JPH0738361A

JPH0738361A - 圧電複合基板の製造方法

Info

Publication number: JPH0738361A
Application number: JP17779793A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Kanahoshi; 章大金星; Yoshihiro Tomita; 佳宏冨田; Kazuo Eda; 和生江田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-07-19
Filing date: 1993-07-19
Publication date: 1995-02-07

Abstract

(57)【要約】【目的】圧電デバイスと半導体回路の集積化を可能に
し、前記圧電デバイスを利用した電子回路の小型化を容
易にする。【構成】圧電体と半導体の平坦な表面を清浄化し、あ
るいは圧電体と半導体の少なくとも一方の平坦な表面
に、珪素もしくは珪素化合物膜を形成し、それぞれの表
面を清浄化した後に、重ね合せて接触させ、接触界面に
電圧を加えることにより直接接合し、または圧電体と半
導体の平坦な表面を清浄化し、あるいは圧電体と半導体
の少なくとも一方の平坦な表面に、珪素もしくは珪素化
合物膜を形成し、それぞれの表面を清浄化した後、表面
を親水化して重ね合せて接合し、その後接合界面に電圧
を加えることにより直接接合を強化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複合基板の製造方法に
関し、特に圧電体基板と半導体基板とからなる複合基板
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）ある
いはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃）などの表面弾
性波を利用したＳＡＷデバイス、例えばＳＡＷフィルタ
ーや、水晶などの体積波を利用したバルク波デバイス、
例えば水晶振動子などに代表される圧電デバイスは、移
動体通信機器の小型化の鍵を握る重要なデバイスであ
り、その高性能化、小型化に向けて、様々な研究がなさ
れている。これら圧電デバイスは、従来個々に加工、組
み立てがなされ、その共振周波数を安定化させるために
適当な容器によって気密封止される。この結果、フィル
ターや共振子の素子部を小型化しても、それを容器によ
って封止すると全体の大きさが非常に大きくなってしま
う。

【０００３】また、前記圧電デバイスを利用した電子回
路、例えば電圧制御発振器（ＶＣＯ）や高周波受送信回
路などは、前記圧電デバイスを駆動し、あるいは前記圧
電デバイスによって制御される発振回路や同調、増幅回
路などと、前記圧電デバイスを封止した容器とによって
構成される。このため、全体の大きさを小型化すること
が非常に困難となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで前記圧電デバイ
スを形成する圧電体基板と、前記電子回路を形成する半
導体基板とを複合化することができれば、前記圧電デバ
イスを封止する容器を省き、前記電子回路と共に封止す
ることによって、前記圧電体デバイスと前記電子回路を
集積化した非常に小型化されたハイブリッド圧電デバイ
スの作成が可能となる。半導体基板上に圧電体を形成
し、圧電デバイスとその周辺回路とを集積化するには、
半導体基板上に圧電体材料をエピタキシャル成長させた
り、あるいは圧電体材料の配向膜を形成させる方法など
がある。しかしながら、この方法では、半導体基板上に
形成し、動作させることのできる圧電体材料は窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）等に限られ、
さらに圧電体の結晶性を十分に引出せないために、前記
圧電体を共振子などの圧電デバイスとした場合に、その
共振特性や温度特性などが大きく劣化してしまうという
問題があった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記のような問題を解決
するために本発明の圧電複合基板の製造方法は、圧電体
と半導体の平坦な表面を清浄化し、あるいは圧電体と半
導体の少なくとも一方の平坦な表面に、珪素もしくは珪
素化合物膜を形成し、それぞれの表面を清浄化した後
に、重ね合せて接触させ、接触界面に電圧を加えること
により直接接合したことを特徴とするものであり、また
は圧電体と半導体の平坦な表面を清浄化し、あるいは圧
電体と半導体の少なくとも一方の平坦な表面に、珪素も
しくは珪素化合物膜を形成し、それぞれの表面を清浄化
した後、表面を親水化して重ね合せて接合し、その後接
合界面に電圧を加えることにより直接接合を強化したこ
とを特徴とするものである。

【０００６】

【作用】上記のような方法によって、圧電体と半導体を
各々直接的に接合することができ、圧電体ならびに半導
体は各々その結晶性を損なうことがない。この結果、半
導体基板上に形成できる圧電体をフィルターや共振子な
どの圧電デバイスとした場合の共振特性や温度特性など
の性能も劣化しない。

【０００７】

【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例に
ついて、図面を用いて詳しく説明する。図１は、本実施
例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。図
１において、１１は圧電体基板、１２は半導体基板であ
る。本実施例においては、圧電体基板１１は、大きさ２
インチ、厚さ２５０μｍのニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ₃）基板であり、半導体基板１２は、大きさ２イン
チ、厚さ３５０μｍのシリコン基板である。各々の基板
の接合する面は、平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄し
て有機物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付着物などを
可能な限り除去した。その後、圧電体基板１１と半導体
基板１２とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、電
圧印加のための治具に固定して真空槽の中に入れた。次
に真空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を印
加して、圧電体基板１１と半導体基板１２とを直接接合
した圧電複合基板を得た。

【０００８】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図２は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図２において、２１は圧電体基板、２２は半導体基板、
２３は半導体基板２２上に形成した珪素膜である。本実
施例においては、圧電体基板２１は、大きさ２インチ、
厚さ２５０μｍのニオブ酸リチウム基板であり、半導体
基板２２は、大きさ２インチ、厚さ３５０μｍのシリコ
ン基板であり、珪素膜２３は半導体基板２２の接合しよ
うとする表面を平坦に鏡面研磨した上に形成した厚さ１
μｍの非晶質珪素膜である。各々の基板の接合する面
は、平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な
汚れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可能な限り除
去した。その後、圧電体基板２１と珪素膜２３を形成し
た半導体基板２２とを重ね合せてその接合面同士を接触
させ、電圧印加のための治具に固定して真空槽の中に入
れた。次に真空槽を真空引きし、接触させた界面に直流
電圧を印加して、圧電体基板２１と半導体基板２２とを
珪素膜２３を介して直接接合した圧電複合基板を得た。

【０００９】珪素膜２３を形成しない場合には接合界面
に存在する洗浄によって除去しきれなかった１μｍ以下
の微細な付着物によって接合界面に微細な未接合部が存
在することがあったが、接合界面に珪素膜２３を形成す
ることにより、微細な付着物が存在しても珪素膜２３内
に取り込まれることによって接合界面は完全に接合し、
微細な未接合部の発生を抑えられるという新たな効果が
あった。

【００１０】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図３は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図３において、３１は圧電体基板、３２は半導体基板で
ある。本実施例においては、圧電体基板３１は、大きさ
４インチ、厚さ３５０μｍのニオブ酸リチウム基板であ
り、半導体基板３２は、大きさ４インチ、厚さ４００μ
ｍのシリコン基板である。各々の基板の接合する面は、
平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚
れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可能な限り除去
した。この時、最終処理として基板表面を親水化するよ
うな親水化処理液を用いて、圧電体基板３１と半導体基
板３２との表面を親水化した。本実施例においては、親
水化処理液として、過酸化水素水とアンモニア水と水の
混合液を６０℃程度まで加熱したものを用いた。その
後、十分に洗浄して、圧電体基板３１と半導体基板３２
とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、圧電体基板
３１と半導体基板３２との表面に形成された親水基同士
の水素結合によって直接接合した。このままでもかなり
の強度があるが、接合を強化するために、電圧印加のた
めの治具に固定して真空槽の中に入れ、次に真空槽を真
空引きし、接触させた界面に直流電圧を印加した。この
様にして、圧電体基板３１と半導体基板３２とを直接接
合した圧電複合基板を得た。

【００１１】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図４は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図４において、４１は圧電体基板、４２は半導体基板、
４３は半導体基板４２上に形成した珪素膜である。本実
施例においては、圧電体基板４１は、大きさ４インチ、
厚さ３５０μｍのニオブ酸リチウム基板であり、半導体
基板４２は、大きさ４インチ、厚さ４００μｍのシリコ
ン基板であり、珪素膜４３は半導体基板４２の接合しよ
うとする表面を平坦に鏡面研磨した上に形成した厚さ１
μｍの非晶質珪素膜である。各々の基板の接合する面
は、平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な
汚れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可能な限り除
去した。この時、最終処理として基板表面を親水化する
ような親水化処理液を用いて、圧電体基板４１と半導体
基板４２との表面を親水化した。本実施例においては、
親水化処理液として、過酸化水素水とアンモニア水と水
の混合液を６０℃程度まで加熱したものを用いた。その
後、十分に洗浄して、圧電体基板４１と珪素膜４３を形
成した半導体基板４２とを重ね合せてその接合面同士を
接触させ、圧電体基板４１と半導体基板４２との表面に
形成された親水基同士の水素結合によって直接接合し
た。このままでもかなりの強度があるが、接合を強化す
るために、電圧印加のための治具に固定して真空槽の中
に入れ、次に真空槽を真空引きし、接触させた界面に直
流電圧を印加した。この様にして、圧電体基板４１と半
導体基板４２とを珪素膜４３を介して直接接合した圧電
複合基板を得た。

【００１２】珪素膜４３を形成しない場合には接合界面
に存在する洗浄によって除去しきれなかった１μｍ以下
の微細な付着物によって接合界面に微細な未接合部が存
在することがあったが、接合界面に珪素膜４３を形成す
ることにより、微細な付着物が存在しても珪素膜４３内
に取り込まれることによって接合界面は完全に接合し、
微細な未接合部の発生を抑えられるという新たな効果が
あった。

【００１３】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図５は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図５において、５１は圧電体基板、５２は半導体基板で
ある。本実施例においては、圧電体基板５１は、大きさ
２インチ、厚さ２５０μｍのニオブ酸リチウム基板であ
り、半導体基板５２は、大きさ２インチ、厚さ３５０μ
ｍのシリコン基板である。各々の基板の接合する面は、
平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚
れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可能な限り除去
した。その後、圧電体基板５１と半導体基板５２とを重
ね合せてその接合面同士を接触させ、電圧印加および加
熱のための治具に固定して真空槽の中に入れた。次に真
空槽を真空引きし、圧電体基板５１と半導体基板５２と
を３５０℃に加熱し、加熱開始後充分時間が経ってか
ら、接触させた界面に直流電圧を印加して、圧電体基板
５１と半導体基板５２とを直接接合した圧電複合基板を
得た。

【００１４】このように、電圧印加時に被接合物を加熱
することによって、電圧を印加してから接合が完了する
までの時間を短縮することができるという新たな効果が
得られた。

【００１５】（実施例６）以下、本発明の第６の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図６は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図６において、６１は圧電体基板、６２は半導体基板で
ある。本実施例においては、圧電体基板６１は、大きさ
２インチ、厚さ２５０μｍのタンタル酸リチウム（Ｌｉ
ＴａＯ₃）基板であり、半導体基板６２は、大きさ２イ
ンチ、厚さ３５０μｍのシリコン基板である。各々の基
板の接合する面は、平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄
して有機物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付着物など
を可能な限り除去した。その後、圧電体基板６１と半導
体基板６２とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、
電圧印加のための治具に固定して真空槽の中に入れた。
次に真空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を
印加して、圧電体基板６１と半導体基板６２とを直接接
合した圧電複合基板を得た。

【００１６】（実施例７）以下、本発明の第７の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図７は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図７において、７１は圧電体基板、７２は半導体基板で
ある。本実施例においては、圧電体基板６１は、大きさ
２インチ、厚さ２５０μｍの水晶基板であり、半導体基
板７２は、大きさ２インチ、厚さ３５０μｍのシリコン
基板である。各々の基板の接合する面は、平坦に鏡面研
磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、ある
いは微細な付着物などを可能な限り除去した。その後、
圧電体基板７１と半導体基板７２とを重ね合せてその接
合面同士を接触させ、電圧印加のための治具に固定して
真空槽の中に入れた。次に真空槽を真空引きし、接触さ
せた界面に直流電圧を印加して、圧電体基板７１と半導
体基板７２とを直接接合した圧電複合基板を得た。

【００１７】（実施例８）以下、本発明の第８の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図８は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図８において、８１は圧電体基板、８２は半導体基板で
ある。本実施例においては、圧電体基板８１は、大きさ
２インチ、厚さ２５０μｍのほう酸リチウム（ＬｉＢＯ
₃）基板であり、半導体基板８２は、大きさ２インチ、
厚さ３５０μｍのシリコン基板である。各々の基板の接
合する面は、平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して有
機物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可能
な限り除去した。その後、圧電体基板８１と半導体基板
８２とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、電圧印
加のための治具に固定して真空槽の中に入れた。次に真
空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を印加し
て、圧電体基板８１と半導体基板８２とを直接接合した
圧電複合基板を得た。

【００１８】（実施例９）以下、本発明の第９の実施例
について、図面を用いて詳しく説明する。図９は、本実
施例における圧電複合基板の製造方法の模式図である。
図９において、９１は圧電体基板、９２は半導体基板で
ある。本実施例においては、圧電体基板９１は、大きさ
２インチ、厚さ２５０μｍのニオブ酸リチウム基板であ
り、半導体基板９２は、大きさ２インチ、厚さ３５０μ
ｍのＧａＡｓ基板である。各々の基板の接合する面は、
平坦に鏡面研磨し、また十分に洗浄して有機物的な汚
れ、油膜、あるいは微細な付着物などを可能な限り除去
した。その後、圧電体基板９１と半導体基板９２とを重
ね合せてその接合面同士を接触させ、電圧印加のための
治具に固定して真空槽の中に入れた。次に真空槽を真空
引きし、接触させた界面に直流電圧を印加して、圧電体
基板９１と半導体基板９２とを直接接合した圧電複合基
板を得た。

【００１９】（実施例１０）以下、本発明の第１０の実
施例について、図面を用いて詳しく説明する。図１０
は、本実施例における圧電複合基板の製造方法の模式図
である。図１０において、１０１は圧電体基板、１０２
は半導体基板、１０３は半導体基板１０２上に形成した
珪素化合物膜である。本実施例においては、圧電体基板
１０１は、大きさ２インチ、厚さ２５０μｍのニオブ酸
リチウム基板であり、半導体基板１０２は、大きさ２イ
ンチ、厚さ３５０μｍのシリコン基板であり、珪素化合
物膜１０３は半導体基板１０２の接合しようとする表面
を平坦に鏡面研磨した上に酸化珪素をターゲットとして
スパッタして形成した厚さ１μｍの酸化珪素膜である。
各々の基板の接合する面は、平坦に鏡面研磨し、また十
分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付
着物などを可能な限り除去した。その後、圧電体基板１
０１と珪素化合物膜１０３を形成した半導体基板１０２
とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、電圧印加の
ための治具に固定して真空槽の中に入れた。次に真空槽
を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を印加して、
圧電体基板１０１と半導体基板１０２とを珪素化合物膜
１０３を介して直接接合した圧電複合基板を得た。

【００２０】珪素化合物膜１０３を形成しない場合には
接合界面に存在する洗浄によって除去しきれなかった１
μｍ以下の微細な付着物によって接合界面に微細な未接
合部が存在することがあったが、接合界面に珪素化合物
膜１０３を形成することにより、微細な付着物が存在し
ても珪素化合物膜１０３内に取り込まれることによって
接合界面は完全に接合し、微細な未接合部の発生を抑え
られるという新たな効果があった。

【００２１】（実施例１１）以下、本発明の第１１の実
施例について、図面を用いて詳しく説明する。図１１
は、本実施例における圧電複合基板の製造方法の模式図
である。図１１において、１１１は圧電体基板、１１２
は半導体基板、１１３は半導体基板１１２上に形成した
珪素化合物膜である。本実施例においては、圧電体基板
１１１は、大きさ２インチ、厚さ２５０μｍのニオブ酸
リチウム基板であり、半導体基板１１２は、大きさ２イ
ンチ、厚さ３５０μｍのシリコン基板であり、珪素化合
物膜１１３は半導体基板１１２の接合しようとする表面
を平坦に鏡面研磨した上に窒化珪素をターゲットとして
スパッタして形成した厚さ１μｍの窒化珪素膜である。
各々の基板の接合する面は、平坦に鏡面研磨し、また十
分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付
着物などを可能な限り除去した。その後、圧電体基板１
１１と珪素化合物膜１１３を形成した半導体基板１１２
とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、電圧印加の
ための治具に固定して真空槽の中に入れた。次に真空槽
を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を印加して、
圧電体基板１１１と半導体基板１１２とを珪素化合物膜
１１３を介して直接接合した圧電複合基板を得た。

【００２２】珪素化合物膜１１３を形成しない場合には
接合界面に存在する洗浄によって除去しきれなかった１
μｍ以下の微細な付着物によって接合界面に微細な未接
合部が存在することがあったが、接合界面に珪素化合物
膜１１３を形成することにより、微細な付着物が存在し
ても珪素化合物膜１１３内に取り込まれることによって
接合界面は完全に接合し、微細な未接合部の発生を抑え
られるという新たな効果があった。

【００２３】（実施例１２）以下、本発明の第１２の実
施例について、図面を用いて詳しく説明する。図１２
は、本実施例における圧電複合基板の製造方法の模式図
である。図１２において、１２１は圧電体基板、１２２
は半導体基板、１２３は前記半導体基板１２２上に形成
したガラス膜である。本実施例においては、圧電体基板
１２１は、大きさ２インチ、厚さ２５０μｍのニオブ酸
リチウム基板であり、半導体基板１２２は、大きさ２イ
ンチ、厚さ３５０μｍのシリコン基板であり、ガラス膜
１２３は半導体基板１２２の接合しようとする表面を平
坦に鏡面研磨した上に珪酸ガラスをターゲットとしてス
パッタして形成した厚さ１μｍの珪酸ガラス膜である。
各々の基板の接合する面は、平坦に鏡面研磨し、また十
分に洗浄して有機物的な汚れ、油膜、あるいは微細な付
着物などを可能な限り除去した。その後、前記圧電体基
板１２１と前記ガラス膜１２３を形成した前記半導体基
板１２２とを重ね合せてその接合面同士を接触させ、電
圧印加のための治具に固定して真空槽の中に入れた。次
に真空槽を真空引きし、接触させた界面に直流電圧を印
加して、圧電体基板１２１と半導体基板１２２とをガラ
ス膜１２３を介して直接接合した圧電複合基板を得た。

【００２４】ガラス膜１２３を形成しない場合には接合
界面に存在する洗浄によって除去しきれなかった１μｍ
以下の微細な付着物によって接合界面に微細な未接合部
が存在することがあったが、接合界面に前記ガラス膜１
２３を形成することにより、微細な付着物が存在しても
ガラス膜１２３内に取り込まれることによって接合界面
は完全に接合し、微細な未接合部の発生を抑えられると
いう新たな効果があった。

【００２５】

【発明の効果】以上のような方法とすることにより、圧
電体と半導体を各々直接的に接合することができ、圧電
体ならびに半導体は各々その結晶性を損なうことがな
い。この結果、半導体基板上に形成できる圧電体をフィ
ルターや共振子などの圧電デバイスとした場合の共振特
性や温度特性などの性能も劣化しない。

【００２６】なお、本発明の実施例においては、用いた
半導体基板については、本発明の実施例においては主に
シリコン基板を選んでいるが、これに限るものではな
く、例えばタンタル酸リチウムとＧａＡｓ基板、水晶と
ＧａＡｓ基板、ほう酸リチウムとＧａＡｓ基板など、そ
の目的に合わせて任意に選んで組み合わせることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の、第１の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図２】本発明の、第２の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図３】本発明の、第３の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図４】本発明の、第４の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図５】本発明の、第５の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図６】本発明の、第６の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図７】本発明の、第７の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図８】本発明の、第８の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図９】本発明の、第９の実施例の圧電複合基板の製造
方法の模式図

【図１０】本発明の、第１０の実施例の圧電複合基板の
製造方法の模式図

【図１１】本発明の、第１１の実施例の圧電複合基板の
製造方法の模式図

【図１２】本発明の、第１２の実施例の圧電複合基板の
製造方法の模式図

【符号の説明】

１１圧電体基板１２半導体基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０３Ｈ 9/19 Ａ 7719−5Ｊ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電体と半導体の平坦な表面を清浄化した
後、重ね合せて接触させ、接触界面に電圧を加えること
により、直接接合したことを特徴とする圧電複合基板の
製造方法。
【請求項２】圧電体がニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウム、水晶、ほう酸リチウムのいずれかであることを
特徴とする請求項１記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項３】半導体がシリコンまたはＧａＡｓであるこ
とを特徴とする請求項１記載の圧電複合基板の製造方
法。
【請求項４】圧電体と半導体の少なくとも一方の平坦な
表面に、珪素もしくは珪素化合物膜を形成し、それぞれ
の表面を清浄化した後に、重ね合せて接触させ、接触界
面に電圧を加えることにより直接接合したことを特徴と
する圧電複合基板の製造方法。
【請求項５】圧電体がニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウム、水晶、ほう酸リチウムのいずれかであることを
特徴とする請求項４記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項６】半導体がシリコンまたはＧａＡｓであるこ
とを特徴とする請求項４記載の圧電複合基板の製造方
法。
【請求項７】珪素が非晶質もしくは多結晶であることを
特徴とする請求項４記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項８】珪素化合物が酸化珪素あるいは窒化珪素で
あることを特徴とする請求項４記載の圧電複合基板の製
造方法。
【請求項９】珪素化合物がガラスであることを特徴とす
る請求項４記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項１０】圧電体と半導体の平坦な表面を清浄化し
た後、表面を親水化処理して重ね合せて接合させ、その
後接合界面に電圧を加えることにより直接接合を強化し
たことを特徴とする圧電複合基板の製造方法。
【請求項１１】圧電体がニオブ酸リチウム、タンタル酸
リチウム、水晶、ほう酸リチウムのいずれかであること
を特徴とする請求項１０記載の圧電複合基板の製造方
法。
【請求項１２】半導体がシリコンまたはＧａＡｓである
ことを特徴とする請求項１０記載の圧電複合基板の製造
方法。
【請求項１３】圧電体と半導体の少なくとも一方の平坦
な表面に、珪素もしくは珪素化合物膜を形成し、それぞ
れの表面を清浄化した後、表面を親水化処理して重ね合
せて接合し、その後接合界面に電圧を加えることにより
直接接合を強化したことを特徴とする圧電複合基板の製
造方法。
【請求項１４】圧電体がニオブ酸リチウム、タンタル酸
リチウム、水晶、ほう酸リチウムのいずれかであること
を特徴とする請求項１３記載の圧電複合基板の製造方
法。
【請求項１５】半導体がシリコンまたはＧａＡｓである
ことを特徴とする請求項１３記載の圧電複合基板の製造
方法。
【請求項１６】珪素が非晶質もしくは多結晶であること
を特徴とする請求項１３記載の圧電複合基板の製造方
法。
【請求項１７】珪素化合物が酸化珪素あるいは窒化珪素
であることを特徴とする請求項１３記載の圧電複合基板
の製造方法。
【請求項１８】珪素化合物がガラスであることを特徴と
する請求項１３記載の圧電複合基板の製造方法。
【請求項１９】電圧印加時に接合部を加熱したことを特
徴とする請求項１、４、１０、１３のいずれかに記載の
圧電複合基板の製造方法。