JPWO2013150940A1 - 貫通電極付きガラス基板、および貫通電極付きガラス基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板と、該ガラス基板の前記第1の表面から前記第2の表面まで電気的に接続された金属層と、を有する貫通電極付きガラス基板であって、前記金属層は、前記貫通孔の側壁側に配置された第1の部分を有し、該第1の部分と前記貫通孔の前記側壁の間には、樹脂層が配置されていることを特徴とする貫通電極付きガラス基板。
Description
本発明は、インターポーザ等に利用される、貫通電極付きガラス基板に関する。
従来から、インターポーザ用部材として、貫通電極付きガラス基板が使用されている。
このような貫通電極付きガラス基板は、通常、ガラス基板に紫外線またはレーザ光のような光線を照射することにより、ガラス基板に複数の貫通孔(ビア)を形成した後、ガラス基板の上下面、および貫通孔の側壁に、銅めっき層を形成することにより製造される(例えば特許文献1)。
しかしながら、通常、銅めっき層は、ガラス基板との密着性があまり良好ではないという問題がある。特に、ガラス基板内の貫通孔の側壁に形成された銅めっき層は、しばしば、容易に剥離する場合が認められる。
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、本発明では、従来に比べて、銅めっき層のような金属層に剥離が生じ難い貫通電極付きガラス基板の提供を目的とする。また、本発明では、そのような貫通電極付きガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
一つの形態によれば、
第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板と、該ガラス基板の前記第1の表面から前記第2の表面まで電気的に接続された金属層と、を有する貫通電極付きガラス基板であって、
前記金属層は、前記貫通孔の側壁側に配置された第1の部分を有し、該第1の部分と前記貫通孔の前記側壁の間には、樹脂層が配置されていることを特徴とする貫通電極付きガラス基板が提供される。
第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板と、該ガラス基板の前記第1の表面から前記第2の表面まで電気的に接続された金属層と、を有する貫通電極付きガラス基板であって、
前記金属層は、前記貫通孔の側壁側に配置された第1の部分を有し、該第1の部分と前記貫通孔の前記側壁の間には、樹脂層が配置されていることを特徴とする貫通電極付きガラス基板が提供される。
別の形態によれば、貫通電極付きガラス基板の製造方法であって、
(a)第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板を準備する工程と、
(b)前記貫通孔の側壁に、樹脂層を形成する工程であって、前記樹脂層の形成後、前記貫通孔の貫通状態が維持される工程と、
(c)前記貫通孔の側壁に設置された樹脂層の上に、前記第1の表面から前記第2の表面まで延在する金属層を設置する工程と、
を有することを特徴とする貫通電極付きガラス基板の製造方法が提供される。
(a)第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板を準備する工程と、
(b)前記貫通孔の側壁に、樹脂層を形成する工程であって、前記樹脂層の形成後、前記貫通孔の貫通状態が維持される工程と、
(c)前記貫通孔の側壁に設置された樹脂層の上に、前記第1の表面から前記第2の表面まで延在する金属層を設置する工程と、
を有することを特徴とする貫通電極付きガラス基板の製造方法が提供される。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
上述したように、従来のインターポーザ用部材として使用される貫通電極付きガラス基板では、ガラス基板と銅めっき層との間の密着性に問題がある。
銅めっき層の剥離の原因としては、次のことが考えられる。
通常、貫通孔は、ガラス基板にレーザ光を照射し、ガラス基板をアブレーション処理することにより形成される。このような方法で形成された貫通孔の表面は、レーザ加熱による熱溶融後に再冷却されるため、比較的凹凸が少なく平滑な状態となる。このような平滑な表面に設置された銅めっき層は、ガラス基板の貫通孔の側壁との間で、十分な密着性を確保することが難しくなる。すなわち、このようなレーザ加工によって形成された貫通孔表面状態が、銅めっき層の剥離につながる要因となっているものと考えられる。
また、ガラスと銅金属では、熱膨張係数が大きく異なるという問題がある。この熱膨張係数の差異のため、後工程などにおいて、貫通電極付きガラス基板に熱サイクルが負荷された際に、銅のめっき層がガラス基板から剥離することも考えられる。
(本実施形態による貫通電極付きガラス基板)
図1および図2には、本実施形態による貫通電極付きガラス基板(第1の貫通電極付きガラス基板)の一例を概略的に示す。図1は、第1の貫通電極付きガラス基板の一例の概略的な斜視図であり、図2は、図1におけるA−A線での概略的な部分断面図である。
図1および図2には、本実施形態による貫通電極付きガラス基板(第1の貫通電極付きガラス基板)の一例を概略的に示す。図1は、第1の貫通電極付きガラス基板の一例の概略的な斜視図であり、図2は、図1におけるA−A線での概略的な部分断面図である。
図1および図2に示すように、第1の貫通電極付きガラス基板100は、第1の表面112および第2の表面114を有するガラス基板110と、貫通電極150とを有する。
ガラス基板110は、第1の表面112から第2の表面114まで貫通する、複数の貫通孔120を有する。例えば、図1および図2の例では、第1の貫通電極付きガラス基板100は、横(X方向)および縦(Y方向)に沿って、等間隔に配置された多数の貫通孔120を有する。ただし、図1および図2の例では、各貫通孔120には、後述するように、貫通電極150を構成する金属層が充填されている。
なお、図2に示すように、各貫通孔120は、ガラス基板110の第1の表面112から第2の表面114に向かって直径が減少する、いわゆる「テーパ形状」を有する。ただし、この形状は、必ずしも必要ではなく、各貫通孔120は、ガラス基板110の第1の表面112における開口の直径と、第2の表面114における開口の直径が等しい、略円柱状の形状であっても良い。さらに、各貫通孔120の延伸方向(Z方向)に垂直な断面は、略円形状に限られず、断面は、例えば楕円状等であっても良い。
貫通電極150は、ガラス基板110の貫通孔120を介して、ガラス基板110の第1の表面112から第2の表面114まで延在し、ガラス基板110の第1の表面112と、ガラス基板110の第2の表面114の間を、電気的に接続する役割を有する。貫通電極150は、通常、金属層160で構成される。
図1および図2の例では、貫通電極150を構成する金属層160は、ガラス基板110の貫通孔120内に形成された第1の部分160Aと、ガラス基板110の第1の表面112全体を覆う第2の部分160Bと、ガラス基板110の第2の表面114全体を覆う第3の部分160Cと、で構成される。金属層160の第1の部分160Aは、貫通孔120を完全に充填するように配置されている。
ただし、図1および図2に示す貫通電極150の態様は、単なる一例である。貫通電極150は、貫通孔120を介して、ガラス基板110の第1の表面112とガラス基板110の第2の表面114の間を電気的に接続することが可能な限り、その態様は、特に限られない。
例えば、金属層160は、ガラス基板110の第1の表面112の一部(例えば貫通孔120の開口の周囲)に形成され、および/またはガラス基板110の第2の表面114の一部(例えば貫通孔120の開口の周囲)に形成され、および/または貫通孔120の側壁125に、貫通孔120を完全に充填しないように配置されても良い。特に、金属層160は、貫通孔120の内部にのみ設置されても良い。
ここで、第1の貫通電極付きガラス基板100では、貫通孔120内に配置された金属層160の第1の部分160Aと、貫通孔120の側壁125の間に、樹脂層130が配置されるという特徴を有する。すなわち、金属層160の第1の部分160Aは、樹脂層130を介して、貫通孔120の側壁125に配置される。
なお、図1および図2の例では、樹脂層130は、金属層160の第1の部分160Aと、貫通孔120の側壁125の間に設置された第1の部分130Aの他、ガラス基板110の第1の表面112上に設置された第2の部分130Bと、ガラス基板110の第2の表面114上に設置された第3の部分130Cとを有する。ただし、樹脂層130の第2の部分130Bおよび第3の部分130Cは、必須の部分ではない。上述したように、とくに貫通孔の側壁は、貫通孔を形成する際の加熱等により、表面が平滑な状態になりやすいと考えられる。そのため、本実施形態において、少なくとも貫通孔120の側壁において、金属層160とガラス基板110との間に樹脂層130を設けた構成とすることができる。なお、樹脂層130は、貫通孔120の側壁全体を被覆する構成とすることができる。さらに、金属層160は、樹脂層130全体を覆う構成とすることができる。
このように、第1の貫通電極付きガラス基板100では、金属層160の第1の部分160Aは、樹脂層130の第1の部分130Aを介して、ガラス基板110の貫通孔120の側壁125上に配置される。
一般に、樹脂層130は、比較的表面が粗く、微細な多数の凹凸を有する。このため、樹脂層130の第1の部分130Aを介して、ガラス基板110の貫通孔120の側壁125上に配置された金属層160の第1の部分160Aは、樹脂層130の第1の部分130Aとの間のアンカー効果により、金属層が貫通孔120の側壁125上に直接設置された場合に比べて、より大きな密着性を発揮することができる。
また、樹脂層130は、比較的ヤング率が低く、弾性的な挙動を示す。つまり、本実施形態において、樹脂層130は、ガラス基板100よりもヤング率が低い構成とすることができる。このため、貫通電極付きガラス基板100に、熱サイクルによる熱応力が負荷された場合、樹脂層130は、熱応力による変形を緩和する役割を果たすことができる。
したがって、本実施形態では、金属層160の第1の部分160Aと貫通孔120の側壁125の間の密着性が有意に改善され、金属層160に剥離が生じ難い貫通電極付きガラス基板100を提供できる。
次に、第1の貫通電極付きガラス基板100の各構成部材について、簡単に説明する。
(ガラス基板110)
ガラス基板110の材料は、ガラスである限り特に限られない。ガラス基板110は、例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス等で構成されても良い。
ガラス基板110の材料は、ガラスである限り特に限られない。ガラス基板110は、例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス等で構成されても良い。
貫通孔120の数および寸法は、特に限られない。貫通孔120は、例えば、5μm以上200μm以下の範囲の最大直径を有しても良い。なお、貫通孔120が略楕円状の断面を有する場合、貫通孔120の最大直径は、長軸の長さ(長径)となる。
(樹脂層130)
樹脂層130を構成する樹脂材料は、特に限られない。樹脂層130は、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂で構成されても良い。
樹脂層130を構成する樹脂材料は、特に限られない。樹脂層130は、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂で構成されても良い。
樹脂層130の厚さは、特に限られない。樹脂層130の第1の部分130Aの厚さは、例えば、0.1μm以上20μm以下の範囲であっても良い。
(貫通電極150)
貫通電極150を構成する金属層160の材料は、導電性を有する金属または合金である限り、特に限られない。通常の場合、金属層160の材料として、銅金属、銅合金、亜鉛金属、または亜鉛合金等が使用される。
貫通電極150を構成する金属層160の材料は、導電性を有する金属または合金である限り、特に限られない。通常の場合、金属層160の材料として、銅金属、銅合金、亜鉛金属、または亜鉛合金等が使用される。
金属層160の厚さは、特に限られない。金属層160の第1の部分160Aの厚さは、例えば、1μm以上30μm以下の範囲であっても良い。
(本実施形態による第2の貫通電極付きガラス基板の構成)
次に、図3を参照して、本実施形態による貫通電極付きガラス基板の別の構成(第2の貫通電極付きガラス基板)について説明する。
次に、図3を参照して、本実施形態による貫通電極付きガラス基板の別の構成(第2の貫通電極付きガラス基板)について説明する。
図3には、本実施形態による第2の貫通電極付きガラス基板の断面の一例を概略的に示す。
図3に示すように、第2の貫通電極付きガラス基板200は、基本的に、図2に示した第1の貫通電極付きガラス基板100と同様の構成を有する。したがって、図3において、図2の部材と同様の部材には、図2の参照符号に100を加えた参照符号が付されている。
ただし、第2の貫通電極付きガラス基板200は、一方の表面が、略平坦になっていない点が、第1の貫通電極付きガラス基板100とは異なっている。すなわち、第2の貫通電極付きガラス基板200において、金属層260は、ガラス基板210の貫通孔220を完全には充填しておらず、第2の貫通電極付きガラス基板200の表面には、くぼみ280が存在する。
後述するように、例えば、金属層260をめっき法により形成する場合、貫通孔220の寸法によっては、金属層260の第1の部分260Aによって、貫通孔220が完全に充填されないことがある。そのような場合、後工程において、貫通電極付きガラス基板200の表面のくぼみ280を充填する処理が行われる。
そのようなくぼみ280の充填処理は、貫通電極付きガラス基板のその後の適用態様に応じて、適宜実施されることが好ましい場合がある。例えば、貫通電極付きガラス基板のユーザが、その後、貫通電極付きガラス基板に配置される回路および/または素子の構造、ならびに最終製品コスト等に応じて、くぼみ280の充填処理をどのように実施するかを定めることが好ましい場合がある。したがって、実際の場面では、第2の貫通電極付きガラス基板200の構成が有意である場合もある。
なお、第2の貫通電極付きガラス基板200においても、第1の貫通電極付きガラス基板100と同様の効果、すなわち金属層260の第1の部分260Aと貫通孔220の側壁225の間の密着性が有意に改善され、金属層260の剥離が生じ難くなる効果が得られる。
また、第1の貫通電極付きガラス基板100の場合と同様、第2の貫通電極付きガラス基板200においても、樹脂層230の第2の部分230Bおよび第3の部分230Cは、必須ではなく、これらは省略されても良い。同様に、金属層260の第2の部分260Bおよび第3の部分260Cは、必須ではなく、これらは省略されても良い。
(本実施形態による貫通電極付きガラス基板の製造方法)
次に、図4および図5を参照して、前述のような特徴を有する本実施形態による貫通電極付きガラス基板の製造方法の一例について説明する。
次に、図4および図5を参照して、前述のような特徴を有する本実施形態による貫通電極付きガラス基板の製造方法の一例について説明する。
なお、ここでは、特に、図1および図2に示した構造の貫通電極付きガラス基板を例に、その製造方法を説明する。
図4には、本実施形態による貫通電極付きガラス基板の製造方法の一例のフロー図を概略的に示す。
図4に示すように、本実施形態による貫通電極付きガラス基板の製造方法は、
(a)第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板を準備する工程(ステップS110)と、
(b)前記貫通孔の側壁に、樹脂層を形成する工程であって、前記樹脂層の形成後、前記貫通孔の貫通状態が維持される工程(ステップS120)と、
(c)前記貫通孔の側壁に設置された樹脂層の上に、前記第1の表面から前記第2の表面まで延在する金属層を設置する工程(ステップS130)と、
を有する。
(a)第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板を準備する工程(ステップS110)と、
(b)前記貫通孔の側壁に、樹脂層を形成する工程であって、前記樹脂層の形成後、前記貫通孔の貫通状態が維持される工程(ステップS120)と、
(c)前記貫通孔の側壁に設置された樹脂層の上に、前記第1の表面から前記第2の表面まで延在する金属層を設置する工程(ステップS130)と、
を有する。
以下、図5を参照して、各工程について説明する。なお、図5は、図4に示した製造方法における各過程を、概略的に示した図である。
(ステップS110)
まず、第1の表面112および第2の表面114を有するガラス基板110が準備される。
まず、第1の表面112および第2の表面114を有するガラス基板110が準備される。
ガラス基板110の材料は、ガラスである限り特に限られない。ガラス基板110は、例えば、ソーダライムガラス等であっても良い。
次に、図5(a)に示すように、準備されたガラス基板110に、複数の貫通孔120が形成される。貫通孔120は、側壁125を有する。
貫通孔120の形成方法は、特に限られない。なお、各貫通孔120の直径が微細な場合には、レーザを用いたアブレーション処理により、貫通孔120が形成されても良い。レーザを用いたアブレーション処理で形成された貫通孔120は、通常、延伸方向における断面が図5(a)に示すような「テーパ形状」となる。ただし、これは、必ずしも必要な形状ではない。
貫通孔120の開口部の最大直径は、特に限られない。レーザを用いたアブレーション処理を採用した場合、形成される貫通孔120の開口部の最大直径は、5μm以上200μm以下程度であっても良い。
(ステップS120)
次に、ステップS110で準備された貫通孔120を有するガラス基板110に、樹脂層130が形成される。
次に、ステップS110で準備された貫通孔120を有するガラス基板110に、樹脂層130が形成される。
樹脂層130は、少なくとも、貫通孔120の側壁125を覆うように形成される。また、樹脂層130は、最終的に、貫通孔120を完全に閉塞しない状態で設置される必要がある。
樹脂層130の形成方法は、特に限られない。樹脂層130は、例えば、「ラミネート法」により、貫通孔120の側壁125に形成される。
以下、この「ラミネート法」について説明する。
「ラミネート法」とは、貫通孔120を有するガラス基板110の第1の表面112および第2の表面114を覆うようにして、樹脂部材を配置し、該樹脂部材を加熱および/または加圧状態にすることにより、ガラス基板110に樹脂層130を形成する方法の総称を意味する。
「ラミネート法」では、樹脂層130は、例えば図5(b)に示すような形態で、ガラス基板110に形成される。すなわち、ガラス基板120の貫通孔120内に配置された第1の部分130A、ガラス基板120の第1の表面112上に形成された第2の部分130B、および第2の表面114上に形成された第3の部分130Cを有する樹脂層130が形成される。
「ラミネート法」における樹脂部材の加熱温度、および押付圧力等の各条件は、樹脂部材の材質、および必要な樹脂層130の形状等に基づいて、適宜選定される。
なお、樹脂層130は、「ラミネート法」ではなく、例えば「浸漬法」または「塗布法」等により、貫通孔120の側壁125に形成されても良い。
ここで、「浸漬法」とは、樹脂層の原料を含む液体またはペースト中に、ガラス基板を浸漬し、引き上げた後、ガラス基板を乾燥させることにより、少なくともガラス基板の貫通孔の側壁に、樹脂層を形成する方法を意味する。また、「塗布法」とは、ガラス基板の貫通孔の側壁に、樹脂層の原料を含む媒体(液体、ペースト、または固体)を、スプレー塗布または刷毛塗り等により設置し、塗布した媒体を乾燥固化させることにより、少なくともガラス基板の貫通孔の側壁に、樹脂層を形成する方法を意味する。
ここで、「ラミネート法」では、樹脂層130は、通常、貫通孔120を閉塞するように形成されるため、樹脂層130を形成した直後の状態では、貫通孔120は、「非貫通状態」になる(図5(b))。このため、樹脂層130の形成後、樹脂層130で閉塞された貫通孔120を貫通させる処理(以下、「(樹脂層の)貫通処理」と称する)が必要となる。
このような「樹脂層の貫通処理」の方法は、特に限られない。「樹脂層の貫通処理」は、例えば、紫外線またはレーザ光によって実施しても良い。レーザ光源としては、例えば、二酸化炭素レーザ光が使用されても良い。
特に、紫外線またはレーザ光によって「樹脂層の貫通処理」を実施した場合、樹脂層の処理表面は、高熱により焼損した状態となり、粗い表面が得られる。このような表面は、以降のステップS130で実施される金属層の設置の際に、金属層に対して良好なアンカー効果を提供する。このため、紫外線またはレーザ光による「樹脂層の貫通処理」では、金属層と樹脂層の間に、より高い密着性が得られるという利点がある。
図5(c)には、「樹脂層の貫通処理」後の状態を示す。「樹脂層の貫通処理」により、樹脂層130のうち、ガラス基板110の貫通孔120内に配置された第1の部分130Aの一部が、ガラス基板110の第1の表面112から第2の表面114にわたって消失し、貫通孔120が再度「貫通された状態」となる。
なお、図5(c)では、樹脂層130の第1の部分130Aは、貫通孔120の側壁125と平行な状態で存在しているが、これは必ずしも必要ではない。樹脂層130の第1の部分130Aは、貫通孔120の側壁125とは異なる角度で、ガラス基板120の第1の表面112から第2の表面114まで延在しても良い。
(ステップS130)
次に、前述のステップS120で形成された樹脂層130の第1の部分130A上に、ガラス基板120の第1の表面112から第2の表面114まで延在する金属層が設置される。
次に、前述のステップS120で形成された樹脂層130の第1の部分130A上に、ガラス基板120の第1の表面112から第2の表面114まで延在する金属層が設置される。
金属層の材質は、特に限られない。通常の場合、金属層には、銅金属、銅合金、亜鉛金属、または亜鉛合金等が使用される。
金属層の設置方法は、特に限られない。通常の場合、金属層は、めっき法により形成される。
例えば、樹脂層130の第1の部分130A上に、銅層を形成する場合、2段階の処理が実施されても良い。第1段階の処理では、銅の無電解めっき処理により、ガラス基板110に無電解銅めっき層が形成される。また、第2段階の処理では、銅の電解めっき処理により、無電解銅めっき層上に、銅の電気めっき層が形成される。
これにより、図5(d)に示すような金属層160を有するガラス基板120が得られる。
通常の場合、金属層160は、樹脂層130の第1の部分130A上(すなわち、貫通孔120内)に形成された第1の部分160A、樹脂層130の第2の部分130B上(すなわち、第1の表面112の上部)に形成された第2の部分160B、および樹脂層130の第3の部分130C上(すなわち、第2の表面114の上部)に形成された第3の部分160Cを有する。
ただし、そのような構成は、必須ではなく、金属層160は、少なくとも第1の部分160Aを有していれば良い。
金属層160の厚さは、特に限られない。通常の場合、金属層160の第1の部分160Aの厚さは、1μm以上30μm以下の範囲である。
以上の工程により、図5(d)に示すような、ガラス基板110の第1の表面112と第2の表面114との間に電気的接続を提供する貫通電極150が形成される。また、貫通電極付きガラス基板100が製造される。
ただし、その後、必要な場合、貫通孔120の充填処理が実施されても良い。
貫通孔120の充填処理は、貫通電極付きガラス基板100の表面を平坦化するために実施される。例えば、貫通孔120の充填処理は、充填部材190を貫通孔120のくぼみに充填することにより、実施されても良い。
貫通孔120の充填処理により、例えば図5(e)に示すような貫通電極付きガラス基板100が提供される。
以上の工程により、本実施形態による貫通電極付きガラス基板を製造することができる。
なお、以上の記載は、本実施形態を実施するための単なる一例であって、当業者には、他の変形例が容易に理解されることに留意する必要がある。
本実施形態は、例えば、インターポーザ用部材として使用される貫通電極付きガラス基板に利用することができる。
本発明では、従来に比べて、金属層に剥離が生じ難い貫通電極付きガラス基板を提供できる。また、本発明では、そのような貫通電極付きガラス基板の製造方法を提供できる。
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
本国際出願は2012年4月5日に出願された日本国特許出願2012−086888号に基づく優先権を主張するものであり、その全内容をここに援用する。
Claims (14)
- 第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板と、該ガラス基板の前記第1の表面から前記第2の表面まで電気的に接続された金属層と、を有する貫通電極付きガラス基板であって、
前記金属層は、前記貫通孔の側壁側に配置された第1の部分を有し、該第1の部分と前記貫通孔の前記側壁の間には、樹脂層が配置されていることを特徴とする貫通電極付きガラス基板。 - 前記樹脂層の厚さは、0.1μm以上20μm以下の範囲である請求項1に記載の貫通電極付きガラス基板。
- 前記樹脂層は、さらに、前記ガラス基板の前記第1の表面および/または前記第2の表面に配置されている請求項1または2に記載の貫通電極付きガラス基板。
- 前記金属層は、さらに、前記ガラス基板の前記第1の表面および/または前記第2の表面に配置された前記樹脂層の上部に配置された、第2の部分を有する請求項3に記載の貫通電極付きガラス基板。
- 前記貫通孔は、前記ガラス基板の前記第1の表面から前記第2の表面に向かってテーパ化されている請求項1乃至4のいずれか一つに記載の貫通電極付きガラス基板。
- 前記樹脂層は、前記貫通孔の側壁全体を被覆するように配置される請求項1乃至5のいずれか一つに記載の貫通電極付きガラス基板。
- 前記金属層は、前記樹脂層全体を覆うように配置される請求項1乃至6のいずれか一つに記載の貫通電極付きガラス基板。
- 貫通電極付きガラス基板の製造方法であって、
(a)第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板を準備する工程と、
(b)前記貫通孔の側壁に、樹脂層を形成する工程であって、前記樹脂層の形成後、前記貫通孔の貫通状態が維持される工程と、
(c)前記貫通孔の側壁に設置された樹脂層の上に、前記第1の表面から前記第2の表面まで延在する金属層を設置する工程と、
を有することを特徴とする貫通電極付きガラス基板の製造方法。 - 前記(a)の工程は、紫外線またはレーザ光を用いて、前記ガラス基板に前記貫通孔を形成する工程を有する請求項8に記載の製造方法。
- 前記(b)の工程は、ラミネート法、浸漬法、および塗布法からなる群から選定された少なくとも一つの方法により、前記貫通孔の側壁に、前記樹脂層を形成する工程を有する請求項8または9に記載の製造方法。
- 前記(b)の工程は、前記樹脂層によって前記貫通孔を充填した後に、前記樹脂層を貫通処理する工程を有する請求項8乃至10のいずれか一つに記載の製造方法。
- 前記(c)の工程は、
(c−1)少なくとも前記貫通孔の側壁に設置された前記樹脂層の上に、金属層を無電解めっきする工程と、
(c−2)(c−1)の後、金属層を電解めっきする工程と、
を含む請求項8乃至11のいずれか一つに記載の製造方法。 - 前記貫通孔の側壁に形成された前記樹脂層は、0.1μm以上20μm以下の範囲の厚さを有する請求項8乃至12のいずれか一つに記載の製造方法。
- 前記貫通孔は、前記ガラス基板の前記第1の表面から前記第2の表面に向かってテーパ化されている請求項8乃至13のいずれか一つに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014509121A JPWO2013150940A1 (ja) | 2012-04-05 | 2013-03-27 | 貫通電極付きガラス基板、および貫通電極付きガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012086888 | 2012-04-05 | ||
JP2012086888 | 2012-04-05 | ||
JP2014509121A JPWO2013150940A1 (ja) | 2012-04-05 | 2013-03-27 | 貫通電極付きガラス基板、および貫通電極付きガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013150940A1 true JPWO2013150940A1 (ja) | 2015-12-17 |
Family
ID=49300430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014509121A Pending JPWO2013150940A1 (ja) | 2012-04-05 | 2013-03-27 | 貫通電極付きガラス基板、および貫通電極付きガラス基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2013150940A1 (ja) |
TW (1) | TW201351573A (ja) |
WO (1) | WO2013150940A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015156424A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 凸版印刷株式会社 | 印刷回路基板、半導体装置、およびそれらの製造方法 |
TWI670803B (zh) * | 2014-03-31 | 2019-09-01 | 日商凸版印刷股份有限公司 | 中介層、半導體裝置、中介層的製造方法及半導體裝置的製造方法 |
JP6467814B2 (ja) * | 2014-08-19 | 2019-02-13 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板の製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP6914656B2 (ja) * | 2014-10-03 | 2021-08-04 | 日本板硝子株式会社 | 貫通電極付ガラス基板の製造方法、導電部付ガラス基板、及び貫通電極付ガラス基板 |
JP6545699B2 (ja) | 2014-10-22 | 2019-07-17 | 日本板硝子株式会社 | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、及びアセンブリ |
JP6810908B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-01-13 | 大日本印刷株式会社 | 導電基板およびその製造方法 |
JP6889855B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-06-18 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板およびその製造方法 |
US10264672B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-04-16 | AGC Inc. | Glass substrate and glass substrate for high frequency device |
JP7236059B2 (ja) * | 2017-06-16 | 2023-03-09 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板及び貫通電極基板を備える実装基板並びに貫通電極基板の製造方法 |
JP6965589B2 (ja) * | 2017-06-16 | 2021-11-10 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板及び貫通電極基板を備える実装基板並びに貫通電極基板の製造方法 |
JP7327006B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-08-16 | Tdk株式会社 | 振動デバイス |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03203341A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hoya Corp | 微小電極を有する基板およびその製造方法 |
JP2001332650A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 電子素子用基板とその製造方法並びに電子素子とその製造方法 |
JP5109321B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2012-12-26 | 富士通株式会社 | キャパシタ内蔵インタポーザ、それを備えた半導体装置及びキャパシタ内蔵インタポーザの製造方法 |
-
2013
- 2013-03-27 JP JP2014509121A patent/JPWO2013150940A1/ja active Pending
- 2013-03-27 WO PCT/JP2013/059051 patent/WO2013150940A1/ja active Application Filing
- 2013-04-03 TW TW102112230A patent/TW201351573A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201351573A (zh) | 2013-12-16 |
WO2013150940A1 (ja) | 2013-10-10 |
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