TW201418009A - 複合基板 - Google Patents

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Abstract

複合基板10係支持基板12與壓電基板14的接合，本實施例中，支持基板12與壓電基板14由接合層16接合。由於此複合基板10的支持基板12係以透光性氧化鋁陶瓷製作的，相較於支持基板以不透明陶瓷製作的情況，FCB時的定位變得容易。又，支持基板12的可見區域(360~750nm(毫微米))中直線透過率及前方全光線透過率最好分別在10%以及70%以上。

Description

複合基板
本發明係關於複合基板。
以往，接合支持基板與壓電基板的複合基板中，設置電極並製作彈性波裝置係廣為人知的。在此，彈性波裝置係例如在行動電話等的通訊機器中用作帶通濾波器。又，複合基板中，熟知使用鈮酸鋰或鉭酸鋰作為壓電基板，使用矽或石英、陶瓷作為支持基板(參照專利文件1)。記載廣泛應用陶瓷作為封裝材料。
[先行技術文件] [專利文件]
[專利文件1]專利第2006-319679號公開公報
不過，習知的複合基板中，由於支持基板以不透明的陶瓷製作，覆晶接合(FCB)時，有難以定位的問題。具體而言，如第6圖所示，覆晶接合時，支持基板112與壓電基板114接合的複合基板110，以壓電基板114在下，支持基板112在上，必須進行壓電基板114上的金製球形凸塊114a與印刷 基板102上的電極焊墊102a的位置調校(定位)。以配置於支持基板112側的攝影機確認的同時，執行定位。此時，壓電基板114雖是透明，但因為支持基板112是不透明的陶瓷，不容易通過支持基板112定位。
本發明係用以解決如此的課題而形成，以FCB時提供容易定位的複合基板為主要目的。
本發明的複合基板係接合支持基板與壓電基板的複合基板，上述支持基板的材料係透光性陶瓷。
根據本發明的複合基板，相較於支持基板以不透明陶瓷製作的情況，FCB時定位變得容易。即，一般壓電基板為透明的，FCB時，雖然壓電基板在下，支持基板在上，但由於支持基板為透光性陶瓷製，通過支持基板，可以確認壓電基板的位置(設置在壓電基板上的球形凸塊的位置等)。因此，變得容易定位。
本發明的複合基板中，上述支持基板的可見光區域(360~750nm，以下相同)中的直線透過率及前方全光線透過率最好分別在10%以上以及70%以上。如此，可以更確實得到上述本發明的效果。
本發明的複合基板中，上述支持基板的前方全光線透過率最好是在波長200nm中80%以上。如此，壓電基板的表面上形成光阻膜後，使用波長200nm附近的UV進行光阻膜的曝光之際，抑制壓電基板與支持基板間的界面中的反射，並 可以高精度圖案化。又，因為曝光裝置的解析度以k×λ/NA定義(k：係數、λ：光源的波長、NA：投影透鏡的數值孔徑)，以短波長曝光，可以形成微細圖案。在此，支持基板的正反面中的至少單面最好是粗面(例如算術平均粗糙度Ra為5~20nm)。此時，相較於正反兩面為鏡面(例如算術平均粗糙度Ra為0.5~2nm)的情況，波長200nm中的前方全光線透過率的值變高。特別是，支持基板的兩面為粗面，由於波長200nm中的前方全光線透過率的值更高，是理想的。
本發明的複合基板中，上述支持基板與上述壓電基板間經由接合層接合，且上述接合層的折射率最好是上述支持基板的折射率與上述壓電基板的折射率之間的值。如此，從壓電基板的上方照射的光變得容易通過接合層及支持基板。
本發明的複合基板中，上述支持基板也可以具有鑄孔。因為藉由成型透光性陶瓷的原料並燒成而得到支持基板，製作具有鑄孔的支持基板之際，只要使用得到具有鑄孔的成型體之模具即可。因此，變得不需要光罩、蝕刻的步驟。例如，使用矽基板而非透光性陶瓷基板作為支持基板時，為了在其矽基板中製作鑄孔，首先以光罩覆蓋矽基板的單面(與接合壓電基板的面相反側的面)，其次曝光．顯像其光罩，之後蝕刻未遮光的部分，上述一連串的步驟的是必須的。
本發明的複合基板中，上述支持基板的熱膨脹率最好為4~9ppm/℃。如此，高溫下的熱膨脹小，且溫度特性改善效果優異。
本發明的複合基板中，上述支持基板的平均結晶 粒徑最好是10μm(微米)~50μm。如此，因為平均結晶粒徑小，可以減少不需要的體波。又，UV透過率、強度也變高。
本發明的複合基板中，上述支持基板的材料最好是透光性氧化鋁陶瓷。透光性氧化鋁陶瓷形成的支持基板的特性如下。
．直線透過率 在可見光區域中10%以上
．前方全光線透過率 在可見光區域中70%以上(波長200nm時80%以上)，此透過率在比波長300nm短的波長側急速上升。
．氧化鋁純度 99.9%以上
．結晶粒徑 10~50μm
．熱膨脹率 4~9ppm/℃
10‧‧‧複合基板
12‧‧‧支持基板
14‧‧‧壓電基板
16‧‧‧接合層
24‧‧‧壓電基板
30‧‧‧1埠SAW共振器
32、34‧‧‧IDT電極
36‧‧‧反射電極
40‧‧‧測量裝置
41‧‧‧積分球
42‧‧‧平板
44‧‧‧穴
46‧‧‧光源
48‧‧‧檢測器
102‧‧‧印刷基板
102a‧‧‧電極焊墊
110‧‧‧複合基板
112‧‧‧支持基板
114‧‧‧壓電基板
114a‧‧‧球形凸塊
S‧‧‧試料
[第1圖]係顯示複合基板10的構成概略立體圖；[第2圖]係顯示複合基板10的製造步驟立體圖；[第3圖]係使用複合基板10製作的1埠SAW共振器30的立體圖；[第4圖]係支持基板A~C的前方全光線透過率光譜圖；[第5圖]係測量裝置40的說明圖；以及[第6圖]係顯示裝載複合基板110至印刷基板102上時的狀態說明圖。
其次使用圖面，說明用以實施本發明的形態。第1 圖係顯示本發明第一實施例的複合基板10的構成概略立體圖。
複合基板10，如第1圖所示，係支持基板12與壓電基板14的接合，本實施例中，支持基板12與壓電基板14以接合層16接合。此複合基板10，在一處形成平面構成的圓形。此平面部分，稱作定向平面(OF)的部分，例如，彈性表面波裝置的製造步驟中執行各操作之際等，在進行晶圓位置、方向的檢測等時使用。
支持基板12係氧化鋁純度在99%以上，熱膨脹率在4~9ppm/℃的透光性氧化鋁陶瓷基板。此支持基板12的可見區域中直線透過率在10%以上。又，支持基板12的可見區域中前方全光線透過率在70%以上，波長200nm時在80%以上，最好是85%以上，更理想是90%以上。支持基板12的兩面的算術表面粗糙度Ra為0.5~20nm。在此，相較於支持基板12的兩面都是鏡面(例如Ra 0.5~2nm)的情況，單面為鏡面、單面為粗面(例如Ra 5~20nm)由於前方全光線透過率變高是理想的，而兩面都是粗面由於前方全光線透過率更高是理想的。支持基板12的平均結晶粒徑為10μm~50μm。
壓電基板14係可以傳輸彈性波(例如彈性表面波)的壓電體的基板。壓電基板14的材料，例如鉭酸鋰、鈮酸鋰、硼酸鋰或水晶等。這些材料的熱膨脹率是13~16ppm/℃。如此的壓電基板14是透明的。
接合層16係接合支持基板12及壓電基板14的層。接合層16的材料雖未特別限定，但最好是具有耐熱性的有機接合劑，例如，環氧樹脂(EPOXY)系列接合劑、壓克力 系列接合劑等。又，接合層16的折射率係在支持基板12的折射率及壓電基板14的折射率之間的值。此接合層16的厚度在1μm以下，最好是0.2~0.6μm。
關於如此的複合基板10的製造方法的一範例，使用第2圖在以下說明。第2圖係顯示複合基板10的製造步驟立體圖。首先，準備具有OF的既定直徑及厚度的支持基板12。又，與支持基板12相同直徑的壓電基板24(參照第2(a)圖)。壓電基板24比壓電基板14厚。於是，在支持基板12的表面與壓電基板24的背面中至少一方均勻塗佈接合劑。之後接合兩基板12、24，接合劑是熱硬化性樹脂時加熱硬化，接合劑是光硬化性樹脂時照射光硬化，作為接合劑16(參照第2(b)圖)。之後，以研磨機研磨壓電基板24薄化至既定厚度，作為壓電基板14，得到複合基板10(參照第2(c)圖)。
如此得到的複合基板10，之後，使用一般的微影成像技術形成電極，複合基板10作為多數的彈性表面波裝置的集合體之後，根據時序由一個一個的彈性表面波裝置切出。複合基板10作為彈性表面波裝置的1埠SAW共振器30的集合體時的狀態顯示於第3圖。1埠SAW共振器30，係根據微影成像技術，在壓電基板14的表面上形成IDT電極32、34與反射電極36。IDT電極32、34例如由以下形成。首先，壓電基板14的上面塗佈光阻劑，通過光罩在光阻劑上照射光。其次，浸泡顯像液，除去不需要的光阻劑。光阻劑為負光阻劑時，光阻劑中照光的部分留在壓電基板14上。另一方面，光阻劑為正光阻劑時，光阻劑中不照光的部分留在壓電基板14上。 其次，全面蒸鍍電極材料(例如鋁)，藉由除去光阻劑，得到梳形的IDT電極32、34。IDT電極32為+極，IDT電極34為一極，互相交互排列，形成圖案。於是，鄰接的+極之間的間隔(周期間隔)相當於波長λ，且音速v除以波長λ的值相當於共振頻率fr。
根據以上詳述的本實施例的複合基板10，因為支持基板12以透光性氧化鋁陶瓷製作，相較於支持基板以不透明陶瓷製作的情況，FCB時變得容易定位。即，FCB時，透明的壓電基板14在下，支持基板12在上，但因為支持基板12係透光性陶瓷製，通過支持基板12，可以確認壓電基板14的位置(壓電基板14上設置的金製球形凸塊的位置等)。因此，變得容易定位。又，複合基板10中，因為支持基板12的可見光區域中的直線透過率及前方全光線透過率分別在10%以上及70%以上，可以更確實得到如此的效果。
又，因為支持基板12的熱膨脹率比壓電基板14小，溫度變化時壓電基板14的大小變化被支持基板12抑制。因此，對於使用此複合基板10製作的彈性波裝置的溫度，可以抑制頻率特性的變化。特別是，複合基板10，因為支持基板12的熱膨脹率為4~9ppm/℃，高溫下的熱膨脹小，且彈性波裝置的溫度特性改善效果優異。
又，複合基板10的前方全光線透過率在波長200nm中80%。因此，壓電基板24的表面上形成光阻膜之後，使用波長200nm附近的UV進行光阻膜的曝光之際，抑制壓電基板24與支持基板12間的界面中的反射，並可以高精度圖案 化。又，因為曝光裝置的解析度以k×λ/NA定義(k：係數、λ：光源的波長、NA：投影透鏡的數值孔徑)，以短波長曝光，可以形成微細圖案。
還又，因為接合層16的折射率係在支持基板12的折射率及壓電基板14的折射率之間的值，從壓電基板14上方照射的光變得容易通過接合層16及支持基板12。
又，因為支持基板12的平均結晶粒徑是10μm(微米)~50μm，可以減少不需要的體波。又，UV透過率、強度也變高。
又，本發明不限定於上述實施例，不用說只要屬於本發明技術範圍就可以以各種形態實施。
例如，上述的實施例中，雖然說明使用複合基板10製作彈性波裝置之一的彈性表面波裝置的情況，但也可以使用複合基板10製作其他如藍姆波(Lamb Wave)元件、薄膜共振器(FBAR)的彈性波裝置。
上述的實施例中，支持基板12與壓電基板14由接合層16接合，製作複合基板10，但也可以以直接接合黏合支持基板12與壓電基板14，製作複合基板。以直接接合黏合兩基板12、14時，例如例示的以下方法。即，首先洗淨兩基板12、14的接合面，除去附著上述接合面上的不純物(氧化物、吸附物)。其次，藉由在兩基板12、14上照射氬等非活性氣體的離子束至兩基板的接合面，除去殘留的不純物的同時，活化接合面。之後，在真空中常溫下接合兩基板12、14。
上述的實施例中，支持基板12也可以具有鑄孔。 因為以成型透光性氧化鋁陶瓷的原料並燒成而得到支持基板12，製作具有鑄孔的支持基板12之際，只要使用如得到具有鑄孔的成型體之模具即可。因此，變得不需要光罩、蝕刻的步驟。例如，使用矽基板而非透光性氧化鋁陶瓷基板作為支持基板12時，為了在其矽基板中製作鑄孔，首先以光罩覆蓋矽基板的單面(與接合壓電基板的面相反側的面)，其次曝光．顯像其光罩，之後蝕刻未遮光的部分，上述一連串的步驟的是必須的。
上述實施例中，雖然假設支持基板12為透光性氧化鋁陶瓷基板，但也可以假設支持基板12為具有氧化鋁以外的透光性的陶瓷基板。在此情況下，也得到FCB時變得容易定位的效果。
[實施例]
[透光性氧化鋁基板(支持基板A~C)]
用以下的製法準備直徑ψ 100mm(毫米)的透光性氧化鋁基板。最初，調製混合表1的成分之研磨液(slurry)。又，α-氧化鋁粉末使用比表面積3.5~4.5m2/g、平均一次粒子徑0.35~0.45μm之粉末。
在室溫注入此研磨液至鋁合金製的鑄模後，在室溫放置1小時。其次在40℃放置30分鐘，進行凝固之後，脫模。又，分別在室溫、其次90℃放置2小時，得到板狀的粉末成形體。得到的粉末成形體在大氣中以1100℃鍛燒(預先燒成)後，裝載鍛燒體至鉬製板上，上側留有0.1~0.5mm間隙的狀態下，在氫：氮=3：1(體積比)的空氣中，以1700~1800℃進行燒成。之後，裝載其燒成體至鉬製板上，又在其上裝載鉬製重量，在氫：氮=3：1(體積比)的空氣中，以1700~1800℃實施回火處理。燒成時，藉由在上側留間隙，執行排出添加物(主要是氧化鎂等)的同時，藉由回火處理時載重(施加重量)燒成並以同等溫度回火，促進細緻化。因此得到透光性氧化鋁基板。
準備3個此透光性氧化鋁基板，第1個係研磨兩面的支持基板(以下，稱作支持基板A)，第2個係兩面研磨的支持基板(以下稱作支持基板B)，第3個係單面拋光、單面研磨的支持基板(以下稱作支持基板C)。研磨係使用鑽石研磨粒，# 1500的研磨石執行。拋光係研磨後的表面使用平均粒徑0.5μm的鑽石研磨粒研磨拋光，還有使用矽溶膠(Colloidal Silica)研磨液與硬質聚氨酯墊拋光表面。關於各支持基板，以尖筆式表面粗糙度測量器測量算術平均粗糙度(Ra)。又，根據後述第5圖的測量裝置40，測量前方全光線透過率。這些結 果顯示於表2。又第4圖中，顯示前方全光線透過率光譜圖。又，測量各支持基板的平均結晶粒徑、熱膨脹係數、可見光區域中的直線透過率。這些結果也顯示於表2。
又，前方全光線透過率係根據第5圖的測量裝置40得到的測量值算出。第5圖的測量裝置係積分球41的開口部以試料S(厚度3mm)塞住，在試料S的上面裝載具有穴44(直徑ψ 3mm)的薄板，在此狀態下，通過穴44對試料S照射來自光源46的光，使用積分球41收集通過試料S過來的光，由檢測器48測量其光的強度。前方全光線透過率根據以下公式求得。
前方全光線透過率=100×(測量的光強度)/(光源的強度)
[第一實施例(複合基板)]
支持基板A的上方，折射率1.9的環氧樹脂(EPOXY)系列接合劑在1μm以下的厚度，使用旋轉器塗佈。 接合劑的折射率在LiTaO3(折射率2.1)與透光性氧化鋁(折射率1.7)之間的值時，從LiTaO3上方照射的光變得容易通過(光透過性變佳)接合層及支持基板A。因此，使用折射率1.9的環氧樹脂(EPOXY)系列接合劑。具有另外準備的230μm厚度之42Y-X LiTaO3壓電基板(切割角為旋轉Y片的42°Y片X傳送LiTaO3壓電基板)與支持基板A接合，並以約150℃的溫度低溫燒成。壓電基板的表面以研磨粗研磨，且壓電基板的厚度薄化至25μm。又，同樣使用矽溶膠(Colloidal Silica)與硬質聚氨酯墊精密拋光同表面，鏡面化表面。此時的壓電基板厚度為20μm。最後，投入250℃的爐子，使接合劑完全硬化，成為複合基板。
在此複合基板的壓電基板上，通過微影成像，形成鋁構成的梳形IDT電極，作成SAW共振器。使用波長193nm的ArF的曝光機，以剝落法形成IDT電極。剝落法，最初，在壓電基板的表面上塗佈負光阻劑，通過光罩照射光至負光阻劑。其次浸泡顯像液，除去不需要的負光阻劑。因此，負光阻劑中照光的部分留在壓電基板上。其次，全面蒸鍍電極材料的Al(鋁)，除去負光阻劑，藉此得到所希望的圖案的IDT電極。IDT電極的周期間隔假設為4.5μm。得到的SAW共振器以網路分析儀測量，結果在室溫下920MHz附近得到共振頻率。又，設置此SAW共振器於恒溫槽內，使溫度以-20~90℃變化，測量當時的共振頻率。根據這些測量資料，算出TCF(頻率溫度係數)，結果為-25ppm/℃，相較於LT單板的SAW共振器，得到約15ppm/℃的溫度特性的改善。藉由使用短波長，提高圖 案化精度，也可以降低因電極周期間隔的不穩定而產生的共振器頻率不穩定。
[比較例1(複合基板)]
支持基板，使用Si基板取代透光性氧化鋁基板之外，依照第一實施例的製法，製作複合基板，在壓電基板上製作SAW共振器。微影成像製程曝光之際，在壓電基板與支持基板之間的接合界面UV光反射，相較於第一實施例，IDT電極的圖案化精度惡化。因此，相較於第一實施例，共振器頻率不穩定變大。
本申請書以2012年6月13日申請的美國先行專利申請第61/658988號作為優先權主張的基礎，根據引用，其全部的內容包含在本說明書內。
本發明，可以利用於彈性表面波裝置或藍姆波(Lamb Wave)元件、薄膜共振器(FBAR)等的彈性波裝置
10‧‧‧複合基板
12‧‧‧支持基板
14‧‧‧壓電基板
16‧‧‧接合層
OF‧‧‧定向平面

Claims (7)

  1. 一種複合基板，接合支持基板與壓電基板，其中，上述支持基板的材料係透光性陶瓷。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的複合基板，其中，上述支持基板的可見光區域(360~750nm(毫微米))中直線透過率及前方全光線透過率最好分別在10%以及70%以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項中所述的複合基板，其中，上述支持基板的前方全光線透過率在波長200nm時係80%以上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的複合基板，其中，上述支持基板的正反面中至少單面的算術平均粗糙度Ra為5~20nm。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的複合基板，其中，上述支持基板與上述壓電基板經由接合層接合，上述接合層的折射率係上述支持基板的折射率與上述壓電基板的折射率之間的值。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的複合基板，其中，上述支持基板具有鑄孔。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述的複合基板，其中，上述支持基板的材料係透光性氧化鋁陶瓷。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015012005A1 (ja) 2013-07-25 2015-01-29 日本碍子株式会社 複合基板及びその製法
CN105074870B (zh) * 2013-12-25 2016-12-07 日本碍子株式会社 操作基板、半导体用复合基板、半导体电路基板及其制造方法
KR101642671B1 (ko) * 2014-02-12 2016-07-25 엔지케이 인슐레이터 엘티디 반도체용 복합 기판의 핸들 기판 및 반도체용 복합 기판
TWI642086B (zh) * 2014-02-18 2018-11-21 日商日本碍子股份有限公司 Substrate substrate and method for manufacturing composite substrate for semiconductor
JP5882510B2 (ja) * 2014-06-30 2016-03-09 太陽インキ製造株式会社 感光性ドライフィルムおよびそれを用いたプリント配線板の製造方法
JP6375188B2 (ja) * 2014-09-10 2018-08-15 日本碍子株式会社 透光性焼結セラミック支持体及びその製造方法
JP2016100729A (ja) * 2014-11-20 2016-05-30 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスの製造方法
JP6487940B2 (ja) * 2014-11-27 2019-03-20 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体パッケージ及びその製造方法
TWD174921S (zh) 2014-12-17 2016-04-11 日本碍子股份有限公司 複合基板之部分
USD809804S1 (en) * 2014-12-17 2018-02-13 Ngk Insulators, Ltd. Composite substrate for acoustic wave device
JP6454606B2 (ja) * 2015-06-02 2019-01-16 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6755749B2 (ja) * 2016-08-24 2020-09-16 株式会社ディスコ 内部クラック検出方法
TW201837009A (zh) * 2017-03-30 2018-10-16 日商日本碍子股份有限公司 暫時固定基板及電子元件的模塑方法
WO2020027075A1 (ja) * 2018-08-01 2020-02-06 京セラ株式会社 複合基板、圧電素子および複合基板の製造方法
CN111699563B (zh) * 2019-01-11 2024-02-13 株式会社村田制作所 压电器件、振动构造体以及压电传感器
JP7329954B2 (ja) * 2019-02-07 2023-08-21 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
JP7406305B2 (ja) * 2019-03-13 2023-12-27 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ
JP7403960B2 (ja) * 2019-03-13 2023-12-25 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ
CN113544819B (zh) * 2019-03-22 2024-01-05 日本碍子株式会社 预固定基板、复合基板以及电子元件的剥离方法
USD940131S1 (en) * 2019-07-29 2022-01-04 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
USD958094S1 (en) 2019-07-29 2022-07-19 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
USD966276S1 (en) 2019-07-29 2022-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Display module for wearable device
CN112350682B (zh) * 2020-11-12 2024-03-26 厦门市三安集成电路有限公司 一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3169146D1 (en) * 1980-11-07 1985-04-04 Hitachi Ltd Piezoelectric ceramic transducer
US5001093A (en) * 1987-05-06 1991-03-19 Coors Porcelain Company Transparent polycrystalline body with high ultraviolet transmittance
JP3323945B2 (ja) * 1991-12-03 2002-09-09 東芝セラミックス株式会社 ダミーウェーハ
JPH0738360A (ja) 1993-07-19 1995-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電複合基板の製造方法
JP2000022488A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Wti Kk 弾性表面波ムーブメント
JP3783445B2 (ja) * 1999-01-29 2006-06-07 住友化学株式会社 透光性アルミナ焼結体の製造方法およびその用途
GB2376230B (en) * 2000-12-20 2004-11-24 Murata Manufacturing Co Transparent ceramic, method of producing the same, and optical devices
US20040046248A1 (en) 2002-09-05 2004-03-11 Corning Intellisense Corporation Microsystem packaging and associated methods
JP2004101974A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Sony Corp 薄膜回路基板およびその製造方法
JP4350996B2 (ja) * 2002-11-26 2009-10-28 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
JP4326823B2 (ja) * 2003-03-20 2009-09-09 独立行政法人科学技術振興機構 透光性セラミックスの製造方法
JP4406213B2 (ja) * 2003-04-04 2010-01-27 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
JP2005191283A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Tdk Corp 電子装置および電子装置の接合検査方法
JP4657002B2 (ja) 2005-05-12 2011-03-23 信越化学工業株式会社 複合圧電基板
JP2007214902A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 弾性表面波素子
JP4969119B2 (ja) * 2006-03-20 2012-07-04 日本碍子株式会社 発光ダイオード装置
JP2009126750A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 多結晶透明セラミックス基板の製造方法およびスピネル基板の製造方法
JP5198242B2 (ja) * 2008-12-25 2013-05-15 日本碍子株式会社 複合基板、弾性波素子の製造方法及び弾性波素子
JP5549167B2 (ja) 2009-09-18 2014-07-16 住友電気工業株式会社 Ｓａｗデバイス
WO2011034136A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 住友電気工業株式会社 基板、基板の製造方法、ｓａｗデバイスおよびデバイス
JP5429200B2 (ja) * 2010-05-17 2014-02-26 株式会社村田製作所 複合圧電基板の製造方法および圧電デバイス
WO2012033125A1 (ja) * 2010-09-07 2012-03-15 住友電気工業株式会社 基板、基板の製造方法およびｓａｗデバイス
JP5695394B2 (ja) * 2010-11-17 2015-04-01 日本碍子株式会社 複合基板の製法
EP2736065B1 (en) * 2012-07-18 2017-09-06 NGK Insulators, Ltd. Composite wafer and manufacturing method therefor

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Publication number Publication date
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