TWI795400B - 玻璃基板及高頻裝置用玻璃基板 - Google Patents

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TWI795400B
TWI795400B TW107114195A TW107114195A TWI795400B TW I795400 B TWI795400 B TW I795400B TW 107114195 A TW107114195 A TW 107114195A TW 107114195 A TW107114195 A TW 107114195A TW I795400 B TWI795400 B TW I795400B
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Abstract

本發明之課題在於提供一種可有意義地應用於高頻裝置之具有貫通孔之玻璃基板。
於具有自第1表面貫通至第2表面之複數個貫通孔之玻璃基板中，各貫通孔於第1表面具有直徑Φ1之上部開口，於第2表面具有直徑Φ2之下部開口，將自複數個貫通孔任意選擇之10個貫通孔稱為選定貫通孔，將該選定貫通孔中於內部不存在具有小於Φ1及Φ2之直徑之狹窄部者稱為直線型貫通孔，將選定貫通孔中於內部存在具有小於Φ1及Φ2之直徑之狹窄部者稱為X型貫通孔，並將上述狹窄部之貫通孔之直徑設為Φ3，於自通過延伸軸之剖面觀察各選定貫通孔時，各選定貫通孔滿足特定之條件。

Description

玻璃基板及高頻裝置用玻璃基板
本發明係關於一種玻璃基板，尤其是關於一種具有貫通孔之玻璃基板、及具備該玻璃基板之高頻裝置用玻璃基板。
過去以來，已廣泛利用具有貫通孔之玻璃基板。例如，具有複數個貫通孔，且於該等貫通孔填充導電性材料之玻璃基板係作為玻璃內插件加以利用。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5994954號說明書
如上所述之具有貫通孔之玻璃基板期待亦對今後下一代之高頻裝置 擴大應用。
然而，於此種高頻裝置中，貫通孔之尺寸之略微變化有對特性造成影響之可能性。例如，於通信領域中，於第5代行動網路即所謂之5G中，利用毫米波段之較高頻率範圍。於該情形時，若於高頻電路中配線長度產生偏差，則線圈長度變化，而有裝置之穩定性降低之虞。
因此，為了將具有貫通孔之玻璃基板應用於此種下一代之高頻裝置，預測必須設計儘可能地減少度對裝置之不穩定性之影響。
本發明係鑒於此種背景而完成者，於本發明中，目的在於提供一種能有意義地應用於高頻裝置之具有貫通孔之玻璃基板。
本發明提供一種玻璃基板，其係具有自第1表面貫通至第2表面之複數個貫通孔者，且該玻璃基板具有厚度t(mm)，各貫通孔於上述第1表面具有直徑Φ1之上部開口，於上述第2表面具有直徑Φ2之下部開口，將自上述複數個貫通孔任意選擇之10個貫通孔稱為選定貫通孔，將該選定貫通孔中於內部不存在具有小於Φ1及Φ2中較小直徑的直徑之狹窄部者稱為直線型貫通孔，將上述選定貫通孔中於內部存在具有小於Φ1及Φ2中較小直徑的直徑之 狹窄部者稱為X型貫通孔，並將上述狹窄部之貫通孔之直徑設為Φ3，於自通過延伸軸之剖面觀察各選定貫通孔時，於上述直線型貫通孔之情形時，將基於以下之(1)式獲得之側壁之近似長度設為L(mm)，
Figure 107114195-A0305-02-0005-1
且於上述X型貫通孔之情形時，將基於以下之(2)式獲得之側壁之近似長度設為L(mm)時，
Figure 107114195-A0305-02-0005-2
以比L/t表示之R值為1~1.1之範圍，於將上述選定貫通孔之R值之平均值設為Rave，將最大值設為Rmax，將最小值設為Rmin時，以下之(3)式表示之B值為5%以下。
Figure 107114195-A0305-02-0005-3
本發明可提供一種能有意義地應用於高頻裝置之具有貫通孔之玻璃 基板。
100:含貫通孔之玻璃基板
102:第1表面
104:第2表面
122:貫通孔
122A:直線型貫通孔
122B:X型貫通孔
140:上部開口
150:下部開口
155:側壁
160:側壁
165:狹窄部
170:第1部分
180:第2部分
Φ1:直徑
Φ2:直徑
Φ3:直徑
X:方向
Y:方向
Z:方向
圖1係模式性顯示本發明一實施形態之玻璃基板之一例之立體圖。
圖2係模式性顯示本發明一實施形態之玻璃基板可包含之貫通孔之剖面之第1形態的剖視圖。
圖3係模式性顯示本發明一實施形態之玻璃基板可包含之貫通孔之剖面之第2形態的剖視圖。
圖4係例1之選定貫通孔之剖面照片之一例。
圖5係例5之選定貫通孔之剖面照片之一例。
以下，參照圖式對本發明之一實施形態進行說明。
(本發明一實施形態之玻璃基板)
於圖1模式性顯示本發明一實施形態之具有貫通孔之玻璃基板(以下，稱為「含貫通孔之玻璃基板」)之一例。
如圖1所示，含貫通孔之玻璃基板100具有相互對向之第1表面102及第2表面104。又，含貫通孔之玻璃基板100具有自第1表面102貫通至第2表面104之多個貫通孔122。
另，於圖1所示之例中，含貫通孔之玻璃基板100為大致矩形狀。然 而，此係僅為一例，需要注意含貫通孔之玻璃基板100之形狀並無特別限定。例如，含貫通孔之玻璃基板100之形狀可為圓形狀，亦可為橢圓形狀。
又，於圖1所示之例中，貫通孔122配置於含貫通孔之玻璃基板100之大致中央。然而，需要注意貫通孔122之配置位置並無特別限定。例如，貫通孔122除含貫通孔之玻璃基板100之大致中央部分外，亦可與此不同地配置於含貫通孔之玻璃基板100之大致角部附近等。
另，於貫通孔122大致存在2種剖面形態。以下，參照圖2及圖3對此等2種貫通孔之剖面形態進行說明。
於圖2模式性顯示具有第1剖面形態之貫通孔。另，該圖2對應於通過貫通孔之延伸軸之剖面。
如圖2所示，該貫通孔122A具有：上部開口140，其形成於玻璃基板100之第1表面102；下部開口150，其形成於第2表面104；及側壁155。
上部開口140係直徑為Φ1之大致圓形狀，下部開口150係直徑為Φ2之大致圓形狀，且Φ1≧Φ2。
該貫通孔122A係剖面具有大致V字型(Φ1≧Φ2時)、或大致I字型(Φ1=Φ2時)之形狀。以下，亦將具有此種形態之貫通孔122A稱為「直線型 貫通孔」122A。
於圖3模式性顯示具有第2剖面形態之貫通孔之剖面。另，該圖3對應於通過貫通孔之延伸軸之剖面。
如圖3所示，該貫通孔122B亦具有：上部開口140，其形成於玻璃基板100之第1表面102；下部開口150，其形成於第2表面104；及側壁160。上部開口140係直徑為Φ1之大致圓形狀，下部開口150係直徑為Φ2之大致圓形狀，且Φ1≧Φ2。
然而，該貫通孔122B與上述之直線型貫通孔122A不同，於內部具有直徑小於上部開口140及下部開口150之部分，即狹窄部165。將狹窄部165之直徑設為Φ3。
其結果，貫通孔122B之側壁160無法近似成一條直線。即，側壁160由隔著狹窄部165之上側之第1部分170、與下側之第2部分180之組合構成。
以下，亦將具有此種形態之貫通孔122B稱為「X型貫通孔」122B。
換言之，將於貫通孔122之內部不存在具有小於Φ1及Φ2之直徑之狹窄部165者稱為直線型貫通孔122A，將於貫通孔122之內部存在具有小於Φ1及Φ2之直徑Φ3之狹窄部165者稱為X型貫通孔122B。
此處，由於掌握了圖1所示之含貫通孔之玻璃基板100之特徵，故進行以下之操作。
首先，於含貫通孔之玻璃基板100中，任意選擇10個貫通孔122。尤其將該等稱為「選定貫通孔」。又，自通過延伸軸之剖面觀察各選定貫通孔，並判定各個選定貫通孔屬於上述直線型貫通孔122A及X型貫通孔122B之何者。
另，實際上有經常見到選定貫通孔之剖面形狀與圖2(即直線型貫通孔)、或圖3(即X型貫通孔)不完全一致之情形。例如，於自剖面觀察選定貫通孔時，有該選定貫通孔之側壁並非實質上為直線形狀，而是具有曲線部分與直線部分之兩者之情形。又，例如，亦經常見到選定貫通孔之側壁具有大致「Y型」形狀之情形。
然而，即使於此種情形亦採用上述之判斷基準。即，於選定貫通孔之剖面中，於內部不存在具有小於上部開口之直徑Φ1及下部開口之直徑Φ2的直徑之狹窄部者被分類為直線型貫通孔。又，於選定貫通孔之剖面中，於內部存在具有小於Φ1及Φ2的直徑之狹窄部者被分類為X型貫通孔。例如，剖面為大致「Y型」之選定貫通孔於內部不存在狹窄部之情形時，被分類為直線型貫通孔，於內部存在狹窄部之情形時被分類為X型貫通孔。
另，於內部具有複數個狹窄部之選定貫通孔可以說係「不良貫通 孔」，於本案中，不考慮此種「不良貫通孔」。
接著，於選定貫通孔為直線型貫通孔122A之情形時，基於以下之(1)式求出側壁155之近似長度L(mm)：
Figure 107114195-A0305-02-0010-4
此處，如上所述，Φ1係直線型貫通孔122A之上部開口140之直徑，Φ2係下部開口150之直徑。又，t(mm)係玻璃基板100之厚度。
另一方面，於選定貫通孔為X型貫通孔122B之情形時，基於以下之(2)式求出側壁160之近似長度L(mm)：
Figure 107114195-A0305-02-0010-5
對全部選定貫通孔實施此等測定。
基於獲得之結果，於各選定貫通孔中，求出以比L/t表示之R值。
又，將R值之10點平均設為Rave，將最大值設為Rmax，將最小值設為 Rmin，求出依以下之(3)式表示之B值：
Figure 107114195-A0305-02-0011-6
於實施此等評估時，含貫通孔之玻璃基板100具有R值為1~1.1之範圍，B值為5%以下之特徵。
此係意指各貫通孔122之側壁155、160之長度皆落在特定之範圍，且有意義地抑制側壁155、160之長度偏差。
因此，於具有此等特徵之含貫通孔之玻璃基板100中，於應用於高頻裝置時，可有意義地抑制線圈長度變動而引起裝置之穩定性降低之問題。又，藉此，含貫通孔之玻璃基板100可有意義地應用於下一代之高頻裝置。
另，於本案中，貫通孔之上部開口之直徑Φ1係如下測定。於玻璃基板之第1表面上，由落射照明以測長器等觀察到之貫通孔之上部開口之輪廓藉由最小平方法以近似圓予以近似。將該近似圓之直徑規定為貫通孔之上部開口之直徑Φ1。
同樣地，貫通孔之下部開口之直徑Φ2係如下測定。於玻璃基板之第2表面上，由落射照明以測長器等觀察到之貫通孔之下部開口之輪廓藉由最 小平方法以近似圓予以近似。將該近似圓之直徑規定為貫通孔之下部開口之直徑Φ2。
又，於貫通孔為X型貫通孔之情形時，狹窄部之直徑Φ3係如下測定。於自玻璃基板之第2表面側照射透過照明時，將第1表面或第2表面中以測長器等觀察到之貫通孔之最小輪廓藉由最小平方法以近似圓予以近似。將該近似圓之直徑規定為貫通孔之狹窄部之直徑Φ3。
(含貫通孔之玻璃基板100之細節)
接著，對含貫通孔之玻璃基板100所含之各部分或構件之其他特徵進行說明。
(含貫通孔之玻璃基板100)
含貫通孔之玻璃基板100所用之玻璃基板之組成無特別限定。玻璃基板可為無鹼玻璃、石英玻璃及感光性玻璃等。
玻璃基板之厚度無特別限定。玻璃基板之厚度可為例如0.05mm~0.8mm之範圍，亦可為0.1mm~0.6mm之範圍，又可為0.3mm~0.5mm之範圍。
(貫通孔122)
如上所述，自貫通孔122任意選定之選定貫通孔具有直徑Φ1之上部開口140、與直徑Φ2之下部開口150。
上部開口140之直徑Φ1係例如10μm~200μm之範圍。直徑Φ1可為20μm~160μm之範圍，又可為50μm~100μm之範圍。又，下部開口150之直徑Φ2係例如5μm~150μm之範圍。直徑Φ2可為10μm~100μm之範圍，又可為30μm~70μm之範圍。
另，於選定貫通孔中，如上所述，基於上述(3)式算定之B值為5%以下。B值較佳為2%以下，更佳為1%以下，進而較佳為0.5%以下，進而更佳為0.1%以下。
同樣地，R值為1~1.1之範圍。R值較佳為1~1.05之範圍，更佳為1~1.03之範圍。
此等貫通孔122之形成方法無特別限定。
貫通孔122可藉由例如向玻璃基板照射雷射光而形成。作為雷射可使用CO2雷射或UV雷射。作為雷射可使用短脈衝雷射(皮秒雷射、飛秒雷射等)。又，隨後，亦可對貫通孔實施蝕刻處理。又，可於照射雷射光之階段形成非貫通孔或空隙行，並藉由隨後之蝕刻處理形成貫通孔。再者，可於蝕刻處理之前，進行退火處理。或，貫通孔122例如可以如鑽孔開孔方法之機械加工方法形成。又，貫通孔122例如可藉由噴砂法形成。再者，貫通孔122可藉由使用感光性玻璃之改質法而形成。
另，為了有意義地抑制貫通孔122之側壁之長度偏差，較佳應用下述(i)~(iii)之至少一者以上。
(i)於照射雷射光形成貫通孔時，作為固定玻璃基板之載台係使用平坦度±50μm以內之載台。
(ii)於照射雷射光形成貫通孔時，對雷射光照射位置實施鼓風，抑制因加工中之粉塵、碎屑所致之雷射輸出降低。
(iii)於照射雷射光形成貫通孔時，於雷射光學系統使用自動聚焦，並將玻璃基板與雷射光之焦距設為固定。
本技藝者者可想到使用其他各種方法形成貫通孔122。
[實施例]
接著，對本發明之實施例進行說明。
(例1)
依以下之方法製造含貫通孔之玻璃基板。又，測定所形成之貫通孔之各尺寸。
首先，準備厚度0.33rmm之玻璃基板(無鹼玻璃)。
對該玻璃基板之第1表面之大致中央照射雷射光形成大約40萬個貫通孔群。雷射光源係使用CO2雷射。
接著，將獲得之玻璃基板於氫氟酸溶液中進行蝕刻。藉由蝕刻使得各貫通孔擴張，且玻璃基板之厚度為大約0.30mm。
藉由以上之步驟獲得含貫通孔之玻璃基板。
自貫通孔群中隨機選定10個貫通孔作為選定貫通孔。又，沿著延伸軸切斷各選定貫通孔，並觀察剖面之形狀。10個選定貫通孔皆為直線型之貫通孔。
於圖4顯示選定貫通孔之剖面形態之一例。
於各選定貫通孔中，測定上部開口之直徑Φ1及下部開口之直徑Φ2。又，基於獲得之結果使用上述之(1)式計算側壁之近似長度L。再者，使用上述之(3)式計算B值。
於以下之表1彙總顯示各選定貫通孔中測定之值等。
Figure 107114195-A0305-02-0016-7
基於該表1，選定貫通孔之R值最大為1.00023左右。又，10個選定貫通孔之B值為0.009%。
(例2)
依以下之方法製造含貫通孔之玻璃基板。又，測定所形成之貫通孔之各尺寸。
首先，準備厚度為0.40mm之玻璃基板(無鹼玻璃)。
對該玻璃基板之第1表面之大致中央照射雷射光，形成大約40萬個貫通孔群。雷射光源係使用CO2雷射。
接著，將獲得之玻璃基板於氫氟酸溶液中進行蝕刻。藉由蝕刻使得各貫通孔擴張，且玻璃基板之厚度為大約0.38mm。
藉由以上之步驟獲得含貫通孔之玻璃基板。
自貫通孔群中隨機選定10個貫通孔作為選定貫通孔。又，沿著延伸軸切斷各選定貫通孔，並觀察剖面之形狀。10個選定貫通孔皆為直線型之貫通孔。
於各選定貫通孔中，測定上部開口之直徑Φ1及下部開口之直徑Φ2。又，基於獲得之結果使用上述之(1)式計算側壁之近似長度L。再者，使用上述之(3)式計算B值。
於以下之表2彙總顯示各選定貫通孔中測定之值等。
Figure 107114195-A0305-02-0018-8
基於該表2，選定貫通孔之R值最大為1.0012左右。又，10個選定貫通孔之B值為0.032%。
(例3)
依以下之方法製造含貫通孔之玻璃基板。又，測定所形成之貫通孔之各尺寸。
首先，準備厚度為0.10mm之玻璃基板(無鹼玻璃)。
對該玻璃基板之第1表面之大致中央照射雷射光，形成大約1萬個貫通孔群。雷射光源係使用CO2雷射。
接著，將獲得之玻璃基板於氫氟酸溶液中進行蝕刻。藉由蝕刻使得各貫通孔擴張，且玻璃基板之厚度為大約0.09mm。
藉由以上之步驟獲得含貫通孔之玻璃基板。
自貫通孔群中隨機選定10個貫通孔作為選定貫通孔。又，沿著延伸軸切斷各選定貫通孔，並觀察剖面之形狀。10個選定貫通孔皆為直線型之貫通孔。
於各選定貫通孔中，測定上部開口之直徑Φ1及下部開口之直徑Φ2。又，基於獲得之結果使用上述之(1)式計算側壁之近似長度L。再者，使用上述之(3)式計算B值。
於以下之表3彙總顯示各選定貫通孔中測定之值等。
Figure 107114195-A0305-02-0020-9
基於該表3，選定貫通孔之R值最大為1.0155左右。又，10個選定貫通孔之B值為0.276%。
(例4)
依以下之方法製造含貫通孔之玻璃基板。又，測定所形成之貫通孔之各尺寸。
首先，準備厚度為0.10mm之玻璃基板(無鹼玻璃)。
對該玻璃基板之第1表面之大致中央照射雷射光，形成大約1萬個貫通孔群。雷射光源係使用CO2雷射。
接著，將獲得之玻璃基板於氫氟酸溶液中進行蝕刻。藉由蝕刻使得各貫通孔擴張，且玻璃基板之厚度為大約0.09mm。
藉由以上之步驟獲得含貫通孔之玻璃基板。
自貫通孔群中隨機選定10個貫通孔作為選定貫通孔。又，沿著延伸軸切斷各選定貫通孔，並觀察剖面之形狀。10個選定貫通孔皆為直線型之貫通孔。
於各選定貫通孔中，測定上部開口之直徑Φ1及下部開口之直徑Φ2。又，基於獲得之結果使用上述之(1)式計算側壁之近似長度L。再者，使用上述之(3)式計算B等。
於以下之表4彙總顯示各選定貫通孔中測定之值等。
Figure 107114195-A0305-02-0022-10
基於該表4，選定貫通孔之R值最大為1.028左右。又，10個選定貫通孔之B值為1.634%。
(例5)
依以下之方法製造含貫通孔之玻璃基板。又，測定所形成之貫通孔之各尺寸。
首先，準備厚度為0.50mm之玻璃基板(無鹼玻璃)。
對該玻璃基板之第1表面之大致中央照射雷射光，形成大約1萬個貫通孔群。雷射光源係使用UV雷射。
接著，將獲得之玻璃基板於氫氟酸溶液中進行蝕刻。藉由蝕刻使得各貫通孔擴張，且玻璃基板之厚度為大約0.48mm。
藉由以上之步驟獲得含貫通孔之玻璃基板。
自貫通孔群中隨機選定10個貫通孔作為選定貫通孔。又，沿著延伸軸切斷各選定貫通孔，並觀察剖面之形狀。10個選定貫通孔皆為X型之貫通孔。
於圖5顯示選定貫通孔之剖面形態之一例。
於各選定貫通孔中，測定上部開口之直徑Φ1、下部開口之直徑Φ2、及狹窄部之直徑Φ3。又，基於獲得之結果使用上述之(2)式計算側壁之近似長度L。再者，使用上述之(3)式計算B值。
於以下之表5彙總顯示各選定貫通孔中測定之值等。
Figure 107114195-A0305-02-0024-11
基於該表5，選定貫通孔之R值最大為1.00074左右。又，10個選定貫通孔之B值為0.015%。
本發明之玻璃基板可有意義地作為處理高頻信號之高頻裝置用之具有貫通孔之玻璃基板加以應用。本發明之玻璃基板可有意義地應用於例如通信機器、頻率濾波器零件、導波管等之帶通濾波器等之具有貫通孔之玻璃基板的裝置。
本申請案係基於2017年4月28日申請之日本專利申請案第2017-090675號而主張其優先權者，日本專利申請案第2017-090675號之全部內容以引用之方式併入於本文。
100:含貫通孔之玻璃基板
102:第1表面
104:第2表面
122:貫通孔
X:方向
Y:方向
Z:方向

Claims (12)

  1. 一種玻璃基板，其係具有自第1表面貫通至第2表面之複數個貫通孔者，且該玻璃基板具有厚度t(mm)，各貫通孔於上述第1表面具有直徑Φ1之上部開口，於上述第2表面具有直徑Φ2之下部開口，將自上述複數個貫通孔任意選擇之10個貫通孔稱為選定貫通孔，將上述選定貫通孔之中，於內部不存在具有小於Φ1及Φ2中之較小直徑的直徑之狹窄部者稱為直線型貫通孔，將上述選定貫通孔之中，於內部存在具有小於Φ1及Φ2中之較小直徑的直徑之狹窄部者稱為X型貫通孔，並將於上述狹窄部處之貫通孔之直徑設為Φ3，於自通過延伸軸之剖面觀察各選定貫通孔時，於上述直線型貫通孔之情形時，將基於以下之(1)式獲得之側壁之近似長度設為L(mm)，
    Figure 107114195-A0305-02-0026-12
     且於上述X型貫通孔之情形時，將基於以下之(2)式獲得之側壁之近似長度設為L(mm)時，[數2]
    Figure 107114195-A0305-02-0027-13
     以比L/t表示之R值為1~1.1之範圍，於將上述選定貫通孔之R值之平均值設為Rave，將最大值設為Rmax，將最小值設為Rmin時，以下之(3)式表示之B值為5%以下，
    Figure 107114195-A0305-02-0027-14
  2. 如請求項1之玻璃基板，其中上述B值為2%以下。
  3. 如請求項1之玻璃基板，其中上述R值為1~1.05之範圍。
  4. 如請求項1之玻璃基板，其中上述玻璃基板之厚度為0.05mm~0.8mm之範圍。
  5. 如請求項1之玻璃基板，其中Φ1為10μm~200μm之範圍，Φ2為5μm~150μm之範圍。
  6. 如請求項2之玻璃基板，其中上述R值為1~1.05之範圍。
  7. 如請求項2之玻璃基板，其中上述玻璃基板之厚度為0.05mm~0.8mm之範圍。
  8. 如請求項2之玻璃基板，其中Φ1為10μm~200μm之範圍，Φ2為5μm~150μm之範圍。
  9. 如請求項3之玻璃基板，其中上述玻璃基板之厚度為0.05mm~0.8mm之範圍。
  10. 如請求項3之玻璃基板，其中Φ1為10μm~200μm之範圍，Φ2為5μm~150μm之範圍。
  11. 如請求項4之玻璃基板，其中Φ1為10μm~200μm之範圍，Φ2為5μm~150μm之範圍。
  12. 一種高頻裝置用玻璃基板，其具有如請求項1至11中任一項之玻璃基板。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10470300B1 (en) * 2018-07-24 2019-11-05 AGC Inc. Glass panel for wiring board and method of manufacturing wiring board
WO2020149040A1 (ja) * 2019-01-17 2020-07-23 日本板硝子株式会社 微細構造付ガラス基板及び微細構造付ガラス基板の製造方法
US10895448B2 (en) * 2019-04-09 2021-01-19 General Electric Company System and method for collecting measurement data of shaped cooling holes of CMC components
JP7116926B2 (ja) * 2019-04-23 2022-08-12 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法、及びガラス板、並びにガラス板集合体
WO2024070835A1 (ja) * 2022-09-29 2024-04-04 日東電工株式会社 ガラス基板及びガラス基板の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110256344A1 (en) * 2009-02-02 2011-10-20 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate for semiconductor device component and process for producing glass substrate for semiconductor device component
TW201220375A (en) * 2010-06-28 2012-05-16 Shinetsu Chemical Co Method for manufacturing electronic grade synthetic quartz glass substrate
TW201351573A (zh) * 2012-04-05 2013-12-16 Asahi Glass Co Ltd 附貫通電極之玻璃基板及附貫通電極之玻璃基板之製造方法
US20160368809A1 (en) * 2013-12-17 2016-12-22 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
JP2017510531A (ja) * 2013-12-17 2017-04-13 コーニング インコーポレイテッド ガラスおよびガラス製品への高速レーザ穴あけ方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491622A (en) * 1982-04-19 1985-01-01 Olin Corporation Composites of glass-ceramic to metal seals and method of making the same
US8925192B2 (en) 2009-06-09 2015-01-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing the same
JP2014139963A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Ngk Spark Plug Co Ltd ガラス基板の製造方法
US9919945B2 (en) * 2013-11-14 2018-03-20 Mitsubishi Electric Corporation Laser processing method and laser processing apparatus
JP6442968B2 (ja) * 2014-10-10 2018-12-26 日立化成株式会社 積層体への貫通孔の形成方法
JP6293704B2 (ja) * 2015-05-28 2018-03-14 スナップトラック・インコーポレーテッド ガラスセラミックス焼結体及び配線基板
US20160347643A1 (en) 2015-05-29 2016-12-01 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate manufacturing method
JP5994954B1 (ja) 2015-09-25 2016-09-21 旭硝子株式会社 貫通孔を有するガラス基板の製造方法、貫通電極を備えるガラス基板の製造方法、およびインターポーザの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110256344A1 (en) * 2009-02-02 2011-10-20 Asahi Glass Company, Limited Glass substrate for semiconductor device component and process for producing glass substrate for semiconductor device component
TW201220375A (en) * 2010-06-28 2012-05-16 Shinetsu Chemical Co Method for manufacturing electronic grade synthetic quartz glass substrate
TW201351573A (zh) * 2012-04-05 2013-12-16 Asahi Glass Co Ltd 附貫通電極之玻璃基板及附貫通電極之玻璃基板之製造方法
US20160368809A1 (en) * 2013-12-17 2016-12-22 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
JP2017510531A (ja) * 2013-12-17 2017-04-13 コーニング インコーポレイテッド ガラスおよびガラス製品への高速レーザ穴あけ方法

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