TW201421767A - 有機電致發光元件及照明裝置 - Google Patents

有機電致發光元件及照明裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201421767A
TW201421767A TW102136813A TW102136813A TW201421767A TW 201421767 A TW201421767 A TW 201421767A TW 102136813 A TW102136813 A TW 102136813A TW 102136813 A TW102136813 A TW 102136813A TW 201421767 A TW201421767 A TW 201421767A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
light extraction
moisture
layer
extraction structure
Prior art date
Application number
TW102136813A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Yamae
Shin Okumura
Hitomichi Takano
Masuyuki Ota
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Publication of TW201421767A publication Critical patent/TW201421767A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

有機電致發光元件，係具備：具透光性之防濕性基板、與由防濕性基板側具有透光性之第1電極、會發出發光波長不同之二種以上之光的發光層、及第2電極的發光疊層體、與將接著於防濕性基板之發光疊層體覆蓋的密封材。有機電致發光元件，於防濕性基板之第1電極側具備光取出結構，該光取出結構具有以折射率與防濕性基板約同或折射率比防濕性基板小的材料形成的凹凸結構。凹凸結構，係以每個矩陣狀之凹凸之一區塊分配高度約相等之多數之凸部並配置成面狀的方式形成。凹凸結構之俯視下之單位區域之凸部之面積率於各區域約相同。

Description

有機電致發光元件及照明裝置
本發明係關於有機電致發光元件及使用該元件之照明裝置。
已知具有一般結構之有機電致發光元件(以下亦稱「有機EL元件」)係於透明基板之表面依序疊層由透明電極構成之陽極、電洞輸送層、發光層、電子注入層、陰極而成者。而且，利用如此之有機EL元件而得到面狀發光元件(照明板)已為人所知。有機EL元件中，藉由於陽極與陰極之間施加電壓而於有機發光層發生的光，係通過透明電極、透明基板而取出。
有機EL元件具有：係自體發光、展現比較高效率之發光特性、能以各種色調發光等特徵。因此，顯示裝置，例如作為平面顯示器等的發光體，或光源，例如液晶顯示器用的背光或照明方面的活用係備受期待，而且有一部分已經實用化。為了將有機EL元件擴展應用至該等用途，具有更高效率．長壽命．高輝度之優異特性的有機EL元件之開發正為人們所期望。
左右有機EL元件之效率之要因，主要為電-光轉換效率、驅動電壓、光取出效率3者。電-光轉換效率，由於最近所謂磷光材料的問世，故已有人報導外部量子效率超過20%者。可知此值若換算成內部量子效率大概為100%，以電-光轉換效率之觀點，可以說已達到所謂的極限值的例子已從實 驗獲得確認。又，針對驅動電壓，也已經能夠獲得以相當於能隙的電壓增幅10~20%之電壓展現出比較高輝度之發光的元件。換言之，由於低電壓化所致之有機EL元件之效率提升之空間並非那樣的大。因此不太能期待克服了該2項要因所獲得之有機EL元件之效率提升。
另一方面，據稱有機EL元件之光取出效率一般約20~30%(該值會隨發光圖案或內部之層結構而多少變化)，該數值並不高。光取出效率會成為低值之要因，可知係由於構成光之發生部位及其周邊之材料具有高折射率或吸光性等特性，因此會發生於折射率相異之界面之全反射、光為材料所吸收等，致使光無法有效地傳播至外界。此即意味著所謂無法有效地活用作為發光的光佔全發光量的70~80%，藉由提高光取出效率以提高有機EL元件效率的期待值，係非常之大。
伴隨以上背景，過去已有非常多人嘗試提高光取出效率。之中，又有特別多人嘗試增加從有機層傳往基板之到達光。假設有機層之折射率約為1.7，由於通常作為基板使用之玻璃層之折射率約為1.5，故可知於有機層與玻璃層之界面發生的全反射損失達全放射光的約50%。又，該值係以點光源近似獲得的值，並考慮到發光係來自於有機分子之3維放射光之累加。如此般地，於有機層與基板之界面的全反射損失大，藉由減低該有機層-基板間之全反射損失，可大幅改善有機EL元件之光取出效率。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利第2931211號公報
【專利文獻2】日本專利第2991183號公報
【專利文獻3】日本特開2006-294491號公報
用以減低有機層與基板之界面之全反射損失之方法，已有人揭示日本專利文獻1~3之技術。專利文獻1揭示於基板內部或外部形成由透鏡片構成之光散射部之技術。該文獻之技術，係藉由光散射部使全反射損失減低，可提高光取出效率。又，專利文獻2揭示使用繞射光柵之技術。使用繞射光柵時，藉由改變光的角度而彎曲行進方向，可提高光取出效率。又，專利文獻3揭示於透明電極與基板之間插入具散射性之高折射率材料之層之技術。可藉由具散射性之高折射率材料之層提高光取出效率。
然而，一般而言，如專利文獻1或專利文獻3之利用光散射之光取出結構，由於被散射的光之中返回內側而行進的光的影響大，內部吸收會增加，故無法將光取出效率提高至原先設計的程度。又，由於光散射結構基本上係受無規結構主宰，光取出效果之控制變得困難。另一方面，專利文獻2，係利用繞射光柵之類的已控制形狀的微細結構，藉由其繞射作用可期待光取出效率之提升。然而，藉由繞射作用獲得的光取出效果係強烈依存於光之波長與方向，因此會有取出光之色座標會隨觀看角度發生變化(色差變大)之類的視角依存性增高之虞。特別對於用在照明用途的有機EL元件、尤其發光色為白色的有機EL元件，係以視角依存性小者較佳，並強烈要求隨觀看角度不同色變化為少的低色差之發光。
本發明係鑑於上述情事而成者，目的在提供減低全反射損失而提高光取出效率、並且抑制視角依存性而以低色差發光的有機電致發光元件及照明裝置。
本發明之有機電致發光元件，係具備：具透光性之防濕性基板；與由該防濕性基板側依序具有透光性之第1電極、會發出發光波長不同之二種以上之光的發光層、及第2電極的發光疊層體；與將接著於該防濕性基板之該發光疊層體予以覆蓋的密封材。有機電致發光元件於該防濕性基板之該第1電極側具備光取出結構，該光取出結構具有以折射率與該防濕性基板約同或折射率比該防濕性基板小的材料形成的凹凸結構。該凹凸結構，係 以每個矩陣狀之凹凸之一區塊分配高度約相等之多數之凸部並配置成面狀的方式形成，俯視下之單位區域之該凸部之面積率於各區域約相同。
於上述有機電致發光元件，該光取出結構之側面，較佳係從垂直於該防濕性基板之表面之方向傾向內側的斜面。
於上述有機電致發光元件，該光取出結構，較佳係該光取出結構之側面俯視下具有於側方形成凸凹之側面凹凸結構。
於上述有機電致發光元件，該側面凹凸結構，較佳係凹凸之平均節距為大於0.3μm且小於10μm。
於上述有機電致發光元件，該光取出結構，較佳係將比該凹凸結構凹陷更大之凹處設於該第1電極側，該第1電極係於該光取出結構之表面以順應凹處之形狀形成。
於上述有機電致發光元件，該凹處較佳係貫穿該光取出結構。
於上述有機電致發光元件，該光取出結構，較佳係具有以折射率比該防濕性基板大的材料形成並被覆該凹凸結構之透明被覆層。
於上述有機電致發光元件，該透明被覆層較佳係以樹脂形成。
於上述有機電致發光元件，該光取出結構較佳係俯視下比該密封材形成於更內側。
於上述有機電致發光元件，較佳係於該光取出結構與該第1電極間形成具防濕性之透光性阻隔層。
於上述有機電致發光元件，該阻隔層之厚度，較佳係當使該阻隔層之 平均折射率為n時為400/n〔nm〕以下。
於上述有機電致發光元件，該凹凸結構，較佳係作為繞射光學結構而形成。
於上述有機電致發光元件，該光取出結構，較佳係具有比將該密封材接著於該防濕性基板之接著劑吸水性更高的吸水材料。
於上述有機電致發光元件，較佳係該光取出結構為第1光取出結構，且於該防濕性基板之與該第1電極為相對側之表面設有具光散射結構之第2光取出結構。
於上述有機電致發光元件，該第2光取出結構，較佳係藉由該防濕性基板之粗面化而形成。
本發明之照明裝置具備上述有機電致發光元件。
依本發明，藉由設置具凹凸結構之光取出結構，可減低全反射損失而提高光取出效率、並且抑制視角依存性而獲得以低色差發光之有機電致發光元件及照明裝置。
1‧‧‧防濕性基板
2‧‧‧第1電極
3‧‧‧發光層
3a‧‧‧第1發光層
3b‧‧‧第2發光層
3c‧‧‧第3發光層
3A‧‧‧有機層
4‧‧‧第2電極
5‧‧‧發光疊層體
6‧‧‧密封材
7‧‧‧電荷移動層
7a‧‧‧第1電荷移動層
7b‧‧‧第2電荷移動層
8‧‧‧密封間隙
9‧‧‧阻隔層
10‧‧‧光取出結構(第1光取出結構)
10a‧‧‧光取出結構10(之邊端部)之側面
11‧‧‧凹凸結構
12‧‧‧透明被覆層
12a‧‧‧透明被覆層12之邊端部之側面
13‧‧‧凸部
14‧‧‧凹部
15‧‧‧凹凸區塊
16‧‧‧密封接著部
20‧‧‧第2光取出結構
30‧‧‧側面凹凸結構
31‧‧‧側面凸部
32‧‧‧側面凹部
40‧‧‧凹處
40a‧‧‧凹處40之側面
50‧‧‧雷射照射裝置
51‧‧‧雷射光
圖1係表示有機電致發光元件之實施形態之一例之剖面圖。
圖2係表示凹凸結構之圖案之一例，(A)為概略俯視圖，(B)為概略剖面圖。
圖3(A)~(F)係表示有機電致發光元件之製造方法之一例之俯視圖。
圖4係表示有機電致發光元件之實施形態之一例之剖面圖。
圖5係表示有機電致發光元件之實施形態之一例之剖面圖。
圖6係表示有機電致發光元件之實施形態之一例之剖面圖。
圖7係說明有機電致發光元件之實施形態之一例之放大俯視圖。
圖8係表示有機電致發光元件之實施形態之一例之剖面圖。
圖9係表示有機電致發光元件之實施形態之一例之剖面圖。
圖10係表示有機電致發光元件之製造方法之一例之立體圖。
圖11係表示有機電致發光元件之製造方法之一例之剖面圖。
圖1表示有機電致發光元件(有機EL元件)之實施形態之一例。該有機EL元件具備具透光性之防濕性基板1、發光疊層體5、覆蓋發光疊層體5之密封材6。發光疊層體5，由防濕性基板1側依序具有透光性之第1電極2、會發出發光波長不同的二種以上之光之發光層3、及第2電極4。密封材6係接著於防濕性基板1。有機EL元件係於防濕性基板1之第1電極2側具備光取出結構，該光取出結構具有以折射率與防濕性基板1約同或折射率比防濕性基板1小的材料形成的凹凸結構11。該光取出結構係作為第1光取出結構10而構成。凹凸結構11，係以每個矩陣狀之凹凸之一區塊分配高度約相等之多數之凸部13並配置成面狀之方式形成。凹凸結構11之俯視下之單位區域之凸部13之面積率於各區域約相同。
防濕性基板1，可由具透光性且防濕性高的合宜的基板材料構成。藉此使光取出成為可能、並可抑制水分從第1電極2側滲入元件內部。例如，若將防濕性基板1以玻璃或防濕透明樹脂等材料構成，可抑制水分由外部經由防濕性基板1透過、並且能夠將發生於發光疊層體5的光取出至外部。從提高防濕性之觀點，防濕性基板1較佳係以玻璃構成。防濕性基板1之折射率，例如可設為約1.5，但不限於此。
防濕性基板1之材料，可使用鈉玻璃或無鹼玻璃。本實施形態中，較佳可使用其中的鈉玻璃。藉由使用鈉玻璃，由於鈉玻璃價格較低廉故可謀得低成本化。又，本實施形態中，由於在防濕性基板1與第1電極2之間 形成可發揮作為基底層之機能之第1光取出結構10，故即使使用鈉玻璃，仍可抑制鹼擴散對於以ITO等透明金屬氧化物層等構成之第1電極2之影響。
發光疊層體5係包含第1電極2、發光層3、與第2電極4之疊層體。發光疊層體5，係從防濕性基板1側依序將第1電極2、發光層3、與第2電極4形成於防濕性基板1而構成。發光疊層體5之設置區域，俯視下(從垂直於基板表面之方向觀看時)為防濕性基板1之中央部之區域。有機EL元件中，俯視下之設有發光疊層體5之區域成為發光區域。
第1電極2及第2電極4係相互成對的電極，一方構成陽極，另一方構成陰極。本實施形態，可由第1電極2構成陽極，由第2電極4構成陰極，亦可為其相反。第1電極2以具透光性較佳，那時，第1電極2成為光取出側之電極。第1電極2可由透明導電層構成。又，第2電極4亦可具光反射性。那時，可將朝第2電極4側發出的來自發光層3的光藉由第2電極4使其反射而從防濕性基板1側取出。又，第2電極4亦可為透光性之電極。當第2電極4具透光性時，可做成由密封材6側之面取出光之結構。或者，當第2電極4具透光性時，可於第2電極4之與發光層3為相對側之面設置光反射性之層，藉此可使在第2電極4之方向行進的光反射，而由防濕性基板1側取出。
第1電極2可形成作為陽極。陽極係用於將電洞注入於發光層3內之電極。陽極之材料，較佳係使用由功函數大的金屬、合金、導電性化合物、或該等混合物構成之電極材料。又，陽極之材料，為避免與HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)位準間的差變得過大，較佳係使用功函數為4eV以上6eV以下者。陽極之電極材料，例如，可舉例：ITO、氧化錫、氧化鋅、IZO、碘化銅等、PEDOT、聚苯胺等導電性高分子及以任意之受體等摻雜的導電性高分子、奈米碳管等導電性透光性材料。於此，當陽極係作為第1電極2而形成時，可於防濕性基板1之一表面側利用濺鍍法、真空蒸鍍法、塗佈法等以薄膜的形式形成。作為透明陽極而形成的第1電極2之折射率， 例如可定為約1.8~2，但不限於此。又，為了減低有機層與基板之界面之全反射損失，第1電極2與防濕性基板1之間的折射率差以小者較佳。所謂有機層可指配置於第1電極2與第2電極4之間的包含有機物之層。又，陽極之片電阻較佳係使成為數百Ω/□以下，特佳係100Ω/□以下。在此，陽極之膜厚宜為500nm以下，較佳係設定在10nm~200nm之範圍。當經由陽極取出光之際，將陽極做得越薄越能改善光之透過率，但由於片電阻會與膜厚成反比而增加，故可能於元件大面積化之際發生高電壓化或輝度均勻度之不均勻化(由於電壓下降造成電流密度分布不均勻化所致)。為迴避此取捨關係，將由金屬等構成的網格狀之輔助配線形成於陽極上亦為有效。此時，為了避免網格配線發生作為遮光材料的作用，更佳係對於網格部施加使電流不流向發光層3的絕緣處理。
於陽極使用ITO時，較佳係於ITO會結晶化之150℃以上進行成膜、或於低溫成膜後再進行退火處理(150℃以上之加熱)。若使結晶化，導電性會提升，前述取捨條件會更緩和。又，由於結構因結晶化而變得緻密，故亦可期待抑制發生自樹脂之釋出氣體(水等)傳至發光層3之效果。
第2電極4可作為陰極而形成。陰極係用於將電子注入於發光層3內的電極。陰極之材料，較佳係使用由功函數小的金屬、合金、導電性化合物及該等之混合物構成之電極材料。又，陰極之材料，為不使與LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)位準間的差距變得過大，較佳係使用功函數為1.9eV以上5eV以下者。陰極之電極材料，例如，可舉例：鋁、銀、鎂等、及該等與其他金屬之合金，如鎂-銀混合物、鎂-銦混合物、鋁-鋰合金。又，亦可使用：金屬導電材料、金屬氧化物等、及該等與其他金屬之混合物，如由氧化鋁構成之極薄膜(在此，係指能以穿隧注入使電子流通的1nm以下之薄膜)與由鋁構成之薄膜的疊層膜等。
發光疊層體5係具備至少一層的發光層3。發光層3係用以使由陽極(第1電極2)注入的電洞、與由陰極(第2電極4)注入的電子結合而發光之層。發光層3可為對於構成發光層3之層媒體摻雜摻雜物而成之構成。層媒體 可為以電子輸送性材料或電洞輸送性材料等構成者。
第1電極2及第2電極4係以彼此不接觸而電絕緣的方式形成。而且，第1電極2及第2電極4係以延伸之延伸部分比密封材6更露出至外側的方式設置。或者，第1電極2及第2電極4也可與以由密封材6之內側露出至外側之方式形成之電極材料接觸而形成。為了供電至第1電極2及第2電極4，有必要於比密封區域更外側具有與第1電極2及第2電極4導通之部分，但藉由電極材料露出，可對有機EL元件供電。圖1顯示第1電極2延伸並比密封材6更露出至外部側之情形。
本實施形態之發光層3係會發出發光波長不同之二種以上之光。所謂「發光層3會發出發光波長不同之二種以上之光」，係指於發光層3之整體，使發出發光波長不同之二種以上之光。可藉由多數之發光層3之各發光層3之發光波長不同，使整體發出二種以上之光，也可由一發光層3發出二種以上之光。圖1之形態係設有多數之發光層3，具體而言，係設有三層發光層3(第1發光層3a、第2發光層3b及第3發光層3c)。此三層發光層3之發光波長係不同。因此，發光層3整體會發出發光波長不同之三種光。如此般地，藉由具備多數之發光層3，可更簡單地發出白色光。例如，若多數之發光層3具有綠色發光層、紅色發光層、藍色發光層之三色之發光層3，則白色發光係可能。多數之發光層3之疊層結構，例如，可採用藍色電洞輸送性發光層與綠色電子輸送性發光層與紅色電子輸送性發光層之疊層結構，也可採用藍色電子輸送性發光層與綠色電子輸送性發光層與紅色電子輸送性發光層之疊層結構。又，亦可使疊層四層以上之發光層3。發光，可為螢光發光，也可為磷光發光，又，亦可為具備螢光發光層與磷光發光層之兩方者。
發光層3之構成不限於圖1之形態。發光層3可為單層結構，亦可為多層結構。當為單層結構時，藉由使用2種以上之摻雜物，可形成能發出發光波長不同之光之發光層3。再者以單層結構而言，例如，當所希望之發光色為白色時，可藉由於發光層3中摻雜紅色、綠色、藍色之3種摻雜物 色素而使白色發光成為可能。又，白色發光亦可藉由2色獲得。例如，若使用橙色發光之摻雜物，係可藉由適宜地選擇另一方之摻雜物而以2色發光獲得白色發光。2色發光之情況，可對於單層發光層3摻雜2種的摻雜物，也可使用摻雜了不同的摻雜物的二層的發光層3。
又，亦可採用多單元結構，其係將若以陽極與陰極夾層並施加電壓時會有發光機能之疊層結構當成1個發光單元，將多數之發光單元介隔具透光性及導電性之中間層予以疊層並電性地串聯連接而成。多單元結構係指於1個陽極與1個陰極之間具備於厚度方向堆疊的多數之發光單元的結構。
發光疊層體5，較佳係具備電荷移動層7作為對發光層3進行電洞或電子之注入及輸送之層。電荷移動層7，係由電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層、電子注入層、中間層等酌情選擇。圖1之形態中，於發光層3之陽極(第1電極2)側設有第1電荷移動層7a。第1電荷移動層7a，可由電洞輸送層、電洞注入層與電洞輸送層之疊層結構等形成。又，於發光層3之陰極(第2電極4)側設有第2電荷移動層7b。第2電荷移動層7b，可由電子注入層、電子輸送層與電子注入層之疊層結構等形成。電荷移動層7，亦可被夾於多數之發光層3之間而設置。例如，多單元結構中，藉由於多層發光層3之間形成包含中間層之電荷移動層7，可形成多數之發光單元。又，只要能夠發光，當然亦可為於發光疊層體5不設置電荷移動層7之形態。
發光疊層體5之疊層結構，具體而言，可採用例如發光層3之單層結構、電洞輸送層與發光層3與電子輸送層之疊層結構、電洞輸送層與發光層3之疊層結構、發光層3與電子輸送層之疊層結構等適宜的層結構。當然，亦可於陽極與電洞輸送層之間介隔電洞注入層。
電洞注入層之材料，可使用電洞注入性之有機材料、金屬氧化物、所謂受體系的有機材料或無機材料、p-摻雜層等。電洞注入性之有機材料，可舉出：具電洞注入性、且功函數約為5.0~6.0eV、並展現與陽極間的強固密合性的材料等作為其例。例如，CuPc、星爆胺等為其例。又，電洞注入性 之金屬氧化物，例如，為含有鉬、錸、鎢、釩、鋅、銦、錫、鎵、鈦、鋁中任一者之金屬氧化物。又，亦可為非僅1種金屬之氧化物，而為例如銦與錫、銦與鋅、鋁與鎵、鎵與鋅、鈦與鈮等，含有上述任一組金屬之多數金屬之氧化物。又，由該等材料構成之電洞注入層，可藉由蒸鍍法、轉印法等乾式處理成膜，也可藉由旋轉塗佈法、噴灑塗佈法、膜塗法、照相凹板印刷法等濕式處理成膜。
電洞輸送層之材料，例如，可選自具電洞輸送性之化合物之群組。該種化合物，例如，可舉例：以4,4’-雙〔N-(萘基)-N-苯基-胺基〕聯苯(α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-(1,1’-聯苯)-4,4’-二胺(TPD)、2-TNATA、4,4’,4”-參(N-(3-甲基苯基)N-苯基胺基)三苯基胺(MTDATA)、4,4’-N,N’-二咔唑聯苯(CBP)、螺-NPD、螺-TPD、螺-TAD、TNB等為代表的芳胺系化合物、包含咔唑基的胺化合物、包含茀衍生物的胺化合物等，但可使用一般已知之任何電洞輸送材料。具體而言，可使用作為電洞輸送層(電洞輸送層)之材料的TPD、NPD、TPAC、DTASi等。
電子輸送層之材料，可選自具電子輸送性之化合物之群組。該種化合物，可舉例Alq3等作為電子輸送性材料而已知的金屬錯合物、或啡啉衍生物、吡啶衍生物、四氮雜苯衍生物、氧雜二唑衍生物等含有雜環之化合物等，但不限於此，可使用一般已知的任何電子輸送材料。具體而言，可使用作為電子輸送層之材料之BCP、TAZ、BAlq、Alq3、OXD7、PBD等。
電子注入層之材料，例如，可從：氟化鋰或氟化鎂等金屬氟化物、以氯化鈉、氯化鎂等為代表之金屬氯化物等金屬鹵素化物、或鋁、鈷、鋯、鈦、釩、鈮、鉻、鉭、鎢、錳、鉬、釕、鐵、鎳、銅、鎵、鋅、矽等各種金屬之氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物等、例如氧化鋁、氧化鎂、氧化鐵、氮化鋁、氮化矽、碳化矽、氧氮化矽、氮化硼等成為絕緣物者、或以SiO2或SiO等為首之矽化合物、碳化合物等中任意選擇而使用。又，除了如上述LiF、Li2O、MgO、Li2CO3等鹼金屬或鹼土族金屬之氟化物或氧化物、碳氧化物之外，亦可使用鋰、鈉、銫、鈣等鹼金屬單質或鹼土族金屬單質 等。又，亦可使用對於有機物層摻雜了予體系之有機材料或上述金屬材料之層(所謂n摻雜層)等。該等材料，可藉由以真空蒸鍍法、濺鍍法、或塗佈法等形成之方式，形成為薄膜狀。
將發光疊層體5予以收納並密封之密封材6係接著並設置於防濕性基板1之發光疊層體5側之面。發光疊層體5，係為接著於防濕性基板1之密封材6覆蓋而密封。藉由將發光疊層體5以密封材6予以密封保護，可抑制物理性的衝撃、並抑制水分之滲入而抑制發光疊層體5之劣化。密封材6係密封並保護發光疊層體5者，係由適宜之材料構成。本形態，係以由玻璃基板等構成之密封基板形成密封材6。
可使用水分透過性低的基板材料形成密封材6。密封材6，例如，可使用玻璃基板。藉由使用玻璃基板可抑制水分滲入。又，可使用收納發光疊層體5之收納凹部係設於表面的密封基板作為密封材6。係所謂帽狀的密封基板。藉由使用設有收納凹部之密封基板，可密封性良好地密封發光疊層體5。
密封材6係以接著劑接著於防濕性基板1。接著劑，例如，可使用樹脂製之接著劑。樹脂製之接著劑較佳係具防濕性者。例如，可藉由含有乾燥劑而提高防濕性。樹脂製之接著劑亦可為以熱硬化性樹脂或紫外線硬化樹脂等作為主成分者。藉由接著劑之硬化形成密封接著部16。
密封材6，可於包圍發光疊層體5之外周之區域以密封接著部16接著於防濕性基板1。藉此，可將防濕性基板1與密封基板以整個外周進行接著，並密封性高地密封發光疊層體5而將其與外部隔斷。密封接著部16可為設置成框狀者。藉由發光疊層體5之密封，於收納凹部之空間設有密封間隙8。有機EL元件，可於該密封間隙8充填充填劑而形成充填密封結構，也可將密封間隙8做成成為空洞的密封空間而形成中空結構。將密封間隙8做成密封空間時，可於密封空間設置乾燥劑。藉此，即使水分滲入密封空間，仍可將滲入的水分吸收。又，當以充填劑充填密封間隙8時，可使用含乾 燥劑之充填劑。藉此，即使水分滲入元件內部，仍可將滲入的水分吸收。
又，密封材6亦可為表面平坦的平板狀密封基板接著於以包圍發光疊層體5之外周部之方式設置的密封壁部而形成者。密封壁部係以密封接著部16構成而得。當使用表面為平坦之面者作為密封基板時，可不設置用於密封發光疊層體5之凹部，而能簡單地進行密封。密封壁部可由玻璃材、具防濕性之密封樹脂劑等構成。藉由使密封壁部之厚度比發光疊層體5厚，可確保發光疊層體5之厚度分量之空間，而以平坦之密封基板密封。於此情況下，仍可將密封間隙8以充填劑充填而做成充填密封結構。此時，密封壁部可於充填充填劑時發揮攔堵、也可說是發揮作為壩層之機能。
密封材6，例如，可藉由在經露點管理(例如-70℃(dp)以下)的手套箱內將帽蓋狀玻璃等接著於防濕性基板1之表面之方式設置。發光疊層體5不耐水或氣體等，藉由密封可更加避免與空氣之接觸。此時，藉由如上述般將乾燥劑或吸濕劑包含於內部，可更改善保存壽命。
而且，本形態之有機EL元件，係於防濕性基板1之第1電極2側具備光取出結構，該光取出結構具有以折射率與防濕性基板1約相同或折射率比防濕性基板1小之材料形成的凹凸結構11。該光取出結構定義為第1光取出結構10。第1光取出結構10係設於防濕性基板1與第1電極2之間。第1光取出結構10較佳係設於防濕性基板1之第1電極2側之表面。成為於防濕性基板1之一面(發光疊層體5側之面)設有第1光取出結構10作為光取出結構。防濕性基板1與第1光取出結構10係可接觸。第1光取出結構10，係具有設於防濕性基板1之第1電極2側之表面之凹凸結構11而構成。該凹凸結構11，係以折射率與防濕性基板1約相同或折射率比防濕性基板1小之材料形成。如此般地，藉由設置具凹凸結構11之第1光取出結構10，可減低全反射損失而提高光取出效率、並且抑制視角依存性而以低色差發光。即，藉由第1光取出結構10的凹凸結構11，可減低第1電極2與防濕性基板1之間的全反射損失，因此能將更多之光取出至防濕性基板1側。此時，若經由凹凸結構11取出光，由於光會因凹凸結構11而散射， 故比未設凹凸結構11時，更能抑制從垂直於基板之方向看到的顏色與從斜角方向看到的顏色之間的差(色差)發生。因此，可抑制視角依存性而以低色差發光。
本形態，較佳係於防濕性基板1之與第1電極2為相對側之表面設置具光散射結構之第2光取出結構20。設置於防濕性基板1之與第1電極2為相對側之表面之光取出結構，定義為第2光取出結構20。圖1中，防濕性基板1，係於與設有第1光取出結構10之面為相對側之面(光取出側之面)設有第2光取出結構20。第2光取出結構20係設於防濕性基板1之與第1電極2為相對側之表面並具有光散射結構而構成。如此般地，藉由設置第2光取出結構20，可更減低全反射損失而提高光取出效率、並且更抑制視角依存性而以低色差發光。在此，當經由凹凸結構11取出具多數之發光波長之光時，由於發光波長之差異故而色座標會隨相對於發光面之角度變化，從垂直於基板之方向看到的顏色與從斜角方向看到的顏色之間的差(色差)，視情形有時係有可能無法充分地減低。尤其，如本形態般具備會發出發光波長不同的多數種之光之發光層3的有機EL元件，色度偏離容易變大。可能發生所謂視角依存性之問題。然而，將作為第2光取出結構20之具光散射結構之結構設於防濕性基板1之外部側之面時，藉由光散射，即使是以多數種之發光波長發光之情形，仍可抑制由於光的射出方向不同所致之色變化(色差)。因此，係可更抑制視角依存性而以低色差發光。又，由於第2光取出結構20可於射出之面使光散射，故可抑制於大氣界面之反射損失而提高光取出性。又，藉由二個光取出結構可抑制非發光時之眩光，係可提升外觀(美觀)。
當然，有機EL元件，亦可為不具第2光取出結構20，只具有第1光取出結構10作為防濕性基板1之表面之光取出結構者。即使是該情形，藉由設置具凹凸結構11之光取出結構(第1光取出結構10)，仍可減低全反射損失而提高光取出效率、並且抑制視角依存性而以低色差發光。惟，於防濕性基板1之兩面設置光取出結構(第1光取出結構10及第2光取出結構20)，會成為更有利之構成。
有機EL元件中，第1光取出結構10較佳係形成為層狀。此時，第1光取出結構10只要是整體成為層狀即可。當第1光取出結構10成為層狀時，至少防濕性基板1之將設置發光疊層體5之區域，係為第1光取出結構10被覆。當設有透明被覆層12時，由於透明被覆層12為層狀，因此無論凹凸結構11係層狀與否，第1光取出結構10整體而言仍為層狀。即使未設置透明被覆層12，若凹凸結構11係以凹凸層之形式形成為層狀，以凹凸結構11(凹凸層)構成之第1光取出結構10整體而言仍為層狀。
凹凸結構11係以折射率與防濕性基板1約相同或折射率比防濕性基板1小之材料形成。凹凸結構11，可為以具凹凸之層(凹凸層)之形式構成者。因此，凹凸層係以折射率與防濕性基板1約相同或折射率比防濕性基板1小之材料形成。雖然圖1顯示構成凹凸結構10之凸部13係被分隔，但可將各凸部13分隔，也可於防濕性基板1側廣佈凹凸層之材料而將各凸部13連結。於此，所謂折射率與防濕性基板1約相同，係指折射率差之絕對值為0.1以下。凹凸結構11係以折射率與防濕性基板1約相同之材料形成係較佳之一態樣。此時，藉由折射率差之減低可取出更多之光。凹凸結構11係以折射率為防濕性基板1之折射率以下的材料形成係較佳之一態樣。此時，可抑制全反射而取出更多之光。凹凸結構11係以折射率比防濕性基板1小之材料形成係較佳之一態樣。此時，可更抑制全反射而取出更多之光。例如，凹凸結構11之折射率可比防濕性基板1之折射率小0.1以上，但不限於此。
本形態之第1光取出結構10之凹凸結構11，係藉由每個矩陣狀之凹凸之一區塊分配高度約相等的多數之凸部13並配置成面狀之方式形成。而且，凹凸結構11係以俯視下之單位區域之凸部13之面積率於各區域約相同之方式形成。藉由設置如此之凹凸結構11，可效率良好地提升光取出性。
圖2表示凹凸結構11之一例。圖2(A)顯示從與防濕性基板1之表面垂直的方向看到的情形，圖2(B)顯示從與防濕性基板1之表面平行的方向看 到的情形。圖2(A)，係將設有凸部13之區塊以斜線表示。圖2(A)所示之線L1、L2、L3係對應於圖2(B)之線L1、L2、L3。
如圖2(A)所示，凹凸結構11，係於多數之正方形如方格(行列型)般縱橫排列而構成之矩陣狀之凹凸區塊15分配配置凸部13而形成。各凹凸區塊15係面積均等地形成。於凹凸之一區塊(一個凹凸區塊15)分配一個凸部13及凹部14中之任一者。凸部13之分配可為規則性的，也可為不規則。圖2之形態係例示將凸部13予以不規則地分配之形態。如圖2(B)所示，已分配凸部13之區塊，係以構成凹凸結構11之材料突出至第1電極2側之方式形成凸部13。又，多數之凸部13係高度約相等地設置。在此，凸部13之高度約相等可指：例如將凸部13之高度平均時，凸部13之高度係收斂在平均高度之±10%以內、或較佳±5%以內而均齊。
圖2(B)中，凸部13之剖面形狀呈矩形狀，但可為褶狀、逆三角形狀、梯形狀等適宜之形狀。於一凸部13與其他凸部13相鄰之部分，凸部13連結而形成大的凸部13。又，於一凹部14與其他凹部14相鄰之部分，凹部14連結而形成大的凹部14。凸部13及凹部14之連結個數不特別限定，但由於連結個數若變大恐形成不了微細之凹凸結構11，因此可酌情設定為例如100個以下、50個以下、20個以下或10個以下等。
凹凸結構11，係以單位區域之凸部13之面積率於各區域約相同之方式形成。例如，圖2(A)係圖示縱10個、橫10個之總計100個之凹凸區塊15，可將如此之100區塊分之區域當作單位區域。而且，此時於凹凸結構11之面內，形成凸部13之面積率於每個單位區域約相等。即，可為：假設如圖2(A)所示於單位區域設有50個分之凸部13，則於凹凸區塊數相同且面積相等之其他區域亦設置約50個分(例如45~55個或48~52個)之凸部13。單位區域不限於100區塊分量，可設定為適宜之區塊數分量之大小。例如，可為1000區塊、10000區塊、1000000區塊、或其以上之區塊數。凸部13之面積率，會有隨區域之取法而多少不同的情形，但本形態係盡量使面積率大致相同。例如，較佳係將面積率之上限及下限之範圍定為平均之10%以 下，更佳係定為5%以下，進一步更佳係定為3%以下，再進一步更佳係定為1%以下。藉由使面積率變得更均等可於面內更均勻地提高光取出性。單位區域之凸部13之面積率並不特別限定，例如，可設定為20~80%之範圍內，較佳為30~70%之範圍內，更佳為40~60%之範圍內。
凸部13係不規則地分配配置於單位區域內為較佳之一形態。藉此可無角度依存性地取出更多之多數之光。
凹凸結構11較佳係微細之凹凸。藉此可更提高光取出性。例如，藉由使凹凸之一區塊成為一邊0.1~100μm之正方形之範圍，可形成微細凹凸結構。形成凹凸之一區塊之正方形之一邊也可為0.5~10μm，例如，若將此一邊設為1μm，可精度良好地形成微細之凹凸結構11。又，可使單位區域成為縱1mm×橫1mm之正方形之區域、或縱10mm×橫10mm之正方形之區域。又，圖1及圖2係例示於凹部14未設置構成凹凸結構11之材料之情形，但亦可於凹部14設置構成凹凸結構11之材料。那時，凹凸結構11可為：於整個面形成連續之層且形成凸部13部分之厚度為厚、凹部14部分之厚度為薄之層者。那時，凹凸結構11可以說係由凹凸層構成。
凸部13之高度並不特別限定，例如，可為0.1~100μm之範圍。藉此，可獲得光取出性高的凹凸結構11。例如，若將凸部13之高度定於1~10μm之範圍，可精度良好地形成微細之凹凸。
構成凹凸結構11之多數之凸部13可為同一形狀。圖2(A)例示凸部13係設於一整個凹凸區塊15、且俯視之形狀為矩形(長方形或正方形)之凸部13，但並不限於此，凸部13之平面形狀亦可為其他形狀。例如，亦可為圓形、或多角形(三角形、五角形、六角形、八角形等)。此時，凸部13之立體形狀可為圓柱狀、角柱狀(三角柱、四角柱等)、角錐狀(三角錐、四角錐等)之類的適宜之形狀。
凹凸結構11係可利用透明材料形成。凹凸結構11之材料，可使用丙 烯酸系、環氧系等透明樹脂，或亦可使用如旋塗式玻璃的無機系材料。凹凸結構11之材料，係使用折射率比防濕性基板1低者。例如，當防濕性基板1為玻璃時，係以折射率比該玻璃低的材料形成凹凸結構11。藉此，可抑制由透明之凹凸結構11射向玻璃基板之光全反射而光取出效率損失之影響。又，構成凹凸結構11之透明材料之透過率為越高越好。該透明材料較佳為於全可見波長範圍之消光係數k=0，但可依材料之膜厚決定容許之範圍。凹凸結構11之材料可藉由塗佈設置於防濕性基板1之表面。材料之塗佈方法可採用合宜之塗佈法，可使用旋轉塗佈，或可依用途或基板尺寸等採用狹縫塗佈、桿塗佈、噴灑塗佈、噴墨等方法。
凹凸結構11之凹凸可藉由適宜之方法形成。例如，可對於透明材料混合如珠粒般的粒子，並由於該粒子形狀而形成凹凸。又，利用壓印法形成凹凸結構11之凹凸亦較佳。利用壓印法，可效率良好且精度高地形成微細之凹凸。又，如圖2所示，當於每個凹凸區塊15分配凸部13或凹部14而形成凹凸時，若使用壓印法，可精度高地形成微細之凹凸。當以壓印法形成凹凸時，一個凹凸區塊15可由進行印刷之一點構成。壓印法以能形成微細結構者較佳，例如可使用稱為奈米壓印之方法。
壓印法大致區分為UV壓印法與熱壓印法，可使用兩者中之任一者。本形態，例如可使用UV壓印法。藉由UV壓印法可簡單地印刷(轉印)凹凸而形成凹凸結構11。UV壓印法，例如可使用取型自已將周期2um、高度1um之矩形(柱狀)結構圖案化的Ni主模之膜模。而且，將UV硬化性之壓印用透明樹脂塗佈於基板，壓模於該基板之樹脂表面。之後，從基板側介隔基板、或由模側介隔膜模照射UV光(例如波長λ=365nm之i線等)，使樹脂硬化。然後，於樹脂硬化後將模剝離。此時，以事前對模施加脫模處理(氟系塗佈劑等)為宜，藉此可容易地從基板將模剝離。藉此，可將模之凹凸形狀轉印至基板。又，將與如圖2所示之凹凸結構11之形狀相對應之凹凸設置於該模。由此，轉印模之凹凸時，所希望之凹凸形狀會形成於防濕性基板1之表面。例如，若使用每個區塊係不規則地分配凹部14而形成者作為模，可獲得凸部13係不規則地分配之凹凸結構11。
將凹凸結構11形成作為繞射光學結構係較佳之一形態。此時，較佳係將凸部13以一定之規則性設置而使成為繞射結構。更佳係於繞射光學結構中以周期性形成凸部13。當第1光取出結構10具有繞射光學結構時，可提升光取出性。又，本形態，即使將第1光取出結構10做成繞射結構時，由於可藉由第2光取出結構20使產生光散射，故仍可減低視角依存性之影響。
於繞射光學結構中，二維凹凸結構11之周期P(無周期性之結構之情況，為凹凸結構11之平均周期)，假設介質內之波長為λ(以介質之折射率除真空中之波長而得之值)，較佳係合宜地設定在波長λ之1/4~100倍之範圍。此範圍，可為當於發光層3發出之光之波長係在300~800nm之範圍內時所設定者。此時，將周期P設定在例如5λ~100λ之範圍時，可藉由幾何光學的效果，亦即，入射角會變得小於全反射角的表面之廣面積化，提升光取出效率。又，將周期P設定在例如λ~5λ之範圍時，可藉由取出繞射光所致之大於等於全反射角之光之作用，提升光的取出效率。又，將周期P設定在λ/4~λ之範圍時，凹凸結構部附近之有效折射率會隨距防濕性基板1之表面之距離增大而緩慢下降。因此，等同於在基板與凹凸被覆之層、或陽極之間，介隔具有凹凸結構部之介質之折射率、與被覆層或陽極之折射率之中間之折射率的薄膜層，可減低弗芮耳反射(Fresnel reflection)。簡而言之，若將周期P設定在λ/4~100λ之範圍，可抑制反射(全反射或弗芮耳反射)，可提升光取出效率。其中，針對周期P使用λ~5λ之範圍(易獲得繞射效果之範圍)尤為有效。當周期P小於λ時，會變得只能發揮抑制弗芮耳損失之效果而有光取出效果減小之虞。另一方面，若大於5λ，相應於此會要求亦將凹凸之高度做大(為了獲得相位差)，有被覆層之平坦化變得不易之虞。雖亦可考慮將被覆層做得非常厚之手法(例如10um以上)，但由於透過率之下降或材料成本增加、當為樹脂材料時的釋出氣體增加等弊病非常地多，且做厚之手法也有不符經濟利益之處。因此，較佳係以上述方式設定周期P。例如可將平均節距1um(若白色元件之平均發光波長為550nm、用於被覆層之樹脂之折射率為1.7，則約為3λ)、高度0.5um之繞射結構用於凹凸結構11。已確認此情況相對於無凹凸結構11之元件之情況可獲得約1.5倍之光 取出效率。
本形態中，第1光取出結構10具有被覆凹凸結構11之透明被覆層12。如此地，設有透明被覆層12，會使凹凸結構11平坦化，故能安定地設置發光疊層體5。因此，可抑制因凹凸部引起的斷線不良或短路不良。又，當設有透明被覆層12時，即使是設置了高度(深度)大的凹凸結構11的情況，仍可將發光疊層體5予以良好地疊層形成。如此地，透明被覆層12可發揮作為平坦化層之機能而為理想。又，由於透明被覆層12係透明而具有透光性，故能有效地取出光。
透明被覆層12，較佳係以折射率比防濕性基板1大的材料形成。藉此，可減低折射率差，更提高光取出效率。於此，透明被覆層12之折射率之設定係重要。透明被覆層12之折射率係設定成至少比防濕性基板1大，更佳係與有機層(有機發光層)同等之折射率，例如折射率為1.7以上為宜。藉此，可更減低折射率差。有機發光層可為發光層3。又，減小與係相鄰之層的第1電極2間的折射率差亦為較佳。例如，若使第1電極2與透明被覆層12之間的折射率差為1以下，可減低折射率差而提高光取出性。
透明被覆層12較佳係由樹脂形成。藉此，可容易地調整折射率，並且可簡單地進行凹凸之平坦化。當使用樹脂材料時，可容易地獲得比較高折射率者。又，由於樹脂可藉由塗佈形成層，故可使樹脂滲入凹部14而更簡單地形成表面成為平坦面之層。
透明被覆層12之材料，可舉例分散了TiO2等高折射率奈米粒子之樹脂等。樹脂可為丙烯酸系或環氧系等有機樹脂。又，亦可對於樹脂添加用以使樹脂硬化之添加劑(硬化劑、硬化促進劑、硬化起始劑等)。又，透明被覆層12之材料，與用於形成凹凸之材料同樣以消光係數k盡可能地小為較佳，理想上以成為k=0(或無法測定之程度的數值)為較佳。又，樹脂以外之材料，可例示以SiN等構成之無機膜、或無機氧化物(SiO2等)之膜等。
為透明被覆層12被覆之表面(透明被覆層12之第1電極2側之面)較佳為平坦之面。藉此可抑制短路不良或疊層不良、並可更安定地形成發光疊層體5。
又，即使不設透明被覆層12只要對發光性能等沒有影響，也可不設透明被覆層12。不設透明被覆層12時，因為可減少層數，故能更簡單地製造元件。例如，只要凸部13之高度係不會對於上層之成膜造成影響之高度，亦可不設透明被覆層12。即使為不設透明被覆層12之情況，仍可藉由以凹凸結構11構成之第1光取出結構10提高光取出性。惟，為了抑制短路不良或斷線不良，較佳係如上述般地形成透明被覆層12。
圖1之形態中，第1光取出結構10，於俯視下係比密封材6形成於更內側。即，第1光取出結構10(凹凸結構11及透明被覆層12)，係收納於以密封材6密封的密封空間。而且，第1光取出結構10係以比密封材6之底面小的大小形成，於密封材6之接著部分並未形成第1光取出結構10(凹凸結構11及透明被覆層12)。如此般地，藉由使第1光取出結構10比密封材6形成於更內側，可抑制水分滲入，可獲得抑制了水分所致之劣化的可靠性高的有機EL元件。於此，當將樹脂層用於形成凹凸或被覆凹凸之膜時，由於樹脂易透過空氣(水、氧)，若該樹脂層直接接觸於大氣，恐有經由樹脂層而對發光疊層體5(發光層3)造成損害之虞。然而，圖1之形態中，由於能形成第1光取出結構10之樹脂層係設於密封材6之內側，並未露出於外部，故可抑制水分或氧從樹脂層透過。
將第1光取出結構10形成得比密封材6小的方法，可舉例將樹脂層圖案化而形成之方法。例如，作為圖案化之一例，當凹凸結構11及透明被覆層12係以UV硬化性樹脂形成時，可藉由只將所需要之部分之樹脂硬化、將不要的部分以有機溶劑等去除之方式進行圖案化。可利用UV硬化性樹脂簡單地進行圖案化。或者，作為圖案化方法，亦可藉由利用噴墨等之圖案塗佈或遮罩法等進行圖案化。熱硬化性樹脂之情況，可藉由局部地進行塗佈的方式簡單地予以圖案化。
又，凹凸結構11，例如，以紫外線硬化樹脂而言，利用模形成凹凸，並將所希望之部分(密封材6之內側)以紫外線硬化後，以溶劑沖洗，藉此可進行凹凸形成與平面形狀之圖案化。又，用於凹凸結構11或透明被覆層12之樹脂之硬化方法，雖已例示紫外線硬化，但當然也可使用熱硬化性樹脂。那時，可藉由加熱使樹脂硬化。
第1光取出結構10，較佳係含有吸水性比將密封材6接著於防濕性基板1之接著劑高的吸水材料。本形態，藉由使係光學構材的第1光取出結構10具吸水性，可將從接著劑(密封接著部16)滲進來的水分以光學構材中的吸水材料吸收，因此可抑制有機層之劣化，可提高可靠性。吸水材料只要是包含於第1光取出結構10中的任一部位即可。使凹凸結構11(凹凸層)含有吸水材料係較佳之一態樣。使透明被覆層12含有吸水材料係較佳之另一態樣。使凹凸結構11及透明被覆層12之兩方含有吸水材料係較佳之又另一態樣。簡而言之，只要吸水材料係包含於第1光取出結構10內即可，只要是包含於凹凸結構11及透明被覆層12之中的至少一方即可。
圖1雖顯示於第1光取出結構10為第1電極2所被覆之位置之剖面，但第1光取出結構10可於密封之內部存在未被第1電極2被覆之部分。因此，可將從密封接著部16滲入進來的水分以第1光取出結構10內之吸水材料吸收。
第1光取出結構10所含有的吸水材料之一態樣，可例示具吸水性之樹脂。係使用具吸水性之樹脂作為構成第1光取出結構10之樹脂之態樣。此時，凹凸結構11及透明被覆層12係能夠由樹脂形成，並於該等中的一方或兩方樹脂使用吸水性的樹脂。吸水性之樹脂，可例示具親水性官能基之樹脂。為了獲得高吸水性。於硬化後殘存親水基為較佳。親水基，可例示：羥基、羧基、羧酸基、碸基、磺醯基、磺酸基等。
第1光取出結構10所含有的吸水材料的另一態樣，可例示吸濕材。係 於構成第1光取出結構10之樹脂中含有吸濕材之態樣。此時，凹凸結構11及透明被覆層12係能夠由樹脂形成，並於該等中之一方或兩方之樹脂含有吸濕材。吸濕材可由粒子構成。吸濕材，可例示物理吸附性之吸濕材。物理吸附性之吸濕材，即使於製造時吸水，仍可藉由烘烤回復吸水性。吸濕材，可例示氧化矽凝膠、沸石、分子篩等。又，亦能夠以含有吸濕材之具吸水性之樹脂形成第1光取出結構10之一部分或全部。此為將吸濕材與具吸水性之樹脂併用作為吸水材料之態樣。那時，吸水性更提高，能更提高可靠性。
如圖1所示，本形態之有機EL元件，較佳係於防濕性基板1之與形成第l光取出結構10之側為相對側(外部側)之表面，設有第2光取出結構20。藉由設置第2光取出結構20，可抑制於防濕性基板1(玻璃基板)與大氣間之全反射損失，可更提高光取出效率。又，第2光取出結構20為光散射性之結構。因此，藉由給予散射性，可使從發光層3發射至各角度之光充分地混合，而更減小視角所致之色度偏離。尤其，白色之有機EL元件，於照明用途等方面，視角依存性係極重要的指標，本形態係可獲得因觀看角度所致之色偏離為少的低色差的有機EL元件。而且，即使於構成面板狀之有機EL元件之情況，仍可獲得因角度所致之色差為少的發光性能優異的有機EL元件。
於此，針對未設第2光取出結構20(光散射結構)之有機EL元件(白色)、與設有第2光取出結構20(光散射結構)之有機EL元件(白色)，進行色差(色偏離)之比較。結果，未有第2光取出結構20時色差為△u’v’=0.018，相對於此，有第2光取出結構20時色差為△u’v’=0.004。此△u’v’係指色度之u’v’座標在從正面起算視角80°之範圍偏離平均值之量之均方根(△u’^2+△v’^2)^(1/2)之最大值。又，「^」係表示乘冪之記號。如此地，藉由設置第2光取出結構20，可減低視角依存性，而獲得因觀看角度所致之色變化為少的低色差之發光。
第2光取出結構20，可藉由設置具光散射性之適宜之結構獲得。例如， 可藉由貼附具光散射性結構之光取出膜之方式簡單地設置光取出結構。又，直接於基板形成光取出結構亦較佳，係非常有效的方法。例如，較佳係藉由防濕性基板1之粗面化形成第2光取出結構20。藉此可減少使用構材、可提高生產性。
防濕性基板1之粗面化，例如，可藉由將防濕性基板1之表面以噴砂或反應性蝕刻予以破壞之方式進行。藉此，可簡單地直接將防濕性基板1粗面化並加工。例如，當將玻璃使用於基板並以噴砂進行加工時，藉由使用#400(平均粒徑30um)之氧化鋁砂作為研磨劑，係可比較容易地進行粗面化之形狀加工。當然，噴砂之粒子，亦可使用SiC或氧化鋁、鋯砂等其他研磨劑，可視所希望之加工形狀任意地變更平均粒徑。粗面化之加工，也可於形成第1光取出結構10前的只有基板的狀態下進行，也可於第1光取出結構10形成後將發光疊層體5予以疊層前進行，也可於以密封材6密封後進行。惟，當使用噴砂法時，由於有研磨劑之殘留物會成為短路要因等之疑慮，故較佳係實施了密封之後再加工。又，當以光散射性之膜形成第2光取出結構20時，可藉由在密封後將膜貼附於防濕性基板1之表面之方式形成第2光取出結構20。
圖3表示有機EL元件之製造方法之一例。圖3表示如圖1之形態所示之第1光取出結構10係比密封材6之接著部分形成於更內側的有機EL元件的製造步驟。
在有機EL元件製造之際，首先，如圖3(A)所示準備防濕性基板1，如圖3(B)所示，於該防濕性基板1之表面形成第1光取出結構10。又，防濕性基板1，也可使用於與第1光取出結構10為相對側之表面已藉由粗面化等預先設置好第2光取出結構20者。第1光取出結構10，可藉由依序疊層凹凸結構11及透明被覆層12之方式形成。凹凸結構11，如上述說明，可藉由塗佈樹脂並以模轉印凹凸之方式形成。又，透明被覆層12可藉由塗佈樹脂並使凹凸結構11之凹凸平坦化之方式形成。又，使凹凸結構11及透明被覆層12藉由圖案化形成於比密封材6之接著部分更內側之區域。圖案 化，可使用於整面塗佈後去除外周部之方法、以及局部塗佈於中央部之方法中的任一者。
接著，如圖3(C)所示，疊層並形成第1電極2。此時，使第1電極2之層比第1光取出結構10更露出於外側，使延伸至比密封材6所密封之區域更外側。藉此，由於第1電極2之一部分比密封材6更被拉出於外部，因此可形成供電之部位。
接著，如圖3(D)所示，將構成電荷移動層7及發光層3之各層依適宜之順序疊層，形成發光疊層體5之有機層。然後，如圖3(E)所示，疊層並形成第2電極4。能夠使第2電極4不直接接觸到第1電極2而疊層形成。此時，本形態係使第2電極4之層比第1光取出結構10更露出於外側，並使延伸至比密封材6所密封之區域更外側。藉此，由於第2電極4之一部分係比密封材6更被拉出至外部，故可形成供電之部位。藉由第1電極2、發光層3、電荷移動層7及第2電極4之疊層，形成發光疊層體5。發光疊層體5之各層(第1電極2、發光層3、電荷移動層7及第2電極4)之疊層方法可使用蒸鍍法。藉由蒸鍍可效率良好地疊層薄膜。又，也可將該等層之中之一部分以塗佈或濺鍍形成。藉由使用適宜之成膜方法可提高製造性。
而且，於發光疊層體5形成後，可藉由以密封用接著劑將密封材6接著於防濕性基板1之表面之方式密封發光疊層體5。圖3(F)係將密封材6之接著部位(密封接著部16)以斜線表示。密封能以帽蓋狀玻璃密封等進行。之後，對於尚未形成第2光取出結構20之情況，將防濕性基板1之外表面粗面化、於防濕性基板1之外表面貼附光散射膜等而將第2光取出結構20形成於防濕性基板1之表面。由以上，可獲得圖1之形態所示之有機EL元件。
圖4為有機EL元件之實施形態之另一例。對於與上述形態同樣之構成附上相同的符號而省略說明。於本形態，第1光取出結構10係形成於防濕性基板1之整個表面。而且，第1光取出結構10(透明被覆層12)之表面(上 面)係為阻隔層9所被覆。阻隔層9係具有透光性與防濕性。如此般地，於第1光取出結構10與第1電極2之間形成具防濕性的透光性阻隔層9係較佳之一形態。藉此，可有效抑制由透明被覆層12之水分之滲入。又，當第1光取出結構10之一部分或全部係以樹脂構成時，因發生自樹脂之釋出氣體之影響發光疊層體5恐有劣化之虞，但藉由設置阻隔層9可抑制釋出氣體之侵入。
當將第1光取出結構10設於防濕性基板1之整面時，透明被覆層12會以比密封材6更露出於外側之方式形成。那時，透明被覆層12若係以樹脂構成，該透明被覆層12恐成為水分之滲入途徑，水分之滲入恐導致元件之可靠性下降。因此，於透明被覆層12之表面形成阻隔層9，並以阻隔層9覆蓋透明被覆層12之整個表面，使透明被覆層12於密封區域之內部不露出，藉此可抑制水分滲入而抑制元件之劣化。又，由於藉由設置阻隔層9會使第1電極2與透明被覆層12不直接接觸，故可更抑制因水分滲入所致之劣化。
阻隔層9能以鈍化膜(passivation film)構成。藉此可提高對水分的阻隔性。鈍化膜可為非導態化之膜。鈍化膜亦稱鈍化保護膜。
阻隔層9之材料較佳為SiO2、SiN、TiO2等無機膜、或將無機層與有機層多層化而成的疊層膜。藉由具有無機膜，可使水分難以滲入。
阻隔層9之厚度，將該阻隔層9之平均折射率定為n時，較佳為400/n〔nm〕以下。藉此，可提高發光性能並提高阻隔性。阻隔層9之厚度越厚，越能提高阻隔性。惟，阻隔層9(鈍化膜)之膜厚亦依存於膜之折射率或消光係數，厚度若過厚，易產生干涉之影響，恐對光譜或視角依存性造成影響。又，阻隔層9之厚度若變得過厚由於光吸收等會變得不透明，光取出恐變得困難，而且亦有全反射之影響增大之虞。因此，阻隔層9之厚度較佳係設定於上述範圍。阻隔層9之厚度之下限並不特別限定，例如，可定為1/n〔nm〕、10/n〔nm〕或100/n〔nm〕等。具體而言阻隔層9之厚度可為50 〔nm〕以上。又，當阻隔層9之折射率係比樹脂層低時會於界面發生全反射，恐發生效率下降之弊病，故折射率較佳係比樹脂層高。又，此時，樹脂層可為透明被覆層12。
本形態，亦以第1光取出結構10具有吸水性比將密封材6接著於防濕性基板1之接著劑高的吸水材料為較佳。本形態，藉由使第1光取出結構10具有比密封接著部16更高的吸水性，可藉由第1光取出結構10輔助阻隔層9的水分阻隔性。因此，可抑制有機層之劣化，可提升可靠性。只要吸水材料係包含於第1光取出結構10內之任一部位即可。吸水材料之具體例，係與已藉由圖1之形態作過說明者同樣。
本形態之有機EL元件，可依據圖3所示之方法製造。即，可不將第1光取出結構10圖案化而設置於整面。而且，於第1光取出結構10之表面形成阻隔層9。阻隔層9之形成，亦可藉由蒸鍍進行，亦可藉由濺鍍進行，亦可藉由塗佈進行。於阻隔層9形成後，以與圖3之方法同樣方式進行，形成發光疊層體5，並以密封材6密封。
圖4之形態，因為只要將第1光取出結構10設於整面即可，故有係可能比圖1之形態更容易製造之利點。又，圖4之形態，由於第1光取出結構10係設於整面，因此未因第1光取出結構10而形成高低差，有可抑制將層疊層時層發生高低差分離(step separation)之利點。惟，由於圖1之形態亦可不設阻隔層9，故於該點上有製造係可能變得容易之利點。又，由於圖1之形態亦可不設阻隔層9，故有可抑制由於阻隔層9之形成所致之光取出性下降之利點。又，圖1之形態中，即使於第1光取出結構10(透明被覆層12)之表面設置阻隔層9當然亦可。
圖5為有機EL元件之實施形態之另一例。對於與上述形態同樣之構成附上同樣的符號而省略說明。本形態，除了阻隔層9之邊端部之結構不同以外，係形成與圖4之形態幾乎同樣之構成。
上述圖4之形態可藉由形成阻隔層9而抑制水分之滲入，但由於第1光取出結構10(透明被覆層12)之邊端部之側面係露出於外部，水分恐由此部分滲入至樹脂層。因此，圖5之形態，係將第1光取出結構10形成得比防濕性基板1小，並使阻隔層9於俯視下成為比第1光取出結構10大的大小，包含側面而將第1光取出結構10之整體以阻隔層9被覆。因此，第1光取出結構10(透明被覆層12)之邊端部之側面10a(12a)未露出於外部。如此地，若以阻隔層9被覆第1光取出結構10，第1光取出結構10會被防濕性基板1與阻隔層9包圍而密封。因此，第1光取出結構10變得不會露出於外部，可抑制水分從外部滲入至構成第1光取出結構10之樹脂層。因此，可抑制由於水分滲入所致之劣化而獲得可靠性高的有機EL元件。
本形態，亦以第1光取出結構10具有比將密封材6接著於防濕性基板1之接著劑吸水性更高的吸水材料為較佳。本形態，藉由使第1光取出結構10具有比密封接著部16更高的吸水性，可利用第1光取出結構10輔助阻隔層9之水分阻隔性。因此，可抑制有機層之劣化，可提升可靠性。只要吸水材料係包含於第1光取出結構10內之任一部位即可。吸水材料之具體例，係與已藉由圖1之形態作過說明者同樣。
本形態之有機EL元件，可藉由與圖4之形態同樣之方法製造。此時，藉由圖案化將第1光取出結構10形成於比防濕性基板1小的範圍。此時，較佳係將第1光取出結構10形成於比防濕性基板1稍小的範圍。藉此，可盡可能地增大發光面積。而且，將阻隔層9以被覆第1光取出結構10之方式形成於防濕性基板1之表面。使阻隔層9以於第1光取出結構10之邊端部不會高低差分離之方式形成。藉此，能使第1光取出結構10不露出於外部而予以密封。阻隔層9例如可設於防濕性基板1之整面。於阻隔層9形成後，以與圖3之方法同樣方式進行，形成發光疊層體5，並以密封材6密封。
圖5之形態，與圖4之形態同樣，亦有製造係可能變得比起圖1之形態更容易之利點、或可抑制高低差分離之利點。又，亦有可緩和形成第1 光取出結構10之際的樹脂層之圖案化所要求的精度、裝置之設計自由度提高、可謀求成本減低之利點。
另外，於有機EL元件方面，亦可藉由：製作多數之有機EL元件係形成於防濕性基板1之表面並連結的有機EL元件連結體，之後，切斷防濕性基板1而予以個別化之方式製造有機EL元件。此時，對於上述各形態之有機EL元件，亦可效率良好地製造。而且，所製造之有機EL元件，尤其於白色發光方面，光取出性優異，可減少視角依存性。
有機EL元件，藉由使第1光取出結構10更理想化，可謀得更進一步的光取出效率之提升。以下，以圖6~圖11說明關於第1光取出結構10之較佳態樣。以下，雖說明未設置阻隔層9之態樣，但阻隔層9係可設置、可不設置。又，雖然第2光取出結構20係可設置、可不設置，但以設置者較佳。又，以下，將第1光取出結構10簡單稱為光取出結構10。
圖6為有機EL元件之實施形態之另一例。對於與上述形態同樣之構成附上相同的符號而省略說明。
光取出結構10之側面10a，較佳係由垂直於防濕性基板1之表面之方向傾向於內側之斜面。藉此，可抑制第1電極2及其延長部分高低差分離而被分割或變薄等而使導通連接性下降之情事。光取出結構10之側面10a若成為斜面，比起相對於基板表面為垂直的面的情況，第1電極2之電鍍均厚能力(throwing power)會更好，因此可靠性會提升。圖6之形態中，光取出結構10係以構成凹凸結構11之凹凸層與透明被覆層12之疊層結構構成。而且，成為凹凸層與透明被覆層12之疊層結構之邊端面的側面10a係成為斜面。光取出結構10中，凹凸層之側面係成為斜面。透明被覆層12之側面係成為斜面。若不設透明被覆層12時，光取出結構10能以凹凸層(凹凸結構11)構成，而此時凹凸層之側面可成為斜面。或者，若包括凹凸結構11之側面將凹凸結構11全部以透明被覆層12被覆時，光取出結構10之側面可只以透明被覆層12之側面構成，此時透明被覆層12之側面可成為斜 面。所謂的斜面也可以說是成為楔形的面。
圖6中，光取出結構10之側面10a係成為平面。光取出結構10之側面10a，亦可由曲面構成。光取出結構10之側面10a，也可為向外側突出之凸狀曲面，或者，也可為向內側凹入之凹狀曲面。
光取出結構10之側面10a之傾斜角度並不特別限定，光取出結構10之側面10a與防濕性基板1之表面間的形成角度較佳為85度以下。藉此，能更抑制層之高低差分離。光取出結構10之側面10a與防濕性基板1之表面間的形成角度，更佳為80度以下，進一步更佳為70度以下。惟，該角度若變得過小，基部會過於寬廣，因此光取出結構10之側面10a與防濕性基板1之表面間的形成角度，例如，可為25度以上。光取出結構10之側面10a與防濕性基板1之表面間的形成角度，係定義為連結側面10a之上端與下端之直線與防濕性基板1之表面所形成的角度。又，當光取出結構10之側面10a並非斜面而是相對於防濕性基板1之表面為垂直時，光取出結構10之側面10a與防濕性基板1之表面間的形成角度成為90度。
圖7為有機EL元件之實施形態之另一例。對於與上述形態同樣之構成附上相同的符號而省略說明。圖7係將俯視下的有機EL元件之邊端部放大來圖示。又，為了易於瞭解元件構成，將第1電極2之延長部分與密封材6省略而圖示，當然，有機EL元件可具備該等構成。圖7係將發光疊層體5之外緣以雙短劃虛線表示。
光取出結構10之側面10a，較佳係俯視下於側方具有形成凸凹的側面凹凸結構30。藉此，由於第1電極2係沿著於側方形成凸凹的光取出結構10之表面形成，故可提高光取出結構10與第1電極2間的密合性。又，若設有側面凹凸結構30，由於該凹凸會給予光散射性，故可提高光取出效率。
圖7之形態，係於光取出結構10形成側面凹凸結構30。側面凹凸結構30，具有於側方突出的側面凸部31、與於側方凹入的側面凹部32。側面凹 凸結構30可為將於側方突出的部分與凹入的部分交替配置的結構。
圖7之形態中，光取出結構10之側面10a也可為相對於防濕性基板1之表面為垂直的面。或者，光取出結構10之側面10a，也可為由垂直於防濕性基板1之表面的方向朝內側傾斜的斜面。較佳態樣為：光取出結構10係如圖6般其側面10a成為斜面，再者，如圖7般其側面10a具有側面凹凸結構30。藉此，可提高第1電極2之密合性，並且可獲得光取出效率優異的有機EL元件。
圖7例示側面凹凸結構30之形狀成為波型之例。側面凹凸結構30不限於波型。例如，側面凹凸結構30也可為有角的凹凸形狀。惟，為了減少層之高低差分離，側面凹凸結構30，較佳係其邊緣非為有角而是成為曲線的結構。波型之側面凹凸結構30，邊緣為曲線。
側面凹凸結構30，側面凸部31之橫幅與側面凹部32之橫幅亦可為相同。那時，由於可使側面凸部31與側面凹部32之於全體中的所佔比例相等，故能效率良好地提高光取出性。所謂側面凸部31及側面凹部32之橫幅，係指在與側面凸部31突出方向垂直的方向的幅寬。圖7中，該等橫幅係以於縱方向之距離表示。當然，側面凸部31之橫幅也可大於、或小於側面凹部32之橫幅。
側面凹凸結構30之凹凸幅，亦可小於側面凸部31之橫幅及側面凹部32之橫幅。凹凸幅若變得過大，會有層變得容易高低差分離、或於層形成浪費之虞。所謂側面凹凸結構30之凹凸幅，係指在側面凸部31突出之方向的側面凹部32之最凹入位置與側面凸部31之最突出位置之間的距離。圖7中，側面凹凸結構30之凹凸幅會是以橫方向之距離表示。當然，側面凹凸結構30之凹凸幅，亦可大於側面凸部31之橫幅及側面凹部32之橫幅。
當設有側面凹凸結構30時，發光疊層體5之外緣，較佳係配置於比側面凹部32之最凹入的位置更內側。藉此，可獲得穩定的發光。
側面凹凸結構30的凹凸的平均節距，較佳為大於0.3μm小於10μm。藉此，可更提高第1電極2之密合性與光取出效率。所謂凹凸之平均節距，可定義為於相鄰的二個側面凸部31，於與突出方向垂直的方向的側面凸部31的中心位置之間的距離的平均。
圖8為有機EL元件之實施形態之另一例。對於與上述形態同樣之構成附上相同的符號而省略說明。圖8係於光取出結構10設有凹處40。圖8係將配置於第1電極2與第2電極4之間的疊層結構圖示為有機層3A。該有機層3A可由發光層3與電荷移動層7之疊層結構構成。有機層3A至少包含發光層3。
光取出結構10較佳係：將比凹凸結構11凹陷更大的凹處40設於第1電極2側，且第1電極2係於光取出結構10之表面以順應凹處40的形狀形成。藉此，比起未設有凹處40的情況，有機層3A之總面積變得更大，因此可增加整體的發光量。又，當以反射性電極構成第2電極4時，能以第2電極4將朝橫方向放射的光反射而取出至外部，可更提高光取出效率。當將第2電極4做成透光性、且於第2電極4之與有機層3A為相對之側設置反射層時，亦可獲得同樣的效果。
凹處40之深度係比凹凸結構11之突出幅更大。凹處40之橫幅係比凹凸結構11之橫幅更大。藉由形成微光學結構，可提高光取出性。
發光疊層體5，較佳係沿著凹處40之凹陷形狀而形成。圖8中，第1電極2係沿著凹處40形成於光取出結構10之表面。第1電極2係於凹處40之位置凹陷。又，有機層3A係沿著凹處40之形狀形成於第1電極2之表面。有機層3A係於凹處40之位置凹陷。此時，構成有機層3A之各層亦可沿著凹處40之形狀凹陷。又，第2電極4係沿著凹處40之形狀形成於有機層3A之表面。第2電極4係於凹處40之位置凹陷。因此，發光疊層體5係於凹處40之位置凹陷。也可說發光疊層體5呈彎曲狀態。如此地， 藉由使發光疊層體5沿著凹處40形成，可效率良好地提高光取出性。
光取出結構10之位於凹處40之側面40a，較佳為斜面。此時的斜面，係指從垂直於防濕性基板1之表面的方向傾向於內側的面。藉由使凹處40之側面40a為斜面，可更提高光取出性。當凹處40之側面40a為斜面時，凹處40之側面40a與防濕性基板1之表面間的形成角度，可定為與光取出結構10之側面10a為斜面的情況同樣的角度。即，該角度較佳為85度以下，更佳為80度以下，進一步更佳為70度以下。又，該角度，例如，可為25度以上。
如圖8之箭號所示，於有機層3A產生的光當中，不只光取出方向(朝向防濕性基板1側的方向)，於橫方向行進的光亦存在。於此，若形成凹處40，可將橫方向的光予以反射或散射而使變換成於光取出方向行進的光。圖8中，將朝向凹處40並於橫方向行進的光藉由第2電極4予以反射，使變換成朝向外部的光。又，將朝向凹凸結構11並於橫方向行進的光藉由凹凸結構11予以散射，使變換成朝向外部的光。因此，可提高光取出效率。又，可減低全反射損失。凹處40所產生的光取出性之提升，在設有具凹凸結構11的光取出結構10時係特別有效。
圖9係有機EL元件之實施形態之另一例。對於與上述形態同樣之構成附上相同的符號而省略說明。圖9之形態係圖8之形態之變形例。圖9中，凹處40之深度變深，而貫穿光取出結構10。圖9之形態，除了凹處40以外之構成，可與圖8之形態相同。
設置於光取出結構10的凹處40貫穿光取出結構10係較佳之一態樣。藉此，可更提高光取出性。
圖9中，於凹處40的位置，並未設置光取出結構10。可以說於凹處40之位置，對於光取出結構10開了個空穴。於凹處40的位置，第1電極2係接著於光取出結構10的下面之層。圖9之形態中，第1電極2係於凹處 40之位置接著於防濕性基板1。
圖8及圖9中，凹處40可設置成溝狀，也可設置成點狀。當凹處40係設置成點狀時，凹處40於俯視下可規則地設置，也可無規地設置。當凹處40係無規地設置時，可提高光散射性。當凹處40係設置成溝狀時，凹處40可設置成線狀。溝狀之凹處40可為直線狀的溝，也可為曲線狀的溝。
凹處40的深度，可比透明被覆層12的厚度小，但較佳係凹處40的深度比透明被覆層12的厚度大。此時，於凹處40的位置，凹凸結構11的凹凸亦可因凹處40而消失。圖8中，凹處40的深度係形成得比透明被覆層12的厚度大。圖9中，凹處40的深度可以說係與光取出結構10的厚度相同。
相鄰的二個凹處40之間的距離，較佳係100um以下。即，為凹處40所分隔的光取出結構10的凸處的幅寬，較佳係成為100μm以下。藉此，可提高光取出性。相鄰的二個凹處40之間的距離，可為1μm以上。由於凹處40之間的距離若變得過小會接近凹凸結構11之凹凸之大小，故恐變得難以獲得所期望的效果。以凹處40分隔的凸處之幅寬，更佳係1~10μm。
凹處40的幅寬較佳為100um以下。當凹處40為溝狀時，凹處40的幅寬成為溝幅。當凹處40為點狀時，凹處40的幅寬成為凹處40的直徑。藉由使凹處40的幅寬為100μm以下，可更提高光取出性。凹處40的幅寬可為1μm以上。由於凹處40的幅寬若變得過小會接近凹凸結構11的凹凸的大小，恐變得難以獲得所期望的效果。凹處40的幅寬更佳係1~10μm。又，光取出結構10之凹處40的幅寬與凸處的幅寬亦可約相等。光取出結構10之凸處的幅寬亦可大於凹處40的幅寬。光取出結構10之凸處的幅寬亦可小於凹處40的幅寬，但為了提高光取出結構10之光取出性，凹處40的幅寬係與凸處的幅寬相同或比其更小為更佳。
圖8及圖9中，凹處40的側面40a亦可設置凹處40的側面凹凸結構。 該側面凹凸結構，可為與圖7之形態之側面凹凸結構30同樣者。凹處40之側面凹凸結構，可為將於側方突出的部分與凹入的部分交替地配置的結構。凹處40之側面40a具有凹凸，可提高第1電極2與光取出結構10間的密合性。又，凹處40之側面40a若具有凹凸，可給予光散射性，可提高光取出效率。凹處40的側面40a，也可說是光取出結構10的一個側面10a。那時，也可說是於位在凹處40的光取出結構10的側面10a(40a)，設置側面凹凸結構。又，凹處40的側面40a，可以說是位於光取出結構10之內部區域之側面，已藉由圖7做過說明的光取出結構10的側面10a，可以說是光取出結構10的側端面。
圖6~圖9中，於光取出結構(光取出結構10)的形狀上存在著特徵。圖6及圖7中，於光取出結構10的端緣存在著特徵。圖8及圖9中，於光取出結構10的內部的凹處40存在著特徵。針對如此之光取出結構10的形成方法進行說明。
圖10例示有機EL元件之製造方法之一例。圖10表示以雷射光51加工光取出結構10的情形。光取出結構10，係以雷射照射裝置50予以照設雷射光51、並實施加工。圖10表示以切取製得多數個的方法形成有機EL元件的情形，表示將光取出結構10形成於比有機EL元件1個分的區域更大型的防濕性基板1、並加工該光取出結構10的邊端部的情形。即使於光取出結構10之內部，仍可同樣地以雷射光51進行加工。又，光取出結構10，亦可在將大型之光取出結構10貼附於防濕性基板1後，於加工光取出結構10之邊端部的過程，予以分割成1個元件分。那時，可效率良好地進行光取出結構10之分割與邊端部之加工。
光取出結構10較佳係以雷射加工形成。當使用雷射加工時，可容易地將光取出結構10的邊緣部分做成斜面、或給予凹凸形狀。又，藉由雷射加工可進行形狀的嚴密控制，可簡便且低成本地進行光取出結構10的形成。光取出結構10，當然也能夠以藉由擦取、或遮罩控制、光微影而進行的濕式圖案化等形成。然而，藉由雷射加工，能更加實行楔形形狀的嚴密控制。 雷射圖案化的圖案化精度成為有利。
光取出結構10之加工，可藉由於防濕性基板1之表面設置光取出結構10後以雷射進行加工的方式實施。光取出結構10之加工，較佳係於形成發光疊層體5之前進行。由於光取出結構10係能夠以樹脂構成，故較佳係使用可加工樹脂的雷射。藉由雷射加工，可簡單且精度良好地形成斜面。藉由雷射加工，可簡單且精度良好地形成側面凹凸結構30。藉由雷射加工，可簡單且精度良好地形成凹處40。
雷射，可使用能夠加工樹脂的任意之雷射。雷射較佳為雷射光51。當然，雷射也可不限於光。雷射，例如，可使用氣體雷射、準分子雷射、固體雷射等。氣體雷射，可例示CO2雷射等。準分子雷射，可例示KrF、XeCl雷射等。固體雷射，可例示使用了YVO4、YAG之基本波及高次諧波等的雷射。使用紫外線波長範圍之雷射為較佳之一態樣。紫外線波長範圍之雷射，可例示：準分子雷射、YVO4之第三高次諧波之雷射、YAG之第三高次諧波之雷射等。紫外線波長範圍之雷射，由於樹脂對其吸收佳、熱影響小故較佳。使用YVO4之微微秒基本波之雷射、第二高次諧波之雷射等為較佳之一態樣。該等可為使用微微秒、飛秒等短脈衝雷射的雷射。藉此，使非熱加工的利用多光子吸收而進行的燒蝕加工成為可能故較佳。
雷射加工，較佳為使用雷射之焦點位置調整、光圈、光束均勻器(beam homogenizer)之中的1種以上的手法。藉此，可製作任意之光束剖面(beam profile)，因此能將光取出結構10之側面10a做成斜面、形成側面凹凸結構30、或給予該兩者的形狀。所謂光圈，係指切除雷射之邊端部之能量密度微弱的部分。所謂光束均勻器，係使光束強度分布成為均一的光學元件。側面之凹凸結構之尺寸(凹凸幅及凹凸節距)，係可藉由控制雷射之頻率與掃描速度予以調整。為了實現實用的加工產距，較佳係使用高頻雷射。所謂高頻率，例如，可為500kHz以上之頻率。高頻之上限並不特別限定，可為1GHz。例如，當以頻率600kHz、掃描速度6000mm/s進行加工時，可形成成為10um節距(6000mm/600k之節距)之凹凸節距的側面凹凸結構30。
圖11表示以雷射加工加工光取出結構10之邊端部之情形。如圖11所示，藉由照射雷射光51，光取出結構10之側面10a成為斜面。又，光取出結構10之側面10a可成為凹凸面。即使針對設置於光取出結構10的凹處40，亦同樣地能夠以雷射加工形成。圖11係於斜角方向照射雷射光51，當然雷射光51之照射角度不限於此，可藉由於雷射加工的適宜的調整來加工光取出結構10。亦可從與防濕性基板1之表面垂直的方向照射雷射光51。亦可相對於防濕性基板1之表面傾斜地照射雷射光51。
雷射加工，不只光取出結構10之邊端部，即使對於光取出結構10之內部之加工亦為有用。藉由對於光取出結構10之俯視下的內部區域實施雷射加工，可形成凹處40。當使用雷射時，藉由輸出之調整等，能以不貫穿光取出結構10之方式設置凹處40，亦能以貫穿光取出結構10之方式設置凹處40。若線狀地照射雷射，可形成溝狀之凹處40。若點狀地照射雷射，可形成點狀之凹處40。
藉由雷射加工，可容易地形成凹處40。藉由雷射加工，可容易地將凹處40之側面40a做成斜面。藉由雷射加工，可容易地將凹處40之側面40a做成凹凸面。利用雷射加工，透過如前述雷射之光束剖面之調整，可容易地進行各種形狀之加工。光取出結構10，亦能藉由與第2光取出結構20的組合，調整尺寸或形狀。
照明裝置係具備上述有機EL元件。由於該照明裝置係具備有機EL元件，故可獲得發光性優異的照明裝置。一個有機EL元件之發光面，例如，可做成縱10cm以上、橫10cm以上之矩形，但不限於此。照明裝置，可為將多數之有機EL元件配置成面狀者。照明裝置，亦能以一個有機EL元件構成。照明裝置，可為具備用以對有機EL元件供電的配線結構者。照明裝置，可為具備支撐有機EL元件之殼體者。照明裝置，可為具備將有機EL元件與電源進行電性上之連接的插頭者。照明裝置，可構成為面板狀。照明裝置可構成為面狀。由於可將照明裝置之厚度做薄，故能夠提供省空間 的照明器具。
1‧‧‧防濕性基板
2‧‧‧第1電極
3‧‧‧發光層
3a‧‧‧第1發光層
3b‧‧‧第2發光層
3c‧‧‧第3發光層
4‧‧‧第2電極
5‧‧‧發光疊層體
6‧‧‧密封材
7‧‧‧電荷移動層
7a‧‧‧第1電荷移動層
7b‧‧‧第2電荷移動層
8‧‧‧密封間隙
10‧‧‧光取出結構(第1光取出結構)
11‧‧‧凹凸結構
12‧‧‧透明被覆層
13‧‧‧凸部
16‧‧‧密封接著部
20‧‧‧第2光取出結構

Claims (16)

  1. 一種有機電致發光元件，係具備：具透光性之防濕性基板、與由該防濕性基板側依序具有透光性之第1電極、會發出發光波長不同之二種以上之光的發光層、及第2電極的發光疊層體、與將接著於該防濕性基板之該發光疊層體覆蓋的密封材，其特徵為：於該防濕性基板之該第1電極側具備光取出結構，該光取出結構具有以折射率與該防濕性基板約同或折射率比該防濕性基板小的材料形成的凹凸結構，該凹凸結構，係以每個矩陣狀之凹凸之一區塊分配高度約相等之多數之凸部並配置成面狀的方式形成，俯視下之單位區域之該凸部之面積率於各區域約相同。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該光取出結構之側面係從垂直於該防濕性基板之表面之方向傾向內側的斜面。
  3. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該光取出結構之側面俯視下具有於側方形成凸凹之側面凹凸結構。
  4. 如申請專利範圍第3項之有機電致發光元件，其中，該側面凹凸結構之凹凸之平均節距為大於0.3μm且小於10μm。
  5. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，將該光取出結構之比該凹凸結構凹陷更大之凹處設於該第1電極側，該第1電極係於該光取出結構之表面以順應凹處之形狀形成。
  6. 如申請專利範圍第5項之有機電致發光元件，其中，該凹處係貫穿該光取出結構。
  7. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該光取出結構，係具有透明被覆層，該透明被覆層係以折射率比該防濕性基板大的材料形成並被覆該凹凸結構。
  8. 如申請專利範圍第7項之有機電致發光元件，其中，該透明被覆層係以樹脂形成。
  9. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該光取出結構俯視下係比該密封材形成於更內側。
  10. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，於該光取出結構與該第1電極間形成具防濕性之透光性阻隔層。
  11. 如申請專利範圍第10項之有機電致發光元件，其中，該阻隔層之厚度，當令該阻隔層之平均折射率為n時為400/n〔nm〕以下。
  12. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該凹凸結構係形成作為繞射光學結構。
  13. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該光取出結構具有吸水性比將該密封材接著於該防濕性基板之接著劑更高的吸水材料。
  14. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該光取出結構為第1光取出結構，於該防濕性基板之與該第1電極為相對側之表面，設有具光散射結構之第2光取出結構。
  15. 如申請專利範圍第14項之有機電致發光元件，其中，該第2光取出結構係藉由該防濕性基板之粗面化而形成。
  16. 一種照明裝置，係具備如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件。
TW102136813A 2012-10-11 2013-10-11 有機電致發光元件及照明裝置 TW201421767A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012226297 2012-10-11
JP2013154836 2013-07-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201421767A true TW201421767A (zh) 2014-06-01

Family

ID=50477130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102136813A TW201421767A (zh) 2012-10-11 2013-10-11 有機電致發光元件及照明裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9620740B2 (zh)
EP (1) EP2908603A4 (zh)
JP (1) JP6241757B2 (zh)
KR (1) KR20150064203A (zh)
CN (1) CN104770063A (zh)
TW (1) TW201421767A (zh)
WO (1) WO2014057647A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI570987B (zh) * 2014-11-06 2017-02-11 財團法人工業技術研究院 光取出結構及其製造方法、及包含其之有機發光裝置

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105191500B (zh) * 2013-03-13 2017-06-23 松下电器产业株式会社 有机电致发光元件和使用所述有机电致发光元件的照明设备
EP2975909A4 (en) 2013-03-13 2016-06-01 Panasonic Ip Man Co Ltd ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME
EP3035774A1 (en) * 2013-08-14 2016-06-22 JX Nippon Oil & Energy Corporation Light emitting element and method for manufacturing light emitting element
JP6364998B2 (ja) * 2014-06-23 2018-08-01 王子ホールディングス株式会社 有機発光ダイオード素子および有機薄膜太陽電池素子
US10219349B2 (en) * 2014-08-29 2019-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device including a micro-cavity light extraction structure
US10157967B2 (en) * 2014-11-28 2018-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device, illumination device, and display device
CN104900812A (zh) * 2015-04-23 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置
JP6314968B2 (ja) * 2015-12-25 2018-04-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017147146A (ja) * 2016-02-18 2017-08-24 凸版印刷株式会社 有機ｅｌ素子、並びに照明装置、面状光源及び表示装置
CN105870358B (zh) * 2016-04-08 2017-11-28 武汉华星光电技术有限公司 一种散射层的制备方法、有机发光二极管
KR101695652B1 (ko) * 2016-04-11 2017-01-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR101896038B1 (ko) * 2016-05-04 2018-09-06 주식회사 헥사솔루션 유기발광소자
JP2018067414A (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 ＯＬＥＤ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ株式会社 電子デバイス用基板のマザー基板
CN108122487B (zh) 2016-11-30 2020-07-17 财团法人工业技术研究院 显示面板以及感测显示面板
CN108123055B (zh) 2016-11-30 2020-07-21 财团法人工业技术研究院 发光装置
US10847756B2 (en) * 2017-02-20 2020-11-24 Kateeva, Inc. Inkjet printing systems and techniques for light-emitting devices with enhanced light outcoupling
JP6583343B2 (ja) * 2017-04-24 2019-10-02 王子ホールディングス株式会社 透明電極付半導体素子用基板、有機発光ダイオード素子、または有機薄膜太陽電池素子
JP2017168448A (ja) * 2017-04-24 2017-09-21 王子ホールディングス株式会社 半導体素子用基板、有機発光ダイオード素子、及び有機薄膜太陽電池素子
CN106981502A (zh) * 2017-04-27 2017-07-25 武汉华星光电技术有限公司 一种oled显示面板及其制作方法
CN107393905B (zh) * 2017-07-28 2019-07-09 天马微电子股份有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
CN107293650B (zh) * 2017-08-01 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置
US10892296B2 (en) * 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
JP7138897B2 (ja) 2018-01-03 2022-09-20 エルジー・ケム・リミテッド 光学フィルム
CN108428804A (zh) * 2018-04-19 2018-08-21 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其封装方法
KR102605887B1 (ko) * 2018-05-08 2023-11-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN109065757B (zh) * 2018-08-07 2020-10-16 中国乐凯集团有限公司 用于oled照明器件的基板及照明器件
CN109585673B (zh) * 2018-10-17 2021-05-18 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法、电子设备
JP2020198172A (ja) * 2019-05-31 2020-12-10 パイオニア株式会社 発光装置
JP7362313B2 (ja) 2019-06-28 2023-10-17 キヤノン株式会社 電子部品および電子部品の製造方法および検査方法、機器
CN112436096B (zh) * 2020-10-22 2021-12-31 福州大学 一种用于光提取的随机纳米图案制备方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2931211B2 (ja) 1994-09-13 1999-08-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ装置
US6195142B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
JP2991183B2 (ja) 1998-03-27 1999-12-20 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2003026357A1 (fr) 2001-09-13 2003-03-27 Nissan Chemical Industries, Ltd. Substrat transparent utilisant un element electroluminescent organique et element electroluminescent organique
JP2003142262A (ja) 2001-11-06 2003-05-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器
JP4255844B2 (ja) 2003-02-24 2009-04-15 ソニー株式会社 有機発光表示装置およびその製造方法
JP2005063838A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置
TWI232701B (en) 2004-08-03 2005-05-11 Ind Tech Res Inst Photonic crystal organic light-emitting device
JP2006155940A (ja) 2004-11-25 2006-06-15 Matsushita Electric Works Ltd 調光調色特性を備えた有機ｅｌ光源装置及び照明装置
GB2439231B (en) 2005-03-10 2011-03-02 Konica Minolta Holdings Inc Resin film substrate for organic electroluminescence and organic electroluminescence device
JP2006294491A (ja) 2005-04-13 2006-10-26 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
KR100879207B1 (ko) 2005-12-30 2009-01-16 주식회사 엘지화학 플렉시블 디스플레이장치 및 이의 제조방법
JP2007335253A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2008108439A (ja) 2006-10-23 2008-05-08 Nec Lighting Ltd 電界発光素子および電界発光パネル
CN102393541B (zh) 2007-11-13 2015-03-25 松下电器产业株式会社 薄膜及发光装置
KR100873517B1 (ko) * 2007-11-21 2008-12-15 한국기계연구원 유기발광소자
JP5633105B2 (ja) * 2008-10-23 2014-12-03 日本ゼオン株式会社 光源装置及び液晶表示装置
JP4631963B2 (ja) * 2008-12-02 2011-02-16 ブラザー工業株式会社 インクジェット記録装置およびインクジェット記録方法
US7957621B2 (en) 2008-12-17 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Light extraction film with nanoparticle coatings
JP2010146893A (ja) 2008-12-19 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法
US8475004B2 (en) * 2009-05-12 2013-07-02 Panasonic Corporation Optical sheet, light-emitting device, and method for manufacturing optical sheet
JP5731830B2 (ja) 2010-01-19 2015-06-10 パナソニック株式会社 面状発光装置
US9184414B2 (en) * 2010-04-22 2015-11-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and lighting device
JP2012079663A (ja) 2010-10-06 2012-04-19 Kuraray Co Ltd 面光源素子及びそれを備えた照明装置
JP5492798B2 (ja) * 2011-01-24 2014-05-14 株式会社日立製作所 有機発光装置およびこれを用いた光源装置
JP5614323B2 (ja) * 2011-02-18 2014-10-29 三菱レイヨン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101715112B1 (ko) * 2012-06-14 2017-03-10 쌩-고벵 글래스 프랑스 Ｏｌｅｄ 소자용 적층체, 그 제조방법 및 이를 구비한 ｏｌｅｄ 소자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI570987B (zh) * 2014-11-06 2017-02-11 財團法人工業技術研究院 光取出結構及其製造方法、及包含其之有機發光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US9620740B2 (en) 2017-04-11
KR20150064203A (ko) 2015-06-10
EP2908603A1 (en) 2015-08-19
JP6241757B2 (ja) 2017-12-06
EP2908603A4 (en) 2015-12-16
US20150270512A1 (en) 2015-09-24
WO2014057647A1 (ja) 2014-04-17
CN104770063A (zh) 2015-07-08
JPWO2014057647A1 (ja) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6241757B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
KR101364040B1 (ko) 유기전자소자용 기판
TWI540780B (zh) 有機電致發光元件及使用此元件之照明裝置
WO2014185063A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
TWI542063B (zh) 有機發光裝置
WO2014141623A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置
KR101353434B1 (ko) 유기전자소자용 기판
KR20160070142A (ko) 유기 전계 발광 소자, 조명 장치 및 표시 장치
KR20150056525A (ko) 유기 전계 발광 소자
WO2011161998A1 (ja) 有機ｅｌ素子
JP6694919B2 (ja) 照明パネルおよびその製造方法、照明モジュール、照明装置、並びに照明システム
JP2011165444A (ja) 発光装置
US9093665B2 (en) Light-emitting module and method for manufacturing the same
US10892445B2 (en) Light apparatus for organic light emitting device
JP2018129262A (ja) 有機エレクトロルミネッセント装置および照明装置
KR101924083B1 (ko) 발광장치 및 그 제조방법
JP2011049234A (ja) 有機ｅｌ発光素子
WO2017213262A1 (ja) 有機ｅｌ素子、並びに有機ｅｌ素子を利用した照明装置、面状光源及び表示装置
KR20070035758A (ko) 광결정 유기발광소자 및 그 제조방법
KR20130135142A (ko) 유기전자장치
JP2011222448A (ja) 発光装置の製造方法
TWI485900B (zh) 發光裝置
KR20130111486A (ko) 유기전자소자용 기판