JP2023052359A - ガラス基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】高周波デバイスにおいても有意に適用することが可能な、貫通孔を有するガラス基板を提供する。【解決手段】第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を有するガラス基板において、各貫通孔は、第１の表面に直径φ1の上部開口を有し、第２の表面に直径φ２の下部開口を有し、複数の貫通孔から任意に選択された１０個の貫通孔を選定貫通孔と称し、該選定貫通孔のうち、内部にφ1およびφ２よりも小さな直径を有する狭窄部がないものを、ストレート型貫通孔と称し、選定貫通孔のうち、内部にφ1およびφ２よりも小さな直径を有する狭窄部があるものを、Ｘ型貫通孔と称し、前記狭窄部での貫通孔の直径をφ３とし、各選定貫通孔を延伸軸を通る断面から見たとき、各選定貫通孔は、所定の条件を満たす。【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス基板に関し、特に、貫通孔を有するガラス基板に関する。
従来より、貫通孔を有するガラス基板が広く利用されている。例えば、複数の貫通孔を有し、該貫通孔に導電性材料が充填されたガラス基板は、ガラスインターポーザとして利用されている。
特許第５９９４９５４号明細書
前述のような貫通孔を有するガラス基板は、今後次世代の高周波デバイスに対しても、適用が拡大していくことが期待されている。
しかしながら、そのような高周波デバイスにおいては、貫通孔の寸法の僅かの変化が、特性に影響を及ぼす可能性がある。例えば、通信分野において、第５世代モバイル・ネットワーク、いわゆる５Ｇでは、ミリ波帯の高い周波数範囲が利用される。この場合、高周波回路において配線長さにばらつきが生じると、コイル長が変動し、デバイスの安定性が低下するおそれがある。
従って、貫通孔を有するガラス基板がこのような次世代の高周波デバイスに適用されるためには、デバイスの不安定性に対する影響をできる限り少なくする設計が必要となることが予想される。
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、高周波デバイスにおいても有意に適用することが可能な、貫通孔を有するガラス基板を提供することを目的とする。
本発明では、第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を有するガラス基板であって、
当該ガラス基板は、厚さｔ（ｍｍ）を有し、
各貫通孔は、前記第１の表面に直径φ1の上部開口を有し、前記第２の表面に直径φ２の下部開口を有し、
前記複数の貫通孔から任意に選択された１０個の貫通孔を選定貫通孔と称し、
該選定貫通孔のうち、内部にφ1およびφ２のうちの小さい方の直径よりも小さな直径を有する狭窄部がないものを、ストレート型貫通孔と称し、
前記選定貫通孔のうち、内部にφ1およびφ２のうちの小さい方の直径よりも小さな直径を有する狭窄部があるものを、Ｘ型貫通孔と称し、前記狭窄部での貫通孔の直径をφ３とし、
各選定貫通孔を、延伸軸を通る断面から見たとき、
前記ストレート型貫通孔の場合、以下の（１）式
Figure 2023052359000002
 から得られる側壁の近似長さをＬ（ｍｍ）とし、
前記Ｘ型貫通孔の場合、以下の（２）式
Figure 2023052359000003
 から得られる側壁の近似長さをＬ（ｍｍ）としたとき、
比Ｌ／ｔで表されるＲ値は、１～１．１の範囲であり、
前記選定貫通孔におけるＲ値の平均値をＲａｖｅとし、最大値をＲｍａｘとし、最小値をＲｍｉｎとしたとき、
Figure 2023052359000004
 で表されるＢ値は、５％以下である、ガラス基板が提供される。
本発明では、高周波デバイスにおいても有意に適用することが可能な、貫通孔を有するガラス基板を提供することができる。
本発明の一実施形態によるガラス基板の一例を模式的に示した斜視図である。 本発明の一実施形態によるガラス基板に含まれ得る貫通孔の断面の第１の形態を模式的に示した断面図である。 本発明の一実施形態によるガラス基板に含まれ得る貫通孔の断面の第２の形態を模式的に示した断面図である。 例１に係る選定貫通孔の断面写真の一例である。 例５に係る選定貫通孔の断面写真の一例である。
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
（本発明の一実施形態によるガラス基板）
図１には、本発明の一実施形態による、貫通孔を有するガラス基板（以下、「貫通孔含有ガラス基板」と称する）の一例を模式的に示す。
図１に示すように、貫通孔含有ガラス基板１００は、相互に対向する第１の表面１０２および第２の表面１０４を有する。また、貫通孔含有ガラス基板１００は、第１の表面１０２から第２の表面１０４まで貫通する、多数の貫通孔１２２を有する。
なお、図１に示した例では、貫通孔含有ガラス基板１００は、略矩形状である。しかしながら、これは単なる一例であって、貫通孔含有ガラス基板１００の形状は特に限られないことに留意する必要がある。例えば、貫通孔含有ガラス基板１００の形状は、円形状であってもよく、楕円形状であってもよい。
また、図１に示した例では、貫通孔１２２は、貫通孔含有ガラス基板１００の略中央に配置されている。しかしながら、貫通孔１２２の配置位置は、特に限られないことに留意する必要がある。例えば、貫通孔１２２は、貫通孔含有ガラス基板１００の略中央部分に加えて、またはこれとは別に、貫通孔含有ガラス基板１００の略コーナー部近傍などに配置されても良い。
なお、貫通孔１２２には、大きく分けて２つの断面形態が存在する。以下、図２および図３を参照して、そのような２種類の貫通孔の断面形態について説明する。
図２には、第１の断面形態を有する貫通孔を模式的に示す。なお、この図２は、貫通孔の延伸軸を通る断面に対応する。
図２に示すように、この貫通孔１２２Ａは、ガラス基板１００の第１の表面１０２に形成された上部開口１４０と、第２の表面１０４に形成された下部開口１５０と、側壁１５５とを有する。
上部開口１４０は直径がφ１の略円形状であり、下部開口１５０は直径がφ２の略円形状であり、φ１≧φ２である。
この貫通孔１２２Ａは、断面が略Ｖ字型（φ１≧φ２のとき）、または略Ｉ字型（φ１＝φ２のとき）の形状を有する。以下、このような形態を有する貫通孔１２２Ａを「ストレート型貫通孔」１２２Ａとも称する。
図３には、第２の断面形態を有する貫通孔の断面を模式的に示す。なお、この図３は、貫通孔の延伸軸を通る断面に対応する。
図３に示すように、この貫通孔１２２Ｂも、ガラス基板１００の第１の表面１０２に形成された上部開口１４０と、第２の表面１０４に形成された下部開口１５０と、側壁１６０とを有する。上部開口１４０は、直径がφ１の略円形状であり、下部開口１５０は直径がφ２の略円形状であり、φ１≧φ２である。
ただし、この貫通孔１２２Ｂは、前述のストレート型貫通孔１２２Ａとは異なり、内部に、上部開口１４０および下部開口１５０よりも直径が小さな部分、すなわち狭窄部１６５を有する。狭窄部１６５の直径をφ３とする。
その結果、貫通孔１２２Ｂの側壁１６０は、一本の直線として近似することはできない。すなわち、側壁１６０は、狭窄部１６５を挟んで、上側の第１の部分１７０と、下側の第２の部分１８０との組み合わせによって構成される。
以下、このような形態を有する貫通孔１２２Ｂを「Ｘ型貫通孔」１２２Ｂとも称する。
換言すれば、貫通孔１２２の内部に、φ1およびφ２よりも小さな直径を有する狭窄部１６５が存在しないものは、ストレート型貫通孔１２２Ａと称され、貫通孔１２２の内部に、φ1およびφ２よりも小さな直径φ３を有する狭窄部１６５が存在するものは、Ｘ型貫通孔１２２Ｂと称される。
ここで、図１に示した貫通孔含有ガラス基板１００の特徴を把握するため、以下の操作を行う。
まず、貫通孔含有ガラス基板１００において、任意に１０個の貫通孔１２２を選定する。これらを特に、「選定貫通孔」と称する。また、各選定貫通孔を、延伸軸を通る断面から観察して、それぞれの選定貫通孔が、前述のストレート型貫通孔１２２ＡおよびＸ型貫通孔１２２Ｂのいずれに属するかを判断する。
なお、実際には、選定貫通孔の断面形状が、図２（すなわちストレート型貫通孔）、または図３（すなわちＸ型貫通孔）にぴったりと一致しない場合がしばしば認められる。例えば、選定貫通孔を断面から見たとき、該選定貫通孔の側壁が、実質的に直線形状ではなく、曲線部分と直線部分の両方を有する場合がある。また、例えば、選定貫通孔の側壁が、略「Ｙ型」の形状を有する場合も、しばしば認められる。
しかしながら、そのような場合であっても、前述の判断基準が採用される。すなわち、選定貫通孔の断面において、内部に、上部開口の直径φ1および下部開口の直径φ２よりも小さな直径を有する狭窄部が存在しないものは、ストレート型貫通孔に分類される。また、選定貫通孔の断面において、内部に、φ1およびφ２よりも小さな直径を有する狭窄部が存在するものは、Ｘ型貫通孔に分類される。例えば、断面が略「Ｙ型」の選定貫通孔は、内部に狭窄部が存在しない場合は、ストレート型貫通孔に分類され、内部に狭窄部が存在する場合は、Ｘ型貫通孔に分類される。
なお、内部に複数の狭窄部を有する選定貫通孔は、いわば、「不良貫通孔」であり、本願では、そのような「不良貫通孔」は、想定していない。
次に、選定貫通孔がストレート型貫通孔１２２Ａである場合、以下の（１）式から、側壁１５５の近似長さＬ（ｍｍ）を求める：
Figure 2023052359000005
 ここで、前述のように、φ１はストレート型貫通孔１２２Ａの上部開口１４０の直径であり、φ２は下部開口１５０の直径である。また、ｔ（ｍｍ）は、ガラス基板１００の厚さである。
一方、選定貫通孔がＸ型貫通孔１２２Ｂである場合、以下の（２）式から、側壁１６０の近似長さＬ（ｍｍ）を求める：
Figure 2023052359000006
 このような測定を、全ての選定貫通孔に対して実施する。
得られた結果から、各選定貫通孔において、比Ｌ／ｔで表されるＲ値を求める。
また、Ｒ値の１０点平均をＲａｖｅとし、最大値をＲｍａｘとし、最小値をＲｍｉｎとし、以下の（３）式で表されるＢ値を求める：
Figure 2023052359000007
 このような評価を実施した際に、貫通孔含有ガラス基板１００は、Ｒ値が１～１．１の範囲であり、Ｂ値が５％以下であるという特徴を有する。
これは、各貫通孔１２２の側壁１５５、１６０の長さが特定の範囲に収められているとともに、側壁１５５、１６０の長さのばらつきが有意に抑制されていることを意味する。
従って、このような特徴を有する貫通孔含有ガラス基板１００では、高周波デバイスに適用した際に、コイル長が変動してデバイスの安定性が低下するという問題を、有意に抑制することができる。また、これにより、貫通孔含有ガラス基板１００は、次世代の高周波デバイスにおいても有意に適用することができる。
なお、本願において、貫通孔の上部開口の直径φ１は、以下のように測定される。ガラス基板の第１の表面において、落射照明により測長器などで観察される貫通孔の上部開口の輪郭を、最小二乗法により近接円で近似する。この近接円の直径を、貫通孔の上部開口の直径φ１と規定する。
同様に、貫通孔の下部開口の直径φ２は、以下のように測定される。ガラス基板の第２の表面において、落射照明により測長器などで観察される貫通孔の下部開口の輪郭を、最小二乗法により近接円で近似する。この近接円の直径を、貫通孔の下部開口の直径φ２と規定する。
また、貫通孔がＸ型貫通孔の場合、狭窄部の直径φ３は、以下のように測定される。ガラス基板の第２の表面の側から透過照明を照射した際に、第１の表面または第２の表面で測長器などで観察される貫通孔の最小輪郭を、最小二乗法により近接円で近似する。この近接円の直径を、貫通孔の狭窄部の直径φ３と規定する。
（貫通孔含有ガラス基板１００の詳細）
次に、貫通孔含有ガラス基板１００に含まれる各部分または部材の、その他の特徴について説明する。
（貫通孔含有ガラス基板１００）
貫通孔含有ガラス基板１００に使用されるガラス基板の組成は、特に限られない。ガラス基板は、無アルカリガラス、石英ガラスおよび感光性ガラス等であっても良い。
ガラス基板の厚さは、特に限られない。ガラス基板の厚さは、例えば、０．０５ｍｍ～０．８ｍｍの範囲であっても良く、０．１ｍｍ～０．６ｍｍの範囲であっても良く、０．３ｍｍ～０．５ｍｍの範囲であっても良い。
（貫通孔１２２）
前述のように、貫通孔１２２から任意に選定された選定貫通孔は、直径φ１の上部開口１４０と、直径φ２の下部開口１５０とを有する。
上部開口１４０の直径φ１は、例えば、１０μｍ～２００μｍの範囲である。直径φ１は、２０μｍ～１６０μｍの範囲であってもよく、５０μｍ～１００μｍの範囲であってもよい。また、下部開口１５０の直径φ２は、例えば、５μｍ～１５０μｍの範囲である。直径φ２は、１０μｍ～１００μｍの範囲であってもよく、３０μｍ～７０μｍの範囲であってもよい。
なお、選定貫通孔において、前述のように、前記（３）式から算定されるＢ値は、５％以下である。Ｂ値は、２％以下であることが好ましく、１％以下であることがより好ましく、０．５％以下であることがさらに好ましい。
同様に、Ｒ値は、１～１．１の範囲である。Ｒ値は、１～１．０５の範囲であることが好ましい。
このような貫通孔１２２の形成方法は、特に限られない。
貫通孔１２２は、例えば、ガラス基板にレーザ光を照射することにより、形成されても良い。レーザとしては、ＣＯ２レーザやＵＶレーザを用いることができる。レーザとして、短パルスレーザ（ピコ秒レーザ、フェムト秒レーザなど）を用いてもよい。また、その後、貫通孔に対して、エッチング処理を実施しても良い。また、レーザ光を照射した段階では非貫通孔またはボイド列が形成され、その後のエッチング処理により貫通孔を形成しても良い。さらに、エッチング処理の前に、アニール処理を行っても良い。あるいは、貫通孔１２２は、例えば、ドリル孔空け方法のような、機械加工方法で形成されても良い。また、貫通孔１２２は、例えば、サンドブラスト法により形成されても良い。さらに、貫通孔１２２は、感光性ガラスを用いた改質法により、形成されても良い。
なお、貫通孔１２２の側壁の長さのばらつきを有意に抑制するためには、下記（ｉ）～（ｉｉｉ）の少なくとも一以上を適用するのが好ましい。
（ｉ）レーザ光を照射して貫通孔を形成する際に、ガラス基板を固定するステージとして、平坦度±５０μｍ以内のステージを使用する。
（ｉｉ）レーザ光を照射して貫通孔を形成する際に、レーザ光照射位置にエアーブローを実施し、加工中のヒューム、デブリによるレーザ出力低下を抑制する。
（ｉｉｉ）レーザ光を照射して貫通孔を形成する際に、レーザ光学系にオートフォーカスを使用し、ガラス基板とレーザ光の焦点距離を一定にする。
当業者には、この他にも各種方法を用いて、貫通孔１２２を形成できることが想定される。
次に、本発明の実施例について説明する。
（例１）
以下の方法で、貫通孔含有ガラス基板を製造した。また、形成された貫通孔における各寸法を測定した。
まず、厚さ０．３３ｍｍのガラス基板（無アルカリガラス）を準備した。
このガラス基板の第１の表面の略中央に、レーザ光を照射し、約４０万個の貫通孔群を形成した。レーザ光源には、ＣＯ２レーザを使用した。
次に、得られたガラス基板をフッ酸溶液中でエッチングした。エッチングにより、各貫通孔が拡張されるとともに、ガラス基板の厚さが約０．３０ｍｍとなった。
以上の工程により、貫通孔含有ガラス基板が得られた。
貫通孔群の中から、ランダムに１０個の貫通孔を選定貫通孔として選定した。また、各選定貫通孔を延伸軸に沿って切断し、断面の形状を観察した。１０個の選定貫通孔は、いずれも、ストレート型の貫通孔であった。
図４には、選定貫通孔の断面の形態の一例を示す。
各選定貫通孔において、上部開口の直径φ１および下部開口の直径φ２を測定した。また、得られた結果から、前述の（１）式を用いて、側壁の近似長さＬを算定した。さらに、前述の（３）式を用いて、Ｂ値を算定した。
以下の表１には、各選定貫通孔において測定された値等をまとめて示す。
Figure 2023052359000008
 この表１から、選定貫通孔のＲ値は、最大でも１．０００２３程度であった。また、１０個の選定貫通孔におけるＢ値は、０．００９％であった。
（例２）
以下の方法で、貫通孔含有ガラス基板を製造した。また、形成された貫通孔における各寸法を測定した。
まず、厚さ０．４０ｍｍのガラス基板（無アルカリガラス）を準備した。
このガラス基板の第１の表面の略中央に、レーザ光を照射し、約４０万個の貫通孔群を形成した。レーザ光源には、ＣＯ２レーザを使用した。
次に、得られたガラス基板をフッ酸溶液中でエッチングした。エッチングにより、各貫通孔が拡張されるとともに、ガラス基板の厚さが約０．３８ｍｍとなった。
以上の工程により、貫通孔含有ガラス基板が得られた。
貫通孔群の中から、ランダムに１０個の貫通孔を選定貫通孔として選定した。また、各選定貫通孔を延伸軸に沿って切断し、断面の形状を観察した。１０個の選定貫通孔は、いずれも、ストレート型の貫通孔であった。
各選定貫通孔において、上部開口の直径φ１および下部開口の直径φ２を測定した。また、得られた結果から、前述の（１）式を用いて、側壁の近似長さＬを算定した。さらに、前述の（３）式を用いて、Ｂ値を算定した。
以下の表２には、各選定貫通孔において測定された値等をまとめて示す。
Figure 2023052359000009
 この表２から、選定貫通孔のＲ値は、最大でも１．００１２程度であった。また、１０個の選定貫通孔におけるＢ値は、０．０３２％であった。
（例３）
以下の方法で、貫通孔含有ガラス基板を製造した。また、形成された貫通孔における各寸法を測定した。
まず、厚さ０．１０ｍｍのガラス基板（無アルカリガラス）を準備した。
このガラス基板の第１の表面の略中央に、レーザ光を照射し、約１万個の貫通孔群を形成した。レーザ光源には、ＣＯ２レーザを使用した。
次に、得られたガラス基板をフッ酸溶液中でエッチングした。エッチングにより、各貫通孔が拡張されるとともに、ガラス基板の厚さが約０．０９ｍｍとなった。
以上の工程により、貫通孔含有ガラス基板が得られた。
貫通孔群の中から、ランダムに１０個の貫通孔を選定貫通孔として選定した。また、各選定貫通孔を延伸軸に沿って切断し、断面の形状を観察した。１０個の選定貫通孔は、いずれも、ストレート型の貫通孔であった。
各選定貫通孔において、上部開口の直径φ１および下部開口の直径φ２を測定した。また、得られた結果から、前述の（１）式を用いて、側壁の近似長さＬを算定した。さらに、前述の（３）式を用いて、Ｂ値を算定した。
以下の表３には、各選定貫通孔において測定された値等をまとめて示す。
Figure 2023052359000010
 この表３から、選定貫通孔のＲ値は、最大でも１．０１５５程度であった。また、１０個の選定貫通孔におけるＢ値は、０．２７６％であった。
（例４）
以下の方法で、貫通孔含有ガラス基板を製造した。また、形成された貫通孔における各寸法を測定した。
まず、厚さ０．１０ｍｍのガラス基板（無アルカリガラス）を準備した。
このガラス基板の第１の表面の略中央に、レーザ光を照射し、約１万個の貫通孔群を形成した。レーザ光源には、ＣＯ２レーザを使用した。
次に、得られたガラス基板をフッ酸溶液中でエッチングした。エッチングにより、各貫通孔が拡張されるとともに、ガラス基板の厚さが約０．０９ｍｍとなった。
以上の工程により、貫通孔含有ガラス基板が得られた。
貫通孔群の中から、ランダムに１０個の貫通孔を選定貫通孔として選定した。また、各選定貫通孔を延伸軸に沿って切断し、断面の形状を観察した。１０個の選定貫通孔は、いずれも、ストレート型の貫通孔であった。
各選定貫通孔において、上部開口の直径φ１および下部開口の直径φ２を測定した。また、得られた結果から、前述の（１）式を用いて、側壁の近似長さＬを算定した。さらに、前述の（３）式を用いて、Ｂ等を算定した。
以下の表４には、各選定貫通孔において測定された値等をまとめて示す。
Figure 2023052359000011
 この表４から、選定貫通孔のＲ値は、最大でも１．０２８程度であった。また、１０個の選定貫通孔におけるＢ値は、１．６３４％であった。
（例５）
以下の方法で、貫通孔含有ガラス基板を製造した。また、形成された貫通孔における各寸法を測定した。
まず、厚さ０．５０ｍｍのガラス基板（無アルカリガラス）を準備した。
このガラス基板の第１の表面の略中央に、レーザ光を照射し、約１万個の貫通孔群を形成した。レーザ光源には、ＵＶレーザを使用した。
次に、得られたガラス基板をフッ酸溶液中でエッチングした。エッチングにより、各貫通孔が拡張されるとともに、ガラス基板の厚さが約０．４８ｍｍとなった。
以上の工程により、貫通孔含有ガラス基板が得られた。
貫通孔群の中から、ランダムに１０個の貫通孔を選定貫通孔として選定した。また、各選定貫通孔を延伸軸に沿って切断し、断面の形状を観察した。１０個の選定貫通孔は、いずれも、Ｘ型の貫通孔であった。
図５には、選定貫通孔の断面の形態の一例を示す。
各選定貫通孔において、上部開口の直径φ１、下部開口の直径φ２、および狭窄部の直径φ３を測定した。また、得られた結果から、前述の（２）式を用いて、側壁の近似長さＬを算定した。さらに、前述の（３）式を用いて、Ｂ値を算定した。
以下の表５には、各選定貫通孔において測定された値等をまとめて示す。
Figure 2023052359000012
 この表５から、選定貫通孔のＲ値は、最大でも１．０００７４程度であった。また、１０個の選定貫通孔におけるＢ値は、０．０１５％であった。
本発明に係るガラス基板は、高周波信号を扱う高周波デバイス用の貫通孔を有するガラス基板として有意に適用できる。本発明に係るガラス基板は、例えば、通信機器、周波数フィルター部品、導波管等のバンドパスフィルターなど、貫通孔を有するガラス基板が適用できるデバイスに有意に適用できる。
１００ 貫通孔含有ガラス基板
１０２ 第１の表面
１０４ 第２の表面
１２２ 貫通孔
１２２Ａ ストレート型貫通孔
１２２Ｂ Ｘ型貫通孔
１４０ 上部開口
１５０ 下部開口
１５５ 側壁
１６０ 側壁
１６５ 狭窄部
１７０ 第１の部分
１８０ 第２の部分

Claims (4)

  1. 第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を有するガラス基板であって、
    当該ガラス基板は、０．３ｍｍ（ただし、０．３ｍｍを除く）～０．６ｍｍの範囲の厚さｔ（ｍｍ）を有し、
    各貫通孔は、前記第１の表面に直径φ1の上部開口を有し、前記第２の表面に直径φ２の下部開口を有し、前記直径φ１は、５０μｍ～２００μｍの範囲であり、直径φ２は、３０μｍ～１５０μｍの範囲であり、前記貫通孔の総数は、少なくとも１万個であり、
    前記複数の貫通孔から任意に選択された１０個の貫通孔を選定貫通孔と称し、
    該選定貫通孔のうち、内部にφ1およびφ２のうちの小さい方の直径よりも小さな直径を有する狭窄部がないものを、ストレート型貫通孔と称し、
    前記選定貫通孔のうち、内部にφ1およびφ２のうちの小さい方の直径よりも小さな直径を有する狭窄部があるものを、Ｘ型貫通孔と称し、前記狭窄部での貫通孔の直径をφ３とし、
    各選定貫通孔を、延伸軸を通る断面から見たとき、
    前記ストレート型貫通孔の場合、以下の（１）式
    Figure 2023052359000013
     から得られる側壁の近似長さをＬ（ｍｍ）とし、
    前記Ｘ型貫通孔の場合、以下の（２）式
    Figure 2023052359000014
     から得られる側壁の近似長さをＬ（ｍｍ）としたとき、
    比Ｌ／ｔで表されるＲ値は、１～１．００１２３の範囲であり、
    前記選定貫通孔におけるＲ値の平均値をＲａｖｅとし、最大値をＲｍａｘとし、最小値をＲｍｉｎとしたとき、
    Figure 2023052359000015
     で表されるＢ値は、５％以下である、ガラス基板。
  2. 前記Ｂ値は、２％以下である、請求項１に記載のガラス基板。
  3. 前記選定貫通孔は、前記Ｘ型貫通孔であり、
    前記Ｒ値は、１～１．０００７４の範囲である、請求項１または２に記載のガラス基板。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一つに記載のガラス基板を有する、高周波デバイス用ガラス基板。
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