TW201447167A - 發光裝置 - Google Patents

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TW201447167A
TW201447167A TW102120893A TW102120893A TW201447167A TW 201447167 A TW201447167 A TW 201447167A TW 102120893 A TW102120893 A TW 102120893A TW 102120893 A TW102120893 A TW 102120893A TW 201447167 A TW201447167 A TW 201447167A
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Min-Hsun Hsieh
Been-Yu Liaw
Wei-Chiang Hu
Shih-An Liao
Chun-Hung Liu
Yu-Hsi Sung
Ming-Chi Hsu
Po-Hung Lai
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Abstract

一種發光裝置，包含：一第一電極部；一第二電極部；一第三電極部，與第一電極部及第二電極部彼此分離；一發光二極體元件，僅局部覆蓋第一電極部及第三電極部，且完全覆蓋第二電極部，發光二極體元件並包含一導線結構，係與第二電極部相接觸。

Description

發光裝置
本發明係關於一種發光裝置，更具體而言，係關於一種具有均勻光場之發光裝置。
固態發光元件中之發光二極體元件(Light Emitting Diode；LED)具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小、反應速度快、以及可發出穩定波長的色光等良好光電特性，因此常應用於家電、儀表之指示燈及光電產品等領域。與商業電子產品走向輕薄短小的趨勢類似，光電元件也進入微封裝的時代，而發展出晶粒級封裝。此外，隨著光電科技的發展，固態照明在照明效率、操作壽命以及亮度等方面有顯著的進步，因此近年來發光二極體已經被應用於一般的照明用途上。但是在某些應用上需要具有全方向性光場的發光二極體燈具時，傳統的發光二極體燈具並無法滿足這個需求。
需注意的是，發光二極體可以與其他裝置結合以形成發光裝置，像是先將發光二極體放置於基板之上再連接到載體的一側，或是以焊料接點或者黏膠等材料形成於載體與發光二極體之間以形成發光裝置。此外，載體上更可以包含電路電性連接到發光二極體的電極。
因此，本發明係關於一種發光裝置。
一種發光裝置，包含：一第一電極部；一第二電極部；一第三電極部，與第一電極部及第二電極部彼此分離；一發光二極體元件，僅局部覆蓋第一電極部及第三電極部，且完全覆蓋第二電極部，發光二極體元件並包含一導線結構，係與第二電極部相接觸。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下
100、100A、100B、100C、100D、200、300、400、600‧‧‧發光裝置
1000、1001、1002、2000、2001、1004‧‧‧發光二極體單元
10、10'、10"、10'''‧‧‧載體
101、101'、101"‧‧‧上表面
102、102'、102"‧‧‧下表面
103‧‧‧透明體
1031‧‧‧上表面
1032‧‧‧第一透明層
1033‧‧‧波長轉換層
1034‧‧‧第二透明層
11、11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G‧‧‧發光二極體元件
12A、、12A1、12A2、12A3、 12A4、12B、13、15‧‧‧發光二極體元件
111、111C、111D、111E、111F、111G‧‧‧第一連接墊
113、113C、113D、113E、113F、113G‧‧‧第二連接墊
144‧‧‧第一打線墊
145‧‧‧第二打線墊
146‧‧‧反射結構
147‧‧‧焊線
20、20'、20"‧‧‧上面電極
201、202、201'‧‧‧上面電極墊
201'''‧‧‧第一電極墊
202'''‧‧‧第二電極墊
2011'、2011'A、2011'B、2011"‧‧‧第 一電極部
2012'、2012"‧‧‧第二電極部
20121'、30121'、20121"‧‧‧次電極部
2013"‧‧‧第三電極部
2014"‧‧‧彎折部
203、204、205、206、207‧‧‧上電極導線
2031、2051‧‧‧電極區塊
2032、2052‧‧‧第一端
2033、2053‧‧‧第二端
2041、2041A、2042B‧‧‧第一電極區段
2042、2042A‧‧‧第二電極區段
2061‧‧‧第一電極條狀區
2062‧‧‧第二電極條狀區
2071‧‧‧第一電極區域
2072、2072A、2072B、2072C‧‧‧第二電極區域
2073‧‧‧第三電極區域
208‧‧‧導電連接線
209‧‧‧上面電極導線
2091‧‧‧第一電極條
20911‧‧‧第一區域
20912‧‧‧第一長條
20913‧‧‧第一分支
2092‧‧‧第二電極條
20921‧‧‧第二長條
20922‧‧‧第二分支
211、212、221‧‧‧孔洞
220‧‧‧暫時電 極
222‧‧‧切割線
25‧‧‧電連接板
250‧‧‧載板
251‧‧‧上表面
252‧‧‧下表面
253‧‧‧第一電極塊
2531‧‧‧第一塊區
2532‧‧‧第二塊區
254‧‧‧第二電極塊
2541‧‧‧第三塊區
2542‧‧‧第四塊區
255‧‧‧孔洞
30、30'‧‧‧下面電極
301、302、301'‧‧‧下面電極墊
303‧‧‧下電極導線
3011'‧‧‧第三電極部
3012'‧‧‧第四電極部
310‧‧‧下面電極導線
3101‧‧‧第三電極條
31011‧‧‧第二區域
31012‧‧‧第三長條
31013‧‧‧第三分支
3102‧‧‧第四電極條
31021‧‧‧第三區域
31022‧‧‧第四長條
31023‧‧‧第四分支
35‧‧‧圍板
500、501、502‧‧‧燈泡
50‧‧‧燈罩
52‧‧‧電路板
54‧‧‧散熱件
56‧‧‧電連接件
7000、7010、140‧‧‧基板
7001、141‧‧‧第一型半導體層
7002、142‧‧‧活性層
7003、143‧‧‧第二型半導體層
7004、7004'‧‧‧第一導電部
7005、7005'‧‧‧第二導電部
70041、70051‧‧‧電極接觸面
7006‧‧‧保護層
7007‧‧‧反射層
7008‧‧‧孔隙
81‧‧‧殼體
7015、7015'‧‧‧導線結構
70151'‧‧‧次導線結構
7016‧‧‧絕緣層
7024‧‧‧第一擴大電極部
70241、70251、70061、70062‧‧‧側邊
7025‧‧‧第二擴大電極部
7026‧‧‧第一透明結構
70261‧‧‧表面
7027‧‧‧第二透明結構
80‧‧‧承載板
801‧‧‧第一夾置部
802‧‧‧第二夾置部
803‧‧‧貫穿孔
第1A圖為本發明之一實施例中一發光二極體裝置之立體圖。
第1B圖為本發明之一實施例中一發光二極體裝置之立體圖。
第1C圖為本發明之另一實施例中一發光裝置之立體圖，顯示一導電連接線形成於載體之側邊。
第2A圖為本發明之一實施例中一發光裝置之上視圖。
第2B圖為第2A圖沿著I-I'之剖面圖。
第3A圖為本發明之另一實施例中一發光裝置之上視圖，顯示一導電連接線形成於載體之側邊。
第3B圖為第2A圖沿著Ⅱ-Ⅱ'之剖面圖。
第4A圖為本發明之另一實施例中一發光裝置之上視圖。
第4B圖為本發明之另一實施例中一發光裝置之上視圖。
第4C圖為本發明之另一實施例中一發光裝置之上視圖。
第4D圖為第4C圖中之發光裝置之仰視圖。
第4E圖為本發明之另一實施例中一發光二極體裝置之上視圖。
第4F圖為本發明之另一實施例中一發光二極體裝置之上視圖。
第4G圖為第4F圖之等效電路圖。
第5A圖為本發明之另一實施例中一發光二極體裝置之剖面圖。
第5B圖為本發明之另一實施例中一發光二極體裝置之上視圖。
第5C圖為本發明之另一實施例中一發光二極體裝置之仰視圖。
第5D圖為本發明之另一實施例中一發光二極體裝置之剖面圖。
第5E圖為第5D圖之上視圖。
第6A及6B圖為本發明之另一實施例中一發光裝置之剖面圖。
第6C圖為本發明之另一實施例中發光裝置之上視圖。
第6D及6E圖為本發明之另一實施例中發光裝置之一電連接板之上視圖及仰視圖。
第7A圖顯示本發明之一實施例中一發光二極體元件之剖面圖。
第7B圖顯示本發明之一實施例中另一發光二極體件之剖面圖。
第7C圖顯示本發明之一實施例中另一發光二極體件之剖面圖。
第7D圖顯示本發明之一實施例中另一發光二極體件之剖面圖。
第8A圖顯示本發明之一實施例中另一發光二極體件之剖面圖。
第8B圖顯示本發明之一實施例中另一發光二極體件之剖面圖。
第8C圖顯示第8B圖之發光二極體元件應用於第5A圖之發光裝置之部分剖面圖。
第8D圖顯示本發明之一實施例中發光裝置之空間角度圖。
第9圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置之剖面圖。
第10A圖顯示本發明之一實施例中一發光二極體燈泡之立體圖。
第10B圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置於電路板之上視圖。
第11A圖顯示本發明之另一實施例中一發光二極體燈泡之立體圖。。
第11B圖顯示第11A圖之上視圖。
第11C圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置於電路板之上視圖。
第12圖顯示本發明之一實施例中一發光燈管之剖面圖。
第12A、12B、及12C圖顯示製造第12圖之發光燈管之流程圖。
第13A、13B、13C及13D圖顯示製造本發明之一實施例中一發光裝置之流程剖面圖。
第13E圖顯示第13D圖中發光裝置之剖面圖。
以下實施例將伴隨著圖式說明本發明之概念，在圖式或說明中，相似或相同之部分係使用相同之標號，並且在圖式中，元件之形狀或厚度可擴大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或描述之元件，可以是熟習此技藝之人士所知之形式。
第1A及1B圖顯示之本發明之一實施例中一發光裝置100 之立體圖。發光裝置100包含一長條狀載體10，其具有一上表面101、一相對於上表面101之下表面102；複數發光二極體元件11設置在上表面101上；一上面電極20形成在上表面101；一下面電極30形成在下表面102；及一透明體103覆蓋上面電極20及發光二極體元件11。於本實施例中，載體10之長度為18 mm~30mm且寬度小於3 mm；發光二極體元件11之寬度為0.5 mm~1.5 mm；發光二極體元件11之長度為1 mm~3 mm。參照第1A圖，上面電極20包含二上面電極墊201、202及一上電極導線203。參照第1B圖，下面電極30形成在下表面102且包含二下面電極墊301、302及一下電極導線303。下電極導線303為一直線且與二下面電極墊301、302接觸並電性連接。如第1C圖所示，可選擇性地形成一導電連接線208形成在載體10之側邊以將上面電極墊202與下面電極墊302電連接。或者，亦可選擇性地形成一孔洞(圖未示)貫穿載體10，並於孔洞內完全填充或部分填充導電物質，使得上面電極墊202與下面電極墊302可形成電性連接。在操作上，當發光裝置100與外部電源(power supply)連接時，當無導電連接線208形成時，可將上面電極20之二上面電極墊201、202分別與外部電源之正端 與負端連接以使發光二極體元件11發光，亦即，外部電源係連接至載體10之同一面(上表面)但相對兩側。選擇性地，當進一步形成導電連接線208電連接上面電極墊202與下面電極墊302時，外部電源之正端與負端可分別與上面電極墊201與下面電極墊301電連接以使發光二極體元件11發光，亦即，外部電源係連接至載體10之不同面(上表面及下表面)但同一側。藉由形成上面電極20、下面電極30及/或導電連接線208，發光裝置可選擇性地以載體10之不同面但同一側或以載體10之同一面但相對兩側與外部電源電連接，進而增加發光裝置100之應用性。
透明體103可包含單層或多層。當透明體103為多層(圖未示)時，依序可包含一第一透明層、一波長轉換層、及一第二透明層。第一透明層及第二透明層之材料可包含例如環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、SU8、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al2O3)、SINR、旋塗玻璃(SOG)、鐵氟龍或上述材料之組合。波長轉換層包含但不限於YAG、矽酸鹽、釩酸鹽、鹼土金屬矽酸鹽、鹼土金屬硫化物、鹼土金屬硒化物、鹼土金屬鎵硫化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、鎢鉬酸鹽族混合物、氧化物混合物、玻璃螢光粉混合物或上述材料之組合。在此實施例中，發光二極體元件11可發出藍光(波峰值為430 nm~480 nm)，而部分藍光可激發波長轉換層，使產生黃光(波峰值為570 nm~590 nm)或黃綠光(其波峰值為540 nm~570 nm)。而黃光或黃綠光與剩餘之藍光適當地混成時，會產生一白光。
第2A圖為第1A圖之發光裝置之上視圖，未顯示透明體103。參照第1A及2A圖，上電極導線203係呈圖案化，且具有複數個電極區塊2031。於本實施例中，電極區塊2031係沿著載體10之長度方向(X方向)排列呈一直線，彼此分開且物理性不相連。每一電極區塊2031包含一第一端2032及一第二端2033。在一實施例中，發光二極體元件11間之距離(d1)介於0.5 mm~1.2 mm間，且各發光二極體元件11間之距離可相等或不相等，依實際需求而設計之。第2B圖為第2A圖沿著I-I'之剖面圖但 有顯示透明體103。參照第2B圖，每一發光二極體元件11具有一第一連接墊111(例如：p極)及一第二連接墊(例如：n極)113其位置分別對應於電極區塊2031之一第一端2032與相鄰電極區塊2031的第二端2033且彼此接觸以形成電連接。藉此，發光二極體元件11係於載體10上以串聯方式彼此電連接。一透明體103覆蓋部分上面電極20及發光二極體元件11。
第3A圖顯示本發明另一實施例中之發光裝置之上視圖，未顯示透明體。第3B圖為第3A圖沿著Ⅱ-Ⅱ'之剖面圖但有顯示透明體。參照第3A、3B圖，上電極導線204包含一第一電極區段2041及一第二電極區段2042。第一電極區段2041與第二電極區段2042係沿著載體10之長度方向(X方向)排列，且彼此平行、交錯且物理性不相連。發光二極體元件11係沿著載體10之長度方向(X方向)排列且發光二極體元件11之一第一連接墊111及一第二連接墊113，其位置分別對應於第一電極區段2041及第二電極區段2042且彼此形成電連接。例如，發光二極體元件11A之第一連接墊111對應於第一電極區段2041A，發光二極體元件11A之第二連接墊113對應於第二電極區段2042A；發光二極體元件11B之第一連接墊111對應於第二電極區段2042A，發光二極體元件11B之第二連接墊113對應於第一電極區段2041B。發光二極體元件11A之第二連接墊113與發光二極體元件11B之第一連接墊111設置在第二電極區段2042A上且形成電連接。藉此，發光二極體元件11係於載體10上以串聯方式彼此電連接。在本實施例中，發光二極體元件11A之第二連接墊113與發光二極體元件11B之第一連接墊111位於載體10之同一側，發光二極體元件11A之第一連接墊111與發光二極體元件11B之第二連接墊113位於載體10之另一側。發光裝置更包含一透明體103覆蓋上面電極20及發光二極體元件11。
第4A圖顯示本發明另一實施例中之發光裝置之上視圖。參照第4A圖，上電極導線205包含複數個電極區塊2051係以一傾斜角度沿著載體10之長度方向排列，每一電極區塊2051包含一第一端2052及一第二端2053。發光二極體元件11係沿著載體10之長度方向排列且與電極區塊2051呈一傾斜角度。每一發光二極體元件11具有一第一連接墊(圖未示)及一第二連接墊(圖未示)，其位置分別對應於電極區塊2051之一第一端 2052與相鄰電極區塊2051的第二端2053且彼此形成電連接。藉此，發光二極體元件11係於載體10上以串聯方式彼此電連接。在本實施例中，發光二極體元件11之第二連接墊係皆位於載體10之同一側，第一連接墊係皆位於載體10之另一側。
第4B圖顯示本發明另一實施例中之發光裝置之上視圖。參照第4B圖，上電極導線206包含一第一電極條狀區2061及一第二電極條狀區2062。上面電極墊201係僅與第一電極條狀區2061形成電連接，上面電極墊202係僅與第二電極條狀區2062形成電連接。每一發光二極體元件11具有一第一連接墊(圖未示)及一第二連接墊(圖未示)，其位置分別對應於上電極導線206之第一電極條狀區2061與第二電極條狀區2062且彼此形成電連接。藉此，發光二極體元件11係於載體10上以並聯方式彼此電連接。
第4C圖顯示本發明另一實施例中之發光裝置之上視圖。參照第4C圖，上面電極20包含上面電極墊201及一上面電極導線209，形成在載板10之上表面101。上面電極導線209包含一第一電極條2091及一第二電極條2092。第一電極條2091與第二電極條2092彼此分開且物理性不相連。第一電極條2091包含第一區域20911；第一長條20912，係從第一區域20911沿著載體10之長度方向(-X方向)延伸且與第一區域20911電連接；及複數個第一分支20913，係從第一長條20912沿著載體10之寬度方向(-Y方向)延伸且與第一長條20912電連接。第二電極條2092包含第二長條20921，係從上面電極墊201沿著載體10之長度方向(-X方向)延伸且與上面電極墊201電連接；複數個第二分支20922，係從第二長條20921沿著載體10之寬度方向(Y方向)延伸且與第二長條20921電連接。第一長條20912與第二長條20921彼此平行；第一分支20913與第二分支20922彼此交錯平行。複數個發光二極體元件11具有一第一連接墊(圖未示)及一第二連接墊(圖未示)，其位置分別對應於第一分支20913之與第二分支20922且彼此形成電連接。
第4D圖顯示第4C圖中發光裝置之俯視圖。參照第4D圖，下面電極30包含下面電極墊301及一下面電極導線310，形成在載板10之下表面102。下面電極導線310包含第三電極條3101及第四電極條3102。 第三電極條3101與第四電極條3102彼此分開且物理性不相連。第三電極條3101包含一第二區域31011；第三長條31012，係從第二區域31011沿著載體10之長度方向(-X方向)延伸且與第二區域31011電連接；複數個第三分支31013，係從第三長條31012沿著載體10之寬度方向(-Y方向)延伸且與第三長條31012電連接。第四電極條3102包含一第三區域31021；第四長條31022，係從下面電極墊301沿著載體10之長度方向(-X方向)延伸且與下面電極墊301與第三區域31021電連接；複數個第四分支31023，係從第四長條31022沿著載體10之寬度方向(Y方向)延伸且與第四長條31022電連接。第三長條31012與第四長條31022彼此平行；第三分支31013與第四分支31023彼此交錯平行。複數個發光二極體元件11具有一第一連接墊(圖未示)及一第二連接墊(圖未示)，其位置分別對應於第四分支31023與第三分支31013且彼此形成電連接。參照第4C及4D圖，第一區域20911的位置係對應於第三區域31021，且一孔洞211形成於第一區域20911與第三區域31021並貫穿載板10；第二區域31011的位置係對應於上面電極墊201，且一孔洞212形成於第二區域31011與上面電極墊201並貫穿載板10。孔洞211、212內可完全填充或部分填充導電物質，使得載體10之兩面彼此可電連接。詳言之，當外部電源之正端與負端分別與上面電極墊201與下面電極墊301電連接時，透過孔洞212，上面電極墊201與第二區域31011形成電連接，進而與第三長條31012與第三分支31013電連接，亦即，上面電極墊201、第二電極條2092、與第三電極條3101與外部電源之正端電連接。同樣地，透過孔洞211，第一區域20911與第三區域31021形成電連接，因第三區域31021與下面電極墊301形成電連接，下面電極墊301可與第一長條20912與第一分支20913形成電連接，亦即，下面電極墊301、第一電極條2091、與第四電極條3102與外部電源之負端電連接。藉此，位於上表面101與下表面102之發光二極體元件11皆可發光且以並聯方式彼此電連接。需注意的是，在本實施例中，僅藉由孔洞211即可使第一長條與第四長條形成電連接。在另一實施例中，可無需形成第一長條20912、第一區域20911及孔洞211、而係形成複數個孔洞對應於每一第一分支以使第一分支分別與第四長條電連接。
第4E圖顯示本發明另一實施例中之發光裝置之上視圖。參照第4E圖，上電極導線207包含一第一電極區域2071、一第二電極區域2072、及一第三電極區域2073。第一電極區域2071及第三電極區域2073之長邊係平行於載體10之短邊(寬度)；第二電極區域2072之短邊係平行於載體10之長邊(長度)。複數個發光二極體元件設置於載體10上，並藉由上電極導線207之排列方式，以橋式電路方式彼此電連接。發光二極體元件之第一連接墊與第二連接墊，其位置係於發光二極體元件與上電極導線之間，為了方便理解本實施例之內容，而顯示於第4E圖中。詳言之，發光二極體元件11C之第一連接墊111C之位置對應於第一電極區域2071以形成電連接；發光二極體元件11C之第二連接墊113C之位置對應於第二電極區域2072A以形成電連接；發光二極體元件11D之第一連接墊111D之位置對應於第三電極區域2073以形成電連接；發光二極體元件11D之第二連接墊113D之位置對應於第二電極區域2072A以形成電連接；發光二極體元件11E之第一連接墊111E之位置對應於第二電極區域2072A以形成電連接；發光二極體元件11E之第二連接墊113E之位置對應於第二電極區域2072B以形成電連接；發光二極體元件11F之第一連接墊111F之位置對應於第二電極區域2072B以形成電連接；發光二極體元件11F之第二連接墊113F之位置對應於第一電極區域2071以形成電連接；以及發光二極體元件11G之第一連接墊111G之位置對應於第二電極區域2072B以形成電連接；發光二極體元件11G之第二連接墊113G之位置對應於第三電極區域2073以形成電連接。藉由上電極導線207之排列方式，使得發光二極體元件11C、11D、11E、11F、11G以橋式電路方式彼此電連接，因此，發光裝置可直接電連接於交流電(AC)電源供應器。可參考第4G圖，其為一等效電路圖，於交流電電源供應器之正循環下，正循環電流會流經發光二極體元件11C、11E、11G；於交流電電源供應器之負循環下，負循環電流會流經發光二極體元件11D、11E、11F。需注意的是，在此僅描述一組橋式電路之連接方式，然，如第4E圖所示，載體10上可形成複數組橋式電路彼此電連接，且其數目可依據所需之電壓(例如：110V、120V、220V或240V)而調整。第4F圖顯示本發明另一實施例中之發光裝置之上視圖。第4F圖與第4E圖類 似，其不同在於第二電極區域2072可包含複數個次電極區域2072C位於次電極區域2072A與2072B之間。複數個發光二極體元件11E之位置分別對應次電極區域2072A、2072C、2072B，並以串聯方式彼此電連接。在另一實施例中，發光二極體元件11E可以並聯、或串並聯方式彼此電連接。
第5A圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置200之剖面圖。第5B圖及第5C圖顯示本發明發光裝置200之上視圖及仰視圖，其未顯示發光二極體元件。參照第5A~5C圖，發光裝置200包含一載體10'，其具有一上表面101'、一相對於上表面101'之下表面102'；複數發光二極體元件12A、12B分別設置於上表面101'及下表面102'上；一上面電極20'形成在上表面101'；一下面電極30'形成在下表面102'上；及一透明體103覆蓋上面電極20'、下面電極30'及發光二極體元件12A、12B。如第5B圖所示，上面電極20'包含一上面電極墊201'及複數個第一電極部2011'及複數個第二電極部2012'。第一電極部2011'與第二電極部2012'係沿著載體10'之長度方向(X方向)排列呈一直線，且彼此交錯排列。第二電極部2012'包含複數個不相連之次電極部20121'。在本實施例中，位於兩相鄰第二電極部2012'之間的第一電極部2011'之長度係小於第二電極部2012'之長度，且兩相鄰發光二極體元件間之距離小於發光二極體元件之長度。在本實施例中，第二電極部2012'包含三個次電極部20121'，彼此不相連且相距一距離。參照第5A及5B圖，發光二極體元件12A之第一連接墊(圖未示)之位置對應於第一電極部2011'以形成電連接；以及發光二極體元件12A之第二連接墊(圖未示)之位置對應於相鄰之第一電極部2011'以形成電連接，因此，發光二極體元件12A僅局部覆蓋第一電極部2011'及相鄰之第一電極部2011'，而發光二極體元件12A完全覆蓋第二電極部2012'。第二電極部2012'與發光二極體元件12A相接觸但無電連接，其係用以將發光二極體元件12A所產生之熱，傳導至外界(空氣)。需注意的是，在此所描述之”接觸”可為直接接觸、或間接接觸。間接接觸表示係有導電物質(例如：焊料)或是不導電物質(例如：黏結材料)形成在其間。於另一實施例中，第二電極部2012'亦可與發光二極體元件12A形成電連接。如第5C圖所示，下面電極30'包含一下面電極墊301'及複數個第三電極部3011'及複數個第四電極部3012'。下面 電極30'之圖案類似於上面電極20'之圖案，第三電極部3011'與第四電極部3012'係沿著載體10'之長度方向(X方向)排列呈一直線，且彼此交錯排列。第四電極部3012'包含複數個不相連之次電極部30121'。在本實施例中，第四電極部3012'包含三個次電極部30121'，彼此不相連且相距一距離。參照第5A及5C圖，發光二極體元件12B之第一連接墊(圖未示)之位置對應於第三電極部3011'以形成電連接；以及發光二極體元件12B之第二連接墊(圖未示)之位置對應於相鄰之第三電極部3011'以形成電連接。第四電極部3012'與發光二極體元件12B相接觸但無電連接，其係用以將發光二極體元件12B所產生之熱，傳導至外界(空氣)。於另一實施例中，第四電極部3012'亦可與發光二極體元件12B形成電連接。需注意的是，第一電極部2011'與第四電極部3012'分別形成在載體10'之上表面101'與下表面102'之大致相對應的位置上；第二電極部2012'與第三電極部3011'分別形成在載體10'之上表面101'與下表面102'且大致相對應的位置上。藉此，設置於上表面101'之複數發光二極體元件12A與設置於下表面102'之複數發光二極體元件12B彼此交錯排列，亦即，位於上表面101'之發光二極體元件12A，其對應於下表面102'的位置上並未形成有發光二極體元件12B，且發光二極體元件12A與發光二極體元件12B未完全重疊。次電極部之數目、形狀、長度及彼此間的間距，可依實際需求而做變化。再者，第一電極部2011'、第二電極部2012'、第三電極部3011'、及第四電極部3012'之數目、形狀、及長度，亦可依實際需求而變化。在本實施例中，參考第1C圖所示，可選擇性地形成一導電連接線208形成在載體10'之側邊以將最末端之第一電極部2011'與最末端之第三電極部3011'彼此電連接。或者，亦可選擇性地形成一孔洞(圖未示)貫穿載體10'，並於孔洞內完全填充或部分填充導電物質，使得第一電極部2011'與第三電極部3011'可形成電性連接。因此，在操作上，當發光裝置200與外部電源(power supply)連接時，外部電源之正端與負端可分別與上面電極墊201'與下面電極墊301'形成電連接以使發光二極體元件12A、12B彼此串聯連接且發光，亦即，外部電源係連接至載體10之不同面(上表面及下表面)但同一側。
第5D圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置200'之剖面 圖。第5E圖顯示本發明之另一實施例中之發光裝置200'之上視圖。發光裝置200'與發光裝置200結構類似，其中相同的符號或是記號所對應的元件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。發光裝置200'更包含一圍板35形成在上表面101'及/或下表面102'上，以圍繞發光二極體元件12A、12B(如第5E圖所示)。接著，一透明體103形成在發光二極體元件12A、12B、及圍板35上。在本實施例中，圍板35的高度(0.3 mm~0.75 mm)係低於發光二極體元件12A、12B之高度(0.8 mm~1 mm)，藉此，可使透明體103之形成範圍大致上被圍板35所限制。因此，在使用相同量的透明體103之下，與沒有圍板35之發光裝置相較，具有圍板35之發光裝置200'之透明體103，其上表面1031較為平坦，以改善發光裝置200'發光角度之均勻性。圍板35之材料可與透明體103相同或相異，其包含環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、SU8、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al2O3)、SINR、旋塗玻璃(SOG)、鐵氟龍或上述材料之組合。
第6A及6B圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置300之剖面圖。第6C圖顯示本發明之另一實施例中發光裝置300之上視圖，其未顯示電連接板25。發光裝置300包含一載體10"，其具有一上表面101"、一相對於上表面101"之下表面102"；複數發光二極體元件13設置於上表面101"；一上面電極20"形成在上表面101"、一電連接板25；及一透明體103覆蓋上面電極20"、發光二極體元件13及部分電連接板25。如第6C圖所示，上面電極20"包含一第一電極墊201"、一第二電極墊202"、複數個第一電極部2011"、複數個第二電極部2012"、及第三電極部2013"。第一電極墊201"與第二電極墊202"係位於載體10"之同一側且同一面(上表面)。第一電極部2011"與第二電極部2012"係沿著載體10"之長度方向(X方向)排列呈一直線，且彼此交錯排列。第三電極部2013"係為一直線且與第一電極部2011"與第二電極部2012"平行。上面電極20"更包含一彎折部2014"，其一端係與第二電極部2012"排列在同一直線上但彼此分離不相連，其另一端係與第三 電極部2013"相接觸並電性連接。第二電極部2012"包含複數個不相連之次電極部20121"。在本實施例中，第二電極部2012"包含三個次電極部20121"，且彼此相距一距離。參照第6A圖，發光二極體元件13之第一連接墊(圖未示)之位置對應於第一電極部2011"以形成電連接；以及發光二極體元件13之第二連接墊(圖未示)之位置對應於相鄰之第一電極部2011"以形成電連接。第二電極部2012"與發光二極體元件13相接觸但無電連接，其係用以將發光二極體元件13所產生之熱，傳導至外界(空氣)。於另一實施例中，第二電極部2012"亦可與發光二極體元件13形成電連接。如第6A、6B、6D及6E圖所示，發光裝置300更包含一電連接板25。電連接板25包含一載板250，其具有一上表面251及一相對於上表面251之下表面252；及一第一電極塊253形成在上表面251；一第二電極塊254形成在下表面252。參照第6D圖，第一電極塊253具有一第一塊區2531；及一第二塊區2532，與第一塊區2531相連接。參照第6E圖，第二電極塊254具有一第三塊區2541、及與第三塊區2541彼此不相連之一第四塊區2542。第二塊區2532與第四塊區2542分別形成在上表面251及下表面252並對應在大致相同的位置上。一孔洞255形成於第二塊區2532與第四塊區2542並貫穿載板250(如第6A圖)，其內可完全填充或部分填充有導電物質以使第二塊區2532與第四塊區2542形成電連接。電連接板25係放置對應於載體10"之上面電極20"上；第四塊區2542與第一電極墊201"相接觸並電性連接；第三塊區2541與第二電極墊202"相接觸並電性連接；藉由孔洞255內之導電物質，第四塊區2542與第一電極塊253電性連接。在操作上，當發光裝置300與外部電源(power supply)電連接時，藉由外部電源之正端與負端可分別與電連接板25之第一電極塊253之第一區塊2531與第二電極塊254之第三區塊2541相接觸並形成電連接以使發光二極體元件13發光。詳言之，第一電極塊253透過孔洞255內之導電物質與第四塊區2542形成電連接，以及第四塊區2542與第一電極墊201"相接觸並電性連接，因此外部電源之正端可與第一電極墊201"形成電連接。類似地，外部電源之負端透過第三區塊2541與第二電極墊202"形成電連接。由於，外部電源之正端與負端分別與第一電極塊253及第二電極塊254電連接，且第一電極塊253及第二電極塊254 分別位於電連接板25之上下表面251、252，因此，外部電源係連接至電連接板25之不同面(上表面251及下表面252)但同一側。藉由孔洞255，第一電極塊253與第一電極墊201"形成電連接，以使得外部電源之正端與負端分別與第一電極墊201"與第二電極墊202"電連接，且第一電極墊201"與第二電極墊202"係位於載體10"之上表面101"，因此，外部電源係電連接至載體10"之同一面(上表面101")且同一側。於另一實施例，亦可設計第一電極塊及第二電極塊皆位於電連接板之上表面，且形成孔洞於第一電極塊及第二電極塊。透過孔洞內之導電物質，第一電極塊及第二電極塊與第一電極墊和第二電極墊形成電連接。因此，外部電源係連接至電連接板之同一面(上表面)且同一側。
需注意的是，於第5A圖中所描述之複數個不相連之次電極部亦可形成於第2A、3A、4A~4E圖。亦即，第2A圖中，電極區塊2031之間形成有次電極部；第3A圖中，第一電極區段2041及一第二電極區段2042之間形成有次電極部；第4A圖中，電極區塊2051之間形成有次電極部；第4B圖中，第一電極條狀區2061及一第二電極條狀區2062之間形成有次電極部；第4C圖中，第一分支20913及第二分支20922之間形成有次電極部；第4D圖中，第三分支31013與第四分支31023之間形成有次電極部；及第4E圖中，第一電極區域2071、第二電極區域2072、及第三電極區域2073之間形成有次電極部。次電極部與發光二極體元件相接觸但無電連接，其係用以將發光二極體元件所產生之熱，傳導至外界(空氣)。於另一實施例中，次電極部亦可與發光二極體元件形成電連接。
第7A圖顯示本發明之一實施例中一發光二極體單元1000之剖面圖，其可應用於第1A、3A、4A~4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13。發光二極體單元1000包含一基板7000、一第一型半導體層7001、一活性層7002、及一第二型半導體層7003，第一型半導體層7001及第二型半導體層7003例如為包覆層(cladding layer)或限制層(confinement layer)，可分別提供電子、電洞，使電子、電洞於活性層7002中結合以發光。一第一導電部7004及一第二導電部7005分別形成在第二型半導體層7003及第一型半導體層上7001。發光二極體單元1000係為一覆晶 式發光二極體。在另一實施例中，發光二極體單元1000更可包含一波長轉換物質(圖未示)形成在基板7000上以轉換活性層7002所產生之光。在另一實施例中，發光二極體單元1000未包含基板7000，以形成一薄層(thin film)發光二極體結構，因此一波長轉換物質(圖未示)係直接形成於第一型半導體層上7001。需注意的是，當發光二極體單元1000應用於第1A、3A、4A~4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13時，第一導電部7004可為前述所提及之第一或第二連接墊、第二導電部705可為前述所提及之第二或第一連接墊。因此，前述所提及發光二極體元件11、12A、12B、13之第一(第二)連接墊、第二(第一)連接墊與上面電極或/及下面電極形成之連接方式，即為第一導電部7004、第二導電部7005與上面電極或/及下面電極形成之連接方式。發光二極體單元1000更可包含一保護層7006，其可為透明不導電但具有高導熱係數之物質(例如：類碳鑽)，形成並覆蓋於第一型半導體層7001、第二型半導體層7003及活性層7002。因此，當應用於例如第5A及6A圖中之發光二極體元件12A、12B、13，保護層7006可與第二電極部2012'、3012'、2012"相接觸以將發光二極體單元1000所產生之熱導至外界。更者，保護層7006亦可具有高反射率之物質(例如：二氧化鈦、二氧化矽或氧化鋁)。
第7B圖顯示本發明之另一實施例中一發光二極體單元1001之剖面圖。發光二極體單元1001與發光二極體單元1000結構類似，亦可應用於第1A、2A、3A、4A~4F、5A、6圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13，且其中相同的符號或是記號所對應的元件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。發光二極體單元1001更可包含一反射層7007覆蓋於第一型半導體層7001、第二型半導體層7003及活性層7002。藉此，可將活性層7002所發出之光反射朝向基板7000側。發光二極體單元1001亦可包含保護層7006形成於反射層7007上，其可為透明不導電但具有高導熱係數之物質(例如：類碳鑽)，當應用於例如第5A及6A圖中之發光二極體元件12A、12B、13，保護層7006可與第二電極部2012'、3012'、2012"相接觸以將發光二極體所產生之熱導至外界。反射層7007可為一絕緣材料，例如：氧化矽(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、或上述材料之 組合。
第7C圖顯示本發明之另一實施例中一發光二極體單元1002之剖面圖。發光二極體單元1002與發光二極體單元1000結構類似，亦可應用於第1A、3A、4A~4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13，且其中相同的符號或是記號所對應的元件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。發光二極體單元1000係僅包含一個發光二極體，然發光二極體單元1002係包含複數個發光二極體形成於一共同基板7010上。發光二極體彼此之間於基板7010上係呈物理性相間隔且利用一導線結構7015將彼此電性連接，例如為串聯、並聯、串並聯等，以利於高壓條件下(大於一個發光二極體之順向電壓(一般為3V)的電壓，例如：6V、12V、24V、36V、或45V)操作。一絕緣層7016形成於發光二極體與導線結構7015之間以防止不必要的電性路線。在另一實施例中，如同第7A、7B圖所示，發光二極體單元1002可包含一保護層(圖未示)，其可為透明不導電但具有高導熱係數之物質(例如：類碳鑽)形成並覆蓋於第一型半導體層7001、第二型半導體層7003、活性層7002及導線結構7015。或者，一反射層(圖未示)覆蓋於第一型半導體層7001、第二型半導體層7003及活性層7002，藉此，可將活性層7002所發出之光反射朝向基板7010側。同樣地，當應用於例如第5A及6A圖中之發光二極體元件12A、12B、13，保護層7006可與電極部2012'、3012'、2012"相接觸以將發光二極體所產生之熱導至外界。需注意的是，發光二極體單元1002僅具有一第一導電部7004'形成於一發光二極體之第二型半導體層7003上、一第二導電部7005'形成於另一發光二極體之第一型半導體層7001上。當發光二極體單元1002應用於第1A、3A、4A~4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13時，第一導電部7004'可為前述所提及之第一或第二連接墊、第二導電部7005'可為前述所提及之第二或第一連接墊。因此，前述所提及發光二極體元件11、12A、12B、13之第一(第二)連接墊、第二(第一)連接墊與上面電極或/及下面電極形成之連接方式，即為第一導電部7004'、第二導電部7005'與上面電極或/及下面電極形成之連接方式。僅藉由第一導電部7004'、第二導電部7005'與外部電源電連接，即可使複數個發光二極體發光。反射層可 為一絕緣材料，例如：氧化矽(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、或上述材料之組合。
第7D圖顯示本發明之另一實施例中一發光二極體單元1003之剖面圖。發光二極體單元1003與發光二極體單元1000結構類似，亦可應用於第1A、3A、4A~4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13，且其中相同的符號或是記號所對應的元件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。發光二極體單元1003更包含一第一擴大電極部7024與第一導電部7004相接觸並電連接；一第二擴大電極部7025與第二導電部7005相接觸並電連接。類似地，當發光二極體單元1003應用於第1A、3A、4A-4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13時，第一擴大電極部7024可為前述所提及之第一(第二)連接墊、第二擴大電極部7025可為前述所提及之第二(第一)連接墊。因此，前述所提及發光二極體元件11、12A、12B、13之第一(第二)連接墊、第二(第一)連接墊與上面電極或/及下面電極形成之連接方式，即為第一擴大電極部7024、第二擴大電極部7025與上面電極或/及下面電極形成之連接方式。藉由第一擴大電極部7024及第二擴大電極部7025有利於後續的對位製程。
第8A圖顯示本發明之另一實施例中一發光二極體單元2000之剖面圖，亦可應用於第1A、3A、4A~4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13。發光二極體單元2000與發光二極體單元1003類似，其中相同的符號或是記號所對應的元件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。發光二極體單元2000包含一基板7000、一第一型半導體層7001、一活性層7002、及一第二型半導體層7003，第一型半導體層7001及第二型半導體層7003例如為包覆層(cladding layer)或限制層(confinement layer)，可分別提供電子、電洞，使電子、電洞於活性層7002中結合以發光。一第一導電部7004及一第二導電部7005分別形成在第二型半導體層7003及第一型半導體層上7001。發光二極體單元2000係為一覆晶式發光二極體。第一導電部7004與第二導電部7005之間有一孔隙7008，且第一導電部7004具有一電極接觸面70041且第二導電部7005具有一電極接觸面70051；電極接觸面70041與電極接觸面70051實質上位於相 同的水平面。一透明膠體覆蓋基板7000、第一型半導體層7001、活性層7002、及第二型半導體層7003且填入孔隙7008內以形成第一透明結構7026。於另一實施例中，透明膠體未完全填滿孔隙7008，因此會有空氣形成在第一導電部7004與第二導電部7005之間。第一透明結構7026具有一表面70261，實質上與電極接觸面70041、70051齊平。接著，保護層7006形成在第一透明結構7026之表面且暴露出第一導電部7004與第二導電部7005。第一擴大電極部7024及第二擴大電極部7025分別形成在第一導電部7004與第二導電部7005，亦形成在保護層7006上。第一擴大電極部7024及第二擴大電極部7025分別與第一導電部7004與第二導電部7005形成電連接。在此實施例中，第一擴大電極部7024之一側邊70241未與保護層7006之一側邊70061齊平；第二擴大電極部7025之另一側邊70251未與保護層7006之另一側邊70062齊平。於另一實施例中，第一擴大電極部7024之一側邊70241可與保護層7006之一側邊70061齊平；第二擴大電極部7025之一側邊70251可與保護層7006之另一側邊70062齊平。發光二極體單元2000更包含一第二透明結構7027形成在第一透明結構7026上。第一透明結構7026或包含環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、SU8、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、氧化鋁(Al2O3)、SINR、旋塗玻璃(SOG)。第二透明結構7027包含藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、環氧樹脂(Epoxy)、石英(quartz)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、氧化矽(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、或矽膠(Slicone)。第8B圖顯示本發明之另一實施例中一發光二極體單元2001之剖面圖，亦可應用於第1A、3A、4A~4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13。發光二極體單元2001與發光二極體單元2000類似，其中相同的符號或是記號所對應的元件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。發光二極體單元2000係僅包含一個發光二極體，然發光二極體單元2001係包含複數個發光二極體。在本實施例中，每一發光二極體具有各自之基板7000，然而於其他實施例中，可如第7C圖所 示，複數個發光二極體共同形成於一基板上。發光二極體彼此之間係利用一導線結構7015'而形成電連接(串聯、並聯或串並聯)。在本實施例中，，導線結構7015'係與發光二極體之第二導電部7005及相鄰之發光二極體之第一導電部7004相接觸並形成串聯連接。第一透明結構7026覆蓋複數個發光二極體。需注意的是，當發光二極體單元2001應用於第1A、2A、3A、4A~4F、5A、5D、6A圖中之發光二極體元件11、12A、12B、13時，第一擴大電極部7024可為前述所提及之第一(第二)連接墊、第二擴大電極部7025可為前述所提及之第二(第一)連接墊。因此，前述所提及發光二極體元件11、12A、12B、13之第一(第二)連接墊、第二(第一)連接墊與上面電極或/及下面電極形成之連接方式，即為第一擴大電極部7024、第二擴大電極部7025與上面電極或/及下面電極形成之連接方式。僅藉由第一擴大電極部7024、第二擴大電極部7025與外部電源電連接，即可使複數個發光二極體發光。第8C圖顯示第8B圖之發光二極體單元2001應用於第5A圖之發光裝置之部分剖面圖。在此實施例中，僅顯示一個發光二極體單元2001設置在載體10上。發光二極體單元2001係包含四個發光二極體12A1、12A2、12A3、12A4。發光二極體單元2001之第一連接墊7024僅局部覆蓋第一電極部2011'A、第二連接墊7025亦局部覆蓋第一電極部2011'B。導線結構7015'包含複數個次導線結構70151’，皆不與第一電極部2011'A、2011'B相接觸。第一電極部2011'A僅與發光二極體12A1相接觸，第二電極部2012'與發光二極體12A1、12A2、12A3、12A4相接觸，第一電極部2011'B僅與發光二極體12A4相接觸。第一透明結構7026僅局部覆蓋第一電極部2011'A及第一電極部2011'B，且完全覆蓋第二電極部2012'。保護層7006，形成於導線結構7015'與第一透明結構7026之間。導線結構7015'可與電極部2012'(3012')相接觸以將發光二極體單元2001所產生之熱導至外界。同樣地，發光二極體單元2001亦可應用於第6A圖中之發光二極體元件13。在此實施例中，導線結構7015'包含金屬，例如金、鋁、銅、或鉑，亦與電極部2012'(3012'、2012")形成電連接。導線結構7015'與電極部2012'(3012'、2012")可具有相同之形狀或面積。參照第5A、8C(6A)圖，電極部2012'(3012'、2012")具有三個次電極部20121'(30121'、20121")，且導線結構7015'具有三個次導 線結構70151'，亦即，次電極部之數目與次導線結構之數目係相對應。在另一實施例中，次導線結構70151'之面積係小於相對應之次電極之面積。
上述之發光二極體單元1000、1001、1002、2000、2001因具有保護層或/及反射層可將發光二極體單元所發出之光反射朝向基板側，其應用上實質上為一五面發光之發光二極體單元。當發光二極體元件11、13僅設於載體10、10"之上表面101、101"(如第1A、3A、4A~4F、6A圖所示)，且包含波長轉換層之透明體103形成於發光二極體元件11、12A、12B、13及至少部分透明載體上，部分發光二極體元件發出的光(例如：藍光)可經由波長轉換層(或波長轉換物質)轉換成另一光(例如：黃光或黃綠光)，進一步藍光或與黃光(或黃綠光)可混和成一白光。在另一實施例中，可於發光二極體單元包含一波長轉換物質，以轉換活性層所發出的光，因此透明體103可無包含波長轉換層。部分產生之白光可被波長轉換層(或波長轉換物質)之顆粒散射或反射後射入透明載體，使得白光不僅可以由透明載體上放置有發光二極體晶片之一側(上表面)射出，也可以從透明載板之側面及下表面射出，亦即白光可以從透明載體的各個表面射出(六面發光)。此外，可於波長轉換層(或波長轉換物質)中更添加擴散粉(例如：二氧化鈦)增強白光向下散射的效果。簡而言之，依本實施例，可利用非均勻發光之光源(五面發光)達到近似均勻發光(六面發光)之效果。更者，於透明載體上放置有發光二極體晶片一側(上表面)之白光具有一第一平均色溫；於透明載體上之另一側(下表面)之白光具有一第二平均色溫；第一平均色溫大於第二平均色溫，且第一平均色溫與第二平均色溫之差值不小於50K及不大於300K。詳言之，將發光裝置放置於一黑色基體上，使得上表面朝上並電連接至外部電源，當發光裝置發光時，利用一照度計(例如UPRtek，型號MK350)量測其色溫以得到第一平均色溫。接著，將發光裝置之下表面朝上並電連接至外部電源，當發光裝置發光時，量測其色溫以得到第二平均色溫。或者，利用色彩分析儀，可得發光裝置所發出的白光於空間上任何一點的色溫值。例如，以發光裝置視為一中心點，其光線之色溫於空間中的分布顯示於第8D圖中(0°~360°)，且定義發光裝置上表面(設置發光二極體元件)之空間角度為0°~180°，發光裝置下表面 (無設置發光二極體元件)之空間角度為180°~360°；於0°~180°的範圍中，任一角度可得一第一色溫點；於180°~360°的範圍中，任一角度可得一第二色溫點，第一色溫點大於第二色溫點且第一色溫點與第二色溫點之差值不小於50K及不大於300K。從第8D圖中可知，於210°~225°的範圍中以及315°~330°的範圍中，其色溫值相對於180°~360°範圍具有較高之色溫。此外，發光裝置上表面(0°~180°)之平均色溫大於下表面(180°~360°)之平均色溫。
第9圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置400之剖面圖。發光裝置400包含一透明載體10'''、複數個發光二極體單元1004設置於載體10'''、一第一電極墊201'''及一第二電極墊201'''。發光二極體單元1004包含一基板140、一第一型半導體層141、一活性層142、及一第二型半導體層143；第一型半導體層141及第二型半導體層143例如為包覆層(cladding layer)或限制層(confinement layer)，可分別提供電子、電洞，使電子、電洞於活性層142中結合以發光。發光二極體單元1004更包含一第一打線墊144形成在第一型半導體層141上；一第二打線墊145形成在第二型半導體層143上。發光二極體單元1004更包含一反射結構146形成於基板140與載體10'''之間，以將發光二極體單元1004所發出之光反射朝向打線墊側，其應用上實質上為一五面發光之發光二極體單元。一焊線147連接發光二極體單元1004之第一打線墊144與相鄰之第二打線墊145彼此以串聯方式形成電連接。更者，焊線147係連接發光二極體單元1004與一第一電極墊201'''及一第二電極墊202'''。當發光裝置400與外部電源(power supply)連接時，外部電源之正端與負端可分別與第一電極墊201'''與第二電極墊202'''形成電連接以使發光二極體單元1004發光。類似地，因包含波長轉換層之透明體103(圖未示)可形成於發光二極體單元1004及至少部分透明載體10'''上，部分發光二極體單元1004發出的光(例如：藍光)可經由波長轉換層轉換成另一光(例如：黃光)，進一步藍光或與黃光可混和成一白光。部分產生之白光可被波長轉換層之顆粒散射或反射後射入透明載體，使得白光不僅僅可以由透明載體上放置有發光二極體晶片之一側(上表面)射出，也可以從透明載體之側面及下表面射出，亦即白光可以從透明載體的各個表面射出(六面發光)。此外，可於波長轉換層中更添加擴散粉(例如：二 氧化鈦)增強白光向下散射的效果。簡而言之，透過本實施例，可利用非均勻發光之光源(五面發光)達到近似均勻發光(六面發光)之效果。在另一實施例中，一波長轉換物質可直接接觸並形成於第二型半導體層143上，以轉換活性層所發出的光，因此透明體可無包含波長轉換層。反射結構146可包含單層或多層，其材料可為導電或絕緣。導電材料包含銀、鋁、鎳、銅、金、鈦、或即其組合。絕緣材料包含環氧樹脂(Epoxy)、氧化矽(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、矽膠(Silicone)、樹脂(Resin)或上述材料之組合。
需注意的是，依據實際應用，載體10、10'、10"對於發光二極體元件11、12A、12B、13所發出之光可為透明或不透明。當載體為透明時，其材料可為玻璃(折射率約為1.4~1.7)、碳化矽、鑽石(Diamond)、環氧樹脂(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化矽(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、矽膠(Silicone)或上述材料之組合。玻璃可包含蘇打石灰鈉玻璃(Soda-Lime Glass)、無鹼玻璃(Alumino Silicate Glass)或低鹼玻璃。當載體為不透明時，其可為電路板。電路板的基板材料包含金屬、熱塑性材料、熱固性材料、或陶瓷材料。金屬包含鋁、銅等。熱固性材料包含酚醛樹脂(Phonetic)、環氧樹脂(Epoxy)、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(Bismaleimide Triazine)或其組合。熱塑性材料包含聚亞醯胺樹脂(Polyimide resin)、聚四氟乙烯(Polytetrafluorethylene)等。陶瓷材料包含氧化鋁、氮化鋁、碳化矽鋁等。上面電極與下面電極可包含金、鋁、銅、銀、或其組合。於另一實施中，載體亦可為可撓式材料(Flexible)。透明體103對於發光二極體元件11、12A、12B、13所發出之光可為透明或半透明。
第10A圖顯示本發明之一實施例中一發光二極體燈泡500之立體圖。發光二極體燈泡500包含一燈罩50、發光裝置100、一電路板52、一散熱件54、一電連接件56。發光裝置100可用發光裝置200、300所替換、且皆可應用於發光二極體燈泡500中。發光裝置100可視為一發光二極體燈條且當固定於電路板52上時，係利用載體10之同一側但不同面(如第1C圖)與電路板52形成電連接；或者，藉由電連接板25，載體10之同一側且同一面(如第6A~6E圖所示)與電路板52形成電連接。電路板52 固接於散熱件54上，散熱件54可幫助發光裝置100所產生的熱藉由傳導、對流或輻射的方式離開發光二極體元件燈泡500。電連接件56與散熱件54相連接，亦與外部電源電連接。在本實施例中，發光裝置100係大致上垂直(z方向)設置於電路板52上，且排列成一三角形(上視圖)。在另一實施例中，發光裝置100係可以長方形、多邊形、或近似圓形之上視圖排列在電路板52上。第10B圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置於電路板之上視圖。發光裝置100係排成四邊形，且發光裝置之上表面101(設有發光二極體元件側)係朝向外面，而下表面102(未設有發光二極體元件側)彼此相對。發光二極體元件燈泡501更包含一發光二極體元件15，係設置在發光裝置100所排成之四邊形之內部，且被發光裝置100所環繞。發光二極體元件15所發出的光大致上係往z方向射出(如第10A圖所示)。需注意的是，發光裝置100可為一發白光之發光裝置，發光二極體元件15可為發紅光，藉由此配置，可改善發光二極體燈泡500之演色性(CRI90)或顏色質量度(Color Quality Scale,CQS85)。發光二極體單元1000、1001、1002、1003、2000、2001皆可應用為發光二極體元件15。
第11A圖顯示本發明之另一實施例中一發光二極體燈泡502之立體圖。第11B圖顯示第11A圖之上視圖。發光二極體燈泡502與發光二極體燈泡500類似，其中相同的符號或是記號所對應的元件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。發光裝置100係大致上垂直(z方向)設置於電路板52上，且排列成一四邊形(上視圖)。上述之發光裝置200、300亦可應用於本實施例中。在另一實施例中，發光裝置係可以長方形、多邊形、或近似圓形之上視圖排列在電路板52上。參照第11B圖，發光裝置100A、100B係沿著一第一方向(A方向)排列且呈一直線；發光裝置100A、100B之寬度方向與第一方向平行。發光裝置100C、100D係沿著一第二方向(B方向)排列且呈一直線；發光裝置100C、100D之寬度方向與第二方向平行。第一方向大約垂直於第二方向，但本發明不限於此，第一方向亦可與第二方向夾一角度(例如：30度、45度或60度)。發光裝置100A、100B之上表面101(設有發光二極體元件側)分別具有一法線係與第一方向(A方向)垂直但朝向相反方向(如箭頭所示)；發光裝置 100C、100D之上表面101(設有發光二極體元件側)分別具有一法線係與第二方向(B方向)垂直但朝向相反方向(如箭頭所示)。再者，發光裝置100A、100B、100C、100D發光方向(如箭頭所示)大致可連結為一順時針(或逆時針)方向；發光裝置100A之上表面101係朝向發光裝置100D之下表面102。第11C圖顯示本發明之另一實施例中一發光裝置於電路板之上視圖。與第11B圖不同的是，更包含一發光二極體元件15，係設置在兩鄰近發光裝置100的空間內；發光二極體元件15所發出的光大致上係往z方向射出(如第10A圖所示)。需注意的是，發光裝置100可為一發白光之發光裝置，發光二極體元件15可為發紅光，藉由此配置，可改善發光二極體燈泡之演色性(CRI90)或顏色質量度(Color Quality Scale,CQS85)。
第12圖顯示本發明之一實施例中一發光燈管之剖面圖。發光燈管包含發光裝置、承載座80及一殼體81。上述所描述之發光裝置皆可互相結合並應用於發光燈管中。於另一實施中，殼體81為可撓式材料(Flexible)。在本實施例中，係以第4C及第4D圖之發光裝置為例。承載座80包含一第一夾置部801、一第二夾置部802、及一貫穿洞803。第一夾置部801與第二夾置部802彼此分開一距離且定義一空間於其中；發光裝置之一部分係穿過夾置部801、802間之空間並穿過貫穿洞803以露出上面電極墊201及下面電極墊301，用以與外部電源電連接。透過夾置部801、802緊密的夾住發光裝置，可使發光裝置固定於承載座80上。於另一實施例中，夾置部801、802間之空間可大於發光裝置之寬度，且夾置部801、802並未直接接觸發光裝置，因此可於發光裝置及夾置部801、802間填充一黏結體(圖未示)以更穩固地固定發光裝置於承載座80上。承載座80將發光裝置大致分隔成兩邊，一邊為具有發光二極體元件11，另一邊僅具有上面電極墊201及下面電極墊301；殼體81僅包覆具有發光二極體元件11之一邊但未包覆具有上面電極墊201及下面電極墊301之另一邊。另，殼體81與發光裝置之最短距離(d2)小於2 mm，可有效地將發光裝置所產生的熱，透過殼體而傳至外界(空氣)。或者，於殼體81與發光裝置之間填有填充物，填充物可包含透明膠、波長轉換層、或擴散粉(圖未示)。填充物係與發光裝置接觸，因此可幫助發光裝置所產生的熱傳導至填充物，進而傳至外界 (空氣)。此外，因具有填充物，發光裝置具有較佳的熱冷比值(hot/cold ratio)。詳言之，當發光裝置電連接於一外部電源時，發光裝置於起始發光狀態，可量測得一冷態發光效率(光通量/瓦數)；而後每隔一段時間量測其發光效率(例如30ms)，當相鄰兩次量測所得之發光效率值，兩個數值之間的差值小於0.5%時，此時後者之發光效率值定義為一熱態發光效率；熱冷比值(hot/cold ratio)即為熱態發光效率與冷態發光效率之比值。在本實施例中，具有填充物於發光裝置與殼體之間，其發光裝置之熱冷比值為R1；無填充物於發光裝置與殼體之間，其發光裝置之熱冷比值為R2；R1與R2之差值大於20%。黏結體之材料可與透明膠相同。殼體81包含鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、環氧樹脂(Epoxy)、石英(quartz)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、氧化矽(SiOx)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、或矽膠(Slicone)。透明膠包含環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、SU8、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、氧化鋁(Al2O3)、SINR、旋塗玻璃(SOG)。
第12A~12C圖顯示製作第12圖之發光燈管之流程圖。參照第12A圖，提供載體10且設置發光二極體元件11於載體10之上表面101及下表面102以形成發光裝置。參照第12B圖，提供一中空殼體81且於殼體81內填入透明膠811(可包含波長轉換層及/或擴散粉)。參照第12C圖，將部分發光裝置埋入至透明膠811；需注意的是，於埋入步驟時，可能會有氣泡產生，因此可進行一脫泡步驟以移除氣泡。或者，氣泡並未完全移除，因此會有氣泡存在透明膠811內。接著，可利用加熱或照光之方式以固化透明膠811。選擇性地，可於固化步驟前，提供一承載座，且使發光裝置穿過承載座之貫穿洞並固定於承載座上(如第12圖所示)，藉此，具有發光二極體元件11之發光裝置之一邊可完全密封於殼體81內，且暴露出上面電極墊201及下面電極墊301與外面電源做電連接。
第13A~13D圖顯示本發明之一實施例中製造一發光裝置600之流程圖。發光裝置600與發光裝置100類似，其中相同的符號或是記號所 對應的元件、裝置或步驟，為具有類似或是相同的元件、裝置或步驟。參照第13A及13B圖，提供一載體10，並利用印刷電路板技術於載體10上形成上面電極20、下面電極30及一暫時電極220。形成一孔洞221並於其內完全填充或部分填充導電物質以電連接上面電極20與下面電極30。暫時電極220與上面電極20可形成電連接。進一步，一切割線222形成於載體之下表面102其位置對應於暫時電極220之位置。設置發光二極體元件11於上面電極20(或下面電極，如第5A圖所示)。發光二極體元件11固定於載體10上可包含表面黏結技術(Surface mounted technology)或打線(Wire bonding)。參照第13C、13D圖，一第一透明層1032沿著發光二極體元件11的輪廓覆蓋於其上；一波長轉換層1033沿著第一透明層1032的輪廓覆蓋於其上；接著，一第二透明層1034覆蓋在波長轉換層1033上但未具有與波長轉換層1033相同之輪廓。於測試過程，外部電源之正端與負端可分別與上面電極20與暫時電極220電連接以使發光二極體元件11發光。之後，沿著切割線222移除暫時電極220以及部分載體10。在本實施例中，可利用劈裂、雷射切割、鑽石刀切割等方法移除暫時電極220。因利用上述方法移除暫時電極220，會使得載體10之側邊121具有粗糙、不平整、或不規則之表面。相對地，載體10之另一側邊122具有平整之表面。簡言之，側邊121與另一側邊122具有不同的粗糙度。波長轉換層1033可包含單層或多層。第13E圖為第13D圖之側視圖(X方向)，發光二極體元件11具有一高度(H2)，第二透明層1034至載體10之最大距離為H1，H2 0.5H1。需注意的是，當發光二極體元件11包含第一透明結構(如第8A圖或第8B圖所示之發光二極體單元2000或2001)，且第一透明結構7026之材料與第一透明層1032材料相同時，其間之界面於電子顯微鏡照射下係模糊不明顯，或者，看不出有介面存在於第一透明結構7026與第一透明層1032之間。
上述所描述之發光裝置，當應用於交流或直流電源120V時，其發光裝置之電壓可設計於140V±10%；應用於交流或直流電源100V時，其發光裝置之電壓可設計於115V±10%；及應用於交流或直流電源220V時，其發光裝置之電壓可設計於280V±10%。交流電源係經過一整流器而形成直流電源。更者，發光裝置亦可應用於實質上為恆定電壓之直流電源(例 如電池)，且發光裝置之電壓可設計小於15V。另，可將複數個上述所描述之發光裝置設置在一載具上，且發光裝置彼此可串聯、並聯或串並連接，以增加其應用性。此外，上述所描述之發光裝置，亦可應用於U型管燈泡、螺旋管燈泡、球泡燈或蠟燭燈等。
需了解的是，除了本發明所描述之發光二極體單元(如第7A~7D、及8A~8B圖所表示)可應用為本發明之發光二極體元件，然，習知之封裝結構(例如：3014或5630封裝體)亦可應用為本發明之發光二極體元件。
需了解的是，本發明中上述之實施例在適當的情況下，是可互相組合或替換，而非僅限於所描述之特定實施例。本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易見之修飾或變更接不脫離本發明之精神與範圍。
100‧‧‧發光裝置
10‧‧‧載體
101‧‧‧上表面
102‧‧‧下表面
103‧‧‧透明體
11‧‧‧發光二極體元件
20‧‧‧上面電極
201、202‧‧‧上面電極墊
203‧‧‧上面電極導線
301、302‧‧‧下面電極墊
303‧‧‧下面電極導線

Claims (10)

  1. 一種發光裝置，包含：一第一電極部；一第二電極部；一第三電極部，與該第一電極部及該第二電極部彼此分離；以及一發光二極體元件，僅局部覆蓋該第一電極部及該第三電極部，且完全覆蓋該第二電極部，該發光二極體並包含一導線結構，係與該第二電極部相接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該導線結構不與該第一電極部及該第三電極部相接觸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該發光二極體元件更包含一第一發光二極體及一第二發光二極體，其中該第一發光二極體及該第二發光二極體係藉由該導線結構彼此電連接。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置，其中，該發光二極體元件更包含一第一透明結構，覆蓋該第一發光二極體及該第二發光二極體。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置，其中，該發光二極體元件更包含一連接墊，局部覆蓋該第一電極部。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該發光二極體元件包含一第一發光二極體及一第二發光二極體，及其中，該第一電極部僅與該第一發光二極體相接觸，該第二電極部與該第一發光二極體及該第二發光二極體相接觸，該第三電極部僅 與該第二發光二極體相接觸。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該發光二極體元件更包含一第一透明結構，該第一透明結構僅局部覆蓋該第一電極部及該第三電極部，且完全覆蓋該第二電極部。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一保護層，形成於該導線結構與該第一透明結構之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一載體及一透明層；其中，該發光二極體元件形成在該載體上且該透明層覆蓋該發光二極體元件；及其中該透明層至該載體之最大距離為H1，該發光二極體元件具有一高度H2；H2 0.5H1。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一透明層，完全覆蓋該發光二極體元件、局部覆蓋該第一電極部、且完全覆蓋該第二電極部。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI571595B (zh) * 2015-11-16 2017-02-21 江昆淵 全周光ｌｅｄ燈管
CN108520873A (zh) * 2018-04-29 2018-09-11 浙江唯唯光电科技股份有限公司 一种串联式led芯片组件及其装配方法
TWI651491B (zh) * 2015-07-23 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI666406B (zh) * 2015-07-23 2019-07-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI599745B (zh) 2013-09-11 2017-09-21 晶元光電股份有限公司 可撓式發光二極體組件及發光二極體燈泡
JP6523179B2 (ja) 2013-12-02 2019-05-29 東芝ホクト電子株式会社 発光ユニット、発光装置及び発光ユニットの製造方法
EP3079175A4 (en) * 2013-12-02 2018-04-11 Toshiba Hokuto Electronics Corporation Light-emission device
JP6560123B2 (ja) 2013-12-02 2019-08-14 東芝ホクト電子株式会社 発光装置およびその製造方法
TWI638962B (zh) * 2014-03-06 2018-10-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
US10278243B2 (en) * 2014-03-06 2019-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight module with MJT LED and backlight unit including the same
USD786458S1 (en) * 2014-08-07 2017-05-09 Epistar Corporation Light emitting diode filament
US10854800B2 (en) 2014-08-07 2020-12-01 Epistar Corporation Light emitting device, light emitting module, and illuminating apparatus
JP6913460B2 (ja) * 2014-09-26 2021-08-04 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
US11997768B2 (en) 2014-09-28 2024-05-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US12007077B2 (en) 2014-09-28 2024-06-11 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11073248B2 (en) 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US9853197B2 (en) 2014-09-29 2017-12-26 Bridgelux, Inc. Light emitting diode package having series connected LEDs
CN105591006A (zh) * 2014-10-20 2016-05-18 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶式led封装体
WO2016080768A1 (ko) * 2014-11-18 2016-05-26 서울반도체 주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
US10217904B2 (en) 2015-02-03 2019-02-26 Epistar Corporation Light-emitting device with metallized mounting support structure
CN110260183A (zh) * 2015-07-23 2019-09-20 晶元光电股份有限公司 发光装置
JP6142902B2 (ja) * 2015-07-23 2017-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
TWI576609B (zh) * 2015-08-07 2017-04-01 高準精密工業股份有限公司 發光裝置
US10545396B2 (en) 2015-08-07 2020-01-28 Everready Precision Ind. Corp. Lighting apparatus and laser diode module
DE102015120085A1 (de) * 2015-11-19 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Filamente, Verfahren zur Herstellung von LED-Filamenten und Retrofitlampe mit LED-Filament
US20170227167A1 (en) * 2016-02-05 2017-08-10 Chung-Ping Lai Light-emitting diode filament lamp
DE102016109665A1 (de) 2016-05-25 2017-11-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Filament und leuchtvorrichtung
US20170345983A1 (en) 2016-05-26 2017-11-30 Epistar Corporation Light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the same
CN109524391A (zh) * 2016-07-17 2019-03-26 管伟 半导体照明装置
CN105932145B (zh) * 2016-07-17 2018-02-13 深圳市乐的美光电股份有限公司 一种led封装结构及其形成的灯串结构
CN106151905A (zh) * 2016-08-15 2016-11-23 浙江阳光美加照明有限公司 一种led发光灯丝及使用该led发光灯丝的led球泡灯
US11129906B1 (en) 2016-12-07 2021-09-28 David Gordon Bermudes Chimeric protein toxins for expression by therapeutic bacteria
KR102400151B1 (ko) * 2017-05-31 2022-05-20 서울반도체 주식회사 엘이디 패키지 세트 및 이를 포함하는 엘이디 벌브
CN109595482A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 朗德万斯公司 Led灯
JP6926948B2 (ja) * 2017-10-27 2021-08-25 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター、画像投写システム、及びプロジェクターの制御方法
US20190139948A1 (en) * 2017-11-03 2019-05-09 Xiamen Eco Lighting Co. Ltd. Led lighting apparatus
US11530783B2 (en) * 2017-11-20 2022-12-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Bulb-type light source
KR102459144B1 (ko) 2017-11-20 2022-10-27 서울반도체 주식회사 전구형 광원
US10797027B2 (en) * 2017-12-05 2020-10-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Displaying apparatus having light emitting device, method of manufacturing the same and method of transferring light emitting device
US10281129B1 (en) * 2018-01-18 2019-05-07 Bgt Materials Limited Filament structure of LED light bulb
US10283683B1 (en) * 2018-01-18 2019-05-07 Bgt Materials Limited Filament structure and LED light bulb having the same
KR20190098709A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 에피스타 코포레이션 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
TW202349704A (zh) * 2018-02-14 2023-12-16 晶元光電股份有限公司 發光裝置、其製造方法及顯示模組
CN110196527A (zh) * 2018-02-26 2019-09-03 光宝光电(常州)有限公司 微型化结构光投射模块
US10551007B2 (en) * 2018-04-03 2020-02-04 Xiamen Eco Lighting Co. Ltd. Lighting device and the manufacturing method of lighting devices
US11013111B2 (en) * 2018-06-05 2021-05-18 Innolux Corporation Electronic device
CN109630913B (zh) * 2018-10-26 2021-01-08 江门市中阳光电科技有限公司 发光装置的制造方法
CN209431157U (zh) * 2019-02-10 2019-09-24 中山市蓝德电子有限公司 一种柔性led倒装软灯条
US11781714B2 (en) * 2019-03-18 2023-10-10 Bridgelux, Inc. LED-filaments and LED-filament lamps
EP4038311B1 (en) * 2019-10-01 2023-02-15 Signify Holding B.V. Led filament arrangement
CN113270443A (zh) * 2020-02-17 2021-08-17 群创光电股份有限公司 电子装置
CN211600499U (zh) * 2020-04-03 2020-09-29 东莞市舒梵家居用品有限公司 一种火把灯
US20230204169A1 (en) * 2020-05-07 2023-06-29 Signify Holding B.V. An led filament and a lamp
US11920738B2 (en) * 2020-06-04 2024-03-05 Xiamen Eco Lighting Co. Ltd. LED bulb apparatus with substrate having light transmission than 50%
US20220216188A1 (en) * 2021-01-06 2022-07-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and light emitting module having the same
JP2024514489A (ja) * 2021-04-01 2024-04-02 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ 両面マルチチャネルフィラメントの光学的及び熱的改善
TWI824277B (zh) * 2021-08-06 2023-12-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
TWI818374B (zh) * 2021-12-07 2023-10-11 隆達電子股份有限公司 發光裝置及其形成方法

Family Cites Families (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS575083A (en) * 1980-06-13 1982-01-11 Tokyo Shibaura Electric Co Display unit
JPH0758782B2 (ja) * 1986-03-19 1995-06-21 株式会社東芝 半導体装置
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
KR100643442B1 (ko) 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19625622A1 (de) * 1996-06-26 1998-01-02 Siemens Ag Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6793374B2 (en) * 1998-09-17 2004-09-21 Simon H. A. Begemann LED lamp
JP3553405B2 (ja) * 1999-03-03 2004-08-11 ローム株式会社 チップ型電子部品
JP3172947B2 (ja) 1999-10-22 2001-06-04 ラボ・スフィア株式会社 発光体を用いた照明装置
CA2393081C (en) 1999-12-03 2011-10-11 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
JP3420748B2 (ja) * 2000-12-14 2003-06-30 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5110744B2 (ja) * 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
JP4076329B2 (ja) * 2001-08-13 2008-04-16 エイテックス株式会社 Ｌｅｄ電球
US7728345B2 (en) * 2001-08-24 2010-06-01 Cao Group, Inc. Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
JP3898666B2 (ja) * 2003-04-28 2007-03-28 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR100593886B1 (ko) 2003-06-24 2006-07-03 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자의 제조방법
US7285801B2 (en) 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
US7397133B2 (en) * 2004-05-18 2008-07-08 Jiahn-Chang Wu Submount for diode with single bottom electrode
TWI263008B (en) * 2004-06-30 2006-10-01 Ind Tech Res Inst LED lamp
JP2006100500A (ja) 2004-09-29 2006-04-13 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP4241658B2 (ja) * 2005-04-14 2009-03-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源
WO2006137337A1 (ja) 2005-06-23 2006-12-28 Tpo Hong Kong Holding Limited 光電変換機能を有する液晶表示装置
KR100655218B1 (ko) * 2005-07-01 2006-12-08 삼성전자주식회사 다각기둥 형상의 접지 블록을 갖는 3차원 반도체 모듈
TWI266428B (en) * 2005-08-30 2006-11-11 Quarton Inc Semiconductor chip package and application device thereof
CN101258613B (zh) * 2005-09-20 2010-05-12 株式会社瑞萨科技 液晶显示装置
US20070159828A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-12 Ceramate Technical Co., Ltd. Vertical LED lamp with a 360-degree radiation and a high cooling efficiency
US7745839B2 (en) * 2006-02-23 2010-06-29 Rohm Co., Ltd. Double wavelength semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US20070200119A1 (en) 2006-02-26 2007-08-30 Yun-Li Li Flip-chip led package and led chip
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US10228093B2 (en) * 2015-08-17 2019-03-12 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb and LED filament thereof
US7538340B2 (en) * 2006-12-01 2009-05-26 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Low side emitting light source and method of making the same
JP2008252069A (ja) 2007-03-06 2008-10-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
TWI344709B (en) 2007-06-14 2011-07-01 Epistar Corp Light emitting device
CN101329054B (zh) * 2007-06-22 2010-09-29 富准精密工业(深圳)有限公司 具有散热结构的发光二极管灯具
DE102007030129A1 (de) 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102008024776A1 (de) * 2007-09-28 2009-11-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel mit magnetischer Haftung
EP2245367A4 (en) * 2008-01-15 2015-08-12 Philip Premysler OMNIDIRECTIONAL LED BULB
JP5463447B2 (ja) 2008-01-18 2014-04-09 三洋電機株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具
JP2009259768A (ja) 2008-03-28 2009-11-05 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
DE102008025318A1 (de) 2008-05-27 2009-12-10 Setrinx S.A.R.L. Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen
CN101608774B (zh) * 2008-06-20 2011-03-30 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管照明装置及制造方法
DE102009025015A1 (de) 2008-07-08 2010-02-18 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
CN101364585B (zh) * 2008-09-25 2010-10-13 旭丽电子(广州)有限公司 一种芯片封装结构及其制造方法
KR20110117090A (ko) * 2009-02-17 2011-10-26 카오 그룹, 인코포레이티드 공간 조명을 위한 ｌｅｄ 광 전구
TW201037212A (en) 2009-04-02 2010-10-16 Liquidleds Lighting Corp LED light bulb
JP4686643B2 (ja) * 2009-07-03 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
US8376212B2 (en) 2009-09-03 2013-02-19 Consolidated Graphics, Inc. Automated flat mail piece
US8455910B2 (en) * 2009-09-21 2013-06-04 Walsin Lihwa Corporation Method of manufacturing light emitting diode packaging lens and light emitting diode package
TWM379006U (en) * 2009-10-22 2010-04-21 Jia-hao ZHANG LED light bar
TWI414088B (zh) 2009-12-16 2013-11-01 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
WO2011083923A2 (en) 2010-01-07 2011-07-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
TWM383680U (en) * 2010-01-29 2010-07-01 Chang Jia Hao Covering lamp of bar lamp
KR100999784B1 (ko) 2010-02-23 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
TWI470832B (zh) 2010-03-08 2015-01-21 Lg Innotek Co Ltd 發光裝置
KR101014102B1 (ko) * 2010-04-06 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8354745B2 (en) * 2010-04-20 2013-01-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Electronic assembly
CN101846256A (zh) 2010-05-04 2010-09-29 蔡州 Led光源
KR20110123118A (ko) 2010-05-06 2011-11-14 삼성전자주식회사 패터닝된 발광부를 구비한 수직형 발광소자
JP5471805B2 (ja) 2010-05-14 2014-04-16 サンケン電気株式会社 発光素子及びその製造方法
JP5537295B2 (ja) * 2010-07-05 2014-07-02 パナソニック株式会社 発光素子実装用配線パターン、発光素子実装用配線パターンを有する発光素子実装用配線基板および発光素子実装用配線基板を用いた発光モジュールならびに発光モジュールを装備した照明器具
TWI427829B (zh) 2010-07-26 2014-02-21 Epistar Corp 一種半導體光電元件及其製作方法
JP5211121B2 (ja) 2010-08-06 2013-06-12 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
US20120049732A1 (en) 2010-08-26 2012-03-01 Chuang Sheng-Yi Led light bulb
AU2011300999B2 (en) 2010-09-08 2014-12-18 Zhejiang Ledison Optoelectronics Co., Ltd. LED lamp bulb and LED lighting bar capable of emitting light over 4pi
CN201838589U (zh) * 2010-09-28 2011-05-18 深圳市彬赢光电科技有限公司 Led发光模组
JP2012099726A (ja) 2010-11-04 2012-05-24 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄランプ
US8410726B2 (en) 2011-02-22 2013-04-02 Quarkstar Llc Solid state lamp using modular light emitting elements
CN102694103B (zh) * 2011-03-25 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
CN102903705B (zh) * 2011-07-27 2015-02-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP2013045943A (ja) * 2011-08-25 2013-03-04 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
CN103000782B (zh) * 2011-09-13 2016-09-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
JP5551322B2 (ja) * 2011-09-20 2014-07-16 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール及びそれを用いたｌｅｄランプ
JP5883270B2 (ja) * 2011-11-02 2016-03-09 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
CN103254889B (zh) * 2012-02-16 2015-12-09 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 荧光粉薄膜制作方法及相应的发光二极管封装方法
CN202523755U (zh) * 2012-04-01 2012-11-07 广州大学 一种具有热电分离结构的发光器件
CN203277380U (zh) * 2012-05-29 2013-11-06 璨圆光电股份有限公司 发光组件及其发光装置
US9461209B2 (en) * 2013-11-27 2016-10-04 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
TWI597872B (zh) * 2013-11-25 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWM476896U (en) * 2014-01-03 2014-04-21 Jin-Feng Su Heat pipe built-in LED omni-directional light bulb
CN204573715U (zh) * 2015-04-21 2015-08-19 北京京东方茶谷电子有限公司 一种led灯条、背光源及显示装置
KR102480220B1 (ko) * 2016-04-08 2022-12-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널
KR102430500B1 (ko) * 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI651491B (zh) * 2015-07-23 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI666406B (zh) * 2015-07-23 2019-07-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI571595B (zh) * 2015-11-16 2017-02-21 江昆淵 全周光ｌｅｄ燈管
CN108520873A (zh) * 2018-04-29 2018-09-11 浙江唯唯光电科技股份有限公司 一种串联式led芯片组件及其装配方法
CN108520873B (zh) * 2018-04-29 2020-07-10 浙江唯唯光电科技股份有限公司 一种串联式led芯片组件及其装配方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11054088B2 (en) 2021-07-06
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US20220252228A1 (en) 2022-08-11
US11578838B2 (en) 2023-02-14
CN108899409B (zh) 2020-08-21
CN104241512B (zh) 2018-07-20

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