TW201528420A - 設備前端模組 - Google Patents

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Toshiyuki Takaoka
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Abstract

提供一種設備前端模組,為可以抑制、防止朝晶圓搬送機器人的高度方向之行程量的增大化(晶圓搬送機器人的大型化)及設備前端模組整體的設置面積的增大化之構成,也可以一邊因應晶圓的大口徑化一邊處理多數片的晶圓。 可以配置成把晶圓搬送機器人(5)配置在內部空間之晶圓搬送室(3)、設成鄰接在晶圓搬送室(3)的前側面(32)之裝載埠(2)、在晶圓搬送室(3)的後側面(33)鄰接半導體處理裝置(M)之設備前端模組(1)中,是採用了分別在晶圓搬送室(3)的兩側面(31)併設2台可以暫時收容晶圓(W)的緩衝工作站(4)在前後方向(A)之構成。

Description

設備前端模組
本發明係有關具備晶圓搬送室、裝載埠及緩衝工作站之設備前端模組。
半導體的製造工程中,為了提升成品率或品質,進行在無塵室內之晶圓的處理。但是,朝元件的高積體化或電路的細微化、晶圓的大型化發展中的今日,關於在無塵室內全面管理細小的微塵方面,無論成本方面或是技術方面都是困難的。為此,近年來,作為取代提升無塵室內整體的清淨度之方法,採用有採取僅就晶圓周圍之局部的空間使清淨度更提升之「微環境方式」,進行晶圓的搬送之其他的處理手段。微環境方式方面,把可以載置用以在高清淨的環境下搬送、保管晶圓之稱為FOUP(Front-Opening Unified Pod)的收納用容器之裝載埠、和晶圓搬送室予以連接在晶圓搬送室的前後方向做配置的模組之所謂設備前端模組(Equipment Front End Module),是擔任重要的任務。
在這樣的設備前端模組下,構成為:在把設 在裝載埠的門口部緊接到設在FOUP的前側面的門扉的狀態下,這些門口部及門扉同時打開,藉由設在晶圓搬送室內的晶圓搬送機器人,可以取出FOUP內的晶圓送到晶圓搬送室內,或是把晶圓從晶圓搬送室內通過裝載埠收納到FOUP內。
在此,裝載埠配置到晶圓搬送室的前側面,介隔著裝載埠藉由晶圓搬送機器人從FOUP內搬送到晶圓搬送室內的晶圓,係在配置在晶圓搬送室的後側面(背面)之半導體處理裝置施以種種的處理或加工後,從晶圓搬送室內通過裝載埠再度被收容到FOUP內。
接著,為了能夠圖求設備前端模組整體的晶圓處理能力的提升,亦習知有在晶圓搬送室的側面配置有可以暫時的臨時載置晶圓之緩衝工作站之構成(參閱專利文獻1)。緩衝工作站構成為:於把以指定間距可以收容複數個晶圓在高度方向成多段狀的內部空間連通到晶圓搬送室的內部空間的狀態,藉由配置在晶圓搬送室內部的晶圓搬送機器人,可以把晶圓收納到緩衝工作站的內部空間、或是取出收納在緩衝工作站的內部空間的晶圓。採用把這樣的緩衝工作站分別在晶圓搬送室的兩側面各配置1台之構成的話,與僅在晶圓搬送室之其中一方的側面配置1台緩衝工作站之構成相比較,可以收納更多的晶圓。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2008-27937號專利公報
在此,於1台緩衝工作站可以收納的晶圓片數,係因緩衝工作站的大小而被制限。從設備前端模組的設置導入現場來看,是要求在單一個設備前端模組中盡可以地處理較多的晶圓,因應這樣的要求,例如考慮有以設定加大緩衝工作站1台份的高度尺寸的方式,擴大緩衝工作站的收納空間,增加晶圓收納片數之態樣。
但是,緩衝工作站的高度尺寸越來越大的話,晶圓搬送機器人的升降行程(高度方向的移動距離)也變長,招致晶圓搬送機器人的大型化。接著,晶圓搬送機器人的大型化,也會連帶讓把晶圓搬送機器人配置在內部的晶圓搬送室大型化,設備前端模組整體的足跡(設置面積)會增大的緣故,希望盡可以避免晶圓搬送機器人的大型化。而且,晶圓搬送機器人的升降行程變長的話,不把晶圓搬送機器人的動作速度設定成比以往還快的話1片份晶圓的搬送處理所需要的時間也會變長,所以也關於這點,隨晶圓搬送機器人的升降行程的成長化來擴大化緩衝工作站的高度方向之收納空間並不是最佳的選擇。
以設備前端模組所處理的晶圓的大小係作為SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)規格而被標準化,但從生產性提升的觀點 來看,是朝晶圓的大口徑化發展,從目前為止的直徑300(半徑150)mm朝直徑450(半徑225)mm的晶圓的遷移是持續推進的。接著,隨晶圓的大口徑化,1片份晶圓的重量也增加,所以晶圓搬送機器人本身的強度也有必要提高,也考慮到藉由晶圓搬送機器人的大型化來實現強度提升。
但是,如上述般,在隨設置面積的增大化而晶圓搬送機器人的大型化是希望抑制在必要最小的限度下,從設備前端模組的設置導入現場來看,是有要求藉由與可以搬送達直徑300mm的晶圓的晶圓搬送機器人為相同或為大致相同規格的晶圓搬送機器人來處理直徑450mm的晶圓。
尚且,經由SEMI規格,在FOUP內或緩衝工作站內中把直徑450mm的晶圓予以複數收容在高度方向的場合,在高度方向相鄰之晶圓彼此的間隔(晶圓槽間距),係設定成比收容直徑300mm的晶圓的場合的晶圓槽間距還大的值;經由晶圓槽間距的關係,應確保用以收容相同片數份的晶圓之高度方向的大小,係比起直徑300mm的晶圓,收容直徑450mm的晶圓的場合是變大。為了確保這樣的晶圓槽間距而擴大緩衝工作站的高度方向之收納空間的方式,係在設計上不得不接受,但因為晶圓槽間距以外的條件使得緩衝工作站的高度尺寸變大的事態,係如上述般,招致晶圓搬送機器人的大型化及設置面積的增大化的緣故,是希望能避免。
本發明,係著眼於這樣的課題而為之,主要得目的是提供有:構成可以防止、抑制晶圓搬送機器人的升降行程量的增大化(晶圓搬送機器人的大型化)及設備前端模組整體的設置面積的增大化,同時也可以一邊對應到晶圓的大口徑化一邊處理多數片的晶圓之設備前端模組。
亦即本發明為有關一種設備前端模組,係具備:把晶圓搬送機器人配置在內部空間之晶圓搬送室、設成鄰接到晶圓搬送室的前側面之裝載埠、以及暫時性可以收容晶圓之緩衝工作站;可以於晶圓搬送室的後側面鄰接半導體處理裝置來做配置。在此,本發明的設備前端模組為至少具備:晶圓搬送室、裝載埠、及緩衝工作站者,半導體處理裝置並非構成本發明的設備前端模組的裝置。
接著,有關本發明的設備前端模組,其特徵為:在晶圓搬送室的兩側面中至少其中一方的側面,併設2台緩衝工作站在晶圓搬送室的前後方向。本發明之「晶圓搬送室的前後方向」,乃是晶圓搬送室的前側面與後側面相對向之方向,與晶圓搬送室的深度方向同義。
如此,為有關本發明的設備前端模組的話,藉由採用所謂在晶圓搬送室之至少其中一方的側面併設2台緩衝工作站在前後方向之嶄新的布局的方式,可以在單一個設備前端模組之緩衝工作站增加可以收容的晶圓片數 的同時,例如,沒有必要因應在1台緩衝工作站可以收容的晶圓片數的增加份來設定加大緩衝工作站之高度方向的收容空間的緣故,也可以迴避直接關聯到晶圓搬送機器人的大型化所致之晶圓搬送機器人的升降行程量的增大化。更進一步,在有關本發明之設備前端模組中,因為是併設2台緩衝工作站在晶圓搬送室的側面之構成的緣故,與僅配置1台緩衝工作站在晶圓搬送室的側面之構成相比較,僅增加1台份的緩衝工作站的設置面積;與為了欲收容多數片晶圓到緩衝工作站而設定加大緩衝工作站之高度方向的收容空間之場合相比較,無法招致晶圓搬送機器人的大型化及晶圓搬送室的大型化這點是有利的。再加上,為本發明的設備前端模組的話,可以把做2台併設的緩衝工作站之1台份的大小設定成與公知的緩衝工作站的大小相同或略相同,於該場合,晶圓搬送機器人或晶圓搬送室也可以適用公知的規格產品,也就這點,與把緩衝工作站的高度尺寸設定成較大之構成相比較,是比較優秀的。
尚且,隨著晶圓的大型化,收容到緩衝工作站的晶圓的高度方向的間距(晶圓槽間距)也一定要確保夠大,為了一定要滿足SEMI規格,該分緩衝工作站的高度尺寸也不得不設定成較大;但若是本發明的設備前端模組的話,為了滿足晶圓槽間距以外的條件(具體方面,是可以把以以往的1台緩衝工作站所可以收容的晶圓片數之例如2倍以上的晶圓收容到緩衝工作站之所謂這樣的條件),可以迴避緩衝工作站的高度尺寸變大之事態。
而且,本發明的設備前端模組,是把併設到晶圓搬送室中任一方的側面之緩衝工作站的台數限定為2台。此乃是,於採用了在晶圓搬送室的側面併設3台以上的緩衝工作站的布局之場合,與併設了2台的緩衝工作站之態樣相比較,緩衝工作站的併設空間也在前後方向變大,足跡也增大,同時,對於併設了3台以上的各緩衝工作站,也產生所謂例如以共通的晶圓搬送機器人進行進出晶圓的處理(搬出入處理)的控制或附帶到晶圓搬送機器人之纜線的處理也變複雜之缺點。
特別是,有關本發明之設備前端模組中,作為晶圓搬送機器人,適用有具備可以使設在前端部的把持部進退移動的臂、與支撐臂的基端部成可以迴旋且行走在晶圓搬送室的寬度方向之行走部者,同時,構成為對各緩衝工作站把持部,沿行走部的行走路徑上之從指定的位置朝各緩衝工作站之直線狀的移動路徑進行進退移動的話,在把持部對各緩衝工作站進行進出之際,與構成為沿著依照沿晶圓搬送室的前後方向(深度方向)之直線狀的移動路徑、及平行於行走部的行走路徑(晶圓搬送室的寬度方向)之直線狀的移動路徑的順序而彎曲之場合相比較,可以縮短把持部的移動距離,可以圖求對緩衝工作站之晶圓的搬出入處理所需要的時間之縮短化。
在此,讓對於併設了2台緩衝工作站的把持部之各個的移動路徑予以一致之2個直線,係相對於一致到行走部的行走路徑之直線,設定成交叉在共通的位置者 為適合,但亦可設定恆交叉在互為相異的位置。
本發明的設備前端模組,乃是包含有僅於晶圓搬送室之其中任一方的側面併設2台緩衝工作站、於另一方的側面不配置緩衝工作站之構成,或僅於晶圓搬送室之其中任一方的側面併設2台緩衝工作站、於另一方的側面配置1台緩衝工作站之構成者;但作為可以確保最多的晶圓的收容片數這點之優異的構成,係可以舉例有分別在晶圓搬送面的兩側面於前後方向併設2台緩衝工作站之構成。
而且,於設備前端模組,進行晶圓的對準的對準器配置在晶圓搬送室之一側面者為通例,也在有關本發明之設備前端模組,可以把對準器配置在晶圓搬送室之其中任一方之側面。該場合,對準器係配置在不干涉到緩衝工作站的位置者為佳,僅於晶圓搬送室之其中一方的側面配置緩衝工作站之構成(第1布局)、或者是於晶圓搬送室的兩側面分別配置緩衝工作站之構成(第2布局)中任一者,皆可把對準器配置在晶圓搬送室中任一方的側面。
於第1布局的場合,於晶圓搬送室之其中一方的側面配置2台緩衝工作站,於該下方配置對準器的話,可以設備前端模組的足跡限制在最小限。而且,於晶圓搬送室之其中一方的側面配置2台緩衝工作站,於另一方的側面配置對準器,於緩衝工作站的高度範圍內設定對準器的高度位置的話,是把朝晶圓搬送機器人的高度方向 的可動範圍限制在最小限,不用使升降驅動用的馬達予以大型化,可以抑制晶圓搬送機器人的大型化、進而晶圓搬送室的大型化。
而且,於第2布局的場合,以在晶圓搬送室之任一方的側面中於緩衝工作站的下方配置對準器的方式,可以一邊確保最大限度的晶圓收容力,一邊抑制設備前端模組的足跡的增大。該場合,是可以把配置在晶圓搬送室之兩側面的緩衝工作站全部設定在相同高度位置,或是把配置在與對準器共通的側面之緩衝工作站,設定在與配置在另一方的側面之緩衝工作站為相異的高度位置。
根據本發明,可以提供一種設備前端模組,其可以藉由採用所謂在晶圓搬送室之至少任一方的側面併設2台緩衝工作站於前後方向之嶄新的布局的方式,可以一邊對應到晶圓的大口徑化、一邊增加在設備前端模組整體之緩衝工作站的晶圓收容片數,可以迴避因緩衝工作站的高度尺寸增大導致晶圓搬送機器人的升降行程量的增大化及晶圓搬送機器人本身的大型化,足跡的增大化也抑制在最小限。
1‧‧‧設備前端模組
2‧‧‧裝載埠
3‧‧‧晶圓搬送室
4‧‧‧緩衝工作站
5‧‧‧晶圓搬送機器人
6‧‧‧把持部
7‧‧‧臂
8‧‧‧行走部
9‧‧‧對準器
31‧‧‧側面
M‧‧‧半導體處理裝置(晶圓處理裝置)
〔圖1〕示意性表示有關本發明之其中一實施方式的 設備前端模組及其周邊裝置的相對位置關係之俯視圖。
〔圖2〕圖1之X方向箭頭方向視圖。
〔圖3〕有關同實施方式之設備前端模組中,使把持部到達到裝載埠上的FOUP內之圖1對應圖。
〔圖4〕表示有關同實施方式之設備前端模組中,把持部可以進出在前側緩衝工作站的狀態之圖1對應圖。
〔圖5〕有關同實施方式之設備前端模組中,使把持部到達前側緩衝工作站的狀態之圖4對應圖。
〔圖6〕表示有關同實施方式之設備前端模組中,對各緩衝工作站的把持部的移動路徑之圖。
〔圖7〕表示有關同實施方式之設備前端模組中,把持部可以進出在後側緩衝工作站的狀態之圖1對應圖。
〔圖8〕有關同實施方式之設備前端模組中,使把持部到達後側緩衝工作站的狀態之圖7對應圖。
〔圖9〕表示有關同實施方式之設備前端模組中,對各緩衝工作站的把持部的移動路徑之圖。
以下,參閱圖面說明本發明之其中一實施方式。
有關本實施方式之設備前端模組1,係如圖1所示,以設在相互鄰接在共通的無塵室內的位置之裝載埠2、晶圓搬送室3及緩衝工作站4作為主體而構成者。於晶圓搬送室3的後側面33(背面)鄰接設有例如晶圓處 理裝置M(相當於本發明的「半導體處理裝置M」),於無塵室中,於載置在晶圓處理裝置內MS、晶圓搬送室內3S、緩衝工作站內4S及裝載埠2上的晶圓收容器(FOUP)內維持在高清淨度,另一方面,配置了裝載埠2的空間,換言之晶圓處理裝置M外、晶圓搬送室3外及緩衝工作站4外是成為相較性的低清淨度。尚且,圖1係示意性表示裝載埠2、晶圓搬送室3及緩衝工作站4的相對位置關係、及具備這些裝載埠2、晶圓搬送室3及緩衝工作站4之設備前端模組1、與半導體處理裝置M的相對位置關係之俯視圖;圖2為從圖1的X方向所見之設備前端模組1及半導體處理裝置M的示意圖。
裝載埠2係設在鄰接到晶圓搬送室3的前側面32之位置,使於內部可以把複數個晶圓W多段狀收容在高度方向H之未圖示的晶圓收容器(FOUP)的門扉緊接而予以開閉,乃是用以讓晶圓W出入在FOUP內與晶圓搬送室3內之間者。該裝載埠2具備:成為略矩形板狀且以垂直姿勢做配置之框架21、以略水平姿勢設在該框架21之載置台22、以及對於框架21中與載置台22為大致相同高度位置設定開口下緣並連通到晶圓搬送室內3S而成之開口部進行開閉之門口部23。於裝載埠2,可以設有於FOUP內注入沖洗用氣體,可以把FOUP內的氣體環境氣體置換成氮氣等的沖洗用氣體之底部沖洗(bottom purge)裝置。本實施方式的設備前端模組1,係把這樣的裝載埠2,排列複數(在圖示例為3台)台到晶圓搬送室 3的前側面32並予以配置。各裝載埠2,係設定成:可以把藉由以沿晶圓搬送室3的前側面32而延伸之直線上的搬送線(動線)進行作動之OHT(Overhead Hoist Transfer)等之FOUP搬送裝置所搬送的FOUP,從各裝載埠2的上方載置搬送到載置床台22上,同時藉由晶圓處理裝置M可以把收納有結束了指定的處理之晶圓W的FOUP,從各裝載埠2的載置床台22上交接到FOUP搬送裝置。尚且,在本實施方式的設備前端模組1,作為各裝載埠2可以適用已知的製品。
晶圓處理裝置M,乃是鄰接到晶圓搬送室3的後側面33(背面)做配置者,係具備:配置在相對離晶圓搬送室3較遠的位置之晶圓處理裝置本體、以及配置在相對離晶圓搬送室3較近的位置之加載互鎖真空室。在本實施方式,如圖1所示般,在設備前端模組1的前後方向A上,依裝載埠2、晶圓搬送室3、晶圓處理裝置M這樣的順序相互緊鄰配置。
晶圓搬送室3,乃是把可以把晶圓W搬送在FOUP或緩衝工作站4與晶圓處理裝置M之間的晶圓搬送機器人5,設在內部空間3S者。在圖1,表示晶圓搬送機器人5位在3台的裝載埠2中正對中央的裝載埠2之位置的狀態;在圖2,表示晶圓搬送機器人5位在3台的裝載埠2中朝向紙面方向正對左端的裝載埠2之位置的狀態。
在本實施方式,於晶圓搬送室3的內部空間3S配置1台的晶圓搬送機器人5。該晶圓搬送機器人5, 乃是具備如下者:可以使設在前端部的把持部6沿直線狀的移動路徑移動之臂7、以及把構成臂7的基端部之臂基座71支撐成可以迴旋且行走在晶圓搬送室3的寬度方向B之行走部8(本體部)。
臂7,乃是如圖1、圖3乃至圖8所示般,為具備如下者:配置在行走部8的上表面且繞迴旋軸7a周圍成可以水平迴旋的臂基座71、把基端部連結到臂基座7成可以迴旋之第1連結重要元件72、連結到第1連結重要元件72的前端部成可以水平迴旋之第2連結重要元件73、以及乃是連結到第2連結重要元件73的前端部成可以水平迴旋的末端作用器之把持部6。該臂7,乃是在臂長成為最小之折疊狀態(圖1參閱)、與臂長比折疊狀態時還長之伸長狀態(圖3參閱)之間,改變形狀之連結構造(多關節構造)者。在圖1等表示作為把持部6,形成把前端分岐成二股狀之叉狀者,但也可以適用例如把前端形成為平面觀看為略矩形狀者等、形成其他的形狀之把持部6。
這樣的臂7,係一邊使乃是基端部之臂基座71繞迴旋中心軸7a周圍成水平迴旋,或是使連結重要元件72、73彼此水平迴旋在關節部分,並使臂7整體的形狀適宜變形,一邊使把持部6從於圖1等所示之移動起點位置(S)移動到於圖3等所示之移動終點位置(E),可以把晶圓W搬送到指定的搬送目的位置。尚且,在圖1等,例示有相對於共通的臂基座71把利用連結機構(第 1連結重要元件72、第2連結重要元件)及把持部6所構成的組做2組配置之雙把持部型式(把持部6係在高度方向上重複)的臂7,但也可以適用僅有1組連結機構及把持部的臂。後者的場合,亦可以採用不具備臂基座70,把在伸張狀態下離把持部最遠的連結重要元件(在本實施方式相當於第1連結重要元件72)的基端部安裝在行走部8繞迴旋軸周圍成可以水平迴旋之構成。
行走部8,乃是在例如晶圓搬送室3的地板上沿晶圓搬送室3的寬度方向B延伸成直線狀之未圖示的滑動軌可以滑動移動者。在本實施方式中,適用外緣形狀具有平面觀之為略圓形的外周圍面之行走部8,使外周圍面的中心與臂7的迴旋軸7a一致(在圖1等以虛線表示行走部8)。沿滑動軌移動之行走部8之行走路徑8L,乃是延伸在與晶圓搬送室3的前後方向A正交或略正交的方向之路徑。在圖1及圖3等,在使行走部8移動的場合下,行走部8中外周圍面的中心、亦即把臂7的迴旋軸7a所通過的路徑作為行走部8的行走路徑8L並在圖中以單點鏈線表示。
本實施方式的設備前端模組1中,在臂7為折疊狀態下且讓把持部6位置到移動起點位置(S)之把持部6中,從平面觀之,把與臂7的迴旋軸7a為一致處作為把持部基準點6a的話,在臂7為折疊狀態下且在讓把持部6位置到移動起點位置(S)的狀態下使行走部8沿行走路徑8L移動的場合所運動之把持部基準點6a的軌 跡,係與行走部8的行走路徑8L一致。
有關本實施方式之晶圓搬送機器人5,係藉由未圖示的控制部,控制臂7或行走部8的作動。
在本實施方式,對併設到晶圓搬送室3的前側面32之複數個裝載埠2中所已選擇之一個裝載埠2,在把晶圓搬送機器人5的行走部8位置到於晶圓搬送室3的前後方向A中所正對的位置並使其停止的狀態下,以讓把持部6沿晶圓搬送室3的前後方向A從移動起點位置(S)進退移動到移動終點位置(E)之間的方式,可以搬出入晶圓W在各裝載埠2上的FOUP內與晶圓搬送室3內之間(參閱圖1及圖3)。在圖1,表示併設了3台裝載埠2之中,把行走部8位置到正對中央的裝載埠2的位置,且把持部6位於移動起點位置(S)的狀態;在圖3,表示使把持部6從於圖1所示之移動起點位置(S)移動到移動終點位置(E)之狀態。而且,在這些圖1及圖3,把對各裝載埠2之把持部6的移動路徑6L分別以虛線表示。尚且,在本實施方式,把在使把持部6移動的場合讓把持部6運動在移動起點位置(S)與移動終點位置(E)之間的把持部基準點6a的軌跡,視為把持部6的移動路徑6L(後述之6L1、6L2也同樣)。
本實施方式的設備前端模組1構成為:於寬度方向B排列複數個裝載埠2中,把晶圓搬送機器人5的行走部8位置到與中央的裝載埠2正對之位置,且把於圖1所示之臂7的方向(對裝載埠2把持部6可以進出之臂 7的方向)作為臂7的基準角度之場合,在使臂7整體相對於該基準角度180度迴旋在迴旋軸7a周圍的狀態下,藉由使把持部6直線狀進退移動在移動起點位置(S)與到達半導體處理裝置內MS的移動終點位置(E)之間的方式,搬送晶圓W在晶圓搬送室3與半導體處理裝置M(具體方面為加載互鎖真空室)之間。亦即,本實施方式的設備前端模組1,係可以藉由晶圓搬送機器人5,進行對晶圓處理裝置M之晶圓的搬出入處理。
更進一步,本實施方式的設備前端模組1,係如圖4乃至圖9所示般,構成可以在緩衝工作站4的臨時載置部41與晶圓搬送室內3S之間進行搬出入。在本實施方式,於晶圓搬送室3的兩側面31,配置併設2台緩衝工作站4在晶圓搬送室3的前後方向A。因此,本實施方式的設備前端模組1,為具備合計4台緩衝工作站4者。
於各緩衝工作站4,具備臨時載置部41,其於高度方向H以指定間距形成複數個可以把複數片的晶圓W暫時性臨時載置之晶圓保持用槽42。本實施方式的臨時載置部41,係如圖1及圖2等所示般,構成:在對向於高度方向H之上壁43與下壁44之間設有複數個柱45,於各柱45以指定間距形成晶圓W的一部分可以進入之晶圓保持用槽42(切入口),藉由位於相同高度位置之各個槽42可以保持晶圓W。尚且,在圖2,於臨時載置部41中僅表示收容在最上段及最下段之晶圓W,省略晶圓保持用槽42。
在本實施方式,構成可以收容直徑450mm的晶圓W到緩衝工作站4。於FOUP內或緩衝工作站4中相鄰在高度方向H之晶圓W彼此的間距(晶圓槽間距),係以SEMI規格來製定,本實施方式之緩衝工作站4的晶圓保持用槽42的間距也依SEMI規格設定成指定的值。在本實施方式的設備前端模組1,係適用每1台可以收容25片的晶圓W之緩衝工作站4,藉由4台緩衝工作站4構成可以收容最多100片的晶圓W。尚且,於1台緩衝工作站4可以收容的晶圓W的片數是可以適宜設定,但晶圓W的收容片數越多的話各緩衝工作站4的高度尺寸也越大。在SEMI規格中,如上述般,直徑450mm之晶圓W的晶圓槽間距,是設定成比直徑300mm之晶圓W的晶圓槽間距還大的值的緣故,在緩衝工作站4之晶圓W的收容片數為相同數目的場合,於構成可以收容直徑450mm的晶圓W方面,被要求有僅以晶圓槽間距單位的增加份來設定增大高度方向H的收容空間。接著,因應於晶圓W的收容片數的增加來設定增大緩衝工作站4的高度尺寸的話,晶圓搬送機器人5的高度方向H的移動距離(升降行程)也一定得要設定成更長,隨升降行程的增大晶圓搬送機器人5的控制變複雜,把應對應到較長的升降行程之晶圓搬送機器人5予以大型化並實現晶圓搬送機器人5本身的強度提升之場合方面,會導致晶圓搬送室3的大型化及足跡(設置面積)的增大化。
在此,在本實施方式的設備前端模組1,考慮 到可以適用在處理達直徑300mm的晶圓之設備前端模組1之左右各1台的緩衝工作站為1台份可以收容25片晶圓者,以使用1台份可以收容25片晶圓W的緩衝工作站4的方式,對於緩衝工作站4的高度大小的大型化,是受限於考慮到晶圓槽間距之必要最小限度,也對於晶圓搬送機器人5的升降行程,也設定成與到達這些設備為略相同或若干長的值。本實施方式的設備前端模組1,係配置這樣的緩衝工作站4合計4台在晶圓搬送室3的側面31中相同高度位置。
於各緩衝工作站4,構成為:形成容許晶圓搬送機器人5對臨時載置部41進出之緩衝開口部4K,通過這些緩衝開口部4K,晶圓搬送機器人5的把持部6可以移動在緩衝工作站內4S與晶圓搬送室3內3S之間。在此,排列在前後方向A(深度方向)之2台緩衝工作站4,係把藉由分別配置在與形成晶圓搬送室3的前側面32之前壁34及形成後側面33之後壁35於前後方向A上略相同位置之緩衝工作站前壁46及緩衝工作站後壁47、以及把這些緩衝工作站前壁46及緩衝工作站後壁47之其中一方的側端部(離晶圓搬送室3較遠方的側端部)彼此予以連接之緩衝工作站側壁48所圍成之共通的空間,藉由從緩衝工作站側壁48朝向晶圓搬送室3於寬度方向B上突出指定尺寸之分隔壁49,配置成被分隔在前後方向A之各空間4S。
在本實施方式,把相對為前側之緩衝工作站4 (前側緩衝工作站4)中的緩衝開口部4K的開口緣,藉由形成晶圓搬送室3的前側面32之前壁34的側緣、以及分隔壁49的突出端(晶圓搬送室3側的端)來形成的同時,把相對為後側之緩衝工作站4(後側緩衝工作站4)中的緩衝開口部4K的開口緣,藉由形成晶圓搬送室3的後側面33之後壁35的側緣、以及分隔壁49的突出端來形成。
接著,在本實施方式的設備前端模組1,設定緩衝開口部4K的開口緣位置,更具體的說是分隔壁49的位置(突出端的位置),使得於藉由晶圓搬送機器人5在各緩衝工作站4對晶圓W進行搬出入處理之際,把持部6或晶圓W不會接觸到緩衝開口部4K的開口緣。在本實施方式,如圖4等所示般,作為分隔壁49,適用有該突出端未到達晶圓搬送室3的側面31者;設定連結分隔壁49的突出端與晶圓搬送室3的前壁34的側緣之假想直線4L1、及連結分隔壁49的突出端與晶圓搬送室3的後壁35的側緣之假想直線4L2中任一者皆比晶圓W的直徑還長(換言之,各緩衝開口部4K的開口寬度比晶圓W的直徑還大)。
而且,在有關本實施方式之設備前端模組1,通過這樣的各緩衝工作站4的開口部4K,以把持部6在移動起點位置(S)與到達緩衝工作站內4S之移動終點位置(E)之間沿直線狀的移動路徑6L1、6L2進退移動的方式,藉由配置在晶圓搬送室3內的單獨的晶圓搬送機器 人5可以對全部4台緩衝工作站4搬出入晶圓W。
具體方面,在本實施方式的設備前端模組1,併設到晶圓搬送室3的側面31之2台緩衝工作站4中,對於前側緩衝工作站4,晶圓搬送機器人5的把持部6,係以沿行走部8的行走路徑8L上中從指定的位置朝向前側緩衝工作站4之直線狀的移動路徑6L1並在於圖4所示之移動起點位置(S)與於圖5所示之移動終點位置(E)之間進退移動的方式,構成可以搬出入晶圓W在前側緩衝工作站4。於前側緩衝工作站4可以進出之把持部6的移動路徑6L1,乃是把行走部8的行走路徑8L之其中一方的端部,作為起點6L1a(始點)。在此,如圖6所示般,在想像訂定了與行走部8的行走路徑8L一致之直線,並且是比把持部6的移動路徑6L1a的起點6La還要往晶圓搬送室3的側面31側延伸之假想直線8La的場合,從起點6L1a朝向前側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L1與假想直線8L交叉,並開口在晶圓搬送室3的側面31側之該交叉角度θ61,成為比90度還小的角度(銳角)。
同樣,在本實施方式的設備前端模組1,併設到晶圓搬送室3的側面31之2台緩衝工作站4中,對於相對為後側的緩衝工作站4(後側緩衝工作站4),晶圓搬送機器人5的把持部6,係以沿行走部8的行走路徑8L上中從指定的位置朝向後側緩衝工作站4之直線狀的移動路徑6L2並在於圖7所示之移動起點位置(S)與於圖8 所示之移動終點位置(E)之間進退移動的方式,進退移動的方式,構成可以搬出入晶圓W在後側緩衝工作站4。該場合之把持部6的移動路徑6L2,乃是把行走部8的行走路徑8L之其中一方的端部,作為起點6L2a(始點)。亦即,本實施方式的設備前端模組1,係把對排列在前後方向的前側緩衝工作站4及後側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L1、6L2的起點,設定在行走部8的行走路徑8L中之相同位置。在此,如圖6所示般,在想像訂定了與行走部8的行走路徑8L一致之直線,並且是比把持部6的移動路徑6L2的起點6L2a還要往晶圓搬送室3的側面31側延伸之假想直線8La的場合,從起點6L2a朝向前側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L2與假想直線8L交叉,並開口在晶圓搬送室3的側面31側之該交叉角度θ62,成為比90度還小的角度(銳角)。在本實施方式,把該交差角度θ62,設定在例如從19度到25度的範圍內之指定角度。而且,該交叉角度θ62,係與對上述的前側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L1和假想直線8L的交叉角度θ61為相同者為佳,但亦可為相異。
在本實施方式,在對併設到晶圓搬送室3的前側面32之複數台(圖示例為3台)的裝載埠2中靠近晶圓搬送室3的側面31之裝載埠2(兩旁的裝載埠2)上的FOUP而可以做晶圓W的搬出入處理的位置,亦即使晶圓搬送機器人5的行走部8移動到在前後方向A上於正對到該裝載埠2的位置之狀態下,以讓臂7的基端部(在 本實施方式為臂基座71)繞迴旋軸7a周圍做指定角度迴旋(使臂7相對於上述的基準角度做指定角度旋轉)的方式,該迴旋角度之把持部6的進退移動方向與上述的移動路徑6L1、6L2一致,對於併設到晶圓搬送室3的側面31之前側緩衝工作站4或後側緩衝工作站,設定把持部6成可以進出。於圖5、圖6、圖8及圖9,表示沿移動路徑6L1,6L2使把持部6移動的場合中保持在把持部6上之晶圓W的外周緣的軌跡Wa。
尚且,對併設到晶圓搬送室3之另一方的側面31(圖4乃至圖9中朝向紙面為右側面)的2台緩衝工作站4做晶圓W的搬出入處理時的把持部6的移動路徑6L1、6L2,係如圖9所示般,相對於對併設到晶圓搬送室3之其中一方的側面31的2台緩衝工作站4做晶圓W的搬出入處理時的把持部6的移動路徑6L1、6L2,成為以通過晶圓搬送室3的寬度方向中心且延伸在前後方向S之直線3L(與3台的裝載埠2中對中央的裝載埠2之把持部6的移動路徑6L一致之直線3L)作為對稱軸之線對稱的位置關係。亦即,對前側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L1及對後側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L2的起點6L1a、6L2a,係位在行走部8的行走路徑8L上之共通的位置,在想像訂定了與行走部8的行走路徑8L一致之上述的假想直線8La的場合,從起點6L1a朝向前側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L1與假想直線8L的交叉角度θ61、及從起點6L2a朝向後側緩衝工作 站4之把持部6的移動路徑6L2與假想直線8L的交叉角度θ62,係皆成為銳角。
而且,本實施方式的設備前端模組1,係於晶圓搬送室3之其中任一方的側面31設有對準器9。對準器9,乃是於把持部6上之正規性的載置用於載置晶圓W之對位裝置,可以適用公知的製品。在本實施方式,於晶圓搬送室3的側面31中,於設定在比於前後方向A配置排列了2台緩衝工作站4還更下方的領域之對準器配置用空間9S,配置對準器9。本實施方式的設備前端模組1係形成藉由位在至少比緩衝工作站4的底壁40(緩衝工作站底壁40)還下方且配置在於高度方向H相對向的位置之對準器上壁91及對準器底壁92、連續到各個緩衝工作站前壁46、緩衝工作站後壁47及緩衝工作站側壁48且延伸到對準器底壁92之對準器前壁93、對準器後壁94及對準器側壁95所圍成之對準器配置用空間9S,於對準器底壁92上載置對準器9。在本實施方式,分別於晶圓搬送室3的兩側面31形成對準器配置用空間9S,於其中一方的對準器配置用空間9S配置對準器9。
接著,說明有關成為這樣的構成之設備前端模組1的使用方法及作用。
首先、經由未圖示的OHT等的FOUP搬送裝置,FOUP被搬送到裝載埠2,載置到載置台22上。此時,設在例如載置台22之定位用突起,是藉由嵌到FOUP的定位用凹部之方式,可以把FOUP載置到載置台22上 之指定的正規位置。在本實施方式,於在晶圓搬送室3的寬度方向B排列配置了3台裝載埠2的載置台22可以分別載置FOUP。而且,可以構成為:利用檢測FOUP是否被載置到載置台22上之指定的位置之就位感測器(省略圖示),可以構成為檢測FOUP被載置到載置台22上的正規位置。
接著,本實施方式的設備前端模組1,係使例如FOUP內的水分濃度及氧濃度在短時間內下降到各個指定值以下,在FOUP內之晶圓W的周圍環境下,進行比底部沖洗處理開始前還要低濕度環境及低氧環境之底部沖洗處理,接下來,把FOUP的門扉打開在裝載埠2的門口部23,在使FOUP的內部空間與晶圓搬送室3的內部空間3S連通的狀態下,藉由設在晶圓搬送室內3S之晶圓搬送機器人5,依序把FOUP內的晶圓W取出到晶圓搬送室3內。在此,如圖1及圖3所示般,晶圓搬送機器人5,係在對各裝載埠2使行走部8移動到正對晶圓搬送室3的前後方向A之位置的狀態下,以使得把持部6沿著與晶圓搬送室3的前後方向A(換言之與行走部8的行走路徑8L正交的方向)平行的移動路徑6L在移動起點位置(S)與到達FOUP內的移動終點位置(E)之間做直線狀進退移動的方式,可以把FOUP內的晶圓W取出到晶圓搬送室3內。
接下來,本實施方式的設備前端模組1,係把從FOUP內所取出的晶圓W,藉由晶圓搬送機器人5載置 到晶圓處理裝置(具體方面為加載互鎖真空室)的埠上,或是,收容在搬送到緩衝工作站4的臨時載置部41後把晶圓W的外周緣部插入並保持到晶圓保持用槽42的狀態下,或者是搬送到對準器9。
在本實施方式,於晶圓搬送室3中後壁35之寬度方向中央部分,形成連通到晶圓處理裝置內MS(例如未圖示之加載互鎖真空室內)之開口部,在對於該開口部為正對到晶圓搬送室3的前後方向A之位置(該位置乃是,與在寬度方向B上排列複數個裝載埠2中與正中央的裝載埠2正對的位置相同)上有晶圓搬送機器人5的行走部8的狀態下,讓把持部6沿著與晶圓搬送室3的前後方向A平行的移動路徑6L,藉由使得把持部6在移動起點位置(S)、與到達半導體處理裝置內MS之移動終點位置(E)之間做直線狀進退移動的方式,可以把晶圓W搬送在晶圓搬送室3與晶圓處理裝置M之間。
對於對準器9搬出入晶圓W的場合,在與於寬度方向B排列複數個裝載埠2中最靠近對準器9的裝載埠2(圖1等之朝向紙面為左端的裝載埠2)正對的位置上有晶圓搬送機器人5的行走部8的狀態下,讓把持部6沿著晶圓搬送室3的寬度方向B,使得把持部6在移動起點位置(S)、與到達對準器9的移動終點位置(E)之間做直線狀進退移動。經此,可以在晶圓搬送室3與對準器9之間搬送晶圓W。
而且,本實施方式的設備前端模組1,對於排 列複數台(圖示例示為3台)裝載埠2中在兩旁的裝載埠2,在正對到晶圓搬送室3的前後方向A之位置使晶圓搬送機器人5的行走部8停止,把在折疊狀態的臂7整體,繞迴旋軸7a周圍水平迴旋到把持部6的進退方向與朝向前側緩衝工作站4之移動路徑6L1、或是朝向後側緩衝工作站4之移動路徑6L2一致的角度,藉由使得把持部6在移動起點位置(S)、與到達緩衝工作站內4S的移動終點位置(E)之間做直線狀進退移動的方式,可以在晶圓搬送室3與各緩衝工作站4之間搬送晶圓W。
接著,本實施方式的設備前端模組1,係把結束了由半導體處理裝置M所致之適宜的處理製程之晶圓W藉由晶圓搬送機器人5從半導體處理裝置M內直接收納到FOUP內,或是經由緩衝工作站4依序收納到FOUP內,FOUP內的晶圓W全部都結束了由半導體處理裝置M所致之處理製程的話,使裝載埠2的門口部23在緊接到FOUP的門扉之狀態下從開放位置移動到閉止位置,將裝載埠2的開口部及FOUP的搬出入口予以閉止。之後,載置台22上的FOUP係利用未圖示的FOUP搬送機構朝下一個工程運出。
如此,本實施方式的設備前端模組1,係把可以收容多個晶圓W到緩衝工作站4之構成,不用以在緩衝工作站4的高度方向H上擴大晶圓W的收容空間的方式來實現,而是採用構思出在晶圓搬送室3的側面31併設2台的緩衝工作站4到前後方向A之布局的方式來實現 的緣故,是沒有必要因應要收容的晶圓W的片數增加份量來設定增大緩衝工作站4之高度方向H的收容空間、或是把晶圓搬送機器人5的升降行程設定成比以往還要過分地大,可以迴避晶圓搬送室3及晶圓搬送機器人5的大型化。
更進一步,在有關本實施方式之設備前端模組1,是可以把併設2台到晶圓搬送室3的側面31之各緩衝工作站4的大小設定成與公知的緩衝工作站的大小相同或是略相同,晶圓搬送機器人5或晶圓搬送室3也可以適用公知的規格,也就這點,與以把緩衝工作站4的高度尺寸設定成增大的方式來實現晶圓收容片數的增加之構成相比較,是有利的。特別是,在設定成4台緩衝工作站4分別可以收容最多25片的晶圓W之本實施方式中,是可以在設備前端模組1整體收容最多100片的晶圓W到緩衝工作站4。
而且,本實施方式的設備前端模組1,係可以對配置在相同高度位置之4台緩衝工作站4,經由配置在晶圓搬送室內3S之單獨的晶圓搬送機器人3搬送並收容晶圓W,或是把收容在各緩衝工作站4之晶圓W從緩衝工作站4取出後搬送到指定的搬送端(晶圓處理裝置內MS、FOUP內、或者是對準器9)的緣故,可以迴避因應緩衝工作站4的台數份也一定得要增加搬送機器人3的數量之事態,也可以迴避隨搬送機器人3的增加而大幅寬度提高成本。
有關本實施方式之設備前端模組1,係在晶圓搬送室3的側面31併設有2台緩衝工作站4,但是在採用了在晶圓搬送室3的側面31併設有3台以上的緩衝工作站4之布局的場合,與在晶圓搬送室3的側面31併設2台緩衝工作站4之布局相比較,緩衝工作站4的設置空間會擴大到前後方向A,會招致設備前端模組1整體的足跡增大,對於併設了3台以上之各緩衝工作站4,以共通的晶圓搬送機器人5進行晶圓W的搬出入處理之控制或附帶在晶圓搬送機器人5之纜線的處理也變複雜,比起2台的場合,實用性這點會變差。
特別是,有關本實施方式之設備前端模組1,作為晶圓搬送機器人5,適用有具備可以使設在前端部的把持部6進退移動之臂7、以及支撐臂7的基端部成可以迴旋且行走在晶圓搬送室3的寬度方向B之行走部8者,構成對於在晶圓搬送室3的側面31中排列在前後方向A上之前側緩衝工作站4、後側緩衝工作站4,把持部6以把行走部8的行走路徑8L上之指定的位置作為起點6L1a、6L2a並沿著直線狀的移動路徑6L1、6L2進退移動的方式而可以到達各緩衝工作站4。經此,在晶圓搬送機器人5的把持部6對各緩衝工作站4進行進出之際,與順沿著沿晶圓搬送室3的前後方向A(深度方向)之直線狀的移動路徑、及與行走部8的行走路徑8L平行之直線狀的移動路徑而構成的場合相比較,可以縮短把持部6的移動距離,可以實現對緩衝工作站4之晶圓W的搬出入處 理所需要的時間之縮短化(產距時間的縮短化)、進而提升晶圓處理效率。
再加上,本實施方式的設備前端模組1,係以把對在前後方向A排列有2台之各緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L1、6L2,相對於行走部8的行走路徑8L不為平行而是設定成在指定的傾斜方向的方式,如圖1等所示般,作為前側緩衝工作站4之晶圓W的收容位置,可以把晶圓W的外周緣設定在比晶圓搬送室3的前壁34之內向的面(前後方向A上朝向晶圓搬送室3的中心側的面)還要前方的位置,或是做為後側緩衝工作站4之晶圓W的收容位置,可以把晶圓W的外周緣設定在比晶圓搬送室3的後壁35之內向的面(朝向前後方向A中心側的面)還要後方的位置,與把各緩衝工作站4的緩衝開口部4K的開口方向設定成對行走部8的行走路徑8L成平行的方向且設定成把持部6順著與行走部8的行走路徑8L平行之直線狀的移動路徑之態樣相比較,可以把規定晶圓搬送室3的內部空間3S的深度尺寸之前壁34與後壁35之內向的面彼此的相離尺寸設定成相對較小。
特別是,本實施方式的設備前端模組1,係把對於排列在前後方向A之各緩衝工作站4之把持部6的移動路徑6L1、6L2的起點6L1a、6L2a設定在與行走部8的行走路徑8L上的相同位置的緣故,可以把在對排列在晶圓搬送室3之相同側面31的前側緩衝工作站4及後側緩衝工作站4搬出入晶圓W之際的晶圓搬送機器人5的 行走部8的位置予以共通化,與對前側緩衝工作站4之晶圓搬出入處理時的行走部8的位置、與對後側緩衝工作站4之晶圓搬出入處理時的行走部8的位置為相異之場合相比較,可以提升有關晶圓搬送機器人5之控制的效率性。更進一步,在本實施方式的設備前端模組1,把在對前側緩衝工作站4進行搬出入晶圓W之際的把持部6的移動距離(相當於移動路徑6L1)、與對後側緩衝工作站4進行搬出入晶圓W之際的把持部6的移動距離(相當於移動路徑6L2)設定成相同或是略相同長度,更對於晶圓搬送機器人5的控制的單純化(高效率化)有貢獻。
再加上,在本實施方式的設備前端模組1,對排列在前後方向A之2台緩衝工作站的把持部6的移動路徑6L1、6L2彼此在行走部8的行走路徑8L上交叉的角度(在於圖6所示之「θ61」補足有「θ62」的角度),設定成例如指定的銳角(例如45度以下)的緣故,與對前側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑、與對後側緩衝工作站4之把持部6的移動路徑在行走部8的行走路徑8L上以例如比90度還大的角度做交叉的場合相比較,可以防止確保為了在前後方向A配置2台的緩衝工作站4所應確保之前後方向的尺寸(深度尺寸)變得太大之事態。
而且,有關本實施方式之設備前端模組1,在晶圓搬送室3之其中任何一方的側面31排列2台緩衝工作站4的足跡不會增大且在不會干涉到2台的緩衝工作站4的位置配置1台對準器9的緣故,藉由該對準器9可以 進行晶圓W的中心對位處理。而且,有關本實施方式之設備前端模組1,是可以也在設有對準器9之構成中把各緩衝工作站4的高度位置設定成全部相同高度位置。
尚且,本發明並不限定在上述之實施方式。例如,在上述之實施方式中,作為晶圓例示有直徑450mm者,但在有關本發明的設備前端模組所可以處理的晶圓並不限於此,也可以是其他口徑大小的晶圓。晶圓的直徑小的話,晶圓槽間距也可以縮小的緣故,晶圓的收容片數為同樣數目的話,各緩衝工作站的高度大小也可以就僅縮小晶圓槽間距份來小型化。
而且,也可以構成對併設在前後方向之2台緩衝工作站的把持部的各移動路徑的起點(始點),為在與行走部的行走路徑一致的直線(相當於上述的8La)上之互為相異的位置。亦即,在本發明的設備前端模組,是可以選擇與對前側緩衝工作站的把持部的移動路徑一致之直線及與行走部的行走路徑一致之直線的交點,不會和與對後側緩衝工作站的把持部的移動路徑一致之直線及與行走部的行走路徑一致之直線的交點一致之設定。
在上述的實施方式,例示有構成對於全部的緩衝工作站,以配置在晶圓搬送室內之單一的晶圓搬送機器人來可以搬出入晶圓之態樣,但也可以構成藉由複數個晶圓搬送機器人(可以與緩衝工作站的台數為同樣數目,也可以是不同數目)來對各緩衝工作站進行晶圓的搬出入處理之態樣。
而且,作為晶圓搬送機器人,可以適用有構成可以讓把持部僅移動在與晶圓搬送室的前後方向及寬度方向正交之2軸的方向者等,種種的型式。
而且,本發明中,設在設備前端模組之對準器的配置處係可以在晶圓搬送室之其中任何一方的側面。因此,為在晶圓搬送室中其中任何一方的側面僅配置了2台緩衝工作站之構成的話,對準器亦可配置在晶圓搬送室中與配置有緩衝工作站的側面為相同側面,或是配置在另一方的側面(不配置緩衝工作站的側面)。
而且,各緩衝工作站的高度位置為相同者為佳,但考慮到對準器的配置處,也可以硬是設在相異的高度位置。
緩衝工作站1台份的晶圓收容片數也可以是25片以外的片數。
更進一步而且,配置在晶圓搬送室的前側面之裝載埠可以是1台,也可以是複數台。
其他,也就有關各部之具體的構成並不限於上述實施方式,可以在不逸脫本發明的主旨的範圍下做種種變形。
1‧‧‧設備前端模組
2‧‧‧裝載埠
3‧‧‧晶圓搬送室
3S‧‧‧晶圓搬送室內
4‧‧‧緩衝工作站
4L1、4L2‧‧‧假想直線
4S‧‧‧緩衝工作站內
4K‧‧‧緩衝開口部
5‧‧‧晶圓搬送機器人
6(S)‧‧‧把持部(移動起點位置)
6a‧‧‧把持部基準點
6L‧‧‧移動路徑
7‧‧‧臂
7a‧‧‧迴旋軸
8‧‧‧行走部
8L‧‧‧行走路徑
9‧‧‧對準器
21‧‧‧框架
22‧‧‧載置台
23‧‧‧門口部
31‧‧‧側面
32‧‧‧前側面
33‧‧‧後側面
34‧‧‧前壁
35‧‧‧後壁
41‧‧‧臨時載置部
42‧‧‧晶圓保持用槽
43‧‧‧上壁
45‧‧‧各柱
46‧‧‧站前壁
47‧‧‧緩衝工作站後壁
48‧‧‧緩衝工作站側壁
49‧‧‧分隔壁
71‧‧‧臂基座
72‧‧‧第1連結重要元件
73‧‧‧第2連結重要元件
M‧‧‧半導體處理裝置(晶圓處理裝置)
MS‧‧‧晶圓處理裝置內
W‧‧‧晶圓

Claims (4)

  1. 一種設備前端模組,乃是具備:把晶圓搬送機器人配置在內部空間之晶圓搬送室、設成鄰接到該晶圓搬送室的前側面之裝載埠、以及暫時可以收容晶圓之緩衝工作站,可以於前記晶圓搬送室的後側面鄰接半導體處理裝置來做配置之設備前端模組;其特徵為:在前記晶圓搬送室的兩側面中之至少其中任何一方的側面,併設2台前記緩衝工作站在前記晶圓搬送室的前後方向。
  2. 如請求項1之設備前端模組,其中,前記晶圓搬送機器人具備:可以使設在前端部的把持部予以進退移動的臂、以及支撐前記臂的基端部成可以迴旋且行走在前記晶圓搬送室的寬度方向之行走部;構成對併設在前記晶圓搬送室的側面之前記2台的緩衝工作站,前記把持部沿前記行走部的行走路徑上從指定的位置朝向前記各緩衝工作站之直線狀的移動路徑進退移動。
  3. 如請求項1或2之設備前端模組,其中,分別於前記晶圓搬送室之兩側面併設2台前記緩衝工作站在前記前後方向。
  4. 如請求項1或2之設備前端模組,其中,於前記晶圓搬送室之其中任一方的側面配置對準器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10553468B2 (en) 2015-07-27 2020-02-04 Tokyo Electron Limited Substrate storing method and substrate processing apparatus

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6450653B2 (ja) * 2015-06-24 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム
JP2018000126A (ja) * 2016-07-05 2018-01-11 シンフォニアテクノロジー株式会社 細胞搬送装置
KR101980437B1 (ko) * 2017-07-28 2019-06-24 오션브릿지 주식회사 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버
JP6853396B2 (ja) * 2019-03-29 2021-03-31 平田機工株式会社 ロードポート
US20220399219A1 (en) * 2021-06-11 2022-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer alignment apparatus and method for multi-cassette load port
KR102395665B1 (ko) * 2021-11-23 2022-05-09 한국야스카와전기(주) 웨이퍼의 공정장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100267617B1 (ko) * 1993-04-23 2000-10-16 히가시 데쓰로 진공처리장치 및 진공처리방법
JP2001274221A (ja) * 2001-03-21 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置および搬送方法、ならびに処理装置
US7223323B2 (en) * 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
US7695231B2 (en) * 2004-03-08 2010-04-13 Jusung Engineering Co., Ltd. Vacuum pumping system, driving method thereof, apparatus having the same, and method of transferring substrate using the same
JP2005268264A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US8353986B2 (en) * 2005-03-31 2013-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US7824934B2 (en) * 2006-02-24 2010-11-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, parameter management system for substrate processing apparatus, parameter management method for substrate processing apparatus, program, and storage medium
JP2007251090A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置の搬送位置合わせ方法、真空処理装置及びコンピュータ記憶媒体
JP2008027937A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
US7901539B2 (en) * 2006-09-19 2011-03-08 Intevac, Inc. Apparatus and methods for transporting and processing substrates
US8419341B2 (en) * 2006-09-19 2013-04-16 Brooks Automation, Inc. Linear vacuum robot with Z motion and articulated arm
JP5401089B2 (ja) * 2008-12-15 2014-01-29 東京エレクトロン株式会社 異物除去方法及び記憶媒体
JP5139253B2 (ja) * 2008-12-18 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空搬送装置
JP5433290B2 (ja) * 2009-04-20 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び制御装置
JP5463758B2 (ja) * 2009-06-26 2014-04-09 村田機械株式会社 保管庫
TWI458612B (zh) * 2009-11-10 2014-11-01 Intevac Inc 可作z軸運動並具多關節手臂之線性真空機械手
JP5883232B2 (ja) * 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6003011B2 (ja) * 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5456804B2 (ja) * 2012-02-06 2014-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 搬送容器
CN104246977B (zh) * 2012-03-28 2016-10-12 国际电气高丽株式会社 选择性外延生长装置及集群设备
US10424498B2 (en) * 2013-09-09 2019-09-24 Persimmon Technologies Corporation Substrate transport vacuum platform

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10553468B2 (en) 2015-07-27 2020-02-04 Tokyo Electron Limited Substrate storing method and substrate processing apparatus
TWI699848B (zh) * 2015-07-27 2020-07-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板收納方法及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
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