TW201503434A - 壓電器件及壓電器件的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種抑制壓電振動片的諧振頻率變動，製造良率高的壓電器件及其製造方法。該壓電器件包括：壓電振動片(140)，形成著振盪電極(141a)；基底(130)，保持壓電振動片(140)；第一蓋板(120)，在將壓電振動片(140)收容於空腔(150)的狀態下接合於基底(130)，且包含將空腔(150)開口的開口部(122)；及第二蓋板(110)，以將開口部(122)阻塞的方式接合於第一蓋板(120)的表面側；開口部(122)是形成於俯視下包含壓電振動片(140)的除振盪電極(141a)以外的區域(S1)、或除壓電振動片(140)以外的區域(S2)且重疊的位置。
Description
本發明涉及一種壓電器件(device)及壓電器件的製造方法。
以晶體振子為代表的壓電振子(壓電器件)是在陶瓷(ceramics)等封裝體(package)裝載晶體振動片(壓電振動片)，並進行氣密密封或真空密封而成。然而，因電子零件小型化、低背化及低價格化的市場需求提高，陶瓷封裝體的採用變得越來越困難。為了應對這些需求，而提出了使用玻璃封裝體的壓電振子(例如，參照專利文獻1、2)。
作為玻璃封裝體的結構，存在在形成於相互接合的蓋板(lid)及基底(base)中的其中之一的凹部裝載著晶體振動片的結構，或者在具有框部的晶體振動片的表面及裏面接合著蓋板及基底的構成等(例如，參照專利文獻3)。所述結構均能夠以晶片級製造，因此，和現有的陶瓷封裝體相比，可實現小型．低背化，進而可實現低價格化。
當製造如上所述結構的玻璃封裝體時，作為玻璃晶片彼此或者玻璃與晶體晶片的接合法，提出有直接接合法、陽極接合法、金屬壓接接合法、低熔點玻璃接合法、等離子體活化接合法、及離子束(ion beam)活化接合法等。直接接合法是為了獲得充分的接合强度而必須在高溫下進行熱處理，因此，作為晶體振子的接合法仍存在課題。陽極接合法是使用包含鹼離子(alkali ion)的玻璃晶片時的接合方法，且因在接合時伴有氣體產生，因此存在產生內部真空度等劣化之類的問題。
金屬壓接接合法是通過AuSn共晶金屬等金屬進行接合，因此必須將密接層或阻擋層(barrier layer)進行成膜、圖案化(patterning)，從而存在製造成本高之類的問題。低熔點玻璃接合法是在接合時自低熔點玻璃體漿料(paste)伴有氣體產生，因此，存在發生內部真空度等劣化之類的問題。等離子體活化接合法被認為難以在真空中進行接合。離子束活化接合法是通過對晶片照射氬離子束(argon beam)等而使晶片表面清潔化，且通過使該面彼此抵接，而可在常溫下進行各種材料接合(例如，參照專利文獻4)。
該離子束活化接合法一般來說是在同一腔室(chamber)內利用離子束照射進行活化處理、及晶片彼此的接合處理。因此，在活化處理後，立即停止氬供給，且通過真空排氣，而可在保持晶體振子所要求的真空度的狀態下進行接合。但是，在照射離子束時，離子源(ion source)主體的構件或腔室內壁將同時被濺射
(spatter)，因此，在晶片表面將附著這些構成材料(不銹鋼(stainless)或鋁合金)即鐵(Fe)、鉻(Cr)、鋁(Al)(例如，參照專利文獻5)。這樣一來，在離子束活化接合中，伴隨離子束照射，而同時產生晶片表面的濺射(sputtering)作用所引起的蝕刻、及鐵、鉻、鋁附著(沉積)，由此，在玻璃或晶體晶片之間實現牢固的接合。
[專利文獻1]日本專利特開2004-6525號公報
[專利文獻2]日本專利特開2012-74649號公報
[專利文獻3]日本專利特開2000-68780號公報
[專利文獻4]日本專利特開2008-178071號公報
[專利文獻5]日本專利特開2007-324195號公報
作為晶片級的玻璃封裝體的接合法，如上所述，離子束活化接合法因可在室溫下實現壓電器件所要求的真空度，因此被認為最佳。
在玻璃封裝體包含蓋板及基底的類型(type)中，貫通孔配線或連接電極等的各種配線形成於基底的表面等。在裝載於該基底的晶體振動片也形成著振盪電極或引出電極，且該引出電極與基底的連接電極電性連接。而且，即便在具有框部的晶體振動片的表面及裏面上接合著蓋板及基底的類型中，也在基底形成著各種電極，且在晶體振動片也同樣地形成著振盪電極或引出電極。
無論何種類型中，均於在蓋板接合中應用離子束活化接合法的情况下，形成於晶體振動片或基底的電極會因離子束照射而發生因氬的濺射作用引起的蝕刻、及構成腔室內壁的金屬元素沉積。晶體振動片的電極的蝕刻量及金屬附著量是因晶片內的晶體振動片的裝載位置或晶體振動片的形成位置而不同。其分布與晶體振動片的諧振頻率變動量的晶片面內分布等效。在電極的蝕刻量大於金屬附著量的區域，頻率變動量偏移(shift)至正(plus)側，反之，在電極的蝕刻量小於金屬附著量的區域，頻率變動量偏移至負(minus)側。當製造晶體振子時，在晶片接合之後發生此種頻率變動將導致製造良率降低，從而為問題所在。
而且，在專利文獻4中，揭示了在使用等離子體活化接合法或離子束活化接合法的情况下，當照射等離子體或離子束時，預先利用電極罩被覆振盪電極。然而，以晶片級在各壓電振動片的振盪電極設置電極罩較為繁瑣，導致製造成本增加。而且，該電極罩也會被離子束等蝕刻，因此也存在因其金屬元素附著而對振動特性造成影響的可能性。
本發明是鑒於所述問題而完成，其目的在於提供一種製造良率高的壓電器件及其製造方法，通過不使離子束直接照射至形成於壓電振動片的電極，而即便在蓋板的接合中應用離子束活化接合法的情况下，也能防止因離子束照射造成電極蝕刻或電極
上的金屬附著，從而抑制壓電振動片的諧振頻率的變動。
本發明提供一種壓電器件，其特徵在於包括：壓電振動片，形成著電極；基底，保持壓電振動片；第一蓋板，在將壓電振動片收容於空腔(cavity)內的狀態下接合於基底，且包含將空腔開口的開口部；第二蓋板，以阻塞開口部的方式接合於第一蓋板的表面側；開口部形成於在俯視下包含壓電振動片的除電極以外的區域、或除壓電振動片以外的區域且重疊的位置。而且，開口部還可形成於沿著基底與第一蓋板的接合部的位置。
而且，本發明提供一種壓電器件，其特徵在於包括：壓電振動片，包含振動部、包圍振動部的框部、及將振動部與框部連結的固定(anchor)部，且至少在振動部形成著電極；基底，接合於框部的裏面側；第一蓋板，接合於框部的表面側，且包含將框部的內側開口的開口部；及第二蓋板，以阻塞開口部的方式接合於第一蓋板的表面側；開口部形成於在俯視下包含振動部的除電極以外的區域、或除振動部以外的區域且重疊的位置。而且，開口部還可形成於沿著框部的位置。
而且，第二蓋板還可使用將第一蓋板的表面整面覆蓋的形狀的蓋板。而且，第一蓋板與第二蓋板的接合可以利用離子束活化接合法進行接合，且其他接合可以是離子束活化接合法以外的接合。
而且，本發明提供一種包含壓電振動片的壓電器件的製造方法，且特徵在於包括：載置步驟，將壓電振動片載置於基底；
形成步驟，在第一蓋板形成開口部；第一接合步驟，將第一蓋板接合於基底；以及第二接合步驟，使用離子束活化接合法，以阻塞開口部的方式將第二蓋板接合於第一蓋板。
而且，本發明提供一種包含具有振動部及包圍振動部的框部的壓電振動片的壓電器件的製造方法，其特徵在於包括：基底接合步驟，將基底接合於框部的裏面側；形成步驟，在第一蓋板形成開口部；第一接合步驟，將第一蓋板接合於框部的表面側；以及第二接合步驟，使用離子束活化接合法，以阻塞開口部的方式將第二蓋板接合於第一蓋板。
根據本發明，由於在利用第一蓋板覆蓋壓電振動片(振動部)的狀態下實施離子束活化接合法，所以可抑制形成於壓電振動片(振動部)的電極蝕刻、或壓電振動片的電極上的金屬附著。由此，可抑制壓電器件的諧振頻率變動，防止產生不良品，從而可提高製造良率。
10‧‧‧離子束活化接合裝置
20‧‧‧真空腔室
30‧‧‧對準台
40‧‧‧加壓機構
50‧‧‧離子源
60‧‧‧中性化電子源
100、200、300‧‧‧壓電器件
110、210、310‧‧‧第二蓋板
110a、120a、120b、210a、220a、230a、310a、320a、320b、340a‧‧‧接合面
120、220、320‧‧‧第一蓋板
121、231、321、341‧‧‧凹部
122、122a、122b、222、322‧‧‧開口部
130、230、340‧‧‧基底
130a‧‧‧表面
131a、131b、232、342a、342b‧‧‧連接電極
132a、132b、132c、132d、234、343a、343b‧‧‧外部電極
133a、133b、236、336、344a、344b‧‧‧貫通孔配線
140、330‧‧‧壓電振動片
141a、141b、334a、334b‧‧‧振盪電極(電極)
142a、142b、242‧‧‧導電膏
150、250、350‧‧‧空腔
160、260、360‧‧‧密封層
235、343c、343d‧‧‧虛擬電極
331‧‧‧框部
332‧‧‧振動部
333‧‧‧貫通槽
335a、335b‧‧‧引出電極
AW30‧‧‧壓電晶片
BW10、BW30‧‧‧基底晶片
IB‧‧‧氬離子束
LW11、LW31‧‧‧第一蓋板晶片
LW12、LW32‧‧‧第二蓋板晶片
S1、S2‧‧‧區域
圖1(a)、圖1(b)表示第一實施方式的壓電器件，圖1(a)是展開所得的立體圖，圖1(b)是沿圖1(a)的A-A線的剖視圖。
圖2(a)是表示開口部的一例的俯視圖，圖2(b)是表示開口部的其他例的俯視圖。
圖3是表示圖1(a)、圖1(b)所示的壓電振動片的製造步驟的一例的圖。
圖4是離子束活化接合裝置的概略圖。
圖5是表示第二實施方式的壓電器件的剖視圖。
圖6(a)、圖6(b)表示第三實施方式的壓電器件，圖6(a)是展開所得的立體圖，圖6(b)是沿圖6(a)的C-C線的剖視圖。
圖7是表示圖6(a)、圖6(b)所示的壓電器件的製造步驟的圖。
下面，一面參照附圖一面對本發明的實施方式進行說明。但是，本發明並不限定於此。而且，在附圖中，為了說明實施方式，而將一部分放大或强調地記載等適當變更縮小比例進行表現。在以下各圖中，使用XYZ坐標系，對圖中的方向進行說明。在該XYZ坐標系中，將與壓電振動片的表面平行的平面設為XZ平面。在該XZ平面中，將壓電振動片的長邊方向記作X方向，將與X方向正交的方向記作Z方向。將垂直於XZ平面的方向(壓電振動片的厚度方向)記作Y方向。X方向、Y方向及Z方向之各方向是將圖中的箭頭的方向設為+方向，將與箭頭的方向相反的方向設為-方向進行說明。
使用圖1(a)、圖1(b)，對第一實施方式的壓電器件100進行說明。如圖1(a)所示，壓電器件100是包含第二蓋板110、第一蓋板120、基底130、及壓電振動片140的壓電振子。裝載著壓電振動片140的基底130是例如利用包含低熔點玻璃的密封件(seal)160與第一蓋板120進行接合，進而，第一蓋板120與第二蓋板110是利用離子束活化接合進行接合。
第二蓋板110、第一蓋板120、基底130是使用硼矽酸玻璃，但並不限定於此，例如包含鈉玻璃(soda glass)、無鹼玻璃(non-alkali glass)、石英等玻璃，且添加有包含無機氧化物的陶瓷材料的所有玻璃。而且，只要具有接合所需的表面平滑性，還可以是低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)(低溫煆燒陶瓷)或氧化鋁(alumina)等普通陶瓷。用於第二蓋板110、第一蓋板120、基底130的玻璃材料不一定必須相同，但可通過使這些玻璃材料相同，而使熱膨脹率相等，因此，能夠抑制因溫度變化而產生的應力。而且，在通過陽極接合法將第一蓋板120與基底130接合的情况下，還可使用鹼玻璃(alkali glass)。
第二蓋板110是矩形狀的板狀構件。與第一蓋板120的接合面110a具有適合利用離子束活化接合所進行的接合的充分的平滑性(典型的是平均粗糙程度(roughness)Ra為1nm左右)。
第一蓋板120是俯視為矩形狀的板狀構件，且如圖1(a)所示，在裏面側(-Y側的面)設置著凹部121。而且，在凹部121的一部分設置著在Y方向上貫通的開口部122。與第二蓋板110
的接合面120a具有適合利用離子束活化接合所進行的接合的充分的平滑性(典型的是平均粗糙程度Ra為1nm左右)。另一方面，包圍凹部121的面且成為與基底接合的接合面的120b並非需要離子束活化接合所需的平滑性，但也可具有以此為標準的平滑性而形成。
開口部122在將第一蓋板120與基底130接合後，接合第二蓋板110時，發揮用以對壓電振動片140的周圍的空間(空腔)150內抽真空的貫通孔的功能。而且，開口部122是配置在當將第二蓋板110接合於第一蓋板120上時，可降低離子束對壓電振動片140的影響的位置。
基底130為矩形狀的板狀構件。如圖1(b)所示，通過使第一蓋板120的接合面120b接合於基底130的表面(+Y側的面)130a，而形成收納壓電振動片140的空腔150。此外，表面130a中與第一蓋板120的接合面120b相接的部分具有與接合面中的第一蓋板120的接合面120b相同的平滑性。
在基底130的表面130a的-X側形成著在Z方向上排列的矩形狀的連接電極131a、連接電極131b。在基底130的裏面(-Y側的面)，在四角的各角形成著矩形狀的外部電極132a、外部電極132b、外部電極132c、外部電極132d。此外，在圖1(a)中，-X側並且-Z側的外部電極132b成為隱藏在壓電振動片140的陰影下的狀態。外部電極132a與外部電極132b是用作安裝於基板時的一對安裝端子。外部電極132c與外部電極132d是虛擬(dummy)
電極，且不與其他電極電性連接。
在連接電極131a(或連接電極131b)與外部電極132a(或外部電極132b)之間形成著在Y方向上貫通基底130的貫通孔配線133a(或貫通孔配線133b)。通過該貫通孔配線133a(或貫通孔配線133b)將連接電極131a(或連接電極131b)與外部電極132a(或外部電極132b)電性連接。
連接電極131a、連接電極131b及外部電極132a、外部電極132b、外部電極132c、外部電極132d是使用導電性金屬膜。作為金屬膜，例如採用使鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、或者鎳鉻(NiCr)、鎳鈦(NiTi)或鎳鎢(NiW)合金成膜作為基底膜，且在其上將金(Au)、鎳(Ni)或銅(Cu)鍍敷成膜而成的積層結構，或者在其上印刷、煆燒含有銀或銅的粉末粒子的導電膏而成的積層結構。貫通孔配線133a(或貫通孔配線133b)是對形成於基底130的貫通孔鍍銅、或者填充含有銀或銅的粉末粒子的導電膏而形成。
壓電振動片140例如是AT切割(AT-cut)的晶體振子片。在壓電振動片140的表面及裏面形成著金(Au)或銀(Ag)的振盪電極141a、振盪電極141b，且振盪電極141a、振盪電極141b分別利用導電膏142a、導電膏142b電性連接於連接電極131a、連接電極131b。此外，振盪電極141a、振盪電極141b為了提高與晶體的密接性，而使用以鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、或者鎳鉻(NiCr)、鎳鈦(NiTi)或鎳鎢(NiW)合金作為基底膜，且在
其上將金(Au)或銀(Ag)的主電極成膜而成的導電性金屬膜。
於在基底130上裝載著壓電振動片140狀態下，通過從外部電極端子施加信號，而使壓電振動片140振盪，且以達到所需的諧振頻率的方式進行頻率調整。其後，如圖1(b)所示，通過將第一蓋板120與基底130接合，且將第一蓋板120與第二蓋板110接合，而使壓電振動片140成為收容於空腔150的狀態。空腔150內是由真空環境或氮氣等惰性氣體環境密封。
基底130與第一蓋板120必須使用裝載於基底130上的壓電振動片140的諧振頻率不產生頻偏的接合方法進行接合，所以，使用除離子束活化接合法以外的接合法進行接合。也就是說，使用金屬壓接接合、低熔點玻璃接合、陽極接合、等離子體活化接合中的任一種接合法。在使用金屬壓接接合將基底130與第一蓋板120接合的情况下，如圖1(b)所示，在基底130與第一蓋板120的接合部，分別形成著包含金、鋁、或AuSn之類的低熔點金屬等可實施金屬壓接接合的金屬的密封層160。
另一方面，在使用低熔點玻璃接合將基底130與第一蓋板120接合的情况下，在基底130與第一蓋板120的接合部形成著包含低熔點玻璃的密封層160。而且，在使用陽極接合法將基底130與第一蓋板120接合的情况下，將第一蓋板120與基底130的其中之一設為鹼玻璃，將矽(Silicon)(Si)用作密封層160。此外，陽極接合時的電位必須將鹼玻璃側設為負極(cathode)，將相反側設為正極(anode)。而且，在使用等離子體活化接合法將
基底130與第一蓋板120接合的情况下，無需密封層160，但第一蓋板120、基底130的接合面將曝露於氧等離子體，因此存在只能將使用金(Au)的壓電振動片140用作電極的限制。
基底130與第一蓋板120的接合只要壓電振動片140的諧振頻率不產生變化，則無需在真空中接合，也可以在氮氣環境中進行接合，且視情况也可以在大氣中進行接合。
第二蓋板110是利用離子束活化接合而接合於基底130與第一蓋板120的接合體上。如圖2(a)所示，開口部122是形成於在俯視下包含壓電振動片140的除振盪電極141a以外的區域S1的位置且重疊的位置。開口部122的大小為任意。而且，開口部122的形狀並不限定於圓形，可任意為橢圓形狀、扁圓形狀、多邊形狀等形狀。而且，開口部122的數量也為任意，也可形成於兩個部位以上。在形成著兩個以上的開口部122的情况下，可為相同的形狀，而且也可為不同的形狀。此外，圖2(a)的開口部122包含壓電振動片140的振盪電極141a的一部分，但也能夠以只和區域S1重疊的方式形成。
這樣一來，壓電振動片140是除了開口部122以外由第一蓋板120覆蓋，且開口部122形成於包含除振盪電極141a以外的區域S1且重疊的位置，因此，可避免在離子束活化時離子束較多地照射至壓電振動片140的振盪電極141a，或者因離子束照射，從裝置內的構成元件濺射的金屬大面積地附著於振盪電極141a上。其結果，可防止壓電振動片140的諧振頻率變動。另一方面，
能夠通過第一蓋板120的開口部122，對利用基底130與第一蓋板120的接合而形成的空腔150內抽真空。這樣一來，可提供一種即便利用離子束活化接合進行接合，也不會使壓電振動片140的諧振頻率變化，且包含經真空氣密密封的玻璃封裝體的壓電器件100。
而且，如圖2(b)所示，開口部122a還可形成於在俯視下包含除壓電振動片140以外的區域S2且重疊的位置。而且，開口部122a還可沿第一蓋板120的接合面120b(與基底130的接合部)而形成。因使開口部122a沿接合面120b而形成，故可減小與壓電振動片140重疊的部分。而且，在開口部122a中，也與開口部122同樣地，大小等為任意。此外，圖2(b)的開口部122a包含壓電振動片140的一部分，但也能夠以只和區域S2重疊的方式(即以不與壓電振動片140重疊的方式)形成。而且，也可如圖2(b)的虛線所示的開口部122b那樣形成於空腔150的角部。
在如該開口部122a、開口部122b那樣，形成於包含除壓電振動片140以外的區域S2且重疊的位置的情况下，也可以與所述開口部122同樣地，避免離子束較多地照射至壓電振動片140(振盪電極141a)，或被濺射的金屬大面積地附著於振盪電極141a上。最終，可提供一種即便利用離子束活化接合進行接合，也不會使壓電振動片140的諧振頻率變化，且包含經真空氣密密封的玻璃封裝體的壓電器件。
接下來，使用圖3，對壓電器件100的製造方法進行說明。該壓電器件100是利用所謂的晶片級封裝(Wafer-Level Package)的方法而製造。壓電振動片140被實施從壓電晶片切取各個壓電振動片的多重倒角。
壓電振動片140是利用機械加工法而加工成具備所需的頻率特性的外形形狀，且使用金屬掩模(metal mask)，通過濺射法或蒸發法，而在表面及裏面形成振盪電極141a、振盪電極141b。壓電振動片140也可以實施使周邊部薄於中央部的凸面(convex)加工。振盪電極141a、振盪電極141b為了提高與晶體的密接性，而成為將鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、或者鎳鉻(NiCr)、鎳鈦(NiTi)或鎳鎢(NiW)合金作為基底膜，且在此基底膜上積層金(Au)或銀(Ag)的主電極而成的雙層結構。
第二蓋板110、第一蓋板120及基底130是分別進行從第二蓋板晶片LW12、第一蓋板晶片LW11、基底晶片BW10將各自切取的多重倒角。作為這些第二蓋板晶片LW12、第一蓋板晶片LW11、基底晶片BW10，例如使用硼矽酸玻璃。第一蓋板晶片LW11是通過噴砂(sand blast)或濕式蝕刻(wet etching)形成成為空腔150的凹部121及開口部122(形成步驟)。另一方面，在基底晶片BW10，通過噴砂或濕式蝕刻形成貫通配線133a、貫通孔配線133b用的貫通孔。
在基底晶片BW10，例如利用鍍銅或導電膏填充貫通孔，形成貫通孔配線133a、貫通孔配線133b，進而形成利用導電膏142a
等裝載壓電振動片140時的連接電極131a、連接電極131b、及外部電極132a、外部電極132b、外部電極132c、外部電極132d。這些連接電極131a等是作為基底膜，通過在鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、或者鎳鉻(NiCr)、鎳鈦(NiTi)或鎳鎢(NiW)合金膜上將金(Au)、鎳(Ni)或銅(Cu)濺射成膜，且在該基底膜上利用無電解鍍鎳形成電極的方法，或者印刷、煆燒含有銀或銅的粉末粒子的導電膏形成電極的方法等而形成。
接下來，在基底晶片BW10上，利用導電膏142a、導電膏142b裝載各個壓電振動片140(載置步驟)。通過這些導電膏142a、導電膏142b，而將壓電振動片140的振盪電極141a、振盪電極141b與外部電極132a、外部電極132b電性連接。
接下來，裝載於基底晶片BW10上的各個壓電振動片140的諧振頻率以成為所需的諧振頻率的方式，利用頻率調整裝置進行調整(頻率調整步驟)。該頻率調整步驟是通過一邊監控(monitor)各個壓電振動片140的諧振頻率，一邊在達到所需的諧振頻率之前，利用設置於頻率調整裝置內的離子束產生器(ion beam generator)將振盪電極141a濺射去除而進行。
接下來，進行已完成頻率調整的基底晶片BW10與第一蓋板晶片LW11的接合(第一接合步驟)。在第一蓋板晶片LW11，在收納各個壓電振動片140的位置設置著成為空腔150的凹部121及開口部122。接合必須利用壓電振動片140的諧振頻率不產生變化、即不對壓電振動片140賦予質量變化的接合方法來進行接合。
為此，通過除離子束活化接合法以外的接合法即低熔點玻璃接合、金屬壓接接合、陽極接合、等離子體活化接合中的任一種接合法進行接合。
例如，在低熔點玻璃接合的情况下，可通過如下方式進行接合，即，在對包圍第一蓋板120的凹部121且成為與基底130的接合面的120b印刷成為密封層160的低熔點玻璃料(glass frit)之後，將印刷著玻璃料的密封層160的第一蓋板晶片LW11對準(alignment)地重疊於基底晶片BW10上，在氮氣環境中加熱到低熔點玻璃料的玻璃軟化點附近的溫度，且對晶片施加均勻的負荷。在金屬壓接接合的情况下，使用如Au或鋁、AuSn之類低熔點金屬等可實施金屬壓接接合的金屬作為密封層160來代替低熔點玻璃料。
另一方面，在陽極接合的情况下，必須至少將基底晶片BW10與第一蓋板晶片LW11中的其中之一設為鹼玻璃，且在另一個密封面(120b或130a)塗布有(coating)矽(Si)。在陽極接合中，對基底晶片BW10與第一蓋板晶片LW11之間施加200℃~400℃的高溫和1kV左右的高電壓進行接合。可通過將鹼玻璃側設為負極，將另一側設為正極而進行牢固的接合。此外，在進行陽極接合時，已知會產生氧氣，但由於在第一蓋板晶片LW11設置著開口部122，所以產生的氧可通過該開口部122排出至外部，因此，不會對壓電振動片140的特性造成影響。
而且，在將等離子體活化接合用於基底晶片BW10與第
一蓋板晶片LW11的接合的情况下，各個接合面(120b與130a)將曝露於氧等離子體。因此，在壓電振動片140上的振盪電極141a不是作為非氧化性金屬的Au電極的情况下，將導致電極被氧化，壓電振動片的諧振頻率大幅度頻偏。即，對Ag電極的壓電振動片無法採用等離子體活化接合，從而可應用等離子體活化接合的只限定於Au電極的壓電振動片。
接下來，在第一蓋板晶片LW11上，利用離子束活化接合法接合第二蓋板晶片LW12(第二接合步驟)。離子束活化接合法是在高真空下進行的接合法，且利用基底晶片BW10與第一蓋板晶片LW11的接合而形成的空腔150內經由在第一蓋板晶片LW11開口的開口部122被高真空地排氣。而且，由於壓電振動片140及其上的振盪電極141a由第一蓋板120所覆蓋，所以，即便照射離子束，也可避免振盪電極141a被蝕刻，或者因離子束的照射而導致濺射的裝置內金屬較多地附著於壓電振動片140上。其結果，可不使壓電振動片140的諧振頻率變動地將空腔150保持著高真空狀態進行密封。
如圖4所示，離子束活化接合是使用離子束活化接合裝置10。如圖4所示，離子束活化接合裝置10包括真空腔室20、具有晶片保持器(wafer holder)的對準台(alignment stage)30、具有晶片保持器的加壓機構40、以朝向接合面照射離子束的方式配置的離子(ion)源50、及中性化電子源60。真空腔室20是利用未圖示的真空排氣泵(pump)(例如渦輪分子泵(turbo-molecular
pump))進行排氣，從而設定成真空環境。離子源50與中性化電子源60是分別經由質量流量計(mass flowmeter)被供給氬氣(argon gas)。
第二蓋板晶片LW12是利用靜電吸盤(electrostatic chuck)等保持於加壓機構40的晶片保持器。基底晶片BW10與第一蓋板晶片LW11的接合體保持在對準台30的晶片保持器。此外，第二蓋板晶片LW12是以與第一蓋板晶片LW11相對的方式配置。接下來，對真空腔室20內真空排氣直至成為規定的真空度後，從離子源50朝向兩晶片照射氬離子束(離子束)IB。此外，氬離子束IB是通過中性化電子源60而中性化。
通過該氬離子束IB，將第一蓋板晶片LW11及第二蓋板晶片LW12的表面進行濺射蝕刻，使表面清潔化。此外，雖然氬離子束IB具有大的發散角，但如上所述壓電振動片140是被第一蓋板晶片LW11覆蓋，振盪電極141a未被蝕刻。而且，由於構成離子束活化接合裝置10的各構件曝露於氬等離子體而被濺射，所以在氬離子束IB中含有各種金屬成分。但是，如上所述，由於壓電振動片140被第一蓋板晶片LW11覆蓋，所以這些金屬幾乎不沉積於壓電振動片140。
接下來，以規定的時間進行氬離子束IB照射之後，進行第一蓋板晶片LW11(接合體)與第二蓋板晶片LW12的對準，然後利用加壓機構40以規定的負荷與壓接時間條件將第一蓋板晶片LW11與第二蓋板晶片LW12接合。此後，從離子束活化接合裝置
10取出接合晶片，並且將該接合晶片安裝(mount)在切割膠帶(dicing tape)，通過切晶(dicing)裝置進行切斷(切晶步驟)，由此獲得單片化的壓電器件100。
如上所述，根據壓電器件100的製造方法，可抑制壓電振動片140的諧振頻率變動，以高良率製造包含真空氣密密封的玻璃封裝體的壓電器件100。
繼而，對第二實施方式進行說明。在以下說明中，對與第一實施方式相同或同等的構成部分標注相同符號，且將說明省略或簡化。圖5表示第二實施方式的壓電器件200，且表示沿著相當於圖1(a)的A-A線的線的剖視圖。該壓電器件200是使用與第一實施方式相同的壓電振動片140。
如圖5所示，壓電器件200是包含第二蓋板210、第一蓋板220、基底230、及壓電振動片140的壓電振子。裝載著壓電振動片140的基底230是例如通過包含低熔點玻璃的密封件260而接合，進而，第一蓋板220與第二蓋板210通過離子束活化接合而接合。
第二蓋板210是與第一實施方式同樣地為矩形狀的板狀構件，且與第一蓋板220的接合面210a具有適合離子束活化接合所進行的接合的充分的平滑性(典型的是平均粗糙程度Ra為1nm左右)。
第一蓋板220是與第二蓋板同樣地為矩形狀的板狀構
件，且形成著在Y方向上貫通的開口部222。與第二蓋板的接合面220a具有適合離子束活化接合所進行的接合的充分的平滑性(典型的是平均粗糙程度Ra為1nm左右)。另一方面，成為與基底230的接合面的120b並非必須具有離子束活化接合所需的平滑性，但也可具有以該離子束活化接合為標準的平滑性而形成。
開口部222是與第一實施方式的開口部122等同樣地，在將第一蓋板220與基底230接合後，接合第二蓋板210時，發揮用以對壓電振動片140的周圍的空間(空腔)250內抽真空的貫通孔的功能。而且，開口部222配置在當將第二蓋板210接合於第一蓋板220上時，可降低離子束對壓電振動片140的影響的位置。
基底230是俯視為矩形狀的板狀構件，且如圖5所示，在表面側(+Y側的面)的中央部分設置著凹部231。以包圍該凹部231的方式形成著與第一蓋板220的接合面230a。通過使這些第一蓋板220與基底230接合，而形成收納壓電振動片140的空腔(收納空間)250。
在基底230的凹部231內形成著連接電極232，且在基底230的裏面形成著外部電極234及虛擬電極235。在連接電極232與外部電極234之間形成著在Y方向上貫通基底230的貫通孔配線236，且將連接電極232與外部電極234電性連接。此外，連接電極232或外部電極234、貫通孔配線236與第一實施方式的壓電器件100大致相同。壓電振動片140的振盪電極141a、振盪電極
141b是通過導電膏242電性連接於外部電極234，從而可振盪壓電振動片140。
基底230與第一蓋板220的接合、以及基底230及第一蓋板220的接合體與第二蓋板210的接合與第一實施方式相同。而且，壓電器件200的製造方法也與第一實施方式大致相同。
開口部222是與圖2(a)所示的開口部122同樣地，形成於俯視下包含壓電振動片140的除振盪電極141a以外的區域S1且重疊的位置。而且，開口部222可與圖2(b)所示的開口部122a、開口部122b同樣地，形成於俯視下包含除壓電振動片140以外的區域S2且重疊的位置，進而也可形成於沿著與基底230的接合部的位置。此外，開口部222的大小或個數等可以與第一實施方式的開口部122同樣地任意設定。
這樣一來，壓電器件200是與第一實施方式同樣地，在利用離子束活化接合將第二蓋板210接合時，可經由開口於第一蓋板220的開口部222對空腔250內高真空地排氣。而且，壓電振動片140及其上的振盪電極141a是被第一蓋板220覆蓋，所以即便照射離子束，也可避免振盪電極141a被蝕刻，或者因離子束照射導致被濺射的裝置內金屬附著於壓電振動片140上。最終，可不使壓電振動片140的諧振頻率變動地將空腔250保持著高真空狀態進行密封。
使用圖6(a)、圖6(b)，對第三實施方式的壓電器件300進行說明。該壓電器件300是如圖6(a)所示地具有如下結構的壓電振子，即，以夾著具有框部331的壓電振動片330的方式，將第一蓋板320接合於壓電振動片330的+Y側，將基底340接合於-Y側，進而將第二蓋板310接合於第一蓋板320的+Y側。第二蓋板310、第一蓋板320及基底340是與第一及第二實施方式同樣地例如使用硼矽酸玻璃等。
第二蓋板310如圖6(a)所示是矩形狀的板狀構件。與第一蓋板320的接合面310a具有適合離子束活化接合所進行的接合的充分的平滑性(典型的是平均粗糙程度Ra為1nm左右)。
第一蓋板320是俯視為矩形狀的板狀構件，如圖6(a)所示，在裏面側(-Y側的面)設置著凹部321。在凹部321的一部分設置著開口部322。與第二蓋板310的接合面320a具有適合離子束活化接合所進行的接合的充分的平滑性(典型的是平均粗糙程度Ra為1nm左右)。另一方面，包圍凹部321的面且成為與壓電振動片330的框部331的接合面的320b並非必須具有離子束活化接合所需的平滑性，但也可具有以該離子束活化接合為標準的平滑性而形成。
開口部322是在將第一蓋板320、壓電振動片330、及基底340接合後，接合第二蓋板310時，發揮用以對形成於壓電振動片330的振動部332的周圍的空間(空腔)350內抽真空的貫通孔的功能。而且，開口部322是配置在當將第二蓋板310接合於
第一蓋板320上時，可降低離子束對振動部332的影響的位置、例如框部331與振動部332之間的貫通槽333的正上方的位置。
如圖6(a)所示，壓電振動片330具有將框部331與振動部332利用貫通槽333分離的結構。在振動部332的表面及裏面分別形成著用以振盪振動部332的振盪電極334a、振盪電極334b(參照圖6(b))，並且在振動部332的表面及裏面也分別引出電極335a、引出電極335b、引出電極335c。表面側(+Y側)的引出電極335a與裏面側(-Y側)的引出電極335c是通過貫通孔配線336而電性連接。此外，引出電極335c位於引出電極335a的正下方，因此在圖6(a)、圖6(b)中被省略。
壓電振動片330是使用光刻法(photolithography)及蝕刻加工，且在例如AT切割晶體晶片上成批形成。壓電振動片330的振動部332是形成於矩形上，且Y軸方向的厚度與框部331相同，但也可形成為薄於框部331。而且，也可形成與周邊相比使振動部332的中央部分成為厚壁的臺面(mesa)。
振盪電極334a、振盪電極334b或引出電極335a、引出電極335b、引出電極335c是為了提高與晶體的密接性，而使用以鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、或者鎳鉻(NiCr)、鎳鈦(NiTi)或鎳鎢(NiW)合金作為基底膜，在該基底膜上將金(Au)或銀(Ag)的主電極成膜而成的導電性金屬膜。而且，貫通孔配線336雖可利用導電性材料進行填充而形成，但可通過對貫通孔賦予梯度(taper)，而在振盪電極334a等或引出電極335a等的成膜時在貫
通孔的側面進行成膜，從而實現正背的電性連接。
基底340是形成為矩形的板狀，且如圖6(a)所示，包括形成於表面(+Y側的面)的凹部341、及包圍凹部341的接合面340a。接合面340a是與壓電振動片330的框部331的裏面(-Y側的面)對向。
如圖6(a)所示，在基底340的表面的-X側的區域形成著連接電極342a、連接電極342b，且在基底340的裏面的-X側的區域形成著外部電極343a、外部電極343b。而且，在基底340形成著在Y方向上貫通的貫通孔配線344a、貫通孔配線344b，且通過該貫通孔配線344a、貫通孔配線344b，而將連接電極342a(連接電極342b)與外部電極343a(外部電極343b)電性連接。此外，如圖6(b)所示，在基底340的裏面的+X側的區域形成著虛擬電極343c、虛擬電極343d。在圖6(a)中，將虛擬電極343c、虛擬電極343d省略。
這些連接電極342a等、外部電極343a等、或貫通孔配線344a等是使用與第一及第二實施方式相同的金屬。而且，作為連接電極342a等和外部電極343a等的連接，並不限定於使用貫通孔配線344a等。例如，也可在基底340的角部或邊部形成切口(城堡型結構(castellation))，在該切口形成電極而將連接電極342a等和外部電極343a等電性連接。
如圖6(b)所示，基底340通過配置於接合面340a與框部331的裏面之間的密封層360而接合於壓電振動片330的裏面
側(-Y側的面側)。作為密封層360，使用低熔點玻璃、Au、鋁、AuSn等低熔點金屬等用於低熔點玻璃接合或金屬壓接接合的接合材、或者陽極接合中使用的矽(Si)等。在基底340與壓電振動片330的接合中，也可使用如離子束活化接合或等離子體活化接合那樣無需密封層360的接合方法。通過將壓電振動片330與基底340接合，而將引出電極335b、引出電極335c與連接電極342a、連接電極342b電性連接。
此外，將壓電振動片330接合於基底340後，壓電振動片330與第一蓋板320的接合、或第一蓋板320與第二蓋板310的接合是和所述第一實施方式的基底130與第一蓋板120的接合、第一蓋板120與第二蓋板110的接合相同。
開口部322是與圖2(a)所示的開口部122同樣地形成於俯視下包含壓電振動片330的除振動部332的振盪電極334a以外的區域S1且重疊的位置。而且，開口部322也可以與圖2(b)所示的開口部122a、開口部122b同樣地形成於俯視下包含除振動部332以外的區域S2(即貫通槽333)且重疊的位置，進而也可形成於沿著框部331(與基底230的接合部)的位置。此外，開口部322的大小或個數等和第一實施方式的開口部122同樣地可任意設定。
這樣一來，根據壓電器件300，可提供一種不使壓電振動片330的振動部332的諧振頻率變動且包含真空氣密密封的玻璃封裝體的壓電器件300。
接下來，使用圖7，對壓電器件300的製造方法進行說明。該壓電器件300是利用所謂的晶片級封裝的方法而製造。壓電振動片330例如使用AT切割晶體晶片作為壓電晶片AW30。在該壓電晶片AW30上，以具備所需的頻率特性的方式進行設計，且經光刻法及蝕刻加工的步驟製作振動部332等。此外，振動部332也可實施使周邊部薄於中央部的凸面加工。在壓電晶片AW30，以整齊排列的形狀成批形成圖6(a)所示的圖案(pattern)。在形成振動部332等之後，通過濺射法或蒸發法，使用金屬掩模，在振動部332的表面及裏面等形成振盪電極334a、振盪電極334b及引出電極335a、引出電極335b、引出電極335c。
振盪電極334a、振盪電極334b及引出電極335a、引出電極335b、引出電極335c是為了提高與晶體的密接性，而將鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、或者鎳鉻(NiCr)、鎳鈦(NiTi)或鎳鎢(NiW)合金作為基底膜進行成膜，在該基底膜上將金(Au)或銀(Ag)作為主電極膜進行成膜而形成。
第二蓋板310、第一蓋板320及基底330在第二蓋板晶片LW32、第一蓋板晶片LW31、基底晶片BW30上，分別經光刻法及蝕刻加工的步驟製作所述結構。作為這些第二蓋板晶片LW32、第一蓋板晶片LW31、基底晶片BW30，例如使用硼矽酸玻璃。第一蓋板晶片LW31是通過噴砂或濕式蝕刻形成成為空腔350的凹部321、及開口部322。
在基底晶片BW30，通過噴砂或濕式蝕刻形成貫通孔配線344a、貫通孔配線344b用的貫通孔。例如利用鍍銅或導電膏填充該貫通孔而形成貫通孔配線344a、貫通孔配線344b。進而，分別形成連接電極342a、連接電極342b及外部電極343a、外部電極343b、虛擬電極343c、虛擬電極343d。
外部電極343a、外部電極343b、虛擬電極343c、虛擬電極343d是通過在鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、或者鎳鉻(NiCr)、鎳鈦(NiTi)或鎳鎢(NiW)合金膜上將金(Au)、鎳(Ni)或銅(Cu)濺射成膜來作為基底膜，且在該基底膜上進行無電解鍍鎳而形成。而且，外部電極343a等也可通過印刷、煆燒含有銀或銅的粉末粒子的導電膏而形成。
接下來，在基底晶片BW30上(在+Y側的面上)接合壓電晶片AW30(基底接合步驟)。基底晶片BW30與壓電晶片AW30在通過對準標記(mark)進行位置對準後而接合。通過使基底晶片BW30與壓電晶片AW30接合，而使壓電振動片330的振盪電極334a、振盪電極334b與外部電極343a、外部電極343b電性連接。
基底接合步驟必須在將壓電振動片330的框部331的裏面與基底340的接合面340a接合的同時，同時地實施壓電振動片330的裏面的引出電極335b、引出電極335c與基底340的表面的連接電極342b、連接電極342a的電性連接。因此，在與壓電振動片330的框部331的裏面(-Y側的面)對向的接合面340a上，預
先將和基底340的表面的連接電極342b、連接電極342a相同的金屬的密封層360圖案化，由此，便可實現兩者間的電性連接。也就是說，利用和壓電振動片330的振盪電極334a、振盪電極334b及引出電極335a、引出電極335b、引出電極335c相同的方法形成連接電極342b、連接電極342a與金屬的密封層360。只要例如壓電振動片330的框部331的裏面(-Y側的面)或壓電振動片330的振盪電極334b、引出電極335b、引出電極335c、和基底340的表面(+Y側的面)的外周部(包含接合面340a)或連接電極342a、連接電極342b是在Cr、Ti、Ni、NiCr、NiTi、NiW等的基底膜上利用Au圖案化而成，便可通過金屬壓接接合，成批地進行電性連接與密封接合。
接下來，在接合於基底晶片BW30上的各個壓電振動片330，以振動部332的諧振頻率成為所需的諧振頻率的方式，利用頻率調整裝置進行調整(頻率調整步驟)。該頻率調整步驟是通過如下方法而進行，即，一邊監控各個振動部332的諧振頻率，一邊在達到所需的諧振頻率之前，通過設置於頻率調整裝置內的離子束濺射去除振盪電極334a。
接下來，在已完成頻率調整的壓電晶片AW30上(+Y側的面上)接合第一蓋板晶片LW31(第一接合步驟)。通過壓電晶片AW30與第一蓋板晶片LW31的對準標記，以振動部332與設置於第一蓋板320的凹部321的位置一致的方式進行位置對準後再進行接合。此處使用的接合是振動部332的諧振頻率不產生變
化、也就是對振動部332不賦予質量變化的接合方法。另外，使用除離子束活化接合法以外的接合法，使用低熔點玻璃接合、金屬壓接接合、陽極接合、等離子體活化接合中的任一種接合法。
例如，在低熔點玻璃接合的情况下，可通過如下方式進行接合，即，對第一蓋板320的接合面320b印刷成為密封層的低熔點玻璃料之後，使印刷著該密封層的第一蓋板晶片LW31在壓電晶片AW30上對準地重疊，且在氮氣環境中加熱到低熔點玻璃料的玻璃軟化點附近的溫度，對晶片施加均勻的負荷。在金屬壓接接合的情况下，使用如Au或鋁、AuSn之類的低熔點金屬等可實施金屬壓接接合的金屬作為密封層來代替低熔點玻璃料。
另一方面，在陽極接合的情况下，必須將第一蓋板晶片LW31設為鹼玻璃，且在壓電晶片AW30的框部331上(+Y側的面上)塗布著矽(Si)。在陽極接合中，對壓電晶片AW30與第一蓋板晶片LW31之間施加200℃~400℃的高溫和1kV左右的高電壓，進行接合，但可通過將第一蓋板晶片LW31側設為負極，將壓電晶片AW30側設為正極，而進行牢固的接合。在進行陽極接合時，已知會產生氧氣，但由於在第一蓋板晶片LW31設置著開口部322，所以產生的氧可通過該開口部322排出至外部，因此，不會對振動部322的特性造成影響。
而且，在將等離子體活化接合用於壓電晶片AW30與第一蓋板晶片LW31的接合的情况下，各個接合面(框部331上表面、接合面320b)將曝露於氧等離子體，因此，在振動部332上
的振盪電極334a不是作為非氧化性金屬的Au電極的情况下，導致電極被氧化，從而振動部332的諧振頻率大幅度頻偏。也就是，使用Ag電極的壓電振動片無法採用等離子體活化接合，可應用等離子體活化接合的只限定於Au電極的壓電振動片。
接下來，在第一蓋板晶片LW31上，利用離子束活化接合法接合第二蓋板晶片LW32(第二接合步驟)。離子束活化接合法是在高真空下進行的接合法，且利用壓電晶片AW30與第一蓋板晶片LW31的接合而形成的空腔350內經由開口於第一蓋板晶片LW31的開口部322被高真空地排氣。而且，振動部332及其上的振盪電極334a被第一蓋板320覆蓋，所以即便照射離子束，也可抑制被蝕刻，而且，也可抑制因離子束照射而使濺射的裝置內的金屬附著於振動部332上。其結果，可不使振動部332的諧振頻率變動地將空腔350保持著高真空狀態進行密封。
此外，離子束活化接合是與第一實施方式同樣地，使用圖4所示的離子束活化接合裝置10。
接下來，將接合著第二蓋板晶片LW32的接合晶片安裝至切割膠帶，且通過切晶裝置進行切斷(切晶步驟)，由此獲得單片化的壓電器件300。
如上所述，根據壓電器件300的製造方法，可與所述壓電器件100的製造方法同樣地，抑制振動部332的諧振頻率變動，從而以高良率製造包含真空氣密密封的玻璃封裝體的壓電器件300。
以上，對實施方式進行了說明，但本發明並不限定於所述說明，可在不脫離本發明的主旨的範圍內進行各種變更。例如，也可使用音叉型壓電振動片(晶體振動片)來代替壓電振動片140等。而且，作為壓電振動片140等，並不限定於晶體振動片，也可使用鉭酸鋰(Lithium tantalate)或鈮酸鋰(lithium niobate)等其他壓電材料。而且，也可使用利用矽的微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)器件等來代替壓電振動片140等。而且，作為壓電器件，並不限定於壓電振子(晶體振子)，也可為振蕩器。在振蕩器的情况下，裝載著集成電路(Integrated Circuit，IC)等，且與壓電振動片140等電性連接。進而，也可將AT切割等的晶體片用作第一蓋板晶片LW11、第一蓋板晶片LW31或第二蓋板晶片LW12、第二蓋板晶片LW32、基底晶片BW10、基底晶片BW30。
100‧‧‧壓電器件
110‧‧‧第二蓋板
110a、120a、120b‧‧‧接合面
120‧‧‧第一蓋板
121‧‧‧凹部
122‧‧‧開口部
130‧‧‧基底
130a‧‧‧表面
131a、131b‧‧‧連接電極
132a、132c、132d‧‧‧外部電極
133a‧‧‧貫通孔配線
140‧‧‧壓電振動片
141a‧‧‧振盪電極(電極)
142a、142b‧‧‧導電膏
IB‧‧‧氬離子束
Claims (10)
- 一種壓電器件，其特徵在於包括：壓電振動片，形成著電極；基底，保持所述壓電振動片；第一蓋板，在將所述壓電振動片收容於空腔內的狀態下接合於所述基底，且包含將所述空腔開口的開口部；及第二蓋板，以阻塞所述開口部的方式接合於所述第一蓋板的表面側；所述開口部是形成於在俯視下包含所述壓電振動片的除所述電極以外的區域、或除所述壓電振動片以外的區域且重疊的位置。
- 如申請專利範圍第1項所述的壓電器件，其中：所述開口部是形成於沿著所述基底與所述第一蓋板的接合部的位置。
- 如申請專利範圍第1至2項中任一項所述的壓電器件，其中：所述第二蓋板是使用將所述第一蓋板的表面整面覆蓋的形狀的蓋板。
- 如申請專利範圍第1至2項中任一項所述的壓電器件，其中：所述第一蓋板與所述第二蓋板的接合是利用離子束活化接合法的接合，且其他接合是利用除離子束活化接合法以外的接合。
- 一種壓電器件，其特徵在於包括：壓電振動片，包含振動部、包圍所述振動部的框部、及將所述振動部與所述框部連結的固定部，且至少在所述振動部形成著電極； 基底，接合於所述框部的裏面側；第一蓋板，接合於所述框部的表面側，且包含將所述框部的內側開口的開口部；及第二蓋板，以阻塞所述開口部的方式接合於所述第一蓋板的表面側；所述開口部是形成於在俯視下包含所述振動部的除所述電極以外的區域、或除所述振動部以外的區域且重疊的位置。
- 如申請專利範圍第5項所述的壓電器件，其中：所述開口部是形成於沿著所述框部的位置。
- 如申請專利範圍第5至6項中任一項所述的壓電器件，其中：所述第二蓋板是使用將所述第一蓋板的表面整面覆蓋的形狀的蓋板。
- 如申請專利範圍第5至6項中任一項所述的壓電器件，其中：所述第一蓋板與所述第二蓋板的接合是利用離子束活化接合法的接合，且其他接合是利用除離子束活化接合法以外的接合。
- 一種壓電器件的製造方法，其是包含壓電振動片的壓電器件的製造方法，其特徵在於包括：載置步驟，將所述壓電振動片載置於基底；形成步驟，在第一蓋板形成開口部；第一接合步驟，將所述第一蓋板接合於所述基底；以及第二接合步驟，使用離子束活化接合法，以阻塞所述開口部的方式將第二蓋板接合於所述第一蓋板。
- 一種壓電器件的製造方法，其是包含具有振動部及包圍所述振動部的框部的壓電振動片的壓電器件的製造方法，其特徵在於包括：基底接合步驟，將基底接合於所述框部的裏面側；形成步驟，在第一蓋板形成開口部；第一接合步驟，將所述第一蓋板接合於所述框部的表面側；及第二接合步驟，使用離子束活化接合法，以阻塞所述開口部的方式將第二蓋板接合於所述第一蓋板。
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