TW201443548A - 平坦化極紫外線微影基板及其製造與微影系統 - Google Patents

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Abstract

一種整合的極紫外線(EUV)基板生產系統，包括：用於將基材放置在真空中的真空腔室；用於在該基材上方沉積平坦化層的第一沉積系統，該平坦化層具有平坦化的頂表面；以及用於在該平坦化層上沉積多層堆疊而不需將該基材從該真空移出的第二沉積系統。該EUV基板係在EUV微影系統中，該EUV微影系統包括：極紫外線光源；用於導引來自該EUV源的光的反射鏡；用於放置具有平坦化層的EUV遮罩基板的遮罩板台；以及用於放置晶圓的晶圓台。該EUV基板包括：基材；平坦化層，用以補償與該基材之表面相關的缺陷，該平坦化層具有平的頂表面；以及該平坦化層上的多層堆疊。

Description

平坦化極紫外線微影基板及其製造與微影系統 【相關申請案的交叉引用】
本專利申請案主張於2013年3月12日提出申請的美國臨時專利申請案序號第61/778,335號的優先權權益，該申請案之標的物以引用方式併入本文中。
本申請案包含與同時於2013年12月23日提出申請的美國專利申請案序號第14/139,371號相關的標的物，該申請案之標的物以引用方式併入本文中。
本申請案包含與同時於2013年12月23日提出申請的美國專利申請案序號第14/139,415號相關的標的物，該申請案之標的物以引用方式併入本文中。
本申請案包含與同時於2013年12月23日提出申請的美國專利申請案序號第14/139,457號相關的標的物，該申請案之標的物以引用方式併入本文中。
本申請案包含與同時於2013年12月23日提出申請的美國專利申請案序號第14/139,507號相關的標的物，該申請案之標的物以引用方式併入本文中。
本發明大體而言係關於極紫外線微影基板及該極紫外線微影基板之製造與微影系統。
對於0.13微米及更小的最小特徵尺寸的半導體元件之製造而言，極紫外線微影(EUV，亦習知為軟X射線投影微影)是取代深紫外線微影的競爭者。
然而，通常在5至40奈米波長範圍中的極紫外光在幾乎所有的材料中是強吸收的。出於這個原因，極紫外線系統是藉由光的反射來運作而不是藉由光的透射。經由使用一系列的反射鏡或透鏡元件及反射元件或塗有非反射吸收遮罩圖案的遮罩基板，圖案化的光化光被反射到塗有阻劑的半導體晶圓。
極紫外線微影系統的透鏡元件和遮罩基板塗佈有材料的反射多層塗層，該材料例如鉬和矽。藉由使用塗佈有多層塗層的基材已經獲得每個透鏡元件或遮罩基板約65%的反射值，該多層塗層基本上強反射在極窄紫外線帶通內的單一波長的光；例如在12至14奈米帶通內的13奈米紫外光。
在半導體處理技術中有各種類別的缺陷會引發問題。不透明的缺陷通常是由於在多層塗層或遮罩圖案頂部上的顆粒所造成的，在應該反射時不透明的缺陷會吸收光。透明的缺陷通常是由於遮罩圖案中在多層塗層頂部上的針孔所造成的，當光應該被吸收時通過透明的缺陷光會被反射。而相缺陷通常是由於多層塗層下方的刮痕和表面變化所造成 的，相缺陷造成反射光的相變。這些相變導致光波的干涉效應，從而扭曲或改變半導體晶圓表面上的阻劑中將被曝光的圖案。由於必須用於次0.13微米最小特徵尺寸的輻射之波長較短，故從前微不足道的刮痕和表面變化現在變成無法容忍。
雖然在減少或消除顆粒缺陷上已經取得了進展，而且對於修復遮罩中的不透明和透明缺陷已經做了努力，但迄今仍尚未解決相缺陷的問題。對於深紫外線微影而言，可對表面進行處理以將相變保持在60度以下。用於極紫外線微影的類似處理則尚待開發。
對於13奈米的光化波長來說，在表面下方深度淺至3奈米的刮痕即可使反射自多層塗層的光發生180度的相變。隨著波長變短這個深度會變得更淺。同樣地，在相同的波長下，比在距離100奈米間的1奈米升高更陡峭的表面變化可能會導致類似的相變。這些相變會在半導體晶圓的表面造成相缺陷並且永久性地損壞半導體元件。
在過去，用於深紫外線微影的遮罩基板通常都是由玻璃製成的，但矽或超低熱膨脹材料已被提出作為用於極紫外線微影的替代品。不管該基板是由玻璃、矽或超低熱膨脹材料所製成，可藉由化學機械研磨、磁流變加工或離子束研磨這些製程來將遮罩基板的表面盡可能地做得光滑。在這樣的製程後留下的刮痕有時被稱為「刮-挖」痕跡，而且該痕跡的深度和寬度取決於用以研磨遮罩基板的研磨劑中的顆粒之大小。對於可見光和深紫外線微影來說，這些刮痕太小而無法在半導體晶圓上的圖案中造成相缺陷。然而，對於極紫外 線微影而言，刮-挖痕跡是重大的問題，因為刮-挖痕跡將顯現為相缺陷。
由於EUV微影所需的短照明波長，使用的圖案遮罩必須是反射型遮罩，而不是目前的微影中使用的透射遮罩。反射型遮罩是由交替的鉬和矽薄層精確堆疊所製成，從而構成布拉格折射鏡或反射鏡。由於多層堆疊的本質和小的特徵尺寸，上面沉積多層堆疊的基材表面中的任何缺陷都將被放大並影響最終的產品。尺度在幾個奈米的缺陷在完成的遮罩上會顯現為可印刷的缺陷，而且需要在沉積多層堆疊之前將該等缺陷從遮罩基板的表面去除。
常見的缺陷包括凹痕、刮痕及顆粒。常見的清洗技術去除了許多的顆粒，但也會產生新的凹痕或擴大現有的凹痕。凹痕可以來自研磨或清洗製程，或是可以來自在切割和研磨製程的過程中曝露的基材材料本身的夾雜物或瑕疵。可以使用進一步的研磨來去除表面的凹痕，但有一種風險，即新的凹痕將被曝露出或在製程中產生，從而限制單獨使用研磨來光滑化和平坦化基材表面的有用性。基材光滑化的另一種方法是雷射或電漿退火。這些技術使玻璃基材的表面薄層熔化並回流，以去除局部缺陷。問題是，該等技術在基材表面引發範圍較長的粗糙或波紋，因此無法提供EUV遮罩基板所需的基材平坦度。
鑑於電子元件的特徵尺寸越來越小的需求，日益關鍵的是找到這些問題的解決方案。鑑於不斷增加的商業競爭壓力以及成長的消費者期望，關鍵的是找到這些問題的解決 方案。此外，降低成本、改良效率和性能及滿足競爭壓力的需求對於找到這些問題的解決方案的關鍵必要性添加了更大的緊迫性。
這些問題的解決方案已被尋求許久，但先前的發展仍尚未教示或建議任何的解決方案，因此，這些問題的解決方案已經困惑精熟此項技藝者許久。
本發明之一實施例為一種整合的極紫外線(EUV)基板生產系統，包括：用於將基材放置在真空中的真空腔室；用於在該基材上方沉積平坦化層的第一沉積系統，該平坦化層具有平坦化的頂表面；以及用於在該平坦化層上沉積多層堆疊而不需將該基材從該真空移出的第二沉積系統。
本發明之一實施例為EUV微影系統，包括：極紫外線光源；用於導引來自該EUV源的光的反射鏡；用於放置具有平坦化層的EUV遮罩基板的遮罩板台；以及用於放置晶圓的晶圓台。
本發明之一實施例為EUV基板，包括：基材；平坦化層，用以補償與該基材之表面相關的缺陷，該平坦化層具有平的頂表面；以及該平坦化層上的多層堆疊。
本發明的某些實施例具有其他的步驟或元件來外加於或取代上述的那些步驟或元件。對於精熟此項技藝者而言，當參照附圖來閱讀以下的實施方式時，該等步驟或元件將變得顯而易見。
100‧‧‧整合的EUV遮罩生產系統
102‧‧‧遮罩基板裝載和載體處理系統
104‧‧‧遮罩基板
106‧‧‧氣鎖室
108‧‧‧晶圓傳送系統真空腔室
110‧‧‧第一真空腔室
112‧‧‧第二真空腔室
114‧‧‧第一晶圓傳送系統
116‧‧‧第二晶圓傳送系統
118‧‧‧除氣系統
120‧‧‧第一物理氣相沉積系統
122‧‧‧第二物理氣相沉積系統
124‧‧‧預清洗系統
126‧‧‧第一多陰極源
128‧‧‧可流動化學氣相沉積(FCVD)系統
130‧‧‧固化系統
132‧‧‧第二多陰極源
134‧‧‧晶圓
136‧‧‧晶圓
200‧‧‧EUV遮罩基板
202‧‧‧超低熱膨脹基材
203‧‧‧缺陷
204‧‧‧平坦化層
205‧‧‧光滑頂表面
206‧‧‧多層堆疊
208‧‧‧覆蓋層
210‧‧‧吸收層
212‧‧‧抗反射塗層(ARC)
214‧‧‧背側夾持層
300‧‧‧EUV遮罩
302‧‧‧圖案
400‧‧‧方法
402-428‧‧‧步驟
500‧‧‧替代方法
502-526‧‧‧步驟
600‧‧‧光具組
602‧‧‧電漿源
604‧‧‧收集器
606‧‧‧照明器系統
608‧‧‧場面反射鏡
610‧‧‧瞳面反射鏡
612‧‧‧遮罩板
614‧‧‧投影光學元件
616‧‧‧晶圓
700‧‧‧EUV微影系統
702‧‧‧EUV光源區
704‧‧‧遮罩板台
706‧‧‧晶圓台
第1圖為整合的極紫外線(EUV)遮罩生產系統。
第2圖為依據本發明之實施例的EUV遮罩基板。
第3圖為EUV遮罩。
第4圖為使用超低缺陷製作EUV遮罩基板的方法。
第5圖為使用超低缺陷製作EUV遮罩基板的替代方法。
第6圖為用於EUV微影系統的光具組。
第7圖為EUV微影系統。
以下的實施例被描述地足夠詳細，以使精熟此項技藝者能夠製作和使用本發明。應當理解的是，基於本揭示，其他的實施例會是明顯的，而且在不偏離本發明的範圍下可以做出系統、製程或機械上的變化。
在以下的描述中，給出許多的具體細節來提供對本發明的徹底瞭解。然而，將顯而易見的是，本發明可以在沒有這些具體細節的情況下實施。為了避免模糊本發明，並未詳細揭示一些眾所周知的電路、系統配置及製程步驟。
圖示系統實施例的圖式是半示意性的，不是依照比例的，特別是某些尺寸是為了呈現的清晰度，而且在圖示中是被放大顯示。同樣地，雖然圖式中的視圖為了便於說明通常顯示出類似的方向，但圖示中大部分的描繪是任意的。一般來說，本發明可以在任何方向進行操作。
當多個實施例被揭示和描述為具有一些共同的特徵時，為了說明、描述及理解的清晰度和簡便，將使用類似的 元件符號來描述類似的和相像的特徵。
為了說明的目的，本文中使用的術語「水平」被定義為平行於遮罩基板的平面或表面的平面，不管方向為何。術語「垂直」係指垂直於方才定義的水平的方向。諸如「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側」(如在「側壁」中)、「較高」、「較低」、「上部」、「上方」及「下方」等術語係相對於水平平面所定義的，如圖式所示。術語「上」表示元件之間有直接的接觸。
本文中使用的術語「處理」包括材料或光阻的沉積、形成所述結構時所需的材料或光阻的圖案化、曝光、顯影、蝕刻、清洗及/或移除。
本發明的實施例藉由CVD、PVD、ALD及可流動的CVD使用各種已建立的技術來沉積矽、氧化矽及具有相容的熱膨脹係數的相關薄膜，以填補凹痕並掩埋缺陷。一旦沉積了，薄膜的表面對於進一步的多層堆疊沉積可以是足夠光滑和平坦的，或是之後可以使用各種已建立的光滑化或研磨技術來進一步光滑化薄膜的表面，該技術包括CMP、退火或離子束研磨。
現在參照第1圖，其中圖示整合的極紫外線(EUV)遮罩生產系統100。整合的EUV遮罩生產系統100包括遮罩基板裝載和載體處理系統102，其中遮罩基板104被載入遮罩基板裝載和載體處理系統102中。氣鎖室106提供到晶圓傳送系統真空腔室108的進出。在圖示的實施例中，晶圓傳送系統真空腔室108包含兩個真空腔室，第一真空腔室110和 第二真空腔室112。在第一真空腔室110內的是第一晶圓傳送系統114，並且在第二真空腔室112中的是第二晶圓傳送系統116。
晶圓傳送系統真空腔室108具有複數個圍繞其周邊的端口，用於附接各種其他的系統。第一真空腔室110具有除氣系統118、第一物理氣相沉積系統120、第二物理氣相沉積系統122及預清洗系統124。
第二真空腔室112具有連接的第一多陰極源126、可流動化學氣相沉積(FCVD)系統128、固化系統130及第二多陰極源132。
第一晶圓傳送系統114能夠在氣鎖室106和圍繞第一真空腔室110周邊的各個系統之間移動晶圓，例如晶圓134，並以連續真空通過狹縫閥。第二晶圓傳送系統116能夠在第二真空腔室112周圍移動晶圓，例如晶圓136，同時將晶圓保持在連續真空中。
已經發現的是，整合的EUV遮罩生產系統100提供了製造EUV遮罩基板的理想環境。
現在參照第2圖，其中圖示依據本發明之實施例的EUV遮罩基板200。EUV遮罩基板200具有由玻璃、矽或其他超低熱膨脹材料製成的超低熱膨脹基材202。超低熱膨脹材料包括熔融矽石、熔融石英、氟化鈣、碳化矽、氧化矽-氧化鈦合金或具有這些材料範圍內的熱膨脹係數的其他材料。
超低膨脹基材202的頂表面具有缺陷203，諸如由使用研磨劑的化學機械研磨(CMP)造成的凸起、凹痕及顆 粒。這樣的製程所留下的刮痕有時被稱為「凹痕」及/或「刮挖」痕跡，而且該等刮痕之深度和寬度取決於使用來研磨EUV遮罩基板200的研磨劑中的顆粒之大小。
已經發現的是，在EUV遮罩基板200中的凹痕和刮痕缺陷(通常稱為凹痕)可以藉由沉積平坦化層204而被填充消除。平坦化層204或可流動的膜可以藉由沉積可流動的CVD膜或藉由CVD、PVD或類似的製程沉積厚度範圍在100Å至10,000Å的矽、氧化矽或相關的膜來形成。
已經發現的是，薄膜的沉積填充了基材表面中的表面缺陷並使表面缺陷趨於平整，例如深寬比為1：6至30：1並高達32nm深和220nm寬的凹痕，該凹痕將導致問題產生。
同時，已經發現的是，其他的表面缺陷，例如在超低膨脹基材202上的顆粒、凸塊和其他缺陷可以被平坦化，以消除該等表面缺陷可能導致的任何問題。平坦化層204可以使凸塊平整或完全包封從10nm到300nm的顆粒。
已經發現的是，平坦化層204可以提供足夠用於EUV應用的平坦頂表面或平坦化層204的光滑頂表面205，光滑頂表面205具有比平坦化層204下方具有缺陷203的表面更高的平坦度。
在可流動CVD膜的情況下，對於EUV遮罩基板200可能不需要進一步的處理來在超低膨脹基材202上實現可接受光滑的平坦表面。對於矽、氧化矽或相關的薄膜，沉積後的光滑化可能是需要的。此光滑化可以藉由各種研磨方法來進行，該等研磨方法包括但不限於CMP、化學研磨、離子束 研磨或退火。假使需要進一步進行光滑化，則這些光滑化技術也可以被應用到可流動的CVD膜。
已經發現的是，在本發明中平坦化層204的光滑頂表面205之光滑度可以低於0.5nm(奈米)RMS。
因此，平坦化層204可被用於填充下層或基材中的凹痕及/或缺陷、覆蓋下層或基板頂部上的顆粒、或光滑化已經被平坦化的下層或基材。
多層堆疊206在平坦化層204的上方形成，以形成布拉格反射器。由於光學元件的透射本質及EUV使用的照明波長，故使用了反射型光學元件，並且多層堆疊206可以由交替的高Z和低Z材料層所製成，例如鉬和矽，從而形成反射器。
覆蓋層208形成在多層堆疊206上方。覆蓋層可以是諸如釕(Ru)或釕之非氧化化合物的材料，以有助於保護多層堆疊206不受EUV遮罩基板200在遮罩處理的過程中可能接觸的氧化和任何化學蝕刻劑侵蝕。其他的材料，例如氮化鈦、碳化硼、氮化矽、氧化釕和碳化矽也可被用於覆蓋層208中。
吸收層210被放置在覆蓋層208上。吸收層210是由對特定頻率的EUV光(約13.5nm)具有高吸收係數的材料所製成，而且可以是例如鉻、鉭或鉻和鉭之氮化物的材料。
抗反射塗層(ARC)212被沉積在吸收層210上。ARC 212可以由諸如氧氮化鉭或鉭硼氧化物的材料所製成。
背側夾持層214形成於超低膨脹基材202的後表面 上，用於將基材夾持於靜電夾盤(未圖示)上或用靜電夾盤夾持基材。
現在參照第3圖，其中圖示EUV遮罩300。EUV遮罩300是方形的，並在頂表面上具有圖案302。
現在參照第4圖，其中圖示用於製作具有超少缺陷的EUV遮罩基板200的方法400。超少缺陷基本上是零缺陷。方法400包括在步驟402供應玻璃基板。玻璃基板在步驟404進行背側清洗，並在步驟406中進行除氣和預清洗。
在步驟408施加第2圖的背側夾持層214，並在步驟410中進行前側清洗。一些步驟412較好是在第1圖的整合EUV遮罩生產系統100中同時在連續真空下進行，以避免來自環境條件的污染。
在步驟414進行除氣和預清洗，而且在步驟416進行平坦化。在平坦化層固化步驟418中固化平坦化層，而且在步驟420進行多層沉積。覆蓋層208是在覆蓋層步驟422中沉積。
之後退出整合EUV遮罩生產系統100，在步驟424進行深紫外線(DUV)/光化性檢查，在步驟426中選擇性地清洗遮罩基板，以及在步驟428沉積吸收層和抗反射塗層。
現在參照第5圖，其中圖示製作具有超少缺陷的EUV遮罩基板200的替代方法500。超少缺陷基本上是零缺陷。替代方法500開始於在步驟502中供應玻璃基板。玻璃基板在步驟504進行背側清洗以及在步驟506進行前側清洗。
一些步驟508較好是在第1圖的整合EUV遮罩生產 系統100中同時在連續真空下進行，以避免來自環境條件的污染。
玻璃基板在步驟510進行除氣和預清洗。在步驟512沉積背側夾持層214，並且在步驟514進行平坦化。在步驟516固化平坦化層。在步驟518進行多層沉積，並且在步驟520中施加覆蓋層。
雖然DUV/光化性檢查可以在整合EUV遮罩生產系統100內部進行，但在步驟522中DUV/光化性檢查也可以在整合EUV遮罩生產系統100的外部進行。在步驟524中選擇性地清洗遮罩基板，而且可以在步驟526沉積吸收層和抗反射塗層。
現在參照第6圖，其中圖示用於EUV微影系統的光具組600。光具組600具有極紫外光源，例如電漿源602，用於產生EUV光並將EUV光收集於收集器604。收集器604將光提供到場面反射鏡608，場面反射鏡608是照明器系統606的一部分，照明器系統606還包括瞳面反射鏡610。照明器系統606提供EUV光至遮罩板612(此為第1圖的遮罩基板104經完整處理的版本)，遮罩板612將EUV光反射通過投影光學元件614並到達晶圓616上。
現在參照第7圖，其中圖示EUV微影系統700。EUV微影系統700包括EUV光源區702、遮罩板台704及晶圓台706附屬於光具組600。
本發明的實施例將EUV基板平坦化和光滑化，以便去除基材表面上的所有凹痕、缺陷及顆粒，使得表面為原子 級平的和光滑的。這個想法是在EUV基板基材的表面上沉積無缺陷的材料，然後該EUV空白基板可以進行處理而不會誘生任何缺陷，以實現原子級平的和光滑的表面。第3圖的EUV遮罩300是EUV微影系統700的關鍵元件，而且若沒有在適當平坦化的、平的及光滑的EUV基板上的EUV遮罩，則EUV微影系統700無法發揮功能。
第一步驟是填補所有存在的凹痕；這可以藉由沉積平坦化層或藉由CVD、PVD或類似的製程沉積矽、氧化矽或相關的膜來完成，該平坦化層是可流動的CVD膜。這個平坦化步驟也將掩埋顆粒、凸塊、凹痕及其他在EUV基板基材表面上或內的缺陷。在可流動CVD膜的情況下，可能不需要進一步的處理來在EUV基板基材上實現可接受光滑的、平的表面。
對於矽、氧化矽或相關的膜來說，沉積後的光滑化將很可能是必要的。此光滑化可以藉由各種研磨方法來完成，該等研磨方法包括但不限於CMP、化學研磨、離子束研磨或退火。假使需要進一步的光滑化，也可以將這些技術應用於可流動的CVD膜。
這種方法的一個優點在於該方法是基材獨立的，所以可被用於各種的基材和基材品質上。該方法具有使使用具有EUV基板所需性質但在研磨後不具有原子級平的光滑表面的玻璃基材成為可能的潛能。這種獨立性使得使用不同的基材供應商成為可能，並最少化供應商在製備和研磨基材時意外的變化所帶來的影響。
本發明的實施例主要目標在於提供原子級平的光滑基材表面，用於製造EUV遮罩基板，但本發明也可被用於任何需要原子級平的光滑表面的應用，例如EUV反射鏡608、610等。
另一種方法會是使用平的高熱傳導表面來在上面生長多層堆疊。歷史上，由於光學元件的透射本質和所使用的照明波長，玻璃被用來作為遮罩用基材。EUV會被所有的材料吸收，因此使用了反射式光學元件。然而，反射率並非100%(目前的Mo/Si疊層是<70%)，而且吸收的輻射部分將會加熱基材。
將目前的遮罩玻璃基材組成最適化，以給出在操作溫度下為零的熱膨脹係數，以避免阻劑曝光期間的圖案扭曲。假使使用了比玻璃更導熱的基材，例如金屬或矽，則來自EUV曝光的熱可以被轉移到冷卻的夾盤，從而免除了特製玻璃的需求。此外，可以使用半導體相容製程來光滑化遮罩基材表面，例如沉積諸如上述(矽、二氧化矽)的層或藉由CMP或上述兩者之組合。
所得到的方法、製程、設備、裝置、產品及/或系統是直接的、具有成本效益的、不複雜的、高度通用的、準確的、靈敏的及有效的，而且可以採用習知的元件來實現，以用於立即、有效及經濟的製造、應用及使用。
本發明的另一個重要態樣在於本發明有價值地支持和服務了降低成本、簡化系統及增加性能的歷史趨勢。
結果，本發明的這些和其他有價值的態樣將技術狀 態推動到至少下一個水平。
雖然已經結合了具體的最佳模式來描述本發明，但是應當瞭解的是，鑑於前面的描述，許多的替換、修改和變化對於精熟此項技藝者而言將是顯而易見的。因此，意圖包括所有落入隨附申請專利範圍之範圍內的這種替換、修改和變化。所有本文中迄今闡述的或附圖中圖示的事項皆應被以說明性的和非限制性的意義解讀。
100‧‧‧整合的EUV遮罩生產系統
102‧‧‧遮罩基板裝載和載體處理系統
104‧‧‧遮罩基板
106‧‧‧氣鎖室
108‧‧‧晶圓傳送系統真空腔室
110‧‧‧第一真空腔室
112‧‧‧第二真空腔室
114‧‧‧第一晶圓傳送系統
116‧‧‧第二晶圓傳送系統
118‧‧‧除氣系統
120‧‧‧第一物理氣相沉積系統
122‧‧‧第二物理氣相沉積系統
124‧‧‧預清洗系統
126‧‧‧第一多陰極源
128‧‧‧可流動化學氣相沉積(FCVD)系統
130‧‧‧固化系統
132‧‧‧第二多陰極源
134‧‧‧晶圓
136‧‧‧晶圓

Claims (32)

  1. 一種整合的極紫外線基板生產系統，包含：一真空腔室，用於將一基材放置在一真空中；一第一沉積系統，用於在該基材上方沉積一平坦化層，該平坦化層具有一平坦化的頂表面；以及一第二沉積系統，用於在該平坦化層上沉積一多層堆疊，不需將該基材從該真空移出。
  2. 如請求項1所述之系統，其中該第一沉積系統係用以沉積一可流動氣相沉積膜之該平坦化層，以形成該平坦化層之一頂表面，該頂表面具有比該平坦化層下方的一表面更大的平坦度。
  3. 如請求項1所述之系統，其中該第一沉積系統係用以沉積該平坦化層，以填補在該平坦化層之一頂表面下方的一表面上的一凹痕缺陷，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  4. 如請求項1所述之系統，其中該第一沉積系統係用以沉積該平坦化層，以包封在該平坦化層下方的一表面上的一顆粒，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  5. 如請求項1所述之系統，其中該第一沉積系統係用以沉積該平坦化層，以填補在該平坦化層下方的一表面中的一凹痕，該凹痕具有一從1：6至30：1的深寬比，以提供該平坦化 層之一光滑頂表面。
  6. 如請求項1所述之系統，其中沉積該平坦化層在該平坦化層下方的一表面上平整一凸塊或包封一高度從10nm至30nm的顆粒，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  7. 如請求項1所述之系統，其中該第一沉積系統係用以沉積該平坦化層，該平坦化層被平坦化成具有一在0.5nm RMS以下的表面光滑度。
  8. 如請求項1所述之系統，其中該第二沉積系統係用以在該平坦化層上方沉積該多層堆疊，以形成一極紫外線遮罩基板。
  9. 如請求項1所述之系統，其中該第二沉積系統係用以在該平坦化層上方沉積該多層堆疊，以形成一極紫外線反射鏡。
  10. 一種極紫外線微影系統，包含：一極紫外線光源，例如一電漿源；一極紫外線反射鏡，用於導引來自該極紫外線光源的光；一遮罩板台，用於放置一極紫外線遮罩基板，該極紫外線遮罩基板用以接收來自該極紫外線反射鏡的極紫外光，該極紫外線遮罩基板包括一平坦化層；以及一晶圓台，用於放置一晶圓。
  11. 如請求項10所述之系統，其中該極紫外線遮罩基板具有一可流動化學氣相沉積膜之該平坦化層，該平坦化層具有比該平坦化層下方的一表面更大的平坦度。
  12. 如請求項10所述之系統，其中該極紫外線遮罩基板具有該平坦化層，以填補在該平坦化層之一頂表面下方的一表面上的一凹痕缺陷，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  13. 如請求項10所述之系統，其中該極紫外線遮罩基板具有該平坦化層，以包封在該平坦化層下方的一表面上的一顆粒。
  14. 如請求項10所述之系統，其中該極紫外線遮罩基板具有該平坦化層，以填補在該平坦化層下方的一表面中的一凹痕，該凹痕具有一從1：6至30：1的深寬比，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  15. 如請求項10所述之系統，其中該極紫外線遮罩基板具有該平坦化層，以在該平坦化層下方的一表面上覆蓋一凸塊或包封一高度從10nm至300nm的顆粒，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  16. 如請求項10所述之系統，其中該極紫外線遮罩基板具有該平坦化層，該平坦化層被平坦化成具有一在0.5nm RMS以 下的表面光滑度。
  17. 如請求項10所述之系統，其中該反射鏡具有一反射鏡平坦化層，以填補在該平坦化層下方的一表面中的一凹痕，該凹痕具有一從6：1至30：1的深寬比，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  18. 如請求項10所述之系統，其中該反射鏡具有一反射鏡平坦化層，以在該平坦化層下方的一表面上包封一高度從10nm至300nm的顆粒，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  19. 如請求項10所述之系統，其中該反射鏡具有該平坦化層，該平坦化層被平坦化成具有一在0.5nm RMS以下的表面光滑度。
  20. 一種極紫外線基板，包含：一基材；一平坦化層，用以補償與該基材之表面相關的缺陷，該平坦化層具有一平的頂表面；以及一多層堆疊，該多層堆疊在該平坦化層上。
  21. 如請求項20所述之基板，其中該平坦化層形成一可流動化學氣相沉積膜之該平坦化層之一頂表面，該頂表面具有比該平坦化層下方具有缺陷的一表面更大的平坦度。
  22. 如請求項20所述之基板，其中該平坦化層被形成至一在100Å至10,000Å範圍中的厚度。
  23. 如請求項20所述之基板，其中該平坦化層填補在該平坦化層之一頂表面下方的一表面上的一凹痕缺陷。
  24. 如請求項20所述之基板，其中該平坦化層包封在該平坦化層下方的一表面上的一顆粒。
  25. 如請求項20所述之基板，其中該平坦化層填補在該平坦化層下方的一表面中的一凹痕，該凹痕具有一從6：1至30：1的深寬比，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  26. 如請求項20所述之基板，其中該平坦化層包封在該平坦化層下方的一表面上高度從10nm至300nm的一顆粒，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  27. 如請求項20所述之基板，其中該平坦化層覆蓋在該平坦化層下方的一表面上高度從10nm至300nm的一凸塊，以提供該平坦化層之一光滑頂表面。
  28. 如請求項20所述之基板，其中該平坦化層被平坦化成具有一在0.5nm RMS以下的表面光滑度。
  29. 如請求項20所述之基板，其中該多層堆疊形成一極紫外線遮罩基板。
  30. 如請求項20所述之基板，其中該多層堆疊形成一極紫外線反射鏡。
  31. 如請求項20所述之基板，其中該基材係由一超低熱膨脹材料所製成。
  32. 如請求項20所述之基板，其中該基材為玻璃。
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