TW201351573A - 附貫通電極之玻璃基板及附貫通電極之玻璃基板之製造方法 - Google Patents

附貫通電極之玻璃基板及附貫通電極之玻璃基板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之附貫通電極之玻璃基板之特徵在於其係包括以下部分者：玻璃基板，其具有第1及第2表面，並具有自上述第1表面貫通至上述第2表面之複數個貫通孔；及金屬層，其自該玻璃基板之上述第1表面電性連接至上述第2表面；上述金屬層具有配置於上述貫通孔之側壁側之第1部分，於該第1部分與上述貫通孔之上述側壁之間配置有樹脂層。

Description

附貫通電極之玻璃基板及附貫通電極之玻璃基板之製造方法
本發明係關於一種內插器等所利用之附貫通電極之玻璃基板。
先前以來，使用附貫通電極之玻璃基板作為內插器用構件。
此種附貫通電極之玻璃基板通常係藉由如下方法進行製造：於藉由對玻璃基板照射如紫外線或雷射光之類之光線而於玻璃基板上形成複數個貫通孔(通孔)後，於玻璃基板之上下表面及貫通孔之側壁形成鍍銅層(例如專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2005-86026號公報
然而，通常會有鍍銅層與玻璃基板之密接性不太良好之問題。尤其，確認到形成於玻璃基板內之貫通孔之側壁之鍍銅層屢次容易剝離之情形。
本發明係鑒於此種問題而成者，本發明之目的在於提供一種與先前相比，不易於如鍍銅層般之金屬層中產生剝離之附貫通電極之玻璃基板。又，本發明之目的在於提供一種此種附貫通電極之玻璃基板之製造方法。
根據一個形態，提供一種附貫通電極之玻璃基板，其特徵在於：其係包括如下部分者：玻璃基板，其具有第1及第2表面，並具有自上述第1表面貫通至上述第2表面之複數個貫通孔；及金屬層，其自該玻璃基板之上述第1表面電性連接至上述第2表面；上述金屬層具有配置於上述貫通孔之側壁側之第1部分，於該第1部分與上述貫通孔之上述側壁之間配置有樹脂層。根據另一形態，提供一種附貫通電極之玻璃基板之製造方法，其特徵在於包括以下步驟：(a)準備具有第1及第2表面，並具有自上述第1表面貫通至上述第2表面之複數個貫通孔之玻璃基板之步驟；(b)於上述貫通孔之側壁形成樹脂層之步驟，且為於形成上述樹脂層後，維持上述貫通孔之貫通狀態之步驟；及(c)於設置於上述貫通孔之側壁之樹脂層上設置自上述第1表面延伸至上述第2表面之金屬層之步驟。
100‧‧‧第1附貫通電極之玻璃基板
110‧‧‧玻璃基板
112‧‧‧第1表面
114‧‧‧第2表面
120‧‧‧貫通孔
125‧‧‧側壁
130‧‧‧樹脂層
130A‧‧‧第1部分
130B‧‧‧第2部分
130C‧‧‧第3部分
150‧‧‧貫通電極
160‧‧‧金屬層
160A‧‧‧第1部分
160B‧‧‧第2部分
160C‧‧‧第3部分
190‧‧‧填充構件
200‧‧‧第1附貫通電極之玻璃基板
210‧‧‧玻璃基板
212‧‧‧第1表面
214‧‧‧第2表面
220‧‧‧貫通孔
225‧‧‧側壁
230‧‧‧樹脂層
230A‧‧‧第1部分
230B‧‧‧第2部分
230C‧‧‧第3部分
260‧‧‧金屬層
260A‧‧‧第1部分
260B‧‧‧第2部分
260C‧‧‧第3部分
280‧‧‧凹處
圖1係實施形態中之第1附貫通電極之玻璃基板之一例之概略性立體圖。
圖2係圖1中之A-A線處之概略性局部剖面圖。
圖3係實施形態中之第2附貫通電極之玻璃基板之一例之概略性剖面圖。
圖4係概略性地表示實施形態中之附貫通電極之玻璃基板之製造方法之一例的流程之圖。
圖5(a)-(e)係概略性地表示實施形態中之附貫通電極之玻璃基板之製造方法中之各步驟的圖。
以下，參考圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不限於下述實施形態，可不脫離本發明之範圍對下述實施形態進行各種變形及取代。
如上所述，於用作先前之內插器用構件之附貫通電極之玻璃基板中，玻璃基板與鍍銅層之間之密接性存在問題。
作為鍍銅層剝離之原因，可考慮以下情況。
通常，貫通孔係藉由將雷射光照射至玻璃基板，對玻璃基板進行剝蝕處理而形成。以此種方法而形成之貫通孔之表面由於在由雷射加熱引起之熱熔融後進行再冷卻，故而成為凹凸相對少之平滑狀態。設置於此種平滑表面之鍍銅層於與玻璃基板之貫通孔之側壁之間難以確保充分之密接性。即，認為藉由此種雷射加工而形成之貫通孔表面狀態成為導致鍍銅層之剝離之因素。
又，於玻璃與銅金屬中，有熱膨脹係數差異大之問題。亦認為由於該熱膨脹係數之差異，於後續步驟等中，於附貫通電極之玻璃基板上負載有熱循環時，銅之鍍敷層自玻璃基板剝離。
(本實施形態之附貫通電極之玻璃基板)
於圖1及圖2中，概略性地表示本實施形態之附貫通電極之玻璃基板(第1附貫通電極之玻璃基板)之一例。圖1係第1附貫通電極之玻璃基板之一例之概略性立體圖，圖2係圖1中之A-A線處之概略性局部剖面圖。
如圖1及圖2所示，第1附貫通電極之玻璃基板100包含具有第1表面112及第2表面114之玻璃基板110、及貫通電極150。
玻璃基板110具有自第1表面112貫通至第2表面114之複數個貫通孔120。例如，於圖1及圖2之例中，第1附貫通電極之玻璃基板100含有沿橫(x方向)及縱(Y方向)等間隔地配置之大量貫通孔120。然而，於圖1及圖2之例中，於各貫通孔120中，如下所述，填充有構成貫通 電極150之金屬層。
再者，如圖2所示，各貫通孔120具有自玻璃基板110之第1表面112朝向第2表面114直徑減小之所謂之「錐形形狀」。然而，並非必需為該形狀，各貫通孔120亦可為玻璃基板110之第1之表面112上之開口之直徑與第2表面114上之開口之直徑相等的大致圓柱狀之形狀。進而，與各貫通孔120之延伸方向(Z方向)垂直之剖面不限於大致圓形狀，剖面例如亦可為橢圓狀等。
貫通電極150係經由玻璃基板110之貫通孔120而自玻璃基板110之第1表面112延伸至第2表面114，具有將玻璃基板110之第1表面112與玻璃基板110之第2表面114之間進行電性連接之作用。貫通電極150通常包含金屬層160。
於圖1及圖2之例中，構成貫通電極150之金屬層160包含形成於玻璃基板110之貫通孔120內之第1部分160A、覆蓋玻璃基板110之第1表面112整面之第2部分160B、及覆蓋玻璃基板110之第2表面114整面之第3部分160C。金屬層160之第1部分160A係以完全填充貫通孔120之方式進行配置。
然而，圖1及圖2所示之貫通電極150之態樣僅為一例。貫通電極150只要可經由貫通孔120將玻璃基板110之第1表面112與玻璃基板110之第2表面114之間進行電性連接，則不特別限於該態樣。
例如，金屬層160亦能以形成於玻璃基板110之第1表面112之一部分(例如貫通孔120之開口周圍)、及/或形成於玻璃基板110之第2表面114之一部分(例如貫通孔120之開口周圍)、及/或於貫通孔120之側壁125不完全地填充貫通孔120之方式進行配置。尤其，金屬層160亦可僅設置於貫通孔120之內部。
此處，第1附貫通電極之玻璃基板100具有如下特徵：其於配置於貫通孔120內之金屬層160之第1部分160A與貫通孔120之側壁125之 間配置有樹脂層130。即，金屬層160之第1部分160A係經由樹脂層130而配置於貫通孔120之側壁125。
再者，於圖1及圖2之例中，樹脂層130除設置於金屬層160之第1部分160A與貫通孔120之側壁125之間之第1部分130A以外，還具有設置於玻璃基板110之第1表面112上之第2部分130B、及設置於玻璃基板110之第2表面114上之第3部分130C。然而，樹脂層130之第2部分130B及第3部分130C並非必須之部分。如上所述，認為尤其是貫通孔之側壁由於形成貫通孔時之加熱等，表面容易成為平滑狀態。因此，於本實施形態，可設為至少於貫通孔120之側壁，於金屬層160與玻璃基板110之間設置有樹脂層130之構成。再者，樹脂層130可設為被覆貫通孔120之側壁整體之構成。進而，金屬層160可設為覆蓋樹脂層130整體之構成。
如此，於第1附貫通電極之玻璃基板100中，金屬層160之第1部分160A係介隔樹脂層130之第1部分130A而配置於玻璃基板110之貫通孔120之側壁125上。
一般而言，樹脂層130表面相對粗糙，具有大量微細之凹凸。因此，介隔樹脂層130之第1部分130A而配置於玻璃基板110之貫通孔120之側壁125上之金屬層160之第1部分160A由於與樹脂層130之第1部分130A之間之定準效應(anchor effect)，與金屬層直接設置於貫通孔120之側壁125上之情形相比，可發揮更大之密接性。
又，樹脂層130之楊氏模數相對低，顯示彈性行為。即，於本實施形態中，樹脂層130可設為楊氏模數較玻璃基板100更低之構成。因此，於在附貫通電極之玻璃基板100上負載有由熱循環引起之熱應力之情形時，樹脂層130可發揮緩和由熱應力引起之變形之作用。
因此，於本實施形態中，可提供金屬層160之第1部分160A與貫通孔120之側壁125之間之密接性有意地得到改善，難以於金屬層160 產生剝離的附貫通電極之玻璃基板100。
繼而，對第1附貫通電極之玻璃基板100之各構成構件簡單地進行說明。
(玻璃基板110)
玻璃基板110之材料只要為玻璃則無特別限制。玻璃基板110例如亦可包含鈉鈣玻璃、鋁矽酸鹽玻璃等。
貫通孔120之數量及尺寸無特別限制。貫通孔120例如亦可具有5 μm以上200 μm以下之範圍之最大直徑。再者，於貫通孔120具有大致橢圓狀之剖面之情形時，貫通孔120之最大直徑成為長軸之長度(長徑)。
(樹脂層130)
構成樹脂層130之樹脂材料無特別限制。樹脂層130例如亦可包含如環氧樹脂般之熱固性樹脂。
樹脂層130之厚度無特別限制。樹脂層130之第1部分130A之厚度例如亦可為0.1 μm以上20 μm以下之範圍。
(貫通電極150)
構成貫通電極150之金屬層160之材料只要為具有導電性之金屬或合金，則無特別限制。於通常之情形時，使用銅金屬、銅合金、鋅金屬、或鋅合金等作為金屬層160之材料。
金屬層160之厚度無特別限制。金屬層160之第1部分160A之厚度例如亦可為1 μm以上30 μm以下之範圍。
(本實施形態之第2附貫通電極之玻璃基板之構成)
繼而，參考圖3，對本實施形態之附貫通電極之玻璃基板之另一構成(第2附貫通電極之玻璃基板)進行說明。
於圖3中，概略性地表示本實施形態之第2附貫通電極之玻璃基板之剖面的一例。
如圖3所示，第2附貫通電極之玻璃基板200基本而言具有與圖2所示之第1附貫通電極之玻璃基板100同樣之構成。因此，於圖3中，對與圖2之構件同樣之構件，標註有對圖2之參考符號加上100而得之參考符號。
然而，第2附貫通電極之玻璃基板200之一個表面並不大致平坦，其於該方面與第1附貫通電極之玻璃基板100不同。即，於第2附貫通電極之玻璃基板200中，金屬層260並未完全地填充玻璃基板210之貫通孔220，於第2附貫通電極之玻璃基板200之表面存在凹處280。
如下所述，例如，於藉由鍍敷法形成金屬層260之情形時，會有視貫通孔220之尺寸，貫通孔220未完全由金屬層260之第1部分260A所填充之情況。於該情形時，於後續步驟中，進行有填充附貫通電極之玻璃基板200之表面之凹處280之處理。
此種凹處280之填充處理有較佳為根據附貫通電極之玻璃基板之其後之應用態樣適當實施之情形。例如，有較佳為附貫通電極之玻璃基板之使用者其後根據配置於附貫通電極之玻璃基板之電路及/或元件之構造、以及最終製品成本等，而決定如何實施凹處280之填充處理之情形。因此，於實際之情景中，亦有第2附貫通電極之玻璃基板200之構成為有意之情形。
再者，於第2附貫通電極之玻璃基板200中，亦可獲得與第1附貫通電極之玻璃基板100同樣之效果，即金屬層260之第1部分260A與貫通孔220之側壁225之間之密接性有意地得到改善，難以產生金屬層260之剝離的效果。
又，與第1附貫通電極之玻璃基板100之情形同樣地，於第2附貫通電極之玻璃基板200中，樹脂層230之第2部分230B及第3部分230C亦並非必須，亦可省略該等。同樣地，金屬層260之第2部分260B及第3部分260C並非必須，亦可省略該等。
(本實施形態之附貫通電極之玻璃基板之製造方法)
繼而，參考圖4及圖5，對具有上述特徵之本實施形態之附貫通電極之玻璃基板之製造方法的一例進行說明。
再者，此處係特別以圖1及圖2所示之構造之附貫通電極之玻璃基板為例而對其製造方法進行說明。
於圖4中，概略性地表示本實施形態之附貫通電極之玻璃基板之製造方法之一例的流程圖。
如圖4所示，本實施形態之附貫通電極之玻璃基板之製造方法包括以下步驟：(a)準備具有第1及第2表面，並具有自上述第1表面貫通至上述第2表面之複數個貫通孔之玻璃基板之步驟(步驟S110)；(b)於上述貫通孔之側壁形成樹脂層之步驟，且為於形成上述樹脂層後維持上述貫通孔之貫通狀態之步驟(步驟S120)；及(c)於設置於上述貫通孔之側壁之樹脂層上，設置自上述第1表面延伸至上述第2表面之金屬層之步驟(步驟S130)。
以下，參考圖5對各步驟進行說明。再者，圖5係概略性地表示圖4所示之製造方法中之各過程之圖。
(步驟S110)
首先，準備具有第1表面112及第2表面114之玻璃基板110。
玻璃基板110之材料只要為玻璃則無特別限制。玻璃基板110例如亦可為鈉鈣玻璃等。
繼而，如圖5(a)所示，於所準備之玻璃基板110上形成複數個貫通孔120。貫通孔120具有側壁125。
貫通孔120之形成方法無特別限制。再者，於各貫通孔120之直徑微細之情形時，亦可藉由使用雷射之剝蝕處理形成貫通孔120。通常，以使用雷射之剝蝕處理所形成之貫通孔120於延伸方向上之剖面 成為如圖5(a)所示之「錐形形狀」。然而，該形狀未必為必需之形狀。
貫通孔120之開口部之最大直徑無特別限制。於採用使用雷射之剝蝕處理之情形時，所形成之貫通孔120之開口部之最大直徑亦可為5 μm以上200 μm以下之程度。
(步驟S120)
繼而，於步驟S110中所準備之具有貫通孔120之玻璃基板110上形成樹脂層130。
樹脂層130係以至少覆蓋貫通孔120之側壁125之方式形成。又，樹脂層130必需以最終不會完全堵塞貫通孔120之狀態進行設置。
樹脂層130之形成方法無特別限制。樹脂層130例如藉由「層壓法」而形成於貫通孔120之側壁125。
以下，對該「層壓法」進行說明。
所謂「層壓法」，係指如下方法之總稱：以覆蓋具有貫通孔120之玻璃基板110之第1表面112及第2表面114之方式配置樹脂構件，並使該樹脂構件為加熱及/或加壓狀態，藉此於玻璃基板110上形成樹脂層130。
於「層壓法」中，樹脂層130例如以如圖5(b)所示之形態形成於玻璃基板110上。即，形成具有配置於玻璃基板120之貫通孔120內之第1部分130A、形成於玻璃基板120之第1表面112上之第2部分130B、及形成於第2表面114上之第3部分130C的樹脂層130。
「層壓法」中之樹脂構件之加熱溫度及按壓壓力等各條件係基於樹脂構件之材質及必需之樹脂層130之形狀等而適當選定。
再者，樹脂層130亦可不藉由「層壓法」而藉由例如「浸漬法」或「塗佈法」等而形成於貫通孔120之側壁125。
此處，所謂「浸漬法」係指如下方法：將玻璃基板浸漬於包含 樹脂層之原料之液體或漿料中並提拉後，使玻璃基板乾燥，藉此至少於玻璃基板之貫通孔之側壁形成樹脂層。又，所謂「塗佈法」係指如下方法：藉由噴塗或刷塗等將包含樹脂層之原料之介質(液體、漿料、或固體)設置於玻璃基板之貫通孔之側壁，並使所塗佈之介質乾燥固化，藉此至少於玻璃基板之貫通孔之側壁形成樹脂層。
此處，於「層壓法」中，樹脂層130通常以堵塞貫通孔120之方式形成，故而於剛形成樹脂層130後之狀態下，貫通孔120成為「非貫通狀態」(圖5(b))。因此，於形成樹脂層130後，必須進行使由樹脂層130所堵塞之貫通孔120貫通之處理(以下稱為「(樹脂層之)貫通處理」)。
此種「樹脂層之貫通處理」之方法並無特別限制。「樹脂層之貫通處理」例如亦可藉由紫外線或雷射光而實施。作為雷射光源，例如亦可使用二氧化碳雷射光。
尤其，於藉由紫外線或雷射光實施「樹脂層之貫通處理」之情形時，樹脂層之處理表面成為因高熱而燒損之狀態，獲得粗糙表面。此種表面於其後之步驟S130中所實施之金屬層之設置時，對金屬層提供良好之定準效應。因此，於由紫外線或雷射光進行之「樹脂層之貫通處理」中，有於金屬層與樹脂層之間獲得更高之密接性之優點。
於圖5(c)中，表示「樹脂層之貫通處理」後之狀態。藉由「樹脂層之貫通處理」，樹脂層130之中配置於玻璃基板110之貫通孔120內之第1部分130A之一部分自玻璃基板110之第1表面112至第2表面114消失，貫通孔120再次成為「貫通之狀態」。
再者，於圖5(c)中，樹脂層130之第1部分130A係以與貫通孔120之側壁125平行之狀態存在，但此情況未必為必需。樹脂層130之第1部分130A亦可以與貫通孔120之側壁125不同之角度自玻璃基板120之第1表面112延伸至第2表面114。
(步驟S130)
繼而，於上述步驟S120中所形成之樹脂層130之第1部分130A上設置自玻璃基板120之第1表面112延伸至第2表面114之金屬層。
金屬層之材質無特別限制。於通常之情形時，金屬層使用銅金屬、銅合金、鋅金屬、或鋅合金等。
金屬層之設置方法無特別限制。於通常之情形時，金屬層係藉由鍍敷法形成。
例如，於在樹脂層130之第1部分130A上形成銅層之情形時，亦可實施2階段之處理。於第1階段之處理中，藉由銅之無電解鍍敷處理，於玻璃基板110上形成無電解鍍銅層。又，於第2階段之處理中，藉由銅之電鍍處理，於無電解鍍銅層上形成銅之電鍍層。
藉此，獲得如圖5(d)所示之具有金屬層160之玻璃基板120。
於通常之情形時，金屬層160具有形成於樹脂層130之第1部分130A上(即貫通孔120內)之第1部分160A、形成於樹脂層130之第2部分130B上(即第1表面112之上部)之第2部分160B、及形成於樹脂層130之第3部分130C上(即第2表面114之上部)之第3部分160C。
然而，此種構成並非必須，金屬層160只要至少具有第1部分160A即可。
金屬層160之厚度無特別限制。於通常之情形時，金屬層160之第1部分160A之厚度為1 μm以上30 μm以下之範圍。
藉由以上步驟，形成有如圖5(d)所示之於玻璃基板110之第1表面112與第2表面114之間提供電性連接之貫通電極150。又，製造有附貫通電極之玻璃基板100。
然而，其後，亦可於必要之情形時，實施貫通孔120之填充處理。
貫通孔120之填充處理係為了使附貫通電極之玻璃基板100之表 面平坦化而實施。例如，貫通孔120之填充處理亦可藉由將填充構件190填充至貫通孔120之凹處而實施。
藉由貫通孔120之填充處理，提供有例如圖5(e)所示之附貫通電極之玻璃基板100。
藉由以上步驟，可製造本實施形態之附貫通電極之玻璃基板。
再者，以上記載僅為用以實施本實施形態之一例，必須注意其他變化例對業者而言容易理解。
本實施形態例如可用於用作內插器用構件之附貫通電極之玻璃基板。
本發明可提供一種與先前相比難以於金屬層產生剝離之附貫通電極之玻璃基板。又，本發明可提供此種附貫通電極之玻璃基板之製造方法。
以上，對本發明之較佳實施形態及實施例進行了詳述，但本發明並不限於上述特定之實施形態及實施例，而可於申請專利範圍所記載之本發明之主旨之範圍內進行各種變形、變更。
本國際申請係主張基於在2012年4月5日所提出申請之日本專利申請2012-086888號之優先權者，其全部內容引用至此。
100‧‧‧第1附貫通電極之玻璃基板
110‧‧‧玻璃基板
112‧‧‧第1表面
114‧‧‧第2表面
120‧‧‧貫通孔
150‧‧‧貫通電極
160‧‧‧金屬層
160B‧‧‧第2部分
160C‧‧‧第3部分

Claims (14)

  1. 一種附貫通電極之玻璃基板，其特徵在於其係包括以下部分者：玻璃基板，其具有第1及第2表面，並具有自上述第1之表面貫通至上述第2表面之複數個貫通孔；及金屬層，其自該玻璃基板之上述第1表面電性連接至上述第2表面；上述金屬層具有配置於上述貫通孔之側壁側之第1部分，於該第1部分與上述貫通孔之上述側壁之間配置有樹脂層。
  2. 如請求項1之附貫通電極之玻璃基板，其中上述樹脂層之厚度為0.1 μm以上20 μm以下之範圍。
  3. 如請求項1或2之附貫通電極之玻璃基板，其中上述樹脂層進而配置於上述玻璃基板之上述第1表面及/或上述第2表面。
  4. 如請求項3之附貫通電極之玻璃基板，其中上述金屬層在配置於上述玻璃基板之上述第1表面及/或上述第2表面之上述樹脂層之上部，進而具有配置於其上之第2部分。
  5. 如請求項1至4中任一項之附貫通電極之玻璃基板，其中上述貫通孔係自上述玻璃基板之上述第1表面朝向上述第2表面形成錐形。
  6. 如請求項1至5中任一項之附貫通電極之玻璃基板，其中上述樹脂層係以被覆上述貫通孔之側壁整體之方式進行配置。
  7. 如請求項1至6中任一項之附貫通電極之玻璃基板，其中上述金屬層係以覆蓋上述樹脂層整體之方式進行配置。
  8. 一種附貫通電極之玻璃基板之製造方法，其特徵在於包括以下步驟：(a)準備具有第1及第2表面，並具有自上述第1表面貫通至上述第2表面之複數個貫通孔之玻璃基板之步驟； (b)於上述貫通孔之側壁形成樹脂層之步驟，且上述樹脂層形成後，上述貫通孔維持於貫通狀態；及(c)於設置於上述貫通孔之側壁之樹脂層上設置自上述第1表面延伸至上述第2表面之金屬層之步驟。
  9. 如請求項8之製造方法，其中上述(a)步驟具有使用紫外線或雷射光而於上述玻璃基板上形成上述貫通孔之步驟。
  10. 如請求項8或9之製造方法，其中上述(b)步驟具有藉由選自由層壓法、浸漬法及塗佈法所組成之群中之至少一種方法，於上述貫通孔之側壁形成上述樹脂層之步驟。
  11. 如請求項8至10中任一項之製造方法，其中上述(b)步驟具有於藉由上述樹脂層填充上述貫通孔後，對上述樹脂層進行貫通處理之步驟。
  12. 如請求項8至11中任一項之製造方法，其中上述(c)步驟包括以下步驟：(c-1)：至少在設置於上述貫通孔之側壁之上述樹脂層上無電解鍍敷金屬層；及(c-2)：於(c-1)後電鍍金屬層。
  13. 如請求項8至12中任一項之製造方法，其中形成於上述貫通孔之側壁之上述樹脂層具有0.1 μm以上20 μm以下之範圍之厚度。
  14. 如請求項8至13中任一項之製造方法，其中上述貫通孔係自上述玻璃基板之上述第1表面朝向上述第2表面形成錐形。
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