TW201529591A - 環金屬化銥錯合物的原料及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明關於一種環金屬化銥錯合物的原料，其提供一種相較於使用三(2,4-戊酮基)銥(III)(Tris(2,4-pentanedionato)iridium(III))的情況，可在低反應溫度中，以高產率得到環金屬化銥錯合物的技術。
本發明並關於一種環金屬化銥錯合物的原料，在用以製造環金屬化銥錯合物的有機銥材料所構成的原料中，該有機銥材料係在銥上配位有非對稱β-二酮的三(β-二酮基)銥(III)。
Description
本發明係關於一種環金屬化銥錯合物的原料及其製造方法，其係關於一種用以提供可應用於有機電解發光(EL)元件、有機電氣化學發光(ECL)元件、發光感測器、光增感色素、各種光源等之環金屬化銥錯合物的技術。
環金屬化銥錯合物，係由多牙配位基環狀地配位於銥原子所形成，其係至少具有一個銥碳鍵結的有機銥錯合物的總稱，可舉例如：三(2-苯吡啶)銥Ir(ppy)3等(化1)。環金屬化銥錯合物之中，作為配位基，如化1所示，2-苯吡啶衍生物、2-苯喹啉衍生物、及1-苯異喹啉衍生物等的配位有芳香族雜環雙牙配位基的化合物，可作為有機電解發光(EL)元件、有機電化學發光(ECL)元件等的磷光材料使用(專利文獻1)。磷光材料，在有機EL元件等的開發之中，相較於以往使用的螢光材料，發光效率約3~4倍高，而朝向高效率化、省能量化發展，其實用化備受期待。
作為環金屬化銥錯合物，具有在銥原子上配位兩個芳香族雜
環雙牙配位基的雙環金屬化銥錯合物，及在銥原子上配位3個芳香族雜環雙牙配位基的三環金屬化銥錯合物等。其中，三環金屬化銥錯合物，其熱穩定性特別高，在應用於有機EL元件等的情況中，可期待其長壽命化。
以上的環金屬化銥錯合物，可舉例如，將三氯化銥作為原
料，並使其與2-苯吡啶(ppy)等的芳香族雜環雙牙配位基反應，可在一階段完成合成(化2，非專利文獻1)。又，將三個2,4-戊酮配位於銥的三(2,4-戊酮基)銥(III)(以下亦稱為Ir(acac)3)作為原料，使其與2-苯吡啶(ppy)等的芳香族雜環雙牙配位基反應，藉此可在一階段得到環金屬化銥錯合物(化3，非專利文獻2)。更進一步，專利文獻2中，揭示一種將三氯化銥作為原料，使其與2-苯吡啶(ppy)等的芳香族雜環雙牙配位基反應，再經由氯交聯二聚物的多階段合成法(化4)。
然而，如非專利文獻1所示，將三氯化銥作為原料而在一階
段之合成中所得到的環金屬化銥錯合物中，具有來自三氯化銥的氯殘留於環金屬化銥錯合物中的問題。該等氯被指出在應用於有機EL元件的情況中，對於發光特性有不良的影響(專利文獻3)。
另一方面，非專利文獻2中，因為將非氯系的三(2,4-戊酮
基)銥(III)作為原料使用，故完全不會殘留來自銥原料的氯。然而，三(2,4-戊酮基)銥(III)對於熱穩定而缺乏反應性，故具有環金屬化銥錯合
物之合成產率低的問題。
具體而言，因為三(2,4-戊酮基)銥(III)對於熱穩定，故
為了產率良好地得到環金屬化銥錯合物，一般而言，會在200℃以上的高溫條件下進行合成。因此，進行預料外的分解反應，導致產率及純度皆降低。
又，因為伴隨反應進行而產生的2,4-戊酮，使得反應溶液內的溫度難以充分上升，亦被指出係使得環金屬化銥錯合物的產率降低的一個原因(專利文獻4)。
又，三(2,4-戊酮基)銥(III)，因為具有對稱構造的β-二酮
配位基，故結晶性良好，在室溫下為固體狀態。此固體狀態的三(2,4-戊酮基)銥(III)具有昇華性，根據本案發明人等的知識，在環金屬化銥錯合物的製造過程中，會在反應容器內的上部析出，而具有三(2,4-戊酮基)銥(III)出現在反應系統外的情況。此亦被認為係導致環金屬化銥錯合物的產率降低的一個原因。
因此，在將三(2,4-戊酮基)銥(III)作為原料使用，而得
到環金屬化銥錯合物的情況中，為了改善環金屬化銥錯合物的產率，有人提出在反應系統中添加反應促進劑的方式。專利文獻5中記載，在反應系統中添加路易士酸以作為反應促進劑，而專利文獻3中記載，在反應系統中添加質子酸以作為反應促進劑，而得到環金屬化銥錯合物。
然而，專利文獻3及專利文獻5記載的製造方法中，具有「芳
香族雜環雙牙配位基及反應產生物和酸反應而不穩定的情況，而無法應用」這種本質上的問題。因此，此等的製造方法中，不一定能充分提升環金屬化銥錯合物的產率，故渴望開發一種新的製造方法。更進一步，專利文獻2
中所揭示的製造方法，因為係多階段合成法，除了手續繁雜及耗費時間以外，在各階段都必須對產物進行分離、精製，故具有在製造成本上不利的問題。
【專利文獻1】日本特開2012-6914號公報
【專利文獻2】日本特開2002-105055號公報
【專利文獻3】日本專利第4913059號說明書
【專利文獻4】日本特開2004-337802號公報
【專利文獻5】日本專利第4917751號說明書
【非專利文獻1】J. Am Chem. Soc.，107卷，1431頁，1985年
【非專利文獻2】Inorg. Chem.，30卷，1685頁，1991年
鑒於以上情事，本發明係關於一種非氯系的環金屬化銥錯合物的原料(以下，根據情況稱為有機銥材料或銥原料)，其目的在於提供一種技術，其相較於使用三(2,4-戊酮基)銥(III)的情況，可在低反應溫度下，於一階段的合成反應中高產率地從銥原料得到環金屬化銥錯合物。
為了解決上述課題，本案發明人，以不含氯原子之原料的三
(2,4-戊酮基)銥(III)為出發點，為提升其與芳香族雜環雙牙配位基的反應性進行詳細研討。結果，著眼於具有非對稱取代基作為β-二酮配位基的銥原料，而想到以下的本發明。
本發明係關於一種環金屬化銥錯合物的原料及其製造方法，而在用以製造環金屬化銥錯合物之原料的有機銥材料中，有機銥材料係以通式(1)所示之非對稱的β-二酮配位於銥的三(β-二酮基)銥(III)。通式(1)中，Ra與Rb為烴基或雜環基，Rc為氫原子、烴基或是雜環基，O為氧原子，Ir為銥原子。
通式(1)
本發明的原料，係由將相同構造的三個β-二酮配位於銥的有
機銥材料所構成，其具有「該等β-二酮為非對稱」這樣的特徴。具體而言，上述通式(1)中具有不同種類的取代基，以作為β-二酮的取代基Ra及Rb。
使用本發明之原料的情況，與以往作為原料使用的三(2,4-戊酮基)銥(III)相比，可在低反應溫度中，產率良好地製造環金屬化銥錯合物。
作為β-二酮的取代基Ra、Rb、Rc，具體而言可為以下的取代
基。取代基Ra及Rb，係烴基或是雜環所構成的取代基，因為係非對稱，故Ra與Rb並不相同。Rc為氫原子、烴基或是雜環基。Ra與Rc或是Rb與Rc亦可相
互鍵結，形成飽和烴環或是不飽和烴環。
Ra及/或Rb為烴基的情況，脂肪族烴基或是芳香族烴基為
佳，脂肪族烴基較佳，直鏈狀或是分支鏈狀烴基特佳。此處，本發明中的脂肪族烴，係指芳香族烴以外的烴，且包含芳香族以外的環狀烴。若Ra及Rb為脂肪族烴基，則可以更佳的產率製造環金屬化銥錯合物。
Ra及/或Rb為脂肪族烴基的情況，碳數1~20的脂肪族烴基為
佳，烷基(碳數1~10為佳，碳數1~5較佳。可舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、正辛基、正癸基、正十六基、環丙基、環戊基、環己基、新戊基等)、烯基(碳數2~10為佳，碳數2~5較佳。可舉例如乙烯基、丙烯基、2-丁烯基、3-戊烯基等)、或是炔基(碳數2~10為佳，碳數2~5較佳；可舉例如炔丙基、3-戊炔基等)較佳；烷基更佳；甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、或是第三丁基特佳。Ra或是Rb的任一方為甲基的情況特佳。該等脂肪族烴基中的氫原子，可被後述R及R1~R48所定義的取代基所取代，亦可被氟所取代。
Ra及/或Rb為芳香族烴基的情況，碳數6~20的芳香族烴基為
佳，碳數6~10的芳香族烴基較佳。作為芳香族烴基，具體而言，具有苯基、萘基、聯苯基、茀基、菲基、蒽基(anthracenyl)、聯三伸苯基(triphenylenyl)、聯三苯基、芘基、基、基、二甲苯基、薁基、二氫苊基(acenaphthenyl)、茚基等。該等芳香族烴基中的氫原子，可被後述以R及R1~R48所定義的取代基所取代，亦可被氟所取代。
Ra及/或Rb為雜環基的情況，碳數1~20的雜環基為佳，碳數
1~10的雜環基較佳。作為雜環基，具體而言，具有吡啶基、吡基、嘧啶
基、嗒基、吡咯基、吡唑基、三唑基、咪唑基、唑基、噻唑基、異唑基、異噻唑基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、硒苯基(selenophenyl)、碲苯基(tellurophenyl)、哌啶基(piperidyl)、N-六氫吡啶基(piperidino)、嗎啉基、吡咯烷基(pyrrolidyl)、吡咯烷基(pyrrolidino)、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基(benzothiazolyl)、咔唑基、吖庚因基(azepinyl)、矽基等。該等雜環基中的氫原子，可被後述以R及R1~R48定義的取代基所取代。
在Ra與Rc或Rb與Rc互相鍵結而形成飽和或不飽和烴環的情況中，較佳的形態，係由以下通式(2)所表示。
通式(2)
(通式(2)中，Ir表示銥；O表示氧原子；Ra及Rb表示烴基或是雜環基；X表示碳或是氫所構成的五員環或是六員環的飽和或是不飽和烴環。)
通式(2)中，取得作為Ra及Rb的取代基，與通式(1)相同，其較佳範圍亦相同。X表示五員環或六員環的飽和或是不飽和烴環，碳數5~20為佳，碳數5~10較佳。
本發明中，作為非對稱的β-二酮，記載於例如，日本特開平8-85873號公報、日本特開2000-212744號公報、日本特開2003-64019號公
報、日本特開2003-321416號公報、日本特開2005-35902號公報、日本特開2013-136567號公報等。該等的非對稱的β-二酮配位基，可由市售品取得，亦可藉由例如，除了上述專利文獻以外的日本特開平11-255700號公報、日本特開2000-319236號公報、日本特開2001-233880號公報等所記載的方法輕易地製造。
通式(1)中的Rc，氫原子或是烴基為佳，氫原子較佳。作為Rc的烴基或是雜環基佳，與上述Ra、Rb中所述的較佳取代基相同。
通式(1)所示之本發明的銥原料，可參考日本特開平7-316176號公報、日本特開2003-321415號公報、日本特開2003-321416號公報、日本特開2003-64019號公報、Organometallics(1995年，14卷，3號，1232頁)等所記載的方法來製造。
以下雖顯示通式(1)所示之銥原料的代表例(A-1)~(A-80)，但本發明並不限於該等例子。
雖將通式(1)所示之銥原料的例子顯示於(A-1)~(A-80)，但其中(A-1)~(A-50)為佳，(A-1)~(A-25)較佳，(A-3)與(A-7)特佳。
又，通式(1)所示之銥原料之中，「以TG-DTA同時測定裝置所測定之重量減少5%之溫度，低於三(2,4-戊酮基)銥(III)之測定溫度」的原料為佳。又，重量減少5%之溫度，會隨著測定條件有所變化。例如，在升溫速度為5℃/min、氮氣體氣流下(200ml/min)、常壓之條件下的重量減少5%之溫度未滿222℃的原料為佳。
通式(1)所示之銥原料，具有以銥金屬為中心，將三個β-二酮配位基配置於八面體型的立體構造。該立體構造中，因為作為配位基的β-二酮為非對稱，故存在兩種的幾何異構物(面式異構物與經式異構物)。關於面式異構物與經式異構物，係6配位8面體型錯合物的異構物的命名法，其記載於有機金屬化學-基礎與應用-山本明夫著(裳華房)143頁。若舉例具體說明，如下式所示，面式異構物係下述構造的異構物：在Ra與Ir隔著O鍵結的延長上，必定存在Rb。另一方面，經式異構物係下述構造的異構物：在Ra與Ir隔著O鍵結的延長上，在Rb之外存在Ra，而在Rb與Ir隔著O鍵結的延長上，在Ra之外存在Rb。
通式(1)所示之銥原料的幾何異構物
若製造通式(1)的銥原料，大多係得到面式異構物與經式
異構物的混合物。該等的幾何異構物，可因應目的藉由柱式層析法及蒸餾等的方法，分離成面式異構物與經式異構物。例如，上述(A-3)與(A-7)的銥原料中，可藉由矽膠層析法將幾何異構物分離。
作為環金屬化銥錯合物的原料，從環金屬化銥錯合物的製造
製程中之操作性的觀點來看，使用面式異構物與經式異構物的混合物為佳。混合物中，含有任一幾何異構物0.01莫耳%以上，含有0.1莫耳%以上為佳，含有1莫耳%以上較佳，含有10莫耳%以上特佳。幾何異構物的鑑別，係藉由1H-NMR等各種設備分析進行。面式異構物與經式異構物的各別含有率，可使用1H-NMR、氣體層析法或是高速液體層析法等進行定量。
環金屬化銥錯合物，如以上所說明，可藉由將「配位有非對
稱β-二酮的有機銥材料(原料)」與「形成銥碳鍵結之芳香族雜環雙牙配位基」反應的方法來製造。藉由應用本發明之原料，相較於使用三(2,4-戊酮
基)銥(III)的情況，可在低反應溫度中，於一階段以高產率得到環金屬化銥錯合物。
以下，詳細說明環金屬化銥錯合物的製造方法。
作為與有機銥材料(原料)反應的芳香族雜環雙牙配位基，可形成銥碳鍵結的芳香族雜環雙牙配位基、形成一個銥氮鍵結與一個銥碳鍵結的芳香族雜環雙牙配位基，或是形成兩個銥碳鍵結的芳香族雜環雙牙配位基為佳，形成一個銥氮鍵結與一個銥碳鍵結的芳香族雜環雙牙配位基較佳。
作為芳香族雜環雙牙配位基，更具體而言，宜為：2-苯吡啶衍生物、2-苯喹啉衍生物、1-苯異喹啉衍生物、3-苯異喹啉衍生物、2-(2-苯并硫基苯基)吡啶衍生物、2-噻吩基吡啶衍生物、1-苯基吡唑衍生物、1-苯基-1H-引唑衍生物、2-苯基苯并塞唑衍生物、2-苯基塞唑衍生物、2-苯基苯并唑衍生物、2-苯基唑衍生物、2-呋喃基吡啶衍生物、2-(2-苯并呋喃基)吡啶衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、二苯并[f,h]喹啉衍生物、二苯并[f,h]喹啉衍生物、苯并[h]-5,6-二氫喹啉衍生物、9-(2-吡啶基)咔唑衍生物、1-(2-吡啶基)吲哚衍生物、1-(1-萘基)異喹啉衍生物、1-(2-萘基)異喹啉衍生物、2-(2-萘基)喹啉衍生物、2-(1-萘基)喹啉衍生物、3-(1-萘基)異喹啉衍生物、3-(2-萘基)異喹啉衍生物、2-(1-萘基)吡啶衍生物、2-(2-萘基)吡啶衍生物、6-苯基菲啶衍生物、6-(1-萘基)菲啶衍生物、6-(2-萘基)菲啶衍生物、苯并[c]吖啶衍生物、苯并[c]啡衍生物、二苯并[a,c]吖啶衍生物、二苯并[a,c]啡衍生物、2-苯基喹啉衍生物、2,3-二苯基喹啉衍生物、2-芐基吡啶衍生物、2-苯
基苯并咪唑衍生物、3-苯基吡唑衍生物、4-苯基咪唑衍生物、1-苯基咪唑衍生物、4-苯基三唑衍生物、5-苯基四唑衍生物、2-烯烴吡啶衍生物、5-苯基-1,2,4-三唑衍生物、咪唑[1,2-f]菲啶衍生物、1-苯基苯并咪唑鹽衍生物，或是1-苯基咪唑鹽衍生物。
作為芳香族雜環雙牙配位基，上述化合物中，較宜為：2-
苯吡啶衍生物、2-苯喹啉衍生物、1-苯異喹啉衍生物、3-苯基異喹啉衍生物、1-苯基吡唑衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、二苯并[f,h]喹啉衍生物、二苯并[f,h]喹啉衍生物、苯并[h]-5,6-二氫喹啉衍生物、6-苯基菲啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物、2,3-二苯基喹啉衍生物、2-苯基苯并咪唑衍生物、3-苯基吡唑衍生物、4-苯基咪唑衍生物、1-苯基咪唑衍生物、4-苯基三唑衍生物、5-苯基四唑衍生物、5-苯基-1,2,4-三唑衍生物、咪唑[1,2-f]菲啶衍生物、1-苯基苯并咪唑鹽衍生物，或是1-苯基咪唑鹽衍生物。另外，特別宜為：2-苯吡啶衍生物、1-苯異喹啉衍生物、1-苯基咪唑衍生物或咪唑[1,2-f]菲啶衍生物，特別宜為2-苯吡啶衍生物、1-苯異喹啉衍生物、1-苯基咪唑衍生物。
本發明中所使用的芳香族雜環雙牙配位基的具體構造，可舉
例如以下構造例1~3所示的化合物。其中，具有以通式(3)~(7)所示之構造的化合物特佳。構造例1~3及通式(3)~(7)中的*，係與銥鍵結的部位。
芳香族雜環雙牙配位基的構造例1
芳香族雜環雙牙配位基的構造例2
芳香族雜環雙牙配位基的構造例3
通式(3)
通式(4)
通式(5)
通式(6)
通式(7)
構造例1~3及通式(3)~(7)中，R及R1~R48係氫原子或是
以下所示的取代基。作為取代基，可為例如烷基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~10特佳，可舉例如甲基、乙基、異丙基、第三丁基、正辛基、正癸基、正十六基、環丙基、環戊基、環己基等)、烯基(碳數2~30為佳，碳數2~20較佳，碳數2~10特佳，可舉例如乙烯基、丙烯基、2-丁烯基、3-戊烯基等)、炔基(碳數2~30佳，碳數2~20較佳，碳數2~10特佳，可舉例如炔丙基、3-戊炔基等)、芳香基(碳數6~30佳，碳數6~20較佳，碳數6~12特佳，可舉例如苯基、對甲基苯基、萘基、苯甲醯亞胺酸等)。
胺基(碳數0~30佳，碳數0~20較佳，碳數0~10特佳，可舉
例如胺基、甲基胺基、二甲基胺基、二乙基胺基、二芐基胺基、二苯基胺基、三甲苯胺基(Ditolylamino)等)、烷氧基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~10特佳，可舉例如甲氧基、乙氧基、丁氧基、2-乙基己氧基(ethylhexyloxy)等)、芳氧基(碳數6~30為佳，碳數6~20較佳，碳數6~12特佳，可舉例如苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基等)、雜環氧基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，可舉例如吡啶氧基、吡嗪氧基、嘧啶
氧基、喹啉氧基等)、醯基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，可舉例如乙醯基、苯甲醯基、甲醯基、三甲基乙醯基等)、烷氧羰基(碳數2~30為佳，碳數2~20較佳，碳數2~12特佳，可舉例如甲氧羰基、乙氧羰基等)、芳氧基羰基(碳數7~30為佳，碳數7~20較佳，碳數7~12特佳，可舉例如苯氧基羰基等)。
醯氧基(碳數2~30為佳，碳數2~20較佳，碳數2~10特佳，
可舉例如乙醯氧基、苯甲醯氧基等)、醯胺基(acylamino group)(碳數2~30為佳，碳數2~20較佳，碳數2~10特佳，可舉例如乙醯胺基、苯甲醯胺基等)、烷氧羰基胺基(碳數2~30為佳，碳數2~20較佳，碳數2~12特佳，可舉例如甲氧羰基胺基等)、芳氧羰基胺基(碳數7~30為佳，碳數7~20較佳，碳數7~12特佳，可舉例如苯氧基羰基胺基等)。
磺醯基胺基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特
佳，可舉例如甲烷磺醯基胺基(Methanesulfonylamino)、苯磺醯基胺基等)、胺磺醯基(碳數0~30為佳，碳數0~20較佳，碳數0~12特佳，可舉例如胺磺醯基、甲基胺磺醯基、二甲基胺磺醯基、苯基胺磺醯基等)、胺甲醯基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，可舉例如胺甲醯基、甲基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、苯基胺甲醯基等)、烷硫基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，可舉例如甲基硫基、乙基硫基等)、芳香基硫基(arylthio group)(碳數6~30為佳，碳數6~20較佳，碳數6~12特佳，可舉例如苯基硫基等)，異環硫基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，可舉例如吡啶基硫基、2-苯并咪唑基硫基、2-苯并口咢唑基硫基、2-苯并噻唑基硫基等)。
磺醯基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，
可舉例如甲磺醯基、甲苯磺醯基等)、亞磺醯基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，可舉例如甲亞磺醯基、苯亞磺醯基等)、脲基(ureide group)(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，可舉例如脲基、甲基脲基、苯基脲基等)、磷酸醯胺基(碳數1~30為佳，碳數1~20較佳，碳數1~12特佳，可舉例如二乙基磷酸醯胺、苯基磷酸醯胺等)。
羥基、巰基、鹵素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘
原子)、氰基、磺酸基、羧基、硝基、三氟甲基、羥胺酸基、亞磺酸基、肼基、亞胺基、異環基(碳數1~30為佳，碳數1~12較佳，作為異原子，可舉例如氮原子、氧原子、硫原子，具體可舉例如咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、哌啶基、嗎啉基、苯并口咢唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、咔唑基、吖庚因基(azepinyl)等)、矽基(碳數3~40為佳，碳數3~30較佳，碳數3~24特佳，可舉例如三甲基矽基、三苯基矽基等)，矽基氧基(碳數3~40為佳，碳數3~30較佳，碳數3~24特佳，可舉例如三甲基矽基氧基、三苯基矽基氧基等)等，特佳的取代基，如氰基、三氟甲基、鹵素原子、烷基、芳香基、胺基、雜環基。
接著，合成環金屬化銥錯合物的反應，係藉由本發明的通式(1)所表示的銥原料與上述芳香族雜環雙牙配位基反應來進行。
上述反應，可在空氣或是惰性氣體(氮、氬等)周圍環境下進行，在惰性氣體周圍環境下進行較佳。
本發明中，為了更順利地進行上述反應，亦可在合成反應的反應系統中添加溶劑。在不添加溶劑的情況中，合成反應的反應溫度
200℃~300℃為佳，反應時間10小時~20小時為佳。
作為添加至反應系統的溶劑，可舉例如飽和脂肪族烴、鹵化
脂肪族烴、酮類、醯胺類、酯類、芳香族烴、鹵化芳香族烴、含氮芳香族化合物、醚類、腈類、醇類、離子性液體等各種的有機溶劑。具體而言，宜使用十三烷、乙二醇、丙三醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、咪唑鹽、二甲基亞碸、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇等，又，亦宜使用包含兩種以上之上述溶劑的混合溶劑。
作為上述溶劑，常壓下之沸點為160℃~300℃者為佳，
170℃~300℃者較佳，180℃~300℃者特佳。
在環金屬化銥錯合物的合成中使用溶劑的情況下，在反應系
統內雖未限制通式(1)之銥原料的濃度，但0.001莫耳/L~10.0莫耳/L為佳，0.001莫耳/L~1.0莫耳/L較佳，0.01莫耳/L~1.0莫耳/L特佳，0.05莫耳/L~0.5莫耳/L最佳。
通式(1)的有機銥原料，係具有非對稱β-二酮的非對稱構
造，故熔點低，在室溫下為液體狀態，或是容易藉由加熱成為液體狀態。
因此，該原料特別適合在無溶劑之下進行合成。
以上說明之環金屬化銥錯合物的合成反應，為了促進反應，
亦可適當加入酸性物質或鹼性物質。酸性物質，促進β-二酮配位基的脫離，另一方面，鹼性物質促進芳香族雜環雙牙配位基的環金屬化反應。然而，因為添加酸性物質或是鹼性物質，發生銥原料、芳香族雜環雙牙配位基或是環金屬化銥錯合物分解的情形，而具有環金屬化銥錯合物的產率及純度降低的傾向，故期望不添加酸性物質或鹼性物質。具體而言，在使用通式
(6)及通式(7)中所記載的芳香族雜環雙牙配位基的情況，若在反應系統中添加酸性物質，則環金屬化銥錯合物的產率大幅降低，會有大多幾乎無法產出的情形。
添加上述酸性物質的情況，可應用在反應系統內作為質子源
者，或是能夠如路易士酸、固體酸等接受電子對者。為乙酸、乙二酸、戊酸、丁酸、酒石酸等的有機酸，鹽酸、硫酸、磷酸等的無機酸等的質子酸特佳。該等酸可單獨使用，或是作為兩種以上的混合物使用。又，該等酸性物質，沸點在150℃以上為佳。這是因為酸性物質的沸點若低於反應溫度，則酸性物質回流，反應系統內的溫度難以上升至使反應進行的充分溫度。
添加酸性物質的情況中，使酸性物質與銥原料的莫耳比為：
相對於銥原料1莫耳，酸性物質為0.5莫耳以上，(酸性物質：銥原料)0.5：1~20：1為佳，3：1~20：1較佳。若相對於銥原料1莫耳，酸性物質少於0.5莫耳，則無法得到充分的反應促進效果，而無法在短時間內結束反應，故不恰當。相對銥原料1莫耳只要酸性物質在0.5莫耳以上，則無特別上限，但若酸性物質的添加量多於必要以上，則不具有經濟效益。
添加鹼性物質的情況中，可舉例如包含鹼金屬的無機鹽基、
脂肪族胺或芳香族胺等的有機胺、鹼金屬烷氧化物等，該等化合物可單獨使用，或是作為兩種以上的混合物使用。可舉例如：碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、羥化鈉、羥化鉀、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三乙醇胺、三異丙胺、三異丁胺、質子海綿(proton sponge)、二氮雙環十一烯、吡啶、2-苯吡啶、甲醇鈉、第三丁醇鈉、第三丁醇鉀等，宜為碳酸氫
鈉、碳酸氫鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、三乙醇胺等，特別宜為碳酸鈉或是碳酸鉀。
添加鹼性物質的情況中，鹼性物質與銥原料的莫耳比，相對
銥原料1莫耳鹼性物質在0.001莫耳以上為佳，(鹼性物質：銥原料)0.01：1~5：1較佳，0.01：1~3：1特佳。所使用之鹼性物質的使用量雖無限制，但若多於必要以上，則通式(1)的銥原料會分解，故較為不佳。
在合成環金屬化銥錯合物時，反應溫度100℃~300℃為佳，150℃~300℃較佳，180℃~300℃特佳。
在合成環金屬化銥錯合物時，反應時間1~100小時為佳，3~80小時較佳，5~50小時特佳。
環金屬化銥錯合物的合成中，加熱方法並未特別限定。具體而言，可使用油浴、砂浴、加熱包(mantle heater)、加熱區塊(block heater)、熱循環式套管進行外部加熱，更可使用微波照射進行加熱等。
環金屬化銥錯合物的合成，通常雖在常壓下進行，亦可因應必要，在加壓下或是減壓下進行。
環金屬化銥錯合物的合成中，芳香族雜環雙牙配位基的使用量雖未特別限制，但相對銥原料為3~100倍莫耳為佳，3~50倍莫耳較佳，3~30倍莫耳特佳，3~10倍莫耳最佳。
本發明的製造方法中，宜一邊將上述環金屬化銥錯合物合成中的副產物「非對稱的β-二酮」從反應系統中蒸餾去除，一邊進行合成。將β-二酮蒸餾去除的方法，並未特別限制，但可使用例如，日本特開2004-337802號公報以及國際公開第2006/014599號小冊等所記載的方法。
藉由以上說明之合成方法所得之環金屬化銥錯合物，係在以
一般的後處理方法進行處理之後，若有必要則進行精製，或是可不進行精製即作為高純度製品使用。作為後處理的方法，可單獨使用例如，藉由萃取、冷卻、添加水或有機溶劑所造成的結晶、將來自反應混合物的溶劑蒸餾去除的操作等，或是組合上述方法。作為精製的方法，可單獨使用再結晶、蒸留、昇華或是柱式層析法等，或是組合上述方法。
根據本發明的製造方法，作為所製造之環金屬化銥錯合物，
為雙環金屬化銥錯合物或參環金屬化銥錯合物為佳，為參環金屬化銥錯合物較佳。作為此種環金屬化銥錯合物的具體例，記載於日本特開2007-224025號公報、日本特開2006-290891號公報、日本特開2006-213723號公報、日本特開2006-111623號公報、日本特開2006-104201號公報、日本特開2006-063080號公報、日本特表2009-541431號公報、日本特表2009-526071號公報、日本特表2008-505076號公報、日本特表2007-513159號公報、日本特表2007-513158號公報、日本特表2002-540572號公報、日本特表2009-544167號公報、日本特表2009-522228號公報、日本特表2008-514005號公報、日本特表2008-504342號公報、日本特表2007-504272號公報、日本特表2006-523231號公報、日本特表2005-516040號公報、國際公開第2010/086089號小冊等。
接著，吾人思及多個因素作為以使用通式(1)的銥原料改
善環金屬化銥錯合物之產率的理由。因此，雖非特定於單一因素，但本案發明人等的想法如下。
首先舉例，構成本發明原料的β-二酮配位基的沸點，高於三
(2,4-戊酮基)銥(III)的配位基，即2,4-戊酮，而具有伴隨反應進行所產生的β-二酮難以使反應溶液之溫度降低的情形。
接著，本發明的原料，具有非對稱構造的β-二酮配位基，在
原料的結晶性變差的同時，熔點下降，容易在室溫下或是藉由加熱形成液體狀態。特別是包含兩種幾何異構物的情況，這樣的傾向係為顯著。吾人認為，藉由使原料為液體狀態，改善與芳香族雜環雙牙配位基的親和性，而成為反應性良好的材料。
更進一步，吾人認為，本發明的原料在環金屬化銥錯合物的
合成反應中，藉由加熱而成為液體狀態，而因為抑制了昇華的現象，故解決了三(2,4-戊酮基)銥(III)所具有的問題點(因為昇華而將原料去除至反應系統外)。
此外，吾人認為，本發明的原料，以低於2,4-戊酮三(2,4-
戊酮基)銥(III)的溫度，使β-二酮配位基容易脫離。此現象，在使用TG-DTA同時測定裝置評估銥原料之熱穩定性的結果中變得明確(參照下述實施例)。
吾人認為，因為上述的複數原因複雜地組合，故藉由使用本發明之通式(1)所表示的銥原料，可改善環金屬化銥錯合物的產率。
使用本發明之原料所得的環金屬化銥錯合物，不包含來自銥原料的對於發光元件特性有不良影響的氯，藉由使發光元件之發光層或是包含發光層的複數有機化合物層含有該錯合物，可成為發光效率及耐久性比以往優良的發光元件。
如以上所說明，根據本發明，相較於使用2,4-戊酮三(2,4-
戊酮基)銥(III)的情況，可以低反應溫度產率良好地得到環金屬化銥錯合物。
接著藉由實施例詳細說明本發明，但本發明並不限定於此。以下表示實施例中所使用的化合物的構造。
本發明的銥原料(A-3)，係參考日本特開2003-321416號公
報而進行合成。在使用1H-NMR、氣體層析法、高速液體層析法進行分析時，面式異構物與經式異構物的莫耳比率為1：3。以下所示的環金屬化銥錯合物的合成例係以此態樣直接使用。
本發明的銥原料(A-7)，係參考日本特開2003-64019號公報
進行合成。使用1H-NMR、氣體層析法、高速液體層析法進行分析時，面式異構物與經式異構物的莫耳比率為1：3。以下所示的環金屬化銥錯合物的合成例係以此態樣直接使用。
習知的銥原料，即三(2,4-戊酮基)銥(III)及三(二三甲
基乙醯基)銥(III)(Tris(dipivaloylmethanato)iridium(III))Ir(DPM)3，係參考日本特開平7-316176號公報、日本特開平8-85873號公報等進行合成。其用於以下所示的環金屬化銥錯合物的合成例(比較例)。
將化合物(A-7)(344mg)、化合物(A)(558mg)以及乙二醇(30ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行15小時的加熱反應。在將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為22%。又，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將化合物(A-7)(95mg)、化合物(A)(158mg)以及乙二醇(8.5ml)在氬氣周圍環境下，以140℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為9%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將化合物(A-7)(344mg)、化合物(A)(558mg)，及1,3-丙二醇(5ml)在氬氣周圍環境下，以190℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為35%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物、1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將化合物(A-3)(369mg)、化合物(A)(558mg)以及乙二醇(5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為7%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物、1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將三(2,4-戊酮基)銥(III)(98mg)、化合物(A)(186mg)及乙二醇(5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。完全無法得到化合物(1)。
將三(2,4-戊酮基)銥(III)(98mg)、化合物(A)(186mg)以及乙二醇(5ml)在氬氣周圍環境下，以140℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。完全無法得到化合物(1)。
將Ir(DPM)3(71mg)、化合物(A)(93mg)以及乙二醇
(5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。完全無法得到化合物(1)。
將化合物(A-7)(344mg)、化合物(A)(558mg)、磷酸85%水溶液(69mg)以及乙醇(5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為36%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
三(2,4-戊酮基)銥(III)(98mg)、化合物(A)(186mg)、磷酸85%水溶液(69mg)以及乙二醇(10ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為12%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將化合物(A-7)(344mg)、化合物(A)(558mg)、磷酸85%水溶液(69mg)以及乙二醇(5ml)置入茄型燒瓶，並設置於安裝有回流冷卻管的微波照射裝置，在氬氣周圍環境下，照射微波30分鐘。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為31%。此外，所得之化
合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將化合物(A-3)(369mg)、化合物(A)(558mg)、磷酸85%水溶液(69mg)以及乙二醇(5ml)置入茄型燒瓶，並設置於安裝有回流冷卻管的微波照射裝置，在氬氣周圍環境下，照射微波30分鐘。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為17%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將三(2,4-戊酮基)銥(III)(294mg)、化合物(A)(558mg)、磷酸85%水溶液(69mg)以及乙二醇(5ml)置入茄型燒瓶，並設置於安裝有回流冷卻管的微波照射裝置，在氬氣周圍環境下，照射微波30分鐘。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為8%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
不在反應系統中添加溶劑，而在氬氣周圍環境下，以250℃(砂浴溫度)使化合物(A-7)(344mg)與化合物(A)(558mg)進行加熱反應17小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為80%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
不在反應系統中添加溶劑，而在氬氣周圍環境下，以250℃(砂浴溫度)使化合物(A-7)(344mg)與化合物(A)(558mg)進行加熱反應7小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為55%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
不在反應系統中添加溶劑，在氬氣周圍環境下，以250℃(砂浴溫度)使三(2,4-戊酮基)銥(III)(294mg)與化合物(A)(558mg)加熱反應17小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為57%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
不在反應系統中添加溶劑，在氬氣周圍環境下，以250℃(砂浴溫度)使三(2,4-戊酮基)銥(III)(294mg)與化合物(A)(558mg)加熱反應7小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(1)。化合物(1)的分離產率為30%。此外，所得之化合物(1)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將化合物(A-7)(344mg)、化合物(B)(738mg)以及乙二醇(5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(2)。化合物(2)的分離產率為25%。此外，所得之化合物(2)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將三(2,4-戊酮基)銥(III)(294mg)、化合物(B)(738mg)以及乙二醇(5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(2)。化合物(2)的分離產率為8%。此外，所得之化合物(2)，並未檢測出面式異構物、1H-NMR中經式異構物。
化合物(A-7)(172mg)、化合物(C)(396mg)以及乙二醇(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(3)。化合物(3)的分離產率為18%。此外，所得之化合物(3)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將三(2,4-戊酮基)銥(III)(147mg)、化合物(C)(396mg)以及乙二醇(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反
應15小時。完全無法得到化合物(3)。
將Ir(DPM)3(71mg)、化合物(C)(132mg)以及乙二醇(5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。完全無法得到化合物(3)。
化合物(A-7)(172mg)、化合物(C)(396mg)以及乙二醇(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以210℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(3)。化合物(3)的分離產率為22%。此外，所得之化合物(3)為面式異構物在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
三(2,4-戊酮基)銥(III)(147mg)、化合物(C)(396mg)以及乙二醇(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以210℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(3)。化合物(3)的分離產率為2%。此外，所得之化合物(3)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
不在反應系統中添加溶劑，在氬氣周圍環境下，以250℃(砂浴溫度)使化合物(A-7)(172mg)與化合物(C)(396mg)進行加熱反應17小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR
進行化合物的鑑別，以確認化合物(3)。化合物(3)的分離產率為63%。此外，所得之化合物(3)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
不在反應系統中添加溶劑，在氬氣周圍環境下，以250℃(砂浴溫度)使三(2,4-戊酮基)銥(III)(147mg)與化合物(C)(396mg)進行加熱反應17小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(3)。化合物(3)的分離產率為16%。此外，所得之化合物(3)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將化合物(A-7)(172mg)、化合物(C)(396mg)以及十三烷(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以250℃(砂浴溫度)進行加熱反應17小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(3)。化合物(3)的分離產率為27%。此外，所得之化合物(3)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將三(2,4-戊酮基)銥(III)(147mg)、化合物(C)(396mg)以及十三烷(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以250℃(砂浴溫度)進行加熱反應17小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(3)。化合物(3)的分離產率
為3%。此外，所得之化合物(3)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
將化合物(A-7)(115mg)、化合物(D)(298mg)以及乙二醇(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(4)。化合物(4)的分離產率為15%。此外，所得之化合物(4)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
三(2,4-戊酮基)銥(III)(98mg)、化合物(D)(298mg)以及乙二醇(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以180℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(4)。化合物(4)的分離產率為0.5%。此外，所得之化合物(4)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
化合物(A-7)(115mg)、化合物(D)(298mg)以及乙二醇(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以210℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(4)。化合物(4)的分離產率為30%。此外，所得之化合物(4)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
三(2,4-戊酮基)銥(III)(98mg)、化合物(D)(298mg)以及乙二醇(2.5ml)在氬氣周圍環境下，以210℃(油浴溫度)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，以甲醇洗淨析出之固體。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，以確認化合物(4)。化合物(4)的分離產率為10%。此外，所得之化合物(4)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
不在反應系統中添加溶劑，在氬氣周圍環境下，以270℃(砂浴溫度)使化合物(A-7)(344mg)與化合物(E)(659mg)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，添加二氯甲烷(5ml)，並使其通過矽藻土(Celite)層進行過濾，以去除沈殿物。將所得之橘色的過濾液濃縮，所析出之固體再以矽膠層析法(溶析液：二氯甲烷-己烷的混合溶劑)精製。使用1H-NMR進行化合物的鑑別，確認化合物(5)與化合物(6)。化合物(5)的分離產率為27%。化合物(6)的分離產率為60%。此外，所得之化合物(5)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
不在反應系統中添加溶劑，在氬氣周圍環境下，以270℃(砂浴溫度)使三(2,4-戊酮基)銥(III)(294mg)與化合物(E)(659mg)進行加熱反應15小時。將反應混合物冷卻至室溫後，添加二氯甲烷(5ml)，通過矽藻土層進行過濾，以去除沈殿物。將所得之橙色過濾液濃縮，所析出之固體再以矽膠層析法(溶析液：二氯甲烷-己烷的混合溶劑)精製。使
用1H-NMR進行化合物的鑑別，確認化合物(5)與化合物(6)。化合物(5)的分離產率為15%。化合物(6)的分離產率為50%。此外，所得之化合物(5)為面式異構物，在1H-NMR中並未檢測出經式異構物。
從以上的實施例及比較例中可瞭解，使用(A-3)或是(A-7)
的銥原料的情況，與使用三(2,4-戊酮基)銥(III)或Ir(DPM)3的情況相比，可產率良好地合成環金屬化銥錯合物。
接著，為了使環金屬化銥錯合物的產率提升的原因明確，使
用TG-DTA同時測定裝置分析(A-3)、(A-7)、Ir(acac)3的熱穩定性。
具體而言，使用TG-DTA同時測定裝置，對各有機銥原料進
行熱穩定性的評估。將升溫速度設為5℃/min，在氮氣體氣流下(200ml/min)，於常壓下升溫，以測定重量減少5%之溫度。測定結果顯示於表1。
表1中明確顯示，實施例(A-3)與(A-7)的重量減少5%之溫度，相較於比較例Ir(acac)3，分別低了9℃及41℃。該結果暗示，(A-3)與(A-7)的β-二酮配位基，以低於Ir(acac)3的溫度脫離。
本發明的通式(1)所表示的銥原料中，β-二酮配位基容易以低於Ir(acac)3的溫度脫離，藉由使用本發明的通式(1)所表示的銥原
料，可以溫和的條件，產率良好地合成環金屬化銥錯合物。
根據本發明，相較於將三(2,4-戊酮基)銥(III)作為原料使用的情況，可產率良好地製造環金屬化銥錯合物，而對於提供有機EL等的磷光材料有所貢獻。
Claims (11)
- 一種環金屬化銥錯合物的原料，其係用於製造環金屬化銥錯合物的有機銥材料所構成的原料中，該有機銥材料，係如下式所示，在銥上配位有非對稱β-二酮的三(β-二酮基)銥(III)；
- 如申請專利範圍第1項之環金屬化銥錯合物的原料，其中該Ra及Rb皆為脂肪族烴基。
- 如申請專利範圍第1或2項之環金屬化銥錯合物的原料，其中該Ra及Rb皆為直鏈狀或是分支鏈狀烴基。
- 如申請專利範圍第1至2項中任一項之環金屬化銥錯合物的原料，其中該Ra及Rb皆為碳數1~20。
- 如申請專利範圍第1至2項中任一項之環金屬化銥錯合物的原料，其中該Rc為氫原子。
- 如申請專利範圍第1至2項中任一項之環金屬化銥錯合物的原料，其中該β-二酮為5-甲基-2,4-己二酮，或是2,4-辛二酮(2,4-Octanedione)。
- 如申請專利範圍第1至2項中任一項之環金屬化銥錯合物的原料，其中該有機銥材料，係由幾何異構物之面式異構物與經式異構物的混合物所構成，且含有任一幾何異構物0.01莫耳%以上。
- 一種環金屬化銥錯合物的製造方法，其係將有機銥材料所構成的環金屬化銥錯合物的原料與形成銥碳鍵結之芳香族雜環雙牙配位基反應以製造環金屬化銥錯合物的方法，其中使用如申請專利範圍第1至7項中任一項之有機銥材料作為該原料。
- 如申請專利範圍第8項之環金屬化銥錯合物的製造方法，其中，芳香族雜環雙牙配位基，係下式所示之化合物的任一種以上；
- 如申請專利範圍第8或9項之環金屬化銥錯合物的製造方法，其中，在無溶劑的情況下使原料與芳香族雜環雙牙配位基反應。
- 如申請專利範圍第8或9項之環金屬化銥錯合物的製造方法，其中，在不存在路易士酸的情況下，使原料與芳香族雜環雙牙配位基反應。
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