TW201448039A - 液體處理裝置及藥液回收方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供一種能夠防止形成於基板上之配線腐蝕的液體處理裝置及藥液回收方法。[解決手段]實施形態之液體處理裝置，係具備處理部、回收管、供給管、及氣體供給部。處理部係對基板供給藥液進行液體處理。回收管係回收被供給至處理部的藥液。供給管係將所回收的藥液供給至處理部。回收管係回收被供給至處理部的藥液。氣體供給部係向回收管的內部供給惰性氣體。
Description
所揭示之實施形態，係關於液體處理裝置及藥液回收方法。
以往，已知對半導體晶圓或玻璃基板等之基板供給藥液進行液體處理的液體處理裝置。
例如，記載於專利文獻1之液體處理裝置係具備：藥液槽，貯留藥液；旋轉夾盤，保持處理對象之基板而進行旋轉；及供給管，用於從藥液槽對旋轉夾盤上的基板供給藥液。
又，近年來，亦已知具備以再利用藥液為目的，用於回收被供給至基板之藥液而返回至藥液槽之回收管的液體處理裝置。
[專利文獻1]日本特開2006-269668號公報
然而，被供給至基板的藥液，係在進行回收而供給至其他基板的過程中，會與空氣接觸而導致氧氣溶入藥液。因此，以銅等之金屬而形成於基板上的配線會被藥液中的氧氣氧化而導致腐蝕之虞。
實施形態之一態樣，係以提供能夠防止形成於基板上之配線腐蝕的液體處理裝置及藥液回收方法為目的。
實施形態之一態樣之液體處理裝置，係具備處理部、回收管、供給管、及氣體供給部。處理部係對基板供給藥液進行液體處理。回收管係回收被供給至處理部的藥液。供給管係將所回收的藥液供給至處理部。回收管係回收被供給至處理部的藥液。氣體供給部係向回收管內部供給惰性氣體。
根據實施形態之一態樣，能夠防止形成於基板上的配線腐蝕。
1‧‧‧搬入搬出站
2‧‧‧搬送站
3‧‧‧處理站
5‧‧‧處理部
6‧‧‧控制裝置
71‧‧‧供給管
72‧‧‧回收管
73‧‧‧氣體供給部
74‧‧‧切換閥
75‧‧‧藥液槽
79‧‧‧定壓閥
80‧‧‧除氣部
100‧‧‧液體處理裝置
731‧‧‧N2供給源
732‧‧‧配管
733‧‧‧流量控制機構
734‧‧‧連接部
751‧‧‧本體部
752‧‧‧分隔板
756‧‧‧除氣部
[圖1]圖1係表示第1實施形態之液體處理裝置之概略構成的模式圖。
[圖2]圖2係表示處理部之配管構成的模式圖。
[圖3]圖3係表示處理部之構成的模式圖。
[圖4A]圖4A係表示連接部之構成之一例的模式圖。
[圖4B]圖4B係表示連接部之構成之其他例的模式圖。
[圖4C]圖4C係表示連接部之構成之其他例的模式圖。
[圖5]圖5係表示藥液槽之構成的模式圖。
[圖6]圖6係表示氣體供給部之變形例的模式圖。
[圖7]圖7係表示回收管之下流側端部之變形例的模式圖。
[圖8]圖8係表示第2實施形態之處理部之配管構成的模式圖。
[圖9]圖9係表示除氣部之構成之一例的模式圖。
以下，參閱添附圖面，對本申請案所揭示之液體處理裝置及藥液回收方法的實施形態進行詳細說明。另外，該發明並不受以下所示之實施形態限定者。
首先，使用圖1對本實施形態之液體處理裝置之概略構成進行說明。圖1係表示本實施形態之液體處理裝置之概略構成的模式圖。另外，在下述中為了明確位置
關係，進而規定彼此正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設為垂直向上方向。又，在下述中，將X軸負方向側規定為液體處理裝置的前方，將X軸正方向側規定為液體處理裝置的後方。
如圖1所示，液體處理裝置100係具備搬入搬出站1、搬送站2及處理站3。該些搬入搬出站1、搬送站2及處理站3，係依搬入搬出站1、搬送站2及處理站3的順序，從液體處理裝置100的前方往後方配置。
搬入搬出站1係載置有以水平狀態收容複數片(例如25片)之晶圓W的載體C的地方，例如在緊貼於搬送站2之前壁的狀態下，以左右並排方式載置有4個載體C。
搬送站2係被配置於搬入搬出站1的後方，於內部具備基板搬送裝置21與基板收授台22。在搬送站2中，基板搬送裝置21係在被載置於搬入搬出站1的載體C與基板收授台22之間進行晶圓W的收授。
處理站3係被配置於搬送站2的後方。在處理站3中，於中央部配置有基板搬送裝置31，在基板搬送裝置31的左右兩側，分別以前後方向並排方式載置有複數個(在此係各3個)處理部5。於處理站3，基板搬送裝置31係在搬送站2之基板收授台22與各處理部5之間逐片搬送晶圓W，各處理部5係對晶圓W逐片進行液體處理。
第1實施形態之處理部5，係藉由對晶圓W供給藥液而洗淨晶圓W的洗淨裝置。參閱圖3對處理部5之構成進行說明。
另外，處理部5係只要對晶圓W供給藥液進行液體處理者即可，並不限定為洗淨裝置。
又，液體處理裝置100係具備控制裝置6。控制裝置6係例如為電腦，具備未圖示之控制部及記憶部。在記憶部中，儲存有控制基板洗淨處理等之各種處理的程式。控制部係藉由讀出並執行記憶於記憶部的程式，來控制液體處理裝置100之動作。
另外，程式係藉由電腦記錄於可讀取之記錄媒體者，亦可為由其記錄媒體安裝於控制裝置6之記憶部者。作為藉由電腦進行可讀取之記錄媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
另外，為了方便起見，在圖1中表示控制裝置6被設於液體處理裝置100之外部的情形，控制裝置6係亦可設於液體處理裝置100的內部。例如，控制裝置6係可收容於處理部5之上部空間。
在如此構成之液體處理裝置100中，首先，搬送站2之基板搬送裝置21係從載置於搬入搬出站1的載體C取出1片晶圓W，將取出的晶圓W載置於基板收授台22。載置於基板收授台22的晶圓W係藉由處理站3之基板搬送裝置31來予以搬送，被搬入至任一個處理部5。
被搬入至處理部5的晶圓W，係藉由處理部5施予洗淨處理後，被基板搬送裝置31從處理部5搬出，再次載置於基板收授台22。且，載置於基板收授台22之處理完
成的晶圓W，係藉由基板搬送裝置21返回到載體C。
於處理部5係連接有藥液之供給管與回收管。處理部5係將從供給管所供給的藥液供給至晶圓W。且，被供給至晶圓W的藥液會經由回收管被回收。另外，一開始被供給至晶圓W的藥液(未使用的藥液)係未混入有氧氣者。
在此，參閱圖2對處理部5之配管構成進行具體地說明。圖2係表示處理部5之配管構成的模式圖。另外，圖2所示之配管或藥液槽等係例如被收容於處理部5的下部空間。
如圖2所示，液體處理裝置100係具備供給管71、回收管72及氣體供給部73。又，液體處理裝置100係具備切換閥74、藥液槽75、泵76、加熱器77、流量控制機構78及定壓閥79。
首先，對藥液之供給系統進行說明。供給管71係對處理部5供給藥液的配管。
供給管71係其兩端部與藥液槽75連接，與藥液槽75一起形成藥液的循環路徑。且，從該循環路徑分歧的複數個分歧管係分別與各處理部5連接。在各分歧管中，分別設。有流量控制機構78，藉由控制裝置6對該流量控制機構78的開關及藥液之流量進行控制的方式，來控制藥液供給至處理部5。另外，流量控制機構78係構成為至少包含閥。
在供給管71中設有泵76及加熱器77。泵76係
將貯留於藥液槽75的藥液吸上來而送出至供給管71之下流側。加熱器77係對流經供給管71內的藥液進行加熱。另外，在此，雖表示加熱器77設於供給管71時的例子，但加熱器77係亦可設於藥液槽75。
貯留於藥液槽75的藥液，係藉由泵76在循環路徑循環，通過從循環路徑分歧的分歧管，各別被供給至各處理部5。另外，循環路徑內係形成為被藥液充滿的狀態。
又，在比供給管71之所有處理部5更靠下流側中，設有使供給管71之內部的壓力保持固定的定壓閥79。藉此，不受各流量控制機構78之開關狀態的影響，可使供給管71內保持固定的壓力。
另外，供給管71係亦與具備有液體處理裝置100之剩下的3個處理部5連接，在此省略圖示。
接下來，對藥液之回收系統進行說明。回收管72，係回收被供給至處理部5的藥液而返回到藥液槽75的配管。回收管72係具備主管72a、複數個分歧管72b。主管72a之下流側端部係與藥液槽75連接，複數個分歧管72b係分別與各處理部5連接。另外，主管72a係具有沿著處理部5之排列方向而水平延伸的部份，於該部份分別連接有複數個分歧管72b。
在分歧管72b的路徑上分別設有切換閥74。切換閥74係可切換將廢液排出至液體處理裝置100外的排液管與回收管72而加以連接的閥。可藉由設置切換閥74，來
防止在處理部5未進行處理時氧氣混入至回收管72的情形。切換閥74的開關係藉由控制裝置6來控制。另外，從排液管排出的廢液係亦可為例如經由未圖示之其他供給路徑而供給至處理部5的其他藥液，或亦可為從藥液槽75所供給的藥液。
從供給管71供給至處理部5的藥液，係通過回收管72而返回至藥液槽75。且，返回至藥液槽75的藥液，係通過供給管71而再次被供給至處理部5。
在此，參閱圖3具體地對供給管71及回收管72與處理部5的連接關係進行說明。圖3係表示處理部5之構成的模式圖。另外，在圖3中，為了說明處理部5的特徵，而僅表示所需的構成要素，省略關於一般之構成要素的記載。
如圖3所示，處理部5係於腔室51內具備基板保持部52、液體供給部53、回收杯體54。
基板保持部52係具備：旋轉保持機構521，可旋轉地保持晶圓W；支柱構件522，支撐旋轉保持機構521；及驅動部523，使支柱構件522繞著垂直軸旋轉。
旋轉保持機構521係設於腔室51之大致中央。在旋轉保持機構521之上面設有把持晶圓W之周緣部的把持部521a，晶圓W係在稍微離開旋轉保持機構521之上面的狀態下，藉由把持部521a而保持水平。
支柱構件522係設於旋轉保持機構521的下部，經由軸承524而可旋轉地支撐於腔室51及回收杯體
54。
驅動部523係設於支柱構件522的下部，使支柱構件522繞著垂直軸旋轉。藉此，保持於旋轉保持機構521的晶圓W會旋轉。
液體供給部53係具備吐出藥液的噴嘴531、水平支撐噴嘴531的臂部532、使臂部532旋轉及升降的旋轉升降機構533。
上述之供給管71係與液體供給部53連接。亦即，貯留於藥液槽75的藥液係通過供給管71被供給至液體供給部53，從液體供給部53之噴嘴531被供給至晶圓W的主面。
回收杯體54係為了防止藥液飛散至周圍，而配置為圍繞基板保持部52。在回收杯體54的底部形成有排液口541。
上述之回收管72係與排液口541連接。亦即，被回收杯體54捕集的藥液係從排液口541流入到回收管72，通過回收管72再次返回到藥液槽75。
然而，在以往的液體處理裝置中，在藥液通過回收管至返回到藥液槽的過程中，藥液在回收管中會與空氣接觸，因而產生氧氣溶入藥液的問題。如此一來，使溶存有氧氣的藥液再次流到供給管而供給至基板時，構成形成於基板上之配線之銅等金屬會有被溶存於藥液中的氧氣氧化，而導致上述配線腐蝕之虞。
於此，在第1實施形態之液體處理裝置100
中，如圖2所示，於回收管72設置氣體供給部73，從氣體供給部73對回收管72的內部供給惰性氣體。藉由供給惰性氣體至回收管72的內部，可降低回收管72內部的氧氣濃度，因此，可使在回收管72的內部溶入藥液之氧氣的量減少。
藉此，即使再次將所回收的藥液供給至晶圓W，但由於形成於晶圓W上的配線難以被氧化，故亦可防止上述配線腐蝕。
氣體供給部73係具備：N2供給源731；配管732，基端部連接於該N2供給源731且前端部連接於回收管72；及流量控制機構733，設於配管732之中途部。流量控制機構733係構成為至少包含閥。且，藉由控制裝置6對流量控制機構733的開關與氮之流量進行控制的方式，來控制氮供給至回收管72。
回收管72的內部與供給管71不同，並沒有被藥液充滿。因此，從氣體供給部73被供給至回收管72內部之作為惰性氣體的氮會擴散至回收管72的內部，藉此，回收管72內部的氧氣濃度會下降。
氣體供給部73之配管732與回收管72的連接部734，係設於比切換閥74更靠回收管72之下流側為較佳。藉此，相較於將連接部734設於比切換閥74更靠回收管72之上流側的情形，可輕易地控制處理部5內部的壓力。
另外，控制裝置6係亦可因應藥液的流量來調整氮的流量。具體而言，控制裝置6係隨著切換於回收管
72側之切換閥74的個數增加來控制流量控制機構733，以使流量控制機構733的開關程度變大。藉此，可降低氮的使用量。
又，氣體供給部73之配管732與回收管72的連接部734，係設於比切換閥74更靠主管72a之下流側為較佳，該切換閥74係設於主管72a之最上流側所連接的分歧管72b。更具體而言，如圖2所示，係設於切換閥74與比該切換閥74更靠1個下流側所連接的分歧管72b之間為較佳，該切換閥74係設於主管72a之最上流側所連接的分歧管72b。
如此一來，藉由將連接部734設置於比切換閥74更靠主管72a的下流側，且儘可能接近主管72a之上流的位置，可使從氣體供給部73所供給的氮有效地擴散至回收管72內。
另外，連接部734的位置並不限定於上述位置。例如，連接部734係亦可設於主管72a的縱長方向中央部，亦可設於主管72a之下流側端部(與藥液槽75的連接部)的附近。
另外，液體處理裝置100，係將另一組具備回收管72、氣體供給部73及切換閥74用來作為剩下的3個處理部5用的藥液回收系統。且，未圖示之另一個回收管72係與圖2所示的藥液槽75連接。如此一來，液體處理裝置100，係對於6個處理部5(參閱圖1)而言，具備1個藥液供給系統與2個藥液回收系統。
接下來，參閱圖4A~圖4C，對氣體供給部73之配管732與回收管72的連接部734之構成例進行說明。圖4A係表示連接部734之構成之一例的模式圖，圖4B及圖4C係表示連接部734之構成之其他例的模式圖。
如圖4A所示，氣體供給部73之配管732係以不飛出回收管72內部的方式，具體而言，亦可連接於回收管72，以使配管732之前端部設於面對回收管72的內周面而大致相同位置。藉此，藉由比較簡單的構成，可將氮供給至回收管72的內部，而能夠有效地去除藥液內的氧氣。
又，如圖4B所示，配管732係亦可連接於回收管72，以使前端部浸漬至回收管72內部的藥液中。藉此，從配管732所供給的氮會經由藥液而被供給至回收管72的內部，因此，可藉由以氮推壓氧氣之除氣作用來去除藥液內的氧氣，並同時使回收管72內部的氧氣濃度下降。
又，在該情況下，亦可將配管732之前端部的形狀設成為設置有多數個孔部732a的多孔形狀。藉此，可將氣泡狀的氮從孔部732a送出至藥液中，並可更有效地去除藥液內的氧氣。
且，如圖4C所示，亦可使液積存部721形成於回收管72，使配管732的前端部配置於液積存部721內。藉由上述方式，可使配管732之前端部更浸漬於藥液深處，因此，可進一步提高除氣的效果。
接下來，參閱圖5對圖2所示之藥液槽75的構成進行說明。圖5係表示藥液槽75之構成的模式圖。
如圖5所示，藥液槽75係具備：箱形之本體部751，具有頂部751a；及分隔板752，被安裝於本體部751的頂部751a。藉由分隔板752，被貯留於本體部751之藥液與頂部751a之間的空間200會被分隔成第1空間201與第2空間202。另外，藉由設置分隔板752，亦能夠使本體部751內之藥液的流路長度延長。
又，本體部751係於第1空間201側之頂部751a具備第1排氣口751b，於第2空間202側之頂部751a具備第2排氣口751c。於各排氣口751b、751c連接有未圖示之吸氣裝置。又，於本體部751的底部設有用於使本體部751內之藥液的流路長度延長的分隔板753。
又，藥液槽75係具備除氣部756。除氣部756係具備：N2供給源756a；配管756b，設成為基端部連接於該N2供給源756a且前端部進入到第2空間202之下部的藥液內；及流量控制機構756c，設於配管756b之中途部。流量控制機構756c係構成為至少包含閥。且，藉由控制裝置6對流量控制機構756c的開關與氮之流量進行控制的方式，將氮供給至第2空間202之下部的藥液。藉此，溶存於藥液中的氧氣會被除氣作用去除。
另外，在圖5中，雖將配管756b之前端部設為多孔形狀，但配管756b之前端部的形狀並不限於圖示者。
又，控制裝置6係亦可因應測定藥液之溶存氧量之溶存氧監視器的測定結果，來調整氮的流量。具體而言，控制裝置6係以隨著藥液之溶存氧量增多而氮之供給
量增多的方式，來控制流量控制機構756c。藉此，可降低氮的使用量。另外，溶存氧監視器係亦可設於例如連接於供給管71之泵76與加熱器77之間，亦可設於藥液槽75。
在如同上述構成的藥液槽75中，回收管72之下流側端部係與第1空間201連通，供給管71之上流側端部係與第2空間202之下部連通。
在此，第2空間202係藉由從除氣部756所供給的氮形成氮環境。另一方面，雖然第1空間201係藉由從回收管72流入的氮而大致形成為氮環境，但回收管72的內部並不會被完全置換成氮環境，因此，在第1空間201中僅存在一點點氧氣。藥液槽75係可將混合氧氣之氮環境經由第2排氣口751c排出至外部。
又，藉由分隔板752將空間200分隔成第1空間201與第2空間202，可防止存在於第1空間201之氧氣流入至第2空間202。藉此，可使在藥液槽75內溶入有氧氣之藥液的量減少。
從該觀點來看，分隔板752係設於使第1空間201小於第2空間202的位置為較佳。
供給管71之下流側端部係設成為進入到第1空間201之下部的藥液內。藉此，可確保從供給管71之下流側端部至返回到藥液槽75的藥液流到供給管71之上流側端部的流路長度，並同時防止第1空間201中的氧氣與從供給管71之下流側端部返回至藥液槽75內的藥液接觸。
如上述，第1實施形態之液體處理裝置100係
具備處理部5、回收管72、供給管71及氣體供給部73。處理部5係對晶圓W供給藥液進行液體處理。回收管72係回收被供給至處理部5的藥液。供給管71係將所回收的藥液供給至處理部5。氣體供給部73係向回收管72的內部供給作為惰性氣體的氮。因此，根據第1實施形態之液體處理裝置100，可防止形成於晶圓W上的配線腐蝕。
接下來，參閱圖6及圖7，對第1實施形態之變形例進行說明。圖6係表示氣體供給部73之變形例的模式圖。又，圖7係表示回收管72之下流側端部之變形例的模式圖。
在上述的第1實施形態中，如圖2所示，表示僅於一處設有氣體供給部73之配管732與回收管72的連接部734之情形的例子，但連接部734的個數並不限於此。
例如，如圖6所示，連接部734係亦可沿著回收管72之流動方向設於複數個地方。
如此一來，藉由從沿著回收管72之縱長方向的複數個地方供給氮，可使氮遍及於回收管72的內部。藉此，可防止部份氧氣濃度較高的位置在例如回收管72內部形成的情形，而更確實地使回收管72內部的氧氣濃度下降。
另外，在此，雖表示了連接部734為圖4A所示之構成時的例子，但連接部734係亦可為圖4B或圖4C所示之構成。
又，在上述的第1實施形態中，雖表示了回收
管72之下流側端部與第1空間201連通時的例子，但並不限於此。
例如，如圖7所示，回收管72之下流側端部係亦可與第1空間201之下部的藥液連通。藉此，使用從回收管72流入的氮，可去除溶存於藥液槽75內之藥液的氧氣。
接下來，參閱圖8及圖9，對第2實施形態進行說明。圖8係表示第2實施形態之處理部之配管構成的模式圖。又，圖9係表示除氣部之構成之一例的模式圖。另外，在以下說明中，對與已說明之部份相同的部份，附上與已說明之部份相同的符號，並省略重複的說明。
如圖8所示，第2實施形態之液體處理裝置100A，係除了具備有第1實施形態之液體處理裝置100的各構成要素之外，更具備了除氣部80。
除氣部80係具備：N2供給源81；配管82，基端部連接於該N2供給源81且前端部連接於供給管71；及流量控制機構83，設於配管82之中途部。流量控制機構83係構成為至少包含閥。且，藉由控制裝置6對流量控制機構83的開關與氮之流量進行控制的方式，來控制氮供給至回收管71。
如圖9所示，除氣部80之配管82係經由比配管82直徑更大的接頭構件85而與供給管71連接。藉由接頭構件85，在流經供給管71之藥液與配管82之前端部之間形成
空間300，從配管82所供給的氮係經由空間300被供給至供給管71的內部。藉此，可將氮供給至液密狀態之供給管71的內部。如此一來，可藉由供給氮至流經供給管71的藥液，來去除溶存於流經供給管71之藥液中的氧氣。
另外，配管82與供給管71的連接部並不限於圖9所示之構成者，亦可為圖4B或圖4C所示之構成。
配管82與供給管71的連接部84，係設於比供給管71之定壓閥79更靠下流側為較佳。藉此，由於可抑制壓力變動的影響，因此，可輕易地控制供給管71內部的壓力。
如此一來，第2實施形態之液體處理裝置100A係更具備藉由對供給管71內的藥液供給作為惰性氣體之氮，來去除溶存於藥液中之氧氣的除氣部80。因此，根據第2實施形態之液體處理裝置100A，可進一步防止形成於晶圓W上的配線腐蝕。
在上述的各實施形態中，雖表示了使用氮作為惰性氣體時的例子，但亦可使用例如氬等其他的惰性氣體。
又，在上述的各實施形態中，雖表示了供給管71及回收管72與複數個處理部5連接時的例子，但供給管71及回收管72亦可為僅連接於1個處理部5的構成。
更進一步之效果或變形例係具有該發明技術領域之通常知識者能夠輕易進行導出。因此，本發明之更廣泛的態樣係不限定於如上述所表示且記述之特定及代表
性的實施形態者。因此，在不脫離藉由附加之申請專利範圍及其均等物所定義之所有發明的概念精神或範圍下，可進行各種變更。
5‧‧‧處理部
71‧‧‧供給管
72‧‧‧回收管
72a‧‧‧主管
72b‧‧‧分歧管
73‧‧‧氣體供給部
731‧‧‧N2供給源
732‧‧‧配管
733‧‧‧流量控制機構
734‧‧‧連接部
74‧‧‧切換閥
75‧‧‧藥液槽
76‧‧‧泵
77‧‧‧加熱器
78‧‧‧流量控制機構
79‧‧‧定壓閥
100‧‧‧液體處理裝置
Claims (14)
- 一種液體處理裝置，其特徵係具備：處理部，對基板供給藥液進行液體處理；回收管，回收被供給至前述處理部的藥液；供給管，對前述處理部供給所回收的前述藥液；及氣體供給部，向前述回收管的內部供給惰性氣體。
- 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，更具備：切換閥，設於前述回收管的中途部，可切換將廢液排出到外部的排液管與前述回收管而加以連接，前述氣體供給部，係設於比前述切換閥更靠前述回收管的下流側。
- 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置，其中，更具備：貯留部，貯留前述藥液，前述供給管之上流側端部與前述回收管之下流側端部，係分別連接於前述貯留部。
- 如申請專利範圍第3項之液體處理裝置，其中，前述貯留部係具備：本體部，具有頂部；及分隔板，分隔貯留於前述本體部之前述藥液與前述頂部之間的空間。
- 如申請專利範圍第4項之液體處理裝置，其中，前述回收管之下流側端部，係與被前述分隔板所分隔之前述空間中的第1空間連通， 前述供給管之上流側端部，係與被前述分隔板所分隔之前述空間中的第2空間之下部的前述藥液連通。
- 如申請專利範圍第5項之液體處理裝置，其中，前述供給管的下流側端部亦與前述貯留部連接，前述供給管之下流側端部，係設於前述第1空間之下部的前述藥液內。
- 如申請專利範圍第4、5或6項之液體處理裝置，其中，前述貯留部係具備：第1排氣口，與被前述分隔板所分隔之前述空間中的第1空間連通；及第2排氣口，與被前述分隔板所分隔之前述空間中的第2空間連通。
- 如申請專利範圍第1~7項中任一項之液體處理裝置，其中，更具備：除氣部，藉由對前述供給管內之前述藥液供給惰性氣體來去除溶存於前述藥液中的氧氣。
- 如申請專利範圍第8項之液體處理裝置，其中，更具備：定壓閥，設於比前述處理部更靠前述供給管之下流側，使前述供給管之內部的壓力保持固定，前述除氣部，係設於比前述定壓閥更靠前述供給管的下流側。
- 如申請專利範圍第2~9項中任一項之液體處理裝 置，其中，前述回收管係具備：複數個分歧管，分別分支於複數個前述處理部並加以連接；及主管，連接有前述複數個分歧管，前述氣體供給部，係設於比前述切換閥更靠前述主管之下流側，該前述切換閥係設於前述主管與最上流側所連接的分歧管。
- 如申請專利範圍第10項之液體處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被設於：設於前述主管而在前述主管之最上流側連接之分歧管所設置的前述切換閥；與比該分歧管更靠1個下流側連接之分歧管所設置的前述切換閥之間。
- 如申請專利範圍第1~11項中任一項之液體處理裝置，其中，前述氣體供給部，係從沿著前述回收管之流動方向的複數個地方供給前述惰性氣體。
- 如申請專利範圍第1~12項中任一項之液體處理裝置，其中，前述氣體供給部，係經由前述藥液對前述回收管的內部供給前述惰性氣體。
- 一種藥液回收方法，其特徵係包含：回收工程，經由回收管來回收被供給至對基板供給藥液進行液體處理之處理部的前述藥液； 供給工程，經由供給管將在前述回收工程所回收的前述藥液供給至前述處理部；及氣體供給工程，向前述回收管的內部供給惰性氣體。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9329071B2 (en) * | 2014-04-21 | 2016-05-03 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| JP6391524B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-09-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 脱酸素装置および基板処理装置 |
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| KR102346529B1 (ko) | 2019-06-24 | 2021-12-31 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
| JP7382164B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2023-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| KR102271246B1 (ko) * | 2019-12-12 | 2021-06-29 | 버슘머트리얼즈한양기공 주식회사 | 기체처리가 가능한 액상 케미컬 공급장치 |
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Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312463A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-04 | Hitachi Ltd | 滅菌装置 |
| DE19855910A1 (de) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Basf Ag | Spülvorrichtung zur Entfernung von Rückständen |
| JP2003059884A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP3761457B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2006-03-29 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体基板の薬液処理装置 |
| JP2004267965A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び処理液切替方法 |
| JP4723268B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2011-07-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2008091533A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 薬液の酸化防止装置及び薬液の酸化防止方法 |
| JP5401255B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置、洗浄方法、および記憶媒体 |
| JP5156661B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2013-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| JP5323661B2 (ja) * | 2009-12-07 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法 |
| JP5255660B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給方法及び薬液供給システム |
| JP5472169B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
| JP5979700B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| JP6300139B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2018-03-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理システム |
| JP6090837B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2017-03-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5910401B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置の運転方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
| JP5741549B2 (ja) * | 2012-10-09 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
| JP6022431B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2016-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
-
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108206149A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| TWI700116B (zh) * | 2016-12-20 | 2020-08-01 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| US10933448B2 (en) | 2016-12-20 | 2021-03-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| CN108206149B (zh) * | 2016-12-20 | 2021-10-22 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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