，從經黏合之相位差薄膜側，使用IR加熱器加溫至50℃，照射前述紫外線，而使關於低彈性接著劑層(a)之活性能量線硬化型接著劑硬化後，於70℃進行熱風乾燥3分鐘，而得到積層偏光薄膜。黏合之生產線速度係以15m/min進行。
比較例2、3
<(甲基)丙烯酸系聚合物的製備>
在具有攪拌葉、溫度計、氮氣導入管、冷卻器之四頸燒瓶中，饋入丙烯酸丁酯92份、N-丙烯醯基啉5份、丙烯酸2.9份、2-羥基乙基丙烯酸酯0.1份、作為聚合起始劑之2,2’-偶氮雙異丁腈0.1重量份、乙酸乙酯200重量份，並一邊緩緩地攪拌一邊導入氮氣而進行氮取代之後，使燒瓶內的液溫保持在55℃左右來進行聚合反應8小時，而製備丙烯酸系聚合物溶液。前述丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為220萬。
<黏著劑層付偏光薄膜的作成>
製備相對於前述所得到的丙烯酸系聚合物溶液之固態部分100份，作為交聯劑之由甲苯二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物構成的聚異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺基甲酸酯工業公司製，Coronate L)0.2份而成的丙烯酸系黏著劑溶液。接著，將前述丙烯酸系黏著劑溶液塗布於施以矽酮處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(三菱化學聚酯薄膜公司製，厚度：38μm)之單面上，而使得乾燥後的黏著劑層厚度成為表1所示般(比較例2中為5.5μm；比較例3中則為4.0μm)，於150℃進行乾燥3分鐘，而形成黏著劑層。
<積層偏光薄膜的作成>
使前述黏著劑層黏合至偏光薄膜(P1)或(P2)。於偏光薄膜(P1)係將黏著劑層黏合於透明保護薄膜(2b)側，於偏光薄膜(P2)則是將黏著劑層黏合於透明保護薄膜(2a)側。之後， 剝離PET薄膜，黏合相位差薄膜而得到積層偏光薄膜。
針對各例所得到的積層偏光薄膜進行下述評定。將結果示於表1。
<耐衝撃性>
於積層偏光薄膜之相位差薄膜面上積層黏著劑層，裁切成在偏光件之延伸方向為50mm、於垂直方向為100mm之長方形。於厚度0.5mm、縱120mm、横60mm之玻璃板上積層前述積層偏光薄膜而作成樣品。再者，為了防止破壞而在玻璃板之背面之整面上貼上玻璃紙膠帶。
從高度1m使作成的樣品自然掉落。以目視觀察重複進行該掉落100次之後的端部剝離狀態。
○：未確認剝離。
△：從端部開始的剝離小於1mm。
×：從端部開始的剝離在1mm以上。
<熱挫曲性>
於積層偏光薄膜之相位差薄膜面上積層黏著劑層，裁切成在偏光件之延伸方向為200mm、在垂直方向為400mm之長方形。在液晶晶胞(從「Sony公司製32吋液晶電視BRAVIA(註冊商標)KDL-32F1」取出液晶晶胞來使用)之兩面上，藉由前述黏著劑層積層前述積層偏光薄膜使其成為正交尼科耳鏡狀態，而作成液晶面板。對該液晶面板進行下述試驗。
1：加熱試驗(在85℃分別進行12小時)
2：-40℃85℃之加熱循環試驗，100循環
試驗後，目視觀察液晶面板並基於下述基準來評定條狀不均勻。
○：未觀察到條狀不均勻之產生。
×：有產生條狀不均勻。
<剝離力：強制剝離>
將積層偏光薄膜切出與偏光件延伸方向平行200mm、直行方向20mm之大小，並在偏光薄膜與相位差薄膜之間以切割刀切出切口後，將積層偏光薄膜黏合至玻璃板。藉由Tensilon拉伸試驗機，於90度方向以剝離速度500mm/min來剝離偏光薄膜與相位差薄膜，測量該剝離強度。又，藉由ATR法測量剝離後剝離面之紅外線吸收光譜，且基於下述基準評定剝離界面。
1：低彈性接著劑層(a)之膠合體失效。
2：相位差薄膜之膠合體失效。
於前述基準中，2由於是接著力在薄膜凝聚力以上，因而表示接著力非常優異之意。另一方面，1則是表示偏光薄膜/接著劑層/相位差薄膜之界面接著力不足(接著力差)之意。
<剝離性：剝離力>
將積層偏光薄膜切出與偏光件延伸方向平行200mm、直行方向15mm之大小，並在偏光薄膜與相位差薄膜之間以切割刀切出切口後，將積層偏光薄膜黏合至玻璃板。藉由Tensilon拉伸試驗機，於90度方向以剝離速度300mm/min來剝離偏光薄膜與相位差薄膜，測量該剝離強度(N/15mm)。
表1中的比較例2、3係與低彈性接著劑層(a)對比之黏著劑層，為了供參考，記載構成形成黏著劑之丙烯酸系聚合物的單體成分之比例。
(A)：多官能自由基聚合性化合物
Aronix M-270表示聚丙二醇二丙烯酸酯(東亞合成公司製)。
TPGDA：表示三丙二醇二丙烯酸酯。
Light Acrylate 9EG-A表示乙二醇(加成莫耳數之平均值9)二丙烯酸酯(共榮社化學公司製)。
(B)：具有碳數2~12之烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯BA表示正丙烯酸丁酯；(C)：具有羥基的(甲基)丙烯酸酯2HEA表示2-羥基乙基丙烯酸酯；4HBA表示4-羥基丙烯酸丁酯；PLACCEL FA1DDM表示2HEA之己內酯1莫耳加成物(Daicel公司製)。
(其他)：前述之外的自由基聚合性化合物
HEAA表示羥基乙基丙烯醯胺(興人公司製)；ACMO表示丙烯醯基啉(興人公司製)。
(E)：將(甲基)丙烯系單體聚合而成的丙烯酸系寡聚物
UP-1190表示將(甲基)丙烯系單體聚合而成的丙烯酸系寡聚物(ARUFON UP-1190，東亞合成公司製)。
(F)：具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物
AAEM表示2-乙醯乙醯氧基乙基甲基丙烯酸酯(日本 合成化學公司製)。
(G)：具有奪氫作用之自由基聚合起始劑
KAYACURE DETX-S表示具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(二乙基9-氧硫，KAYACURE DETX-S，日本化藥公司製)。
(光聚合起始劑：其他)(通式(2)所表示的化合物)
IRGACURE 907表示2-甲基-1-(4-甲基硫基苯基)-2-啉基丙烷-1-酮(IRGACURE 907，BASF公司製)。
1‧‧‧偏光件
2‧‧‧透明保護薄膜
P‧‧‧偏光薄膜
3‧‧‧光學薄膜
a‧‧‧低彈性接著劑層
b‧‧‧接著劑層

Claims (29)

  1. 一種積層偏光薄膜，特徵在於其係藉由低彈性接著劑層(a)來積層偏光薄膜及偏光件之外的光學薄膜而成的積層偏光薄膜，其中，前述偏光薄膜藉由接著劑層(b)在偏光件之至少一面上積層有透明保護薄膜，且於該透明保護薄膜上積層有前述低彈性接著劑層(a)，前述低彈性接著劑層(a)在25℃下的儲存彈性模數為3.0×105~1.0×108Pa，並且前述低彈性接著劑層(a)之厚度為0.1~5μm。
  2. 如請求項1之積層偏光薄膜，其中前述光學薄膜為相位差薄膜。
  3. 如請求項1或2之積層偏光薄膜，其中前述低彈性接著劑層(a)為對活性能量線硬化型接著劑照射活性能量線而得之硬化物層。
  4. 如請求項3之積層偏光薄膜，其中前述活性能量線硬化型接著劑為實質上不含有機溶劑且黏度1~100cp/25℃之液狀物。
  5. 如請求項3或4之積層偏光薄膜，其中前述活性能量線硬化型接著劑包含自由基聚合性化合物來作為硬化性成分。
  6. 如請求項5之積層偏光薄膜，其中前述自由基聚合性化合物包含單官能自由基聚合性化合物及多官能自由基 聚合性化合物(A)。
  7. 如請求項6之積層偏光薄膜，其中在令前述自由基聚合性化合物之總量為100重量%時，多官能自由基聚合性化合物(A)之比例為1~65重量%。
  8. 如請求項6或7之積層偏光薄膜，其中前述多官能自由基聚合性化合物(A)係重量平均分子量為200~4000之2官能(甲基)丙烯酸酯。
  9. 如請求項6至8中任一項之積層偏光薄膜，其中前述自由基聚合性化合物包含具有碳數2~18之烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯(B)。
  10. 如請求項6至9中任一項之積層偏光薄膜，其中前述自由基聚合性化合物包含具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)。
  11. 如請求項10之積層偏光薄膜，其中前述具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(C)係重量平均分子量為160~3000之含羥基單官能(甲基)丙烯酸酯。
  12. 如請求項3至11中任一項之積層偏光薄膜，其中前述活性能量線硬化型接著劑包含矽烷偶合劑(D)。
  13. 如請求項12之積層偏光薄膜，其中前述矽烷偶合劑(D)為不具有自由基聚合性官能基的矽烷偶合劑。
  14. 如請求項3至13中任一項之積層偏光薄膜，其中前述活性能量線硬化型接著劑包含將(甲基)丙烯系單體聚合而成的丙烯酸系寡聚物(E)。
  15. 如請求項3至14中任一項之積層偏光薄膜，其中前述活性能量線硬化型接著劑包含具有活性亞甲基的自由 基聚合性化合物(F)，及具有奪氫作用之自由基聚合起始劑(G)。
  16. 如請求項15之積層偏光薄膜，其中前述活性亞甲基為乙醯乙醯基。
  17. 如請求項15或16之積層偏光薄膜，其中前述具有活性亞甲基的自由基聚合性化合物(F)為乙醯乙醯氧基烷基(甲基)丙烯酸酯。
  18. 如請求項15至17中任一項之積層偏光薄膜，其中前述自由基聚合起始劑(G)為9-氧硫系自由基聚合起始劑。
  19. 如請求項1至18中任一項之積層偏光薄膜，其中前述接著劑層(b)為在85℃下的儲存彈性模數為1.0×106~1.0×1010Pa，且厚度滿足0.03~3μm之接著劑層(b1)。
  20. 如請求項1至18中任一項之積層偏光薄膜，其中，前述偏光薄膜藉由前述接著劑層(b)而在前述偏光件之兩面上設有前述透明保護薄膜，其中，前述接著劑層(b)任一者皆為在85℃下的儲存彈性模數為1.0×106~1.0×1010Pa，且厚度滿足0.03~3μm之接著劑層(b1)。
  21. 如請求項1至18中任一項之積層偏光薄膜，其中，前述偏光薄膜藉由前述接著劑層(b)而在前述偏光件之兩面上設有前述透明保護薄膜，其中，單面之前述接著劑層(b)為在85℃下的儲存 彈性模數為1.0×106~1.0×1010Pa，且厚度滿足0.03~3μm之接著劑層(b1)，另一單面之前述接著劑層(b)為在85℃下的儲存彈性模數為1.0×104~1.0×108Pa，且厚度滿足0.1~25μm之接著劑層(b2)。
  22. 如請求項1至21中任一項之積層偏光薄膜，其中前述偏光件之厚度為1~10μm。
  23. 如請求項1至22中任一項之積層偏光薄膜，前述透明保護薄膜之至少單面的透明保護薄膜為相位差薄膜。
  24. 如請求項1至23中任一項之積層偏光薄膜，其中，在強制剝離前述偏光薄膜及前述光學薄膜時，前述低彈性接著劑層(a)會發生膠合體失效。
  25. 如請求項1至24中任一項之積層偏光薄膜，其中，在強制剝離前述偏光薄膜及前述光學薄膜時的剝離力為1~5N/15mm。
  26. 一種積層偏光薄膜之製造方法，特徵在於其係如請求項1至25中任一項之積層偏光薄膜之製造方法，且該製造方法包含以下步驟：塗布步驟，其係於前述偏光薄膜中將會積層前述低彈性接著劑層(a)側的透明保護薄膜及前述光學薄膜之至少一面上，塗布形成前述低彈性接著劑層(a)之活性能量線硬化型接著劑；黏合步驟，其係黏合前述偏光薄膜及前述光學薄膜；及 接著步驟，其係藉由低彈性接著劑層(a)來接著前述偏光薄膜及前述光學薄膜，其中該低彈性接著劑層(a)係藉由照射前述活性能量線，而使前述活性能量線硬化型接著劑硬化而得。
  27. 如請求項26之偏光薄膜之製造方法，其中前述活性能量線在波長範圍380~440nm之積算照度與在波長範圍250~370nm之積算照度之比為100：0~100：50。
  28. 一種積層光學薄膜，其特徵在於至少積層有1片如請求項1至25中任一項之積層偏光薄膜。
  29. 一種影像顯示裝置，其特徵在於使用有如請求項1至25中任一項之積層偏光薄膜，或如請求項28之積層光學薄膜。
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