JP6756843B2 - 複合基板の製造方法 - Google Patents
複合基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6756843B2 JP6756843B2 JP2018543966A JP2018543966A JP6756843B2 JP 6756843 B2 JP6756843 B2 JP 6756843B2 JP 2018543966 A JP2018543966 A JP 2018543966A JP 2018543966 A JP2018543966 A JP 2018543966A JP 6756843 B2 JP6756843 B2 JP 6756843B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- piezoelectric
- piezoelectric layer
- composite
- support substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 387
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 42
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical group CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 27
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 16
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 31
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 25
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013553 LiNO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/04—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
- C30B31/22—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation by ion-implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/06—Joining of crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
また、二重ルツボ法などにより作製した定比(ストイキオメトリー)組成(Li/Li+Ta=49.95〜50.0mol%)のLiTaO3基板を圧電基板として用いても、Li量は少なくとも0.1%程度減少して、49.9mol%以下となる。
さらに、本発明によれば、ストイキオメトリー組成のLiTaO3層を有し、圧電体層の膜厚が薄く、膜厚均一性に優れた複合基板を製造することができる。
タンタル酸リチウム単結晶基板やニオブ酸リチウム単結晶基板等の圧電基板と、シリコン、サファイア等の支持基板では、熱膨張係数の差が大きく、剥がれや欠陥等の抑制のためには、常温接合法を用いることが好ましいが、常温接合法は接合する系が限定されるという面もある。また、圧電体層の結晶性回復のために、熱処理が必要となる場合もある。
Li/(Li+Ta)=(53.15−0.5FWHM1)/100
圧電体基板のイオン注入される深さ位置のLi濃度は、52.5mol%以下であることが好ましく、51.0mol%以下であることがより好ましく、50.5mol%以下であることが好ましい。
また、圧電体層の厚みは、0.8μm以下であることが好ましく、0.6μm以下であることがより好ましい。圧電体層の表面粗さの最大高さRz値は、圧電体層の厚みの5%以下であることが好ましく、1%以下であることがより好ましい。
なお、最大高さRzは、JIS B 0601:2013(ISO 4287:1997)に定められたパラメータであり、これらの規格に基づいて測定することができる。
実施例1では、まず、単一分極処理を施したコングルエント組成の4インチ径タンタル酸リチウム(Li:Ta=48.3:51.7)単結晶インゴットに、スライス、ラップ、研磨を行って、厚さ250μmで片側鏡面の42°回転Yカットのタンタル酸リチウム基板を作製した。
したがって、このLT基板では、イオン注入によってLi量が最大0.4mol%減少している。
Q(f)=ω*τ(f)*|Γ|/(1−|Γ|2)
K2=(πfr/2fa)/tan(πfr/2fa)
fr:共振周波数
fa:反共振周波数
実施例2では、実施例1と同様の方法で、LT基板にイオン注入を行い、LT基板とサファイア基板を接合した。さらに、イオン注入部においてLT基板を分離し、圧電体層の表面を研磨して、LT圧電体層とサファイア支持基板からなる接合基板を得た。
実施例3では、まず、単一分極処理を施したコングルエント組成の4インチ径タンタル酸リチウム(Li:Ta=48.3:51.7)単結晶インゴットから、厚さ300μmの42°回転Yカットのタンタル酸リチウム基板を切り出した。次に、ラップ工程によって、切り出したLT基板の面粗さが算術平均粗さRa値で0.15μmとなるようにすると共に、LT基板の厚さは250μmとした。
したがって、このLT基板では、イオン注入によってLi量が最大0.2mol%減少している。
実施例4では、実施例3と同様な方法により、Li拡散処理を施したLT基板を準備した。このLT基板のLi量の深さ方向のプロファイルは、図3に示す実施例3とほぼ同様である。
したがって、このLT基板では、イオン注入によってLi量が最大0.2mol%減少している。
実施例5では、まず、単一分極処理を施したコングルエント組成の4インチ径タンタル酸リチウム(Li:Ta=48.3:51.7)単結晶インゴットから、厚さ300μmの42°回転Yカットのタンタル酸リチウム基板を切り出した。次に、ラップ工程によって、切り出したLT基板の面粗さが算術平均粗さRa値で0.15μmとなるようにすると共に、LT基板の厚さは250μmとした。
このLT基板では、イオン注入によってLi量が最大0.1mol%減少している。
実施例6では、まず、単一分極処理を施したコングルエント組成の4インチ径タンタル酸リチウム(Li:Ta=48.3:51.7)単結晶インゴットから、厚さ300μmの42°回転Yカットのタンタル酸リチウム基板を切り出した。次に、ラップ工程によって、切り出したLT基板の面粗さが算術平均粗さRa値で0.15μmとなるようにすると共に、LT基板の厚さは250μmとした。
このLT基板では、イオン注入によってLi量が最大0.1mol%減少している。
比較例3では、まず、単一分極処理を施した疑似ストイキオメトリー組成(Li:Ta=49.95:50.05)のタンタル酸リチウム単結晶基板(4インチ径、厚さ300μm、42°回転Yカット)を準備した。このLT基板は二重ルツボ法により得られた単結晶から成り、全体が疑似ストイキオメトリー組成である。このLT基板の片面に鏡面研磨を施した。
このLT基板では、イオン注入によってLi量が最大0.15mol%減少している。
Claims (10)
- 圧電体層と支持基板とを含んで構成される複合基板の製造方法であって、圧電体基板にイオン注入を行う工程と、圧電体基板と支持基板とを接合する工程と、圧電体基板と支持基板とを接合する工程の後に、圧電体基板のイオン注入部において、支持基板に接合された圧電体層と残りの圧電体基板とに分離する工程と、該分離する工程の後に、圧電体層にLiを拡散させる工程と、を含むことを特徴とする複合基板の製造方法。
- 前記圧電体基板と支持基板とを接合する工程の後に、前記圧電体基板をキュリー温度以上に昇温して、電界を印加した状態でキュリー温度以下に降温する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の複合基板の製造方法。
- 前記圧電体基板と支持基板とを接合する工程の後に、前記圧電体基板を昇温して、圧電性を回復させる工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の複合基板の製造方法。
- 前記圧電体層にLiを拡散させる工程において、前記圧電体層を疑似ストイキオメトリー組成とすることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の複合基板の製造方法。
- 前記圧電体基板は、その厚さ方向にわたってLi濃度が異なっている範囲を有することを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の複合基板の製造方法。
- 前記圧電体基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムであることを特徴とする請求項1から5の何れかに記載の複合基板の製造方法。
- 前記圧電体層と前記支持基板との間に介在層を設けることを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の複合基板の製造方法。
- 前記支持基板は、シリコン、サファイア、炭化ケイ素、スピネルから選ばれる少なくとも1種の材料を含むことを特徴とする請求項1から7の何れかに記載の複合基板の製造方法。
- 前記圧電体基板と支持基板とを接合する工程は、表面活性化常温接合法によって行うことを特徴とする請求項1から8の何れかに記載の複合基板の製造方法。
- 前記圧電体基板にイオン注入を行う工程において、イオン種は水素イオン、水素分子イオン、ヘリウムイオンから選ばれる少なくとも1種のイオンであることを特徴とする請求項1から9の何れかに記載の複合基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016198521 | 2016-10-06 | ||
JP2016198521 | 2016-10-06 | ||
PCT/JP2017/036310 WO2018066653A1 (ja) | 2016-10-06 | 2017-10-05 | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018066653A1 JPWO2018066653A1 (ja) | 2019-08-08 |
JP6756843B2 true JP6756843B2 (ja) | 2020-09-16 |
Family
ID=61831483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018543966A Active JP6756843B2 (ja) | 2016-10-06 | 2017-10-05 | 複合基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10756254B2 (ja) |
EP (1) | EP3525347B1 (ja) |
JP (1) | JP6756843B2 (ja) |
KR (2) | KR20180038369A (ja) |
WO (1) | WO2018066653A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018088093A1 (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 信越化学工業株式会社 | 複合基板、表面弾性波デバイスおよび複合基板の製造方法 |
JP2020129762A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | 信越化学工業株式会社 | 複合基板の製造方法 |
CN111477543A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-31 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种键合衬底晶圆与单晶压电晶圆的方法及复合单晶压电晶圆基板 |
JP7262421B2 (ja) * | 2020-05-08 | 2023-04-21 | 信越化学工業株式会社 | 圧電体複合基板およびその製造方法 |
CN115698391A (zh) * | 2020-06-09 | 2023-02-03 | 信越化学工业株式会社 | Iii族氮化物系外延生长用基板及其制造方法 |
CN111799365B (zh) * | 2020-06-29 | 2022-03-25 | 上海新硅聚合半导体有限公司 | 基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件 |
CN111880124B (zh) * | 2020-07-10 | 2021-11-19 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高频可调节磁场探测器的制备方法 |
CN111883648B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-05-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种压电薄膜的制备方法、压电薄膜及带通滤波器 |
EP4414482A1 (en) * | 2023-02-07 | 2024-08-14 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Composite substrates for the epitaxial growth of thin films and method for fabricating such substrates |
CN117156947B (zh) * | 2023-10-31 | 2024-02-20 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种复合压电衬底的制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2788176B1 (fr) * | 1998-12-30 | 2001-05-25 | Thomson Csf | Dispositif a ondes acoustiques guidees dans une fine couche de materiau piezo-electrique collee par une colle moleculaire sur un substrat porteur et procede de fabrication |
EP1201419B1 (de) * | 2000-09-18 | 2007-11-07 | Caterpillar Inc. | Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Vorrichtung |
CN101689841A (zh) * | 2007-12-25 | 2010-03-31 | 株式会社村田制作所 | 复合压电基板的制造方法 |
JP4821834B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2011-11-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電性複合基板の製造方法 |
JP5713025B2 (ja) | 2010-12-24 | 2015-05-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
CN104862784B (zh) * | 2014-06-09 | 2018-01-09 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法 |
JP6296507B2 (ja) | 2015-01-26 | 2018-03-20 | 信越化学工業株式会社 | リチウム化合物からなる圧電性酸化物単結晶基板の製造方法 |
US20180048283A1 (en) * | 2015-04-16 | 2018-02-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Lithium tantalate single crystal substrate, bonded substrate, manufacturing method of the bonded substrate, and surface acoustic wave device using the bonded substrate |
JP6115657B2 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-04-19 | 原 知穂 | 熱転写プリント加工品の転写方法 |
FR3051979B1 (fr) * | 2016-05-25 | 2018-05-18 | Soitec | Procede de guerison de defauts dans une couche obtenue par implantation puis detachement d'un substrat |
-
2017
- 2017-09-18 KR KR1020170119283A patent/KR20180038369A/ko unknown
- 2017-10-05 US US16/339,910 patent/US10756254B2/en active Active
- 2017-10-05 EP EP17858489.2A patent/EP3525347B1/en active Active
- 2017-10-05 JP JP2018543966A patent/JP6756843B2/ja active Active
- 2017-10-05 KR KR1020197007157A patent/KR102444516B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-05 WO PCT/JP2017/036310 patent/WO2018066653A1/ja unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190065249A (ko) | 2019-06-11 |
EP3525347B1 (en) | 2024-08-07 |
WO2018066653A1 (ja) | 2018-04-12 |
EP3525347A4 (en) | 2020-09-23 |
US10756254B2 (en) | 2020-08-25 |
US20200052189A1 (en) | 2020-02-13 |
KR102444516B1 (ko) | 2022-09-16 |
JPWO2018066653A1 (ja) | 2019-08-08 |
KR20180038369A (ko) | 2018-04-16 |
EP3525347A1 (en) | 2019-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6756843B2 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
CN110463038B (zh) | 接合体和弹性波元件 | |
US10886890B2 (en) | Composite substrate for surface acoustic wave device, method of producing composite substrate for surface acoustic wave device, and surface acoustic wave device using composite substrate | |
JP6335831B2 (ja) | 接合基板の製造方法 | |
JP4657002B2 (ja) | 複合圧電基板 | |
KR101148587B1 (ko) | 복합 압전 기판의 제조 방법 | |
US9209779B2 (en) | Heterogenous acoustic structure formed from a homogeneous material | |
JP2019077607A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶基板及びこれの接合基板とこの製造法及びこの基板を用いた弾性表面波デバイス | |
CN111066243B (zh) | 弹性波元件及其制造方法 | |
CN110574290A (zh) | 弹性波元件及其制造方法 | |
WO2018230442A1 (ja) | 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波素子デバイスおよび接合基板の製造方法 | |
US11070189B2 (en) | Joint and elastic wave element | |
JPH09208399A (ja) | 圧電基体及び弾性表面波装置 | |
JP6771635B2 (ja) | 複合ウェーハの製造方法 | |
US11411547B2 (en) | Joint and elastic wave element | |
JP7526260B2 (ja) | 接合体およびその製造方法 | |
JP2020129762A (ja) | 複合基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190307 |
|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20190514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20190524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6756843 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |