JPH0738360A

JPH0738360A - 圧電複合基板の製造方法

Info

Publication number: JPH0738360A
Application number: JP17779693A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Kanahoshi; 章大金星; Yoshihiro Tomita; 佳宏冨田; Kazuo Eda; 和生江田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-07-19
Filing date: 1993-07-19
Publication date: 1995-02-07

Abstract

(57)【要約】【目的】圧電体基板の結晶性を保ったまま、接着剤を
使用せずに複合することを可能にする。【構成】２枚の圧電体１１、１２の平坦な表面を清浄
化して重ね合せ、その後接合界面に電圧を加えることに
より直接接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複合基板の製造方法に
関し、特に圧電体複合基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）ある
いはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃）などの表面弾
性波を利用したＳＡＷデバイス、例えばＳＡＷフィルタ
ーや、水晶などの体積波を利用したバルク波デバイス、
例えば水晶振動子などに代表される圧電デバイスは、移
動体通信機器の小型化の鍵を握る重要なデバイスであ
り、その高性能化、小型化に向けて、様々な研究がなさ
れている。ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムは、
その電気機械結合係数が大きいために、ＳＡＷデバイス
とした場合の損失が小さくすむという利点があるが、温
度変化に対する共振周波数の変化が大きいという欠点が
ある。これに対し、水晶は、そのカット角度を適当に選
ぶことによって温度変化に対する共振周波数の変化を非
常に小さく抑えることができるが、その電気機械結合係
数が小さいために、損失が大きい。このように各々の材
料によってその特徴に一長一短があり、理想的な特性を
持つ材料は未だ得られていない。

【０００３】また、屈曲振動子と呼ばれる圧電デバイス
には、圧電体基板の表裏でその分極方向が違うような構
造が必要である。このような構造にすることによって、
板の両側に電圧を印加すると、ある分極方向の部分が伸
びるとき、反対方向の分極の部分は縮むことになるの
で、屈曲振動が励振される。従来上記のような構造を得
るために、圧電体基板同士をその分極方向を互いに向か
い合わせにした状態で接着剤で固定したものが使われて
おり、実用化されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】異なる特徴を持つ二つ
以上の材料を適切な条件を求めて複合させれば、それぞ
れの利点を合わせ持つ理想的な材料が得られると考えら
れる。例えばニオブ酸リチウムと水晶を複合して、電気
機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度特性も良い
ような圧電複合基板が得られる。このことから、エピタ
キシャル法や配向膜を形成させる方法など、様々な方法
によって圧電体基板上に別の圧電体材料を形成させる努
力がなされてきた。しかしながらこのような方法では、
基板上に形成した材料はその結晶性が十分でないため
に、本来持つべき特徴を引出せないばかりでなく、圧電
体として動作させることができる材料は、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）などに限られると
いう問題があった。

【０００５】また、屈曲振動子においては、二つの圧電
体基板を固定している接着層によって、振動子の共振先
鋭度（Ｑ値）が低下し、さらに共振周波数がばらついて
しまうという問題があった。

【０００６】上記のように、様々な種類の、あるいは同
じ種類の圧電体基板を接合できれば、その応用範囲は非
常に大きい。しかしながら、これまで得られている複合
基板は、一方の基板の結晶性が不十分であったり、ある
いは固定のために接着剤を用いているために、どれも十
分な特性が得られていなかった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記のような問題を解決
するために本発明の圧電複合基板の製造方法は、少なく
とも２枚の圧電体の平坦な表面を清浄化し、あるいは少
なくとも２枚の圧電体の少なくとも一方の平坦な表面
に、珪素もしくは珪素化合物膜を形成し、それぞれの表
面を清浄化した後に、重ね合せて接触させ、接触界面に
電圧を加えることにより直接接合したことを特徴とする
ものであり、または少なくとも２枚の圧電体の平坦な表
面を清浄化し、あるいは少なくとも２枚の圧電体の少な
くとも一方の平坦な表面に、珪素もしくは珪素化合物膜
を形成し、それぞれの表面を清浄化した後、表面を親水
化して重ね合せて接合し、その後接合界面に電圧を加え
ることにより直接接合を強化したことを特徴とするもの
である。

【０００８】

【作用】上記のような方法によって、複合する圧電体基
板は、その種類を様々に選ぶことができ、さらに複合さ
れた前記圧電体基板のどちらも結晶性が良いために、各
々の良好な電気的、機械的な特性を保ったまま、それぞ
れの基板の長所を合わせ持ったような複合基板、例えば
ニオブ酸リチウムと水晶を複合して、電気機械結合係数
が大きく、さらに周波数温度特性も良いような圧電デバ
イス基板が得られる。また、接合に接着剤を用いていな
いので、同じ基板でもその結晶軸の方向を変えたり、結
晶内にイオン注入してその電気的、光学的性質を変えた
ような基板同士を複合したような基板、例えば二枚のニ
オブ酸リチウム基板の分極方向を互いに向かい合わせに
接合して、振動子の共振先鋭度（Ｑ値）が低下せず、さ
らに共振周波数がばらつかないような非常に特性の良い
屈曲振動子用圧電基板が得られる。

【０００９】

【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例に
ついて、図面を用いて詳しく説明する。図１は、本実施
例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。図
１において、１１、１２は圧電体基板である。本実施例
においては、圧電体基板１１、１２は、大きさ２イン
チ、厚さ３５０μｍのニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ₃）基板である。各々の基板の接合する面は、平坦に
鏡面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油
膜、あるいは微細な付着物などを可能な限り除去した。
その後、圧電体基板１１、１２を重ね合せてその接合面
同士を接触させ、電圧印加のための治具に固定して真空
槽の中に入れた。次に真空槽を真空引きし、接触させた
界面に直流電圧を印加して、圧電体基板１１、１２を直
接接合した圧電複合基板を得た。

【００１０】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図２は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図２において、２１、２２は圧電体基板である。本実施
例においては、圧電体基板２１、２２は、大きさ２イン
チ、厚さ３５０μｍのタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ
₃）基板である。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡
面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、
あるいは微細な付着物などを可能な限り除去した。その
後、圧電体基板２１、２２を重ね合せてその接合面同士
を接触させ、電圧印加のための治具に固定して真空槽の
中に入れた。次に真空槽を真空引きし、接触させた界面
に直流電圧を印加して、圧電体基板２１、２２を直接接
合した圧電複合基板を得た。

【００１１】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図３は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図３において、３１、３２は圧電体基板である。本実施
例においては、圧電体基板３１、３２は、大きさ２イン
チ、厚さ３５０μｍの水晶基板である。各々の基板の接
合する面は、平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して有
機物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可能
な限り除去した。その後、圧電体基板３１、３２を重ね
合せてその接合面同士を接触させ、電圧印加のための治
具に固定して真空槽の中に入れた。次に真空槽を真空引
きし、接触させた界面に直流電圧を印加して、圧電体基
板３１、３２を直接接合した圧電複合基板を得た。

【００１２】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図４は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図４において、４１、４２は圧電体基板である。本実施
例においては、圧電体基板４１、４２は、大きさ２イン
チ、厚さ３５０μｍのほう酸リチウム（ＬｉＢＯ₃）基
板である。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡面研磨
し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、あるい
は微細な付着物などを可能な限り除去した。その後、圧
電体基板４１、４２を重ね合せてその接合面同士を接触
させ、電圧印加のための治具に固定して真空槽の中に入
れた。次に真空槽を真空引きし、接触させた界面に直流
電圧を印加して、圧電体基板４１、４２を直接接合した
圧電複合基板を得た。

【００１３】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図５は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図５において、５１、５２は圧電体基板である。本実施
例においては、圧電体基板５１は、大きさ２インチ、厚
さ３５０μｍのニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）基板
であり、圧電体基板５２は、大きさ２インチ、厚さ３５
０μｍのタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃）基板であ
る。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡面研磨し、ま
た十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、あるいは微細
な付着物などを可能な限り除去した。その後、圧電体基
板５１、５２を重ね合せてその接合面同士を接触させ、
電圧印加のための治具に固定して真空槽の中に入れた。
次に真空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を
印加して、圧電体基板５１、５２を直接接合した圧電複
合基板を得た。

【００１４】（実施例６）以下、本発明の第６の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図６は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図６において、６１、６２は圧電体基板、６３は圧電体
基板６２上に形成した珪素膜である。本実施例において
は、圧電体基板６１は、大きさ２インチ、厚さ３５０μ
ｍのニオブ酸リチウム基板であり、珪素膜６３は圧電体
基板６２の接合しようとする表面を平坦に鏡面研磨した
上に珪素をＣＶＤ法によって形成した厚さ１μｍの非晶
質珪素膜である。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡
面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、
あるいは微細な付着物などを可能な限り除去した。その
後、圧電体基板６１と珪素膜６３を形成した圧電体基板
６２とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、電圧印
加のための治具に固定して真空槽の中に入れた。次に真
空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を印加し
て、圧電体基板６１、６２を珪素膜６３を介して直接接
合した圧電複合基板を得た。

【００１５】珪素膜６３を形成しない場合には接合界面
に存在する洗浄によって除去しきれなかった１μｍ以下
の微細な付着物によって接合界面に微細な未接合部が存
在することがあったが、接合界面に珪素膜６３を形成す
ることにより、微細な付着物が存在しても珪素膜６３内
に取り込まれることによって接合界面は完全に接合し、
微細な未接合部の発生を抑えられるという新たな効果が
あった。

【００１６】（実施例７）以下、本発明の第７の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図７は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図７において、７１、７２は圧電体基板、７３は圧電体
基板７２上に形成した珪素膜である。本実施例において
は、圧電体基板７１は、大きさ２インチ、厚さ３５０μ
ｍのニオブ酸リチウム基板であり、珪素膜７３は圧電体
基板７２の接合しようとする表面を平坦に鏡面研磨した
上に珪素をＣＶＤ法によって形成した厚さ１μｍの多結
晶珪素膜である。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡
面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、
あるいは微細な付着物などを可能な限り除去した。その
後、圧電体基板７１と珪素膜７３を形成した圧電体基板
７２とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、電圧印
加のための治具に固定して真空槽の中に入れた。次に真
空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を印加し
て、圧電体基板７１、７２を珪素膜７３を介して直接接
合した圧電複合基板を得た。

【００１７】珪素膜７３を形成しない場合には接合界面
に存在する洗浄によって除去しきれなかった１μｍ以下
の微細な付着物によって接合界面に微細な未接合部が存
在することがあったが、接合界面に珪素膜７３を形成す
ることにより、微細な付着物が存在しても珪素膜７３内
に取り込まれることによって接合界面は完全に接合し、
微細な未接合部の発生を抑えられるという新たな効果が
あった。

【００１８】（実施例８）以下、本発明の第８の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図８は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図８において、８１、８２は圧電体基板、８３は前記圧
電体基板８２上に形成した珪素化合物膜である。本実施
例においては、圧電体基板８１は、大きさ２インチ、厚
さ３５０μｍのニオブ酸リチウム基板であり、珪素化合
物膜８３は圧電体基板８２の接合しようとする表面を平
坦に鏡面研磨した上に酸化珪素をスパッタによって形成
した厚さ１μｍの酸化珪素膜である。各々の基板の接合
する面は、平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して有機
物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可能な
限り除去した。その後、圧電体基板８１と珪素化合物膜
８３を形成した前記圧電体基板８２とを重ね合せてその
接合面同士を接触させ、電圧印加のための治具に固定し
て真空槽の中に入れた。次に真空槽を真空引きし、接触
させた界面に直流電圧を印加して、圧電体基板８１、８
２を珪素化合物膜８３を介して直接接合した圧電複合基
板を得た。

【００１９】珪素化合物膜８３を形成しない場合には接
合界面に存在する洗浄によって除去しきれなかった１μ
ｍ以下の微細な付着物によって接合界面に微細な未接合
部が存在することがあったが、接合界面に珪素化合物膜
８３を形成することにより、微細な付着物が存在しても
珪素化合物膜８３内に取り込まれることによって接合界
面は完全に接合し、微細な未接合部の発生を抑えられる
という新たな効果があった。

【００２０】（実施例９）以下、本発明の第９の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図９は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図９において、９１、９２は圧電体基板、９３は圧電体
基板９２上に形成した珪素化合物膜である。本実施例に
おいては、圧電体基板９１は、大きさ２インチ、厚さ３
５０μｍのニオブ酸リチウム基板であり、珪素化合物膜
９３は圧電体基板９２の接合しようとする表面を平坦に
鏡面研磨した上に窒化珪素をスパッタすることによって
形成した厚さ１μｍの窒化珪素膜である。各々の基板の
接合する面は、平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して
有機物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可
能な限り除去した。その後、圧電体基板９１と珪素化合
物膜９３を形成した圧電体基板９２とを重ね合せてその
接合面同士を接触させ、電圧印加のための治具に固定し
て真空槽の中に入れた。次に真空槽を真空引きし、接触
させた界面に直流電圧を印加して、圧電体基板９１、９
２を珪素化合物膜９３を介して直接接合した圧電複合基
板を得た。

【００２１】前記珪素化合物膜９３を形成しない場合に
は接合界面に存在する洗浄によって除去しきれなかった
１μｍ以下の微細な付着物によって接合界面に微細な未
接合部が存在することがあったが、接合界面に珪素化合
物膜９３を形成することにより、微細な付着物が存在し
ても珪素化合物膜９３内に取り込まれることによって接
合界面は完全に接合し、微細な未接合部の発生を抑えら
れるという新たな効果があった。

【００２２】（実施例１０）以下、本発明の第１０の実
施例について、図面を用いて詳しく説明する。図１０
は、本実施例における圧電複合基板の製造方法の模式図
である。図１０において、１０１、１０２は圧電体基
板、１０３は圧電体基板１０２上に形成したガラス膜で
ある。本実施例においては、圧電体基板１０１は、大き
さ２インチ、厚さ３５０μｍのニオブ酸リチウム基板で
あり、ガラス膜１０３は圧電体基板１０２の接合しよう
とする表面を平坦に鏡面研磨した上に珪酸ガラスをスパ
ッタすることによって形成した厚さ１μｍの珪酸ガラス
膜である。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡面研磨
し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、あるい
は微細な付着物などを可能な限り除去した。その後、圧
電体基板１０１とガラス膜１０３を形成した圧電体基板
１０２とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、電圧
印加のための治具に固定して真空槽の中に入れた。次に
真空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を印加
して、圧電体基板１０１、１０２をガラス膜１０３を介
して直接接合した圧電複合基板を得た。

【００２３】ガラス膜１０３を形成しない場合には接合
界面に存在する洗浄によって除去しきれなかった１μｍ
以下の微細な付着物によって接合界面に微細な未接合部
が存在することがあったが、接合界面にガラス膜１０３
を形成することにより、微細な付着物が存在してもガラ
ス膜１０３内に取り込まれることによって接合界面は完
全に接合し、微細な未接合部の発生を抑えられるという
新たな効果があった。

【００２４】（実施例１１）以下、本発明の第１１の実
施例について、図面を用いて詳しく説明する。図１１
は、本実施例における圧電複合基板の製造方法の模式図
である。図１１において、１１１、１１２は圧電体基板
である。本実施例においては、圧電体基板１１１、１１
２は、大きさ２インチ、厚さ３５０μｍのニオブ酸リチ
ウム基板である。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡
面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、
あるいは微細な付着物などを可能な限り除去した。この
時、最終処理として基板表面を親水化するような親水化
処理液を用いて、圧電体基板１１１、１１２の表面を親
水化した。本実施例においては、親水化処理液として、
過酸化水素水とアンモニア水と水の混合液を６０℃程度
まで加熱したものを用いた。その後、十分に洗浄して、
圧電体基板１１１、１１２を重ね合せてその接合面同士
を接触させ、圧電体基板１１１および１１２の表面に形
成された親水基同士の水素結合によって直接接合した。
このままでもかなりの強度があるが、接合を強化するた
めに、電圧印加のための治具に固定して真空槽の中に入
れ、次に真空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電
圧を印加した。この様にして、圧電体基板１１１および
１１２とを直接接合した圧電複合基板を得た。

【００２５】（実施例１２）以下、本発明の第１２の実
施例について、図面を用いて詳しく説明する。図１２
は、本実施例における圧電複合基板の製造方法の模式図
である。図１２において、１２１、１２２は圧電体基
板、１２３は圧電体基板１２２上に形成した珪素膜であ
る。本実施例においては、圧電体基板１２１、１２２
は、大きさ２インチ、厚さ３５０μｍのニオブ酸リチウ
ム基板であり、珪素膜１２３は圧電体基板１２２の接合
しようとする表面を平坦に鏡面研磨した上に酸化珪素を
ＣＶＤ法によって形成した厚さ１μｍの非晶質珪素膜で
ある。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡面研磨し、
また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、あるいは微
細な付着物などを可能な限り除去した。この時、最終処
理として基板表面を親水化するような親水化処理液を用
いて、圧電体基板１２１および珪素膜１２３を形成した
１２２の表面を親水化した。本実施例においては、親水
化処理液として、過酸化水素水とアンモニア水と水の混
合液を６０℃程度まで加熱したものを用いた。その後、
十分に洗浄して、圧電体基板１２１と珪素膜１２３を形
成した圧電体基板１２２とを重ね合せてその接合面同士
を接触させ、圧電体基板１２１および珪素膜１２３の表
面に形成された親水基同士の水素結合によって直接接合
した。このままでもかなりの強度があるが、接合を強化
するために、電圧印加のための治具に固定して真空槽の
中に入れ、次に真空槽を真空引きし、接触させた界面に
直流電圧を印加した。この様にして、圧電体基板１２１
および１２２とを珪素膜１２３を介して直接接合した圧
電複合基板を得た。

【００２６】珪素膜１２３を形成しない場合には接合界
面に存在する洗浄によって除去しきれなかった１μｍ以
下の微細な付着物によって接合界面に微細な未接合部が
存在することがあったが、接合界面に珪素膜１２３を形
成することにより、微細な付着物が存在しても珪素膜１
２３内に取り込まれることによって接合界面は完全に接
合し、微細な未接合部の発生を抑えられるという新たな
効果があった。

【００２７】（実施例１３）以下、本発明の第１３の実
施例について、図面を用いて詳しく説明する。図１３
は、本実施例における圧電複合基板の製造方法の模式図
である。図１３において、１３１、１３２は圧電体基板
である。本実施例においては、圧電体基板１３１、１３
２は、大きさ２インチ、厚さ３５０μｍのニオブ酸リチ
ウム基板である。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡
面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、
あるいは微細な付着物などを可能な限り除去した。その
後、圧電体基板１３１、１３２を重ね合せてその接合面
同士を接触させ、電圧印加と加熱のための治具に固定し
て真空槽の中に入れた。次に真空槽を真空引きし、５０
０℃まで加熱してから接触させた界面に直流電圧を印加
して、圧電体基板１３１、１３２を直接接合した圧電複
合基板を得た。

【００２８】このように、電圧を印加する前に接合しよ
うとする基板を加熱することによって、基板全面が接合
するのに要する時間を短縮することができ、接合強度も
向上するという新たな効果があった。

【００２９】

【発明の効果】上記のような方法とすることによって、
複合する圧電体基板は、その種類を様々に選ぶことがで
き、さらに複合された圧電体基板のどちらも結晶性が良
いために、各々の良好な電気的、機械的な特性を保った
まま、それぞれの基板の長所を合わせ持ったような複合
基板が得られる。また、接合に接着剤を用いていないの
で、同じ基板でもその結晶軸の方向を変えたり、結晶内
にイオン注入してその電気的、光学的性質を変えたよう
な基板同士を複合したような基板が得られる。

【００３０】また、本発明の効果は、結晶性を保ったま
ま様々な圧電体基板を接着剤を使用せずに複合できるこ
とに特徴があるのであって、その応用を上記のような構
成に限定するものではない。

【００３１】なお、本発明の実施例においては、用いた
圧電体基板としてニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リ
チウム、水晶、ほう酸リチウムを選んでいるが、圧電体
の基板であれば、同じ種類であっても、または異なる種
類の組み合わせであっても、その目的に合わせて任意に
選べることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図２】本発明の第２の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図３】本発明の第３の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図４】本発明の第４の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図５】本発明の第５の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図６】本発明の第６の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図７】本発明の第７の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図８】本発明の第８の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図９】本発明の第９の実施例の圧電複合基板の製造方
法の模式図

【図１０】本発明の第１０の実施例の圧電複合基板の製
造方法の模式図

【図１１】本発明の第１１の実施例の圧電複合基板の製
造方法の模式図

【図１２】本発明の第１２の実施例の圧電複合基板の製
造方法の模式図

【図１３】本発明の第１３の実施例の圧電複合基板の製
造方法の模式図

【符号の説明】

１１圧電体基板１２圧電体基板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０３Ｈ 9/17 Ｇ 7719−5Ｊ 9/19 Ａ 7719−5Ｊ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも２枚の圧電体の平坦な表面を清
浄化した後、重ね合せて接触させ、接触界面に電圧を加
えることにより、直接接合したことを特徴とする圧電複
合基板の製造方法。
【請求項２】圧電体がニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウム、水晶、ほう酸リチウムのいずれかであることを
特徴とする請求項１記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項３】少なくとも２枚の圧電体の少なくとも一方
の平坦な表面に、珪素もしくは珪素化合物膜を形成し、
それぞれの表面を清浄化した後に、重ね合せて接触さ
せ、接触界面に電圧を加えることにより直接接合したこ
とを特徴とする圧電複合基板の製造方法。
【請求項４】圧電体がニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウム、水晶、ほう酸リチウムのいずれかであることを
特徴とする請求項３記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項５】珪素が非晶質もしくは多結晶であることを
特徴とする請求項３記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項６】珪素化合物が酸化珪素あるいは窒化珪素で
あることを特徴とする請求項３記載の圧電複合基板の製
造方法。
【請求項７】珪素化合物がガラスであることを特徴とす
る請求項３記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項８】少なくとも２枚の圧電体の平坦な表面を清
浄化した後、表面を親水化処理して重ね合せて接合さ
せ、その後接合界面に電圧を加えることにより直接接合
を強化したことを特徴とする圧電複合基板の製造方法。
【請求項９】圧電体がニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウム、水晶、ほう酸リチウムのいずれかであることを
特徴とする請求項８記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項１０】少なくとも２枚の圧電体の少なくとも一
方の平坦な表面に、珪素もしくは珪素化合物膜を形成
し、それぞれの表面を清浄化した後、表面を親水化して
重ね合せて接合し、その後接合界面に電圧を加えること
により直接接合を強化したことを特徴とする圧電複合基
板の製造方法。
【請求項１１】圧電体がニオブ酸リチウム、タンタル酸
リチウム、水晶、ほう酸リチウムのいずれかであること
を特徴とする請求項１０記載の圧電複合基板の製造方
法。
【請求項１２】珪素が非晶質もしくは多結晶であること
を特徴とする請求項１０記載の圧電複合基板の製造方
法。
【請求項１３】珪素化合物が酸化珪素あるいは窒化珪素
であることを特徴とする請求項１０記載の圧電複合基板
の製造方法。
【請求項１４】珪素化合物がガラスであることを特徴と
する請求項１０記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項１５】電圧印加時に接合部を加熱したことを特
徴とする請求項１、３、８、１０のいずれかに記載の圧
電複合基板の製造方法。